TWI551399B - 高度磨料品質之化學機械研磨修整器 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種高品質磨料之化學機械研磨修整器,尤指一種經由磨料篩選裝置判斷該風險鑽石含量後,再製作形成高品質磨料之化學機械研磨修整器。
化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing,CMP)係為各種產業中常見之研磨製程。利用化學研磨製程可研磨各種物品的表面,包括陶瓷、矽、玻璃、石英、或金屬的晶片等。此外,隨著積體電路發展迅速,因化學機械研磨可達到大面積平坦化之目的,故為半導體製程中常見的晶圓平坦化技術之一。
在半導體之化學機械研磨過程中,係利用研磨墊(Pad)對晶圓(或其它半導體元件)接觸,並視需要搭配使用研磨液,使研磨墊透過化學反應與物理機械利以移除晶圓表面之雜質或不平坦結構;當研磨墊使用一定時間後,由於研磨過程所產生的研磨屑積滯於研磨墊之表面而造成研磨
效果及效率降低,因此,可利用修整器(conditioner)對研磨墊表面磨修,使研磨墊之表面再度粗糙化,並維持在最佳的研磨狀態。然而,在修整器之製備過程中,需要將研磨顆粒及結合層混合形成之研磨層設置於基板表面,並經由硬焊或燒結等硬化方式使研磨層固定結合於基板表面。惟在上述修整器之製作過程中,或是修整器進行拋光墊修整時都有可能會造成鑽石顆粒破裂,即所謂的風險鑽石(Risk Diamond),使修整器變成為有缺陷的,因此有必要對修整器實施一檢測並去除該風險鑽石以確保後續使用能得到預期的研磨效果。習知檢查拋光墊修整器是否具有風險鑽石之作法大多採用人工以光學顯微鏡(OM)進行視覺觀察,一旦發現有風險鑽石,便利用例如油性筆之標記手段將該位置圈出再拍照,最後再以人工比對研磨前後照片,並藉由手工或機械方式去除該風險鑽石,以避免風險鑽石殘留於修整器上。
已知技術中,如申請人提出的中華民國申請專利第102128225號,係揭示一種鑽石篩選裝置,包括:一工作台,包括有一工作台平面;一輸送帶,組設於該工作台之該工作台平面,用以承載一鑽石陣列單元;一取像裝置,組設於該工作台上,且該取像裝置與該輸送帶相對平行於該工作台平面,用以對該鑽石陣列單元之不同區域產生一個或複數個擷取影像;一顯示裝置;以及一影像辨識模組,電性連接於該取像裝置及該顯示裝置,該影像辨識模組對該擷取影像進行一幾何特徵參數分析以判定該鑽石陣列單元之一個或複數個風險鑽石。
此外,另一申請人提出的中華民國申請專利第102116516號,係有關於一種化學機械研磨修整器之檢測裝置,包括:一工作台,包括有一工作台平面;一置放座,係組設於該工作台之該工作台平面,用以承載一化學機械研磨修整器;一取像裝置,用以對該化學機械研磨修整器之不同區域產生一個或複數個擷取影像;一顯示裝置;一影像辨識模組,該影像辨識模組係對該擷取影像進行一色彩比對以判定該化學機械研磨修整器上之一個或複數個風險鑽石,並將該風險鑽石之座標位置輸出至該顯示裝置;以及一移動平台,藉由該移動平台使該風險鑽石移動至一指定位置。本發明亦有關於上述檢測裝置之檢測方法。
然而,上述檢測裝置皆是利用影像處理方式對於已結合固定於修整器上的鑽石顆粒進行幾何特徵參數分析或色彩比對,進而判定風險鑽石之存在及位置,並且可透過適當的移除裝置去除風險鑽石,以減少風險鑽石對於被研磨工件(例如,拋光墊)的破壞及維持修整器的研磨性能及品質,然而,前述習知之檢測裝置係用於評定化學機械研磨修整器之磨料品質,仍無法有效提高化學機械研磨修整器之產品良率。因此,目前急需發展出一種具有磨料篩選裝置之化學機械研磨修整器,該磨料篩選裝置可量測該些研磨顆粒之幾何特徵參數以判定該些研磨顆粒中之風險鑽石含量,並由使用者決定所容許的該風險鑽石含量及決定是否直接利用該些研磨顆粒進行修整器製作,進而避免風險鑽石在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破
壞。
本發明之主要目的係在提供一種高度磨料品質之化學機械研磨修整器,以磨料篩選裝置來判定風險鑽石的含量,進而避免因為風險鑽石含量過高而在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。
習知檢測風險鑽石方式主要係直接檢測已硬焊於化學機械研磨修整器上之研磨顆粒,並透過適當的去除工具,如人工剃除或水刀裝置等,將風險鑽石由化學機械研磨修整器上去除。然而,但若風險鑽石數量過多,將造成風險鑽石的去除作業更為繁雜及費時,甚至造成產品產能下降。因此,發展一種風險鑽石於製作形成修整器前之檢測裝置及方法,且同時確保所製備之化學機械研磨修整器的磨料品質及製作便利性,必有其需要。
為達成上述目的,本發明提供一種高度磨料品質之化學機械研磨修整器,包括:一基板;一結合層,該結合層設置於該基板上;以及複數個研磨顆粒,該些研磨顆粒埋設於該結合層,且該些研磨顆粒藉由該結合層以固定於該基板上;其中,該些研磨顆粒為具有一風險鑽石含量,該風險鑽石含量可經由一磨料篩選裝置而測得。
於本發明之高度磨料品質之化學機械研磨修整器中,該風險鑽石含量為具有一雙晶結構或一內裂結構之研磨顆粒佔該些研磨顆粒的數目百分比,其中,該雙晶結構之
研磨顆粒佔該些研磨顆粒的數目百分比為一雙晶率,該雙晶率可作為本發明之高度磨料品質之化學機械研磨修整器之一品質指標;再者,該雙晶結構為兩顆鑽石生長在一起,於其間存在晶界,使用時易於晶界處斷裂,因此,本發明之高度磨料品質之化學機械研磨修整器可藉由控管雙晶率,進而穩定化學機械研磨修整器之品質。於本發明之高度磨料品質之化學機械研磨修整器中,可依據使用者的需要而決定修整器所能容許的該風險鑽石含量;在本發明之一態樣中,該風險鑽石含量可為20%或更低;在本發明之另一態樣中,該風險鑽石含量可為10%或更低;在本發明之又一態樣中,該風險鑽石含量可為0%。
於本發明之高度磨料品質之化學機械研磨修整器中,該磨料篩選裝置可具有一取像裝置、一影像辨識模組及一顯示裝置,其中,該取像裝置可為任何可取像的裝置,例如,照相機、或工業用攝影機,該取像裝置可包括電荷耦合元件(Charge Coupled Device;CCD),此外,該取像裝置所擷取的影像數目可依據取像裝置的解析度或使用者需要的檢測標準而任意變化,例如,1個、12個、24個、54個、108個擷取影像;其中,該影像辨識模組電性連接於該取像裝置及該顯示裝置,且該影像辨識模組將所擷取的影像結果傳送至顯示模組以判定風險鑽石的存在與否及風險鑽石含量,並由使用者決定所容許的該風險鑽石含量及決定是否直接利用該些研磨顆粒進行修整器製作,或進一步藉由手工或機械方式去除該風險鑽石後,再將處理後之該些研磨顆粒進
行修整器製作。
於本發明之高度磨料品質之化學機械研磨修整器中,每一研磨顆粒具有一幾何特徵參數,藉由該磨料篩選裝置量測該幾何特徵參數以判斷該風險鑽石含量。於本發明高度磨料品質之化學機械研磨修整器中,該風險鑽石為具有雙晶結構或內裂結構之研磨顆粒,不同於晶型完整的正常鑽石顆粒,該風險鑽石之幾何特徵參數可能會超過正常鑽石顆粒所容許之幾何特徵參數。因此,只要能用以判定出該風險鑽石含量,任何能夠用以界定鑽石顆粒之幾何特徵參數皆可使用。舉例而言,於本發明之一態樣中,該幾何特徵參數可為一橢圓度、一球度、一長寬比、一粗糙度、一等效直徑、一最大/最效直徑、一矩形度、一形狀因子、一光學特性、或不同幾何特徵參數之組合。更具體地,於本發明之一態樣中,使用者可選用該橢圓度及該粗糙度作為判斷該風險鑽石含量之該幾何特徵參數;其中,橢圓度係用來表示為橢圓的圓扁程度,其定義為晶體橢圓長軸與短軸的比值,數值越接近1時,其形狀越圓;此外,粗糙度係用來表示晶體的表面缺陷程度,其定義為晶體投影的實際面積(AreaC)和晶體投影後包圍面積(AreaF)之比值,即,粗糙度=(AreaC/AreaF)*100%。據此,使用者可透過影像辨識模組獲得每一鑽石顆粒之幾何特徵參數,並由使用者依照修整器之需求設定一標準參數,進而篩選出幾何特徵參數超過該標準參數之該風險鑽石含量。於本發明之高度磨料品質之化學機械研磨修整器中,使用者可藉由該橢圓度作為
判斷該風險鑽石含量之該幾何特徵參數,其中,該橢圓度為研磨顆粒之最大外徑及最小外徑之比值,在均一外徑之圓形時,該橢圓度為1,當所量測的該橢圓度超過使用者所設定之容許範圍或標準參數時,則可推定出該風險鑽石含量,於本發明之一態樣中,該橢圓度可為1.0至1.6;於本發明之另一態樣中,該橢圓度可為1.0至1.4。此外,於本發明之高度磨料品質之化學機械研磨修整器中,使用者可藉由該粗糙度作為判斷該風險鑽石含量之該幾何特徵參數,其中,該粗糙度為利用表面粗糙度儀量測研磨顆粒之表面形態(,當所量測的該粗糙度超過使用者所設定之容許範圍或標準參數時,則可推定出該風險鑽石含量,於本發明之一態樣中,該粗糙度可為1.00至1.10;在本發明之另一態樣中,該粗糙度可為1.00至1.08。
於本發明之高度磨料品質之化學機械研磨修整器中,該些研磨顆粒可為人造鑽石、天然鑽石、多晶鑽石、或立方氮化硼;在本發明之一較佳態樣中,該些研磨顆粒為人造鑽石。另一方面,於本發明之高度磨料品質之化學機械研磨修整器中,該些研磨顆粒之粒徑可為30微米至600微米;於本發明之一態樣中,該些研磨顆粒之粒徑為200微米。
於本發明之高度磨料品質之化學機械研磨修整器中,該結合層之組成分可依據研磨加工的條件及使用者需求而任意變化,該結合層之組成可為陶瓷材料、硬焊材料、電鍍材料、金屬材料、或高分子材料,本發明並未侷限於此。在本發明之一態樣中,該結合層之組成可為一焊料材料,該
焊料材料可少一選自由鐵、鈷、鎳、鉻、錳、矽、鋁、及其組合所組成之群組。於本發明之另一態樣中,該結合層之組成可為一高分子材料,該高分子材料可為環氧樹脂、聚酯樹脂、聚丙烯酸樹脂、或酚醛樹脂。此外,於本發明之高度磨料品質之化學機械研磨修整器中,該基板之材質及尺寸可依據研磨加工的條件及使用者需求而任意變化,其中,該基板之材質可為不鏽鋼、模具鋼、金屬合金、或陶瓷材料、高分子材料或其組合,本發明並未侷限於此。在本發明之一較佳態樣中,該基板之材質可為不鏽鋼基板。
綜上所述,本發明之高度磨料品質之化學機械研磨修整器,經由磨料篩選裝置判斷該風險鑽石含量後,再製作形成高品質磨料之化學機械研磨修整器,以提高用於化學機械研磨修整器之研磨顆粒的品質。此外,本發明之高度磨料品質之化學機械研磨修整器經由幾何特徵參數來判定風險鑽石含量,並由使用者決定所容許的該風險鑽石含量及決定是否直接利用該些研磨顆粒進行修整器製作,進而避免風險鑽石在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。
1‧‧‧磨料篩選裝置
11‧‧‧輸送帶
12,22‧‧‧研磨顆粒
13‧‧‧取像裝置
14‧‧‧顯示裝置
15‧‧‧影像辨識模組
2‧‧‧化學機械修整器
20‧‧‧基板
21‧‧‧結合層
23‧‧‧風險鑽石
43‧‧‧取像裝置
44‧‧‧顯示裝置
45‧‧‧影像辨識模組
451‧‧‧幾何特徵參數
452‧‧‧標準參數
453‧‧‧參數比對
圖1係本發明高度磨料品質之化學機械研磨修整器之磨料篩選裝置立體圖。
圖2A及圖2B係本發明高度磨料品質之化學機械研磨修整器
之示意圖。
圖3係本發明實施例2之磨料篩選裝置之幾何特徵參數關係圖。
圖4係本發明化學機械研磨修整器之篩選裝置之流程圖。
以下係藉由具體實施例說明本發明之實施方式,熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地了解本發明之其他優點與功效。此外,本發明亦可藉由其他不同具體實施例加以施行或應用,在不悖離本發明之精神下進行各種修飾與變更。
於本發明之高度磨料品質之化學機械研磨修整器中,經由磨料篩選裝置判斷該風險鑽石含量後,再製作形成高品質磨料之化學機械研磨修整器,並由使用者決定所容許的該風險鑽石含量及決定是否直接利用該些研磨顆粒進行修整器製作,進而避免風險鑽石在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。
實施例1
請參考圖1,其係為本發明之高度磨料品質之化學機械研磨修整器之磨料篩選裝置立體圖。如圖1所示,首先提供一磨料篩選裝置1,該磨料篩選裝置1具有一取像裝置13、一影像辨識模組15及一顯示裝置14,其中,該影像辨識模組15電性連接於該取像裝置13及該顯示裝置14;而後將用於化學機械研磨修正器所需之該些研磨顆粒12放置
於該磨料篩選裝置1之輸送帶11上,其中,該些研磨顆粒12具有一風險鑽石含量,並以該取像裝置13對該些研磨顆粒12進行取像,該取像裝置13可為任何可取像的裝置,例如照相機、或工業用攝影機,此外,取像裝置13可包括電荷耦合元件,該取像裝置13對該些研磨顆粒12產生一個或複數個擷取影像,該取像裝置所擷取的影像數目可依據取像裝置的解析度或使用者需要的檢測標準而任意變化;隨之將所擷取的影像傳送至該影像辨識模組15中,經由該影像辨識模組15獲得該擷取影像中每一研磨顆粒之幾何特徵參數,例如,橢圓度及粗糙度,並將該幾何特徵參數與使用者設定之一標準參數進行參數比對以判定該些研磨顆粒12所具有的該風險鑽石,例如,設定橢圓度之標準參數為1.6及粗糙度之標準參數為1.10,也就是說,當擷取影像中每一研磨顆粒12之橢圓度或粗糙度超過使用者設定之一標準參數時,影像辨識模組15就會將該鑽石顆粒判定為風險鑽石,經由磨料篩選裝置判斷該風險鑽石含量後,並由使用者決定所容許的該風險鑽石含量及決定是否直接利用該些研磨顆粒進行修整器製作,或進一步藉由手工或機械方式去除該風險鑽石後,再將處理後之該些研磨顆粒進行修整器製作,其中,該風險鑽石含量為具有雙晶結構或內列結構之研磨顆粒佔該些研磨顆粒12的數目百分比。本發明之實施例1可依使用者需要或研磨條件的不同而任意變化修整器所能容許的該風險鑽石含量,其中,當該些研磨顆粒12之風險鑽石含量為20%或更高時,可判定為該風險鑽石含量過高,而不適合作為化學機械
研磨修整器之研磨顆粒12;因此,使用者可決定是否直接利用該些研磨顆粒進行修整器製作,或進一步藉由手工或機械方式去除該風險鑽石後,再將處理後之該些研磨顆粒進行修整器製作,以製備出具有高度磨料品質之化學機械研磨修整器。
請參考圖2A及圖2B,係本發明高度磨料品質之化學機械研磨修整器之示意圖。如圖2A及圖2B所示,本發明之高度磨料品質之化學機械研磨修整器2,包括:一不鏽鋼材質之基板20;一鎳基金屬焊料之結合層21,及複數個研磨顆粒22,接著,該些研磨顆粒係經由上述磨料篩選裝置1判斷該風險鑽石含量後,並由使用者決定所容許的該風險鑽石含量及決定是否直接利用該些研磨顆粒進行修整器製作,或進一步藉由手工或機械方式去除該風險鑽石後,再將處理後之該些研磨顆粒進行修整器製作;接著,藉由加熱硬焊的方式,使該些研磨顆粒22埋設固定於該結合層21,且該些研磨顆粒22藉由該結合層21以固定於該基板20上;其中,該些研磨顆粒22為粒徑200微米之人造鑽石顆粒,且該些研磨顆粒22的設置方式可以為一般習知的佈鑽技術(例如,模板佈鑽),並可藉由模板(圖未顯示)控制該些研磨顆粒22的間距及排列方式,以及該些研磨顆粒22均為尖端向上以形成一尖端研磨面之方向性,或者依據使用者需求或加工條件而任意變化該些研磨顆粒22具有相同或不同的尖端方向性。此外,圖2A為選用該風險鑽石含量為0之該些研磨顆粒22進行修整器製作,因此,位於化學機械研磨修整器2上的該些研磨
顆粒22並未含有該風險鑽石(圖未顯示);圖2B為選用容許該風險鑽石含量為10%之該些研磨顆粒22進行修整器製作,因此,位於化學機械研磨修整器2上的該些研磨顆粒22含有少量得該風險鑽石23。
實施例2
實施例2與前述實施例1所述包含磨料篩選裝置之高度磨料品質之化學機械研磨修整器之裝置大致相同,其不同之處在於,實施例1設定橢圓度之標準參數為1.6及粗糙度之標準參數為1.10,而實施例2係設定橢圓度之標準參數為1.4及粗糙度之標準參數為1.08。請參照圖1,該取像裝置13對該些研磨顆粒12進行取像,並產生一個或複數個擷取影像;接著,將所擷取的影像傳送至該影像辨識模組15中,經由該影像辨識模組15獲得該擷取影像中每一研磨顆粒12之幾何特徵參數,並將該幾何特徵參數與所設定的標準參數(橢圓度為1.4及粗糙度1.08)進行參數比對,以判定該幾何特徵參數所對應之該些研磨顆粒12所具有的該風險鑽石含量,並由使用者決定是否直接利用該些研磨顆粒進行修整器製作,或進一步藉由手工或機械方式去除該風險鑽石後,再將處理後之該些研磨顆粒進行修整器製作。請參照圖3(請一併參考圖2B),圖3係本發明實施例2之磨料篩選裝置之幾何特徵參數關係圖,在圖3中,橫坐標為粗糙度,縱座標為橢圓度,當磨料篩選裝置的量測結果落在座標圖的斜線區域以外之區域時,就可以將該些研磨顆粒判定為風
險鑽石,並統計該些研磨顆粒所具有的該風險鑽石含量,此外,當磨料篩選裝置的量測結果落在座標圖的斜線區域內側時,就可以將該些研磨顆粒判定為具有完美晶形的研磨顆粒。
請參照圖4,係為本發明化學機械研磨修整器之篩選裝置之流程圖。如圖4所示,於操作該化學機械研磨修整器之篩選裝置時(請一併參考圖1),將待檢測之該些研磨顆粒12放置於該輸送帶11上,並藉由該取像裝置43對該些研磨顆粒12產生一個或複數個擷取影像,接著,所擷取之擷取影像傳送至該影像辨識模組45中,經由該影像辨識模組45獲得該擷取影像中每一鑽石顆粒之幾何特徵參數451,並與一使用者設定之標準參數452進行參數比對453以判定該幾何特徵參數所對應之鑽石顆粒是否為風險鑽石。接著,該影像辨識模組45係將上述結果傳送至顯示模組44以顯示每一研磨顆粒12之幾何特徵參數及其判定結果。最後,經由磨料篩選裝置判斷該風險鑽石含量後,並由使用者決定所容許的該風險鑽石含量及決定是否直接利用該些研磨顆粒進行修整器製作,或進一步藉由手工或機械方式去除該風險鑽石後,再將處理後之該些研磨顆粒進行修整器製作。
於本發明之高度磨料品質之化學機械研磨修整器中,係藉由該磨料篩選裝置以判斷該風險鑽石含量,不同於先前技術直接檢測已固定於化學機械研磨修整器上之研磨顆粒,本發明之磨料篩選裝置藉由量測該研磨顆粒的幾何特徵參數以判斷該風險鑽石含量是否能達到符合使用者需求
並提高修整器上的該些研磨顆粒品質;因此,本發明之高度磨料品質之化學機械研磨修整器經由幾何特徵參數來判定風險鑽石含量,並由使用者決定所容許的該風險鑽石含量及決定是否直接利用該些研磨顆粒進行修整器製作,進而避免風險鑽石在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已,本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準,而非僅限於上述實施例。
1‧‧‧篩選裝置
11‧‧‧輸送帶
12‧‧‧研磨顆粒
13‧‧‧取像裝置
14‧‧‧顯示裝置
15‧‧‧影像辨識模組
Claims (15)
- 一種高度磨料品質之化學機械研磨修整器,包括:一基板;一結合層,該結合層係設置於該基板上;以及複數個研磨顆粒,該些研磨顆粒係埋設於該結合層,且該些研磨顆粒藉由該結合層以固定於該基板上;其中,該些研磨顆粒係具有一風險鑽石含量,該風險鑽石含量係經由一磨料篩選裝置而測得;每一研磨顆粒係具有一幾何特徵參數,藉由該磨料篩選裝置量測該幾何特徵參數以判斷該風險鑽石含量;該幾何特徵參數係為一橢圓度及一粗糙度,該橢圓度係用來表示為橢圓的圓扁程度,其定義為晶體橢圓長軸與短軸的比值;以及該粗糙度係用來表示為晶體的表面缺陷程度,其定義為晶體投影的實際面積和晶體投影後包圍面積之比值,且該粗糙度係為1.00至1.10。
- 如申請專利範圍第1項所述之高度磨料品質之化學機械研磨修整器,其中,該風險鑽石含量係具有一雙晶結構或一內裂結構之研磨顆粒佔該些研磨顆粒的數目百分比。
- 如申請專利範圍第2項所述之高度磨料品質之化學機械研磨修整器,其中,該雙晶結構之研磨顆粒佔該些研磨顆粒的數目百分比係為雙晶率。
- 如申請專利範圍第1項所述之高度磨料品質之化學機械研磨修整器,其中,該風險鑽石含量係為20%或更低。
- 如申請專利範圍第4項所述之高度磨料品質之化學機械研磨修整器,其中,該風險鑽石含量係為10%或更低。
- 如申請專利範圍第1項所述之高度磨料品質之化學機械研磨修整器,其中,該磨料篩選裝置係具有一取像裝置、一影像辨識模組及一顯示裝置。
- 如申請專利範圍第1項所述之高度磨料品質之化學機械研磨修整器,其中,該橢圓度係為1.0至1.6。
- 如申請專利範圍第7項所述之高度磨料品質之化學機械研磨修整器,其中,該橢圓度係為1.0至1.4。
- 如申請專利範圍第1項所述之高度磨料品質之化學機械研磨修整器,其中,該粗糙度係為1.00至1.08。
- 如申請專利範圍第1項所述之高度磨料品質之化學機械研磨修整器,其中,該些研磨顆粒係為人造鑽石、天然鑽石、多晶鑽石、或立方氮化硼。
- 如申請專利範圍第1項所述之高度磨料品質之化學機械研磨修整器,其中,該些研磨顆粒之粒徑係為30微米至600微米。
- 如申請專利範圍第1項所述之高度磨料品質之化學機械研磨修整器,其中,該結合層之組成係為陶瓷材料、硬焊材料、電鍍材料、金屬材料、或高分子材料。
- 如申請專利範圍第12項所述之高度磨料品質之化學機械研磨修整器,其中,該硬焊材料係至少一選自由鐵、鈷、鎳、鉻、錳、矽、鋁、及其組合所組成之群組。
- 如申請專利範圍第12項所述之高度磨料品質之化學機械研磨修整器,其中,該高分子材料係為環氧樹脂、聚酯樹脂、聚丙烯酸樹脂、或酚醛樹脂。
- 如申請專利範圍第1項所述之高度磨料品質之化學機械研磨修整器,其中,該基板係為不鏽鋼基板、模具鋼基板、金屬合金基板、陶瓷基板、高分子基板或其組合。
Priority Applications (2)
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---|---|---|---|
TW103101986A TWI551399B (zh) | 2014-01-20 | 2014-01-20 | 高度磨料品質之化學機械研磨修整器 |
US14/574,171 US9415481B2 (en) | 2014-01-20 | 2014-12-17 | Chemical mechanical polishing conditioner with high quality abrasive particles |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW103101986A TWI551399B (zh) | 2014-01-20 | 2014-01-20 | 高度磨料品質之化學機械研磨修整器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201529231A TW201529231A (zh) | 2015-08-01 |
TWI551399B true TWI551399B (zh) | 2016-10-01 |
Family
ID=53543983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103101986A TWI551399B (zh) | 2014-01-20 | 2014-01-20 | 高度磨料品質之化學機械研磨修整器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9415481B2 (zh) |
TW (1) | TWI551399B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TWI780883B (zh) * | 2021-08-31 | 2022-10-11 | 中國砂輪企業股份有限公司 | 化學機械研磨墊修整器及其製法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11806833B2 (en) * | 2018-08-31 | 2023-11-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical mechanical planarization system and a method of using the same |
TWI813332B (zh) * | 2022-06-10 | 2023-08-21 | 中國砂輪企業股份有限公司 | 化學機械研磨墊修整器及其製法 |
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- 2014-01-20 TW TW103101986A patent/TWI551399B/zh active
- 2014-12-17 US US14/574,171 patent/US9415481B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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TW201529231A (zh) | 2015-08-01 |
US9415481B2 (en) | 2016-08-16 |
US20150202736A1 (en) | 2015-07-23 |
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