TWI511836B - 化學機械研磨修整器之檢測裝置及方法 - Google Patents

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Description

化學機械研磨修整器之檢測裝置及方法
本發明係關於一種化學機械研磨修整器之檢測裝置及方法，尤指一種可提供檢視化學機械研磨修整器上的風險鑽石。
化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing,CMP)係為各種產業中常見之研磨製程。利用化學研磨製程可研磨各種物品的表面，包括陶瓷、矽、玻璃、石英、或金屬的晶片等。此外，隨著積體電路發展迅速，因化學機械研磨可達到大面積平坦化之目的，故為半導體製程中常見的晶圓平坦化技術之一。
在半導體之化學機械研磨過程中，係利用研磨墊(Pad)對晶圓(或其它半導體元件)接觸，並視需要搭配使用研磨液，使研磨墊透過化學反應與物理機械利以移除晶圓表面之雜質或不平坦結構；當研磨墊使用一定時間 後，由於研磨過程所產生的研磨屑積滯於研磨墊之表面而造成研磨效果及效率降低，因此，可利用修整器(conditioner)對研磨墊表面磨修，使研磨墊之表面再度粗糙化，並維持在最佳的研磨狀態。然而，在修整器之製備過程中，需要將研磨顆粒及結合層混合形成之研磨層設置於基板表面，並經由硬焊或燒結等硬化方式使研磨層固定結合於基板表面。惟在上述修整器之製作過程中，或是修整器進行拋光墊修整時都有可能會造成鑽石顆粒破裂，即所謂的風險鑽石(Risk Diamond)，使修整器變成為有缺陷的，因此有必要對修整器實施一檢測步驟以確保後續使用能得到預期的研磨效果。習知檢查拋光墊修整器是否具有風險鑽石之作法大多採用人工以光學顯微鏡(OM)進行視覺觀察，一旦發現有風險鑽石，便利用例如油性筆之標記手段將該位置圈出再拍照，最後再以人工比對研磨前後照片。
已知技術中，如申請人提出的中華民國申請專利第101207490號，係揭示一種拋光墊修整器缺陷判別設備，包括一工作台、設於工作台上之一置放座與一取像裝置、一顯示模組、一影像處理單元。影像處理單元包括一影像辨識模組、一資料儲存器及一比對模組，其中資料儲存器電性連接影像辨識模組與比對模組，並儲存有複數參考影像資料。影像辨識模組將試件影像轉換成與參考影像資料相同格式之試件影像資料，比對模組將試件影像資料與對應之參考影像資料比對以判定試件影像資料任一者是否有 缺陷情形，並將有缺陷及無缺陷之該複數試件影像資料有區隔地標記及顯示於顯示模組。
此外，另一中華民國公告專利第524729號，係揭示一種化學機械研磨機之梳理器，包括：一梳理器基底；一第一導電層及一第二導電層分別配置在上述梳理器基底內，且上述第一導電層及上述第二導電層是被絕緣隔離；複數個鑽石嵌入上述第一導電層及上述第二導電層；以及一接合層配置在上述梳理器基底上，用以固定上述鑽石；其中，上述第一導電層及上述第二導電層，用以檢測當上述鑽石脫落而有導電物質進入上述鑽石之先前固定位置時，而造成上述第一導電層及上述第二導電層短路，以檢測出上述鑽石脫落。
然而，上述之化學機械研磨修整器中，僅是藉由影像分析或電流短路以檢測出修整器上所短缺或掉落的研磨顆粒。因此，目前急需發展出一種化學機械研磨修整器之檢測裝置及方法，其除了可以檢測判定化學機械研磨修整器上是否存在有風險鑽石，並可將風險鑽石由該化學機械研磨修整器上去除，進而避免風險鑽石在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。
本發明之主要目的係在提供一種化學機械研磨修整器之檢測裝置，用以檢測判定化學機械研磨修整器上是否存在有風險鑽石，並可將風險鑽石由該化學機械研 磨修整器上去除，進而避免風險鑽石在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。
不同於習知風險鑽石檢測方式，主要都是直接將修整器對拋光墊進行研磨測試，或是以人工方式針對修整器全部面積進行檢查之作業型態，習知作法既耗費精力又花時間且檢測結果仍存有疑慮。在一般化學機械研磨修整器的製作過程中，大都是將金屬合金之焊料粉末及鑽石顆粒鋪設於不鏽鋼基材表面，再進行加熱硬焊，使鑽石顆粒藉由焊料合金以固定於基材表面，即完成化學機械研磨修整器的製作。在一般化學機械研磨修整器中，常會選用含有氮摻雜物的黃色鑽石顆粒作為研磨顆粒，在經過加熱硬焊之製作過程後，由於鑽石顆粒硬焊後的側面焊面可吸收入射光線，因此，使鑽石顆粒由原本所呈現的黃色改變為黑色，並造成完成後的化學機械研磨修整器表面的目視外觀將完全呈現黑色。然而，在化學機械研磨修整器的實際製作過程中，由於部分的鑽石顆粒含有具有雙晶結構或內裂結構的風險鑽石，其中，風險鑽石的存在可能是來自於鑽石顆粒本身的原料來源、或是鑽石顆粒在硬焊過程或是修整器後製加工過程中所造成的缺陷，而不同於晶型完整的一般鑽石顆粒會受到焊料合金可吸收入射光線而呈現黑色，由於該些風險鑽石具有雙晶結構或內裂結構存在於鑽石顆粒的內部或反射面，所以將造成入射光線形成反射，並使該些風險鑽石會呈現黃色，即一般具有氮摻雜物之黃色鑽石的本身顏色，因此，本發明將藉由檢測修整器上每一鑽石 顆粒所呈現的顏色，以判定修整器上是否具有風險鑽石的存在及其所在位置，並進一步將風險鑽石由該化學機械研磨修整器上去除，進而避免風險鑽石在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。於本發明化學機械研磨修整器之檢測裝置中，除了可以針對呈現黃色的風險鑽石進行檢測判定，更可以依據研磨需求而檢測不同摻雜物或不同顏色之鑽石顆粒，本發明並未侷限於此。
為達成上述目的，本發明之化學機械研磨修整器之檢測裝置，包括：一工作台，包括有一工作台平面；一置放座，組設於該工作台之該工作台平面，用以承載一化學機械研磨修整器；一取像裝置，組設於該工作台之該置放座上，且該取像裝置與該置放座相對平行於該工作台平面，用以對該化學機械研磨修整器之不同區域產生一個或複數個擷取影像；一顯示裝置；以及一影像辨識模組，電性連接於該取像裝置及該顯示裝置，該影像辨識模組對該擷取影像進行一色彩比對以判定該化學機械研磨修整器上之一個或複數個風險鑽石，並將該風險鑽石之座標位置輸出至該顯示裝置；以及一移動平台，藉由該移動平台使該風險鑽石移動至一指定位置，該指定位置即為該影像辨識模組所輸出之座標位置。因此，於操作該化學機械研磨修整器之檢測裝置時，將待檢測化學機械研磨修整器放置於該置放座上，並藉由該取像裝置對該化學機械研磨修整器之不同區域產生一個或複數個擷取影像，接著，將擷取影像傳送至該影像辨識模組中，經由該影像辨識模組將光 學信號轉換成電子信號，再將電子信號轉換成光學頻譜並進行色彩比對以判定該化學機械研磨修整器上之一個或複數個風險鑽石，並透過一般的定位系統以確定該風險鑽石之座標位置。接著，由該影像辨識模組將座標位置傳送至該顯示裝置以顯示該風險鑽石之座標位置，且該移動平台可依據該影像辨識模組所提供之座標位置使該風險鑽石移動至該指定位置。
於本發明化學機械研磨修整器之檢測裝置中，該取像裝置對該化學機械研磨修整器之不同區域產生一個或複數個擷取影像，該擷取影像的數目可依據取像裝置的解析度或使用者需要的檢測標準而任變化，例如，1個、12個、24個、54個、108個擷取影像，本發明並未侷限於此。於本發明之一態樣中，由該取像裝置對該化學機械研磨修整器之不同區域產生24個擷取影像，亦即將化學機械研磨修整器分隔成24個區域以產生24個擷取影像。於本發明之另一態樣中，由該取像裝置對該化學機械研磨修整器之不同區域產生54個擷取影像，亦即將化學機械研磨修整器分隔成54個區域以產生54個擷取影像。又於本發明之另一態樣中，由該取像裝置對該化學機械研磨修整器之不同區域產生108個擷取影像，亦即將化學機械研磨修整器分隔成108個區域以產生108個擷取影像。又於本發明之另一態樣中，若該取像裝置具有高倍率解析度，則該取像裝置對該化學機械研磨修整器之不同區域只需要產生1個擷取影像，亦即將化學機械研磨修整器視為1個區域以產生1個擷取影像。
於本發明化學機械研磨修整器之檢測裝置中，該取像裝置可為一電荷耦合元件(CCD)或一工業用攝影機，用以對該化學機械研磨修整器之不同區域產生一個或複數個擷取影像。於本發明一態樣中，該取像裝置為一電荷耦合元件。此外，於前述之該擷取影像可為一彩色格式資料，用以提供該影像辨識模組對該擷取影像進行一色彩比對以判定該化學機械研磨修整器上之一個或複數個風險鑽石，並藉由該顯示裝置以標示出該風險鑽石。
於本發明化學機械研磨修整器之檢測裝置中，該置放座及該取像裝置可位於該工作台平面上自由移動，使該取像裝置可以對該化學機械研磨修整器之不同區域產生一個或複數個擷取影像。於本發明一態樣中，該置放座位於該工作平台上進行平面移動(例如，左右移動或前後移動)或上下移動。於本發明另一態樣中，該取像裝置位於該工作平台上進行平面移動或上下移動。又於本發明另一態樣中，該置放座及該取像裝置可位於該工作平台上且同時進行平面移動或上下移動，本發明並未侷限於此。
於本發明化學機械研磨修整器之檢測裝置中，更包括一燈源裝置，其組設於該置放座上，並朝該化學機械研磨修整器照射光線，使該取像裝置可在更充足的光線下對該化學機械研磨修整器之不同區域產生一個或複數個擷取影像。
於本發明化學機械研磨修整器之檢測裝置中，該風險鑽石為能夠反射入射光線之一鑽石顆粒，該風險鑽 石可具有一雙晶結構或內裂結構，且該鑽石顆粒為含有氮摻雜物之黃色鑽石。不同於晶型完整的一般鑽石顆粒會受到焊料合金可吸收入射光線而呈現黑色，該些風險鑽石具有雙晶結構或內裂結構存在於鑽石顆粒的內部或反射面，所以將造成入射光線形成反射，使該些風險鑽石會呈現鑽石顆粒原本的黃色，因此，本發明將藉由檢測修整器上每一鑽石顆粒所呈現的顏色，以判定修整器上是否具有風險鑽石的存在及其所在位置。
於本發明化學機械研磨修整器之檢測裝置中，前述該影像辨識模組可將該風險鑽石之座標位置輸出至該移動平台(例如，XY-stage)，藉由該移動平台使該風險鑽石移動至一指定位置，其中，該移動平台可依據影像辨識模組所提供的座標位置以將該風險鑽石自動移動至光學顯微鏡之檢測範圍內之該指定位置，以便於後續再將該風險鑽石由該化學機械研磨修整器上去除。此外，於本發明化學機械研磨修整器之檢測裝置中，除了可以藉由該移動平台將該風險鑽石移動至一指定位置，也可以直接藉由該檢測裝置上本身的置放座將該風險鑽石移動至一指定位置。
於本發明化學機械研磨修整器之檢測裝置中，更包括一移除裝置，用以將該風險鑽石由該化學機械研磨修整器上去除，以避免風險鑽石在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。於前述本發明之該移除裝置可為高功率雷射器、水刀裝置、端點振盪器、或人工剃除刀具，且本發明並未侷限於此。於本發明之一態樣中，該 移除裝置為高功率雷射器。於本發明之另一態樣中，該移除裝置為人工剃除刀具。此外，於本發明化學機械研磨修整器之檢測裝置中，由於該些風險鑽石能夠反射入射光線，使該風險鑽石於該擷取影像中呈現為黃色，且該影像辨識模組可藉由該色彩比對以判定出呈現黃色之該風險鑽石。
本發明之另一主要目的係在提供一種化學機械研磨修整器之檢測方法，用以檢測判定化學機械研磨修整器上是否存在有風險鑽石，並可將風險鑽石由該化學機械研磨修整器上去除，進而避免風險鑽石在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。
為達成上述目的，本發明之化學機械研磨修整器之檢測方法，包括：係依據前述化學機械研磨修整器之檢測裝置以對化學機械研磨修整器進行檢測，並判定該化學機械研磨修整器上之一個或複數個風險鑽石。因此，於操作該化學機械研磨修整器之檢測裝置時，將待檢測化學機械研磨修整器放置於該置放座上，並藉由該取像裝置對該化學機械研磨修整器之不同區域產生一個或複數個擷取影像，接著，將擷取影像傳送至該影像辨識模組中，經由該影像辨識模組將光學信號轉換成電子信號，再將電子信號轉換成光學頻譜並進行色彩比對以判定該化學機械研磨修整器上之一個或複數個風險鑽石，並可透過一般的定位系統以確定該風險鑽石之座標位置。接著，由該影像辨識模組將座標位置傳送至該顯示裝置以顯示該風險鑽石之座 標位置，並藉由一移動平台使該風險鑽石移動至該指定位置。
綜上所述，根據本發明之化學機械研磨修整器之檢測裝置及方法，可用以檢測判定化學機械研磨修整器上是否存在有風險鑽石，並可將風險鑽石由該化學機械研磨修整器上去除，進而避免風險鑽石在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。
10‧‧‧工作台
101‧‧‧工作台平面
11‧‧‧置放座
12‧‧‧化學機械研磨修整器
13,33,43‧‧‧取像裝置
131‧‧‧移動機構
14,34,44‧‧‧顯示裝置
15,35,45‧‧‧影像辨識模組
16‧‧‧燈源裝置
20‧‧‧基材
21‧‧‧焊料層
22‧‧‧鑽石顆粒
23‧‧‧風險鑽石
351,451‧‧‧光學信號
352,452‧‧‧電子信號
353,453‧‧‧光學頻譜
354,454‧‧‧色彩比對
37‧‧‧移動平台
圖1係為本發明化學機械研磨修整器之檢測裝置立體圖。
圖2係為本發明待檢測之化學機械研磨修整器之示意圖。
圖3係為本發明化學機械研磨修整器之檢測裝置之流程圖。
圖4係為本發明化學機械研磨修整器之檢測裝置之流程圖。
以下係藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方式，熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地了解本發明之其他優點與功效。本發明亦可藉由其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節亦可針對不同觀點與應用，在不悖離本發明之精神下進行各種修飾與變更。
本發明之化學機械研磨修整器之檢測裝置及方法，可用以檢測判定化學機械研磨修整器上是否存在有風險鑽石，並可將風險鑽石由該化學機械研磨修整器上去除，進而避免風險鑽石在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。請參考圖1，係為本發明化學機械研磨修整器之檢測裝置立體圖。如圖1所示，本發明之化學機械研磨修整器之檢測裝置，包括：一工作台10，包括有一工作台平面101；一置放座11，組設於該工作台10之該工作台平面101，用以承載一化學機械研磨修整器12；一取像裝置13，組設於該工作台10之該置放座上11，並可藉由一移動機構131而活動地安裝於工作平面台101，且該取像裝置13與該置放座11相對平行於該工作台平面101，用以對該化學機械研磨修整器11之不同區域產生一個或複數個擷取影像；一顯示裝置14；以及一影像辨識模組15，電性連接於該取像裝置13及該顯示裝置14；該影像辨識模組15對該擷取影像進行一色彩比對以判定該化學機械研磨修整器上之呈現黃色之一個或複數個風險鑽石，並將該風險鑽石之座標位置輸出至該顯示裝置14；以及，一移動平台(圖未顯示)，藉由該移動平台使該風險鑽石移動至一指定位置，其中，該移動平台可依據影像辨識模組15所提供的座標位置以將該風險鑽石自動移動至光學顯微鏡之檢測範圍內之該指定位置，以便於後續再將該風險鑽石由該化學機械研磨修整器上去除。此外，於實施例1中，更包括一移除裝置(圖未顯示)，係用以將該風險鑽石由該化學機械研磨修整器上去除，進而避 免風險鑽石在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。
此外，前述於本發明化學機械研磨修整器之檢測裝置中，更包括一燈源裝置16，其組設於該置放座11上，並朝該化學機械研磨修整器12照射光線，使該取像裝置13可在更充足的光線下對該化學機械研磨修整器12之不同區域產生一個或複數個擷取影像，該擷取影像的數目可依據取像裝置的解析度或使用者需要的檢測標準而任變化，例如，1個、12個、24個、54個、108個擷取影像，於實施例1中，由該取像裝置對該化學機械研磨修整器之不同區域可產生54個擷取影像，亦即將化學機械研磨修整器分隔成54個區域以產生54個擷取影像。
請參考圖2，係為本發明待檢測之化學機械研磨修整器之示意圖。如圖2所示，該化學機械研磨修整器係將金屬焊料合金所組成之焊料層21及鑽石顆粒22鋪設於不鏽鋼之基材20表面，再進行加熱硬焊，使鑽石顆粒22藉由焊料層21以固定於基材表面20，即完成化學機械研磨修整器的製作，此外，在加熱硬焊的過程中，由於鑽石顆粒22硬焊後的側面焊面可吸收入射光線，使鑽石顆粒22由原本含有氮摻雜物的黃色鑽石將會受到焊料層21吸收入射光線而呈現黑色，並造成完成後的化學機械研磨修整器表面的目視外觀將完全呈現黑色。然而，由於鑽石顆粒22中含有部分具有雙晶結構或內裂結構的風險鑽石23，不同於晶型完整的一般鑽石顆粒22會受到焊料合金可吸收入射光線而呈現 黑色，該些風險鑽石23能夠反射入射光線，使該些風險鑽石23會呈現本身的黃色，即一般具有氮摻雜物之黃色鑽石，因此，本發明將藉由檢測修整器上每一呈現黃色的鑽石顆粒，以判定修整器上是否具有風險鑽石23的存在及其所在位置，並進一步利用人工剃除刀具將風險鑽石23由該化學機械研磨修整器上去除，進而避免風險鑽石23在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。於本發明化學機械研磨修整器之檢測裝置中，除了可以針對呈現黃色的風險鑽石23進行檢測判定，更可以依據研磨需求而檢測不同摻雜物或不同顏色之鑽石顆粒22及風險鑽石23，本發明並未侷限於此。
請參考圖3，係為本發明化學機械研磨修整器之檢測裝置之流程圖。如圖3所示，於操作該化學機械研磨修整器之檢測裝置時(請一併參考圖1)，將待檢測化學機械研磨修整器放置於該置放座上，並藉由該取像裝置33對該化學機械研磨修整器之不同區域產生一個或複數個擷取影像，接著，將擷取影像傳送至該影像辨識模組35中，經由該影像辨識模組35將光學信號351轉換成電子信號352，再將電子信號352轉換成光學頻譜353並進行色彩比對354以判定該化學機械研磨修整器上呈現黃色之一個或複數個風險鑽石，並可透過一般的定位系統以確定該風險鑽石之座標位置。接著，由該影像辨識模組35將該風險鑽石之座標位置傳送至該顯示裝置34以顯示該風險鑽石之座標位置，且一移動平台37可依據該影像辨識模組35所提供之座標位置使 該風險鑽石移動至該指定位置。最後，再利用一移除裝置(圖未顯示)，係用以將該風險鑽石由該化學機械研磨修整器上去除，進而避免風險鑽石在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。
實施例2
請參考圖4，係為本發明化學機械研磨修整器之檢測裝置之流程圖。實施例2與前述實施例1所述之化學機械研磨修整器之檢測裝置大致相同，其不同之處在於，實施例1係藉由一移動平台將該風險鑽石移動至一指定位置，而實施例2係直接藉由該檢測裝置上本身的置放座將該風險鑽石移動至一指定位置。
如圖4所示，於操作該化學機械研磨修整器之檢測裝置時(請一併參考圖1)，將待檢測化學機械研磨修整器放置於該置放座上，並藉由該取像裝置43對該化學機械研磨修整器之不同區域產生一個或複數個擷取影像，接著，將擷取影像傳送至該影像辨識模組45中，經由該影像辨識模組45將光學信號451轉換成電子信號452，再將電子信號452轉換成光學頻譜453並進行色彩比對454以判定該化學機械研磨修整器上呈現黃色之一個或複數個風險鑽石，並可透過一般的定位系統以確定該風險鑽石之座標位置。接著，由該影像辨識模組45將座標位置傳送至該顯示裝置44以顯示該風險鑽石之座標位置，並直接藉由該檢測裝置上本身的置放座將該風險鑽石移動至一指定位置，使該風險鑽石 可自動移動至光學顯微鏡之檢測範圍內之該指定位置。最後，再利用一移除裝置(圖未顯示)，係用以將該風險鑽石由該化學機械研磨修整器上去除，進而避免風險鑽石在化學機械研磨過程中對於拋光墊產生的刮傷及破壞。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。
33‧‧‧取像裝置
34‧‧‧顯示裝置
35‧‧‧影像辨識模組
351‧‧‧光學信號
352‧‧‧電子信號
353‧‧‧光學頻譜
354‧‧‧色彩比對
37‧‧‧移動平台

Claims (10)

  1. 一種化學機械研磨修整器之檢測裝置，包括：一工作台，包括有一工作台平面；一置放座，係組設於該工作台之該工作台平面，用以承載一化學機械研磨修整器；一取像裝置，係組設於該工作台之該置放座上，且該取像裝置與該置放座係相對平行於該工作台平面，用以對該化學機械研磨修整器之不同區域產生一個或複數個擷取影像；一顯示裝置；一影像辨識模組，係電性連接於該取像裝置及該顯示裝置，該影像辨識模組係對該擷取影像進行一色彩比對以判定該化學機械研磨修整器上之一個或複數個風險鑽石，並將該風險鑽石之座標位置輸出至該顯示裝置；一移動平台，藉由該移動平台使該風險鑽石移動至一指定位置；以及一燈源裝置，其係組設於該置放座上，並朝該化學機械研磨修整器照射光線；其中，該風險鑽石係為能夠反射入射光線之一鑽石顆粒，且該風險鑽石係具有一雙晶結構或一內裂結構。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨修整器之檢測裝置，其中，該取像裝置係為一電荷耦合元件(CCD)或一工業用攝影機。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨修整器之檢測裝置，其中，該置放座及該取像裝置係位於該工作台平面上自由移動。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨修整器之檢測裝置，其中，該擷取影像係為一彩色格式資料。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨修整器之檢測裝置，其中，該鑽石顆粒係為含有氮摻雜物之黃色鑽石。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨修整器之檢測裝置，其中，該風險鑽石於該擷取影像中係呈現為黃色。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨修整器之檢測裝置，其中，該影像辨識模組係藉由該色彩比對以判定出呈現黃色之該風險鑽石。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之化學機械研磨修整器之檢測裝置，更包括一移除裝置，係用以將該風險鑽石由該化學機械研磨修整器上去除。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之化學機械研磨修整器之檢測裝置，其中，該移除裝置係為高功率雷射器、水刀裝置、端點振盪器、或人工剃除刀具。
  10. 一種化學機械研磨修整器之檢測方法，係依據申請專利範圍第1至9項中任一項所述之化學機械研磨修整器之檢測裝置以對化學機械研磨修整器進行檢測，並判定該化學機械研磨修整器上之一個或複數個風險鑽石。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9782852B2 (en) 2010-07-16 2017-10-10 Hypertherm, Inc. Plasma torch with LCD display with settings adjustment and fault diagnosis
US10455682B2 (en) 2012-04-04 2019-10-22 Hypertherm, Inc. Optimization and control of material processing using a thermal processing torch
US10486260B2 (en) * 2012-04-04 2019-11-26 Hypertherm, Inc. Systems, methods, and devices for transmitting information to thermal processing systems
US9481050B2 (en) 2013-07-24 2016-11-01 Hypertherm, Inc. Plasma arc cutting system and persona selection process
US9144882B2 (en) * 2012-04-04 2015-09-29 Hypertherm, Inc. Identifying liquid jet cutting system components
US11783138B2 (en) * 2012-04-04 2023-10-10 Hypertherm, Inc. Configuring signal devices in thermal processing systems
US9737954B2 (en) 2012-04-04 2017-08-22 Hypertherm, Inc. Automatically sensing consumable components in thermal processing systems
US20150332071A1 (en) 2012-04-04 2015-11-19 Hypertherm, Inc. Configuring Signal Devices in Thermal Processing Systems
US9672460B2 (en) 2012-04-04 2017-06-06 Hypertherm, Inc. Configuring signal devices in thermal processing systems
US9395715B2 (en) 2012-04-04 2016-07-19 Hypertherm, Inc. Identifying components in a material processing system
TWI583496B (zh) * 2013-05-09 2017-05-21 中國砂輪企業股份有限公司 化學機械研磨修整器之尖點檢測方法及裝置
US9643273B2 (en) 2013-10-14 2017-05-09 Hypertherm, Inc. Systems and methods for configuring a cutting or welding delivery device
TWI551399B (zh) * 2014-01-20 2016-10-01 中國砂輪企業股份有限公司 高度磨料品質之化學機械研磨修整器
WO2015134966A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Hypertherm, Inc. Liquid pressurization pump and systems with data storage
US10786924B2 (en) 2014-03-07 2020-09-29 Hypertherm, Inc. Waterjet cutting head temperature sensor
US20150269603A1 (en) 2014-03-19 2015-09-24 Hypertherm, Inc. Methods for Developing Customer Loyalty Programs and Related Systems and Devices
JP6277931B2 (ja) * 2014-10-01 2018-02-14 信越半導体株式会社 貼り合わせ不良部の検出方法及び検査システム
KR102581481B1 (ko) 2016-10-18 2023-09-21 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마 방법, 반도체 소자의 제조 방법, 및 반도체 제조 장치
US11571786B2 (en) * 2018-03-13 2023-02-07 Applied Materials, Inc. Consumable part monitoring in chemical mechanical polisher
CN113858034B (zh) * 2021-09-18 2023-06-30 长江存储科技有限责任公司 抛光装置、抛光装置的检测方法和抛光***

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW420855B (en) * 1998-08-19 2001-02-01 Advanced Semiconductor Eng Device for detecting metal plating layer of the solder points on an integrated circuit
US7011566B2 (en) * 2002-08-26 2006-03-14 Micron Technology, Inc. Methods and systems for conditioning planarizing pads used in planarizing substrates
US7258708B2 (en) * 2004-12-30 2007-08-21 Chien-Min Sung Chemical mechanical polishing pad dresser
TW201111110A (en) * 2009-09-29 2011-04-01 jian-min Song System for Evaluating and/or Improving Performance of a CMP Pad Dresser
TWM437456U (en) * 2012-04-23 2012-09-11 Kinik Co Defect determination equipment of polishing pad trimmer

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4082185A (en) * 1973-11-02 1978-04-04 General Electric Company Manufacture of diamond products
KR100432781B1 (ko) * 2001-03-22 2004-05-24 삼성전자주식회사 연마패드의 측정장치 및 방법
US7210981B2 (en) * 2005-05-26 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Smart conditioner rinse station
JP4756583B2 (ja) * 2005-08-30 2011-08-24 株式会社東京精密 研磨パッド、パッドドレッシング評価方法、及び研磨装置
GB2481283B (en) * 2010-06-03 2013-07-17 Element Six Ltd A method of increasing the toughness and/or wear resistance of diamond tool pieces and diamond tool pieces fabricated by said method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW420855B (en) * 1998-08-19 2001-02-01 Advanced Semiconductor Eng Device for detecting metal plating layer of the solder points on an integrated circuit
US7011566B2 (en) * 2002-08-26 2006-03-14 Micron Technology, Inc. Methods and systems for conditioning planarizing pads used in planarizing substrates
US7258708B2 (en) * 2004-12-30 2007-08-21 Chien-Min Sung Chemical mechanical polishing pad dresser
TW201111110A (en) * 2009-09-29 2011-04-01 jian-min Song System for Evaluating and/or Improving Performance of a CMP Pad Dresser
TWM437456U (en) * 2012-04-23 2012-09-11 Kinik Co Defect determination equipment of polishing pad trimmer

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