TWI549562B - 有機電激發光元件之製造方法 - Google Patents

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劉鳳儀
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Description

有機電激發光元件之製造方法
本發明是有關有機電激發光元件(以下，簡稱有機EL元件)之製造方法，具備有依該製造方法所得之有機EL元件之顯示裝置以及照明裝置。(有機電激發光元件，organic electroluminescent element，有稱為電場發光元件，或電致發光元件，或電發光元件之情形)
有機EL元件，係包含一對電極(陽極及陰極)、及於該電極間所設置之發光層所構成。有機EL元件，係藉由於一對電極上施加電壓，而從陽極注入電洞，同時，從陰極注入電子，此等電洞與電子在發光層中結合而發光者。
一對電極中的一邊，係由能顯示光透射性(light transmissivity)之電極所構成，而於發光層中發生之光線，係通過顯示有光透射性之電極而往外射出。目前能顯示該光透射性之電極大部分是採用銦錫氧化物(Indium Tin Oxide：簡稱ITO)薄膜。
由於ITO薄膜之折射率(refractive index)較發光層等還高，故於ITO薄膜的界面可發生全反射(total reflection)。因此，現狀而言，從發光層所放射之大部分光未能射出於外部，以致不能有效利用。因此，為了降低對電極(ITO薄膜)的入射角以抑制全反射，而提案將能改變從發光層所放射之光的進行方向之繞射光柵(diffracton grating)，形成於電極或發光層之有機EL元件之製造方法(例如，參考專利文獻1)。
有機EL元件，係除層狀的一對電極及發光層之外，因應需要時，尚於一對電極間具備有預定的有機層或無機層，並將此等複數個層依序積層於支撐基板(support substrate)上，即可製作。於上述的以往技術的有機EL元件之製造方法中，係於透明的支撐基板上形成表面上形成有凹凸之硬化性樹脂層後，於此硬化性樹脂層上利用蒸鍍法(vapor deposition)或濺鍍法(sputtering)等依序積層複數個層，而製作有機EL元件。如此藉由於表面形成有凹凸之硬化性樹脂層上依序積層複數個層，即可將作為繞射光柵發揮功能之凹凸結構，形成於複數個層上。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-9861號公報
於以往技術的有機EL元件之製造方法中，雖然可於複數個層上形成凹凸結構，但很難使硬化性樹脂層表面的凹凸形狀與各層表面形狀以完全一致之方式進行各層之積層，以致隨著從硬化性樹脂層離間，則各層的凹凸形狀會依序變成坡度平緩者。如此，於以往的製造方法中，欲於一對電極間所設置之層上形成所預期的凹凸形狀，係有困難。又，為了形成凹凸形狀，有必要形成在有機EL元件的構成上所不需要的硬化性樹脂層，以致有步驟數增加之問題。
因而，本發明之目的在於提供一種有機EL元件之製造方法，係製造能容易將抑制在電極中發生之全反射的所預期之結構形成於一對電極間所設置之層上的有機EL元件。
本發明是有關(1)一種有機電激發光元件之製造方法，係具備有一對電極、及設置於該電極間之二層以上的有機層，而作為該二層以上的有機層含有發光層之有機電激發光元件之製造方法，其特徵為：包含形成一對電極中之一邊電極之步驟；及形成一層以上有機層之步驟，係具有將對前述發光層的厚度方向略成垂直方向所進行之光線的進行方向，往前述厚度方向傾斜之週期性結構(periodic structure)之二層以上的有機層，以及形成一對電極中之另一邊電極之步驟；而在形成二層以上的有機層之步驟中，將成為前述有機層之平板狀的層積層二層以上之後，再於前述經積層二層以上之前述平板狀的層，藉由壓印法於對前述發光層的厚度方向成為垂直的平面上形成二維方式(two-dimensional)且週期性地配置之前述週期性結構。
本發明是有關(2)如(1)記載之有機電激發光元件之製造方法，其中，前述按二維方式且週期性地配置之具有週期性結構之有機層係含有高分子化合物之有機層。
本發明是有關(3)一種顯示裝置，係具備有依(1)或(2)記載之製造方法所製作之有機電激發光元件的裝置。
本發明是有關(4)一種照明裝置，係具備有依(1)或(2)記載之製造方法所製作之有機電激發光元件的裝置。
如採用本發明，則能容易製造將抑制在電極中發生之全反射的所預期結構形成於一對電極間所設置之層上之有機EL元件。
本實施形態之有機EL元件，係具備有一對電極及設置於該電極間之二層以上的有機層，而作為該二層以上的有機層者為含有發光層所構成，通常是將此等一對電極及二層以上的有機層依序積層於支撐基板上之方式而形成。
一對電極之極性係互為相異者，分別作為陽極或陰極而設置。又，一對電極中的一個，係由能顯示光線透射性之電極所構成。與該能顯示光線透射性之電極的極性相異之另一電極，可以是能顯示光線透射性之電極，亦可以是不透明的電極，但較佳為由朝向能顯示光線透射性之電極反射光線之反射電極(reflection electrode)所構成。
如前所述，於一對電極間，設置有二層以上的有機層。作為該二層以上有機層中的至少一層，於一對電極間設置有發光層。亦即，於一對電極間，至少設置一層發光層。在此，於一對電極間除發光層以外尚可設置預定的有機層。又，亦可於一對電極間設置有二層以上的發光層。再者，於一對電極間，亦可設置有由無機物所成之無機層，由有機物與無機物所成之混合層。
以下，參考第1圖、第2圖並詳細說明本發明之一實施形態的有機EL元件之製造方法及其構成。第1圖係模式地表示有機EL元件之製造方法圖。
本發明之有機EL元件之製造方法，係含有：形成一對電極中的一邊電極之步驟，及形成二層以上的有機層之步驟，以及形成一對電極中的另一邊電極之步驟，而在形成二層以上的有機層之步驟中，將成為前述有機層之平板狀的層積層二層以上後，再於前述經積層二層以上之前述平板狀的層，依壓印法於對前述發光層的厚度方向成為垂直的平面上形成二維方式且循環地配置之週期性結構，藉以形成具有將對前述發光層的厚度方向略成垂直方向所進行光線的進行方向，往前述厚度方向傾斜之週期性結構之有機層。
本發明之有機EL元件係在一對電極間具備有二層以上的有機層，但於本實施形態中，係說明作為二層以上的有機物而具備有電洞注入層及發光層之有機EL元件。第1圖中係作為實施形態的一例，表示有一邊的電極2、電洞注入層3、發光層4、電子注入層8、另一邊的電極5、密封構材(sealant)10為依此順序積層於支撐基板6上所構成之有機EL元件1之製造方法。於從發光層4所放射之光通過支撐基板6後往外射出之構成的所謂底端放射型(bottom emission type)的有機EL元件中，支撐基板6，係採用能顯示光透射性之基板。再者，如從發光層4所放射之光通過另一邊的電極5後往外射出之構成的所謂頂部放射型的有機EL元件之情形，則支撐基板6可為能顯示光透射性之基板，亦可為不透明之基板。
<形成一邊的電極之步驟>
一邊的電極2係設置於支撐基板6上。該一邊的電極2係兩主面為平坦且為平板狀者。亦即，於一邊的電極2上表面並未形成有凹凸。於前述之底部放射型的有機EL元件中，一邊的電極2是採用能顯示光透射性之電極。又，於頂部放射型的有機EL元件中，一邊的電極2是以採用將光線朝向另一方電極5反射之反射電極為佳。
如第1圖(1)所示，首先準備後述之支撐基板6，並於此支撐基板6上以後述之既定方法形成一邊的電極。
本實施形態中，一邊的電極2係作為陽極而設置者。又，本實施形態中，雖說明將作為一對電極中之陽極發揮功能之電極按靠近支撐基板6之方式配置，將作為陰極發揮功能之電極按離間支撐基板6之位置方式配置而構成的有機EL元件，但亦可以相反地將作為一對電極中之陰極發揮功能之電極按靠近支撐基板之方式配置，將作為陽極發揮功能之電極按離間支撐基板之位置方式配置而構成的有機EL元件。
<形成二層以上之有機層之步驟>
於形成二層以上的有機層之步驟中，將成為前述有機層之平板狀的層積層二層以上後，再於前述經積層二層以上之前述平板狀的層，依壓印法於對前述發光層的厚度方向成為垂直的平面上形成二維方式且循環地配置之週期性結構，藉以形成具有將對前述發光層的厚度方向略成垂直方向進行之光線的進行方向，往前述厚度方向傾斜之週期性構造之有機層。
如第1圖(2)所示，於本實施形態中，作為二層以上的有機層者係形成電洞注入層3及發光層4。
首先，形成成為有機層(在本實施形態中為電洞注入層3)之平板狀的層。平板狀的層，例如，將含有成為該層材料之油墨(ink)依既定的塗佈法塗佈，並使其乾燥即可形成。例如可將含有成為後述電洞注入層3之材料的油墨依既定的塗佈法塗佈，再使其乾燥即可形成平板狀的層。
接著，將成為有機層(在本實施形態中為發光層4)之平板狀的層，積層於在上述中所形成之有機層(在本實施形態中為電洞注入層3)的平板狀的層上。平板狀的層，係可按與成為上述電洞注入層3之平板狀的層同樣方式形成。例如，將含有成為後述發光層4材料之油墨，依既定的塗佈法塗佈，再使其乾燥即可形成成為發光層4之平板狀的層。
接著，如第1圖(3)所示，利用壓印法(所謂壓紋加工法(emboss processing method))，於上述所積層之平板狀的層上形成週期性構造。
於壓印法中，係使用形成有既定凸部之鑄模，將此鑄模的形狀轉印(transcription)到上述所積層之平板狀的層，藉以形成週期性構造。例如，使用對應於電洞注入層3與發光層4之積層體7上應形成凹痕11之位置可形成有凸部之鑄模，並將此鑄模按壓於平板狀的層以轉印金屬模具的構造，即可於積層體7上形成週期性的凹痕11。如利用壓印法所形成之構造為奈米尺寸時，有時特別將此壓印法稱為奈米壓印(nano-imprint)。
壓印法可採用適合於進行壓印之構材之方法，可例舉：熱壓印法、光壓印法等。熱壓印法，可適用於熱塑性的構材。例如，將經加熱狀態的鑄模按壓於熱塑性的構材，即可將鑄模的形狀轉印到構材上。例如，較佳為將經加熱到較熱塑性構材的玻璃轉移溫度更高溫度之鑄模，按壓於熱塑性的構材上，藉以將鑄模的形狀轉印於構材。又，光壓印法，可適用於例如，含有光硬化性單體等之，因光之照射而硬化之材料的構材。例如，在按壓鑄模之狀態下，藉由照射紫外線而使光硬化性單體聚合，即可將鑄模的形狀轉印於構材上。
本實施形態中，作為二層以上的有機層者係設置電洞注入層3及發光層4。然後，於此電洞注入層3與發光層4的積層體7上形成週期性構造。具體上，於電洞注入層3與發光層4的積層體7上，將對發光層的厚度方向略成垂直方向進行之光的進行方向，往前述厚度方向傾斜而形成二維方式的週期性構造。
本實施形態中，作為二維方式的週期性構造者，係於電洞注入層3與發光層4所成之積層體7上，形成有往電洞注入層與發光層的積層體的厚度方向延伸之凹痕11，而該複數個凹痕11，係於對電洞注入層3與發光層4所成之積層體7的厚度方向成為垂直的平面，按二維方式具有既定的週期(period)而形成。
此種凹痕11，可為貫通電洞注入層3與發光層4的積層體7，亦可為未貫通者。再者，如凹痕11未貫通電洞注入層3與發光層4的積層體7之情形，此種凹痕11，係按從發光層的另一邊的電極5側的主平面朝向一邊的電極2側延伸之方式而形成者。
由面臨凹痕11之表面所規定之形狀(所謂凹痕11的形狀)，可列舉：圓柱、多角柱、圓錐、多角錐、圓錐台以及角錐台等。
第2圖中，模式性地表示凹痕11所設置之配置。第2圖係從厚度方向的一邊觀看電洞注入層3與發光層4的積層體7之圖，而假設圓柱形狀的凹痕11，作為凹痕11的剖面形狀者為圓形。再者，凹痕11係以涵蓋一對電極相對向之全區域而形成者為佳。
例如，凹痕11，可配置於互相空出等間隔而平行所配置之複數條的第1條紋(以下，簡稱直條紋)，與互相空出等間隔而平行所配置之第2條紋(以下，簡稱橫條紋)的交點。第2圖中，將直條紋及橫條紋，分別以2點鏈線表示。直條紋與橫條紋的交叉角θ可為任何度數，又直條紋的間隔L1、及橫條紋的間隔L2，可為相同或不相同。
第2圖(1)，係表示直條紋與橫條紋的交叉角θ為90°，而直條紋的間隔L1與橫條紋的間隔L2為同樣情形的凹痕11之配置。又第2圖(2)，係表示將直條紋與橫條紋的交叉角θ為45°，而將橫條紋的間隔當作「1」時的直條紋的間隔為「21/2」之情形的凹痕11的配置。再者，例如，凹痕11亦可配置於直條紋與橫條紋的交叉角θ為60°(銳角)，而直條紋的間隔L1與橫條紋的間隔L2為相同時的直條紋與橫條紋的交點。
直條紋的間隔L1及橫條紋的間隔L2，以及直條紋與橫條紋的交叉角θ係分別設定為能構成將對電洞注入層3與發光層4所成之積層體7的厚度方向略成垂直的方向進行光的進行方向，按往電洞注入層3與發光層4所成之積層體7的厚度方向傾斜之方式改變光方向之繞射光柵之方式。例如，直條紋的間隔L1及橫條紋的L2，通常係將從發光層4所放射之光中應作為出射光利用之光的1波長(λo)除以折射率(n)之距離(λo/n)至該距離(λo/n)的數倍程度，而以將應作為出射光利用之光的1波長除以折射率(n)之距離(λo/n)程度為宜。又，折射率，係於應作為出射光利用之光的波長(λo)中具有週期性結構之構材的折射率，而由有機物所構成之構材的折射率通常為1.7程度。
於電洞注入層3與發光層4的積層體7之厚度方向的凹痕11高度，較佳為具有能繞射光線程度的高度，例如為40nm至2μm，較佳為60nm至51μm，更佳為80nm至500nm。
又於對電洞注入層3與發光層4的積層體7之厚度方向成為垂直方向之凹痕11之寬幅，係前述之直條紋的間隔L1或橫條紋的間隔L2的一半以下，較佳為80nm至500nm，更佳為100nm至300nm。
接著，本實施形態中是形成電子注入層。電子注入層8，係如後述之實施形態，也可填充於電洞注入層3與發光層4的積層體7上所形成之凹痕11而形成者，但本實施形態中，電子注入層8係兩主面為平坦的平板狀者，而形成於電洞注入層3與發光層4的積層體7上。
如前所述，於電洞注入層3與發光層4的積層物7上是形成有複數個凹痕11，由於在該電洞注入層3與發光層4的積層體7上形成平板狀的電子注入層8，而於電洞注入層3與發光層4所成之積層體7與電子注入層8之間形成週期性的空隙(air gap)。
本實施形態的電子注入層，例如係依層壓法(laminating method)而形成。如第1圖(5)所示般，於本實施形態中，於後述之既定的密封構材10上將另一邊的電極5及電子注入層8依此順序預先積層，再將此等積層有另一邊的電極5及電子注入層8之板，加以層壓(laminate)，即可於發光層4上形成電子注入層8。又，如按此方式形成電子注入層8，則另一邊的電極5，及密封構材10亦可同時形成。層壓法，具體上是可採用Appl. Phys. Lett.(應用物理學通訊)第88卷，第223509頁(2006年出版)中所記載的方法等。又，例如，亦可於剝離性高的基材上預先形成電子注入層，再將此轉印，藉以在電洞注入層與發光層的積層體上形成電子注入層。
<形成另一邊電極之步驟>
接著，於電子注入層8上依既定的方法形成另一邊的電極5。本實施形態中，另一邊的電極5係作為陰極而設置。又，於前述之底端放射型的有機EL元件中，另一邊的電極5係以採用將光反射於另一邊的電極2之反射電極為佳。又，於頂部放射型的有機EL元件中，另一邊的電極5係採用能顯示光透射性之電極。
如前所述般，於既定的密封構材10上將另一邊的電極5及電子注入層8依此順序預先積層，再將此等積層有另一邊電極5及電子注入層8之基板進行層壓，即可將另一邊的電極5形成於電子注入層8上。又，並不如前述之方式同時積層另一邊的電極5及電子注入層8，而僅將電子注入層8預先形成於發光層4上時，例如，可依蒸鍍法或層壓法而將另一邊的電極5形成於電子注入層8上。又，本實施形態中，為了形成電洞注入層與發光層之2層的有機層，雖將此2層有機層同時進行壓印，藉以在全部的有機層上形成週期性構造，但例如，在有機層有3層以上之情形，則可在3層以上的層中，亦可以僅有2層形成週期性構造。具體上，在經積層3層以上的平板狀的層後，當使用鑄模以進行壓印時，亦可僅對靠近鑄模的2層到達鑄模的凸部之方式實施壓印。
如以上之說明，於本實施形態中，利用壓印法而一次同時加工電洞注入層3及發光層4之結果，可於電洞注入層3與發光層4之積層體7上形成週期性結構。在以往技術中，係將表面上形成有凹凸之硬化性樹脂層形成於支撐基板上，並於此硬化性樹脂層上形成複數個層，故隨著從硬化性樹脂層離間時各層的凹凸形狀即依順序坡度平緩，以致難於將預期的凹凸形狀形成於各層上，惟如採用壓印法則可於二層以上的有機層(本實施形態中為電洞注入層3及發光層4)上形成預期的週期性結構。又，在以往技術中，為了形成凹凸形狀時卻需要形成作為有機EL元件的構成上所不需要的硬化性樹脂層，以致增加步驟數，但本發明中並不需要設置硬化性樹脂層故可簡化步驟。再者，在以往技術中，係對一對電極分別形成有凹凸，但本實施形態中，因藉由二層以上的有機層(本實施形態中為電洞注入層3及發光層4)之加工而形成週期性結構，故能將靠近支撐基板所配置之一邊的電極2形成為平板狀，同時，進一步可將另一邊的電極也形成為平板狀。因而，可於電極間產生均勻的電場(electric field)。
再者，本實施形態中，係僅於由電洞注入層與發光層所成之積層體7上形成週期性結構，但亦可於例如，由電洞注入層、電洞輸送層以及發光層所成之積層體上依壓印法而形成週期性之結構。
第3圖中依模式表示本發明之另一實施形態的有機EL元件之製造方法。由於本實施形態之製造方法，僅與前述之實施形態中之電子注入層8及另一邊的電極5之形成方法相異，故相對應之部分是附與同一參考符號而省略重複之說明。
於本實施形態中，例如是利用蒸鍍法而形成電子注入層。如第3圖(5)所示，在此情形，不僅於電洞注入層3與發光層4所成的積層體7的表面上，甚至於積層體7的凹痕11上亦可稍微形成電子注入層8。
接著，形成另一邊的電極。如第3圖(6)所示，於密封構材10上積層另一邊的電極，再將經積層該另一邊的電極5之基板進行層壓，即可於電子注入層8上形成另一邊的電極5。
在此，如依蒸鍍法形成另一邊的電極5之情形，則不僅在電子注入層8上，尚在積層體7的凹痕11亦能形成另一邊的電極5。
前述之各實施形態的有機EL元件中，通常設置有能密封有機EL元件之密封構材。在此，如前所述，當利用層壓法以形成另一方的電極5時，亦可與另一方的電極5同時形成密封構材10。
前述之各實施形態的有機EL元件中，為了再提升光學拾波效率(optical pick-up efficiency)，較佳為例如於光線射出之面(亦即，與空氣的界面)形成凹凸。例如，於底端放射型的有機EL元件中，較佳為在支撐基板的表面形成凹凸，於頂端放射型之有機EL元件中，較佳為於密封構材的表面形成凹凸。
凹凸而言，較佳為例如，形成高低差為0.1μm以上0.2mm以下的凹凸。如形成此種凹凸，則可抑制在基板與空氣的界面，或在密封構材與空氣的界面所發生之全反射。又，亦可不直接於支撐基板或密封構材上形成凹凸，而將表面形成有凹凸之薄膜黏貼在支撐基板或密封構材。例如，隔著既定的黏合層(adhesive layer)黏貼薄膜之情形，較佳係黏合層，與夾持該黏合層之2個構材的折射率差的絕對值為在0.2以下。藉由採用此種黏合層及薄膜，則可以抑制在薄膜或黏著層之光的反射。
以下，詳述有機EL元件的各構成要件之更具體的構成及其製法。
如前所述，有機EL元件係於一對電極間除了發光層以外，尚可具備預定的層。
作為可設置於陰極與發光層之間之層者，可列舉：電子注入層、電子輸送層、電洞阻擋層等。如於陰極與發光層之間設置電子注入層和電子輸送層的兩層時，則與陰極相鄰接之層稱為電子注入層，而將除了此電子注入層之層稱為電子輸送層。
電子注入層，具有能改善來自陰極之電子注入效率之功能。電子輸送層，具有改善來自與陰極側表面相鄰接之層的電子注入功能。電洞阻擋層，具有能攔住電洞輸送之功能。在此，如電子注入層、及/或電子輸送層具有能攔住電洞的傳輸之功能時，則此等層可能兼作電洞阻擋層。
電洞阻擋層為具有能攔住電洞的傳輸功能，係指例如製作僅使電洞電流(hole current)流通之元件，並能藉由其電流值的減少而可確認其攔阻之效果。
作為可設置於陽極與發光層之間之層者，可列舉：電洞注入層、電洞輸送層、電子阻擋層等。如於陽極與發光層之間設置電洞注入層和電洞輸送層的兩層時，則將與陽極相鄰接之層稱為電洞注入層，而將除了此電洞注入層以外之層稱為電洞輸送層。
電洞注入層，具有能改善來自陽極之電洞注入效率之功能。電洞輸送層具有改善來自鄰接陽極側之表面層之電洞注入效率之功能。電子阻擋層，具有能攔住電子的傳輸之功能。在此，如電洞注入層、及/或電洞輸送層具有能攔住電子的傳輸功能時，則此等層可以兼作電子阻擋層。
電子阻擋層為具有能攔住電子的傳輸之功能，係指例如製作僅使電子電流流通之元件，並能藉由其電流值的減少而可能確認攔住之效果。
再者，有時將電子注入層及電洞注入層總稱為電荷注入層，而將電子輸送層及電洞輸送層總稱為電荷傳輸層。
如將含有此等電洞注入層、電洞輸送層、電子阻擋層、發光層、電洞阻擋層、電子輸送層、電子注入層之有機層，利用壓印法以形成二維方式的週期性結構時，為了利用壓印法以形成所希望的形狀，亦可添加各種添加劑。添加劑的種類並無特別之限定，但添加劑可在不妨礙各層功能之範圍內添加。例如，進行壓印之層的黏度為低的情形，如欲將鑄模的形狀正確地轉印時會有困難，故為了增高壓印之層的黏度，亦可添加預定的添加劑。如此，可藉由添加劑之添加而提高壓印之層的黏度，並正確轉印鑄模的形狀，結果可形成所預期之形狀的週期性構造。又。如作為此種添加劑而使用容易氣化者之情形，則例如經形成壓印之後，藉由將既定的層加熱以除去該添加劑之作法亦可屬可行。
於本發明之製造方法中，按二維方式週期性配置之具有循環式構造之層，除了利用壓印法以形成形狀之外，較佳為含有高分子。當將鑄模的形狀藉由轉印之壓印法而形成預期的形狀時，在經離間鑄模後，需要仍維持鑄模的形狀。由於高分子之含有而對構材賦與可塑性，故經離間鑄模後仍能維持形狀。因此，容易進行預期的形狀之成型。在此，本說明書中，高分子係指聚苯乙烯換算的數平均分子量在103至108的化合物之意。
以下，將本實施形態之有機EL元件可得之層構成的一例如以下所示。
a)　陽極/電洞注入層/發光層/陰極
b)　陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極
c)　陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/陰極
d)　陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
e)　陽極/電洞輸送層/發光層/陰極
f)　陽極/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極
g)　陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極
h)　陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
i)　陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/陰極
j)　陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極
k)　陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極
l)　陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
m)　陽極/發光層/電子注入層/陰極
n)　陽極/發光層/電子輸送層/陰極
o)　陽極/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(在此，記號「/」，表示夾著「/」之各層為相鄰接並積層之意。以下相同。)
本實施形態之有機EL元件，亦可具有2層以上的發光層。於上述a)至o)的層構成中的任一項，如將在陽極與陰極所夾住之積層體稱為「構造單元A」，則作為具有2層的發光層之有機EL元件的結構，而可列舉：如下述p)所示之層構成。在此，有2個(構造單元A)的層構成，可互為相同、或不相同。
p)陽極/(構造單元A)/電荷發生層/(構造單元A)/陰極如將「(構造單元A)/電荷發生層」當作「構造單元B」時，則作為具有3層以上發光層之有機EL元件的構成，可列舉：如下述r)所示之層結構。
q)陽極/(構造單元B)x/(構造單元A)/陰極在此，記號「x」表示2以上之整數，(構造單元B)x，表示構造單元B經x段積層之積層物。又，有複數個(構造單元B)的層構成，可為相同、或不相同。
在此，電荷發生層，係指因施加電場而會發生電洞及電子之層。作為電荷發生層者，可例舉：由氧化釩(vanadium oxide)、銦錫氧化物(Indium Tin Oxide；簡稱ITO)、氧化鉬(Molybdenum oxide)等所成之薄膜。
於前述之實施形態中，係就電洞注入層和發光層兩層，或僅電洞注入層具有週期性構造之形態加以說明，惟於a)至q)的構成中，亦可作成陽極及陰極間所配置之既定的一層，或者既定的2層，再者更多的層能具有週期性結構之方式。
<支撐基板>
作為支撐基板者，例如可採用：玻璃、塑膠、高分子薄膜，以及矽板，以及將此等經積層者等，在此，於底端放射型的有機EL元件中，使用能顯示光透射性之基板，惟於頂部放射型的有機EL元件，則亦可使用不透明的基板。
作為支撐基板者以氣體阻障性(gas barrier property)高者為佳，為了更提升氣體阻障性，亦可於支撐基板之至少一邊的表面形成例如由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氧氮化物等所成之無機層、經積層前述無機層與有機層之層或無機-有機混合物(hybrid)層等。
<一對電極>
一對電極係由陽極及陰極所構成。
作為陽極者可採用金屬氧化物、金屬硫化物以及金屬等的薄膜。作為陽極者可使用例如由氧化銦、氧化鋅、氧化錫、ITO、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide：簡稱IZO)、金、鉑、銀、以及銅等所成之薄膜，而此等之中，很適合使用由ITO、IZO、或氧化錫所成之薄膜。又，作為陽極者，亦可採用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等的有機透明導電膜。
作為陰極者，較佳為功函數(work function)小，容易對發光層電子注入以致於電傳導度高者，可採用：鹼金屬、鹼土族金屬、過渡金屬以及周期的13族金屬等。作為陰極的材料者，可採用例如，鋰、鈉、鉀、銣(Rb)、銫(Cs)、鈹(Be)、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鈧(Sc)、釩(V)、鋅、釔(Y)、銦(In)、鈰(Ce)、釤(Sm)、銪、鋱(Tb)、鐿(Yb)等金屬、前述金屬中的2種以上的合金、前述金屬中的1種以上與金、銀、鉑、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫中的1種以上的合金、或石墨或者石墨層間化合物(graphite intercalation compound)等。在此，陰極亦可為由經積層2層以上之積層體所構成者。再者，亦有後述之電子注入層作為陰極使用之情形。
如前所述之一對電極中的一極，係可採用能顯示光透射性之電極。例如，可使用將前述之金屬薄膜化成能透射可見光之程度者，或將由ITO、IZO、或氧化錫所成薄膜作為能顯示光透射性之電極。
陽極及陰極的膜厚，係在考慮所要求之特性及步驟的簡易度等而適當加以設定，例如，為10nm至10μm，較佳為20nm至1μm，更佳為50nm至500nm。
作為陽極及陰極的製作方法，可例舉：真空蒸鍍法(vacuum evaporation deposition)、濺鍍法(sputtering)、離子電鍍法(ion plating)、電鍍法(plating)、將金屬薄膜加以熱壓接合(thermo compression bonding)之方法、層壓法等。
<電洞注入層>
作為構成電洞注入層之電洞注入材料者，可例舉：苯胺系、星爆型胺(star burst amine)系、酞青花(phthalocyanine)系、氧化釩、氧化鉬、氧化釕(ruthenium oxide)、氧化鋁等氧化物、非晶質碳(amorphous carbon)、聚苯胺、聚噻吩衍生物等。電洞注入層是如前所述之方式，可將含有所例示材料之油墨利用既定的塗佈法進行塗佈成膜，並乾燥即可形成。
油墨(ink)的溶劑，可例舉如：氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等的氯系溶劑、四氫呋喃等的醚系溶劑、甲苯、二甲苯等的芳香族烴系溶劑、丙酮、甲基乙基甲酮等的酮系溶劑、醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纖劑醋酸酯(ethyl cellosolve acetate)等的酯系溶劑以及水。
既定之塗佈法可例舉如：旋轉塗佈法(spin coating)、流涎成型法(casting)、微型凹版塗佈法(micro gravure coating)、凹版塗佈法(gravure coating)、鑲條塗佈法(bar coating)、輥式塗佈法(roll coating)、鋼絲鑲條塗佈法(wire bar coating)、浸漬塗佈法(dip coating)、噴霧塗佈法(spray coating)、網版印刷法(screen printing)、軟版印刷法(flexo printing)、平版印刷法(offset printing)、噴墨印刷法(ink jet printing)等。
<電洞輸送層>
作為構成電洞輸送層之電洞輸送材料者，可例舉：聚乙烯基咔唑(poly vinyl carbazol)或其衍生物、聚矽烷或其衍生物、於側鏈或主鏈上具有芳香族胺之聚矽氧烷衍生物、吡唑啉(pyrazoline)衍生物、芳基胺衍生物、二苯乙烯(stilbene)衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳香族胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(對伸苯基伸乙烯)或其衍生物、或者聚(2,5-伸噻吩基伸乙烯)或其衍生物等。
此等的電洞輸送材料中，作為電洞輸送材料者，以：聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚矽烷或其衍生物，於側鏈或主鏈上具有芳香族胺化合物基之聚矽氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚(對伸苯基伸乙烯)或其衍生物、或者聚(2,5-伸噻吩基伸乙烯)或其衍生物等高分子的電洞輸送材料為佳，更佳為：聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚矽烷或其衍生物，於側鏈或主鏈上具有芳香族胺之聚矽氧烷衍生物等。在低分子的電洞輸送材料之情形，係將其分散於高分子黏合劑中後使用為宜。
電洞輸送層的成膜方法，於低分子的電洞輸送材料方面，可例舉：利用得自與高分子黏合劑的混合溶液之成膜方法，於高分子的電洞輸送材料方面，則可例舉：利用來自溶液之成膜方法。
在得自溶液之成膜中所使用之溶劑，只要是能溶解電洞輸送材料者即可，可例舉：氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等的氯系溶劑、四氫呋喃等的醚系溶劑、甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑、丙酮、甲基乙基甲酮等的酮系溶劑、醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纖劑醋酸酯等的酯系溶劑。
作為混合之高分子黏合劑者，以不會極度妨礙電荷傳輸者為宜，又，對可見光之吸收弱者很適合使用。作為該高分子黏合劑者，可例舉：聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸酯甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚矽氧烷等。
電洞輸送層之膜厚，例如為1nm至1μm，較佳為2nm至500nm，更佳為5nm至200nm。
<發光層>
發光層，係含有能發出螢光及/或磷光之有機物，或者該有機物、及摻雜劑(dopant)所構成者。摻雜劑，例如是以提升發光效率、或改變發光波長等目的而附加者。在發光層所用之有機物可以是低分子化合物或高分子化合物中之任一者。作為構成發光層之發光材料者，可例舉如下所述者。在此，由於對溶劑之溶解性，一般係高分子化合物者較高，故如用塗佈法形成發光層時，則發光層以含有高分子化合物為佳。
色素系之發光材料可例舉：環戊基甲胺衍生物、四苯基丁二烯衍生物化合物、三苯基胺衍生物、二唑衍生物、吡唑基喹啉衍生物、聯苯乙烯基苯衍生物、聯苯乙烯基伸芳基衍生物、吡咯衍生物、噻吩環化合物、吡啶環化合物、周因酮(perinone)衍生物、苝(perilene)衍生物、低聚噻吩衍生物、二唑二聚物、吡唑啉二聚物等。
金屬錯合物系的發光材料可例舉：為中心金屬而具有Tb(鋱)、Eu(銪)、Dy(鏑)等的稀土族金屬，或者Al(鋁)、Zn(鋅)、Be(鈹)、Ir(銥)、Pt(鉑)等，而為配位基(ligand)而具有二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉構造等之金屬錯合物，可例舉：銥(Ir)錯合物、鉑(Pt)錯合物等具有來自三重激發狀態(triplet excitation state)之發光之金屬錯合物、鋁喹啉酚錯合物、苯并喹啉酚鈹錯合物、苯并二唑基鋅錯合物、苯并噻唑鋅錯合物、偶氮甲基鋅錯合物、卟啉(porphyrin)鋅錯合物、菲繞啉(phenanthroline)銪錯合物等。
高分子系之發光材料可例舉：聚對伸苯基伸乙烯衍生物、聚噻吩衍生物、聚對伸苯基衍生物、聚矽烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚茀(polyfluorene)衍生物、以及聚乙烯基咔唑衍生物等，以及使上述色素系的發光材料或金屬錯合物系的發光材料經高分子化者等。
上述發光材料之中，發光為藍色之材料可例舉：聯苯乙烯基伸芳基衍生物、二唑衍生物、以及此等的聚合物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚對伸苯基衍生物聚茀衍生物等。其中，較佳為高分子材料的聚乙烯基咔唑衍生物、聚對伸苯基衍生物或聚茀衍生物等。
又，發光為綠色之材料可例舉：喹吖啶酮(quinacridone)衍生物、香豆素(coumarin)衍生物、以及此等的聚合物、聚對伸苯基伸乙烯衍生物、聚茀衍生物等。其中，較佳為高分子材料的聚對伸苯基伸乙烯衍生物、聚茀衍生物等。
又，發光為紅色之材料可例舉：香豆素衍生物、噻吩環化合物、以及此等的聚合物、聚對伸苯基伸乙烯衍生物、聚噻吩衍生物、聚茀衍生物等。其中，較佳為高分子材料的聚對伸苯基伸乙烯衍生物、聚噻吩衍生物、聚茀衍生物等。
又，作為發光為白色之材料者可經混合能發光為上述之藍色、綠色、紅色的各色之材料者，或將能發光為各色之材料的成分作為單體，並將經此聚合之聚合物作為其材料而使用。亦可將分別使用能發光為各色之材料所形成之發光層積層，而實現將全體作為能發白色光之元件。
摻雜劑材料可例舉：苝衍生物、香豆素衍生物、紅螢烯(rubrene)衍生物、喹吖啶酮衍生物、四方酸鎓(squarylium)衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基系色素、并四苯(tetracene)衍生物、吡唑啉酮(pyrazolone)衍生物、十環烯(decacyclene)、吩酮(phenoxazone)等。再者，此種發光層之厚度，通常為約2nm至2000nm。
含有有機物之發光層的成膜方法，可例舉：將含有發光材料之溶液塗佈於基體表面之方法、真空蒸鍍法、層壓法等。來自溶液之成膜所用之溶劑的具體例，可舉與前述之溶液進行電洞注入層之成膜時作為溶解電洞注入材料之溶劑所使用之溶劑同樣的溶劑。
塗佈含有發光材料之溶液之方法可列舉前述之塗佈法。
<電子輸送層>
作為構成電子輸送層之電子傳輸材料者，可例舉：二唑衍生物、蔥醌基二甲烷或者其衍生物、苯醌或者其衍生物、萘醌或者其衍生物、蔥醌或者其衍生物、四氰基蔥醌基二甲烷或者其衍生物、茀酮(fluorenone)衍生物、二苯基二氰基乙烯或者其衍生物、聯苯醌衍生物、或8-羥基喹啉或者其衍生物的金屬錯合物、聚喹啉或者其衍生物、聚喹喔啉(polyquinoxaline)或者其衍生物、聚茀(polyfluorene)或者其衍生物等。
此等之中，作為電子傳輸材料者，較佳為二唑衍生物、苯醌或者其衍生物、蔥醌或者其衍生物、或8-羥基喹啉或者其衍生物的金屬錯合物、聚喹啉或者其衍生物、聚喹喔啉或者其衍生物、聚茀或者其衍生物，更佳為2-(4-聯苯基)-5-(4-第三丁基苯基)-1,3,4-二唑、苯醌、蔥醌、參(8-喹啉酚)鋁、聚喹啉。
電子輸送層之成膜法，於低分子之電子傳輸材料中，可例舉：來自粉末之真空蒸鍍法，或者利用來自溶液或熔融狀態之成膜方法，於高分子之電子輸送材料，可例舉來自溶液或熔融狀態之成膜方法。於來自溶液或熔融狀態之成膜中，亦可更併用高分子黏合劑。從溶液進行電子輸送層之成膜方法，可例舉：與前述之從溶液進行電洞輸送層之成膜方法同樣之成膜法。
電子輸送層之膜厚，由於所用之材料不同而其最適值也相異，故只要按激勵電壓及發光效率能成為適度的值之方式選擇即可，至少需要不致發生針孔(pin hole)之厚度，如過厚時，則因元件的激勵電壓增高而不宜。因而，該電子輸送層之膜厚，例如為1nm至1μm，較佳為2nm至500nm，更佳為5nm至200nm。
<電子注入層>
作為構成電子注入層之電子注入材料者，對應發光層的種類，可例舉：鹼金屬、鹼土族金屬、或含有前述金屬1種以上之合金、或前述金屬的氧化物、鹵化物及碳酸鹽、或前述物質的混合物等。作為鹼金屬或其氧化物、鹵化物、碳酸鹽者，可例舉：鋰、鈉、鉀、銣(Rb)、銫(Cs)、氧化鋰、氟化鋰、氧化鈉、氟化鈉、氧化鉀、氟化鉀、氧化銣、氟化銣、氧化銫、氟化銫、碳酸鋰等。又，鹼土族金屬或其氧化物、鹵化合物、碳酸鹽之例，可列舉：鎂、鈣、鋇、鍶(Sr)、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氧化鋇、氟化鋇、氧化鍶、氟化鍶、碳酸鎂等。電子注入層，可為經積層2層以上之積層物。積層物之具體例，可列舉：LiF/Ca等。電子注入層，可依蒸鍍法、濺鍍法、印刷法等而形成。電子注入層之膜厚較佳為1nm至1μm程度。
<密封構材>
密封構材可採用：例如，由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氧氮化物等所成之無機層、經積層前述無機層與有機層之層或無機-有機混合物層。作為無機層者，以在空氣中為穩定者為宜，具體而言，可例舉：二氧化矽、氧化鋁、二氧化鈦、氧化銦、氧化錫、氧化鈦、氧化鋅、銦錫氧化物、氮化鋁、氮化矽、氧氮化矽、以及此等的組合的薄膜層，而較佳為由氮化鋁、氮化矽、氧氮化矽所成之薄膜層，更佳為氧氮化矽的薄膜層。
以上所說明之有機EL元件，係為曲面狀或平面狀的照明裝置，例如可以適合作為掃描設備(scanner)的光源所用之面狀光源、及顯示裝置使用。
於以上說明之本實施形態之有機EL元件1中，作為2層以上的有機層中的至少一層之有機層而具有發光層，電洞注入層3與發光層4所成之積層體7，則具有二維方式的週期性構造。由於此種週期性構造會形成於電孔注入層3與發光層4所成之積層物7中，故能將在電極上按能發生全反射之角度所進行之光(對電極的入射角較臨界角(critical angle)大的光，例如對電極的入射角為90°附近之光)的進行方向，往對電極成為垂直的方向傾斜。由此，可抑制在電極所發生之全反射，結果可使光有效地出射。
又，於本實施形態中，二層以上的有機層(本實施形態中係電洞注入層3與發光層4所成之積層體7)具有週期性構造，而於具有該週期構造之有機層(本實施形態中是電洞注入層3與發光層4所成之積層體7)之中形成成為空隙之凹痕11。如此，於電洞注入層與發光層所成之積層體7的凹痕形成空氣的空隙之結果，可使電洞注入層3與發光層4所成之積層體7與凹痕11內之間的折射率差值增大而可充分發揮作為繞射光柵之功能。
本實施形態中於除掉凹痕11以外之部分配置有電洞注入層3與發光層4所成之積層體7，惟相反地，亦可於本實施形態中，在形成有凹痕11的區域，形成電洞注入層3與發光層4所成之積層體7，並於本實施形態中，在形成有電洞注入層3與發光層4所成之積層體7之區域設置空隙。即使在如此構成之週期性構造，仍能發揮作為繞射光柵之功能。再者，在此情形將作為複數支的圓柱而形成例如電洞注入層3與發光層4所成之積層體7，惟由於除去凹痕11以外之部分，配置電洞注入層3與發光層4所成積層體7的本實施形態之構成者的機械性強度會增高故而為較佳。
又，於本實施形態中是在電洞注入層3與發光層4所成之積層體7上所形成之凹痕11中形成空隙，惟亦可將與電洞注入層3與發光層4所成積層體7的折射率相異的絕緣材料，填充於電洞注入層3與發光層4所成積層體7上所形成之凹痕11中，再於此絕緣材料上設置平坦的電子注入層8。
[實施例] <鑄模之製作>
採用電子束描畫(electron beam writing)(EB描畫)裝置，於Si(矽)製的構材上按二維方式之週期進行複數支的圓柱之圖案，以製作Si製的鑄模12。第4圖係表示鑄模之模式圖。第4圖(1)中表示鑄模的上面圖，第4圖(2)中表示鑄模的剖面模式圖。鑄模的尺寸係以平面視野計為20mm×20mm，而於鑄模中央部實施有複數支的圓柱構造而形成圖案。形成有圓柱構造之區域的尺寸係以平面視野為鑄模的中央10mm×10mm。各圓柱的尺寸，係直徑Lb為150nm，高度(Ld)為160nm。相鄰接之圓柱的中心軸間的距離La為300nm。又，分別以二點鏈線表示直條紋與橫條紋交叉角θ為60°。相鄰接之圓柱與圓柱的間隔Lc為150nm。如使用此鑄模實施壓印，則可於由電洞注入層與發光層所成積層體上，按150nm的間隔形成直徑150nm的圓柱狀的孔洞。
<二維週期構造物之製作>
將於50mm×50mm的玻璃基板上的中央部圖案構成(patterning)20mm×50mm的ITO基板，在丙酮、異丙醇、超純水中進行超音波洗淨，並藉由吹氮氣(nitrogen blow)而使其乾燥。於實施UV臭氧處理5秒鐘之ITO玻璃基板上，利用旋轉塗佈器，塗佈經添加0.5%的甘油之聚(伸乙基二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸(斯塔盧克公司製，AI4083)的懸浮液，在200℃下加熱5分鐘後，再度於其上，利用旋轉塗佈器塗布經添加0.5%的甘油之聚(伸乙基二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸(斯塔盧克公司製，AI4083)的懸浮液，製得合計膜厚為155nm的電洞輸送層。接著，利用旋轉塗佈器，將屬於藍色發光材料之Lumation(盧馬奇)BP361(SUMATION公司製)的濃度為1質量%的二甲苯溶液，塗佈於電洞輸送層上。膜厚係按能成為80nm之方式調整旋轉塗佈條件。
其次，將上述中所得之塗佈基板及鑄模，裝配於奈米壓印裝置(Obducat(歐布都卡特)公司製AB4)上，以60bars(巴)的壓力，實施180℃溫度5分鐘之熱壓印(hot imprint)，將鑄模的形狀一口氣轉印於塗佈基板中央部分的電洞注入層與發光層所成之積層體上。壓印後，將基板從鑄模加以脫模。再者，在壓印後，於100℃下實施經壓印之基板的加熱處理。
<構造物之評價>
對經上述方式於玻璃基板上所形成之電洞注入層與發光層所成之積層體之試樣，從發光層側照射波長在254nm的紫外線，作為PL(光激發光)發光，將從玻璃基板側所出射之藍色光，使用積分球(integrating sphere)加以測定。
在此，所製作之試樣中，於電洞注入層與發光層所成之積層體上形成有週期構造之區域(A)、及積層體上未形成有週期構造之區域(B)。亦即，(B)區域，係平坦的電洞注入層與平坦的發光層為於玻璃基板上積層之區域。
如將對區域(B)照射紫外線時在積分球所測定之PL的光強度當作「1」時，對區域(A)照射紫外線時可在積分球所測定之PL的光強度，則為1.9。如此，在電洞注入層與發光層所成積層體上形式二維方式之週期構造之試樣中，確認當PL發光時光學拾波效率會獲得提升之事實。同樣，如使用所得之構造以製作有機EL元件，則光學拾波效率是會獲得提升。
<有機EL元件之製作>
使用真空蒸鍍機而將Al、Ba分別按100nm、50nm的厚度依序蒸鍍於密封玻璃基板上，以形成陰極及電子注入層。在此，金屬的蒸鍍，係當真空度到達2.5×10-4Pa(帕斯卡)以下後開始。
其次，利用定量分配機(dispenser)而將光硬化性密封劑塗佈於密封玻璃基板的周邊。於形成有ITO、電洞注入層、發光層之基板上，層壓形成有陰極、電子注入層之密封玻璃。層壓作業，係在氮氣環境下進行。再者，藉由紫外線而使光硬化性密封劑硬化以進行密封，而製作有機EL元件。
[EL(電激發光)特性評估]
所製作之元件，係與先前所示之PL(光激發光)評估同樣，光學拾波效率會獲得提升。
[產業上之利用可能性]
本發明係可應用於有機EL元件之製造。
1．．．有機EL元件
2．．．一邊的電極
3．．．電洞注入層
4．．．發光層
5．．．另一邊的電極
6．．．支撐基板
7．．．電洞注入層與發光層所成之積層體
8．．．電子注入層
9．．．鑄模
10．．．密封構材
11．．．凹痕
12．．．鑄模
第1圖(1)至(6)：模式地表示有機EL元件之製造方法圖。
第2圖(1)至(2)：模式地表示凹痕(pitting)11所設置之配置。
第3圖(1)至(6)：模式地表示本發明之實施形態之有機EL元件之製造方法圖。
第4圖(1)至(2)：模式地表示實施例中所使用之鑄模的上面圖及剖面圖。
1．．．有機EL元件
2．．．一邊的電極
3．．．電洞注入層
4．．．發光層
5．．．另一邊的電極
6．．．支撐基板
7．．．電洞注入層與發光層所成之積層體
8．．．電子注入層
9．．．鑄模
10．．．密封構材
11．．．凹痕

Claims (4)

  1. 一種有機電激發光元件之製造方法，係具備有一對電極、及設置於該電極間之二層以上的有機層，而該二層以上的有機層含有發光層之有機電激發光元件之製造方法，其特徵為：包含形成一對電極中的一邊電極之步驟，及形成二層以上之有機層的步驟，該有機層是具有使對前述發光層的厚度方向略成垂直方向所進行之光線的進行方向，往前述厚度方向傾斜之週期性構造的二層以上的有機層，以及形成一對電極中的另一邊電極之步驟，而在形成該二層以上的有機層之步驟中，在積層二層以上平板狀的前述有機層之後，再於前述積層二層以上之前述平板狀層上，依壓印法形成於對前述發光層的厚度方向成為垂直的平面上按二維方式且週期性地配置之前述週期性構造。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光元件之製造方法，其中前述按二維方式且週期性地所配置之具有週期性構造的有機層係含有高分子化合物之有機層。
  3. 一種顯示裝置，係具備有如申請專利範圍第1項或第2項所述之製造方法所製作之有機電激發光元件之顯示裝置。
  4. 一種照明裝置，係具備有如申請專利範圍第1項或第2項所述之製造方法所製作之有機電激發光元件之照明裝置。
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