TWI546861B - A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium - Google Patents

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Description

基板處理裝置，半導體裝置之製造方法及記錄媒體
本發明係關於基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體。
半導體製造裝置等基板處理裝置，一般係在對基板施行處理的處理室上連接排氣泵，且利用該排氣泵施行處理室的排氣(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-64857號公報
當處理室所連接的排氣泵有發生故障等異常的情況，若在使用該排氣泵狀態下持續進行基板處理，會有無法施行所需處理的可能性。又，當因排氣泵異常或定期保養等而進行排氣泵更換時，會產生無法進行基板處理的停機時間。
本發明主要目的係減輕因排氣泵異常與保養等而造成對基板處理的影響。
根據本發明一態樣所提供的基板處理裝置，係具備有：複數處理單元、連接路徑、及切換部；而，該等複數處理單元係至少具備有：對基板施行處理的處理室、連接於上述處理室的排氣路徑、以及上述排氣路徑中設置的排氣泵；該連接路徑係將上述處理單元的排氣路徑彼此間在上述排氣泵的上游側相連接；該切換部係藉由將上述處理室，經由上述連接路徑，連通於設有該處理室的處理單元外之其餘不同處理單元的排氣泵上，而切換上述處理室的排氣路線。
再者，根據本發明一態樣所提供的半導體裝置之製造方法，係利用至少具備有：對基板施行處理的處理室、連接於上述處理室的排氣路徑、以及上述排氣路徑中設置的排氣泵之複數處理單元，對上述基板施行處理的半導體裝置之製造方法，包括有：經由將上述處理單元的排氣路徑彼此間，在上述排氣泵的上游側相連接之連接路徑，對上述處理室從設有該處理室的處理單元外之其餘不同處理單元的排氣泵施行排氣，而對上述基板施行處理的處理步驟。
再者，根據本發明一態樣所提供的記錄媒體，係記錄著電腦能讀取且使電腦執行下述處理順序之程式，該處理順序係利用至少具 備有：對基板施行處理的處理室、連接於上述處理室的排氣路徑、以及上述排氣路徑中設置的排氣泵之複數處理單元，對上述基板施行處理；其中，上述處理順序係包括有：經由將上述處理單元的排氣路徑彼此間，在上述排氣泵的上游側相連接之連接路徑，對上述處理室從設有該處理室的處理單元外之其餘不同處理單元的排氣泵施行排氣，而對上述基板施行處理的順序。
根據本發明可減小因排氣泵異常、保養等而造成對基板處理的影響。
1‧‧‧基板處理裝置
91‧‧‧運算部
92‧‧‧記憶部
93‧‧‧外部記憶裝置
100‧‧‧操作部(輸入部)
211、221、231、241‧‧‧排氣路徑
212、222、232、242‧‧‧APC(切換部)
213、223、233、243、261、262、263、264、265、266‧‧‧閥(切換部)
214、224、234、244‧‧‧MBP(排氣泵)
215、225、235、245‧‧‧DP(乾式泵)
216‧‧‧感測器
251、252、253、254、255、256‧‧‧連接路徑
226、236、246‧‧‧感測器
AR‧‧‧大氣搬送機器人
CNT‧‧‧控制器
EV‧‧‧升降機
G1、G2、G3、G4、G5、G6、G7、G8‧‧‧閘閥
GE1、GE2、GE3、GE4‧‧‧氣體排氣系統
GS1、GS2、GS3、GS4‧‧‧氣體供應系統
LM‧‧‧大氣搬送室
LP1、LP2、LP3‧‧‧晶圓裝載埠
OFA‧‧‧定向平面對位裝置
PD1、PD2、PD3‧‧‧晶圓盒
PM1、PM2、PM3、PM4‧‧‧製程腔(處理室)
TM‧‧‧真空搬送室
VL1、VL2‧‧‧真空鎖定腔
VR‧‧‧真空搬送機器人
W‧‧‧晶圓(基板)
圖1係本發明一實施形態的基板處理裝置概略構造圖。
圖2係圖1所示基板處理裝置的氣體供應系統及氣體排氣系統概略構造圖。
圖3係由圖1所示基板處理裝置實施的基板處理步驟流程圖。
圖4係由圖1所示基板處理裝置實施的排氣路線之切換處理流程圖。
圖5係由圖1所示基板處理裝置實施的排氣路線之切換處理流程圖。
圖6係本發明第二實施形態的排氣路線之切換處理流程圖。
圖7係使用本發明第三實施形態的基板處理裝置，所形成電晶體之閘極構成例示圖。
圖8係圖7所示電晶體的閘極製造步驟例流程圖。
<本發明第一實施形態>
以下，針對本發明第一實施形態的基板處理裝置之構成及動作進行說明。
(1)基板處理裝置之構成
首先，針對本發明一實施形態的基板處理裝置構成，使用圖1及圖2進行說明。圖1所示係本發明一實施形態的基板處理裝置概略構造圖。圖2所示係圖1所示基板處理裝置的氣體供應系統及氣體排氣系統之概略構造圖。
本實施形態的基板處理裝置1係構成複數設有每次處理1片基板的單片式處理單元之叢集式裝置。如圖1所示，在基板處理裝置1中設有：當作搬送室用且可真空氣密的真空搬送室(轉移腔)TM、當作預備室用的真空鎖定腔(裝載鎖定室)VL1、VL2、作為對屬於基板之晶圓W施行處理的處理室用的製程腔(製程模組)PM1、PM2、PM3、PM4。真空鎖定腔VL1、VL2、製程腔PM1、PM2、PM3、PM4係沿真空搬送室TM的外周呈叢集狀配置。以下，在製程腔PM1、PM2、PM3、PM4無需特別區分的情況下，簡稱為「製程腔PM」。
真空搬送室TM係構成能承受真空狀態等未滿大氣壓壓力(負壓)的裝載鎖定腔構造。另外，本發明一實施形態中，真空搬送室 TM的框體係俯視形成例如八角形的箱形狀。
在真空搬送室TM內設有當作搬送機構用的真空搬送機器人VR。真空搬送機器人VR係使晶圓W載置於機械臂所設置的基板載置部上，在真空鎖定腔VL1、VL2、與製程腔PM之間，相互進行晶圓W的搬送。另外，真空搬送機器人VR係利用升降機EV，可在維持真空搬送室TM之機密性狀態下進行升降。
製程腔PM係對晶圓W施行形成例如氧化膜、氮化膜、或金屬膜等薄膜的成膜處理。本實施形態設定為在製程腔PM中形成金屬薄膜。
製程腔PM1、PM2、PM3、PM4分別構成經由閘閥G1、G2、G3、G4可與真空搬送室TM相連通狀態。例如，當在製程腔PM1對晶圓W施行處理時，便在將製程腔PM1內形成與真空搬送室TM內同等環境之後，開啟閘閥G1將晶圓W搬送於製程腔PM1內之後，關閉閘閥G1。然後，在製程腔PM1內施行既定處理後，將製程腔PM1內的環境回復至與真空搬送室TM內同等環境後，開啟閘閥G1，搬出製程腔PM1內的晶圓W後，關閉閘閥G1。關於製程腔PM2~PM4亦是與閘閥G1相同地進行閘閥G2~G4的開閉動作，便可形成晶圓W的處理環境。
真空鎖定腔VL1、VL2係具有作為將晶圓W搬入於真空搬送室TM內的預備室、或作為從真空搬送室TM內搬出晶圓W的預備 室機能。在真空鎖定腔VL1、VL2的內部分別設有基板搬入搬出用暫時性支撐晶圓W的緩衝平台ST1、ST2。又，雖未圖示，但在真空鎖定腔VL1、VL2中設有冷卻晶圓W的冷卻機能。另外，亦可在真空鎖定腔VL1、VL2之外，另行設置冷卻用腔。
真空鎖定腔VL1、VL2構成分別經由閘閥G5、G6可與真空搬送室TM相連通，又構成分別經由閘閥G7、G8可與後述大氣搬送室LM相連通。為能保持真空搬送室TM的真空狀態及大氣搬送室LM的大氣壓狀態，在真空鎖定腔VL1、VL2中所設置閘閥G5與G7中之任一者、閘閥G6與G8中之任一者必需關閉，不能同時開啟。例如當開啟真空搬送室TM側的閘閥G5時，必定關閉對向側的閘閥G7，俾將真空鎖定腔VL1內的環境形成真空。另外，本說明書中所謂「真空」係指工業性真空。又，當開啟大氣搬送室LM側的閘閥G7時，必定將對向側閘閥G5呈關閉的狀態，俾將真空鎖定腔VL1內的環境形成大氣環境。所以，在關閉閘閥G5、G6狀態下，藉由開啟閘閥G7、G8，便可在保持真空搬送室TM內的真空氣密狀態下，於真空鎖定腔VL1、VL2與大氣搬送室LM之間進行晶圓W的搬送。
再者，真空鎖定腔VL1、VL2係構成可承受真空狀態等未滿大氣壓的負壓之裝載鎖定腔構造，內部分別可進行真空排氣。所以，在關閉閘閥G7、G8並對真空鎖定腔VL1、VL2內部施行真空排氣後，藉由開啟閘閥G7、G8，便可在保持真空搬送室TM內的真空狀態下，於真空鎖定腔VL1、VL2與真空搬送室TM之間進行晶圓 W的搬送。
在基板處理裝置1中，更進一步設有：連接於真空鎖定腔VL1、VL2的大氣搬送室LM、以及連接於該大氣搬送室LM且當作基板收容部用的晶圓裝載埠LP1、LP2、LP3。在晶圓裝載埠LP1、LP2、LP3上載置有當作基板收納容器用的晶圓盒PD1、PD2、PD3在。晶圓盒PD1、PD2、PD3內複數設有分別當作收納晶圓W之收納部用的插槽。以下，晶圓裝載埠LP1、LP2、LP3在無必要特別區分的情況下，簡稱為「晶圓裝載埠LP」。又，晶圓盒PD1、PD2、PD3在無必要特別區分的情況下，簡稱為「晶圓盒PD」。
在大氣搬送室LM內設有當作大氣搬送機構用的1台大氣搬送機器人AR。大氣搬送機器人AR係在真空鎖定腔VL1、VL2、與晶圓裝載埠LP上載置的晶圓盒PD之間，相互進行當作基板的晶圓W之搬送。大氣搬送機器人AR亦是與真空搬送機器人VR相同地設有屬於基板載置部的機械臂。
另外，在大氣搬送室LM內，設有當作基板位置之校正裝置用，執行晶圓W結晶方位對位等定向平面(Orientation Flat)對位裝置OFA。或取代定向平面對位裝置OFA，改為設置利用在晶圓W上所形成缺口，執行晶圓W之結晶方位對位等的缺口對位裝置。
上述各構成係連接於控制器CNT。控制器CNT係至少設有運算部91與記憶部92。控制器CNT連接於輸入由使用者(操作者)所 進行操作的操作部(輸入部)100。操作部100係設有：顯示器等顯示部與鍵盤組合、或觸控螢幕等。操作部100係由操作者輸入為使基板處理裝置1產生動作用的各種指示，並輸出給控制器CNT，且顯示從控制器CNT輸出的基板處理裝置1之資訊(動作資訊、異常資訊等)。
再者，控制器CNT係除上述各構成外，尚連接著：調整製程腔PM內之晶圓W溫度的溫度調整器、對製程腔PM內供應處理氣體的氣體供應系統(容後述)、從製程腔PM內施行處理氣體排氣的氣體排氣系統(容後述)。控制器CNT係配合從操作部100輸入的操作者指示或上位控制器(未圖示)的指示，而從記憶部92中呼叫出程式、配方，再配合其內容控制各構成的動作，而對晶圓W執行所需處理。
另外，控制器CNT亦可構成為專用電腦，亦可構成為通用電腦。例如準備儲存有上述程式的外部記憶裝置(例如：磁帶、軟碟、硬碟等磁碟；CD、DVD等光碟；MO等光磁碟；USB記憶體、記憶卡等半導體記憶體)93，藉由使用外部記憶裝置93將程式安裝於通用電腦中，亦可構成控制器CNT。
再者，對電腦提供程式的手段並不僅侷限於經由外部記憶裝置93提供的情況。例如亦可使用網際網路、專用線路等通信手段，在未經由外部記憶裝置93的情況下提供程式。另外，記憶部92、外部記憶裝置93亦可構成可電腦讀取的記錄媒體。以下，亦將該等 統合簡稱為「記錄媒體」。另外，本說明書中使用「記錄媒體」用詞的情況，係有：僅包含記憶部92單體的情況、僅包含外部記憶裝置93單體的情況、或包含該等二者的情況。
其次，針對基板處理裝置1的氣體供應系統及氣體排氣系統進行說明。如圖2所示，製程腔PM1、PM2、PM3、PM4分別連接於氣體供應系統GS1、GS2、GS3、GS4。以下，氣體供應系統GS1、GS2、GS3、GS4在無必要特別區分的情況下，簡稱為「氣體供應系統GS」。
氣體供應系統GS係由：處理氣體的供應源、對處理氣體的供應進行ON/OFF的閥、以及控制處理氣體流量的質量流量控制器等構成，將晶圓W處理及製程腔PM清洗處理時所必要的氣體供應給製程腔PM。此處所謂「晶圓W處理」係指形成上述金屬薄膜的處理，本實施形態中，金屬薄膜一例係形成電晶體的閘極電極等所使用TiN(氮化鈦)。TiN成膜時所必要構成的氣體供應系統GS係至少具備有：當作金屬原料氣體用的TiCl4(四氯化鈦)供應源、當作氮化劑用的NH3(氨)供應源、當作惰性氣體用的N2(氮)供應源、以及對各氣體的供應與流量進行控制之閥(閥體)與質量流量控制器。又，氣體供應系統GS係至少設有在製程腔PM清洗處理時必要構成的清洗氣體(例如NF3(三氟化氮))供應源、以及對清洗氣體的供應與流量進行控制之閥與質量流量控制器。另外，本說明書中將成膜處理或清洗處理時所使用氣體，統稱為「處理氣體」。
再者，製程腔PM1、PM2、PM3、PM4分別連接著氣體排氣系統GE1、GE2、GE3、GE4。以下，氣體排氣系統GE1、GE2、GE3、GE4在無必要特別區分的情況下，簡稱為「氣體排氣系統GE」。
氣體排氣系統GE1係具備有：連接於製程腔PM1的排氣路徑211、APC(Auto Pressure Controller，自動壓力控制器)212、閥(閥體)213、MBP(Mechanical Booster Pump，機械升壓泵)214、DP(Dry Pump，乾式泵)215、以及安裝於MBP214中的感測器216。APC212、閥213、MBP214、DP215係在排氣路徑211中從上游側起依序配置。該等各構成係連接於上述控制器CNT。
APC212係設有可調整開度的閥體，藉由配合來自控制器CNT的指示調整排氣路徑211的氣導，而調整排氣流量，便控制製程腔PM1內的壓力。MBP214係高真空(或超高真空)泵，配合來自控制器CNT的指示對製程腔PM1內的環境予以排氣。DP216係當作MBP214的輔助泵，配合來自控制器CNT的指示施行從低真空至大氣壓之排氣。又，感測器216係檢測MBP214故障等異常。此處所謂「MBP214異常」係指例如雖不會馬上對排氣能力造成影響，但當持續動作的情況，便會有對排氣能力造成影響(會對晶圓處理造成影響)的可能性，利用MBP214的轉速、消耗功率、溫度、MBP214附近排氣路徑211的壓力、或該等的組合等進行檢測。即，感測器216係檢測該等參數的感測器，並將該檢測結果輸出給控制器CNT。另外，MBP214係例如當轉速較低於穩定狀態的情況、消耗功率上升的情況、溫度上升的情況、排氣路徑211壓力上升的情況， 判斷為異常。
氣體排氣系統GE2、GE3、GE4分別亦與氣體排氣系統GE1相同地設有排氣路徑221、231、241、APC222、232、242、閥223、233、234、MBP224、234、244、DP225、235、245、及感測器226、236、246，且該等各構成亦連接於上述控制器CNT。
本說明書中，將製程腔PM、其所連接的氣體供應系統GS、及氣體排氣系統GE的一連串構成，稱為「處理單元」。又，亦將至少設有：製程腔PM、其所連接的排氣路徑、在該排氣路徑中所設置當作閥體用的閥(包含APC)、及排氣泵(MBP或DP或該等的組合)的構成，稱為「處理單元」。
基板處理裝置1係設有將各處理單元的排氣路徑彼此間在排氣泵(MBP)上游側相連接的連接路徑251、252、253、254、255、256。即，各排氣路徑211、221、231、241分別利用連接路徑251、252、253、254、255、256相互連接。具體而言，排氣路徑211與排氣路徑221係在MBP214、224的上游側且APC212、222的下游側，利用連接路徑251相連接。又，排氣路徑211與排氣路徑231係在MBP214、234的上游側且APC212、232的下游側，利用連接路徑252相連接。又，排氣路徑211與排氣路徑241係在MBP214、244的上游側且APC212、242的下游側，利用連接路徑253相連接。又，排氣路徑221與排氣路徑231係在MBP224、234的上游側且APC222、232的下游側，利用連接路徑254相連接。又，排氣路徑 221與排氣路徑241係在MBP224、244的上游側且APC222、242的下游側，利用、連接路徑255相連接。又，排氣路徑231與排氣路徑241係在MBP234、244的上游側且APC232、242的下游側，利用連接路徑256相連接。
上述閥213、223、233、243分別係在排氣路徑211、221、231、241中，設置於較連接路徑251、252、253、254、255、256的連接地方更靠下游側。又，在連接路徑251、252、253、254、255、256中分別設有閥261、262、263、264、265、266。閥261、262、263、264、265、266亦是連接於控制器CNT。
此處，針對製程腔PM的排氣路線切換進行說明。此處例示製程腔PM1進行說明。製程腔PM1通常利用在排氣路徑211中所設置MBP214(及DP215)進行排氣。此時，開啟排氣路徑211的閥213，且關閉連接路徑251、252、253的閥261、262、263。
製程腔PM1係亦可利用其他處理單元的排氣泵[在製程腔PM2、PM3、PM4所連接的排氣路徑221、231、241中，設置的MBP224、234、244(及DP225、235、245)]進行排氣。例如關閉排氣路徑211的閥213，且開啟連接路徑251的閥261及排氣路徑221的閥223，則製程腔PM1便經由連接路徑251，連通於在製程腔PM2所連接排氣路徑221中設置的MBP224(及DP225)，便切換排氣路徑線。此時，排氣路徑221的APC222開度設為全關，且連接路徑252、253、254，255的閥262、263、264、265被閉閥。相同的， 藉由控制氣體排氣系統GE的各閥(包括APC)，便可針對製程腔PM分別利用在其他製程腔所連接排氣路徑中設置的MBP(及DP)進行排氣。即，藉由在各氣體排氣系統GE中所設置的閥(包含APC)，構成切換製程腔PM之排氣路線的切換部。
(2)基板處理步驟
接著，針對利用本實施形態的基板處理裝置1所實施之基板處理步驟一例，參照圖3進行說明。圖3所示係利用圖1所示基板處理裝置實施的基板處理步驟流程圖。以下的處理係利用控制器CNT，進行基板處理裝置1的各構成動作控制。
如圖3所示，首先從晶圓裝載埠LP所載置的晶圓盒PD，利用大氣搬送機器人AR將晶圓W移送於大氣搬送室LM內(S11)。此時，對大氣搬送室LM，依其內部成為略大氣壓的方式供應潔淨空氣。在大氣搬送室LM內，將晶圓W載置於定向平面對位裝置OFA上的基板位置P2，實施結晶方位的對位等。
接著，利用大氣搬送機器人AR，拾取在基板位置P2所載置的晶圓W，移送入真空鎖定腔VL1內，使晶圓W載置於緩衝平台ST1的基板位置P3上(S12)。此時，閘閥G6、G7係預先設為開啟。又，閘閥G5、G8係被關閉，真空搬送室TM、製程腔PM、真空鎖定腔VL2內係預先被真空排氣。
其次，關閉閘閥G7，將真空鎖定腔VL1內部施行真空排氣。 若真空鎖定腔VL1減壓至既定壓力，便在關閉閘閥G7的狀態下開啟閘閥G5。然後，利用真空搬送機器人VR，拾取在基板位置P3所載置的晶圓W，並移送至製程腔PM中，載置於其內部的基板位置P(S13)。
若晶圓W搬入於製程腔PM中，便對該製程腔PM內供應處理氣體，對晶圓W實施成膜處理(S14)。在此如上述形成金屬薄膜。金屬薄膜係形成例如電晶體的閘極電極所使用TiN(氮化鈦)。在此針對TiN的成膜方法進行概略說明。
TiN的成膜係例如依序執行下述4個步驟而實施。首先，供應金屬原料的TiCl4(四氯化鈦)氣體。TiCl4氣體的流量係利用質量流量控制器進行控制，設為例如0.1~1000sccm範圍內的流量。又，製程腔PM內的壓力係利用後述排氣泵設為例如10~1500Pa範圍內的壓力。又，TiCl4氣體的供應時間係設為例如0.01秒~300秒範圍內的時間。又，晶圓W的溫度(處理溫度)係藉由控制溫度調整器而調整為例如350~400℃範圍內的溫度。藉由TiCl4氣體的供應，便在晶圓W上形成例如未滿1原子層起至數原子層左右厚度的含Ti層。
接著，停止對製程腔PM內的TiCl4氣體供應，且利用排氣泵對製程腔PM內施行真空排氣，將在製程腔PM內所殘留未反應或經參與含Ti層形成後的TiCl4氣體予以除去。另外，此時亦可藉由供應惰性氣體，而提高TiCl4氣體的除去效果。
其次，對製程腔PM內供應反應氣體的NH3(氨)氣體。NH3氣體流量係藉由控制質量流量控制器而設定為例如10~3000sccm範圍內的流量。又，製程腔PM內的壓力係利用排氣泵設定為例如10~1500Pa範圍內的壓力。又，NH3氣體的供應時間係設定為例如0.01秒~300秒鐘範圍內的時間。又，晶圓W的溫度(處理溫度)係藉由控制溫度調整器而調整為例如350~400℃範圍內的溫度。該NH3氣體會與上述含Ti層至少其中一部分產生反應。藉此，含Ti層被氮化而形成TiN。
其次，停止對製程腔PM內的NH3氣體供應，且利用排氣泵對製程腔PM內施行真空排氣，將在製程腔PM內所殘留未反應或經參與含Ti層形成後的NH3氣體予以除去。另外，此時亦可藉由供應惰性氣體，而提高NH3氣體的除去效果。
藉由重複上述4個步驟之既定循環而形成所需膜厚的TiN，而完成成膜處理。
若對晶圓W的成膜處理完成，便開啟閘閥G6，利用真空搬送機器人VR，拾取在基板位置P上所載置經處理畢的晶圓W，移送入真空鎖定腔VL2內，將晶圓W載置於緩衝平台ST2上的基板位置P10(S15)。
其次，關閉閘閥G6，對真空鎖定腔VL2內供應清洗氣體，使 真空鎖定腔VL2內返回略大氣壓。此時亦可利用未圖示冷卻機構冷卻晶圓W。然後，開啟閘閥G8，利用大氣搬送機器人AR拾取在基板位置P10載置的晶圓W，並儲存於在晶圓裝載埠LP所載置晶圓盒PD的空插槽中(S16)。
其次，判斷是否已由同一製程腔PM實施既定次數的成膜處理(S17)。若成膜處理已實施既定次數的情況，便實施該製程腔PM的清洗處理(S18)，經除去在製程腔PM內所附著的膜與副產物後，再持續進行S11以後的處理。另一方面，若成膜處理尚未實施既定次數的情況，便略過清洗處理(S18)持續S11以後的處理。
其次，針對製程腔PM的排氣路線之切換處理，參照圖4進行說明。圖4所示係利用圖1所示基板處理裝置實施的排氣路線之切換處理流程圖。圖4所示處理係圖3所示基板處理步驟執行中(或至少其中的成膜步驟S14執行中)，利用控制器CNT實施。
首先，判斷MBP(排氣泵)214、224、234、244任一者是否有出現異常(S21)。此項判斷係根據感測器216、226、236、246的檢測結果實施。當MBP214、224、234、244中有任一者被檢測到異常時，便經由操作部100對使用者通報異常(S22)，並判斷是否有閒置(待機)中的製程腔PM(S23)。此處所謂「閒置中」係指未施行成膜處理(亦可包含為施行成膜處理的晶圓W搬送狀態在內)、清洗處理的狀態。又，閒置中的製程腔PM之有無係從具有被檢測到異常BMP的處理單元以外之其餘處理單元進行判斷。
當沒有閒置中的製程腔PM時(S23中為「No」)，便判斷具有被檢測到異常BMP的處理單元是否處於成膜處理中(S24)。當具有被檢測到異常BMP的處理單元係處於成膜處理中之時(S24中為「Yes」)，便判斷是否有清洗處理中的製程腔PM(S25)。清洗處理中的製程腔PM之有無係從具有被檢測到異常BMP的處理單元以外之其餘處理單元進行判斷。
當有清洗處理中的製程腔PM時(S25中為「Yes」)，便中斷該清洗處理(S26)，並執行排氣路線的切換(S27)。此處，排氣路線的切換係藉由控制上述各氣體排氣系統GE的閥開閉，使具有被檢測異常MBP的處理單元之製程腔PM，經由連接路徑251、252、253、254、255、256中之任一者，連通於中斷清洗處理的處理單元之MBP而實施。藉此，具有被檢測異常MBP的處理單元之製程腔PM便利用無檢測出異常的MBP進行排氣。
其次，針對具有被檢測異常MBP的處理單元之製程腔PM，判斷成膜處理是否已完成(S28)。若成膜處理尚未完成的情況(S28中為「No」)，便待機直到成膜處理完成為止，若成膜處理已完成(S28中為「Yes」)，便將排氣路線切換至原本的排氣路線(S29)。此時，具有被檢測異常MBP的處理單元，下一次以後的成膜處理或清洗處理中至少任一項處理亦可禁止執行。若排氣路線切換至原本的排氣路線(復原)，則被中斷清洗處理的製程腔PM便復原(持續)該清洗處理(S30)。
依此，當在成膜處理中被檢測到MBP有異常的情況，若在其他處理單元中尚有清洗處理中者的話，便中斷該清洗處理，並對成膜處理中的製程腔PM利用該清洗處理進行排氣時所使用的MBP施行排氣。藉此，可將成膜處理中的製程腔PM內維持於所需壓力，便可持續所需的成膜處理。所以，可降低因排氣泵異常等所造成對基板處理的影響。特別係可防止因成膜不良而造成晶圓W退出(lot out)等情形，俾可抑制生產性降低。另外，因為清洗處理係在製程腔PM中沒有存在晶圓W的狀態下實施，因而使成膜處理優先完成。
另一方面，當有閒置中製程腔PM的情況(S23中為「Yes」)，便暫時停止該閒置中製程腔PM的成膜處理及清洗處理執行(S31)，並執行排氣路線的切換(S32)。此處，排氣路線的切換係藉由控制上述各氣體排氣系統GE的閥開閉，使具有被檢測異常MBP的處理單元之製程腔PM，經由連接路徑251、252、253、254、255、256中之任一者，連通於閒置中處理單元的MBP而實施。藉此，具有被檢測異常MBP的處理單元之製程腔PM，便利用無檢測出異常的MBP進行排氣。
其次，判斷具有被檢測異常MBP的處理單元之製程腔PM，是否已完成處理(成膜處理或清洗處理)(S33)。若處理尚未完成的情況(S33中為「No」)，便待機直到處理完成為止；而若處理已完成(S33中為「Yes」)，便將排氣路線切換為原本的排氣路線(S34)。此時，具有被檢測異常MBP的處理單元，下一次以後的成膜處理或清洗 處理中至少任一項處理亦可禁止執行。若排氣路線切換至原本的排氣路線(復原)，便解除閒置中製程腔PM的成膜處理及清洗處理之禁止執行(S35)。
依此，當基板處理步驟有檢測MBP出現異常的情況，若在其他處理單元中尚有閒置中者的話，便對具有被檢測異常MBP的處理單元之製程腔PM，使用該閒置中處理單元的MBP進行排氣。藉此，可將成膜處理中的製程腔PM內維持於所需壓力，便可持續所需的成膜處理。所以，可降低因排氣泵異常等所造成對基板處理的影響。
另外，當MBP214、224、234、244中任一者均沒有出現異常的情況(S21中為「No」)，便略過以後的處理。又，當具有被檢測異常MBP的處理單元不屬於成膜處理中的情況時(S24中為「No」)，即屬於清洗處理中的情況，便待機直到閒置中處理單元出現為止(返回S23)。在該待機中，當具有被檢測異常MBP的處理單元已完成清洗處理時，亦可略過以後的處理(即未執行排氣路線切換)。又，此時亦可禁止執行該處理單元的成膜處理及清洗處理中之至少任一項處理。
再者，當沒有清洗處理中製程腔PM的情況(S25中為「No」)，便待機直到閒置中或清洗處理中製程腔PM出現為止(返回S23)。在該待機中，當具有被檢測異常MBP的處理單元已完成成膜處理時，亦可略過以後的處理(即不施行排氣路線切換)。又，此時亦可 禁止執行該處理單元的成膜處理及清洗處理中之至少任一項處理。
圖4所示處理係根據排氣泵的異常而切換排氣路線，但亦可根據來自使用者的指示切換排氣路線。以下，針對此項處理進行說明。圖5所示係根據來自使用者的指示進行排氣路線切換處理的流程圖。圖5所示處理係基板處理裝置1動作中，經常利用控制器CNT實施。
首先，判斷使用者是否有經由操作部100輸入排氣路線的切換指示(S41)。此處所謂「來自使用者的排氣路線切換指示」係指選擇停止使用的MBP，以及從其他處理單元中，選擇對具有停止使用MBP的處理單元之製程腔PM進行排氣的MBP之指示。此項指示係當例如執行MBP交換或保養時，由使用者輸入。當沒有來自使用者輸入排氣路線切換指示的情況時(S41中為「No」)，便略過以後的處理。另一方面，當有來自使用者輸入排氣路線切換指示的情況時(S41中為「Yes」)，便判斷切換對象的處理單元是否處於處理中(成膜處理或清洗處理實施中)(S42)。所謂「切換對象的處理單元」係指具有取代停止使用MBP之可用MBP的處理單元。
當切換對象的處理單元係處於處理中之時，便直到該處理完成之前，均將待機訊息顯示於操作部100(S43)。另一方面，當切換對象的處理單元不是處於處理中的情況(S42中為「No」)，便暫時性禁止該切換對象的處理單元之處理(S44)，並切換排氣路線(S45)。此處，排氣路線的切換係藉由控制上述各氣體排氣系統GE的閥開 閉，使具有被指示禁止使用之MBP的處理單元之製程腔PM，經由連接路徑251、252、253、254、255、256中之任一者連通於所指定的其他處理單元之MBP而實施。藉此，具有被指示禁止使用之MBP的處理單元之製程腔PM，便利用其他處理單元的MBP進行排氣。
其次，判斷是否有由使用者經由操作部100輸入排氣路線復原指示(S46)。所謂「排氣路線復原指示」係指已使用停止的MBP重新開始使用的指示。當沒有輸入排氣路線復原指示的情況時(S46中為「No」)，便待機至輸入該復原指示為止。另一方面，若有輸入排氣路線復原指示(S46中為「Yes」)，便將排氣路線切換為原本的排氣路線(S47)，解除切換對象處理單元的處理禁止(S48)。
依此，因為構成根據來自使用者的排氣路線切換指示，進行排氣路線切換，因而可降低因排氣泵保養等造成對基板處理的影響。
另外，上述中，基板處理裝置1所設有的處理單元數量係設為4個，惟處理單元的數量並不僅侷限於此，只要複數便可。又，檢測異常的排氣泵係例示MBP，但亦可為TMP(Turbo Molecular Pump，渦輪分子泵)、DP等其他的排氣泵。又，排氣路線的切換並不僅侷限於製程腔PM間，亦可在圖1所示「真空側」的各構成間進行排氣路線的切換。
再者，將處理單元設為每次處理1片晶圓W的單片式，但亦可為同時處理複數片晶圓W的直立式等形式。又，排氣路徑分別 與其他排氣路徑全部均利用連接路徑相連接，但亦可僅相鄰處理單元的排氣路徑彼此間才利用連接路徑相連接。此情況，在圖4的S23、S25之處理時，閒置中或清洗處理中的製程腔PM係選自相鄰處理單元中。又，圖5的S42之處理時，成為排氣路線切換對象的處理單元係僅能選擇設有使用停止MBP之處理單元的相鄰處理單元。
<本發明第二實施形態>
其次，針對本發明第二實施形態的基板處理裝置進行說明。前述第一實施形態係由使用者輸入排氣路線的切換指示，以及暫時性禁止切換對象處理單元的處理，但本發明第二實施形態則構成被停止使用MBP以外的其餘MBP，係依時間分割由複數製程腔MP共用。
圖6所示係本發明第二實施形態，根據來自使用者的指示施行排氣路線切換處理的流程圖。另外，第二實施形態的基板處理裝置構成係與第一實施形態相同，因而省略其說明。
首先，判斷使用者是否有經由操作部100輸入排氣路線的切換指示(S51)。此處所謂「來自使用者的排氣路線切換指示」係至少選擇指示停止使用MBP的指示。排氣路線的切換指示亦可包含：對設有停止使用MBP的處理單元之製程腔PM施行排氣之MBP，係從其他處理單元中選擇的指示(以下稱「替代泵選擇指示」)。當包含有替代泵選擇指示的情況，便從依此指示的一或複數MBP中， 選擇替代性使用的泵。又，當未包含有替代泵選擇指示的情況，便從停止使用MBP以外的其餘所有MBP中，選擇替代性使用的泵。
當未有從使用者輸入排氣路線切換指示的情況(S51中為「No」)，便略過以後的處理。另一方面，當由使用者輸入排氣路線切換指示的情況(S51中為「Yes」)，便判斷具有替代性使用MBP的處理單元中任一者，是否具有處理中以外的製程腔MP(即，判斷是否具有例如閒置中、或處理對象晶圓W處於等待搬送狀態的處理單元)。當沒有處理中以外的處理單元時(S52中為「No」)，便待機直到處理中以外的處理單元出現為止。另一方面，當具有處理中以外的處理單元時(S52中為「Yes」)，便暫時性禁止該處理單元的處理(S53)，並切換排氣路線(S54)。此處，排氣路線的切換係藉由控制上述各氣體排氣系統GE的閥開閉，使具有被指示停止使用MBP的處理單元之製程腔PM，經由連接路徑251、252、253、254、255、256中之任一者連通於處理中以外的處理單元之MBP而實施。藉此，具有被指示停止使用MBP的處理單元之製程腔PM，便利用其他處理單元的MBP進行排氣。
其次，具有被指示停止使用MBP的處理單元便開始進行處理(成膜處理或清洗處理)(S55)，接著判斷是否完成該處理(S56)。當該處理尚未完成的情況(S56中為「No」)，便待機直到該處理完成為止。另一方面，若該處理已完成(S56中為「Yes」)，便將排氣路線切換為原本的排氣路線(S57)，並解除切換對象處理單元的處理禁止(S58)。然後返回S51的處理，若被指示排氣路線切換，便一邊共用 處理中以外的處理單元之MBP，一邊持續執行各處理單元的處理。
依此，因為構成根據來自使用者的排氣路線切換指示進行排氣路線的切換，而可減小因排氣泵保養等所造成對基板處理的影響。特別係本實施形態中，因為構成處理中以內的處理單元之排氣泵係依時間分割共用，因而可使基板處理裝置全體的處理更有效率化。另外，上述中，亦可當具有被指示停止使用排氣泵的處理單元係執行成膜處理的情況，便在執行清洗處理的處理單元前優先使用排氣泵，而當具有被指示停止使用排氣泵的處理單元係執行清洗處理的情況，便配合使用閒置中處理單元的排氣泵等對象處理，變更優先度。
<本發明第三實施形態>
其次，針對本發明第三實施形態的基板處理裝置進行說明。前述第一及第二實施形態係關閉各製程腔PM施行處理(成膜處理及清洗處理)，但第三實施形態係設定為各製程腔PM分別施行不同的處理。具體而言，第三實施形態的基板處理裝置係構成對晶圓W連續施行半導體裝置製造步驟之不同處理的製程．整合(Integration)裝置。本實施形態中，製程．整合裝置係例示連續處理電晶體之閘極製造步驟其中一部分的情況進行說明。
圖7所示係使用第三實施形態的基板處理裝置所形成電晶體的閘極構成例圖，具體而言，NMOS式電晶體的閘極構成例圖。如圖7所示，閘極係構成由：在矽基板(Si-sub)上所形成由氧化矽(SiO2) 構成的矽系絕緣膜、在該SiO2上所形成由氧化鉿(HfO2)構成的高介電常數膜(High-k膜)、以及在該HfO2上所形成由金屬氮化膜(TiN)構成的閘極電極，進行積層的堆疊式構造。
<閘極製造步驟>
其次，針對圖7所示電晶體的閘極之製造步驟例進行說明。圖8所示係圖7所示電晶體的閘極之製造步驟例流程圖。
如圖8所示，首先將矽基板利用例如1%HF水溶液施行處理，而除去在矽基板上所形成的犧牲氧化膜(「HF處理」步驟)。接著，在矽基板上利用熱氧化處理形成氧化矽(SiO2)(「SiO2成膜」步驟)。SiO2係形成作為矽基板、與後續所形成HfO2間之界面的界面層。
其次，在SiO2上形成高介電常數膜的氧化鉿(HfO2)(「High-k成膜」步驟)。由SiO2與HfO2構成閘極絕緣膜。在HfO2成膜後便施行退火處理(「Post Deposition Annealing」步驟)。該退火處理係以除去HfO2中之雜質、HfO2緻密化或結晶化為目的而實施。接著，在HfO2上形成當作閘極電極用的金屬氮化膜(TiN)(「TiN沉積」步驟)。如圖所示，此項步驟係重複執行X次將TiCl4與NH3交錯供應給晶圓W的TiN成膜處理。另外，X係1以上的整數。
其次，以光阻為遮罩，使用光學微影技術施行圖案化(「Gate patterning」步驟)，且使用乾式蝕刻技術施行圖案蝕刻(「Gate etching」步驟)。然後，除去該光阻(「Resist removal」步驟))。然 後，施行氫氣退火等FGA(Forming gas annealing)處理(「FGA」步驟)。
本實施形態的基板處理裝置中，就上述各步驟中由「SiO2成膜」步驟、「High-k成膜」步驟、「Post Deposition Annealing」步驟、及「TiN沉積」步驟構成的一連串步驟，係利用圖1及圖2所示製程腔PM1~PM4實施。
具體而言，「SiO2成膜」步驟係由製程腔PM1實施，「High-k成膜」步驟係由製程腔PM4實施，「Post Deposition Annealing」步驟係由製程腔PM3實施，「TiN沉積」步驟係由製程腔PM2實施。所以，本實施形態中，製程腔PM1所連接的氣體供應系統GS1係至少設有熱氧化處理時所必要氧化劑的供應源；製程腔PM3所連接的氣體供應系統GS3係至少設有退火處理時所必要惰性氣體的供應源；製程腔PM4所連接的氣體供應系統GS4係至少設有氧化鉿成膜處理時所必要含鉿氣體的供應源與氧化劑的供應源。製程腔PM2所連接的氣體供應系統GS2構成，係與第一實施形態相同。
另外，前述實施形態與本實施形態雖就由各處理單元實施的處理有所不同，但因為基板處理裝置的基本構成係共通，因而省略詳細說明。
本實施形態的特徵在於：鑒於各處理中對排氣泵的負荷多寡，而設定執行各項處理的製程腔PM配置。此處所謂「排氣泵的負荷」 係可考慮諸如轉速、運轉時間等各種參數，而本實施形態則考量對排氣泵造成異常要因的微粒產生量。
一般相較於熱氧化處理、退火處理，HfO2成膜與TiN成膜等薄膜形成處理時較容易產生微粒。特別係諸如TiN等氮化膜，會因製程腔PM內所附著膜的應力而容易剝離。又，已知當TiN成膜時係使用如TiCl4之類的鹵系原料情況，會因鹵元素與氮化劑鍵結而產生大量副產物。即上述各項處理中，HfO2與TiN的成膜處理會較其他處理更容易產生微粒，特別係TiN成膜處理時，微粒流出於排氣系統的情況頗多。若流出於排氣系統中的微粒附著於排氣泵上，便成為排氣泵異常的原因。
此處，本實施形態係將施行TiN成膜處理的製程腔PM，配置於微粒產生量較少之施行熱氧化處理、退火處理的製程腔PM間。藉此，當施行TiN成膜處理的處理單元之排氣泵有發生異常的情況，可使用其所鄰接處理單元的排氣泵(較不易發生異常的排氣泵)，可提高能持續TiN成膜處理的可能性。因為共用鄰接處理單元的排氣泵，可縮短排氣路徑彼此間相連接的連接路徑長度，因而就壓損等觀點而言係屬有利。又，若將所有排氣路徑彼此間相連接，則排氣系統的構成較為繁雜，但如本實施形態，藉由經考慮排氣泵的負荷多寡再設定處理單元的配置，即便簡單化呈僅將相鄰處理單元的排氣路徑彼此間相連接的構成，仍可取代發生異常的排氣泵，提高利用正常排氣泵持續進行處理的可能性。
另外，前述實施形態中所說明的排氣路線切換處理，亦可適用於本實施形態。所以，本實施形態亦是與前述實施形態相同，當然可減小因排氣泵異常、保養等所造成對基板處理的影響。
(本發明較佳態樣)
以下，針對本發明較佳態樣附註如下。
[附註1]
一種基板處理裝置，係具備有：複數處理單元、連接路徑、及切換部；而，該等複數處理單元係至少具備有：對基板施行處理的處理室、連接於上述處理室的排氣路徑、以及上述排氣路徑中設置的排氣泵；該連接路徑係將上述處理單元的排氣路徑彼此間在上述排氣泵的上游側相連接；該切換部係藉由將上述處理室，經由上述連接路徑，連通於設有該處理室的處理單元外之其餘不同處理單元的排氣泵上，而切換上述處理室的排氣路線。
[附註2]
如附註1所記載的基板處理裝置，其中，具備有：控制上述切換部動作的控制部、以及檢測上述排氣泵異常的檢測部；而，上述控制部係根據上述檢測部的檢測結果進行上述切換部的控制。
[附註3]
如附註1或2所記載的基板處理裝置，其中，具備有由使用者輸入指示的輸入部；而，上述控制部係根據由上述輸入部輸入的指 示進行上述切換部的控制。
[附註4]
如附註3所記載的基板處理裝置，其中，上述控制部係依時間性分割上述排氣泵，並由複數處理室共用的方式，控制著上述切換部。
[附註5]
如附註2所記載的基板處理裝置，其中，在上述處理室中至少施行成膜處理與清洗處理；上述控制部係當利用上述檢測部有檢測到上述排氣泵異常時，便依使具有上述被檢測到異常排氣泵的處理單元之處理室，連通於未被檢測到上述排氣泵異常、且具有清洗處理中處理室的處理單元之排氣泵方式，控制著上述切換部。
[附註6]
如附註5所記載的基板處理裝置，其中，上述控制部係依在中斷由上述清洗處理中處理室執行的清洗處理之後，使具有上述被檢測到異常排氣泵的處理單元之處理室，連通於具有上述清洗處理被中斷處理室的處理單元之排氣泵方式，控制著上述切換部。
[附註7]
如附註6所記載的基板處理裝置，其中，上述控制部係依使具有上述被檢測到異常排氣泵的處理單元之處理室，連通於具有上述 清洗處理被中斷處理室的處理單元之排氣泵方式，控制著上述切換部，且若具有上述被檢測到異常排氣泵的處理單元之處理室已結束處理，便依使上述清洗處理被中斷處理室，連通於具有該處理室的處理單元之排氣泵方式，控制著上述切換部。
[附註8]
如附註1所記載的基板處理裝置，其中，上述複數處理單元係含有對上述基板施行不同處理的至少3個處理單元；而施行對上述排氣泵負荷最大處理的處理單元係配置於其他處理單元之間。
[附註9]
如附註8所記載的基板處理裝置，其中，具備有：控制部，其乃控制著上述切換部的動作；以及檢測部，其乃檢測上述排氣泵異常；而，上述控制部係根據上述檢測部的檢測結果進行上述切換部的控制。
[附註10]
如附註9所記載的基板處理裝置，其中，上述控制部係當利用上述檢測部有檢測到上述排氣泵異常時，便使具有上述被檢測到異常排氣泵的處理單元之處理室，連通於未檢測到上述排氣泵異常、且具有待機中處理室的處理單元之排氣泵方式，控制著上述切換部。
[附註11]
如附註1至10中任一項所記載的基板處理裝置，其中，上述切換部係由：上述連接路徑中所配置的閥體、以及在上述排氣路徑中配置於上述連接路徑連接地方的上游側及下游側之閥體構成。
[附註12]
如附註1至11中任一項所記載的基板處理裝置，其中，上述檢測部係檢測上述排氣泵的轉速、消耗功率、溫度、上述排氣路徑壓力中之至少任一項。
[附註13]
一種半導體裝置之製造方法，係利用至少具備有：對基板施行處理的處理室、連接於上述處理室的排氣路徑、以及上述排氣路徑中設置的排氣泵之複數處理單元，對上述基板施行處理的半導體裝置之製造方法，包括有：經由將上述處理單元的排氣路徑彼此間，在上述排氣泵的上游側相連接之連接路徑，對上述處理室從設有該處理室的處理單元外之其餘不同處理單元的排氣泵施行排氣，而對上述基板施行處理的處理步驟。
[附註14]
如附註13所記載的半導體裝置之製造方法，其中，在上述處理步驟之前設有排氣路線切換步驟；而，該排氣路線切換步驟係當利用檢測部有檢測到上述排氣泵異常時，便依使具有上述被檢測到異常排氣泵的處理單元之處理室，經由上述連接路徑連通於設有該 處理室的處理單元外之其餘不同處理單元的排氣泵，而切換上述處理室之排氣路線的方式，控制著切換部。
[附註15]
如附註13所記載的半導體裝置之製造方法，其中，在上述處理步驟之前設有排氣路線切換步驟；而，該排氣路線切換步驟係當由使用者輸入使上述複數處理單元中任一處理單元的處理室，使用其他處理單元的排氣泵進行排氣之指示時，便依使上述處理室經由上述連接路徑連通於設有該處理室的處理單元外之其餘不同處理單元的排氣泵，而切換上述處理室的排氣路線方式，控制著切換部。
[附註16]
一種程式，係使電腦執行下述處理順序的程式，該處理順序係利用至少具備有：對基板施行處理的處理室、連接於上述處理室的排氣路徑、以及上述排氣路徑中設置的排氣泵之複數處理單元，對上述基板施行處理；其中，上述處理順序係包括有經由將上述處理單元的排氣路徑彼此間，在上述排氣泵的上游側相連接之連接路徑，對上述處理室從設有該處理室的處理單元外之其餘不同處理單元的排氣泵進行排氣，而處理上述基板的順序。
[附註17]
如附註16所記載的程式，其中，上述處理順序係包括有：當利用檢測部有檢測到上述排氣泵異常時，便依使具有上述被檢測到異常排氣泵的處理單元之處理室，經由上述連接路徑連通於設有該 處理室的處理單元外之其餘不同處理單元的排氣泵，而切換上述處理室之排氣路線的方式，控制著切換部的順序。
[附註18]
一種記錄媒體，係記錄著電腦能讀取且使電腦執行下述處理順序之程式，該處理順序係利用至少具備有：對基板施行處理的處理室、連接於上述處理室的排氣路徑、以及上述排氣路徑中設置的排氣泵之複數處理單元，對上述基板施行處理；其中，上述處理順序係包括有：經由將上述處理單元的排氣路徑彼此間，在上述排氣泵的上游側相連接之連接路徑，對上述處理室從設有該處理室的處理單元外之其餘不同處理單元的排氣泵施行排氣，而對上述基板施行處理的順序。
[附註19]
如附註18所記載的記錄媒體，其中，上述處理順序係包括有：當利用檢測部有檢測到上述排氣泵異常時，便依使具有上述被檢測到異常排氣泵的處理單元之處理室，經由上述連接路徑連通於設有該處理室的處理單元外之其餘不同處理單元的排氣泵，而切換上述處理室之排氣路線的方式，控制著切換部的順序。
(產業上之可利用性)
本發明係可例利用於例如對矽晶圓等基板施行處理的基板處理裝置、以及半導體裝置之製造方法等。
211、221、231、241‧‧‧排氣路徑
212、222、232、242‧‧‧APC(切換部)
213、223、233、243、261、262、263、264、265、266‧‧‧閥(切換部)
214、224、234、244‧‧‧MBP(排氣泵)
215、225、235、245‧‧‧DP(乾式泵)
216‧‧‧感測器
226、236、246‧‧‧感測器
251、252、253、254、255、256‧‧‧連接路徑
GE1、GE2、GE3、GE4‧‧‧氣體排氣系統
GS1、GS2、GS3、GS4‧‧‧氣體供應系統
PM1、PM2、PM3、PM4‧‧‧製程腔

Claims (12)

  1. 一種基板處理裝置，係具備有：複數處理單元，其中每一處理單元係至少具備有：對基板施行處理的處理室、連接於上述處理室的排氣路徑、以及上述排氣路徑中設置的排氣泵；連接路徑，其乃將上述處理單元的排氣路徑彼此間在上述排氣泵的上游側相連接；切換部，其乃藉由將上述複數處理單元中之任一處理單元之一處理室，經由上述連接路徑，連通於設有該處理室的處理單元外之其餘不同處理單元的排氣泵上，而切換上述處理室的排氣路線；檢測部，其乃檢測上述排氣泵之異常；以及控制部，其乃根據上述檢測部的檢測結果進行上述切換部的控制。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，具備有由使用者輸入指示的輸入部；而，上述控制部係根據由上述輸入部輸入的指示進行上述切換部的控制。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述控制部係依時間性分割上述排氣泵，並由複數處理室共用的方式，控制上述切換部。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，在上述處理室中至少施行成膜處理與清洗處理；上述控制部係當利用上述檢測部有檢測到上述排氣泵異常時，便依使具有上述被檢測到異常排氣泵的處理單元之處理室，連通於未 被檢測到上述排氣泵異常、且具有清洗處理中處理室的處理單元之排氣泵方式，控制上述切換部。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，上述控制部係依在中斷由上述清洗處理中處理室執行的清洗處理之後，使具有上述被檢測到異常排氣泵的處理單元之處理室，連通於具有上述清洗處理被中斷處理室的處理單元之排氣泵方式，控制上述切換部。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，上述控制部係依使具有上述被檢測到異常排氣泵的處理單元之處理室，連通於具有上述清洗處理被中斷處理室的處理單元之排氣泵方式，控制上述切換部，且若具有上述被檢測到異常排氣泵的處理單元之處理室已結束處理，便依使上述清洗處理被中斷處理室，連通於具有該處理室的處理單元之排氣泵方式，控制上述切換部。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述複數處理單元係含有對上述基板施行不同處理的至少3個處理單元；而施行對上述排氣泵負荷最大處理的處理單元係配置於其他處理單元之間。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述控制部係當利用上述檢測部有檢測到上述排氣泵異常時，便依使具有上述被檢測到異常排氣泵的處理單元之處理室，連通於未檢測到上述排氣泵異常、且具有待機中處理室的處理單元之排氣泵方式，控制上述切換部。
  9. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述切換部係由：上述連接路徑中所配置的閥體、以及在上述排氣路徑中配置於上述連接路徑連接地方的上游側及下游側之閥體構成。
  10. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述檢測部係檢測上述排氣泵的轉速、消耗功率、溫度、上述排氣路徑壓力中之至少任一項。
  11. 一種半導體裝置之製造方法，係利用複數處理單元對基板施行處理者，上述複數處理單元中每一處理單元係至少具備有：對上述基板施行處理的處理室、連接於上述處理室的排氣路徑、上述排氣路徑中設置的排氣泵、以及檢測上述排氣泵異常之檢測部，該半導體裝置之製造方法係包括有：排氣路線切換步驟，其係當上述檢測部檢測到上述排氣泵異常時，便依使具有上述被檢測到異常排氣泵的處理單元之處理室，經由連接路徑連通於設有該處理室的處理單元外之其餘不同處理單元的排氣泵，而切換上述處理室之排氣路線；以及處理步驟，其係於上述排氣路線切換步驟之後，對上述處理室之環境從設有該處理室的處理單元外之其餘不同處理單元的排氣泵施行排氣，而對上述基板施行處理。
  12. 一種記錄媒體，係記錄著電腦能讀取且使電腦執行下述處理順序之程式，該處理順序係利用複數處理單元對基板施行處理，上述複數處理單元中每一處理單元係至少具備有：對上述基板施行處理的處理室、連接於上述處理室的排氣路徑、上述排氣路徑中設置的排氣泵、以及檢測上述排氣泵異常之檢測部；其中，上述處理順序係如下：當上述檢測部檢測到上述排氣泵異常時，便依使具有上述被檢測到異常排氣泵的處理單元之處理室，經由連接路徑連通於設有該處理室的處理單元外之其餘不同處理單元的排氣泵，而切換上述處理 室之排氣路線，其後，對上述處理室之環境從設有該處理室的處理單元外之其餘不同處理單元的排氣泵施行排氣，而對上述基板施行處理的順序。
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