TWI543420B - 電光裝置及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種電光裝置及其製造方法，特別是一種具有均勻亮度的電光裝裝置及其製造方法。
通常，有機發光裝置可包含有：基板、放置於基板上之透明電極、放置於透明電極上之有機層以及放置於此有機層上之負電極。在這種狀況中，此透明電極可作為正電極。其中，可在用正電極向透明電極施加電能，並在基板的一側放置用於向負電極施加電能的負電極。此處，可透過如：氧化銦錫(ITO，indium tin oxide)及氧化锌铟(IZO，indium zinc oxide)之透明導電材料形成此透明電極，並透過金屬形成負電極。同時，有機層包含有電洞注入層、電洞傳輸層、發射層及電子傳送層。下面，將對有機發光裝置之驅動方法進行描述。當透過此正、負電極焊盤向透明電極與負電極提供電能時，電洞會透過電洞注入層及電洞傳輸層從傳輸層向發光層遷迻，而電子會從負電極向電子傳輸層遷移。此時，來自發光層中之電子-電洞對中電子與電洞可產生具有高能量的激子(excitons)。而後，這些激子會衰減至具有較低能量的接地狀態，進而發出光照。
這種有機發光裝置之一種具有較大面積的發光裝置。其中，常用的透明導電材料的電阻性高於金屬。因此，當透過正電極焊盤向透明電極施加電能藉以驅動面積較大之有機發光裝置時，施加於透明電極上遠離正電極之電流小於施加於透明電極上正電極附近之電流。換言之，隨著與電極焊盤間之距離增大，電流密度逐漸地減小，這種狀況被稱為壓降(IR壓降)。而這種壓降可使具有較大面積之有機發光裝置產生不均勻的亮度。
為了防止出現這種壓降，可透過具有較高導電性與較低電阻性之金屬於透明電極上形成複數個輔助電極。例如，在此透明電極上可使這些輔助電極間隔恆定的距離。因此，可將這些輔助電極劃分為複數個區域，並將每一區域定義為一個發光區。進而，當透過電極焊盤向這些輔助電極施加電能時，電流會流向具有較低電阻的輔助電極，進而被傳送至位於輔助電極下方的透明電極上。但是，這種輔助電極附近的一部分透明電極之電流密度卻高於遠離這種輔助電極的一部分透明電極之電流密度。換言之，隨著與這種輔助電極之距離的增加，電流密度也隨之增大，進而仍會產生壓降。因此，遠離輔助電極之發光區域的中心部份之亮度小於輔助電極附近面板邊沿的亮度。因此，難以製造出具有均勻亮度且面積較大之有機發光裝置。
本發明之一目的在於提供一種具有均勻亮度的電光裝置及其製造方法。
本發明之又一目的在於提供一種可向透明電極提供均勻電流以防止產生壓降的電光裝置及其製造方法。
本發明之一方面提供了一種電光裝置，係包含：基板，包含有發光部份與不發光部份，並且在發光部分中之基板被劃分為不產生壓降的複數個驅動區域；電極焊盤，係位於不發光部份上；複數個輔助電極，其中各輔助電極之一端連接於電極焊盤，而各輔助電極之另一端分別連接於各驅動區域之中央部份；以及透明電極，係位於光發生部份上方之各輔助電極上。
其中，這些驅動區域具有相同的面積。
其中，這些輔助電極具有相同的長度。
其中，隨著輔助電極與電極焊盤間之距離減小，各輔助電極之彎曲部份的數量增多。
其中，各輔助電極與透明電極之間放置第一介電質，而此驅動區域之中心部份上之接觸孔係用於曝露出輔助電極之上部的至少一部分；並且此透明電極係透過接觸孔連接於輔助電極。
同時，此電光裝置還包含第二介電質，此第二介電質係位於接觸孔上方之透明電極上。
此電光裝置，還包含：有機層，係位於透明電極上；以及上方電極，係位於有機層上。
本發明之另一方面提供了一種電光裝置的製造方法，係包含：將基板之發光部份劃分為複數個驅動區域，藉以防止產生壓降；於基板之不發光部份上形成電極；形成複數個輔助電極，各輔助電極分別具有：連接於電極焊盤之一端；及連接於各驅動區域之中央區域之另一端；以及於發光部份上方之這些輔助電極上形成透明電極。
其中，這些輔助電極具有相同的長度。
在發光部份之驅動過程中，這些驅動區域具有相同的面積。
其中，隨著輔助電極與電極焊盤間之距離減小，各輔助電極之彎曲部份的數量增多。
在形成這些輔助電極之後，於基板與這些輔助電極上形成第一介電質並移除第一介電質的一部分，藉以形成接觸孔，此接觸孔係用於曝露出各驅動區域上之中央部份上之輔助電極的至少一部分。
其中，於接觸孔上方之透明電極上形成第二介電質。
並於透明電極上形成有機層並於有機層上形成上方電極。
下面，將結合附圖對本發明實施例進行詳盡地闡釋。但是，本發明亦能透過其它形式實現，而部局限於此處所例舉之實施例。此外，下列實施例可向本領域之技術人員清晰而完整地表達出本發明所要保護之範圍。
其中，「第1A圖」至「第6圖」示出了本發明實施例中於基板上製造電機部份的方法。具體而言，「第1A圖」為被劃分為複數個驅動區域之基板的平面圖，「第1B圖」為沿「第1A圖」中剖面線A-A’所得到的剖面圖。此外，「第2A圖」為形成於基板上之多個輔助電極的平面圖，「第2B圖」為沿「第2A圖」中剖面線B-B’所得到的剖面圖。
本發明實施例中基板100係用於製造電光裝置，其中此電光裝置具有2英尺或更大的面積並用於發光。此處，可透過玻璃基板或者如：聚乙烯(PE)、聚醚碸(PES)及聚對萘二甲酸丁二醇酯(PEN)之塑料形成具有約為80%或更高的透光性之基板100。其中，發光部份110包含用於發光的透明電極240，並且不發光部份120係位於透明電極240外側。其中，發光部份110位於基板100之中央區域，而不發光部份120係位於基板100之邊緣處。如「第1A圖」與「第1B圖」所示，基板100之發光部份110被劃分為複數個區域。其中，每一區域分別具有一個防止產生壓降的區域。此處，這些不會產生壓降的區域被稱為驅動區域111。其中，可使每一驅動區域111之不產生壓降面積達到最大化。在這種狀況中，這些驅動區域111可具有相同的面積。但是，上述實施例並不對本發明構成限製，因此這些驅動區域111之面積還可小於最大面積。
如「第2A圖」與「第2B圖」所示，可於基板100上形成電極焊盤300及複數個輔助電極210。此電極焊盤300連接於用以驅動電光裝置之驅動器(圖中未示出)，藉以將電流與驅動訊號傳送至輔助電極210。進而，此輔助電極210可將電能從電極焊盤300傳送至稍後形成的透明電極240。同時，電極焊盤300係位於發光部份110一側之不發光部份120上。其中，此輔助電極210可使電極焊盤300分別連接至驅動區域111的中央部份。而此中央部份包含有：驅動區域111之中心及中心附近的區域。同時，輔助電極210的數量可對應於透過劃分發光部份110所形成之驅動區域111的數量。因此，可使輔助電極210之一端連接於電極焊盤300，並使輔助電極之另一端連接於驅動區域111之中央部分。進而，由於輔助電極210之另一端位於驅動區域111之中央部分，所以此輔助電極210與驅動區域111之邊緣部分間的距離是均勻的。因此，當從位於驅動區域111之中央部分上之輔助電極210的另一端向驅動區域111之透明電極240施加電能時，便可均勻地傳送電流。例如，當將輔助電極210之另一端連接於驅動區域111中央部分之外的區域時，難以平穩地將來自輔助電極210之另一端的電能傳送至驅動區域111。因此，無法平穩地向驅動區域111之透明電極240傳送電流。由於電極焊盤300位於發光部份110一側之不發光部份120中，同時電極焊盤300與每一驅動區域111之中央部分間之距離是不同的。因此，輔助電極210可具有相同的長度，進而無論電極焊盤300與驅動區域111之中央部分間之距離如何，都能同時向驅動區域111之中央部分提供電能。換言之，每一輔助電極210中，連接於300之一端與連接於驅動區域111之中央區域之另一端間的距離是相同的。為此，輔助電極210兩端間之區域，即輔助電極210兩端間之路徑是可變的，藉以使多個輔助電極210兩端之間的距離保持相同。例如，輔助電極210可呈如「第2A圖」所示之線形，並且越是靠近電極焊盤300，輔助電極210之彎曲部分的數量越多。因此，當透過電極焊盤300向輔助電極210之兩端施加電能時，電能可以被同時傳送至輔助電極210之另一端。這是因為，輔助電極210具有相同的長度，進而所施加電能經過之路徑具有相同的長度。因此，電能可同時地被施加於多個驅動區域111之中央區域。此處，輔助電極210包含有：如：金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)或鋁(Al)中之一種金屬；以及如：氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)及氧化銦(In2O3)之一種透明導電材料。在本發明實施例中，可透過印刷法印刷銀膏，而後經乾燥而形成輔助電極210。或者，可透過濺鍍法、離子束沈積法、電子氣相沈積法或電漿束沈積法中之一種方法於基板100上沈積透明導電材料或金屬而形成輔助電極210。此時，可於基板100之不發光部份120上形成電極焊盤300。換言之，可透過相同的材料及方法形成輔助電極210與電極焊盤300。但是，上述實施例並不對本發明構成限制，因此，也可在形成電極焊盤300之後形成此輔助電極210，或在形成輔助電極210之後再形成電極焊盤300。
如「第3圖」所示，可於配設有輔助電極210之基板100上形成第一介電質220。雖然圖中並未示出，但此時可在電極焊盤300之至少一部分上形成開口。為此，可於基板100上形成全部的第一介電質220，而後透過蝕刻製程曝露出電極焊盤300的至少一部分。但是，上述方法並不對本發明構成限制，為此可於基板100上放置一個曝露出電極焊盤300之至少一部分的遮蔽圖案，而後透過沈積製程沈積介電質，藉以形成第一介電質220。進而，可透過離子束沈積法、電子氣相沈積法、電漿束沈積法或化學氣相沈積法中之一種方法於基板100上沈積如氧化鋁(Al2O3)之氧化物與如氮化物之無機物中之至少一種材料，藉以形成第一介電質220。但是，上述方法並不對本發明構成限制，因此，還可透過呈液態或膏狀之熱固性材料或如光阻之光固化材料形成第一介電質220。
如「第4圖」所示，可透過移除一部分第一介電質220而形成用以曝露出輔助電極210之一部分的接觸孔230。其中，此接觸孔230可曝露出每一驅動區域111之中央部份上的輔助電極210之上部。在本發明實施例中，可透過鐳射雕繪法形成這些接觸孔230。具體而言，可在基板100上放置蝕刻圖案，其中此蝕刻圖案具有多個開口，藉以至少部分地開放對應於驅動區域111之中央部份。進而，可從蝕刻圖案上方向蝕刻圖案之開口發出鐳射光束，藉以部分地移除第一介電質220。因此，如「第4圖」所示，可形成用於曝露出驅動區域111之中央部份上方輔助電極210之上方部份的接觸孔230。其中，用於進行鐳射雕繪之鐳射光束可以是：釹：氟化釔鋰(Nd:LiYF4)、钕：钇铝石榴石(Nd:Y3Al5O12)、钕：钒酸钇(Nd:YVO4)、钕：硼酸镧钇钪(Nd:LaSc3(BO3)4)及钕：铌酸锂(Nd:NiNbO3)中的一種。而後，可透過使用乾式清洗法的吸收裝置移除此鐳射雕繪過程中所產生的顆粒。但是，用以形成接觸孔230之方法不僅限於上述實例，還可採用：光刻法、使用蝕刻液的濕式蝕刻法、反應離子蝕刻法(RIE，reactive ion etching)以及乾式蝕刻法。
如「第5圖」所示，其中透明電極240係形成於第一介電質220及輔助電極210上，並對應於基板100之發光部份110。由於接觸孔230可曝露出驅動區域111之中央部份上之輔助電極210的上部，所以可使透明電極240經由接觸孔230與輔助電極210相連接。在本發明實施例中，可透過噴塗製程沉積作為透明導電材料之氧化銦錫，藉以形成透明電極240。但是，上述方法並不對本發明構成限製，因此還可使用氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)及氧化銦中之一種透明導電材料。此外，除噴塗製程以外，還可使用多種製程形成透明電極240。
而後，如「第6圖」所示，可於接觸孔230上方之透明電極240上形成第二介電質250。進而，第二介電質250可覆蓋並隔離因存在接觸孔230而不平坦之透明電極240的上部，進而防止從接觸孔230處發出光照。換言之，當於接觸孔230之上方形成透明電極240時，此透明電極240會具有不平坦的表面，同時會使電光裝置的亮度不均勻。因此，可於接觸孔230上方形成第二介電質250，藉以使位於接觸孔230上方之第二介電質250與之後將要形成的有機層400相互隔離。進而，可在位於接觸孔230上方之透明電極240上印刷光阻材料，並進行光固化製程，藉以形成第二介電質250。但是，上述實例並不對用於形成第二介電質250之材料構成限制，因此還可將如：氮化物或氧化物制材料沉積於透明電極240上。
進而，可將基板100之發光部份110劃分為不產生壓差的多個驅動區域111。同時，輔助電極210之另一端分別連接於驅動區域111之中央部份。其中，連接電極焊盤300至驅動區域111之中央部份的輔助電極210具有相同的長度。因此，當透過電極焊盤300向輔助電極210之一端施加電能時，可同時向輔助電極210之另一端施加電能。因此，能夠同時向驅動區域111之中央部份施加電能。當向驅動區域111之中央部份上之輔助電極210的另一端施加電能時，可均勻地向驅動區域111之透明電極240傳送電流。如上所述，由於基板100之發光部份110被劃分為多個不產生壓降的驅動區域111，進而可向每個驅動區域111之整個表面施加均勻的電流，而不必考慮驅動區域與輔助電極210間之距離。
其中，每一驅動區域111皆呈正方形。但是，這並不對本發明構成限製，同時驅動區域111還可具有如圓形或多邊形之其它不同形狀。
「第7圖」為本發明另一實施例中電極部份之製造方法的示意圖。
雖然「第2A圖」中作為電極焊盤300的一個電極焊盤被放置於基板100上，但此基板100可具有更大的面積，因此可增加輔助電極210之數量。例如，如「第7圖」所示，可於基板100上放置四個作為電極焊盤之電極焊盤300，同時使輔助電極210連接於電極焊盤300。在這種狀況中，可每一電極焊盤300可連接相同數量的輔助電極210。其中，連接電極焊盤300至驅動區域111之中央部份的輔助電極210具有相同的長度。因此，當透過電極焊盤300向輔助電極210之一端施加電能時，可同時向輔助電極210之另一端施加電能。進而，能夠同時向驅動區域111之中央部份施加電能。當向驅動區域111之中央部份上之輔助電極210的另一端施加電能時，可均勻地向驅動區域111之透明電極240傳送電流。如上所述，由於基板100之發光部份110被劃分為多個不產生壓降的驅動區域111，進而可向每個驅動區域111之整個表面施加均勻的電流，而不必考慮電極焊盤與輔助電極210間之距離。本發明實施例中，電極焊盤300之數量為四個，而這並不對本發明構成限制，因此電極焊盤之數量也可小於或是大於四個。
「第8圖」為本發明另一實施例中包含電極部份且具有較大面積之電光裝置的剖面圖。如「第1A圖」至「第6圖」及「第8圖」所示，下面將對電光裝置之製造方法進行描述。此處，將對與前述實施例相同的部份進行簡述或不在進行贅述。
其中，100之面積約為2英吋或更大，藉以製造面積較大並可發出光照的電光裝置。此處，電極部份200係形成於基板100上。因此，可將基板100之發光部份110劃分為多個具有相同面積的驅動區域111。而後，如「第2A圖」及「第2B圖」所示，可於基板100上形成電極焊盤300與輔助電極210。同時，可在發光部份110一側之不發光部份120上放置電極焊盤300。其中，可使輔助電極210之一端連接於電極焊盤300，並使其另一端連接於驅動區域111之中央部份。此處，輔助電極210具有相同的長度。進而，可刷塗銀膏並使其固化，進而形成輔助電極210與電極焊盤300。而後，可於不發光部份120之一側形成電極焊盤(圖中未示出)，藉以向隨後形成之上方電極500施加電能。接下來，如「第3圖」所示，可於整個基板100上形成第一介電質220。其中，此第一介電質220可曝露出形成於基板100之不發光部份120上的電極焊盤300之至少一部分。而每一接觸孔230可曝露出形成於每一111之中央區域上的輔助電極210之上部的至少一部分。如「第5圖」所示，可於第一介電質220與輔助電極210上形成作為透明導電材料之氧化銦錫，藉以形成透明電極240。此時，輔助電極210之上方部份可透過接觸孔230連接於透明電極240。而後，如「第6圖」所示，可於接觸孔230上方之透明電極240上形成第二介電質250。
接下來，如「第8圖」所示，可於第二介電質250外側之透明電極240上形成有機層400。其中，此有機層400包含有：電洞注入層401、電洞傳輸層402、發光層403及電子傳輸層404。此處，可透過層疊電洞注入層401、電洞傳輸層402、發光層403及電子傳輸層404而形成此有機層400。例如，可透過酞菁銅、2-三苯胺(TNATA)或三苯胺(MTDATA)於透明電極240上形成此電洞注入層401。而後，可透過如N，N'-二苯基-N，N'-(1-萘基)-1，1'-聯苯-4，4'-二胺(NPB)或N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(TPD)於電洞注入層401上形成電洞傳輸層402，藉以有效地傳送電洞。進而，可於電洞傳輸層402上形成發光層403。其中，可透過向4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-聯苯(DPVBi)中攙雜红荧烯形成發光層403，藉以發出白色光照。但這並不對本發明實施例構成限制，同時還可透過多種材料發出白色光照。此處，可透過具有良好的發光效率之材料如：包含有Alq3:C545T之綠色發光層；包含有4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-聯苯(DPVBi)之藍色發光層；包含有碳铂：銥(乙醯乙酸)之紅色發光層；及其組合物。而後，可透過如：Alq3或Bebq2於發光層403上形成電子傳輸層404。此處，可透過熱沉積法沉積有機層400。而後，可於此有機層400上形成上方電極500。其中，此電光裝置為向透明電極240發射光照之後置發射型。因此，可透過於有機層400上沈積如：氟化鋰-鋁或鎂：鋁且厚度為几奈米或更大之金屬而使上方電極500具有較高的反射性。因此，從發光層403發出之光線可以到達透明電極240，而不照射在上方電極500上。但是，這並不本發明實施例構成限制，因此這種電光裝置還可以是同時向透明電極240與上方電極500發出光照的雙向發射型裝置。為此，可透過按几微米或更少之厚度沈積如鎂：銀或鈣：銀之金屬來形成上方電極500，藉以傳送光照。進而，可在上方電極500上沈積塗覆有密封材料之密封基板(圖中未示出)，並將此密封基板附著於基板100上，藉以密封此電光裝置。
此處，可將基板100之發光部份110劃分為不產生壓降的多個驅動區域111。其中，輔助電極210之另一端分別連接於驅動區域111之中央部分。此處，連接電極焊盤300至驅動區域111之中央部分的輔助電極210具有相同的長度。因此，當經由電極焊盤300向輔助電極210之一端供電時，無論距離輔助電極210多遠都可以向每一驅動區域111之整個表面提供均勻的電流。而當向驅動區域111之中央部分上之輔助電極210的另一端施加電能時，可均勻地向驅動區域111之透明電極240傳送電流。因此，可製造出具有較大面積並且整體亮度均勻的發光部份110之有機發光裝置。
雖然上文具出了一個有機發光裝置的實例，但此實例並不對本發明構成限制，因此還可以具出多種包含有透明電極之電光裝置。
在本發明實施例中，可將基板之發光部分劃分為多個不產生壓降之驅動區域。此處，輔助電極之一端連接於電極焊盤，另一端連接於驅動區域之中央部分。同時，這些輔助電極具有相同的長度。因此，當經由電極焊盤向輔助電極一端施加電能時，可同時向輔助電極之另一端提供電能。並且，無論此電極焊盤於驅動區域之中央區域間之距離多遠，都可以向多個驅動區域之中央部分提供電能。此外，由於可將基板之發光區域劃分為多個不產生壓降的驅動區域，所以可防止此電光裝置產生壓降。換言之，無論距離輔助電極多遠，都可向每一驅動區域之整個表面施加均勻的電流。因此，因此，可以製造出面積較大卻包含有均勻的整體亮度之發光部分的有機發光裝置。
雖然本發明以前述之實施例揭露了電光裝置及其製造方法，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。
100．．．基板
110．．．發光部份
111．．．驅動區域
120．．．不發光部份
200．．．電極部份
210．．．輔助電極
220．．．第一介電質
230．．．接觸孔
240．．．透明電極
250．．．第二介電質
300．．．電極焊盤
400．．．有機層
401．．．電洞注入層
402．．．電洞傳輸層
403．．．發光層
404．．．電子傳輸層
500．．．上方電極
第1A圖至第6圖示出了本發明實施例中於基板上製造電機部份的方法；
第1A圖為被劃分為複數個驅動區域之基板的平面圖；
第1B圖為沿第1A圖中剖面線A-A’所得到的剖面圖；
第2A圖為形成於基板上之多個輔助電極的平面圖；
第2B圖為沿第2A圖中剖面線B-B’所得到的剖面圖；
第7圖為本發明另一實施例中電極部份之製造方法的示意圖；以及
第8圖為本發明另一實施例中具有較大面積並包含電光裝置之剖面圖。
100．．．基板
110．．．發光部份
111．．．驅動區域
120．．．不發光部份
210．．．輔助電極
300．．．電極焊盤
Claims (10)
- 一種電光裝置，係包含：一基板，包含有一發光部份與一不發光部份，並且在該發光部分中之該基板被劃分為複數個驅動區域；一電極焊盤，係位於該不發光部份上；複數個輔助電極，所述各輔助電極之一端連接於該電極焊盤，而所述各輔助電極之另一端分別連接於所述各驅動區域之中央部份；以及一透明電極，係位於該光發生部份上方之所述各輔助電極上，其中該等輔助電極具有相同的長度，其中所述各輔助電極與該透明電極之間放置一第一介電質，該驅動區域之中心部份上之一接觸孔係用於曝露出該輔助電極之上部的至少一部分；以及該透明電極係透過該接觸孔連接於該輔助電極。
- 如請求項第1項所述之電光裝置，其中該等驅動區域具有相同的面積。
- 如請求項第1項所述之電光裝置，其中隨著輔助電極與該電極焊盤間之一距離減小，所述各輔助電極之彎曲部份的數量增多。
- 如請求項第1項所述之電光裝置，包含一第二介電質，該第二介電質係位於該接觸孔上方之該透明電極上。
- 如請求項第1項至第4項中任意一項所述之電光裝置，還包含：一有機層，係位於該透明電極上；以及一上方電極，係位於該有機層上。
- 一種電光裝置的製造方法，係包含：將一基板之發光部份劃分為複數個驅動區域；於該基板之一不發光部份上形成一電極；形成複數個輔助電極，所述各輔助電極分別具有：連接於該電極焊盤之一端；及連接於所述各驅動區域之一中央區域之另一端；以及於該發光部份上方之該等輔助電極上形成一透明電極，其中該等輔助電極具有相同的長度，其中在形成該等輔助電極之後，於該基板與該等輔助電極上形成一第一介電質並移除該第一介電質的一部分，藉以形成一接觸孔，該接觸孔係用於曝露出所述各驅動區域上之中央部份上之輔助電極的至少一部分。
- 如請求項第6項所述之電光裝置的製造方法，在該發光部份之驅動過程中，該等驅動區域具有相同的面積。
- 如請求項第6項所述之電光裝置的製造方法，其中隨著輔助電極與該電極焊盤間之一距離減小，所述各輔助電極之彎曲部份 的數量增多。
- 如請求項第6項所述之電光裝置的製造方法，其中於該接觸孔上方之該透明電極上形成一第二介電質。
- 如請求項第6項至第9項中任意一項所述之電光裝置的製造方法，還包含：於該透明電極上形成一有機層；以及於該有機層上形成一上方電極。
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| KR100761111B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-09-21 | 엘지전자 주식회사 | 탑―이미션 방식의 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
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