TWI536590B - A solar cell module, a method for manufacturing a solar cell module, a reel winding wound with a mark line - Google Patents

A solar cell module, a method for manufacturing a solar cell module, a reel winding wound with a mark line Download PDF

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Description

太陽電池模組、太陽電池模組之製造方法、捲繞有標記線之捲盤捲繞體
本發明係關於一種藉由標記線而連接複數個太陽電池單元之太陽電池模組，尤其是關於一種經由含有導電性粒子之導電性接著劑而與太陽電池單元之電極連接之標記線、使用該標記線之太陽電池模組及太陽電池模組之製造方法。
本申請案係基於2011年3月23日在日本提出申請之日本專利申請案編號特願2011-64797而主張優先權，該申請案係藉由參照而引用於本申請案。
例如於結晶矽系太陽電池模組中，複數個鄰接之太陽電池單元係藉由成為內部連接線(interconnector)之標記線而連接。標記線係藉由將其一端側連接於一太陽電池單元之表面電極，將另一端側連接於鄰接之太陽電池單元之背面電極而將各太陽電池單元串聯連接。此時，標記線之一端側之一面側連接於一太陽電池單元之表面電極，另一端側之另一面側連接於鄰接之太陽電池單元之背面電極。
具體而言，太陽電池單元係藉由銀漿等之網版印刷而於受光面上形成匯流電極，於太陽電池單元之背面連接部形成Ag電極。再者，於太陽電池單元背面之除連接部以外之區域形成有Al電極或Ag電極。
又，標記線係藉由於帶狀銅箔之兩面設置焊接塗層而形成。具體而言，標記線係藉由對切割壓延成厚度為0.05 ~0.2 mm左右之銅箔，或將銅線壓延成平板狀等而獲得之寬為1~3 mm之平角銅線實施鍍焊或浸焊等而形成。
太陽電池單元與標記線之連接係藉由下述方式進行：藉由將標記線配置於太陽電池單元之各電極上，並利用加熱接合器進行熱加壓，從而使形成於標記線表面之焊料熔融、冷卻(專利文獻1)。
然而，由於焊接時進行利用約260℃高溫之連接處理，故而擔心由於太陽電池單元之翹曲、或產生於標記線與表面電極及背面電極之連接部之內部應力、進而焊劑之殘渣等而使太陽電池單元之表面電極及背面電極與標記線之間之連接可靠性降低。
因此，先前於太陽電池單元之表面電極及背面電極與標記線之連接中使用可利用相對較低之溫度下之熱壓接處理而連接之導電性接著膜(專利文獻2)。作為此種導電性接著膜，使用有使平均粒徑為數μm級之球狀或鱗片狀之導電性粒子分散於熱硬化型黏合劑樹脂組成物中並膜化而成者。
導電性接著膜係藉由***於表面電極及背面電極與標記線之間後，自標記線上利用加熱接合器進行熱加壓，從而使黏合劑樹脂表現出流動性而自電極、標記線間流出，並且導電性粒子實現電極與標記線間之導通，於該狀態下使黏合劑樹脂熱硬化。藉此形成藉由標記線而串聯連接有複數個太陽電池單元之串線(strings)。
使用導電性接著膜而連接標記線與表面電極及背面電 極之複數個太陽電池單元係於玻璃、透光性塑膠等具有透光性之表面保護材料與由PET(Poly Ethylene Terephthalate)等之膜構成之背面保護材料之間藉由乙烯乙酸乙烯酯樹脂(EVA)等具有透光性之密封材料而密封。
[專利文獻1]日本特開2004-356349號公報
[專利文獻2]日本特開2008-135654號公報
然而，於使用導電性接著膜進行太陽電池單元之表面電極及背面電極與標記線之接合之構成中，期待連接可靠性進一步提高，即利用導電性接著膜以低電阻連接標記線與太陽電池單元之各電極。尤其是太陽電池模組於設置後根據晝夜、天氣或四季之不同而溫度或濕度環境亦產生變化，故而期待即便於此種環境變化下亦持續穩定之連接。
因此，本發明之目的在於提供一種於使用導電性接著膜實現標記線與太陽電池單元之各電極之連接時提高連接可靠性之太陽電池模組、太陽電池模組之製造方法及捲繞有該標記線之捲盤捲繞體。
為了解決上述課題，本發明之太陽電池模組具備：複數個太陽電池單元及標記線，該標記線經由含有球狀導電性粒子之導電性接著劑而連接於分別形成於上述太陽電池單元之表面及鄰接之太陽電池單元之背面的電極上，而將複數個上述太陽電池單元彼此連接；上述標記線於與上述導電性接著劑相接之一面形成有凹凸部，上述凹凸部之平均高度(H)與導電性粒子之平均粒徑(D)滿足D≧H。
又，本發明之太陽電池模組之製造方法具有以下步驟：將標記線之一端側經由含有球狀導電性粒子之導電性接著劑而配置於太陽電池單元之表面電極，將上述標記線之另一端側經由含有導電性粒子之導電性接著劑而配置於與上述太陽電池單元鄰接之太陽電池單元之背面電極的步驟；及將上述標記線對上述表面電極及上述背面電極進行熱加壓，藉由上述導電性接著劑將上述標記線連接於上述表面電極及上述背面電極的步驟，上述標記線於與上述導電性接著劑相接之一面形成有凹凸部，上述凹凸部之平均高度(H)與導電性粒子之平均粒徑(D)滿足D≧H。
又，本發明之捲盤捲繞體係將經由含有球狀導電性粒子之導電性接著劑連接於分別形成於太陽電池單元之表面及鄰接之太陽電池單元之背面之電極上而連接複數個上述太陽電池單元彼此的標記線捲繞於捲盤者，其中上述標記線於與上述導電性接著劑相接之一面形成有凹凸部，上述凹凸部之平均高度(H)與導電性粒子之平均粒徑(D)滿足D≧H。
根據本發明，標記線之凹凸部之平均高度(H)與分散於導電性接著劑之導電性粒子之平均粒徑(D)滿足D≧H，故而導電性粒子被夾持於凹凸部之凹部，與太陽電池單元之各電極接觸。因此，標記線可使利用凹凸部之凸部及導電性粒子的與太陽電池單元之各電極之接觸面積增加，並使導通電阻降低。
以下，一面參照圖式一面對應用本發明之太陽電池模組、太陽電池模組之製造方法、捲繞有標記線之捲盤捲繞體詳細地進行說明。
[太陽電池模組]
應用有本發明之太陽電池模組1如圖1~圖3所示，具備有矩陣5，該矩陣5具有藉由成為內部連接線之標記線3而串聯連接有複數個太陽電池單元2的串線4，並排列有複數個該串線4。並且太陽電池模組1係藉由利用密封接著劑之片材6夾持該矩陣5，並與設置於受光面側之表面蓋(front cover)7及設置於背面側之後罩板(back sheet)8一併層積，最後於周圍安裝鋁等金屬框架9而形成。
作為密封接著劑，例如使用有乙烯乙酸乙烯酯樹脂(EVA)等透光性密封材料。又，作為表面蓋7，例如使用有玻璃或透光性塑膠等透光性材料。又，作為後罩板8，使用有利用樹脂膜夾持玻璃或鋁箔而成之積層體等。
太陽電池模組之各太陽電池單元2具有光電轉換元件10。光電轉換元件10可使用：利用單晶型矽光電轉換元件、多晶型光電轉換元件之結晶矽系太陽電池，或利用積層有由非晶矽構成之單元及由微晶矽或非晶矽鍺構成之單元之光電轉換元件的薄膜矽系太陽電池等各種光電轉換元件10。
又，光電轉換元件10於受光面側設置有對產生於內部之電氣進行集電之指狀電極(finger electrode)12及對指狀電極12之電氣進行集電之匯流電極11。匯流電極11及指 狀電極12係藉由利用網版印刷等於太陽電池單元2之成為受光面之表面上塗佈例如Ag膏後進行煅燒而形成。又，指狀電極12於受光面之整面上以特定間隔例如每隔2 mm而大致平行地形成有複數條例如具有約50~200 μm左右之寬度的線。匯流電極11係以與指狀電極12大致正交之方式形成，又，根據太陽電池單元2之面積而形成複數個。
又，光電轉換元件10於與受光面相反之背面側設置有由鋁或銀構成之背面電極13。背面電極13係如圖2及圖3所示，藉由網版印刷或濺鍍等而將例如由鋁或銀構成之電極形成於太陽電池單元2之背面。背面電極13具有經由下述導電性接著膜17而連接有標記線3之標記線連接部14。
並且，太陽電池單元2利用標記線3而將形成於表面之各匯流電極11與鄰接之太陽電池單元2之背面電極13電連接，藉此構成串聯連接之串線4。標記線3與匯流電極11及背面電極13係藉由下述導電性接著膜17而連接。
[標記線]
標記線3如圖2所示，為將鄰接之太陽電池單元2X、2Y、2Z之各間隙電連接之長條狀導電性基材。標記線3係藉由切割壓延成例如厚度為50~300 μm之銅箔或鋁箔，或將銅或鋁等較細之金屬線壓延成平板狀而獲得與導電性接著膜17大致相同寬度之1~3 mm寬之平角之銅線。並且，標記線3係藉由視需要對該平角銅線實施鍍金、鍍銀、鍍錫、鍍焊等而形成。
[凹凸部]
又，如圖4所示，標記線3於與導電性接著膜17相接之一面3a形成有凹凸部18。凹凸部18係由不規則地形成於標記線3之一面3a整面的凹部及凸部構成，藉由將經鍍敷處理之帶狀銅箔壓力成形、或對一面3a進行蝕刻等而形成。
又，標記線3之凹凸部18之平均高度(H)與下述導電性接著膜17之導電性粒子23之平均粒徑(D)滿足D≧H。所謂凹凸部18之平均高度(H)，係指自凹部18b之頂點起至凸部18a之頂點為止之高度之平均值，即測定複數個部位例如10個部位之高度之平均值。可使用凹凸部18之平均高度(H)為1~50 μm之範圍內者，可較佳地使用10~20 μm之範圍內者。
如圖5所示，太陽電池模組1藉由使標記線3之凹凸部18之平均高度(H)與導電性接著膜17之導電性粒子23之平均粒徑(D)滿足D≧H，從而可使利用凹凸部18之凸部18a及導電性粒子23的對匯流電極11及背面電極13之接觸面積增加，並使接觸電阻下降。
[剝離處理]
又，標記線3亦可於與形成有凹凸部18之一面3a為相反側之另一面3b形成剝離處理層19。剝離處理層19可使用公知之方法形成，並藉由利用例如聚矽氧系、長鏈烷基系、氟系、硫化鉬等剝離處理劑對標記線3之另一面3b進行表面處理而形成。
標記線3藉由在另一面3b設置剝離處理層19，而於如 圖6所示作為捲繞體20捲繞時，重疊部分亦不會接著。因此，於將標記線3配置於匯流電極11或背面電極13時，可自捲盤21流暢地送出。
[接著膜]
導電性接著膜17如圖7所示，為高密度地含有球狀導電性粒子23之熱硬化性黏合劑樹脂層。又，導電性接著膜17就壓入性之觀點而言，較佳為黏合劑樹脂之最低熔融黏度為100~100000 Pa．s。若導電性接著膜17之最低熔融黏度過低，則樹脂會於自低壓接至正式硬化之過程中流動而容易產生連接不良或對單元受光面之溢出，並導致受光率降低。又，若最低熔融黏度過高，亦有於膜貼合時容易產生不良狀況，並對連接可靠性產生不良影響之情況。再者，關於最低熔融黏度，可將樣本以特定量裝填至旋轉式黏度計，一面以特定升溫速度升溫一面進行測定。
作為導電性接著膜17所使用之球狀導電性粒子23，並無特別限制，可列舉例如鎳、金、銀、銅等金屬粒子、對樹脂粒子實施鍍金等而成者、及於對樹脂粒子實施鍍金而成之粒子之最外層實施絕緣被覆而成者等。再者，所謂本發明中之球狀，並不限定於所謂的球形，除剖面為大致圓形或橢圓形之球形以外，係指由平坦面或彎曲面構成之多面體等通常而言金屬粒子或樹脂粒子可取得之具有粒徑之概念的所有形態。再者，可使用導電性粒子23之平均粒徑為1~50 μm之範圍內者，並可較佳地使用10~30 μm之範圍內者。
又，導電性接著膜17較佳為於常溫附近下之黏度為10~10000 kPa．s，進而較佳為10~5000 kPa．s。藉由使導電性接著膜17之黏度為10~10000 kPa．s之範圍內，於將導電性接著膜17設置於標記線3之一面3a並捲繞於捲盤21之情形時，可防止由所謂之溢出而產生之黏連，又，可維持特定之黏著力。
導電性接著膜17之黏合劑樹脂層之組成只要無損如上所述之特徵，則並無特別限制，更佳為含有膜形成樹脂、液狀環氧樹脂、潛伏性硬化劑、及矽烷偶合劑。
膜形成樹脂相當於平均分子量為10000以上之高分子量樹脂，就膜形成性之觀點而言，較佳為10000~80000左右之平均分子量。作為膜形成樹脂，可使用環氧樹脂、改質環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、苯氧基樹脂等各種樹脂，其中，就膜形成狀態、連接可靠性等觀點而言，可較佳地使用苯氧基樹脂。
作為液狀環氧樹脂，只要於常溫下具有流動性，則並無特別限制，市售之環氧樹脂均可使用。作為此種環氧樹脂，具體而言，可使用萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、二苯乙烯型環氧樹脂、三苯酚甲烷型環氧樹脂、苯酚芳烷基型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三苯基甲烷型環氧樹脂等。該等可單獨使用，亦可組合兩種以上而使用。又，亦可與丙烯酸系樹脂等其他有機樹脂適當組合而使用。
作為潛伏性硬化劑，可使用加熱硬化型、UV硬化型等各種硬化劑。潛伏性硬化劑於通常情況下不產生反應而藉由某些觸發活化並開始反應。觸發有熱、光、加壓等，可視用途進行選擇而使用。其中，於本申請案中，可較佳地使用加熱硬化型之潛伏性硬化劑，藉由對匯流電極11或背面電極13進行加熱擠壓而正式硬化。於使用液狀環氧樹脂之情形時，可使用由咪唑類、胺類、鋶鹽、鎓鹽等構成之潛伏性硬化劑。
作為矽烷偶合劑，可使用環氧系、胺基系、巰基-硫醚系、脲基系等。於該等中，於本實施形態中可較佳地使用環氧系矽烷偶合劑。藉此，可提高有機材料與無機材料之界面上之接著性。
又，較佳為含有無機填料作為其他添加組成物。藉由含有無機填料，可調整壓接時之樹脂層之流動性，並提高粒子捕捉率。作為無機填料，可使用二氧化矽、滑石、氧化鈦、碳酸鈣、氧化鎂等，無機填料之種類並無特別限定。
圖8係示意地表示導電性接著膜17之製品形態一例之圖。該導電性接著膜17於剝離基材24上積層有黏合劑樹脂層，並成形為帶狀。該帶狀之導電性接著膜係以剝離基材24成為外周側之方式捲繞積層於捲盤25。作為剝離基材24，並無特別限制，可使用PET(Poly Ethylene Terephthalate)、OPP(Oriented Polypropylene)、PMP(Poly -4-methlpentene-1)、PTFE(Polytetrafluoroethylene)等。又，亦可將導電性接著膜17設為於黏合劑樹脂層上具 有透明之覆蓋膜之構成。
此時，亦可使用上述標記線3作為貼附於黏合劑樹脂層上之覆蓋膜。使導電性接著膜17之黏合劑樹脂層積層於標記線3之形成有凹凸部18之一面3a。如此，藉由預先使標記線3與導電性接著膜17積層一體化，從而於實際使用時藉由將剝離基材24剝離並將導電性接著膜17之黏合劑樹脂層貼合於匯流電極11或背面電極13之標記線連接部14上而實現標記線3與各電極11、13之連接。
於上文中對具有膜形狀之導電性接著膜進行了說明，但即便為膏狀亦無問題。於本申請案中，將含有導電性粒子之膜狀之導電性接著膜17或膏狀之導電性接著膏定義為「導電性接著劑」。於使用導電性接著膏之情形時，亦可預先於標記線3之形成有凹凸部18之一面3a塗佈該導電性接著膏，並將該導電性接著劑貼合於太陽電池單元2之各電極11、13上。
再者，導電性接著膜17並不限定於捲盤形狀，亦可為對應於匯流電極11或背面電極13之標記線連接部14之形狀的長條形狀。
於如圖8所示將導電性接著膜17以捲取之捲盤製品的形態提供時，藉由將導電性接著膜17之黏度設為10~10000 kPa．s之範圍，可防止導電性接著膜17之變形，並維持特定之尺寸。又，於導電性接著膜17以長條形狀積層2片以上之情形時亦同樣地可防止變形並維持特定之尺寸。
上述導電性接著膜17係使導電性粒子23、膜形成樹 脂、液狀環氧樹脂、潛伏性硬化劑、及矽烷偶合劑溶解於溶劑中而成。作為溶劑，可使用甲苯、乙酸乙酯等或該等之混合溶劑。藉由將溶解而獲得之樹脂生成用溶液塗佈於剝離片材上並使溶劑揮發而獲得導電性接著膜17。
並且，將導電性接著膜17以特定長度切割出表面電極用2條及背面電極用2條，並暫時貼附於太陽電池單元2之表背面之特定位置上。此時，導電性接著膜17係暫時貼附於大致平行地形成於太陽電池單元2表面之複數個各匯流電極11及背面電極13之標記線連接部14上。
繼而，將同樣地切割成特定長度之標記線3之一面3a重疊配置於導電性接著膜17上。其後，藉由自標記線3上利用加熱接合器以特定之溫度、壓力對導電性接著膜17進行熱加壓，而使黏合劑樹脂自各電極11、13、標記線3間流出，並且使導電性粒子23夾持於標記線3與各電極11、13之間，於該狀態下使黏合劑樹脂硬化。藉此，導電性接著膜17可使標記線3接著於各電極上，並且使凹凸部18之凸部18a接觸於匯流電極11或背面電極13並進行導通連接。
此時，標記線3之凹凸部18之平均高度(H)與分散於導電性接著膜17之黏合劑樹脂層之導電性粒子23之平均粒徑(D)滿足D≧H，故而導電性粒子23被夾持於凹凸部18之凹部18b，並與匯流電極11或背面電極13接觸。因此，可使標記線3之利用凹凸部18之凸部18a及導電性粒子23的與太陽電池單元2之各電極11、13之接觸面積增 加，並使導通電阻降低。
又，標記線3可藉由於貼合於太陽電池單元2之各電極11、13上之前，預先於形成有凹凸部18之一面3a設置導電性接著膜17或導電性接著膏，從而無需將導電性接著膜17暫時貼附於各電極11、13上之步驟，而可實現製造工時之削減。
即，於將導電性接著膜17暫時貼附於電極11、13上之方法中，首先根據各電極11、13之長度切割導電性接著膜17並配置於各電極11、13上，藉由加熱接合器使黏合劑樹脂層不進行正式硬化而暫時硬化成表現出流動性之程度並暫時貼合。繼而，將標記線3配置於導電性接著膜17上，並藉由加熱接合器以黏合劑樹脂層正式硬化之特定溫度、壓力、時間進行加熱擠壓。
另一方面，根據預先使導電性接著劑積層於標記線3之一面3a之方法，只要將標記線3經由導電性接著劑配置於各電極11、13上，並利用加熱接合器進行加熱擠壓即可，可削減標記線3之連接步驟中之工時。
進而，藉由於標記線3之另一面3b形成剝離處理層19，可不使捲繞於捲盤21上之標記線3之捲繞體20之重疊部分接著而於將標記線3配置於匯流電極11或背面電極13時自捲盤21流暢地送出。
[一併層積]
再者，太陽電池模組1除如上所述於將導電性接著劑及標記線3配置於太陽電池單元2之各電極11、13上後， 藉由加熱接合器對標記線3上熱加壓之方法以外，亦可藉由於太陽電池單元2之表面及背面依序積層導電性接著劑、標記線3及密封太陽電池單元2之EVA等透光性密封材料並一併進行層積處理，從而將標記線3熱加壓於各電極11、13上。
[實施例]
繼而，對本發明之實施例進行說明。實施例如表1所示，使用含有平均粒徑(D)不同之Ni或不含有導電性粒子之4種導電性接著膜作為導電性接著劑。又，作為標記線，使用凹凸部18之凸部18a之平均高度不同或未設置凹凸部之各種標記線。如圖9及圖10所示，將該等各標記線之樣本40經由各導電性接著膜之樣本41而以每2條進行熱加壓並連接於在表面整面上形成有Ag電極30之玻璃基板31(厚度：2.8 mm，外形：64 mm×28 mm，電阻值：7 mΩ/□(mΩ/sq))之該Ag電極30。
熱加壓條件均設為180℃、15 sec、2 MPa。又，於標記線與加熱接合器之間***厚度為200 μm之矽橡膠作為緩衝材，並均勻地施加壓力。
於樣本製成後，測定2條標記線40間之初始電阻值及熱衝擊試驗(85℃、85%RH、500 hr)後之電阻值。電阻值係藉由自2條標記線40上分別連接電流端子及電壓端子之4端子法而測定電阻值。
再者，將各實施例及比較例所使用之標記線40分別捲繞於捲盤而構成捲繞體(參照圖6)，評價該各捲繞體之抽 出是否可流暢地進行、即抽出特性。
實施例1係使用形成於一面3a之凹凸部18之平均高度(H)為10 μm且於另一面3b設置有剝離處理層19的標記線3作為標記線。又，使用表1中之接著劑1、即成為導電性粒子23之Ni粒子之平均粒徑(D)為10 μm的導電性接著膜17作為導電性接著劑。實施例1之凹凸部18之平均高度(H)與導電性粒子23之平均粒徑(D)為D=H。
實施例2係使用與實施例1相同之標記線3作為標記線。又，使用表1中之接著劑2、即成為導電性粒子23之Ni粒子之平均粒徑(D)為20 μm的導電性接著膜17作為導電性接著劑。實施例2之凹凸部18之平均高度(H)與導電性粒子23之平均粒徑(D)為D>H。
實施例3係使用與實施例1相同之標記線3作為標記線。又，使用表1中之接著劑3、即成為導電性粒子23之 Ni粒子之平均粒徑(D)為30 μm的導電性接著膜17作為導電性接著劑。實施例3之凹凸部之平均高度(H)與導電性粒子23之平均粒徑(D)為D>H。
實施例4係使用形成於一面3a之凹凸部18之平均高度(H)為20 μm，且於另一面3b設置有剝離處理層19的標記線3作為標記線。又，使用表1中之接著劑2、即作為導電性粒子23之Ni粒子之平均粒徑(D)為20 μm之導電性接著膜17作為導電性接著劑。實施例4之凹凸部18之平均高度(H)與導電性粒子23之平均粒徑(D)為D=H。
實施例5係使用與實施例4相同之標記線作為標記線。又，使用表1中之接著劑3、即成為導電性粒子23之Ni粒子之平均粒徑(D)為30 μm的導電性接著膜17作為導電性接著劑。實施例5之凹凸部18之平均高度(H)與導電性粒子23之平均粒徑(D)為D>H。
實施例6係使用形成於一面3a之凹凸部18之平均高度(H)為10 μm，且於另一面3b未設置剝離處理層19的標記線3作為標記線。又，使用表1中之接著劑1、即成為導電性粒子23之Ni粒子之平均粒徑(D)為10 μm的導電性接著膜17作為導電性接著劑。實施例6之凹凸部18之平均高度(H)與導電性粒子之平均粒徑(D)為D=H。
比較例1係使用於一面未形成凹凸部(H=0)，且於另一面設置有剝離處理層之標記線作為標記線。又，使用表1中之接著劑1、即成為導電性粒子23之Ni粒子之平均粒徑 (D)為10 μm的導電性接著膜17作為導電性接著劑。比較例1之凹凸部之平均高度(H)與導電性粒子23之平均粒徑(D)為D>H。
比較例2係使用與實施例1相同之標記線3作為標記線。又，使用表1中之接著劑4、即不含導電性粒子23之絕緣性接著膜作為導電性接著劑。
比較例3係使用與實施例4相同之標記線3作為標記線。又，使用表1中之接著劑1、即成為導電性粒子23之Ni粒子之平均粒徑(D)為10 μm的導電性接著膜17作為導電性接著劑。比較例1之凹凸部18之平均高度(H)與導電性粒子23之平均粒徑(D)為D<H。
將各樣本之初始電阻值及熱衝擊試驗(85℃、85%RH、500 hr)後之電阻值、各樣本所使用之標記線之捲繞體之抽出特性之評價示於表2。
如表2所示，可知：於各實施例中，標記線與Ag電極30之連接電阻之初始值及熱衝擊試驗後之值均較低，又，標記線之捲繞體之抽出特性亦良好，且於實際使用上無問 題。其原因在於：由於標記線3之凹凸部18之平均高度(H)與導電性接著膜17之Ni粒子之平均粒徑(D)滿足D≧H，故而Ni粒子被夾持於凹凸部18之凹部18b，並與Ag電極30接觸。因此，各實施例之標記線3可使利用凹凸部18之凸部18a及Ni粒子的與Ag電極30之接觸面積增加，並使導通電阻降低。
尤其是於標記線3之凹凸部18之平均高度(H)與導電性接著膜17之Ni粒子之平均粒徑(D)相同(D=H)之情形時(實施例1、實施例4、實施例6)，可將連接電阻抑制為較低，故而良好。
又，根據各實施例可知：可較佳地使用導電性粒子23(Ni粒子)之平均粒徑(D)為10~30 μm之範圍內者。又，根據各實施例可知：可較佳地使用標記線3之凹凸部18之平均高度(H)為10~20 μm之範圍內者。
於比較例1中，由於未於標記線設置凹凸部，故而與Ag電極30之連接電阻之初始值較高，熱衝擊試驗後之值亦較大，於實際用上存在問題。又，於比較例2中，由於使用絕緣性接著膜來連接標記線3與Ag電極30，故而連接電阻之初始值、熱衝擊試驗後之值均無法測定，無法實際使用。於比較例3中，由於Ni粒子之平均粒徑(D)小於標記線之凹凸部之平均高度(H)，故而無法將Ni粒子夾持於標記線之凹部與Ag電極之間，無助於導通，因此特別是熱衝擊試驗後之連接電阻大幅上升，於實際使用上存在問題。
1‧‧‧太陽電池模組
2、2X、2Y、2Z‧‧‧太陽電池單元
3‧‧‧標記線
3a‧‧‧標記線之一面
3b‧‧‧標記線之另一面
4‧‧‧串線
5‧‧‧矩陣
6‧‧‧片材
7‧‧‧表面蓋
8‧‧‧後罩板
9‧‧‧金屬框架
10‧‧‧光電轉換元件
11‧‧‧匯流電極
12‧‧‧指狀電極
13‧‧‧背面電極
14‧‧‧標記線連接部
17‧‧‧導電性接著膜
18‧‧‧凹凸部
18a‧‧‧凸部
18b‧‧‧凹部
19‧‧‧剝離處理層
20‧‧‧捲繞體
21‧‧‧捲盤
23‧‧‧導電性粒子
24‧‧‧剝離基材
25‧‧‧捲盤
30‧‧‧Ag電極
31‧‧‧玻璃基板
40‧‧‧標記線之樣本
41‧‧‧導電性接著膜之樣本
H‧‧‧凹凸部之平均高度
圖1係表示太陽電池模組之分解立體圖。
圖2係表示太陽電池單元之串線之剖面圖。
圖3係表示太陽電池單元之背面電極及連接部之俯視圖。
圖4係表示預先設置有導電性接著劑之標記線之剖面圖。
圖5係表示太陽電池單元之電極與標記線之連接狀態之剖面圖。
圖6係表示標記線之捲盤捲繞體之立體圖。
圖7係表示導電性接著膜之剖面圖。
圖8係表示捲繞成捲盤狀之導電性接著膜之圖。
圖9係表示實施例及比較例之剖面圖。
圖10係表示實施例及比較例之俯視圖。
3‧‧‧標記線
3a‧‧‧標記線之一面
3b‧‧‧標記線之另一面
11‧‧‧匯流電極
13‧‧‧背面電極
17‧‧‧導電性接著膜
18‧‧‧凹凸部
18a‧‧‧凸部
18b‧‧‧凹部
23‧‧‧導電性粒子

Claims (15)

  1. 一種太陽電池模組，其具備：複數個太陽電池單元及標記線，該標記線經由含有球狀導電性粒子之導電性接著劑連接於分別形成於該太陽電池單元之表面及鄰接之太陽電池單元之背面的電極上而將複數個該太陽電池單元彼此連接；該標記線於與該導電性接著劑相接之一面形成有凹凸部，該凹凸部之平均高度(H)與該球狀導電性粒子之平均粒徑(D)滿足該導電性粒子之平均粒徑≧該凹凸部之平均高度，該導電性粒子之平均粒徑(D)為10~30μm，該凹凸部之平均高度(H)為10~20μm。
  2. 如申請專利範圍第1項之太陽電池模組，其中，該標記線於配置於該表面電極及該背面電極之前，預先於形成有該凹凸部之一面一體地形成該導電性接著劑。
  3. 如申請專利範圍第1項之太陽電池模組，其中，該標記線於未形成有該凹凸部之另一面形成有剝離處理層。
  4. 如申請專利範圍第1項之太陽電池模組，其中，該導電性粒子為Ni。
  5. 一種太陽電池模組，其具備：複數個太陽電池單元及標記線，該標記線經由含有球狀導電性粒子之導電性接著劑連接於分別形成於該太陽電池單元之表面及鄰接之太陽電池單元之背面的電極上而將複數個該太陽電池單元彼此連接； 該標記線於與該導電性接著劑相接之一面形成有凹凸部，該凹凸部之平均高度(H)與該球狀導電性粒子之平均粒徑(D)滿足該導電性粒子之平均粒徑≧該凹凸部之平均高度，該導電性粒子之平均粒徑(D)為10~30μm，該凹凸部之平均高度(H)為10~20μm，該標記線於配置於該表面電極及該背面電極之前，預先於形成有該凹凸部之一面一體地形成該導電性接著劑，該標記線於未形成有該凹凸部之另一面形成有剝離處理層。
  6. 一種太陽電池模組之製造方法，其具有如下步驟：將標記線之一端側經由含有球狀導電性粒子之導電性接著劑配置於太陽電池單元之表面電極，將該標記線之另一端側經由含有導電性粒子之導電性接著劑配置於與該太陽電池單元鄰接之太陽電池單元之背面電極的步驟；及將該標記線對該表面電極及該背面電極進行熱加壓，藉由該導電性接著劑將該標記線連接於該表面電極及該背面電極的步驟；該標記線於與該導電性接著劑相接之一面形成有凹凸部，該凹凸部之平均高度(H)與導電性粒子之平均粒徑(D)滿足該導電性粒子之平均粒徑≧該凹凸部之平均高度，該導電性粒子之平均粒徑(D)為10~30μm，該凹凸部之平均高度(H)為10~20μm。
  7. 如申請專利範圍第6項之太陽電池模組之製造方 法，其中，該標記線於配置在該表面電極及該背面電極之步驟前，預先於形成有該凹凸部之一面一體地形成該導電性接著劑。
  8. 如申請專利範圍第6項之太陽電池模組之製造方法，其中，該標記線於未形成該凹凸部之另一面形成剝離處理層，於對該表面電極及該背面電極上之配置步驟前捲繞成捲盤形狀。
  9. 如申請專利範圍第6項之太陽電池模組之製造方法，其中，該導電性粒子為Ni。
  10. 一種太陽電池模組之製造方法，其具有如下步驟：將標記線之一端側經由含有球狀導電性粒子之導電性接著劑配置於太陽電池單元之表面電極，將該標記線之另一端側經由含有導電性粒子之導電性接著劑配置於與該太陽電池單元鄰接之太陽電池單元之背面電極的步驟；及將該標記線對該表面電極及該背面電極進行熱加壓，藉由該導電性接著劑將該標記線連接於該表面電極及該背面電極的步驟；該標記線於與該導電性接著劑相接之一面形成有凹凸部，該凹凸部之平均高度(H)與導電性粒子之平均粒徑(D)滿足該導電性粒子之平均粒徑≧該凹凸部之平均高度，該導電性粒子之平均粒徑(D)為10~30μm，該凹凸部之平均高度(H)為10~20μm，該標記線於配置在該表面電極及該背面電極之步驟前，預先於形成有該凹凸部之一面一體地形成該導電性接 著劑，該標記線於未形成該凹凸部之另一面形成剝離處理層，於對該表面電極及該背面電極上之配置步驟前捲繞成捲盤形狀。
  11. 一種捲盤捲繞體，其係將經由含有球狀導電性粒子之導電性接著劑連接於分別形成於太陽電池單元之表面及鄰接之太陽電池單元之背面之電極上而連接複數個該太陽電池單元彼此的標記線捲繞於捲盤者；其中該標記線於與該導電性接著劑相接之一面形成有凹凸部，該凹凸部之平均高度(H)與導電性粒子之平均粒徑(D)滿足該導電性粒子之平均粒徑≧該凹凸部之平均高度，該導電性粒子之平均粒徑(D)為10~30μm，該凹凸部之平均高度(H)為10~20μm。
  12. 如申請專利範圍第11項之捲盤捲繞體，其中，該標記線於形成有該凹凸部之一面預先一體地形成有該導電性接著劑。
  13. 如申請專利範圍第11項之捲盤捲繞體，其中，該標記線於未形成該凹凸部之另一面形成有剝離處理層。
  14. 如申請專利範圍第11項之捲盤捲繞體，其中，該導電性粒子為Ni。
  15. 一種捲盤捲繞體，其係將經由含有球狀導電性粒子之導電性接著劑連接於分別形成於太陽電池單元之表面及鄰接之太陽電池單元之背面之電極上而連接複數個該太陽 電池單元彼此的標記線捲繞於捲盤者；其中該標記線於與該導電性接著劑相接之一面形成有凹凸部，該凹凸部之平均高度(H)與導電性粒子之平均粒徑(D)滿足該導電性粒子之平均粒徑≧該凹凸部之平均高度，該導電性粒子之平均粒徑(D)為10~30μm，該凹凸部之平均高度(H)為10~20μm，該標記線於形成有該凹凸部之一面預先一體地形成有該導電性接著劑，該標記線於未形成該凹凸部之另一面形成有剝離處理層。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2787539A4 (en) * 2011-11-30 2015-06-10 Sanyo Electric Co PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
JP6361881B2 (ja) * 2012-12-13 2018-07-25 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池の製造方法
WO2014155413A1 (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 三洋電機株式会社 タブ線の製造方法
CN103646981B (zh) * 2013-12-24 2016-09-14 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 用于背接触太阳能电池组件的压花焊带及组件的制备方法
CN105324854A (zh) 2014-01-08 2016-02-10 积水化学工业株式会社 背接触式的太阳能电池模块的制造方法
WO2015105120A1 (ja) 2014-01-08 2015-07-16 積水化学工業株式会社 バックコンタクト方式の太陽電池モジュール用導電性粒子、導電材料及び太陽電池モジュール
JPWO2015105119A1 (ja) 2014-01-08 2017-03-23 積水化学工業株式会社 バックコンタクト方式の太陽電池モジュール用導電性粒子、導電材料及び太陽電池モジュール
KR20160045502A (ko) * 2014-10-17 2016-04-27 주식회사 에스에너지 후면 전극형 태양전지 모듈 및 그 제조방법
CN106252435B (zh) * 2015-06-11 2019-05-17 3M创新有限公司 太阳能电池组件
CN107710419B (zh) * 2015-06-30 2020-11-03 株式会社钟化 太阳能电池和太阳能电池模块
JP6915250B2 (ja) 2016-09-28 2021-08-04 ブラザー工業株式会社 アクチュエータ装置、液体吐出装置、及び、配線部材の接続構造
CN109802012B (zh) * 2019-01-24 2021-01-01 常州时创能源股份有限公司 太阳能电池组件的制备方法
CN111025769B (zh) * 2019-12-06 2021-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板的制备方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6386785A (ja) * 1986-09-30 1988-04-18 Hitachi Condenser Co Ltd 導電性粘着シ−ト
JPH0487118U (zh) * 1990-12-05 1992-07-29
JP3506189B2 (ja) * 1994-08-08 2004-03-15 日立化成工業株式会社 接着フィルム巻重体及びその使用法
JP2001146578A (ja) * 1999-11-22 2001-05-29 Dainippon Ink & Chem Inc 導電性シリコーン系粘着剤組成物及び導電性粘着テープ
JP2004356349A (ja) 2003-05-28 2004-12-16 Kyocera Corp 太陽電池モジュールの製造方法
JP5323310B2 (ja) * 2005-11-10 2013-10-23 日立化成株式会社 接続構造及びその製造方法
JP2007214533A (ja) * 2006-01-16 2007-08-23 Hitachi Chem Co Ltd 導電性接着フィルム及び太陽電池モジュール
JP5230089B2 (ja) * 2006-09-28 2013-07-10 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
JP2008135654A (ja) 2006-11-29 2008-06-12 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
JP2008205137A (ja) * 2007-02-19 2008-09-04 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池及び太陽電池モジュール
KR101157771B1 (ko) * 2007-05-09 2012-06-25 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 도전체 접속용 부재, 접속 구조 및 태양 전지 모듈
JP5288790B2 (ja) * 2007-08-02 2013-09-11 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP5362201B2 (ja) * 2007-09-25 2013-12-11 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
US20100288328A1 (en) * 2007-09-26 2010-11-18 Hitachi Chemical Company, Ltd. Conductor-connecting member, method for producing the same, connection structure, and solar cell module
JP5047134B2 (ja) * 2008-03-28 2012-10-10 三菱電機株式会社 太陽電池モジュール
JP2009295940A (ja) * 2008-06-09 2009-12-17 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
JP5229497B2 (ja) * 2009-06-03 2013-07-03 デクセリアルズ株式会社 太陽電池モジュールの製造方法

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EP2690671A1 (en) 2014-01-29
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WO2012128366A1 (ja) 2012-09-27

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