TWI536403B - 導電結構體及其製造方法 - Google Patents

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金起煥
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Description

導電結構體及其製造方法
本發明係關於一種導電結構體以及其之製造方法。本發明主張於2012年8月31日所提出之韓國專利申請第10-2012-0096525號之優先權，且其所揭示之內容均併入本發明以供參考。
一般而言，觸控螢幕面板可依據一訊號偵測模式分類如下，一電阻式係當施予該觸控螢幕面板一直流電壓時，藉由壓力將該位置壓下，透過電流或電壓值的改變以偵測位置；以一電容式感應，當施予該觸控螢幕面板一交流電壓時利用電容耦合；一電磁式係當施予該觸控螢幕面板一磁場時，改變電壓以偵測一選定位置，以及諸如此類等。
近來，隨著對大面積觸控螢幕面板的需求增加，目前亟需發展一種技術，以實現當降低電極之電阻時具有優異可見度的大型觸控螢幕面板。
在本發明所屬技術領域中，亟需發展一種可改善各種模式之觸控螢幕面板性能的技術。
本發明之一示範性實施例提供一種導電結構 體，包括：一基板；一導電層；至少一中間層；以及一暗化層。
本發明之一示範性實施例提供一種導電結構 體的製造方法，該方法包括：形成至少一中間層於一導電層上；形成一暗化層於該中間層上；以及層疊該導電層或該暗化層以及一基板。
本發明之一示範性實施例提供一種導電結構 體的製造方法，該方法包括：形成一導電層於一基板上；形成至少一中間層於該導電層上；以及形成一暗化層於該中間層上。
本發明之一示範性實施例提供一種導電結構 體的製造方法，該方法包括：形成一經圖案化的導電層於一基板上；形成至少一經圖案化的中間層於該經圖案化的導電層上；以及形成一經圖案化的暗化層於該經圖案化的中間層上。
本發明之另一示範性實施例提供一種觸控螢幕面板，包括該導電結構體。
本發明之另一示範性實施例提供一種顯示裝置，包括該導電結構體。
本發明之另一示範性實施例提供一種太陽能電池，包括該導電結構體。
依據本發明之示範性實施例，該導電結構體可防止藉由一導電層之反射而不影響該導電層的導電性，並 且藉由改善吸光度以改善該導電層的隱蔽特性。此外，利用依據本發明之示範性實施例的該導電結構體，可發展出具有較佳可見度之觸控螢幕面板及顯示裝置以及包括其之太陽能電池。
100‧‧‧基板
200、220‧‧‧暗化層
300‧‧‧導電層
400、420‧‧‧中間層
圖1至3各為本發明之一示範性實施例，並顯示一包括中間層及暗化層之導電結構體的層疊結構之示意圖。
圖4係依據實驗例1，顯示一在可見光區波長下依據配置於一導電層上之中間層之厚度的反射率。
圖5係依據實驗例2，顯示一在可見光區波長下依據配置於一導電層上之中間層之厚度的反射率。
圖6顯示實施例1至4之在可見光區波長下的反射率。
圖7顯示比較例1及實施例4、5及6之在可見光區波長下的反射率。
圖8顯示比較例1至4在可見光區波長下的反射率。
圖9顯示實施例3及7之在可見光區波長下的反射率。
圖10顯示比較例1及5之在可見光區波長下的反射率。
圖11係依據實驗例3，顯示依據一作為一暗化層之Cu暗化層、一中間層、以及一作為一導電層之Cu電極層的原子百分率反射率。
圖12顯示實施例8至12之在可見光區波長下的反射率。
下文中，將詳細描述本發明。
在本發明中，一種顯示裝置意旨所有用於電視 或電腦之監測器，以及包括形成一影像之顯示元件及支撐該顯示元件之盒殼。
該顯示元件的例子可包括一電漿顯示器面板 (PDP)、一液晶顯示器(LCD)、一電泳顯示器、一陰極射線管(CRT)、一有機發光二極體(OLED)顯示器，以及諸如此類等。 在該顯示元件中可配置一用於實現影像的RGB畫素圖案以及一額外的光學濾片。
同時，就一顯示裝置而言，隨著智慧型手機、 平板電腦、以及網際網路協定電視的普及加速，對於用手作為直接利用輸入裝置的觸控功能而不需要像是鍵盤或遙控器等的分離輸入裝置的需求也跟著成長。此外，亦需一用於辨識特定位置並且作紀錄的多點觸控功能。
目前，最商業普及的觸控螢幕面板(TSP)係基於 一透明導電ITO薄膜，然而，當提供一具有大面積之觸控螢幕面板時，由於因ITO透明電極相對較高的表面電阻(最小值150Ω/平方，ELECRYSTA，Nitto Denko Co.,Ltd.)所導致之RC延遲，其具有觸控辨識速度下降以及需要採用額外用於克服觸控辨識速度下降的補償晶片等問題。
本案發明人研究一種用於藉由金屬精細圖案 以替換該透明ITO薄膜的技術。關於這點，本案發明人發現，當欲實現具有一預定形狀的精細電極圖案時，利用Ag、Mo/Al/Mo、MoTi/Cu、以及諸如此類等具有高導電率的金屬薄膜作為一觸控螢幕面板的電極，存在因高反射率而在可 見度方面該圖案容易被肉眼所辨識，以及因對外部光線的高反射率及霧度而發生刺眼等諸如此類的問題。此外，本案發明人發現，在製程期間使用到昂貴的靶材或在很多情況下製程很複雜。
據此，本發明之一示範性實施例提供一種可應 用於一觸控螢幕面板的導電結構體，該觸控螢幕面板可與習知利用一ITO系透明導電薄膜層的觸控螢幕面板區分開來，並且具有較佳的金屬精細圖案電極的隱蔽特性以及對於外部光線之較佳的反射及繞射特性。
依據本發明之一示範性實施例，一導電結構體包括：一基板；一導電層；至少一中間層；以及一暗化層。在本說明書中，該暗化層可僅配置於該導電層之任一表面或兩個表面上。
在本發明中，一暗化層可為一經圖案化的暗化層或一經暗化的圖案層。此外，在本發明中，一導電層可為一經圖案化的導電層或一導電圖案層。此外，在本發明中，一中間層可為一經圖案化的中間層。
依據本發明之一示範性實施例，一種導電結構體包括至少一中間層介於一導電層及一暗化層之間。該中間層可具有一層或兩層以上的膜層。該中間層用來初步降低一導電層的反射率。因此，既使在全波長區域，仍具有使最後導電結構體具有20%以下、15%以下以及10%以下之優異反射率的效果。在一導電結構體中，其中不包括一中間層，在600nm以上的可見光波長區域，可測量到20%以 上的反射率。藉由包括一中間層，在600nm以上的可見光波長區域，相較於不包括中間層的情況，具有可降低70%以上之反射率的效果。此外，一包括中間層的導電結構體亦可在500nm以下的可見光波長區域中初步降低導電層的反射率。
在本發明之一示範性實施例中，該導電層可配 置於一基板及一暗化層之間，且該至少一中間層可配置於該導電層及該暗化層之間。
在本發明之一示範性實施例中，該暗化層可配 置於一基板及一導電層之間，且該至少一中間層可配置於該導電層及該暗化層之間。
依據本發明之一示範性實施例，一種導電結構 體可包括：一基板；一導電層配置於該基板上；至少一中間層配置於該導電層上；以及一暗化層配置於該中間層上。
依據本發明之一示範性實施例，一種導電結構 體可包括：一基板；一暗化層配置於該基板上；至少一中間層配置於該暗化層上；以及一導電層配置於該暗化層上。
依據本發明之一示範性實施例，一種導電結構 體可包括：一基板；一暗化層配置於該基板上；至少一中間層配置於該暗化層上；一導電層配置於該中間層上；至少一中間層配置於該導電層上；以及一暗化層配置於該中間層上。
在本發明之一示範性實施例中，該導電層、該 中間層、或該暗化層可經圖案化。該導電層可為一經圖案化的導電層，該暗化層可為一經圖案化的暗化層，以及該中間層可為一經圖案化的中間層。將於下文中描述該圖案之形式。
本案發明人發現由該經圖案化的膜層之光反 射及繞射特性顯著影響在一觸控螢幕面板中該導電金屬精細圖案的可見度，並且欲對此進行改善，其中該觸控螢幕面板包括配置於一有效螢幕部分的該導電金屬精細圖案。 具體而言，因ITO的高透光度而由該導電圖案的反射率所導致問題，在習知的ITO系觸控螢幕面板中並不嚴重，但發現導電金屬精細圖案的反射率及暗化特性對於包括配置於有效螢幕部分中之導電金屬精細圖案的觸控螢幕面板而言相當重要。
依據本發明之示範性實施例，可納入暗化層以 降低在該觸控螢幕面板中導電金屬精細圖案的反射率以及改善吸光特性。該暗化層可配置於該觸控螢幕面板中之該導電層的至少一表面上，以大力防止因該導電層之高反射率所造成之可見度降低的情形。
具體而言，由於該暗化層具有吸光性，藉由減 少入射於該導電層上之光線的量以及自該導電層反射率之光線的量，可降低該導電層的反射率。此外，相對於該導電層的反射率，該暗化層可具有較低的反射率。藉此，相較於使用者直接觀察該導電層的情況，可降低光線的反射 率，因此可大大地改善該導電層的可見度。
在本發明中，該暗化層意旨一膜層，其具有吸 光率以降低本身入射於該導電層上之光線的量以及自該導電層反射之光線的量，可為該經圖案化的暗化層，且可由像是一吸光層、一經黑化的膜層、以及黑化層等的用語所表示，而該經圖案化的暗化層可由像是一經圖案化的吸光層、一經圖案化之經黑化的膜層、以及一經圖案化的黑化層等的用語所表示。
在本發明之示範性實施例中，包括該經圖案化 的導電層以及該經圖案化的暗化層之導電結構體的表面電阻可為1Ω/平方(square)以上以及300Ω/平方以下，尤其是1Ω/平方以上且在100Ω/平方以下，更尤其是1Ω/平方以上以及50Ω/平方以下，以及更佳尤其是1Ω/平方以上以及20Ω/平方以下。
若該導電結構體的表面電阻為1Ω/平方以上 以及300Ω/平方以下，具有可替換一習知ITO透明電極的效果。在該導電結構體的表面電阻為1Ω/平方以上且在100Ω/平方以下或1Ω/平方以上以及50Ω/平方以下的情況下，特別是，在表面電阻為1Ω/平方以上以及20Ω/平方以下的情況下，由於相較於使用習知ITO透明電極的情況，該表面電阻顯著較低，當提供訊號時具有降低RC延遲的優勢。
以顯著改善觸控辨識速度，據此，可輕易提供具有10吋以上之大面積的觸控螢幕。
在該導電結構體中，在進行圖案化之前該導電 層或該暗化層的表面電阻可大於0Ω/平方且在10Ω/平方以下、大於0Ω/平方且在2Ω/平方以下，以及具體而言，大於0Ω/平方且在0.7Ω/平方以下。若表面電阻為2Ω/平方以下，特別是0.7Ω/平方以下，當在進行圖案化之前該導電層或該暗化層的表面電阻減少時，可輕易進行精細圖案化的設計以及製程，以及具有藉由減少在進行圖案化之後該導電結構體的表面電阻以增加電極之反應速度的效果。該表面電阻可依據該導電層或該暗化層的厚度而進行調整。
在該導電結構體中，在進行圖案化之前該中間 層的表面上所測量之薄片電阻值可大於0Ω/□且在10Ω/□以下，尤其是大於0Ω/□且在5Ω/□以下，更尤其是大於0Ω/□且在1Ω/□以下。亦即，既使當將一中間層配置於該導電層的一表面上時，仍不會改變薄片電阻值。 參見在下述實驗例1中的表1，因該導電層的薄片電阻值及當將一中間層配置於一該導電層之上部的薄片電阻值之間幾乎沒有變化，可確定作為一導電層之電極的薄片電阻值沒有損失。
在依據本發明之示範性實施例的該導電結構體中，該暗化層的消光係數k可為0.2至2.5，尤其是0.2至1.2，以及更尤其是0.4至1。
若消光係數k為0.2以上，具有加速暗化的效果。消光係數k亦可稱作吸光係數，且其為定義該導電結 構體於一預定波長下吸收光線之強度的指數，以及決定該導電結構體之透光度的因素。例如，以透明介電材料而言，具有非常低的k<0.2。然而，當該材料中金屬成分的含量增加時，k值會上升。當金屬成分的含量更多時，會難以透光，更甚者，表面反射僅發生在該金屬上，且消光係數k大於2.5，其乃不利於該暗化層的形成。
當消光係數為0.4至1時，具有進一步減少反 射率的效果，因此更增加了該暗化層之暗化的程度。在此情況下，當將該導電層應用於一種觸控螢幕面板時，可進一步增加該導電層的隱蔽特性，以及進一步改善可見度。
在本發明之一示範性實施例中，該導電結構體的折射係數n可大於0至3以下。
在下述對於反射率的描述中，該暗化層可為一經圖案化的暗化層，該導電層可為一經圖案化的導電層，以及該中間層可為一經圖案化的中間層。
依據本發明之一示範性實施例，一導電結構體的全反射率可為20%以下，尤其是15%以下，更尤其是10%以下，更加尤其是7%以下，或3%以下。全反射率越小，效果越好。
在本發明之一示範性實施例中，全反射率可意旨對於自300nm至800nm波長之光線的反射率，尤其是自380nm至780nm，其在利用一黑層(最好是黑色)將一與該待測量之表面相反的表面進行處理後，以90度角入射至一待測量的表面。
依據本發明之一示範性實施例，當一中間層不 包括於該導電結構體中，在600nm以下的可見光波長區域中的全反射率可為20%以下，但在600nm以上的可見光波長區域中所測得的全反射率可為20%以上。然而，在自300nm至800nm的整個可見光區域中，包括一中間層之導電結構體的全反射率可為20%以下，尤其是15%以下，更尤其是10%以下，更佳尤其是7%以下，以及3%以下。
當一導電層配置於一基板及一暗化層之間，以 及一中間層配置於該導電層及該暗化層之間時，可於與該暗化層與該中間層接觸的一表面相反的一表面之方向上測量反射率。具體而言，當該暗化層包括一與該中間層接觸的第一表面及一面對該第一表面的第二表面，可於該第二表面的一方向上測量反射率。當於此方向上測量反射率時，該全反射率可為20%以下，尤其是15%以下，更尤其是10%以下，更佳尤其是7%以下，以及3%以下。全反射率越小，效果越好。
此外，當該暗化層配置於該導電層及該基板之 間，以及該中間層配置於該導電層及該暗化層之間，可於該基板側上測量反射率。當於該基板側上測量全反射率時，該全反射率可為20%以下，尤其是15%以下，更尤其是10%以下，更加尤其是7%以下，以及3%以下。全反射率越小，效果越好。
在本發明中，當入射光為100%，全反射率可為一基於300nm至800nm的波長值所測量而得的數值，尤 其是由光線入射至其上之一目標圖案層或該導電結構體所反射之380nm至780nm的光線。
在依據本發明之示範性實施例的該導電結構 體中，該暗化層可包括一與該導電層接觸的第一表面及一面對該第一表面的第二表面。在此情況下，當於該暗化層的第二表面之一側上測量該導電結構體的全反射率時，可由下列方程式1來計算該導電結構體的反射率(Rt)。
[方程式1]全反射率(Rt)=該基板的反射率+閉合率(closure ratio)×該暗化層的反射率
此外，在該導電結構體具有一其中兩種導電結構體係經層疊的構造之情況下，可由下列方程式2來計算該導電結構體的反射率(Rt)。
[方程式2]全反射率(Rt)=該基板的反射率+閉合率×該暗化層的反射率×2
在方程式1及2中，該基板的全反射率可為一觸控強化玻璃的反射率，以及在該表面係一薄膜的情況下，該基板的反射率可為該薄膜的反射率。
此外，該閉合率可以由該導電圖案所遮蔽的區域之面積比率來表示，亦即，(1-開口率(opening ratio))，以該導電結構體的平面為基準。
據此，具有該經圖案化的暗化層的情況及沒有經圖案化的暗化層的情況之間的差異係依據該經圖案化的 暗化層之反射率。關於這點，當相較於除了沒有經圖案化的暗化層之具有相同構造的該導電結構體之全反射率(R0)，依據本發明之示範性實施例之該導電結構體的全反射率(Rt)可減少10至20%、20至30%、30至40%、40至50%、或50至70%。亦即，在方程式1及2的情況下，閉合率範圍自1%改變至10%且該反射率範圍在自1至30%的範圍內變化，可展現最大70%的反射率減少效用，以即可展現最小10%的反射率減少效用。
在依據本發明之示範性實施例的該導電結構 體中，該經圖案化的暗化層包括一與該導電圖案接觸的第一表面及一面對該第一表面的第二表面，當於暗化圖案之第二表面的一側上測量該導電結構體的全反射率時，該導電結構體的全反射率(Rt)及該基板的反射率(R0)之間的差值可為40%以下、30%以下、20%以下、或10%以下。
在本發明之一示範性實施例中，基於國際照明 委員會(Commission Internationale de l'Eclairage,CIE)L*a*b*色座標(color coordinate)，該導電結構體的明度值(lightness value)(L*)可為50以下，更尤其是40以下。當該明度值減少，則該反射率減少以提供一優異效用。
在本發明之示範性實施例中，一針孔可幾乎沒 有存在於該導電結構體中，即使該針孔存在，其直徑可為3μm以下，更尤其是1μm以下。在該導電結構體中的針孔之直徑為3μm以下的情況下，可防止短路發生。此外，在該針孔幾乎沒有存在於該導電結構體中且其數目非常小 的情況下，可防止短路發生。
在本發明之示範性實施例中，該暗化層可配置於該導電層的至少一表面上。具體而言，該暗化層可僅配置於該導電層之任一表面或兩個表面上。
在本發明之示範性實施例中，可同時或分開圖案化該暗化層、該中間層、以及該導電層。
在本發明之示範性實施例中，該經圖案化的中間層、該經圖案化的暗化層及該經圖案化的導電層可藉由同時或分開的圖案化製程來形成一層疊結構。關於這點，該層疊結構與其中一吸光材料的至少一部分併入或分散於該導電圖案中的一結構、或其中藉由一額外的表面處理來物理性或化學性地修飾於單層導電圖案之表面側上的一部分之一結構區分開來。
此外，在依據本發明之一示範性實施例的該導電結構體中，該暗化層可直接配置於該基板上、或於該導電層上且具有一位於其間的中間層，而沒有插設一貼附層或一黏著層。該貼附層或該黏著層可能會影響耐久性或光學性質。此外，依據本發明之示範性實施例之一種導電結構體的製造方法係顯著地不同於利用該貼附層或該黏著層的情況者。此外，當相較於利用該貼附層或該黏著層的情況，在本發明之示範性實施例中，介於該基板或導電層及該暗化層之間的界面性質係優異的。
在本發明之示範性實施例中，該暗化層可由一單一膜層、或兩層以上的複數膜層所形成。
在本發明之示範性實施例中，較佳的情況乃該 暗化層具有一無彩顏色(achromatic color)。在此情況下，該無彩顏色意旨當入射至一物體的一表面之光線對於各個組成波長沒有被選擇性地吸收而是被均勻地反射及吸收時所展現的一顏色。
在本發明之示範性實施例中，可以使用該暗化 層的材料而沒有特別限制。例如，可使用在一濾色片中用以作為一黑色基質的材料。此外，可使用一具有抗反射功能的材料。
例如，該暗化層可包括一或兩者以上擇自由下 列所組成之群組：金屬、其之氧化物、其之氮化物、其之氮氧化物、以及其之碳化物。可由所屬技術領域中具有通常知識者藉由一沉積條件設置以及諸如此類等來形成該金屬的氧化物、氮化物、氮氧化物、或碳化物。該金屬可為一或兩者以上擇自由下列所組成之群組：鎳(Ni)、釩(V)、鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、鈦(Ti)、鐵(Fe)、鉻(Cr)、鈷(Co)、鋁(Al)、以及銅(Cu)。具體而言，該暗化層可包括銅的氧化物、銅的氮化物、銅的氮氧化物、鋁的氧化物、鋁的氮化物、或鋁的氮氧化物。
例如，該中間層可包括一或兩者以上擇自由下 列所組成之群組：金屬、其之氧化物、其之氮化物、其之氮氧化物、以及其之碳化物。可由所屬技術領域中具有通常知識者藉由一沉積條件設置以及諸如此類等來形成該金屬的氧化物、氮化物、氮氧化物、或碳化物。該金屬可為 一或兩者以上擇自由下列所組成之群組：鎳(Ni)、釩(V)、鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、鈦(Ti)、鐵(Fe)、鉻(Cr)、鈷(Co)、鋁(Al)、以及銅(Cu)。具體而言，該中間層可包括銅的氧化物、銅的氮化物、銅的氮氧化物、鋁的氧化物、鋁的氮化物、或鋁的氮氧化物。
作為其另一具體例，該中間層或該暗化層可包 括該介電材料及該金屬中之至少一者。上述金屬可為金屬或一金屬合金。具體而言，該暗化層可更包括擇自下列的介電材料：TiO2-x、SiO2-x、MgF2-x以及SiN1.3-x(-1x1)，以及擇自下列的金屬：鐵(Fe)、鈷(Co)、鈦(Ti)、釩(V)、鋁(Al)、鉬(Mo)、銅(Cu)、金(Au)、以及銀(Ag)，並且更包括一兩者以上擇自下列金屬之合金：鐵(Fe)、鈷(Co)、鈦(Ti)、釩(V)、鋁(Al)、鉬(Mo)、銅(Cu)、金(Au)、以及銀(Ag)。
依據本發明之示範性實施例，該中間層或該暗 化層可包括一或兩者以上擇自由下列所組成之群組：金屬的氧化物、金屬的氮化物、金屬的氮氧化物、以及金屬的碳化物，並且可更包括該介電材料及該金屬中之至少一者。
較佳的情況乃該介電材料可如同外部光線在 一入射方向上消失而以一逐漸減少的數量來分布，並且該金屬及合金成分相反地分布。在此情況下，較佳的情況乃該介電材料的含量為20wt%至50wt%以及該金屬的含量為50wt%至80wt%。在該暗化層更包括該合金的情況下，較佳的情況乃該暗化層包括10wt%至30wt%的該介電材料、 50wt%至80wt%的該金屬、以及5wt%至40wt%的該合金。
作為其另一具體例，該中間層或該暗化層可由一包括一鎳及釩的合金以及鎳及釩的氧化物、氮化物以及氮氧化物中的一者以上之薄膜所形成。在此情況下，較佳的情況乃包括26原子%至52原子%之含量的釩，以及較佳的情況乃釩對於鎳的原子百分率為26/74至52/48。
作為其另一具體例，該中間層或該暗化層可包括一過渡層(transition layer)，其中包括兩個以上的元素，並且一個元素的組成比例依據外部光面的入射方向而以大約最高每100埃增加20%。在此情況下，一個元素可為一金屬，例如鎳(Ni)、釩(V)、鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、鈦(Ti)、鐵(Fe)、鉻(Cr)、鈷(Co)、鋁(Al)、以及銅(Cu)，以及除該金屬元素之外的元素可為氧、氮、或碳。
其另一具體例，該中間層或該暗化層可包括一第一鉻氧化物層、一金屬層、一第二鉻氧化物層、以及一鉻鏡(chrome mirror)，在此情況下，可包含擇自下列的金屬：鎳(Ni)、釩(V)、鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、鈦(Ti)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鋁(Al)、以及銅(Cu)，而非鉻。較佳的情況乃該金屬層的厚度為10nm至30nm，該第一鉻氧化物層的厚度為35nm至41nm，以及該第二鉻氧化物層的厚度為37nm至42nm。
作為其另一具體例，作為該中間層或該暗化層，可使用一氧化鋁(Al2O3)層、一鉻氧化物(Cr2O3)層、以及一鉻(Cr)層的一層疊結構。於本發明中，該氧化鋁層具有一較佳 的反射性質以及一防止光擴散性質(light diffusion prevention property)，並且該鉻氧化物層可藉由減少傾斜表面反射率來改善一對比性質。
在本發明之一示範性實施例中，當在該中間層 的總組成中一金屬的原子百分率大於在該暗化層的總組成中該金屬的原子百分率，尤其是大於1倍且在兩倍以下，初步降低關於該導電層的反射率之效用係最佳的，並且初步降低在600nm以上的可見光波長區域中之反射率之效用係特別優異。因此，具有一效用使得一包括一導電層、一中間層及一暗化層的導電結構體之在300nm至800nm的整個可見光波長區段中的反射率可甚至降低至20%以下。
在本發明之示範性實施例中，該導電層的材料 適當地係一比電阻值為1×10-6Ω．cm至30×10-6Ω．cm且較佳地為1×10-6Ω．cm至7×10-6Ω．cm的材料。
在依據本發明之示範性實施例的該導電結構 體中，較佳的情況乃該導電層的材料包括一或兩者以上擇自由下列所組成之群組：金屬、金屬合金、金屬氧化物、以及金屬氮化物。較佳的情況乃該導電層的材料為一具有優異導電率且易於蝕刻的金屬材料。然而，一般而言，該具有優異導電率的材料具有反射率高的缺點。然而，在本發明中，可以藉由使用該暗化層而使用具有高反射率的材料來形成該導電層。在本發明中，在使用反射率為70%至80%以上之材料的情況下，可增加該暗化層以減少反射率，改善該導電層的隱蔽特性，以及維持或改善對比性質。
在本發明之示範性實施例中，該導電層的材料之具體例可包括一或兩者以上擇自由下列所組成之群組：銅(Cu)、鋁(Al)、銀(Ag)、釹(Nd)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、其之氧化物、以及其之氮化物。例如，該材料可為擇自前述金屬之兩者以上的一合金。更具體地，可包括鉬、鋁、或銅。該導電層可為一單一膜層或一多層的膜層。
在本發明之一示範性實施例中，該導電層、該中間層、以及該暗化層可包括相同的金屬。當包括相同的金屬時，因為可利用相同的蝕刻劑來進行製程工作，以使其在製程上具有優勢，並且由於甚至在生產速率上的優勢，在製造方法上具有有益的效用。
在本發明之一示範性實施例中，當該中間層具有兩層以上的膜層時，一基板、一導電層、一第一中間層、一第二中間層以及一暗化層可以此順序來進行配置，或一導電層、一第一中間層、一第二中間層、一暗化層以及一基板可以此順序來進行配置於。在此情況下，在靠近該導電層的該第一中間層中的金屬比率可大於在靠近該暗化層的該第二中間層中的金屬比率。
在本發明之一示範性實施例中，可包括該中間層，而該金屬的比率在厚度方向上具有一梯度。在此情況下，可形成該梯度而使得當該中間層靠近該暗化層時該金屬的比率增加，並且當該中間層靠近該導電層時該金屬的比率減少。相反地，當該中間層靠近該導電層時該金屬的比率可增加，並且當該中間層靠近該暗化層時該金屬的比 率可減少。
此外，即使當該中間層具有兩層以上的膜層， 可包括該中間層，而該金屬的比率在厚度方向上具有一梯度。在此情況下，可以形成一梯度，其中當該中間層靠近該導電層時在靠近該導電層之該第一中間層中的該金屬的比率增加，並且當該中間層靠近該暗化層時靠近該導電層之該第一中間層中的該金屬的比率減少，以及可以形成一梯度，其中當該中間層靠近該導電層時，靠近該暗化層之該第二中間層中的該金屬的比率亦增加，並且當該中間層靠近該暗化層時，靠近該暗化層之該第二中間層中的該金屬的比率減少。此外，靠近該導電層的該第一中間層中的金屬比率可大於靠近該暗化層的該第二中間層中的金屬比率。
在本發明之一示範性實施例中，該導電層可包 括銅，以及該中間層及該暗化層可包括銅的氧化物、銅的氮化物、或銅的氮氧化物。
在依據本發明之一示範性實施例的一導電結 構體中，該導電層可包括銅，該中間層及該暗化層可包括銅的氧化物，以及在該中間層的總組成中銅的原子百分率可為在該暗化層的總組成中銅的原子百分率之1.01倍至1.62倍。更具體地，該導電層可包括銅，該中間層可包括一銅之氧化物，其中銅：氧的原子百分率比為95：5至97：3，以及該暗化層可包括一銅之氧化物，其中銅：氧的原子百分率比為60：39至94：6。當該中間層及該暗化層全部 由一銅的氧化物所形成時，當具有在該範圍內的原子百分率時，初步降低關於該導電層的反射率上之效用係最佳的，並且初步降低在600nm以上的可見光波長區域中的反射率上之效用係特別優異的。因此，具有一效用使得一包括一導電層、一中間層以及一暗化層的導電結構體之在自300nm至800nm的整個波長區域中的反射率可甚至降低至20%以下。
在依據本發明之一示範性實施例的一導電結 構體中，當一導電層包括銅以及一中間層及一暗化層包括一銅之氧化物，該中間層可具有一梯度，其中當該中間層在厚度方向上靠近該暗化層時，銅的原子百分率比率會下降，以及在該中間層中一銅：氧的平均原子百分率比可為95：5至97：3。在此情況下，該梯度的範圍可存在於由在該導電層中的銅之比率至在該暗化層中的銅之比率的範圍內。
在本發明之一示範性實施例中，該導電層可包 括鋁，以及該中間層及該暗化層可包括鋁的氧化物、鋁的氮化物、或鋁的氮氧化物。具體而言，該導電層可包括鋁，該中間層可包括鋁的氮氧化物，其中在總組成中氮的原子百分率係大於0%且小於20%，該暗化層可包括鋁的氮氧化物，其中在總組成中氮的原子百分率係20%以上以及45%以下。
例如，當該導電層包括銅，在該中間層及該暗 化層包括一為CuOx(x係O的原子數對於Cu的原子數之比 率，0<x)的銅氧化物之情況下，可進行一體蝕刻(bulk etching)，因此具有生產製程效率高而可節省成本的經濟優勢。此外，銅的比電阻值為1.7×10-6Ω．cm，其係優於比電阻值為2.8×10-6Ω．cm的Al。因此，為了滿足大於0Ω/□且在2Ω/□以下以及較佳地大於0Ω/□且在0.7Ω/□以下的薄片電阻值，銅具有該導電層的厚度可小於一包括Al之導電層的厚度之優勢。該薄片電阻值可依據該導電層的厚度來進行調整。例如，為了使薄片電阻值滿足自0.6Ω/□至0.7Ω/□的數值，一包括Al的導電層需要形成為自80nm至90nm的厚度，然一包括Cu的導電層需要形成為自55nm至65nm的厚度，以及因為該膜層的厚度較小而較為經濟。 此外，在濺鍍製程中Cu具有約為Al的2.5倍之較佳產率，因而理論上可以預期在沉積速率上增進4至5倍。據此，該包括Cu的導電層在生產製程上具有高效率且較為經濟，因而具有優異的優勢。
在本發明之一示範性實施例中，該中間層的厚 度可為5nm至50nm。考量蝕刻性質，當該中間層的厚度為5nm以上時，相對容易地去調整製程，而當該厚度為50nm以下，該厚度在生產速率上具有相對優勢。
當該中間層包括一銅之氧化物，該中間層的厚 度可尤其是8nm至30nm，更尤其是15nm至25nm。當該厚度在自8nm至30nm的範圍內，具有將該導電層在600nm以上的可見光波長區域中之反射率初步降低自20%至60%的效用，因而具有一效用使得一包括一導電層、一中間層 及一暗化層的導電結構體之在自300nm至800nm之整個可見光波長區段中的反射率甚至降低至20%以下。此外，當該厚度在自15nm至25nm的範圍內，具有進一步將該導電層在600nm以上的可見光波長區域中之反射率初步降低自50%至60%的效用，因而具有一效用使得一包括一導電層、一中間層及一暗化層的導電結構體之在自300nm至800nm之整個可見光波長區段中的反射率甚至降低至15%以下。
當該中間層包括一鋁的氮氧化物，該中間層的厚度可尤其是10nm至40nm，更尤其是20nm至30nm。當該厚度在自10nm至40nm的範圍內，具有將該導電層在500nm以下的可見光波長區域中之反射率初步降低自10%至40%的效用，因而具有一效用使得包括一導電層、一中間層及一暗化層的導電結構體之300nm至800nm之整個可見光波長區段中的反射率甚至降低至20%以下。此外，當該厚度在自20nm至30nm的範圍內，具有進一步將該導電層在500nm以下的可見光波長區域中之反射率初步降低自30%至40%的效用，因而具有一效用使得一包括一導電層、一中間層及一暗化層的導電結構體之在自300nm至800nm之整個可見光波長區段中的反射率可進一步降低。
在本發明之一示範性實施例中，該暗化層的厚度可為20nm至150nm。該厚度可尤其是20nm至100nm，更尤其是40nm至80nm，或40nm至60nm。該暗化層的較佳厚度可依據所使用的材料之折射係數以及製造方法而變化，然考量蝕刻性質，當該厚度為20nm以上時，相對 容易地去調整製程，而當該厚度為150nm以下時，該厚度可在生產速率上具有相對優勢。在上述厚度範圍內容易地調整製程並且增進生產速率，因此上述厚度範圍在製造方法上係更有益的。在自20nm至100nm的範圍內，在自300nm至800nm之整個可見光波長區段中的平均反射率可為15%至20%以下。在自40nm至80nm或自40nm至60nm的範圍內，在自300nm至800nm之整個可見光波長區段中的平均反射率可為10%至15%以下，因而上述範圍在形成該暗化層上係更有益的。
在本發明之一示範性實施例中，該導電層的厚 度沒有特別限制，然而當該厚度為0.01μm至10μm時，在該導電層的導電率以及形成圖案的製程之經濟效益上可展現較佳的效用。
在本發明之一示範性實施例中，該暗化層可僅 配置於該導電層之任一表面或兩個表面上且具有一位於其間的中間層。在本說明書中，該暗化層可具有相同於該導電層的圖案。然而，該經圖案化的暗化層之圖案大小不需要完全相同於該經圖案化的導電層之圖案大小，即使該經圖案化的暗化層的線寬小於或大於該經圖案化的導電層的線寬之情況仍包含於本發明的範疇內。具體而言，在該經圖案化的暗化層中的圖案之線寬可為在該經圖案化的導電層中的圖案之線寬的80%至120%。
在本發明之一示範性實施例中，該經圖案化的 暗化層可具有一圖形，其線寬小於或大於該經圖案化的導 電層所具有的圖形之線寬。例如，該經圖案化的導電層的面積可為一由該經圖案化的導電層所佔的面積的80%至120%。
在本發明之示範性實施例中，較佳的情況乃該 暗化層的圖案係一線寬等於或大於該導電層的圖形之線寬的圖形。
在該經圖案化的暗化層具有線寬大於該經圖 案化的導電層所具有的圖形之線寬的圖形之情況下，由於其中當使用者所觀察時該經圖案化的暗化層遮蔽該經圖案化的導電層之效用可更加大幅地增加，具有可有效地阻擋該經圖案化的導電層的光澤或反射之效用的優勢。然而，即使在該經圖案化的暗化層中的圖案之線寬相同於在該經圖案化的導電層中的圖案之線寬，仍可實現本發明的目標效用。
該中間層可具有一形狀相同於該導電層的圖 案。然而，該經圖案化的中間層之圖案大小不需要完全相同於該經圖案化的導電層之圖案大小，即使該經圖案化的中間層的線寬小於或大於該經圖案化的導電層的線寬之情況仍包含於本發明的範疇內。具體而言，在該經圖案化的中間層中的圖案之線寬可為在該經圖案化的導電層中的圖案之線寬的80%至120%。
在本發明之示範性實施例中，該經圖案化的中 間層可具有一圖形，其線寬小於或大於該經圖案化的導電層所具有的圖形之線寬。例如，該經圖案化的中間層的面 積可為一由該經圖案化的導電層所佔的面積的80%至120%。
在本發明之示範性實施例中，較佳的情況乃該 中間層的圖案係一線寬等於或大於該導電層的圖形之線寬的圖形。
在該經圖案化的中間層具有線寬大於該經圖 案化的導電層所具有的圖形之線寬的圖形之情況下，由於其中當使用者所觀察時該經圖案化的中間層遮蔽該經圖案化的導電層之效用可更加大幅地增加，具有可有效地阻擋該經圖案化的導電層的光澤或反射之效用的優勢。然而，即使在該經圖案化的中間層中的圖案之線寬相同於在該經圖案化的導電層中的圖案之線寬，仍可實現本發明的目標效用。
在依據本發明之示範性實施例的該導電結構 體中，可使用一透明板來作為該基板，然該基板沒有特別限制，例如，可以使用玻璃、塑膠板、塑膠膜、以及諸如此類等。
在本發明之示範性實施例中，該經圖案化的導電層的線寬可大於0μm且在10μm以下，尤其是0.1μm以上且在10μm以下，更尤其是0.2μm以上且在8μm以下，以及更加尤其是0.5μm以上且在5μm以下。
在本發明之示範性實施例中，該經圖案化的導電層之開口率，亦即，沒有由該圖案所遮蔽的面積比率，可為70%以上、85%以上、以及95%以上。此外，該經圖案 化的導電層之開口率可為90%至99.9%，然不以此為限。
在本發明之示範性實施例中，該經圖案化的導電層之圖案可為一規則圖案或一不規則圖案。
可使用所屬技術領域的圖形(像是一網孔圖案)來作為規則圖案。不規則圖案沒有特別限制，而可為構成一沃羅諾伊圖(Voronoi diagram)的圖形界線。在本發明中，在同時使用不規則圖案及該經圖案化的暗化層之情況下，可藉由該不規則圖案來移除由具有方向性的光線所反射的光線之繞射圖案，並且可藉由該經圖案化的暗化層來最小化光線散射效應，而使得可最小化在可見度上的問題。
依據本發明之示範性實施例之該導電結構體的例子係顯示於下圖1至3中。圖1至3說明該基板、該導電層及該暗化層的層疊順序，當實際應用於作為一精細透明電極(像是一觸控螢幕面板)時，該導電層及該暗化層可不具有整個表層形式而可具有一圖形。
圖1係描述一基板100、一暗化層200、一中間層400及一導電層300以此順序來進行配置的情況。當一使用者於該基板側觀察一觸控螢幕面板時，可大幅減少由該導電層的反射率。
依據圖2，說明該基板100、該導電層300、該中間層400及該暗化層200以此順序來進行配置的情況。當一使用者自與該基板相反的一表面觀察一觸控螢幕面板時，可大幅減少由該導電層的反射率。
依據圖3，說明該些暗化層200以及220配置 於該基板100及該導電層300之間以及於該導電層上300的情況，以及該些中間層400及420配置於該暗化層及該導電層之間的情況。當一使用者自該基板側及與其相反的一側觀察一觸控螢幕面板時，可大幅減少由該導電層的反射率。
在圖1至3的描述中，該導電層可為一經圖案化的導電層，該暗化層可為一經圖案化的暗化層，以及該中間層可為一經圖案化的中間層。
依據本發明之一示範性實施例的該導電結構體可具有一其中該暗化層係配置於該導電層的至少一表面上之結構。
依據本發明之一示範性實施例的該導電結構體之結構可為一其中該基板、該暗化層、該導電層及該暗化層依序層疊的結構。此外，該導電結構體可包括一額外的導電層以及一額外的暗化層位於最外部的該暗化層上。至少一中間層可額外地包含於此構形中。在下列結構的實施例中，該中間層可具有一層膜層以及兩層以上的膜層。
亦即，依據本發明之一示範性實施例的該導電結構體之結構可為一基板/暗化層/中間層/導電層的結構、一基板/導電層/中間層/暗化層的結構、一基板/暗化層/中間層/導電層/中間層/暗化層的結構、一基板/導電層/中間層/暗化層/中間層/導電層的結構、一基板/暗化層/中間層/導電層/中間層/暗化層/中間層/導電層/中間層/暗化層的結構、一基板/暗化層/中間層/導電層/中間層/暗化層/中間層/導電層 /中間層/暗化層/中間層/導電層/中間層/暗化層、以及諸如此類等。在該結構中，該中間層可包括該中間層具有一層膜層的情況、以及該中間層具有兩層以上的膜層之情況。例如，一基板/暗化層/中間層/導電層的結構之情況亦可包括一基板/暗化層/第一中間層/第二中間層/導電層的結構、一基板/暗化層/第一中間層/第二中間層/第三中間層/導電層的結構、以及諸如此類等。
在上述說明中，該導電層可為一經圖案化的導 電層，該暗化層可為一經圖案化的暗化層，以及該中間層可為一經圖案化的中間層。
依據本發明之一示範性實施例的一種導電結 構體的製造方法可包括：形成至少一中間層於一導電層上；形成一暗化層於該中間層上；以及層疊該導電層或該暗化層以及一基板。該製造方法可更包括分開或同時圖案化該導電層及該暗化層。
依據本發明之一示範性實施例的一種導電結 構體的製造方法可包括：形成一導電層於一基板上；形成至少一中間層於該導電層上；以及形成一暗化層於該中間層上。該製造方法可更包括分開或同時圖案化該導電層、該中間層、以及該暗化層。具體而言，可在形成該導電層之後圖案化該導電層，可在形成該中間層之後圖案化該中間層，以及可在形成該暗化層之後經圖案化該暗化層。此外，亦可在形成該暗化層之後同時圖案化該導電層、該中間層、以及該暗化層。
依據本發明之一示範性實施例的一種導電結 構體的製造方法可包括：形成一暗化層於一基板上；形成至少一中間層於該暗化層上；以及形成一導電層於該中間層上。該製造方法可更包括分開或同時圖案化該暗化層、該中間層、以及該導電層。具體而言，可在形成該暗化層之後經圖案化該暗化層，可在形成該中間層之後圖案化該中間層，以及可在形成該導電層之後圖案化該導電層。此外，具體而言，亦可在形成該導電層之後同時圖案化該導電層、該中間層、以及該暗化層。
在本發明之一示範性實施例中，該導電結構體 的製造方法可包括：形成一暗化層於一基板上；形成至少一中間層於該暗化層上；形成一導電層於該中間層上；形成至少一中間層於該導電層上；以及形成一暗化層於該中間層上。該製造方法可更包括分開或同時圖案化該暗化層、該中間層、以及該導電層。
在該導電結構體的製造方法中，在進行圖案化 之前該中間層、該導電層或該暗化層的表面電阻可大於0Ω/平方且在2Ω/平方以下，較佳地大於0Ω/平方且在0.7Ω/平方以下。若表面電阻為2Ω/平方以下，特別是0.7Ω/平方以下，當在進行圖案化之前該導電層或該暗化層的表面電阻減少時，可輕易進行精細圖案化的設計以及製程，以及具有藉由減少在進行圖案化之後該導電結構體的表面電阻以增加電極之反應速度的效果。
依據本發明之一示範性實施例的一種導電結 構體的製造方法可包括：形成一經圖案化的導電層於一基板上；形成至少一經圖案化的中間層於該經圖案化的導電層上；以及形成一經圖案化的暗化層於該經圖案化的中間層上。
依據本發明之一示範性實施例的一種導電結 構體的製造方法可包括：形成一經圖案化的暗化層於一基板上；形成至少一經圖案化的中間層於該經圖案化的暗化層上；以及形成一經圖案化的導電層於該經圖案化的中間層上。
在本發明之一示範性實施例中，該導電結構體 的製造方法可包括：形成一經圖案化的暗化層於一基板上；形成至少一經圖案化的中間層於該經圖案化的暗化層上；形成一經圖案化的導電層於該經圖案化的中間層上；形成至少一經圖案化的中間層於該經圖案化的導電層上；以及形成一經圖案化的暗化層於該經圖案化的中間層上。
在該導電結構體的製造方法中，該導電結構體， 該導電層、該中間層、以及該暗化層的說明係相同於上面所述。
在本發明之一示範性實施例中，在該經圖案化 的中間層之形成、該中間層之形成、該經圖案化的暗化層之形成、或該暗化層之形成中，可使用所述技術領域中在形成該經圖案化的中間層、該中間層、該經圖案化的暗化層、或該暗化層上所習知的方法。例如，該些膜層可藉由一像是沉積、濺鍍、濕塗佈、蒸發、電解電鍍或無電電鍍、 以及金屬箔的層疊之方法來形成，尤其是可藉由一濺鍍方法來形成。
例如，在形成該中間層及該暗化層的期間作為 AlOxNy(x及y係O及N原子數各自對於Al原子數之比率)，當藉由利用一Al金屬靶材來使用一反應性濺鍍法時，可藉由調整一活性氧(像是O2及/或N2)的分壓來進行該製程。
例如，在形成包括Cu的該導電層、包括一為 CuOx(x係O的原子數對於Cu的原子數的比率)的銅氧化物之該中間層、以及該暗化層的情況下，當一惰性氣體(例如，像是Ar的氣體)用來作為一濺鍍氣體，具有藉由使用一銅的氧化物單一材料濺鍍靶材而得到的優勢。由於使用銅的氧化物單一材料靶材，不需要去調整反應性氣體的分壓，因而具有相對容易地調整製程的優勢以及可以藉由使用一Cu蝕刻劑來進行一體蝕刻，即使在最終導電結構體的形成上亦可。此外，即使在形成包括Cu的該導電層、包括一銅之氧化物的該中間層及該暗化層之情況下，當藉由利用一Cu金屬靶材而使用一反應性濺鍍法時，亦可藉由調整像是O2之反應性氣體的分壓來進行該製程。
在本發明之示範性實施例中，形成該經圖案化 的導電層之方法沒有特別限制，以及可藉由一印刷方法而直接形成該經圖案化的導電層，或利用可在形成該導電層之後圖案化該導電層的方法來形成。
在本發明之示範性實施例中，在藉由利用印刷方法來形成該經圖案化的導電層之情況下，可使用導電材 料的墨水或糊劑之情況下，並且除了該導電材料之外該糊劑可更包括一黏結劑、一溶劑、一玻璃料、或諸如此類等。
在形成該導電層之後圖案化該導電層的情況下，可使用一具有抗蝕刻性質的材料。
在本發明之示範性實施例中，該導電層可藉由一像是蒸發、濺鍍、濕塗佈、汽化、電解電鍍、無電電鍍、以及金屬箔的層疊之方法來形成。將有機金屬、奈米金屬、或其一錯合物溶液塗佈於該基板上接著藉由加熱及/或乾燥來提供導電性的方法可用來作為形成該導電層的方法。有機銀可用來作為有機金屬，以及奈米銀顆粒可用來作為奈米金屬。
在本發明之示範性實施例中，可藉由利用使用一抗蝕刻圖案的方法來進行該導電層的圖案化。該抗蝕刻圖案的形成可藉由一印刷法、一光刻法、一攝影法、利用一遮罩的方法、或雷射轉印(例如，熱轉印成像)，而印刷法或光刻法係較佳的，然該方法不以此為限。可藉由利用該抗蝕刻圖案來對該導電薄膜層進行蝕刻及圖案化，而該抗蝕刻圖案可輕易地由一剝除製程(strip process)所移除。
本發明之示範性實施例提供一種觸控螢幕面板，包括該導電結構體。例如，依據本發明之示範性實施例的該導電結構體可用來作為在一電容式觸控螢幕面板中的一觸控感應式電極板。
本發明之示範性實施例提供一種顯示裝置，其包括該觸控螢幕面板。
除上述包括該基板、該經圖案化的導電層及該 經圖案化的暗化層之導電結構體，依據本發明之示範性實施例的該觸控螢幕面板可更包括一額外的結構體。在此情況下，兩種結構體可配置於相同方向上，或種結構體可配置於彼此相反的方向上。可包含於依據本發明之示範性實施例之該觸控螢幕面板中的兩種以上的結構體不需要具有相同結構，僅需一種且較佳地最靠近使用者的該結構體可包括該基板、該經圖案化的導電層及該經圖案化的暗化層，而額外的結構體可不包括該經圖案化的暗化層。此外，在兩種以上的結構體中的膜層層疊結構可彼此不同。在包括兩種以上的結構體的情況下，一絕緣層可插設於其間。在此情況下，該絕緣層可進一步具有一黏著層的功能。
依據本發明之示範性實施例的該觸控螢幕面 板可包括一下基板；一上基板；以及一電極層，設置於該下基板之一與該上基板接觸的表面及該上基板之一與該下基板接觸的表面中的任一表面上或兩個表面上。該電極層可具有X軸及Y軸位置偵測功能。
在此情況下，設置於該下基板及該下基板之與 該上基板接觸的表面上之一層或兩層電極層；以及設置於該上基板及該上基板之與該下基板接觸的表面上之該電極層可為依據本發明之示範性實施例的該導電結構體。在該些電極層中僅有任一者為依據本發明之示範性實施例的該導電結構體之情況下，另一者可具有在所屬技術領域中所習知的導電圖案。
在電極層設置於該上基板及該下基板這兩者 的各一表面上以形成一雙層電極層的情況下，一絕緣層或一間隔件可配置於該上基板及該下基板之間而使得持續地維持藉於該些電極層之間的間隔以及防止其間的連接。該絕緣層可包括一黏著劑或一UV或熱固化樹脂。該觸控螢幕面板可更包括一基部連接至上述導電結構體的該導電層之圖案。例如，該基部可形成於其中該基板的該導電層之圖案形成於其上的表面之一邊緣部。此外，一抗反射膜、一偏光膜以及一抗指紋膜中的至少一者可配置於包括該導電結構體的層疊之至少一表面上。除上述功能膜之外，可依據設計說明書而更包含其他種類的功能膜。該觸控螢幕面板可應用於顯示裝置，例如一有機發光二極體顯示器面板、一液晶顯示器(LCD)、一陰極射線管(CRT)、以及一PDP。
在依據本發明之示範性實施例的該觸控螢幕 面板，該經圖案化的導電層及該經圖案化的暗化層可分別配置於該基板的兩個表面上。
依據本發明之示範性實施例的該觸控螢幕面板可更包括一電極部或一墊部，係位於該導電結構體上。在此情況下，該有效螢幕部、該電極部以及該墊部可由相同的導體所形成。
在依據本發明之示範性實施例的該觸控螢幕面板中，該經圖案化的暗化層可配置於由使用者所觀察的一側上。
本發明之示範性實施例提供一種顯示裝置，包 括該導電結構體。在該顯示裝置中，依據本發明之示範性實施例的該導電結構體可用於一濾色板、一薄膜電晶體板、或諸如此類等。
本發明之示範性實施例提供一種太陽能電池， 包括該導電結構體。該太陽能電池的例子可包括一陽極電極、一陰極電極、一光動性層、一電洞傳輸層及/或一電子傳輸層，以及依據本發明之示範性實施例的該導電結構體可用來作為該陽極電極及/或該陰極電極。
可使用該導電結構體來替代習知在顯示裝置 或太陽能電池中的ITO，並且可用來提供可撓性。此外，該導電結構體可連同CNT、導電聚合物、石墨烯以及諸如此類等而用來作為下一代的透明電極。
下文中，將參照實施例來詳細地描述本發明。 然而，下列實施例係為了說明本發明而描述，然本發明的範圍不以此為限。
<實驗例1>
藉由使用一反應性濺鍍法來改變CuOx(0<x， Cu及O的原子百分率比為95：5)的厚度而將一中間層沉積於作為一導電層之厚度為100nm的一Cu電極上，接著測量在該中間層的表面上的薄片電阻值。此時該薄片電阻值顯示於下面表1中。
參見表1，可以確認在作為一導電層的銅電極 之薄片電阻值及在將該中間層進行沉積之後在該中間層的表面上的薄片電阻值之間沒有差異存在，因而該中間層沒有減少下面電極的薄片電阻值。
此外，在可見光區波長下依據該中間層之厚度 的反射率說明於圖4中。
<實驗例2>
藉由使用一反應性濺鍍法來改變AlOxNy(0<x， 0.3y<1)的厚度而將一中間層沉積於作為一導電層之厚度為80nm的一Al電極上。在自300nm至800nm的可見光區波長下依據該中間層之厚度的反射率說明於圖5中。可以確認在500nm以下的短波長區域中的波長下包括該中間層者的反射率會減少。
<實施例1至4>
一種導電結構體的製造係藉由使用一反應性 濺鍍法而將一由CuOx(0<x，Cu及O的原子百分率比為95：5)所形成且厚度為15nm的中間層沉積於一作為一導電層之厚度為100nm的Cu電極上，接著於該中間層上將一由 CuOx(0<x，Cu及O的原子百分率比為60：40)所形成的暗化層沉積至厚度為43nm(實施例1)、54nm(實施例2)、65nm(實施例3)、以及75nm(實施例4)。測量實施例1至4之在可見光區波長下的反射率，而說明於圖6中。參見圖6，可以確認實施例1至4之在自300nm至800nm之整個可見光波長區段中的反射率為20%以下。
<實施例5及6>
一種導電結構體的製造係藉由使用一反應性 濺鍍法來將厚度改變為8nm(實施例5)及25nm(實施例6)而將一由CuOx(0<x，Cu及O的原子百分率比為95：5)所形成的中間層沉積於一作為一導電層之厚度為100nm的Cu電極上，接著於該中間層上將一由CuOx(0<x，Cu及O的原子百分率比為60：40)所形成的暗化層沉積至厚度為65nm。 測量實施例5及6之在可見光區波長下的反射率，而連同實施例4及比較例1的反射率說明於圖7中。參見圖7，可以確認實施例5及6之在自300nm至800nm之整個可見光波長區段中的反射率為20%以下。當將比較例1與實施例4至6進行比較，可以確認在600nm以上的長波長區域中包括一中間層的一導電結構體之反射率會顯著地減少。
<比較例1至4>
一種導電結構體的製造係藉由使用一反應性 濺鍍法來將厚度改變為65nm(比較例1)、43nm(比較例2)、54nm(比較例3)以及75nm(比較例4)而將一由CuOx(0<x，Cu及O的原子百分率比為60：40)所形成的暗化層沉積於 一作為一導電層之厚度為100nm的Cu電極上。測量比較例1至4之在可見光區波長下的反射率，而說明於圖8中。
<實施例7>
實施例7的導電結構體之製造係藉由使用一光學透明黏著劑(optical clear adhesive,OCA)來層疊實施例3的該導電結構體及一玻璃基板。實施例3及7在可見光區波長下的反射率說明於圖9中。
參見圖9，在層疊之後，在長波長的紅色區域中的反射率些微地增加，然在600nm以下的波長區域中的反射率些微地減少，因而可確認平均約10%的反射率。因此，當將該導電結構體應用於一觸控螢幕面板、一顯示裝置、一太陽能電池、以及諸如此類等，可得到優異的可見度。
<比較例5>
實施例5的導電結構體之製造係藉由使用一光學透明黏著劑(OCA)來層疊比較例1的該導電結構體及一玻璃基板。比較例1及5在可見光區波長下的反射率說明於圖10中。
參見圖10，在層疊該基板之後，在短波長的藍色區域中的光譜強度減少，而在在長波長的紅色區域中的光譜強度增加，因此，可觀察到一顯示紅色的樣品。
<實驗例3>
依據蝕刻時間的元素成分比率之分析
下面表2係一暗化層、一中間層以及作為一導 電層的一Cu電極層之成分比率深度分析，其係藉由一X光光電子光譜法(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)來進行測量，表示依據蝕刻時間的各個膜層之原子百分率成分比。參見下面表2，可以確認在該暗化層中銅：氧的原子百分率比為60：39至94：6，以及在該中間層中銅：氧的原子百分率比為95：5至97：3。此外，圖11說明依據該暗化層、該中間層、以及該導電層的原子百分率。
<實施例8至12>
一種導電結構體的製造係藉由使用一反應性 濺鍍法而將一由AlOxNy(0<x，0<y<0.3)所形成且厚度為30nm的中間層沉積於一作為一導電層之厚度為80nm的Al電極上，接著於該中間層上將一由AlOxNy(0<x，0.3y<1)所形成的暗化層沉積至厚度為40nm(實施例8)、50nm(實施例9)、60nm(實施例10)、70nm(實施例11)以及80nm(實施例12)。
測量實施例8至12中在可見光區波長下的反 射率，而說明於圖12中。參見圖12，可以確認實施例8至12之在自300nm至800nm之整個可見光波長區段中的反射率為20%以下，以及實施例8至10之在自300nm至800nm之整個可見光波長區段中的平均反射率為10%以下。
因此，應可理解上述實施例在所有範疇中非為限制性的而是示範性的。本發明的範圍係由隨文檢附的申 請專利範圍所定義，而非其前面的說明，因此，落入申請專利範圍的界限與範圍內的所有變化及修飾、或這類界限與範圍的等效物意欲要由申請專利範圍所涵蓋。
100‧‧‧基板
200‧‧‧暗化層
300‧‧‧導電層
400‧‧‧中間層

Claims (35)

  1. 一種導電結構體，包括：一基板；一導電層；至少一中間層；以及一暗化層，其中該導電層包括銅，該中間層及該暗化層包括一銅之氧化物，且在該中間層的總組成中銅的原子百分率為在該暗化層的總組成中銅的原子百分率之1.01倍至1.62倍，或其中該導電層包括鋁，該中間層包括一鋁的氮氧化物，其中在該中間層的總組成中的氮的原子百分率係大於0%且小於20%，且該暗化層包括一鋁的氮氧化物，其中在該暗化層的總組成中氮的原子百分率係20%以上以及45%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該導電層係配置於該基板及該暗化層之間，且該至少一中間層係配置於該導電層及該暗化層之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該暗化層係配置於該基板及該導電層之間，且該至少一中間層係配置於該導電層及該暗化層之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該導電結構體之全反射率係20%以下。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該導電結構體之全反射率係15%以下。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該導電結構體之全反射率係10%以下。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該 導電層、該中間層、或該暗化層的薄片電阻值係大於0Ω/□且在10Ω/□以下。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該暗化層的消光係數k係0.2以上以及2.5以下。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該中間層及該暗化層係各自獨立地包括一或兩者以上擇自由下列所組成之群組：一金屬的氧化物、一金屬的氮化物、一金屬的氮氧化物、以及一金屬的碳化物，且在該中間層的總組成中，一金屬的原子百分率係在該暗化層的總組成中一金屬的原子百分率之大於一倍且在兩倍以下。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之導電結構體，其中該金屬係一或兩者以上擇自由下列所組成之群組：Ni、V、W、Ta、Mo、Nb、Ti、Fe、Cr、Co、Al、以及Cu。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該中間層或該暗化層包括一介電材料及一金屬中之至少一者。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之導電結構體，其中該介電材料係擇自由下列所組成之群組：TiO2-x、SiO2-x、MgF2-x以及SiN1.3-x(-1x1)，且該金屬係一或兩者以上之合金，擇自由下列所組成之群組：Fe、Co、Ti、V、Al、Mo、Cu、Au、以及Ag。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該導電層包括一個以上之材料擇自由下列所組成之群組：一金屬、一金屬合金、一金屬氧化物、以及一金屬 氮化物，且該材料的比電阻值係自1×10-6Ω．cm至30×10-6Ω．cm。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該導電層包括一或兩者以上擇自由下列所組成之群組：Cu、Al、Ag、Nd、Mo、Ni、其之氧化物、以及其之氮化物。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該暗化層、該中間層、以及該導電層包括相同的金屬。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該導電層包括銅，該中間層包括一銅之氧化物，其中銅：氧的原子百分率比為95：5至97：3，且該暗化層包括一銅之氧化物，其中銅：氧的原子百分率比為60：39至94：6。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該導電層包括銅，該中間層及該暗化層包括一銅之氧化物，且該中間層具有一梯度，其中當該中間層在厚度方向上靠近該暗化層時在該中間層的總組成中銅的原子百分率會下降，在該中間層中一銅：氧的平均原子百分率比係95：5至97：3，且在該暗化層中銅：氧的原子百分率比係60：39至94：6。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該中間層的厚度為5nm至50nm。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該暗化層的厚度為20nm至150nm。
  20. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中 該導電層的厚度為0.01μm至10μm。
  21. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該暗化層係配置於該導電層的至少一表面上。
  22. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該導電層、該中間層、或該暗化層係經圖案化。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之導電結構體，其中該導電結構體的薄片電阻值係自1Ω/□至300Ω/□。
  24. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該導電層、該中間層、以及該暗化層係經圖案化，且在該經圖案化的導電層中一圖案的線寬為10μm以下。
  25. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該導電層、該中間層、以及該暗化層係經圖案化，且在該經圖案化的中間層中一圖案的線寬以及在該經圖案化的暗化層中一圖案的線寬係各自等於或大於在該經圖案化的導電層中一圖案的線寬。
  26. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構體，其中該導電層、該中間層、以及該暗化層係經圖案化，且該經圖案化的中間層以及該經圖案化的暗化層各自的面積為一其中配置有該經圖案化的導電層之面積的80%至120%。
  27. 一種觸控螢幕面板，包括如申請專利範圍第1至26項中任一項所述之導電結構體。
  28. 一種顯示裝置，包括如申請專利範圍第1至26項中任一項所述之導電結構體。
  29. 一種太陽能電池包括如申請專利範圍第1至26項 中任一項所述之導電結構體。
  30. 一種導電結構體的製造方法，該方法包括：形成至少一中間層於一導電層上；形成一暗化層於該中間層上；以及層疊該導電層或該暗化層以及一基板，其中該導電層包括銅，該中間層及該暗化層包括一銅之氧化物，且在該中間層的總組成中銅的原子百分率為在該暗化層的總組成中銅的原子百分率之1.01倍至1.62倍，或其中該導電層包括鋁，該中間層包括一鋁的氮氧化物，其中在該中間層的總組成中的氮的原子百分率係大於0%且小於20%，且該暗化層包括一鋁的氮氧化物，其中在該暗化層的總組成中氮的原子百分率係20%以上以及45%以下。
  31. 一種導電結構體的製造方法，該方法包括：形成一導電層於一基板上；形成至少一中間層於該導電層上；以及形成一暗化層於該中間層上，其中該導電層包括銅，該中間層及該暗化層包括一銅之氧化物，且在該中間層的總組成中銅的原子百分率為在該暗化層的總組成中銅的原子百分率之1.01倍至1.62倍，或其中該導電層包括鋁，該中間層包括一鋁的氮氧化物，其中在該中間層的總組成中的氮的原子百分率係大於0%且小於20%，且該暗化層包括一鋁的氮氧化物，其中在該暗化層的總組成中氮的原子百分率係20%以上以及45%以下。
  32. 如申請專利範圍第30或31項所述之製造方法，更包括：分開或同時圖案化該導電層、該中間層、以及該暗化層。
  33. 如申請專利範圍第30或31項所述之製造方法，其中該中間層或該暗化層的形成係利用一反應性濺鍍法。
  34. 一種導電結構體的製造方法，該製造方法包括：形成一經圖案化的導電層於一基板上；形成至少一經圖案化的中間層於該經圖案化的導電層上；以及形成一經圖案化的暗化層於該經圖案化的中間層上，其中該導電層包括銅，該中間層及該暗化層包括一銅之氧化物，且在該中間層的總組成中銅的原子百分率為在該暗化層的總組成中銅的原子百分率之1.01倍至1.62倍，或其中該導電層包括鋁，該中間層包括一鋁的氮氧化物，其中在該中間層的總組成中的氮的原子百分率係大於0%且小於20%，且該暗化層包括一鋁的氮氧化物，其中在該暗化層的總組成中氮的原子百分率係20%以上以及45%以下。
  35. 如申請專利範圍第34項所述之製造方法，其中該經圖案化的中間層或該經圖案化的暗化層的形成係利用一反應性濺鍍法。
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