JP6528597B2 - 導電性基板、および導電性基板の製造方法 - Google Patents
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Description
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に配置された銅層と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に配置され、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層と、を備え、
前記黒化層は、前記酸素を43原子%以上60原子%以下含有し、
前記黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計を100原子%とした場合に、前記黒化層中の前記モリブデンの含有量が5原子%以上40原子%以下であり、
前記黒化層中の前記銅の含有量が30原子%以上70原子%以下であり、
前記黒化層中の前記ニッケルの含有量が15原子%以上65原子%以下である導電性基板を提供する。
(導電性基板)
本実施形態の導電性基板は、透明基材と、
透明基材の少なくとも一方の面側に配置された銅層と、
透明基材の少なくとも一方の面側に配置され、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層(以下、単に「黒化層」とも記載する)と、を備えた構成とすることができる。
そして、黒化層は、酸素を43原子%以上60原子%以下含有し、黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計を100原子%とした場合に、黒化層中のモリブデンの含有量が5原子%以上であることが好ましい。
(導電性基板の製造方法)
次に本実施形態の導電性基板の製造方法の構成例について説明する。
透明基材を準備する透明基材準備工程と、
透明基材の少なくとも一方の面側に銅層を形成する銅層形成工程と、
透明基材の少なくとも一方の面側に、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層を形成する黒化層形成工程と、を有することができる。
そして、黒化層は、酸素を43原子%以上60原子%以下含有し、黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計を100原子%とした場合に、黒化層中のモリブデンの含有量が5原子%以上であることが好ましい。
これは黒化層に含まれる金属元素中の銅の含有割合が30原子%未満ではエッチング性が悪くなる場合があるためである。また黒化層に含まれる金属元素中の銅の含有割合が70原子%を超えると耐環境性が低下する場合があるためである。
(評価方法)
(1)光学特性(反射率、明度、色度)
以下の実験例において作製した導電性基板について、光学特性(反射率)の測定を行い、必要に応じて測定した光学特性(反射率)から明度(L*)、色度(a*、b*)を算出した。
(2)溶解試験
以下の実験例1において作製した、透明基材上に黒化層を形成した試料をエッチング液に浸漬して黒化層の溶解試験を行った。
(3)EDS分析
実験例1において作製した、透明基材上に黒化層を形成した試料の黒化層の組成について、SEM−EDS装置(SEM:日本電子株式会社製 型式:JSM−7001F、EDS:サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製 型式:検出器 UltraDry 解析システム NORAN System 7)によりEDS分析を行った。
(4)耐環境性試験
実験例2において、透明基材上に銅層と黒化層とを形成した試料を温度60℃、湿度90%の恒温恒湿槽中に100時間入れて耐環境性試験を行った。
[実験例1]
実験例1においては、以下に示す実験例1−1〜実験例1−28の28種の試料を作製し、黒化層の組成についてのEDS分析、及び溶解試験を実施した。
(ターゲットについて)
本実験例では後述のように、透明基材上に黒化層を形成した試料を作製したが、黒化層成膜時には、以下の表1に示す7種類のターゲットを用いている。なお、黒化層を成膜する際には、以下の表1に示すターゲットを単体、または2枚用いてスパッタリング法により成膜しており、2枚用いて成膜する場合には2元同時スパッタにより成膜している。
(試料の作製条件、評価結果)
本実験例では、透明基材であるPET基材上に、酸素、銅、ニッケル、及びモリブデンを含有する黒化層を形成した実験例1−1〜実験例1−28の合計28個の試料を作製した。具体的な手順について、実験例1−1の場合を例に以下に説明する。
以下の手順により、透明基材上に銅層、及び黒化層を形成し、各層の積層方向と平行な面における断面が図1(a)と同様の構成を有する導電性基板を作製し、耐環境性試験の評価を実施した。
11、11A、11B 透明基材
12、12A、12B 銅層
13、13A、13B、131、132、131A、131B、132A、132B、32A、32B 黒化層
31A、31B 配線
Claims (8)
- 透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に配置された銅層と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に配置され、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層と、を備え、
前記黒化層は、前記酸素を43原子%以上60原子%以下含有し、
前記黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計を100原子%とした場合に、前記黒化層中の前記モリブデンの含有量が5原子%以上40原子%以下であり、
前記黒化層中の前記銅の含有量が30原子%以上70原子%以下であり、
前記黒化層中の前記ニッケルの含有量が15原子%以上65原子%以下である導電性基板。 - 前記銅層は厚さが100nm以上であり、
前記黒化層は厚さが20nm以上で40nm以下である請求項1に記載の導電性基板。 - 前記透明基材の前記銅層が配置された側の面の濡れ張力が35mN/m以上である請求項1または請求項2に記載の導電性基板。
- 波長550nmの光の反射率が30%以下である請求項1乃至3のいずれか一項に記載の導電性基板。
- メッシュ状の配線を備えた請求項1乃至4のいずれか一項に記載の導電性基板。
- 透明基材を準備する透明基材準備工程と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に銅層を形成する銅層形成工程と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に、酸素、銅、ニッケル及びモリブデンを含有する黒化層を形成する黒化層形成工程と、を有し、
前記黒化層は、前記酸素を43原子%以上60原子%以下含有し、
前記黒化層中の銅、ニッケル、及びモリブデンの含有量の合計を100原子%とした場合に、前記黒化層中の前記モリブデンの含有量が5原子%以上40原子%以下であり、
前記黒化層中の前記銅の含有量が30原子%以上70原子%以下であり、
前記黒化層中の前記ニッケルの含有量が15原子%以上65原子%以下である導電性基板の製造方法。 - 前記黒化層形成工程は、
銅−ニッケル−モリブデン混合焼結ターゲットを用い、
酸素を25体積%以上55体積%以下の割合で含有するガスをチャンバー内に供給しながらスパッタリング法により、前記黒化層を成膜する請求項6に記載の導電性基板の製造方法。 - 前記透明基材準備工程において、前記透明基材のうち前記銅層を形成する側の面に易密着性処理を実施し、濡れ張力を35mN/m以上とする請求項6または請求項7に記載の導電性基板の製造方法。
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