TWI536120B - 基板台總成，浸潤式微影裝置及器件製造方法 - Google Patents

基板台總成，浸潤式微影裝置及器件製造方法 Download PDF

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Description

基板台總成，浸潤式微影裝置及器件製造方法
本發明係關於一種基板台總成、一種浸潤式微影裝置，及一種用於使用浸潤式微影裝置來製造器件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
已提議將微影投影裝置中之基板浸潤於具有相對高折射率之液體(例如，水)中，以便填充在投影系統之最終元件與基板之間的空間。在一實施例中，液體為蒸餾水，但可使用另一液體。將參考液體來描述本發明之一實施例。然 而，另一流體可合適，特別是濕潤流體、不可壓縮流體，及/或折射率高於空氣之折射率(理想地，高於水之折射率)之流體。排除氣體之流體特別理想。此情形之要點係實現較小特徵之成像，此係因為曝光輻射在液體中將具有較短波長。(液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(NA)且亦增加聚焦深度)。已提議其他浸潤式液體，包括懸浮有固體粒子(例如，石英)之水，或具有奈米粒子懸浮液(例如，最大尺寸高達10奈米之粒子)之液體。懸浮粒子可能具有或可能不具有相似於或相同於懸浮有該等粒子之液體之折射率的折射率。可合適之其他液體包括烴，諸如，芳族、氟代烴及/或水溶液。
將基板或基板及基板台浸沒於液體浴中(參見(例如)美國專利第4,509,852號)意謂在掃描曝光期間存在必須被加速之大液體本體。此情形需要額外或更強大之馬達，且液體中之擾動可能導致不理想且不可預測之效應。
在浸潤式裝置中，藉由流體處置系統、器件結構或裝置來處置浸潤式流體。在一實施例中，流體處置系統可供應浸潤式流體且因此為流體供應系統。在一實施例中，流體處置系統可至少部分地限制浸潤式流體且藉此為流體限制系統。在一實施例中，流體處置系統可提供對浸潤式流體之障壁且藉此為障壁構件，諸如，流體限制結構。在一實施例中，流體處置系統可創製或使用氣流，例如，以幫助控制浸潤式流體之流動及/或位置。氣流可形成用以限制浸潤式流體之密封件，因此，流體處置結構可被稱作密封 構件；此密封構件可為流體限制結構。在一實施例中，將浸潤式液體用作浸潤式流體。在彼狀況下，流體處置系統可為液體處置系統。關於前述描述，在此段落中對關於流體所定義之特徵的參考可被理解為包括關於液體所定義之特徵。
與基板接觸之浸潤式流體之蒸發可造成基板之冷卻。此冷卻可造成基板之變形。基板之變形可在形成於基板上之圖案中造成誤差。基板台之溫度可受到控制以將熱提供至基板且補償由浸潤式液體之蒸發造成之冷卻。然而，可難以使用此途徑來提供足夠快速且準確之補償。
舉例而言，需要提供基板歸因於浸潤式液體之蒸發之冷卻的改良型補償。
根據一態樣，提供一種用於一浸潤式微影裝置之基板台總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；及一氣體處置系統，其用以將一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中藉由該氣體處置系統提供之該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率，其中藉由該氣體處置系統提供之該氣體包含H2。
根據一態樣，提供一種用於一浸潤式微影裝置之基板台總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；及一氣體處置系統，其用以將一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中藉由該氣 體處置系統提供之該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率，且其中該基板台包含：一供應通口(supply port)，其用以將該氣體自該氣體處置系統供應至該基板與該基板台之間的該區；及一萃取通口(extraction port)，其用以自該區萃取流體，該萃取通口包含一周邊萃取通口，該周邊萃取通口經組態以提供周圍氣體、浸潤式流體或其兩者自鄰近於該基板之周邊之一區的一橫向向內流動。
根據一態樣，提供一種用於一浸潤式微影裝置之基板台總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；及一氣體處置系統，其用以將一第一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中藉由該氣體處置系統提供之該第一氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率，其中該氣體處置系統經進一步組態以將一緩衝氣體作為一第二氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的該區，該緩衝氣體之組合物不同於該第一氣體之組合物。
根據一態樣，提供一種用於一浸潤式微影裝置之基板台總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；及一氣體處置系統，其用以將一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中藉由該氣體處置系統提供之該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率，且其中該基板台包含具有一開口之一通孔，該開口通向該基板與該基板台之間的該區。
根據一態樣，提供一種用於一浸潤式微影裝置之基板台總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；一氣體處置系統，其用以將一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中藉由該氣體處置系統提供之該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率；及一邊緣密封件，其用以在該基板上方之該區與該基板同該基板台中間之該區之間的該基板之一外部周邊邊緣處提供一密封，其中該總成經組態以提供具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之該氣體自鄰近於該基板之周邊之一區的一橫向向內流動。
根據一態樣，提供一種用於一浸潤式微影裝置之基板台總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；及一氣體處置系統，其用以將一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中藉由該氣體處置系統提供之該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率，且其中該氣體處置系統包含一沖洗儲集器以在大於大氣壓力之一壓力下儲存具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之氣體。
根據一態樣，提供一種用於一浸潤式微影裝置之基板台總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；及一氣體處置系統，其用以將一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中藉由該氣體處置系統提供之該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率，且該氣體處置系統包含一再處理系統以自已傳遞通過該基板與該基板台之間的該區之流體萃取具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之氣體。
根據一態樣，提供一種用於一浸潤式微影裝置之基板台總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；一氣體處置系統，其用以將一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中藉由該氣體處置系統提供之該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率；及一抽吸儲集器，其經組態以固持於一部分真空下且可選擇性地連接至該基板與該基板台之間的該區以自該區移除流體。
根據一態樣，提供一種用於一浸潤式微影裝置之基板台總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；及一液體處置系統，其用以將一液體提供至該基板台與安裝於該基板台上之該基板之間的一區，以便在使用時覆蓋該基板台之與該基板直接相對之部分之表面積的至少20%。
根據一態樣，提供一種用於一浸潤式微影裝置之基板台總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；及一氣體處置系統，其用以將一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中該基板台包含具有一開口之一通孔，該開口通向該基板與該基板台之間的該區，且該總成進一步包含環繞該通孔之該開口之 一通孔流動限定結構，該通孔流動限定結構圍繞該開口形成一閉合路徑。
根據一態樣，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至一投影系統與一基板之間的一空間之一浸潤式液體投影一經圖案化輻射光束；及將氣體提供至該基板與一基板台之間的一區，其中該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率，其中該氣體包含H2。
根據一態樣，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至一投影系統與一基板之間的一空間之一浸潤式液體投影一經圖案化輻射光束；將氣體提供至該基板與一基板台之間的一區，其中該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率；及提供周圍氣體、浸潤式流體或其兩者自鄰近於該基板之周邊之一區的一橫向向內流動。
根據一態樣，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至一投影系統與一基板之間的一空間之一浸潤式液體投影一經圖案化輻射光束；將一第一氣體提供至該基板與一基板台之間的一區，其中該第一氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率；及將一緩衝氣體作為一第二氣體提供至該基板與該基板台之間的該區，該緩衝氣體之組合物不同於該第一氣體之組合物。
根據一態樣，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至一投影系統與一基板之間的一空間之 一浸潤式液體投影一經圖案化輻射光束；及將氣體提供至該基板與一基板台之間的一區，其中該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率，且其中該基板台包含具有一開口之一通孔，該開口通向該基板與該基板台之間的該區。
根據一態樣，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至一投影系統與一基板之間的一空間之一浸潤式液體投影一經圖案化輻射光束；將氣體提供至該基板與一基板台之間的一區，其中該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率；在該基板上方之該區與該基板同該基板台中間之該區之間的該基板之一外部周邊邊緣處進行密封；及提供具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之該氣體自鄰近於該基板之周邊之一區的一橫向向內流動。
根據一態樣，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至一投影系統與一基板之間的一空間之一浸潤式液體投影一經圖案化輻射光束；將氣體提供至該基板與一基板台之間的一區，其中該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率；及自已傳遞通過該基板與該基板台之間的該區之流體萃取具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之氣體，以便再使用該經萃取氣體。
根據一態樣，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至一投影系統與一基板之間的一空間之 一浸潤式液體投影一經圖案化輻射光束；及將液體提供至該基板與支撐該基板之一基板台之間的一區，以便覆蓋該基板台之與該基板直接相對之部分之表面積的至少20%。
根據一態樣，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至一投影系統與一基板之間的一空間之一浸潤式液體投影一經圖案化輻射光束；及將氣體提供至該基板與一基板台之間的一區，其中該基板台包含具有一開口之一通孔，該開口通向該基板與該基板台之間的該區，且其中一通孔流動限定結構環繞該通孔之該開口，該通孔流動限定結構圍繞該開口形成一閉合路徑。
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。該裝置包含：- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；- 支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位圖案化器件MA之第一***PM；- 支撐台，例如，用以支撐一或多個感測器之感測器台，或經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈基板)W之基板台WT，該支撐台連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該台之表面(例如，基板W之表面)之第二*** PW；及- 投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、反射折射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT固持圖案化器件MA。支撐結構以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化器件MA(例如)相對於投影系統PS處於所要位置。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件MA可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤式液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個或兩個以上台(或載物台或支撐件)之類型，例如，兩個或兩個以上基板台，或一或多個基板台與一或多個清潔、感測器或量測台之組合。舉例而言，在一實施例中，微影裝置為包含位於投影系統之曝光側處之兩個或兩個以上台的多載物台裝置，每一台包含及/或固持一或多個物件。在一實施例中，該等台中之一或多者可固持輻射敏感基板。在一實施例中，該等台中之一或 多者可固持用以量測來自投影系統之輻射之感測器。在一實施例中，多載物台裝置包含經組態以固持輻射敏感基板之第一台(亦即，基板台)，及經組態以不固持輻射敏感基板之第二台(在下文中通常(但不限於)被稱作量測、感測器及/或清潔台)。第二台可包含及/或可固持除了輻射敏感基板以外之一或多個物件。此一或多個物件可包括選自以下各者之一或多者：用以量測來自投影系統之輻射之感測器、一或多個對準標記，及/或清潔器件(用以清潔(例如)液體限制結構)。
在此等「多載物台」機器中，可並行地使用多個台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。微影裝置可具有可以相似於基板、清潔、感測器及/或量測台之方式並行地使用之兩個或兩個以上圖案化器件台(或載物台或支撐件)。
在一實施例中，微影裝置可包含用以量測該裝置之組件之位置、速度等等的編碼器系統。在一實施例中，該組件包含基板台。在一實施例中，該組件包含量測及/或感測器及/或清潔台。編碼器系統可為對本文針對台所提及之干涉計系統之添加或替代。編碼器系統包含與尺度或柵格相關聯(例如，配對)之感測器、傳感器或讀頭。在一實施例中，可移動組件(例如，基板台及/或量測及/或感測器及/或清潔台)具有一或多個尺度或柵格，且該組件移動所相對的微影裝置之框架具有感測器、傳感器或讀頭中之一或多者。一或多個感測器、傳感器或讀頭與尺度或柵格合作 以判定組件之位置、速度等等。在一實施例中，組件移動所相對的微影裝置之框架具有一或多個尺度或柵格，且可移動組件(例如，基板台及/或量測及/或感測器及/或清潔台)具有與尺度或柵格合作以判定該組件之位置、速度等等的感測器、傳感器或讀頭中之一或多者。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO與微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源SO形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器IL之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。相似於輻射源SO，可能認為或可能不認為照明器IL形成微影裝置之部件。舉例而言，照明器IL可為微影裝置之整體部件，或可為與微影裝置分離之實體。在後者狀況下，微影裝置可經組態以允許照明器IL安裝於其上。視情況，照明器IL 係可拆卸的，且可被分離地提供(例如，由微影裝置製造商或另一供應商提供)。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係藉由圖案化器件MA而圖案化。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二***PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一***PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一***PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二***PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定(至少在曝光期間)。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分C之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分C的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。在掃描方向上之隙縫之大小亦可部分地判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可在製造具有微米尺度或甚至奈米尺度特徵之組件時具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。
用於在投影系統PS之最終元件與基板之間提供液體之配置可分類成三種通用類別。此等類別為浴類型配置、所謂局域化浸潤式系統及全濕潤浸潤式系統。在浴類型配置中，基板W之實質上全部及(視情況)基板台WT之部分被浸沒於液體浴中。
局域化浸潤式系統使用液體供應系統，在液體供應系統中液體僅提供至基板之局域化區域。藉由液體填充之空間的平面小於基板之頂部表面的平面，且經填充有液體之區域相對於投影系統PS保持實質上靜止，而基板W在彼區域下方移動。圖2至圖6展示可用於此系統中之不同供應器件。存在密封特徵以將液體密封至局域化區域。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示一種已提議以安排此情形之方式。
在全濕潤配置中，液體係未受限制的。基板之整個頂部表面及基板台之全部或部分被覆蓋於浸潤式液體中。覆蓋至少該基板之液體之深度小。液體可為在基板上之液體膜，諸如，液體薄膜。浸潤式液體可供應至投影系統及面 對該投影系統之對向表面或供應於該投影系統及該對向表面附近(此對向表面可為基板及/或基板台之表面)。圖2至圖6之液體供應器件中任一者亦可用於此系統中。然而，密封特徵不存在、未被啟動、不如正常一樣有效率，或以其他方式對於將液體僅密封至局域化區域無效。
如圖2及圖3所說明，液體係藉由至少一入口而供應至基板上，較佳地，沿著基板相對於最終元件之移動方向。液體在已傳遞於投影系統下方之後係藉由至少一出口而移除。隨著在-X方向上於元件下方掃描基板，在元件之+X側處供應液體且在-X側處吸取液體。圖2示意性地展示如下配置：液體係經由入口被供應且在元件之另一側上藉由連接至低壓力源之出口被吸取。在圖2之說明中，沿著基板相對於最終元件之移動方向供應液體，但並非需要為此狀況。圍繞最終元件而定位之入口及出口之各種定向及數目係可能的；圖3中說明一實例，其中圍繞最終元件以規則圖案來提供在任一側上的入口與出口之四個集合。應注意，圖2及圖3中藉由箭頭來展示液體之流動方向。
圖4中展示具有局域化液體供應系統之另外浸潤式微影解決方案。液體係藉由投影系統PS之任一側上之兩個凹槽入口被供應，且藉由經配置成自該等入口徑向地向外之複數個離散出口被移除。入口可配置於中心具有孔之板中，且投影光束通過該孔被投影。液體係藉由投影系統PS之一側上之一個凹槽入口被供應，且藉由投影系統PS之另一側上之複數個離散出口被移除，從而在投影系統PS與基板W 之間造成液體薄膜之流動。對將使用入口與出口之哪一組合的選擇可取決於基板W之移動方向(入口與出口之另一組合係非作用中的)。應注意，圖4中藉由箭頭來展示流體及基板之流動方向。
已提議之另一配置係提供具有液體限制結構之液體供應系統，液體限制結構沿著在投影系統之最終元件與基板台之間的空間之邊界之至少一部分而延伸。圖5中說明此配置。
在一實施例中，微影裝置包含液體限制結構，液體限制結構具有液體移除器件，液體移除器件具有經覆蓋有網眼或相似多孔材料之入口。網眼或相似多孔材料提供在投影系統之最終元件與可移動台(例如，基板台)之間的空間中接觸浸潤式液體之二維孔陣列。在一實施例中，網眼或相似多孔材料包含蜂窩結構或其他多邊形網眼。在一實施例中，網眼或相似多孔材料包含金屬網眼。在一實施例中，網眼或相似多孔材料始終圍繞微影裝置之投影系統之影像場而延伸。在一實施例中，網眼或相似多孔材料位於液體限制結構之底部表面上且具有面向台之表面。在一實施例中，網眼或相似多孔材料具有大體上平行於台之頂部表面的其底部表面之至少一部分。
圖5示意性地描繪局域化液體供應系統或流體處置結構12，其沿著在投影系統之最終元件與基板台WT或基板W之間的空間之邊界之至少一部分而延伸。(請注意，另外或在替代例中，除非另有明確陳述，否則在以下本文中對 基板W之表面的參考亦指代基板台之表面)。流體處置結構12在XY平面中相對於投影系統實質上靜止，但在Z方向上(在光軸之方向上)可能存在某相對移動。在一實施例中，密封件形成於流體處置結構12與基板W之表面之間，其可為諸如氣體密封件(歐洲專利申請公開案第EP-A-1,420,298號中揭示具有氣體密封件之此系統)或液體密封件之無接觸密封件。
流體處置結構12使在投影系統PS之最終元件與基板W之間的空間11中至少部分地含有液體。對基板W之無接觸密封件16可圍繞投影系統PS之影像場而形成，使得將液體限制於在基板W之表面與投影系統PS之最終元件之間的空間內。空間11係藉由定位於投影系統PS之最終元件下方且環繞投影系統PS之最終元件的流體處置結構12至少部分地形成。藉由液體入口13將液體帶入至在投影系統PS下方且在流體處置結構12內之空間中。可藉由液體出口13來移除液體。流體處置結構12可延伸至略高於投影系統之最終元件。液體液位上升至高於最終元件，使得提供液體緩衝。在一實施例中，流體處置結構12具有內部周邊，內部周邊在上部末端處緊密地符合投影系統或其最終元件之形狀且可(例如)為圈狀。在底部處，內部周邊緊密地符合影像場之形狀，例如，矩形，但並非需要為此狀況。
可藉由氣體密封件16而使在空間11中含有液體，氣體密封件16在使用期間形成於流體處置結構12之底部與基板W之表面之間。氣體密封件係藉由氣體形成。在壓力下經由 入口15而將氣體密封件中之氣體提供至在流體處置結構12與基板W之間的間隙。經由出口14而萃取氣體。氣體入口15上之過壓、出口14上之真空位準及間隙之幾何形狀經配置成使得在內部存在限制液體之高速氣流16。氣體對在流體處置結構12與基板W之間的液體之力使在空間11中含有液體。入口/出口可為環繞空間11之環形凹槽。環形凹槽可連續或不連續。氣流16對於使在空間11中含有液體有效。全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2004-0207824號中揭示此系統。在一實施例中，流體處置結構12不具有氣體密封件。
圖6說明為液體供應系統之部件之流體處置結構12。流體處置結構12圍繞投影系統PS之最終元件之周邊(例如，圓周)而延伸。
部分地界定空間11之表面中之複數個開口20將液體提供至空間11。液體在進入空間11之前分別通過各別腔室24、26而傳遞通過側壁28中之開口29及側壁22中之開口20。
密封件提供於流體處置結構12之底部與對向表面(例如，基板W或基板台WT或其兩者)之間。在圖6中，密封器件經組態以提供無接觸密封件且係由若干組件構成。自投影系統PS之光軸徑向地向外，提供延伸至空間11中之(選用)流動控制板51。控制板51可具有開口55以准許流動液體通過開口55；若控制板51在Z方向(例如，平行於投影系統PS之光軸)上位移，則開口55可有益。開口180可在面對對向表面(例如，基板W)(例如，與對向表面(例如，基板 W)相對)的流體處置結構12之底部表面上自流動控制板51徑向地向外。開口180可在朝向對向表面之方向上提供液體。在成像期間，此情形可有用於藉由將在基板W與基板台WT之間的間隙填充有液體而防止浸潤式液體中之氣泡形成。
用以自流體處置結構12與對向表面之間萃取液體之萃取器總成70可自開口180徑向地向外。萃取器總成70可作為單相萃取器或作為雙相萃取器而操作。萃取器總成70充當液體之彎液面320之彎液面牽制特徵。
氣刀90可自萃取器總成徑向地向外。全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2006/0158627號中詳細地揭示萃取器總成及氣刀之配置。
作為單相萃取器之萃取器總成70可包含液體移除器件、萃取器或入口，諸如，全文以引用之方式併入本文中的美國專利申請公開案第US 2006-0038968號中所揭示之萃取器總成。在一實施例中，液體移除器件70包含被覆蓋於多孔材料111中之入口120，多孔材料111用以使液體與氣體分離以實現單液相液體萃取。腔室121中之負壓經選擇成使得形成於多孔材料111之孔中的彎液面防止周圍氣體被牽曳至液體移除器件70之腔室121中。然而，當多孔材料111之表面接觸液體時，不存在用以限定流動之彎液面，且液體可自由地流動至液體移除器件70之腔室121中。
多孔材料111具有大數目個小孔，該等小孔各自具有在5微米至50微米之範圍內之尺寸，例如，寬度，諸如，直 徑。可使多孔材料111維持於在高於諸如對向表面之表面(例如，基板W之表面)50微米至300微米之範圍內的高度，液體將自該對向表面被移除。在一實施例中，多孔材料111具至少稍微親液性，亦即，與浸潤式液體(例如，水)成小於90°、理想地小於85°或理想地小於80°之動態接觸角。
自氣刀90徑向地向外可提供一或多個出口210以自氣刀90移除氣體及/或移除可經過氣刀90而逸出之液體。一或多個出口210可位於氣刀90之一或多個出口之間。為了促進流體(氣體及/或液體)至出口210之導向，可在液體限制結構12中提供凹座220，凹座220自氣刀90之出口及/或自氣刀90之出口之間被引導朝向出口210。
儘管圖6中未特定地說明，但液體供應系統具有用以應付液體液位之變化之配置。此情形係使得可應付積聚於投影系統PS與液體限制結構12之間(且形成彎液面400)的液體且不會使該液體逸出。一種應付此液體之方式係提供疏液性(例如，疏水性)塗層。該塗層可圍繞流體處置結構12之頂部形成環繞開口之帶狀物，及/或圍繞投影系統PS之最後光學元件形成帶狀物。塗層可自投影系統PS之光軸徑向地向外。疏液性(例如，疏水性)塗層幫助使浸潤式液體保持於空間11中。或者或另外，可提供一或多個出口201以移除到達相對於結構12之某一高度之液體。
另一局域化區域配置為使用氣體拖曳原理之流體處置結構。舉例而言，美國專利申請公開案第US 2008-0212046 號、第US 2009-0279060號及第US 2009-0279062號中已描述所謂氣體拖曳原理。在彼系統中，萃取孔經配置為呈可理想地具有隅角之形狀。隅角可與較佳移動方向(諸如，步進方向或掃描方向)對準。對於在較佳方向上之給定速率，相比於在流體處置結構之表面中之兩個出口經對準成垂直於較佳方向的情況，隅角可與較佳移動方向對準的情況縮減對在流體處置結構之表面中之兩個開口之間的彎液面之力。然而，本發明之一實施例可應用於流體處置系統，流體處置系統在平面圖中具有任何形狀，或具有諸如經配置為呈任何形狀之萃取開口之組件。在一非限制性清單中，此形狀可包括諸如圓圈之橢圓、諸如矩形之直線形狀(例如，正方形)，或諸如斜方形之平行四邊形，或諸如具有四個或四個以上尖角之星形的具有四個以上隅角之有隅角形狀。
在本發明之一實施例可涉及的US 2008/0212046 A1之系統之變化中，開口被配置所呈之有隅角形狀之幾何形狀允許針對在掃描方向及步進方向兩者上所對準之隅角而存在尖銳隅角(介於約60°與90°之間，理想地介於75°與90°之間，且最理想地介於75°與85°之間)。此情形允許在每一經對準隅角之方向上之速率增加。此係因為歸因於在掃描方向上之不穩定彎液面(例如，在超過臨界速率時)的液體小滴之創製會縮減。在隅角與掃描方向及步進方向兩者對準時，可在彼等方向上達成增加速率。理想地，在掃描方向上之移動速率與在步進方向上之移動速率可實質上相等。
如上文所解釋，浸潤式液體自基板W之表面之之蒸發可造成基板W之冷卻及變形。可藉由補償冷卻來縮減變形。舉例而言，可藉由加熱基板W來補償冷卻。舉例而言，可藉由加熱基板W下方之基板台WT來加熱基板W。可藉由使經加熱流體穿過形成於基板台WT內之通道來加熱基板台WT。為了提供基板W在安裝於基板台WT上時之平坦度，限制基板W與基板台WT之間的接觸面積。在一實施例中，藉由將基板W安裝於基板台WT上之瘤節上來限制接觸面積。在一實施例中，接觸面積係在1%至3%之範圍內。限制與基板W之接觸面積會縮減污染物在基板台WT與基板W之間的接觸點處達到基板台WT同基板W中間的程度。然而，限制與基板W之接觸面積會縮減基板台WT與基板W之間的熱耦合品質。熱耦合品質之此縮減會縮減熱可在基板台WT與基板W之間轉移的效率。(例如)基板台WT之加熱可用以補償基板W之冷卻的效率因此會縮減。
即使當基板台WT之溫度未受到故意地(例如，主動地)控制以補償基板W之溫度變化時，基板台WT之存在仍將傾向於縮減溫度變化。此係因為基板台WT之熱容量通常比基板W之熱容量大得多。若在基板W與基板台WT之間存在某種熱耦合，則施加至基板W之熱負荷將在一定程度上共用於基板W與基板台WT之間。因此，基板W與基板台WT之間的熱耦合將傾向於縮減基板W之溫度變化之大小。此效應可被稱作「被動補償(passive compensation)」。改良基板W與基板台WT之間的熱耦合將會幫助改良此被動補償之效 率。
在一實施例中，將高熱導率氣體提供至基板W同基板台WT中間之區。在一實施例中，基板W同基板台WT中間之區之體積係大致藉由經支撐有基板W之瘤節之高度、形狀及間隔界定。在一實施例中，該氣體具有在298 K(室溫)下大於或等於100 mW/(m.K)之熱導率。100 mW/(m.K)意謂每公尺克耳文100毫瓦特，亦即，每公尺克耳文0.1瓦特。此氣體在下文中可被稱作「高熱導率氣體」。在一實施例中，高熱導率氣體包含：He(氦氣)，其具有在室溫下為157 mW/(m.K)之熱導率；H2(氫氣)，其具有在室溫下為187 mW/(m.K)之熱導率；或He與H2之混合物(及視情況，一或多種其他氣體)。高熱導率氣體改良基板台WT與基板W之間的熱耦合。改良型熱耦合可縮減基板W中歸因於上文所論述之被動補償效應之溫度梯度。在一實施例中，基板台之溫度受到主動地控制以補償基板W之測定及/或預測冷卻。在此實施例中，改良型熱耦合將改良主動補償可被進行之效率。舉例而言，可更準確地及/或以較短回應時間進行補償。在一實施例中，可將以下氣體中之一或多者提供至基板同基板台WT中間之區：空氣、氬氣，及/或氮氣。在一實施例中，提供空氣、氬氣及/或氮氣中之一或多者連同上文所提及之高熱導率氣體中之一或多者。在一實施例中，除了上文所提及之氣體或氣體混合物中任一者以外，亦提供水蒸氣。
圖7描繪包含氣體處置系統30之實施例，氣體處置系統 30用以將氣體提供至基板台WT與安裝於基板台WT上之基板W之間的區。藉由氣體處置系統30提供之氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之熱導率，理想地具有在298 K下大於150 mW/(m.K)之熱導率。在一實施例中，藉由供應管線32將氣體供應至基板台WT，且經由萃取管線34抽取氣體。在一實施例中，供應管線32將氣體供應至基板W與基板台WT之間的區之一部分，該部分橫向地(例如，相對於基板W及/或基板台WT之中心徑向地)位於供萃取管線34萃取該氣體之區內部。或者或另外，供應管線32可將氣體提供至基板W與基板台WT之間的區之一部分，該部分橫向地位於供萃取管線34萃取該氣體之區外部。一般而言，氣體可經配置以在任何方向上流動。然而，在某些實施例中，流動經配置為主要橫向地向內。在其他實施例中，流動經配置為主要橫向地向外。
圖8至圖13為圖7之配置中之基板台區的放大視圖。出於清晰之原因，未展示支撐基板W之瘤節，但應瞭解，將存在瘤節或其等效者。
圖8展示一實施例，其中基板台WT包含一或多個供應通口38以將氣體自氣體處置系統30供應至基板W與基板台WT之間的區40。又提供一或多個萃取通口42以自區40萃取流體。一或多個供應通口38可連接至位於一或多個供應通口38與供應管線32之間的中間供應空腔39。在一實施例中，中間供應空腔39具有複數個輸出，該等輸出各自對應於複數個供應通口38中之一或多者。中間供應空腔39可具 有通向供應管線32之僅單一出口。然而，在一實施例中，中間供應空腔39具有通向供應管線32之一個以上出口。在一實施例中，提供複數個供應管線32，供應管線32各自具有對單一中間供應空腔或至不同中間供應空腔之一分離連接件。中間供應空腔39提供一方便機構以用於使用有限數目個供應管線32(例如，一個供應管線32)以將流體供應至數目大於供應管線32之數目的供應通口38(例如，一個以上供應通口38)。在一實施例中，供應管線32中之一或多者直接連接至一或多個供應通口38，而沒有中間供應空腔39。
相似地，中間萃取空腔43可提供於一或多個萃取通口42同一或多個萃取管線34中間。在一實施例中，中間萃取空腔43具有通向對應複數個萃取通口42之複數個出口，及通向萃取管線34之單一出口。在一實施例中，中間萃取空腔43形成具有大小及形狀相似於基板之閉合迴路。舉例而言，中間萃取空腔43可經組態以穿過基板台WT之極近接於基板W之周邊邊緣47的區。舉例而言，中間萃取空腔43之軸線可為圓形。
在圖8所示之配置中，供應通口38及萃取通口42經定位成提供周圍氣體(例如，空氣)、浸潤式流體或其兩者自鄰近於基板W之周邊47之區45的橫向向內流動(箭頭41)。周圍氣體及/或浸潤式流體可通過小間隙49而進入，在一些實施例中，小間隙49可形成於基板W之周邊47與環繞已安裝基板W之組件(例如，用以安裝基板台WT之安裝塊體或 「編碼器塊體」，或基板台WT自身之部件)之上部表面之間。供應通口38及萃取通口42經組態以提供高傳導率氣體在直接鄰近於(例如，在橫向向內方向上直接鄰近於)萃取通口42(其在此實施例中可被稱作「周邊萃取通口」，此係因為其經定位成極近接於已安裝基板W之周邊47)之區中的橫向向外流動(箭頭57指示流動方向，影線區示意性地指示經填充有高傳導率氣體之部分)。
在一實施例中，周圍氣體、浸潤式流體或其兩者之向內流動(箭頭41)因此在周邊萃取通口42附近與高熱導率氣體之橫向向外流動(箭頭57)會合。因此，可使用相同萃取通口42來方便地移除此混合物(交叉影線部分)之全部，因此縮減針對額外萃取通口之需要。此外，周圍氣體、浸潤式流體或其兩者之向內流動會縮減高熱導率氣體通過鄰近於基板W之周邊47之間隙49而逸出的可能性。因此，藉由高熱導率氣體對基板W上方之區之污染的風險或程度可縮減。因此，由基板W上方之區中之周圍氣體之組合物改變造成的量測器具(例如，干涉量測系統)之破裂的風險或程度可縮減。
在一實施例中，將抽吸周圍氣體、浸潤式流體或其兩者之周邊萃取通口42提供成遠離於鄰近於基板W之周邊47之區45可有利地縮減氣泡進入基板W上方之區中之浸潤式液體的風險。或者或另外，周邊萃取通口42可有利地限制浸潤式流體朝向基板W下方之區40之中心部分前進的程度。因此，提供周邊萃取通口42會甚至在不存在氣體處置系統 30的情況下仍提供理想功能性以將高熱導率氣體提供至基板W下方之區40。調適高熱導率氣體被提供至區40以便有效率地與此等周邊萃取通口一起工作之方式會使能夠以最少額外硬體達成理想屬性。
在一實施例中，基板台WT具備周邊流動限定結構50A、50B以在基板W與基板台WT之間的區40之橫向內部部分與橫向外部部分之間限定流體流動。在所示實施例中，提供周邊流動限定結構對50：內部周邊流動限定結構50B及外部周邊流動限定結構50A，外部周邊流動限定結構50A徑向地位於內部結構50B外部且完全地環繞內部結構50B。對於內部周邊流動限定結構50B，橫向內部部分為在結構50B右側之部分，且橫向外部部分為在結構50B左側之部分。對於外部周邊流動限定結構50A，橫向內部部分為在結構50A右側之部分，且橫向外部部分為在結構50A左側之部分。在所示配置中，萃取通口42位於內部周邊流動限定結構50B與外部周邊流動限定結構50A之間。在一實施例中，周邊流動限定結構中之一或多者具有徑向地位於基板W之大部分外部(視情況，以基板W之中心為中心)之實質上圓形形狀。流動限定結構50A、50B中之一或多者可包含延伸至基板W之幾微米內之構件。該構件與該基板之間的受限定間隙增加流阻，且因此限定橫越流動限定結構50A、50B之流動。流動限定結構50A及50B促進使部分真空維持於橫向地位於內部流動限定結構50B內部之區中。在一實施例中，使用部分真空以將基板W夾持至基板台 WT。在內部流動限定結構50B與外部流動限定結構50A之間提供一或多個萃取通口42會進一步縮減高熱導率氣體逸出至基板W上方之區中的風險或程度。另外，流動限定結構50A、50B縮減藉由通過間隙49而進入之周圍氣體、浸潤式流體或其兩者對位於區40中之高熱導率氣體之污染的風險或程度。在一實施例中，提供僅一個周邊流動限定結構。在另一實施例中，提供兩個以上周邊流動限定結構。
在一實施例中，一或多個周邊萃取通口42可使真空維持於內部周邊流動限定結構50B與外部周邊流動限定結構50A之間的區中，該真空深於維持於橫向地位於內部結構50B內部之區中之真空。在一實施例中，外部周邊流動限定結構50A幫助防止高熱導率氣體通過間隙49而逸出至基板W之量測系統側。
在圖8所示之配置中，提供兩個周邊流動限定結構50A、50B，且一或多個周邊萃取通口42提供於兩個結構50A、50B中間。然而，在一實施例中，可提供一或多個周邊流動限定結構，其中在該或該等結構中間具有或沒有周邊萃取通口42。在一實施例中，兩個周邊流動限定結構50可在其中間不具備周邊萃取通口42。在一實施例中，可提供一或多個周邊萃取通口42，而無任何周邊流動限定結構50。在一實施例中，周邊萃取通口42可配置於(例如)環繞基板W下方之區40之大部分的閉合路徑中(當垂直於基板W之平面進行檢視時)。
圖9描繪基板之周邊區的放大視圖，其展示提供三個流 動限定結構之實施例：內部周邊流動限定結構50B、中間周邊流動限定結構50C及外部周邊流動限定結構50A。中間周邊流動限定結構50C橫向地位於結構50B外部(例如，完全地環繞結構50B)，但橫向地位於結構50A內部(例如，被結構50A環繞)。此實施例之三個結構50A、50B、50C促進使不同壓力(例如，不同真空位準)維持於四個相異區中：1)在結構50B內部之區；2)在結構50B與結構50C之間的區；3)在結構50C與結構50A之間的區；及4)在結構50A外部之區。在一實施例中，一或多個周邊萃取通口42可提供於結構50B同結構50C中間。在一實施例中，一或多個周邊流動萃取通口42可提供於結構50C同結構50A中間。在所示配置中，一或多個流動限定通口42既提供於結構50B與結構50C之間，又提供於結構50C與結構50A之間。藉由箭頭63、69、71及73示意性地展示用於此配置之實例非限制性流動圖案。在此配置中，結構50C與結構50A之間的周邊萃取通口42萃取通過間隙49而進入之周圍氣體及/或浸潤式液體之大多數。因此，相比於圖8所示之類型之實施例中的狀況，結構50C與結構50B之間的周邊萃取通口42接收較少周圍氣體及/或浸潤式液體。因此，存在於藉由結構50C與結構50B之間的周邊萃取通口42萃取之氣體中的高熱導率氣體之比例高得多，此情形可促進此氣體之再使用。舉例而言，也許有可能直接再使用藉由結構50C與結構50B之間的周邊萃取通口42萃取之氣體(而不採取首先純化經萃取氣體之任何步驟)。或者或另外，經萃 取氣體可歸因於較高起初純度而被更容易地再處理。在一實施例中，提供兩個流體萃取階段(亦即，在結構50A與結構50C之間的萃取，及在結構50C與結構50B之間的萃取)可進一步縮減周圍氣體及/或浸潤式液體到達最內部結構50B內部之區的機會及/或高熱導率氣體通過間隙49而逸出至基板W之量測側的機會。
圖10示意性地描繪一實施例之實例，其中基板台WT之位於基板W下方之部分包含一或多個通孔52(圖10中展示僅一個通孔52)。舉例而言，可提供此等通孔52以促進基板W自基板台WT之安裝及/或卸下。舉例而言，通孔52可經組態以容納銷釘(其可被稱作(例如)「升高銷釘(elevation pin)」)以推動基板W遠離於基板台WT及/或允許基板W至基板台WT上之受控制降低。或者或另外，通孔52可經組態以容納一或多個對準銷釘以使基板台WT與基板台WT下方之結構(諸如，編碼器塊體或安裝塊體)對準。舉例而言，對準銷釘可經組態以與形成於基板台WT下方之結構中之對應凹槽或孔嚙合。
通孔52包含通向基板台WT與基板W之間的區40之開口54。因此，也許有可能使通孔52提供使周圍氣體進入區40且污染高熱導率氣體之路線。此污染可縮減氣體之熱導率。因此，污染可縮減基板台WT與基板W之間的熱耦合之有效性。
在圖10之配置中，藉由提供環繞通向通孔52之開口54的通孔流動限定結構60之對60來縮減藉由來自通孔52之周圍 氣體之污染的風險或程度：外部通孔流動限定結構60A及內部通孔流動限定結構60B。舉例而言，外部通孔流動限定結構60A相對於該通孔可徑向地位於內部通孔流動限定結構60B外部(例如，外部結構60A可以閉合迴路完全地環繞內部結構60B)。視情況，一或多個通孔萃取通口62提供於外部結構60A同內部結構60B中間。在一實施例中，通孔萃取通口62包含中間通孔萃取空腔64。中間通孔萃取空腔64可視情況形成於環繞通孔52之閉合環(例如，圓形、多邊形或不規則閉合路徑)中。在一實施例中，提供複數個通孔萃取通口62，其遵循環繞通向通孔52之開口54之閉合路徑。在一實施例中，環繞給定通孔52之所有通孔萃取通口62皆連接至單一中間通孔萃取空腔64。在一實施例中，中間通孔萃取空腔64與氣體處置系統30之間的連接件之數目小於引開單一中間通孔萃取空腔64之通孔萃取通口62之數目。舉例而言，僅在氣體處置系統30與中間通孔萃取空腔64之間可能存在單一連接件。
在一實施例中，可與圖9所示之配置類似地提供環繞一或多個通孔中每一者之兩個以上流動限定結構。圖11中展示具有中間流動限定結構60C之實例配置，圖11為鄰近於通孔52之區的放大視圖。一或多個通孔萃取通口62可提供於鄰近通孔流動限定結構之間的區中至少兩者中。在所示實例中，一或多個通孔萃取通口62提供於結構60B與結構60C之間及結構60C與結構60A之間的區中。藉由最外部結構(所示實施例中之結構60A)與在徑向向內方向上(相對於 通孔)緊鄰之流動限定結構(所示實施例中之結構60C)之間的通孔萃取通口62萃取之氣體的純度將增加，因此促進經萃取氣體之再使用。
上文所提及之流動限定結構(例如，內部、中間、外部、周邊或通孔結構)中任一者可形成閉合路徑。應理解，此等路徑可採取任何閉合平面圖或迴路之形式。舉例而言，路徑可為圓形、多邊形(例如，六邊形)，或成不規則形狀。
在圖10所示之配置中，通孔52既被通孔流動限定結構60A、60B環繞，又被一或多個通孔萃取通口62環繞。然而，在一實施例中，通孔52可僅被通孔流動限定結構(而無任何通孔萃取通口)環繞。在一實施例中，通孔52可僅被通孔萃取通口之環(而無通孔流動限定結構)環繞。在圖10中藉由參考區40內之影線部分與通向通孔52之開口54附近之非影線部分之間的邊界可示意性地看出，周圍氣體係藉由通孔流動限定結構60A及/或藉由通孔萃取通口62限定至通向通孔52之開口54之區。因此，可限制區40中之高傳導率氣體之污染。因此，亦可限制基板台WT與基板W之間的熱耦合之破裂。
圖12描繪一組態，其中基板台WT具備通孔供應通口66以將高傳導率氣體供應至通孔52，使得至少在通孔52之部分中，經由通孔供應通口66而引入之氣體遠離於基板W而流動。在所示實施例中，遠離於基板之流動係在通孔供應通口66下方(箭頭65)。在圖12所示之配置中，提供通孔供 應通口66以便橫向地向外通向通孔52。可向通孔供應通口66提供相似於空腔39之空腔68。提供高傳導率氣體遠離於基板W之流動會使周圍氣體更難以朝向基板W行進通過通孔52。因此，藉由周圍氣體對區40之污染的風險或程度可縮減。可結合圖10之配置而使用圖12之配置，例如，其中將圖12之配置用於一或多個選定通孔且將圖10之配置用於其他通孔。
在一實施例中，可提供環繞通向通孔52之開口54之流動限定結構59。流動限定結構59可幫助確保基板W下方之壓力可保持於足夠之部分真空位準下，而開口54處之壓力可較高，例如，在大約周圍壓力下。流動限定結構59可增進高熱導率氣體遠離於基板W之流動(箭頭65)，且因此進一步縮減周圍氣體污染基板W下方之區40中之低熱導率氣體的風險。
圖13展示一配置，其中提供邊緣密封件72以密封基板W之周邊47與周圍組件之間的間隙49。邊緣密封件72可包含(例如)薄環形組件。邊緣密封件72可由(例如)金屬或塑膠形成。邊緣密封件72可具剛性或可撓性。邊緣密封件72可具(例如)自黏接性。邊緣密封件72可有利地防止間隙49上方之周圍氣體之污染。在一實施例中，邊緣密封件72可在如下兩個狀態之間致動：斷開狀態，其中基板可縱向地傳遞通過邊緣密封件72；及閉合狀態(在該組態中，邊緣密封件72可被稱作「機械邊緣密封件」)。
在具有邊緣密封件72之實施例中，沒有可能使周圍氣體 或浸潤式流體通過間隙49而進入基板W下方之區40(或至少極大地縮減此情形係可能的程度)。在此類型之配置中，因此不再(或較少)有必要提供用以防止或限制藉由周圍氣體及/或浸潤式流體對區40之污染的機構。在圖13中，一或多個周邊供應通口74提供於鄰近於基板W之周邊47之區中。周邊供應通口74經組態以提供高傳導率氣體朝向區40之內部區之橫向向內流動。橫向向內流動相比於橫向向外流動可較方便，在橫向向外流動中需要在(例如)基板安裝程序期間夾持周邊部分之前對基板W之中心部分進行真空夾持。萃取通口76提供於中心區中。流動限定結構78可提供於相對於一或多個周邊供應通口74之橫向向內位置處。流動限定結構78可幫助使區40之中心部分隔離，且因此促進在此區中建立用於夾持基板W之部分真空。在一實施例中，流動限定結構78包含流動限定環。
圖14展示包含沖洗儲集器82之實施例之實例，沖洗儲集器82用以在大於大氣壓力(例如，大於或等於大力壓力之1.5倍或更高)之壓力下儲存高傳導率氣體。提供連接系統84以將儲集器82連接至基板W與基板台WT之間的區40。舉例而言，連接系統84可經組態以在儲集器82與區40之間提供相對低流阻路徑。藉由提供低流阻路徑，高熱導率氣體快速地流動至區40中。此快速流動可被稱作「沖洗流動」。沖洗流動可對於自區40實質上移除(「沖去」)大比例之周圍氣體有效。在連接至區40之前使相對高壓力維持於沖洗儲集器82中(例如，大於大氣壓力，例如，大於或等 於大氣壓力之1.5倍或更高)亦會幫助確保氣體至區40中之快速流動。在一實施例中，允許該流動繼續直至區40中之壓力變得大約等於沖洗儲集器82中之壓力為止。需要提供區40之快速填充，使得可縮減安裝基板之時間。縮減安裝基板之時間可改良產出率。在一實施例中，連接系統84經組態以在沖洗流動完成(或在某種程度上完成，此係(例如)因為沖洗儲集器82中之壓力已降至低於某一位準)時切換在沖洗儲集器82與連續流動源80之間的連接。舉例而言，連接系統84可經組態以關斷將沖洗儲集器82連接至連接系統84之連接件79，同時使對連續流動源80之連接件75斷開，或若連接件75尚未斷開，則斷開對連續流動源80之連接件75。在此配置中，連續流動源80中之壓力將防止回流。或者或另外，止回閥77可定位於連續流動源80同連接系統84中間。在一實施例中，可在區40通向沖洗儲集器82及連續流動源80時進行沖洗流動(其中該流動之大多數來自用於沖洗流動之大多數的沖洗儲集器82)。在此狀況下藉由連接系統84執行之「切換」將對應於在連續流動源80及沖洗儲集器82兩者皆連接至區40時之狀態與僅連續流動源80連接至區40之狀態之間的切換。連接系統84亦可經組態以在其已用以將氣體提供至區40之後將氣流自源80提供至沖洗儲集器82，以使沖洗儲集器82中之壓力返回至高達起初壓力。進入區40之氣體體積係藉由沖洗儲集器82之體積及氣體在沖洗流動被起始之前維持於沖洗儲集器82中之壓力判定。此自限制性行為意謂有可能提供快速氣流而無 需用於避免供應太多氣體之精緻控制系統。
在一實施例中，可如下使用沖洗儲集器82。在第一階段中，將基板W置放於基板台WT上。接著，藉由抽汲周圍氣體遠離於基板W下方之中心區來縮減該中心區中之壓力。舉例而言，可將中心區中之壓力縮減至約0.5個大氣壓。在第二階段中，亦將基板W下方之周邊區中之壓力縮減至低於大氣壓力，例如，縮減至大約0.5個大氣壓。在第三階段中，將基板W下方之中心區連接至沖洗儲集器82，使得高熱導率氣體在短時段內進入基板W下方之中心區。此情形將引起基板W之中心部分下方之壓力快速地上升。中心區中之壓力可(例如)在此階段期間上升至大約一個大氣壓。在第四階段中，將高熱導率氣體之流動切換至連續流動。連續流動經控制成使得基板W下方之壓力在低於大氣壓力之壓力下穩定，使得基板W牢固地附接至基板台WT。舉例而言，在此階段期間之壓力可在約0.5個大氣壓下穩定。
亦可在不使用沖洗儲集器的情況下實施安裝基板之上述方法。舉例而言，在第三階段中，可使用連續供應系統來供應高熱導率氣體，其中主動地或被動地控制氣流以達成所要流率。
在一實施例中，可提供抽吸儲集器83以輔助自基板W與基板台WT之間的區40移除流體。抽吸儲集器83可包含在部分真空下(例如，在0.1個大氣壓力或更小壓力下)固持之體積。(例如)藉由斷開閥81將抽吸儲集器83連接至基板W 下方之區40會造成流體自區40快速地流動至抽吸儲集器83中。當區40中之壓力與抽吸儲集器83中之壓力相等時，或當對抽吸儲集器83之連接件閉合時，該流動將停止。在一實施例中，可被萃取之氣體之量取決於抽吸儲集器83之體積及抽吸儲集器83內之初始分壓。因此，沒有必要提供用以確保抽汲動作不過度之感測或控制設備。抽吸儲集器83可用以(例如)在基板安裝操作期間自基板W下方之區萃取周圍氣體。因此，抽吸儲集器83可幫助加快基板安裝操作。或者或另外，抽吸儲集器83可用以(例如)在基板卸下程序期間萃取高熱導率氣體。因此，抽吸儲集器83可幫助加快基板安裝程序。真空管線(例如，泵)85可連接至抽吸儲集器83以允許在使用之後重新建立抽吸儲集器83中之部分真空。
圖15說明再處理系統86之實例，再處理系統86用以自已傳遞通過基板W與基板台WT之間的區40之流體萃取具有高熱導率之氣體。再處理系統86經由入口87而接收待再處理流體且經由出口89而輸出經萃取氣體以供再使用。在一實施例中，再處理系統86包含分離系統，分離系統用以自輸入流體萃取密度低於該流體中之氣體之平均密度的氣體。一般而言，相比於周圍氣體或浸潤式流體，具有在298 K下高於或等於100 mW/(m.K)之熱導率之氣體將顯著地較不緻密。因此，高熱導率氣體將傾向於上升至含有周圍氣體、浸潤式液體及高熱導率氣體之混合物之容器的頂部。因此，分離系統可包含分離貯槽90，分離貯槽90在分 離貯槽90之下部部分中具有廢物出口96且在分離貯槽90之上部部分中具有較低密度氣體出口95。藉由分離系統萃取之氣體(例如，經由較低密度氣體出口95而離開分離貯槽90之氣體)之純度可藉由純度感測器92量測。純度感測器92可包含(例如)熱導率感測器、密度感測器或其兩者。在一實施例中，將來自純度感測器92之輸出輸入至控制系統93，控制系統93基於來自純度感測器92之輸出來控制較低密度氣體出自分離貯槽90之流率。舉例而言，控制系統93可經組態以在純度感測器92指示出離開分離貯槽90之氣體之純度高於某一臨限值時(或在熱導率高於某一臨限值時及/或在密度低於某一臨限值時)斷開對出口89之閥94。當純度感測器指示出氣體仍不具有可接受品質時，控制系統93可閉合閥94以停止或限制出自分離貯槽90之流動。以此方式停止或限制流動會提供較多時間以使在分離貯槽90內進行分離程序。當純度感測器92指示出氣體具有所要品質時，或在自閥94已閉合起已已消逝某一時間之後，控制系統93可斷開閥94且重新開始經由出口89而提供經再處理氣體。
在一實施例中，可在用於自基板台卸下基板之以下方法中使用上文所描述之基板台總成中之一或多者。在第一階段中，組態氣體處置系統30以將高熱導率氣體提供至基板W下方之區40。第一階段之結束可對應於(例如)曝光階段之結束。在第二階段中，氣體處置系統切換至沖洗氣體(例如，周圍氣體及/或空氣)代替高熱導率氣體被提供至基 板W下方之區40的模式。可繼續此程序直至已自基板W下方之區40實質上沖去高熱導率氣體為止。在最終階段中，理想地在高熱導率氣體之濃度已降至低於某一臨限值之後自基板台WT移除基板W。在一實施例中，可繼續將沖洗氣體提供至基板W下方之區40之程序達足以確保高熱導率氣體之濃度將已降至低於臨限值之某一時段。或者或另外，可提供感測器以偵測基板W下方之區40中之高熱導率氣體的濃度。舉例而言，可藉由量測區40中之氣體之熱導率來估計高熱導率氣體之濃度。在一實施例中，繼續周圍氣體至區40中之流動直至測定熱導率降至低於某一臨限位準為止。此等程序藉由在基板被卸下時釋放高熱導率氣體來縮減基板W上方之區之污染的風險。
應瞭解，在將高熱導率氣體供應至基板與基板台之間的區且在此區中使用部分真空將基板夾持至基板台時，將以使得部分真空被維持之方式供應高熱導率氣體。舉例而言，氣體至區中之流率、氣體出自區之流率或其兩者可經控制以幫助確保區之至少一部分中之壓力保持低於一個大氣壓，例如，在約0.5個大氣壓下。
在一實施例中，可藉由使用液體之汽化/冷凝之潛熱來增加熱自基板台轉移至基板的效率。在一實施例中，藉由將濕氣體(例如，濕空氣)提供至區40中來達成此情形。當基板台暖於基板時，將存在液體(例如，水)自基板台之表面之淨蒸發及液體至基板之表面上之淨冷凝。蒸發程序將歸因於汽化之潛熱而自基板台有效率地萃取熱。冷凝程序 將歸因於冷凝之潛熱而將熱有效率地轉移至基板。汽化之潛熱之量值相同於冷凝之潛熱之量值。
可自外部源提供濕氣體(亦即，其中在區40外部執行用以產生蒸氣之蒸發程序)。然而，此途徑可傾向於在區40中存在壓力(「夾持壓力」)之波動時導致基板之溫度之波動。
圖19為說明部分水壓及飽和溫度被預期在區40中依據夾持壓力如何變化之實例的曲線圖。垂直軸線110表示以毫巴為單位之部分水壓。據預期，典型部分水壓將為約26.4毫巴。垂直軸線112表示以℃為單位之飽和溫度。水平軸線114表示以毫巴為單位之夾持壓力。線116表示飽和溫度隨著夾持壓力之變化。線118表示部分水壓隨著夾持壓力之變化。可看出，夾持壓力之僅僅20毫巴之增加(或減低)(其相對小)被預期導致飽和溫度之約0.6℃之增加(或減低)(其相對大)。飽和溫度之變化將對基板之溫度產生對應影響。因此，使用來自外部源之濕氣體之系統的效能可受到夾持壓力之變化妨礙。
在一實施例中，藉由提供液體遍及基板台WT之在使用時與基板W相對之部分之20%或更多的覆蓋來處理上文(例如)關於使用外部濕氣體源所論述之一或多個問題。接著，經由局域蒸發而將液體蒸氣(例如，水蒸氣)提供至區40。部分液體壓力(例如，水壓)將僅取決於基板台WT之溫度，其可受到準確地控制。飽和溫度應不再隨著夾持壓力顯著地變化。
如上文所提及，液體可覆蓋基板台WT之與基板W相對之表面之部分的至少20%。理想地覆蓋至少30%，更理想地覆蓋至少40%，或更理想地覆蓋至少50%。
無需基板之預濕潤，但可視情況提供此情形。
圖16展示用以將液體提供至區40之液體處置系統之實例。在一實施例中，液體處置系統包含含有液體106之儲集器104。提供連接器元件102以將液體自儲集器104輸送至區40。連接器元件102可包含(例如)管子及/或芯吸結構(wicking structure)。連接器元件102可經組態以使用毛細作用將液體自儲集器104拉動至區40。或者或另外，可使用不同機構將液體106自儲集器104傳送至區40。舉例而言，連接器元件102之儲集器末端處之壓力可經配置為高於區40處之壓力，使得藉由壓力差推動液體朝向區40。
在一實施例中，連接器元件102連接至覆蓋基板台WT之在使用時與基板W直接相對之表面之部分之至少20%的芯吸結構或為該芯吸結構之部件。芯吸結構可經組態以使液體在遍及該表面之區之薄層中展開。可(例如)藉由毛細作用來驅動該展開。在一實施例中，芯吸結構可具親液性(例如，親水性)。芯吸結構表面可與液體(例如，水)成(例如)小於30度之接觸角。在一實施例中，芯吸結構可包含使用毛細作用對液體進行導向之一或多個凹槽結構。在一實施例中，芯吸結構包含多孔結構。在一實施例中，芯吸結構係由多孔SiC形成。
圖17為示意性地說明連接器元件102可如何通向芯吸結 構104的俯視圖。在此實施例中，芯吸結構104具有圓形形式。然而，芯吸結構104可具有任何其他形狀。
原則上，液體蒸氣自相對熱基板台行進至相對冷基板之速率可受到對通過區40中之氣體而擴散之需要妨礙。然而，基板台與基板之間的分離度小以使得此效應被預期為可忽略。
基板台WT上之液體層之深度的最小值可為大約幾百奈米(對應於約0.1毫升之體積)。在典型應用中，該深度可為大約若干微米。在液體層不能遍及表面均一地展開時，例如，在液體層提供於芯吸結構(例如，具有若干微米之微孔大小之芯吸結構)之微孔中時，最小深度將較大。
當卸下基板時，基板可保持濕潤達短時段。然而，液體層將相對薄且可快速地蒸發。可藉由將乾氣體(例如，空氣)吹動至基板上來加速蒸發程序。在此階段時之液體蒸發將很可能造成基板之冷卻(達約0.3℃)。然而，在此冷卻期間不應發生微影，使得無任何誤差將由此冷卻引起。
在一實施例中，在將基板W安裝至基板台WT上之前將液體提供至基板台WT。可以多種方式進行此情形。圖18說明使用氣溶膠108以施加液體。在一實施例中，氣溶膠108經組態以使液體精細地分佈，此情形輔助在基板台WT上快速地形成薄液體層。薄液體層之快速形成促進高產出率。氣溶膠108可經組態以提供分散於氣體(例如，空氣)中之液體(例如，水)霧之噴射。或者或另外，電噴射可用以施加液體。電噴射不使用氣體來傳送液體，且因此可在噴 射期間施加較低熱負荷(較少冷卻)。
提供萃取通口42(參見(例如)圖8、圖10及圖12)及/或周邊流動限定結構流50A、50B可能不足以縮減至可接受位準或防止高熱導率氣體洩漏至基板上方之區。在使用(例如)He之狀況下，此洩漏可縮減諸如編碼器之量測系統之準確度。在使用H2之狀況下，歸因於***之可能風險而可存在安全顧慮。
在一實施例中，藉由將緩衝氣體供應至基板台WT與基板W之間的區來進一步縮減高熱導率氣體洩漏之風險或程度。在一實施例中，可被稱作「第一氣體」之高熱導率氣體(例如，具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之熱導率之氣體)之組合物不同於緩衝氣體之組合物，緩衝氣體可被稱作「第二氣體」。在一實施例中，緩衝氣體充當對高熱導率氣體之障壁。在一實施例中，緩衝氣體供應通口提供圓周地環繞高熱導率氣體之緩衝氣體之「幕簾(curtain)」。在一實施例中，該幕簾形成閉合迴路，其視情況為圓形，視情況經定位成接近於基板之邊緣。在一實施例中，緩衝氣體經組態以在基板台WT與基板W之間的區中在徑向向內方向上流動，視情況在與高熱導率氣體之流動相對之方向上流動。在一實施例中，緩衝氣體包含具有高於周圍空氣熱導率之氣體。在一實施例中，緩衝氣體包含：>99%之N2。在一實施例中，緩衝氣體包含>99%之N2且高熱導率氣體包含>99%之He。圖20、圖21及圖22描繪經組態以使用緩衝氣體之實例實施例。
圖20展示可如何調適上文參看圖8所描述之類型之實施例以使用緩衝氣體。在所示實施例中，可提供緩衝氣體供應通口120以用於將緩衝氣體供應至基板W下方之區。在所示配置中，可進一步提供緩衝氣體流動限定結構122以限定緩衝氣體至外部環境之洩漏。在一實施例中，可如上文針對周邊流動限定結構50A、50B所描述來實施緩衝氣體流動限定結構。在亦提供周邊流動限定結構50A、50B之實施例(諸如，圖20所示之實施例)中，可提供緩衝氣體流動限定結構，其徑向地位於周邊流動限定結構50A、50B外部，視情況圓周地環繞周邊流動限定結構50A、50B。在所示實施例中，緩衝氣體經組態以徑向地向內流動(箭頭124)。在一實施例中，徑向向內流動124之方向係與高熱導率氣體之徑向向外流動57之方向相對。在所示實施例中，緩衝氣體之徑向向內流動124受到萃取通口42驅動，萃取通口42經組態以萃取高熱導率氣體與緩衝氣體之混合物。在一些其他實施例中，省略緩衝氣體流動限定結構122。舉例而言，可省略緩衝氣體流動限定結構122，其中緩衝氣體之組合物係使得其將不顯著地干涉正發生於基板上方之區中之程序(例如，量測程序)。
在圖20所示之實施例之變化中，省略最外部周邊流動限定結構50A。在圖20所示之實施例之另外變化中，省略最外部周邊流動限定結構50A及緩衝氣體流動限定結構122。在另外變化中，亦省略內部周邊流動限定結構50B。
圖21展示可如何調適上文參看圖10所描述之類型之實施 例以使用緩衝氣體。如在圖20所示之實例中，提供緩衝氣體供應通口120及選用緩衝氣體流動限定結構122。緩衝氣體之向內流動124受到自萃取通口42之抽吸驅動。上文參看圖20所論述之所有變化皆亦可適用於圖21之實施例。或者或另外，可將緩衝氣體126之流動提供至通孔52。緩衝氣體126通過通孔52之流動會縮減在高熱導率氣體與周圍空氣之間的接觸或混合之可能性。在高熱導率氣體包含H2時，緩衝氣體可藉此縮減在通孔52附近***之風險。
圖22展示可如何調適上文參看圖12所描述之類型之實施例以使用緩衝氣體。如在圖20及圖21所示之實例中，提供緩衝氣體供應通口120及選用緩衝氣體流動限定結構122。緩衝氣體之向內流動124受到自萃取通口42之抽吸驅動。上文參看圖20所論述之所有變化皆亦可適用於圖22之實施例。
應瞭解，上文所描述之特徵中任一者可與任何其他特徵一起使用，且其不僅僅為本申請案中所覆蓋的明確地描述之彼等組合。舉例而言，本發明之一實施例可適用於圖2至圖6之實施例。
在一態樣中，提供一種用於一浸潤式微影裝置之基板台總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；及一氣體處置系統，其用以將一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中藉由該氣體處置系統提供之該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率，其中藉由該氣體處置系統提供之 該氣體包含H2。
在一實施例中，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；及一氣體處置系統，其用以將一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中藉由該氣體處置系統提供之該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率，其中該基板台包含：一供應通口，其用以將該氣體自該氣體處置系統供應至該基板與該基板台之間的該區；及一萃取通口，其用以自該區萃取流體，該萃取通口包含一周邊萃取通口，該周邊萃取通口經組態以提供周圍氣體、浸潤式流體或其兩者自鄰近於該基板之周邊之一區的一橫向向內流動。
在一實施例中，該供應通口及該萃取通口經組態以提供藉由該氣體處置系統提供之該氣體在直接鄰近於該周邊萃取通口之一區中的一橫向向外流動。
在一實施例中，該基板台總成進一步包含呈一閉合路徑之形式之一周邊流動限定結構以相對於該基板及/或該基板台之一中心在該基板與該基板台之間的該區之一橫向內部部分與一橫向外部部分之間限定流體流動。
在一實施例中，該周邊流動限定結構包含一內部周邊流動限定結構及一外部周邊流動限定結構，該內部周邊流動限定結構被該外部周邊流動限定結構環繞。
在一實施例中，該周邊萃取通口位於該內部周邊流動限定結構與該外部周邊流動限定結構之間。
在一實施例中，該基板台總成進一步包含在該內部周邊 流動限定結構與該外部周邊流動限定結構之間的一中間周邊流動限定結構。
在一實施例中，該周邊萃取通口位於鄰近周邊流動限定結構之間的該等區中至少兩者內。
在一態樣中，提供一種用於一浸潤式微影裝置之基板台總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；及一氣體處置系統，其用以將一第一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中藉由該氣體處置系統提供之該第一氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率，其中該氣體處置系統經進一步組態以將一緩衝氣體作為一第二氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的該區，該緩衝氣體之組合物不同於該第一氣體之組合物。
在一實施例中，該第一氣體/具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之氣體包含>99%之He。
在一實施例中，該基板台總成進一步包含一緩衝氣體供應通口以用於將緩衝氣體供應至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的該區。
在一實施例中，該緩衝氣體供應通口經組態以提供緩衝氣體之一徑向向內流動。
在一實施例中，該緩衝氣體供應通口經組態以提供一緩衝氣體幕簾，該緩衝氣體幕簾圓周地環繞該第一氣體/具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之氣體。
在一實施例中，該基板台總成進一步包含一緩衝氣體流動限定結構以限定該緩衝氣體之徑向向外流動。
在一實施例中，該基板台經組態以將一緩衝氣體供應至該緩衝氣體供應通口，該緩衝氣體之組合物不同於該第一氣體/具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之氣體之組合物。
在一實施例中，該緩衝氣體之熱導率高於空氣之熱導率。
在一實施例中，該緩衝氣體包含>99%之N2。
在一態樣中，提供一種用於一浸潤式微影裝置之基板台總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；及一氣體處置系統，其用以將一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中藉由該氣體處置系統提供之該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率，其中該基板台包含具有一開口之一通孔，該開口通向該基板與該基板台之間的該區。
在一實施例中，該基板台總成進一步包含環繞該通孔之該開口之一通孔流動限定結構。
在一實施例中，該基板台總成進一步包含一通孔萃取通口以自鄰近於該通孔之該開口之該區萃取流體。
在一實施例中，該通孔流動限定結構包含皆環繞該通孔之該開口之一內部通孔流動限定結構及一外部通孔流動限定結構，該通孔萃取通口位於該內部通孔流動限定結構與該外部通孔流動限定結構之間。
在一實施例中，該基板台總成進一步包含在該內部通孔流動限定結構與該外部通孔流動限定結構之間的一中間通孔流動限定結構。
在一實施例中，該通孔萃取通口位於鄰近通孔流動限定結構之間的該等區中至少兩者內。
在一實施例中，該基板台總成經進一步組態以通過該通孔供應一緩衝氣流朝向該基板。
在一實施例中，該基板台包含一通孔供應通口以將具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之該氣體供應至該通孔，使得在該通孔之至少一部分中建立遠離於該基板之一氣流。
在一實施例中，該通孔供應通口橫向地向外通向該通孔。
在一實施例中，該通孔經組態以提供對供在自該基板台安裝或卸下該基板期間使用之一銷釘的接取，或對用於使該基板台相對於用於該基板台之一安裝塊體對準之一銷釘的接取。
在一態樣中，提供一種用於一浸潤式微影裝置之基板台總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；一氣體處置系統，其用以將一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中藉由該氣體處置系統提供之該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率；及一邊緣密封件，其用以在該基板上方之該區與該基板同該基板台中間之該區之間的該基 板之一外部周邊邊緣處提供一密封，其中該總成經組態以提供具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之該氣體自鄰近於該基板之周邊之一區的一橫向向內流動。
在一態樣中，提供一種用於一浸潤式微影裝置之基板台總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；及一氣體處置系統，其用以將一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中藉由該氣體處置系統提供之該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率，且該氣體處置系統包含一沖洗儲集器以在大於大氣壓力之一壓力下儲存具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之氣體。
在一實施例中，該基板台總成進一步包含一連接系統以將該沖洗儲集器連接至安裝於該基板台上之該基板與該基板台之間的該區，以便將具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之該氣體的某一量之一沖洗流動提供至該區中。
在一實施例中，該氣體處置系統包含一連續流動系統以在一實質上恆定壓力下提供具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之該氣體的一連續流動，該壓力低於大氣壓力。
在一實施例中，該連接系統經組態以允許在該沖洗流動與該連續流動之間進行切換。
在一態樣中，提供一種用於一浸潤式微影裝置之基板台 總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；及一氣體處置系統，其用以將一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中藉由該氣體處置系統提供之該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率，且該氣體處置系統包含一再處理系統以自已傳遞通過該基板與該基板台之間的該區之流體萃取具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之氣體。
在一實施例中，該再處理系統包含一分離系統以自該流體萃取一密度低於該流體中之氣體之平均密度的氣體。
在一實施例中，該分離系統包含一分離貯槽，該分離貯槽在該分離貯槽之一下部部分中包含一廢物出口且在該分離貯槽之一上部部分中包含一較低密度氣體出口。
在一實施例中，該基板台總成進一步包含一純度感測器以量測自該分離系統所輸出之該較低密度氣體之純度。
在一實施例中，該基板台總成進一步包含一控制系統，該控制系統經組態以基於來自該純度感測器之一輸出來控制該較低密度氣體出自該分離系統之一流率。
在一實施例中，該純度感測器包含一熱導率感測器，或一密度感測器，或其兩者。
在一態樣中，提供一種用於一浸潤式微影裝置之基板台總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；一氣體處置系統，其用以將一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中藉由該氣體 處置系統提供之該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率；及一抽吸儲集器，其經組態以固持於一部分真空下且可選擇性地連接至該基板與該基板台之間的該區以自該區移除流體。
在一態樣中，提供一種用於一浸潤式微影裝置之基板台總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；及一液體處置系統，其用以將一液體提供至該基板台與安裝於該基板台上之該基板之間的一區，以便在使用時用液體來覆蓋該基板台之與該基板直接相對之部分之表面積的至少20%。
在一實施例中，該液體包含水。
在一實施例中，該液體處置系統包含一連接器元件以將該基板台之表面連接至一液體儲集器。
在一實施例中，該連接器元件經組態以藉由毛細作用將液體自該液體儲集器拉動至該基板台之該表面。
在一實施例中，該基板台包含一芯吸結構，該芯吸結構經組態以藉由毛細作用而使液體遍及該表面之一區展開。
在一實施例中，該芯吸結構包含選自以下各者之一或多者：多孔SiC、一凹槽結構，及/或一親液性組合物。
在一實施例中，該基板台總成進一步包含一氣體處置系統以將一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中藉由該氣體處置系統提供之該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率。
在一態樣中，提供一種用於一浸潤式微影裝置之基板台 總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；及一氣體處置系統，其用以將一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中該基板台包含具有一開口之一通孔，該開口通向該基板與該基板台之間的該區，且該總成進一步包含環繞該通孔之該開口之一通孔流動限定結構，該通孔流動限定結構圍繞該開口形成一閉合路徑。
在一態樣中，提供一種浸潤式微影裝置，該浸潤式微影裝置包含如上文所提及之基板台總成。
在一態樣中，提供一種在如上文所提及之一基板台總成中自一基板台卸下一基板之方法，該方法按次序包含以下步驟：使用該氣體處置系統以將具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之氣體提供至該基板與該基板台之間的該區；使用該氣體處置系統以將一沖洗氣體提供至該基板與該基板台之間的該區以沖去具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之該氣體；及當具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之該氣體的濃度降至低於某一臨限值時自該基板台移除該基板。
在一態樣中，提供一種在如上文所提及之一基板台總成中將一基板安裝至一基板台上之方法，該方法按次序包含以下步驟：將該基板置放於該基板台上；在該基板與該基板台之間的該區之一中心部分中建立低於大氣壓力之一壓力；在該基板與該基板台之間的該區中引入具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之該氣體；及在低 於大氣壓力之一實質上恆定壓力下建立通過該基板與該基板台之間的該區之一恆定氣流。
在一實施例中，藉由將該基板與該基板台之間的該區連接至一沖洗儲集器來執行引入具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之該氣體，該沖洗儲集器在高於大氣壓力之一壓力下包含具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之該氣體的某一量。
在一實施例中，在該中心部分中低於大氣壓力之該壓力亦低於該基板與該基板台之間的該區中該基板之一周邊邊緣附近的一壓力，且該方法進一步包含將該周邊邊緣處之該壓力縮減至實質上等於該中心部分中之該壓力之一位準的一稍後步驟。
在一態樣中，提供一種在如上文所提及之一基板台總成中將一基板安裝至一基板台上之方法，該方法按次序包含以下步驟：將一液體施加至該基板台之一表面；及將一基板置放於該基板台上，其中該液體覆蓋該基板台之與該基板直接相對之部分之表面積的至少20%。
在一實施例中，使用一氣溶膠或電噴射來施加該液體。
在一態樣中，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至一投影系統與一基板之間的一空間之一浸潤式液體投影一經圖案化輻射光束；及將氣體提供至該基板與一基板台之間的一區，其中該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率，其中該氣體包含H2。
在一態樣中，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至一投影系統與一基板之間的一空間之一浸潤式液體投影一經圖案化輻射光束；將氣體提供至該基板與一基板台之間的一區，其中該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率；及提供周圍氣體、浸潤式流體或其兩者自鄰近於該基板之周邊之一區的一橫向向內流動。
在一態樣中，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至一投影系統與一基板之間的一空間之一浸潤式液體投影一經圖案化輻射光束；將一第一氣體提供至該基板與一基板台之間的一區，其中該第一氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率；及將一緩衝氣體作為一第二氣體提供至該基板與該基板台之間的該區，該緩衝氣體之組合物不同於該第一氣體之組合物。
在一態樣中，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至一投影系統與一基板之間的一空間之一浸潤式液體投影一經圖案化輻射光束；及將氣體提供至該基板與一基板台之間的一區，其中該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率，其中該基板台包含具有一開口之一通孔，該開口通向該基板與該基板台之間的該區。
在一態樣中，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至一投影系統與一基板之間的一空間之一浸潤式液體投影一經圖案化輻射光束；將氣體提供至該 基板與一基板台之間的一區，其中該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率；在該基板上方之該區與該基板同該基板台中間之該區之間的該基板之一外部周邊邊緣處進行密封；及提供具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之該氣體自鄰近於該基板之周邊之一區的一橫向向內流動。
在一態樣中，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至一投影系統與一基板之間的一空間之一浸潤式液體投影一經圖案化輻射光束；將氣體提供至該基板與一基板台之間的一區，其中該氣體具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率；及自已傳遞通過該基板與該基板台之間的該區之流體萃取具有在298 K下大於或等於100 mW/(m.K)之一熱導率之氣體，以便再使用該經萃取氣體。
在一態樣中，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至一投影系統與一基板之間的一空間之一浸潤式液體投影一經圖案化輻射光束；及將液體提供至該基板與支撐該基板之一基板台之間的一區，以便覆蓋該基板台之與該基板直接相對之部分之表面積的至少20%。
在一態樣中，提供一種器件製造方法，該器件製造方法包含：通過受限制至一投影系統與一基板之間的一空間之一浸潤式液體投影一經圖案化輻射光束；及將氣體提供至該基板與一基板台之間的一區，其中該基板台包含具有一開口之一通孔，該開口通向該基板與該基板台之間的該 區，且其中一通孔流動限定結構環繞該通孔之該開口，該通孔流動限定結構圍繞該開口形成一閉合路徑。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有一或多個經處理層之基板。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)。術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射及反射光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明之實施例可採取如下形式：電腦程式，其含有 描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。另外，可以兩個或兩個以上電腦程式來體現機器可讀指令。可將兩個或兩個以上電腦程式儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
當藉由位於微影裝置之至少一組件內之一或多個電腦處理器來讀取一或多個電腦程式時，本文所描述之任何控制器可各自或組合地為可操作的。該等控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與該等控制器中至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令之電腦程式的一或多個處理器。該等控制器可包括用於儲存此等電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。因此，該(該等)控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。
本發明之一或多個實施例可適用於任何浸潤式微影裝置，尤其(但不獨佔式地)為上文所提及之彼等類型，且不管浸潤式液體係以浴之形式被提供、僅提供於基板之局域化表面區域上，抑或未受限制的。在一未受限制配置中，浸潤式液體可流動遍及基板及/或基板台之表面，使得基板台及/或基板之實質上整個未經覆蓋表面濕潤。在此未受限制浸潤式系統中，液體供應系統可能不限制浸潤式液體或其可能提供浸潤式液體限制之比例，但未提供浸潤式 液體之實質上完全限制。
應廣泛地解釋本文所預期之液體供應系統。在某些實施例中，液體供應系統可為將液體提供至在投影系統與基板及/或基板台之間的空間之機構或結構組合。液體供應系統可包含一或多個結構、包括一或多個液體開口之一或多個流體開口、一或多個氣體開口或用於二相流之一或多個開口的組合。開口可各自為通向浸潤式空間之入口(或來自流體處置結構之出口)或出自浸潤式空間之出口(或通向流體處置結構之入口)。在一實施例中，空間之表面可為基板及/或基板台之部分，或空間之表面可完全地覆蓋基板及/或基板台之表面，或空間可包覆基板及/或基板台。液體供應系統可視情況進一步包括用以控制液體之位置、量、品質、形狀、流率或任何其他特徵之一或多個元件。
以上描述意欲為說明性的而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
11‧‧‧空間
12‧‧‧局域化液體供應系統/流體處置結構/液體限制結構
13‧‧‧液體入口/液體出口
14‧‧‧出口
15‧‧‧氣體入口
16‧‧‧無接觸密封件/氣體密封件/氣流
20‧‧‧開口
22‧‧‧側壁
24‧‧‧腔室
26‧‧‧腔室
28‧‧‧側壁
29‧‧‧開口
30‧‧‧氣體處置系統
32‧‧‧供應管線
34‧‧‧萃取管線
38‧‧‧供應通口
39‧‧‧中間供應空腔
40‧‧‧區
41‧‧‧橫向向內流動
42‧‧‧周邊萃取通口/周邊流動萃取通口
43‧‧‧中間萃取空腔
45‧‧‧區
47‧‧‧周邊邊緣/周邊
49‧‧‧間隙
50‧‧‧周邊流動限定結構對
50A‧‧‧外部周邊流動限定結構/周邊流動限定結構流
50B‧‧‧內部周邊流動限定結構/周邊流動限定結構流
50C‧‧‧中間周邊流動限定結構
51‧‧‧流動控制板
52‧‧‧通孔
54‧‧‧開口
55‧‧‧開口
57‧‧‧流動方向/橫向向外流動/徑向向外流動
59‧‧‧流動限定結構
60‧‧‧通孔流動限定結構對
60A‧‧‧外部通孔流動限定結構
60B‧‧‧內部通孔流動限定結構
60C‧‧‧中間流動限定結構
62‧‧‧通孔萃取通口
63‧‧‧流動圖案
64‧‧‧中間通孔萃取空腔
65‧‧‧遠離於基板之流動
66‧‧‧通孔供應通口
68‧‧‧空腔
69‧‧‧流動圖案
70‧‧‧萃取器總成/液體移除器件
71‧‧‧流動圖案
72‧‧‧邊緣密封件
73‧‧‧流動圖案
74‧‧‧周邊供應通口
75‧‧‧連接件
76‧‧‧萃取通口
77‧‧‧止回閥
78‧‧‧流動限定結構
79‧‧‧連接件
80‧‧‧連續流動源
81‧‧‧閥
82‧‧‧沖洗儲集器
83‧‧‧抽吸儲集器
84‧‧‧連接系統
85‧‧‧真空管線
86‧‧‧再處理系統
87‧‧‧入口
89‧‧‧出口
90‧‧‧氣刀(圖6)/分離貯槽(圖15)
92‧‧‧純度感測器
93‧‧‧控制系統
94‧‧‧閥
95‧‧‧較低密度氣體出口
96‧‧‧廢物出口
102‧‧‧連接器元件
104‧‧‧儲集器/芯吸結構
106‧‧‧液體
108‧‧‧氣溶膠
110‧‧‧垂直軸線/部分水壓
111‧‧‧多孔材料
112‧‧‧垂直軸線/飽和溫度
114‧‧‧水平軸線/夾持壓力
116‧‧‧線/飽和溫度隨著夾持壓力之變化
118‧‧‧線/部分水壓隨著夾持壓力之變化
120‧‧‧入口/緩衝氣體供應通口
121‧‧‧腔室
122‧‧‧緩衝氣體流動限定結構
124‧‧‧徑向向內流動
126‧‧‧緩衝氣體
180‧‧‧開口
201‧‧‧出口
210‧‧‧出口
220‧‧‧凹座
320‧‧‧彎液面
400‧‧‧彎液面
AD‧‧‧調整器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一***
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二***
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2及圖3描繪供微影投影裝置中使用之液體供應系統；圖4描繪供微影投影裝置中使用之另外液體供應系統；圖5描繪供微影投影裝置中使用之另外液體供應系統；圖6以橫截面描繪供微影投影裝置中使用之另外液體供應系統；圖7以橫截面描繪投影系統及基板台總成，基板台總成 用以將高熱導率氣體供應至基板與基板台之間的區；圖8以橫截面描繪基板台中之供應通口及萃取通口；圖9以橫截面描繪具有三個周邊流動限定結構之配置；圖10以橫截面描繪基板台中之通孔、通孔流動限定結構及通孔萃取通口；圖11以橫截面描繪具有三個通孔流動限定結構之配置；圖12以橫截面描繪基板台中之通孔及通孔供應通口；圖13以橫截面描繪包含邊緣密封件及周邊供應通口之基板台；圖14以橫截面描繪投影系統及包含氣體處置系統之基板台總成，氣體處置系統具有沖洗儲集器、連接系統及連續流動系統；圖15描繪用以自已傳遞通過基板與基板台之間的區之流體萃取高熱導率氣體之再處理系統；圖16以橫截面描繪用以將液體提供至基板與基板台之間的區之液體處置系統；圖17以俯視圖描繪基板台之上部表面，其展示圖16之液體處置系統之芯吸結構及連接器元件；圖18為展示使用氣溶膠將液體施加至基板台之表面的示意性說明；圖19描繪展示部分水壓及飽和溫度將如何隨著一系統中之夾持壓力而變化的曲線圖，在該系統中將濕空氣自外部系統而非經由局域蒸發提供至該區；圖20描繪經調適以使用緩衝氣體以約束高熱導率氣體的 圖8所說明之類型之實施例；圖21描繪經調適以將緩衝氣體供應至通孔的圖10所說明之類型之實施例；圖22描繪經調適以使用緩衝氣體以約束高熱導率氣體的圖12所說明之類型之實施例。
32‧‧‧供應管線
34‧‧‧萃取管線
38‧‧‧供應通口
39‧‧‧中間供應空腔
40‧‧‧區
41‧‧‧橫向向內流動
42‧‧‧周邊萃取通口/周邊流動萃取通口
43‧‧‧中間萃取空腔
45‧‧‧區
47‧‧‧周邊邊緣/周邊
49‧‧‧間隙
50‧‧‧周邊流動限定結構對
50A‧‧‧外部周邊流動限定結構/周邊流動限定結構流
50B‧‧‧內部周邊流動限定結構/周邊流動限定結構流
57‧‧‧流動方向/橫向向外流動/徑向向外流動
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台

Claims (20)

  1. 一種用於一浸潤式微影裝置之基板台總成，該基板台總成包含：一基板台，其用以支撐一基板；及一氣體處置系統，其用以將一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中藉由該氣體處置系統提供之該氣體具有在298K下大於或等於100mW/(m.K)之一熱導率(thermal conductivity)，其中該基板台包含：一供應通口，其用以將該氣體自該氣體處置系統供應至該基板與該基板台之間的該區；及一萃取通口(extraction port)，其用以自該區萃取流體，該萃取通口包含一周邊萃取通口，該周邊萃取通口經組態以提供周圍氣體、浸潤式流體或其兩者自鄰近於該基板之周邊之一區的一橫向向內流動(laterally inward flow)，且該周邊萃取通口經組態以隨著提供該向內流動之同一時間萃取該氣體之至少一部分，其中當該基板提供於該基板台上時，該基板台經組態以提供在該基板之下的一開放流動路徑(open flowpath)，其連接該供應通口與該周邊萃取通口且經組態以當該基板提供於該基板台上時，允許來自該供應通口之該氣體覆蓋該基板之底部表面之一大部分。
  2. 如請求項1之基板台總成，其中該供應通口及該萃取通口經組態以提供藉由該氣體處置系統提供之該氣體在直接鄰近於該周邊萃取通口之一區中的一橫向向外流動。
  3. 如請求項1之基板台總成，其進一步包含呈一閉合路徑之形式之一周邊流動限定結構以相對於該基板及/或該基板台之一中心在該基板與該基板台之間的該區之一橫向內部部分與一橫向外部部分之間限定流體流動。
  4. 如請求項3之基板台總成，其中該周邊流動限定結構包含一內部周邊流動限定結構及一外部周邊流動限定結構，該內部周邊流動限定結構被該外部周邊流動限定結構環繞。
  5. 如請求項4之基板台總成，其中該周邊萃取通口位於該內部周邊流動限定結構與該外部周邊流動限定結構之間。
  6. 如請求項5之該基板台總成，其進一步包含在該內部周邊流動限定結構與該外部周邊流動限定結構之間的一中間周邊流動限定結構。
  7. 如請求項6之該基板台總成，其中該周邊萃取通口位於鄰近周邊流動限定結構之間的該等區中至少兩者內。
  8. 如請求項1之該基板台總成，其進一步包含一緩衝氣體供應通口，其經組態以將緩衝氣體供應至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的該區。
  9. 如請求項1之該基板台總成，其中該氣體處置系統包含一連續流動系統以在一實質上恆定壓力下提供具有在298K下大於或等於100mW/(m.K)之一熱導率之該氣體的一連續流動，該壓力低於大氣壓力。
  10. 一種用於一浸潤式微影裝置之基板台總成，該基板台總 成包含：一基板台，其用以支撐一基板；及一氣體處置系統，其用以將一氣體提供至該基板台與安裝於該基板台上之一基板之間的一區，其中藉由該氣體處置系統提供之該氣體具有在298K下大於或等於100mW/(m.K)之一熱導率，其中該基板台包含：一供應通口，其用以將該氣體自該氣體處置系統供應至該基板與該基板台之間的該區；及一萃取通口，其用以自該區萃取流體，該萃取通口包含一周邊萃取通口，該周邊萃取通口經組態以提供周圍氣體、浸潤式流體或其兩者自鄰近於該基板之周邊之一區的一橫向向內流動，且該周邊萃取通口經組態以隨著提供該向內流動之同一時間萃取該氣體之至少一部分，其中當該基板提供於該基板台上時，該基板台經組態以提供在該基板之下的一開放流動路徑，其連接該供應通口與該周邊萃取通口且經組態以當該基板提供於該基板台上時，允許來自該供應通口之該氣體覆蓋該基板之底部表面之一大部分，及其中該基板台包含具有一開口之一通孔，該開口通向該基板與該基板台之間的該區。
  11. 如請求項10之基板台總成，其進一步包含一通孔流動限制結構，該通孔流動限制結構環繞該通孔之該開口。
  12. 如請求項10之基板台總成，其進一步包含一通孔萃取通口，以自鄰近該通孔之該開口之該區萃取流體。
  13. 如請求項12之基板台總成，其中該通孔流動限定結構包含一內部通孔流動限定結構及一外部通孔流動限定結構，該內部周邊流動限定結構及該外部通孔流動限定結構環繞該通孔之該開口，該通孔萃取通口位於該內部通孔流動限定結構與該外部通孔流動限定結構之間。
  14. 如請求項13之該基板台總成，其進一步包含在該內部通孔流動限定結構與該外部通孔流動限定結構之間的一中間通孔流動限定結構。
  15. 如請求項14之該基板台總成，其中該通孔萃取通口位於鄰近通孔流動限定結構之間的該等區中至少兩者內。
  16. 如請求項10之該基板台總成，其經進一步組態以將緩衝氣體之一流體供應至朝向通過該通孔之該基板。
  17. 如請求項10之該基板台總成，其中該基板台包含一通孔供應通口，以將具有在298K下大於或等於100mW/(m.K)之一熱導率之該氣體供應至該通孔，使得在該通孔之至少一部分中建立遠離該基板之一氣體流。
  18. 如請求項10之該基板台總成，其中該通孔經組態以提供對供在自該基板台安裝或卸下該基板期間使用之一銷釘的接取，或對用於使該基板台相對於用於該基板台之一安裝塊體對準之一銷釘的接取。
  19. 一種器件製造方法，其包含：通過受限制至一投影系統與一基板之間的一空間之一浸潤式液體投影一經圖案化輻射光束；使用一供應通口將氣體提供至該基板與一基板台之間 的一區，其中該氣體具有在298K下大於或等於100mW/(m.K)之一熱導率；使用一周邊萃取通口提供周圍氣體、浸潤式流體或其兩者自鄰近於該基板之周邊之一區的一橫向向內流動；及隨著提供該向內流動之同一時間使用該周邊萃取通口來萃取該氣體之至少一部分，其中在該基板之下具有一開放流動路徑，其連接該供應通口與該周邊萃取通口且其中來自該供應通口之該氣體覆蓋該基板之底部表面之一大部分。
  20. 一種器件製造方法，其包含：通過受限制至一投影系統與一基板之間的一空間之一浸潤式液體投影一經圖案化輻射光束；使用一供應通口將氣體提供至該基板與一基板台之間的一區，其中該氣體具有在298K下大於或等於100mW/(m.K)之一熱導率；使用一周邊萃取通口提供周圍氣體、浸潤式流體或其兩者自鄰近於該基板之周邊之一區的一橫向向內流動；及隨著提供該向內流動之同一時間使用該周邊萃取通口來萃取該氣體之至少一部分，其中在該基板之下具有一開放流動路徑，其連接該供應通口與該周邊萃取通口且其中來自該供應通口之該氣體覆蓋該基板之底部表面之一大部分， 其中該基板台包含具有一開口之一通孔，該開口通向該基板與該基板台之間的該區。
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