TWI536112B - Projection exposure device - Google Patents

Projection exposure device Download PDF

Info

Publication number
TWI536112B
TWI536112B TW100121940A TW100121940A TWI536112B TW I536112 B TWI536112 B TW I536112B TW 100121940 A TW100121940 A TW 100121940A TW 100121940 A TW100121940 A TW 100121940A TW I536112 B TWI536112 B TW I536112B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
substrate
shielding
blade
projection exposure
Prior art date
Application number
TW100121940A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201216008A (en
Inventor
Yuken Nakamoto
Original Assignee
Orc Mfg Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Orc Mfg Co Ltd filed Critical Orc Mfg Co Ltd
Publication of TW201216008A publication Critical patent/TW201216008A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI536112B publication Critical patent/TWI536112B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/14Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/26Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
    • G01B11/27Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7007Alignment other than original with workpiece
    • G03F9/7011Pre-exposure scan; original with original holder alignment; Prealignment, i.e. workpiece with workpiece holder
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7007Alignment other than original with workpiece
    • G03F9/7015Reference, i.e. alignment of original or workpiece with respect to a reference not on the original or workpiece

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Description

投影曝光裝置
本發明是關於投影曝光裝置,其具有一遮光體,在矽等的基板表面曝光既定的圖形時,對已塗佈光阻的基板的邊緣部作遮光。
在矽晶圓等的半導體用基板、平面顯示器用的玻璃基板或電子電路用的各種基板(以下稱為基板)塗佈光阻的情況中,在基板的邊緣部會有光阻塗佈不均的情況。因此光阻會未除去而殘留,在後續的步驟會有光阻成為污染物的要因之情況。因此,有必要在事前先除去基板的邊緣部的光阻。
另外,負型光阻的情況,是用於鍍膜步驟的電極製作用步驟;正型光阻則用在防止位在周邊部的阻劑膜剝離等。
在專利文獻1中,提出了在基板上承載環狀的遮光體而一起覆蓋基板的邊緣部的裝置。揭露於專利文獻1的遮光體,是覆蓋基板的邊緣部的全體之樣態的形狀。因此在運出運入基板之時,基板檯會將遮光體移動到遮光體的待機位置而卸下遮光體,接下來基板檯會移動至基板的運入位置而置換基板,然後基板檯會再度移動至遮光體的遮光體的待機位置而將遮光體設置在基板上。因此,基板檯的移動距離長而基板的運入運出耗費時間。另外,遮光體的移動亦提高揚起較多污染物的可能性。
另外,在專利文獻2中,是在晶圓邊緣附近配置凹狀圓弧遮光帶或矩形遮光帶,而使基板的周邊區域不會曝光。因此,需要使凹狀圓弧遮光帶或矩形遮光帶在基板的周圍移動的機構與遮光位置的計算控制機構。
【先行技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】特表2005-505147號
【專利文獻2】特開2005-045160號
如專利文獻1般覆蓋基板的全面的樣態的遮光體是大型的,因此基板的運入運出作業費時,使投影曝光裝置的處理能力降低。還有,專利文獻2中的遮光體小而處理簡單,但遮光體的控制部需要按照描畫於光罩的圖形而預先求得遮光體的***位置,而遭遇處理繁雜的問題。
因此,本發明是提供一種投影曝光裝置,其具有一遮光器,此遮光器之伴隨基板的運入運出之遮光構件的安裝與卸下的所需時間短。另外,使遮光器可因應基板的遮光區域的多樣性。
第一觀點的投影曝光裝置是包含:一投影光學系統,將含紫外線的光線照射在光罩,將通過光罩的光線投影在已塗佈光阻的基板;一基板檯,承載基板;以及一遮光器,覆蓋基板的周邊部而遮住光線。而遮光器具有:第一及第二遮光構件,具有大致半圓形的開口部;及移動器,移動第一及第二遮光構件二者,而使其相互接近或遠離。因此,第一及第二遮光構件相互接近時,第一及第二遮光構件形成環狀來覆蓋基板的周邊部。
在第二觀點的投影曝光裝置中,第一及第二遮光構件是分別由得以安裝卸下並遮住光線的第一及第二遮光葉片、與接受第一及第二遮光葉片的安裝之第一及第二遮光基座所構成,其中第一及第二遮光基座連結於移動器的同時,並連結於使第一及第二遮光基座升降的一升降器。
在第三觀點的投影曝光裝置中,第一遮光葉片的前端及第二遮光葉片的前端形成有薄片部,以使當第一遮光葉片與第二遮光葉片相互接近時其前端在厚度方向相重疊。在第四觀點的投影曝光裝置中,藉由一基板運送器將基板運送至基板檯,並藉由上述移動器在直線方向移動上述第一及第二遮光構件,使其並行於該基板運送器的位置偏移大的水平方向。
藉此,可以以移動器造成的移動量來修正基板運送器造成的位置偏移。
在第五觀點的投影曝光裝置中,第一及第二遮光構件的至少一個的端部是固定於一旋轉軸,而移動器是使第一及第二遮光構件的至少一個在旋轉方向移動。
第六觀點的投影曝光方法,其是將含紫外光的光線照射於光罩,藉由覆蓋一基板的周邊部的一遮光器遮住通過光罩的光線,使光線不會照射已塗佈光阻的基板的周邊部而將相對於周邊部的中心側的中央部曝光。而投影曝光方法是包含下列步驟:藉由基板運送器將基板承載於一基板檯;將遮光器與基板的上方近接配置;測定承載於基板檯的基板的位置與遮光器的位置;以及基板的位置與遮光器的位置大於既定的間隔時,移動遮光器而成為該既定的間隔以下。
在第七觀點的投影曝光方法中:基板的位置是藉由將基板上的對準標記作整體對準(global alignment)來測定,而遮光器的位置是測定設於遮光器的至少一個對準標記。
藉由此方法,可以正確地將遮光器移動至遮光位置。
藉由在投影曝光裝置具有可動式之分為二個的第一及第二遮光構件,可容易地運作伴隨著基板的運入運出的遮光構件。
【用以實施發明的形態】
<投影曝光裝置100的概略構成>
第1圖是投影曝光裝置100的概略側面圖。
投影曝光裝置100大致區分,是具有:照射含紫外線的波長範圍的光束之光源10、將來自光源10的光束集光的照明光學系統30、保持光罩M的罩幕檯40、投影光學系統50、基板檯60。
在罩幕檯40上,具有用於均一地照明被支持在平行於XY平面的光罩M之照明光學系統30。照明光學系統30具有例如近於點光源的水銀短弧(short arc)燈構成的光源10。光源10由於是被配置在橢圓鏡11的第一焦點位置,從光源10射出的照明光束是經由分光鏡(dichroic mirror)12,在橢圓鏡的第二焦點位置形成光源像。分光鏡12不會反射既定波長以外的光。另外,作為照明光學系統30所具有的光源10者,亦可為紫外線放射型的LED(Light Emitting Diode;發光二極體)、雷射等。
藉由快門13阻斷將到達基板CB的曝光光線。來自光源像的發散光是藉由準直透鏡(collimating lens)31轉換成平行光束,入射至波長選擇部15。波長選擇部15是被構成為在光源10與光罩M之間的光程中可***、移出。
在橢圓鏡的第二焦點位置,設置有蠅眼透鏡(fly’s-eye lens)32。通過波長選擇部15的光束是以蠅眼透鏡32及聚光透鏡(condenser lens)33的順序通過。
通過波長選擇部15的光束入射至蠅眼透鏡32。蠅眼透鏡32是將複數個正透鏡單元(positive lens element)縱橫且緻密地排列而使其中心軸線沿著光軸OA延伸而成。因此,入射至蠅眼透鏡32的光束會藉由複數個透鏡單元而受到波面分割,而在其後側焦點面(也就是射出面附近)形成與透鏡單元的數量相同數量的光源構成的二次光源。
來自形成於蠅眼透鏡32的後側焦點面之複數個二次光源的光束,會入射至聚光透鏡33。經過聚光透鏡33的光束會重疊地照明已形成有圖形的光罩M。被曝光光線照射而透過光罩M的光束則朝向投影光學系統50,之後被照射於曝光對象的基板CB。
第2圖是照明光學系統30以外的投影曝光裝置100的概略斜視圖,分別將罩幕檯40、投影光學系統50、及基板檯60分解來顯示。基板檯60是被顯示為配備第一遮光體裝置80。
罩幕檯40是具有Y平台41,Y平台41是用於使光罩M沿著掃描方向之Y軸方向移動。Y平台41是由配置於其兩側的線性馬達(linear motor)42所高速且高精度地驅動。Y平台41是載置在X軸方向、對Z軸θ旋轉方向移動的Xθ平台45。
投影光學系統50是被稱為Offner型的反射式的投影光學系統。投影光學系統50是由支持台74所支撐。在投影光學系統50中,配備有反射鏡與固定鏡,此固定鏡是用於藉由雷射干涉計的計測的。亦可使用反射折射式的戴森(Dyson)型或折射式的投影光學系統來取代Offner型的投影光學系統。
基板檯60是被配置在基台72的上表面。而基板檯60具有掃描方向的XY平台62。基板檯60亦與罩幕檯40同樣,被構成為可在Z軸方向移動。XY平台62是分別由配置於其兩側的線性馬達所高速且高精度地驅動。
基板檯60是具有吸附基板CB的真空夾頭69。基板CB包含例如電子電路基板、液晶元件用玻璃基板、或PDP用玻璃元件基板。真空夾頭69是由陶瓷所形成,可藉由未圖示的真空泵保持吸附基板CB。基板檯60亦在Z軸方向移動。如此一來,由Offner型的反射式的投影光學系統50所反射的光束,會入射至基板CB而在基板CB上成像。也就是光罩M的圖形像會在基板CB上成像,藉由塗佈於基板CB上的光阻將此像轉印於基板CB上。
另外,在支撐投影光學系統50的支持台74,安裝有對準相機AC。對準相機AC是檢測形成於基板CB的對準標記。另外對準相機AC亦檢測後文敘述之形成於遮光葉片的葉片用對準標記。
基板檯60在真空夾頭69的周圍具有第一遮光體裝置80。第一遮光體裝置80可對被真空夾頭69固定的基板CB的周邊部作遮光。第一遮光體裝置80是被設置在基板檯60之上。因此,可以對投影光學系統50的光軸OA在X軸方向、Y軸方向及Z軸方向移動。
<第一遮光體裝置80的概略構成>
第3圖是從Z軸方向見到XY平台62及第一遮光體裝置80的平面圖。在第3圖中,是將基板CB載置於真空夾頭69的狀態,而是後文所述的第一遮光體裝置80的遮光葉片86展開的狀態。
在XY平台62的XY平面的大致中央配置有真空夾頭69。一對的基板托板(lifter)68是以夾置此真空夾頭69的樣態配置在Y軸方向。基板托板68是在運入或運出基板CB時使基板CB上下(在Z軸方向)移動。
移動裝置的移動基座81是配製在一對的基板托板68的Y軸方向的外側。在移動基座81配置有移動導板82與移動馬達等的致動器(actuator)83。在移動基座81的X軸方向的兩側,配置有升降導引88;在移動基座81的大置中心,配置有升降致動器89。升降導引88及升降致動器89是使移動基座81在Z軸方向升降。
在一對的移動導板82及致動器83,是安裝著一對的遮光基座84(84A、84B)。在一對的遮光基座84分別安裝著一對的遮光葉片86(86A、86B)。在遮光基座84設有定位銷85。遮光葉片86是具有半圓形的開口部,來對應於例如6英寸用、8英寸用等的基板CB的大小、或是遮光區的大小。還有,在遮光基座84適當地進行配合用途而大小或形狀不同的遮光葉片86的裝卸。定位銷85是在安裝遮光葉片86時進行定位。
遮光葉片86A與遮光葉片86B是藉由移動導板82及致動器83在X方向移動,而如箭號AR所示相互接近或遠離。遮光葉片86A及遮光葉片86B在近接之時會形成環狀,而覆蓋基板CB的周邊部。
一般而言,在基板CB藉由曝光而形成有對準標記AM1。另外在遮光葉片86亦形成有葉片用對準標記AM2。若XY平台62在XY軸方向移動,對準標記AM1或葉片用對準標記AM2會往對準相機AC的正下方移動。對準相機AC是拍攝三至十數個對準標記AM1,而進行計算全體基板CB的伸縮或位置的整體對準。此時對準相機AC可以計算位於基板CB的XY平面的中心位置。另外,對準相機AC又拍攝葉片用對準標記AM2來確認遮光葉片86A及遮光葉片86B的位置。
<藉由運送手臂的基板的運送(運入及運出)方向>
第4圖是一斜視圖,顯示藉由運送手臂將基板CB載置於基板檯60的真空夾頭69的狀態。在第4圖中,運送機器人RB1與運送機器人RB2運送基板CB。
運送機器人RB1與運送機器人RB2均是具有複數個旋轉軸之被稱為純量(scalar)型的運送機器人。運送機器人RB1是在其前端安裝有載置基板CB的運送手臂92,運送機器人RB2是在其前端安裝有載置基板CB的運送手臂94。運送手臂92、94是藉由真空吸附等來吸附、固定基板CB。不一定有準備二個運送機器人的必要,但例如運送機器人RB1是具有將基板CB送入真空夾頭69的任務,運送機器人RB2是具有將基板CB從真空夾頭69運出的任務。
在此處,假設運送機器人RB1的對於真空夾頭69的定位精度在X軸方向為±2mm、在Y軸方向為±1mm。也就是運送機器人RB1在X軸方向比在Y軸方向容易發生位置偏移。因此,基板CB相對於真空夾頭69的中央位置發生位置偏移的可能性高。
此時移動導板82及致動器83被配置為可在X軸方向移動。其原因在於由於運送機器人RB1在X軸方向比在Y軸方向容易發生位置偏移,藉由移動導板82及致動器83之X軸方向的移動,而儘量縮小此位置偏移。
<第一遮光體裝置80的動作>
第5圖是第一遮光體裝置80的動作流程圖。一面參照第6圖一面作說明。第6圖(a)是顯示將基板CB運入或運出真空夾頭69的狀態。第6圖(b)是顯示以遮光葉片86覆蓋基板CB的周邊部。
在步驟S101中,運送手臂92(請參考第4圖)是從X軸方向將基板CB運入至真空夾頭69。在此實施形態中,運送手臂92是假定為X軸方向位置精度較Y軸方向差。因此,配置於移動基座81的移動導板82及致動器83被配置為可在X軸方向移動。另外,在運入時,遮光葉片86是展開的狀態,移動基座81是下降的狀態。在第6圖(a)所示的狀態是步驟S101的狀態。
在步驟S102中,運送手臂92是從X軸方向將基板CB運入至真空夾頭69。此時基板托板68是上升的狀態,而將基板CB從運送手臂92移置到基板托板68。然後基板托板68下降而將基板CB置於真空夾頭69。此後真空夾頭69真空夾置基板CB,而固定基板CB。運送手臂92在完成基板CB的移動後退避。
在步驟S103中,移動基座81藉由升降導引88及升降致動器89而在Z軸方向上升,然後移動至大致與基板CB的Z軸方向的高度相同的高度。
在步驟S104中,對準相機AC拍攝三個至十數個左右的基板CD的對準標記AM1,不一定需要拍攝全部的對準標記AM1。然後,在計算在基板CB曝光的各照射的位置等的同時,計算基板CB的中心位置。
在步驟S105中,對準相機AC拍攝遮光葉片86A及遮光葉片86B的葉片用對準標記AM2。然後,計算遮光葉片86A及遮光葉片86B的位置。基板CB的Z軸方向的高度與遮光葉片86的Z軸方向的高度大致相同,而對準相機AC可以連續拍攝對準標記AM1與葉片用對準標記AM2。亦可在步驟S105之後進行步驟S104。
在步驟S106中,判斷基板CB的中心位置是否與真空夾頭69的中心位置相隔大於既定距離。基板CB的中心位置大致位於真空夾頭69的中心位置時,則進入步驟S107;若基板CB的中心位置相隔大於既定距離,則進入步驟S108。
在步驟S107中,移動導板82及致動器83使遮光葉片86A及遮光葉片86B在X軸方向移動。關於此移動量,遮光葉片86A與遮光葉片86B均是相同距離,而為遮光葉片86A及遮光葉片86B到形成環狀的基準位置的距離。另外,在步驟S105計算的遮光葉片86A及遮光葉片86B的位置為從通常的位置偏移的情況中,致動器83會加計此誤差部分,而使遮光葉片86A及遮光葉片86B移動至基準位置。
在步驟S108中,移動導板82及致動器83是考慮基板CB的中心位置從真空夾頭69偏移的偏移量,使遮光葉片86A及遮光葉片86B在X軸方向移動。在本實施形態中,運送手臂92在X軸方向的位置精度差。因此,調整遮光葉片86A與遮光葉片86B的移動量,而對基板CB的適當的周邊部作遮光。
示於第6圖(b)的狀態是步驟S107或S108所示的狀態。
在步驟S109中,是將光罩M的圖形曝光於基板CB。
在步驟S110中,移動導板82及致動器83是使遮光葉片86A及遮光葉片86B在X軸方向移動,而從基板CB上退避。
在步驟S111中,移動基座81是藉由升降導引88及升降致動器89而在Z軸方向下降。
在步驟S112中,基板托板68上升,將基板CB從真空夾頭69上抬。在該處,運送手臂92從X軸方向進入基板CB的下方,將基板CB運出。
在本實施形態中,投影曝光裝置100的基板托板68是在Z軸方向升降,為此,流程依循上述流程圖的各步驟。然而,亦可以是基板托板68為固定而真空夾頭69在Z軸方向升降之構成。
<遮光葉片86的構成>
針對遮光葉片86的構成來作說明。如第6圖(b)所示,遮光葉片86A與遮光葉片86B是在近接之時形成環狀,而覆蓋基板CB的周邊部。第7圖(a)是顯示成為環狀的遮光葉片86與遮光基座;第7圖(b)是(a)B-B剖面的放大圖。
如第7圖(a)所示,由定位銷85所定位的一對的遮光葉片86(86A、86B)是被安裝在一對的遮光基座84(84A、84B)。遮光葉片86是由不鏽鋼(SUS)板、鈦板或陶瓷板等輕又具有強度的金屬或非金屬。遮光葉片86的表面,是受到黑色鉻鍍膜、Kepla-處理(微弧陽極處理)等,而提升耐光性。由於多數的基板CB為圓形,遮光葉片86是各自具有半圓形的開口部。
在遮光葉片86A與遮光葉片86B近接之時,遮光葉片86A的前端86AT與遮光葉片86B的前端86BT是在Z軸方向相互重合。如第7圖(b)所示,遮光葉片86A與遮光葉片86B的厚度互為0.3mm左右,其前端AT及前端BT則形成有厚度0.1mm的薄片部。遮光葉片86(86A、86B)較好為明確地形成曝光之時的遮光區域而儘量地薄,特別是較好是厚度為0.5mm以下。由於遮光葉片86A的前端86AT是被形成在+Z軸方向、遮光葉片86B的前端86BT是被形成在-Z軸方向,會重合而不會相互撞擊。
<遮光葉片的形狀>
第8圖是關於遮光葉片86的形狀的變形例。本實施形態的遮光葉片86的形狀可以是如下所示般具有各種形狀。
第8圖(a)所示的遮光葉片86是由遮光葉片86C及86D構成。在遮光葉片86C,配合基板CB的刻痕形狀,形成有刻痕用遮光部86Nt。
另外,第8圖(b)所示的遮光葉片86是由遮光葉片86E及86F構成。在遮光葉片86E及86F中的一個的前端,配合基板CB的刻痕形狀,形成有刻痕用遮光部86Nt。
第8圖(c)所示的遮光葉片86是由遮光葉片86G及86H構成。在遮光葉片86H,配合基板CB的定向平面(orientation flat)形狀,形成有定向平面用遮光部86Of。
另外,第8圖(d)所示的遮光葉片86是由遮光葉片86I及86J構成。在遮光葉片86I及86J中的一個的前端,配合基板CB的定向平面形狀,形成有定向平面用遮光部86Of。
如此,配合基板CB的形狀,可以適當變更遮光葉片86的形狀。另外,由於在各遮光葉片86形成有符合定位銷85(請參考第3、7圖)的缺口部86Z,配合基板CB的形狀,可以變更適當的遮光葉片86。另外,即使假定遮光葉片86未被定位銷85定位,由於在遮光葉片86形成有葉片用對準標記AM2,而確實地掌握遮光葉片86的位置。
<遮光體裝置的變形例>
第9圖是顯示第二遮光體裝置180。在第3或6圖所示的第一遮光體裝置80中,移動基座81是在Z軸方向升降而使遮光葉片86升降,遮光基座84在X軸方向移動而使遮光葉片86在X軸方向移動。第二遮光體裝置180是以具有向Y軸方向延伸的旋轉軸的旋轉機構,使遮光葉片86同時在Z軸方向與X軸方向移動。
第9圖所示的第二遮光體裝置180,是僅顯示遮光葉片86A。關於遮光葉片86B亦是同樣的構成。遮光葉片86A的配置是定位於遮光基座182。遮光基座182是經由銷183而被安裝在旋轉手臂186。另外,致動器187亦經由銷185而被安裝在旋轉手臂186。旋轉手臂186是被安裝為可以旋轉軸184為中心而旋轉。致動器187亦可經由旋轉銷188而旋轉。
旋轉手臂186是如單點鏈線所示,以旋轉軸184為中心旋轉約半圈後,如雙點鏈線所示在遮光葉片86A在Z軸方向升降的同時在X軸方向移動。第二遮光體裝置180基於使遮光葉片86A作這樣的動作而覆蓋基板CB的周邊部分或從基板CB退避。
另外,在運入的基板CB從真空夾頭69的中心偏移的情況中,藉由調整致動器187的驅動量而使遮光葉片86A移動至基準位置。
第10圖顯示第三遮光體裝置280。第二遮光體裝置180是以具有向Z軸方向延伸的旋轉軸的旋轉機構,使遮光葉片86移動。
如第10圖(a)所示,第三遮光體裝置280是具有移動基座281,在移動基座281配置有旋轉軸282與一對致動器285。一對致動器285,各自的一端是連接於設在移動基座281的銷286,另一端則連接於設在遮光基座284的銷287。
移動基座281是可藉由未圖示的致動器及導引器在Y軸方向移動。另外,一對遮光基座284是被安裝為可在移動基座281的旋轉軸282旋轉。藉由致動器285的伸縮,可開合一對遮光基座284。
如第10圖(b)的箭號AR1所示,藉由移動基座281在Y軸方向移動,遮光葉片86A及遮光葉片86B從基板CB退避;更在同時,藉由致動器285的縮回,如箭號AR2所示打開遮光葉片86A及遮光葉片86B。在遮光的情況則作相反動作即可。
在運入的基板CB從真空夾頭69的中心偏移的情況中,藉由調整一對致動器285的驅動量使遮光葉片86A及遮光葉片86B移動至基準位置。
【產業上的可利用性】
如上,隨著每一種基板CB的大小或每一種遮光區域的形狀準備複數種的遮光葉片,可減少連續的曝光步驟中的遮光體部的安裝置換作業。另外,遮光體裝置可考慮運送機器人的位置偏移量,而適當選擇使用第一遮光體裝置80、第二遮光體裝置180或第三遮光體裝置280。
10...光源
11...橢圓鏡
12...分光鏡
13...快門
15...波長選擇部
30...照明光學系統
31...準直透鏡
32...蠅眼透鏡
33...聚光透鏡
40...罩幕檯
41...Y平台
42...線性馬達
45...Xθ平台
50...投影光學系統
60...基板檯
62...XY平台
68...基板托板
69...真空夾頭
72...基台
74...支持台
80...第一遮光體裝置
81...移動基座
82...移動導板
83...致動器
84...遮光基座
84A...遮光基座
84B...遮光基座
85...定位銷
86...遮光葉片
86A...遮光葉片
86AT...前端
86B...遮光葉片
86BT...前端
86C...遮光葉片
86D...遮光葉片
86E...遮光葉片
86F...遮光葉片
86G...遮光葉片
86H...遮光葉片
86I...遮光葉片
86J...遮光葉片
86K...遮光葉片
86Nt...刻痕用遮光部
86Of...定向平面用遮光部
86Z...缺口部
88...升降導引
89...升降致動器
92...運送手臂
94...運送手臂
180...第二遮光體裝置
182...遮光基座
183...銷
184...旋轉軸
185...銷
186...旋轉手臂
187...致動器
188...旋轉銷
280...第三遮光體裝置
281...移動基座
282...旋轉軸
284...遮光基座
285...致動器
286...銷
287...銷
AC...對準相機
AM1...對準標記
AM2...葉片用對準標記
AR...箭號
AR1...箭號
AR2...箭號
CB...基板
M...光罩
OA...光軸
RB1...運送機器人
RB2...運送機器人
S101...步驟
S102...步驟
S103...步驟
S104...步驟
S105...步驟
S106...步驟
S107...步驟
S108...步驟
S109...步驟
S110...步驟
S111...步驟
S112...步驟
第1圖是投影曝光裝置100的概略側面圖。
第2圖是照明光學系統30以外的投影曝光裝置100的概略斜視圖。
第3圖是從Z軸方向見到第一遮光體裝置80的平面圖。
第4圖是顯示以運送機器人RB1的運送手臂92運入基板CB的狀態的斜視圖,並顯示運送機器人RB2的運送手臂94的運入方向與移動導板82的移動方向的關係。
第5圖是第一遮光體裝置80的動作流程圖。
第6圖(a)是顯示將基板CB運入或運出真空夾頭69的狀態;第6圖(b)是顯示以遮光葉片86覆蓋基板CB的周邊部。
第7圖(a)是顯示成為環狀的遮光葉片86與遮光基座;第7圖(b)是B-B剖面的放大圖。
第8圖(a)~(d)是關於遮光葉片86的形狀的變形例。
第9圖是顯示第二遮光體裝置180。
第10圖顯示第三遮光體裝置280。
62...XY平台
68...基板托板
69...真空夾頭
80...第一遮光體裝置
81...移動基座
82...移動導板
83...致動器
84...遮光基座
84A...遮光基座
84B...遮光基座
85...定位銷
86...遮光葉片
86A...遮光葉片
86B...遮光葉片
88...升降導引
89...升降致動器
AC...對準相機
AM1...對準標記
AM2...葉片用對準標記
AR...箭號
CB...基板

Claims (7)

  1. 一種投影曝光裝置,包含:一投影光學系統,將含紫外線的光線照射在光罩,將通過該光罩的光線投影在已塗佈光阻的基板;一基板檯,承載該基板;以及一遮光器,覆蓋該基板的周邊部而遮住該光線;其中該遮光器具有:第一及第二遮光構件,具有大致半圓形的開口部;及移動器,移動上述第一及第二遮光構件二者,而使其相互接近或遠離;其中上述移動器具有將上述基板檯夾在中間且相對向平行的一對移動導板,且為了使上述第一及第二遮光構件在上述移動導板的軸方向上為可移動,將上述第一及第二遮光構件的兩端之一端,安裝於上述移動導板的一方,將上述第一及第二遮光構件的兩端之另一端安裝於上述一對移動導板的另一方;上述第一及第二遮光構件相互接近時,上述第一及第二遮光構件形成環狀,來覆蓋該基板的周邊部。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之投影曝光裝置,其中上述第一及第二遮光構件是分別由得以安裝卸下並遮住該光線的第一及第二遮光葉片、與接受上述第一及第二遮光葉片的安裝之第一及第二遮光基座所構成,其中上述第一及第二遮光基座連結於該移動器的同時,並連結於使上述第一及第二遮光基座升降的一升降器。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之投影曝光裝置,其中上述第一遮光葉片的前端及第二遮光葉片的前端形成有薄片部,以使當第一遮光葉片與第二遮光葉片相互接近時其前端在厚度方向相重疊。
  4. 如申請專利範圍第1至3項任一項所述之投影曝光裝置,其中藉由一基板運送器將該基板運送至該基板檯,並藉由上述移動器在直線方向移動上述第一及第二遮光構件,使其並行於該基板運送器的位置偏移大的水平方向。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之投影曝光裝置,其中上述移動器具有將上述基板檯夾在中間且相對向的第一及第二致動器;為了控制藉由上述第一及第二致動器的驅動上述移動導板所導引之移動,將上述第一及第二遮光構件各自連結至上述第一及第二致動器。
  6. 一種投影曝光方法,其是將含紫外光的光線照射於光罩,藉由覆蓋一基板的周邊部的一遮光器遮住通過該光罩的光線,使該光線不會照射已塗佈光阻的該基板的周邊部而將相對於該周邊部的中心側的中央部曝光,包含下列步驟:藉由一基板運送器將該基板承載於一基板檯;將該遮光器隨著將上述基板檯夾在中間且相對向平行的一對移動導板而移動,且與該基板的上方近接配置;測定承載於該基板檯的該基板的位置與該遮光器的位置;以及 該基板的位置與該遮光器的位置大於既定的間隔時,移動該遮光器而成為該既定的間隔以下。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之投影曝光方法,其中該基板的位置是藉由將該基板上的對準標記作整體對準(global alignment)來測定;以及該遮光器的位置是測定設於該遮光器的至少一個對準標記。
TW100121940A 2010-09-13 2011-06-23 Projection exposure device TWI536112B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010204715 2010-09-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201216008A TW201216008A (en) 2012-04-16
TWI536112B true TWI536112B (zh) 2016-06-01

Family

ID=45831325

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100121940A TWI536112B (zh) 2010-09-13 2011-06-23 Projection exposure device

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9013695B2 (zh)
JP (2) JPWO2012035843A1 (zh)
KR (1) KR101674248B1 (zh)
CN (1) CN103098171B (zh)
TW (1) TWI536112B (zh)
WO (1) WO2012035843A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103576468B (zh) * 2012-08-10 2016-03-09 北京京东方光电科技有限公司 一种曝光设备及其挡板控制方法
US20150234281A1 (en) * 2012-10-05 2015-08-20 Rudolph Technologies, Inc. Blade for Substrate Edge Protection During Photolithography
US10806119B2 (en) 2013-06-05 2020-10-20 Yeda Research And Development Co. Ltd. Plant with altered content of steroidal alkaloids
JP6219747B2 (ja) * 2014-02-25 2017-10-25 日本電子株式会社 荷電粒子線描画装置
CN105807575B (zh) * 2014-12-30 2017-08-25 上海微电子装备有限公司 一种硅片边缘保护装置
NL2015170B1 (en) * 2015-07-15 2017-02-01 Suss Microtec Lithography Gmbh Spacer displacement device for a wafer illumination unit and wafer illumination unit.
TWI649639B (zh) * 2017-08-25 2019-02-01 京鼎精密科技股份有限公司 反射式曝光設備
CN108089410A (zh) * 2017-12-25 2018-05-29 德淮半导体有限公司 曝光设备及其保护治具、曝光方法
KR102439935B1 (ko) * 2018-02-27 2022-09-02 가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼 투영 노광 장치
JP7179420B2 (ja) * 2019-01-29 2022-11-29 株式会社オーク製作所 投影露光装置及び投影露光装置に使用する遮光板

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5331371A (en) * 1990-09-26 1994-07-19 Canon Kabushiki Kaisha Alignment and exposure method
JP2965651B2 (ja) * 1990-09-26 1999-10-18 キヤノン株式会社 露光装置
JPH0864500A (ja) * 1994-08-25 1996-03-08 Hitachi Ltd 信号処理方法および位置検出光学系の調整方法およびターゲットパターンならびに露光方法および露光装置
JPH08115872A (ja) * 1994-10-13 1996-05-07 Nikon Corp 露光装置
JP3531895B2 (ja) * 1996-09-13 2004-05-31 キヤノン株式会社 投影露光装置
CN1244018C (zh) * 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 曝光方法和曝光装置
JP2002075843A (ja) * 2000-08-31 2002-03-15 Nikon Corp 露光装置、デバイス製造方法、及び照明装置
US6680774B1 (en) 2001-10-09 2004-01-20 Ultratech Stepper, Inc. Method and apparatus for mechanically masking a workpiece
KR100576750B1 (ko) * 2002-03-18 2006-05-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
JP3824987B2 (ja) * 2002-10-04 2006-09-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理システム
JP2005045160A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光方法
KR20050059908A (ko) * 2003-12-15 2005-06-21 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 레벨의 마스킹 블레이드
JP2006040915A (ja) * 2004-07-22 2006-02-09 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、及びその製造装置、並びに電気光学装置の製造方法
US7936447B2 (en) 2006-05-08 2011-05-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7659965B2 (en) * 2006-10-06 2010-02-09 Wafertech, Llc High throughput wafer stage design for optical lithography exposure apparatus
US7723771B2 (en) * 2007-03-30 2010-05-25 Qimonda Ag Zirconium oxide based capacitor and process to manufacture the same
TW200841134A (en) * 2007-04-13 2008-10-16 Orc Mfg Co Ltd Projection exposure apparatus
JP2009105183A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Orc Mfg Co Ltd 投影露光装置
US7777863B2 (en) * 2007-05-30 2010-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with mask to prevent exposure of peripheral exposure region of substrate
JP2009239018A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Orc Mfg Co Ltd 投影露光装置
JP2010087392A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Nikon Corp 光学系、露光装置、及び電子デバイスの製造方法
JP2011123263A (ja) * 2009-12-10 2011-06-23 Nsk Ltd 近接露光装置及び近接露光方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103098171A (zh) 2013-05-08
WO2012035843A1 (ja) 2012-03-22
JP2015200910A (ja) 2015-11-12
TW201216008A (en) 2012-04-16
US9013695B2 (en) 2015-04-21
US20130155398A1 (en) 2013-06-20
JP6077597B2 (ja) 2017-02-08
JPWO2012035843A1 (ja) 2014-02-03
CN103098171B (zh) 2016-01-20
KR20140004616A (ko) 2014-01-13
KR101674248B1 (ko) 2016-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI536112B (zh) Projection exposure device
KR20120008447A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체
JP2009239018A (ja) 投影露光装置
JP6465591B2 (ja) 描画装置
JP2008263092A (ja) 投影露光装置
KR101437210B1 (ko) 노광 장치용 광조사 장치, 노광 장치, 노광 방법, 기판의 제조 방법, 마스크, 및 피노광 기판
TW200422786A (en) Container for a mask, method of transferring lithographic masks therein and method of scanning a mask in a container
WO2003065427A1 (fr) Dispositif et procede d&#39;exposition
JP4764201B2 (ja) 基板露光装置および基板露光方法
KR101384440B1 (ko) 물체의 반출입 방법 및 반출입 장치, 노광 방법 및 노광장치와 디바이스 제조 방법
CN107615170B (zh) 曝光用照明装置、曝光装置和曝光方法
KR20120139555A (ko) 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI529494B (zh) A light irradiation device for exposure apparatus, an exposure apparatus, and an exposure method
JP2002156280A (ja) 照度計測装置、露光装置、及び露光方法
JP2005044882A (ja) 搬送装置及び露光装置
KR20100112521A (ko) 노광 장치용 광 조사 장치 및 그 점등 제어 방법, 그리고 노광 장치 및 기판
JP2001244313A (ja) 搬送方法及び搬送装置、露光方法及び露光装置
JP4812796B2 (ja) 基板をマスクするリソグラフィ装置及び方法
JP2008209632A (ja) マスク装着方法及び露光装置ユニット
JP2005026446A (ja) 基板搬送装置、露光装置、基板計測装置及び基板搬送方法
JP3219925B2 (ja) 周辺露光装置及び周辺露光方法
JP2008209631A (ja) 露光装置及びそのマスク装着方法
KR101578385B1 (ko) 근접 노광 장치, 근접 노광 방법 및 조명 광학계
JP2009124000A (ja) 投影露光装置
TW201107891A (en) Light irradiation apparatus for exposure apparatus, exposure apparatus, and exposure method