TWI533389B - Airtight module and exhaust method of the airtight module - Google Patents

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TWI533389B TW103141971A TW103141971A TWI533389B TW I533389 B TWI533389 B TW I533389B TW 103141971 A TW103141971 A TW 103141971A TW 103141971 A TW103141971 A TW 103141971A TW I533389 B TWI533389 B TW I533389B
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Description

氣密模組及該氣密模組之排氣方法
本發明是關於氣密模組及該氣密模組的排氣方法，特別是關於具備有真空室可讓施加指定處理在正面形成有圖案的基板搬入真空室內的氣密模組。
對成為基板的晶圓施加指定處理例如施加等離子處理的基板處理系統，具備有：收容晶圓施加等離子處理的處理模組；對該處理模組搬入晶圓的同時從該處理模組搬出處理完畢之晶圓的加載互鎖模組；從收容複數晶圓的容器取出晶圓交接至加載互鎖模組的裝載模組。
通常，基板處理系統的加載互鎖模組，具有可納入晶圓的真空室，其功能是在大氣壓下納入晶圓，將真空室內真空排氣至指定壓力後，打開處理模組側的閘門，將晶圓搬入處理模組，當等離子處理結束時，就從處理模組搬出處理完畢的晶圓，關閉處理模組側的閘門，使真空室內恢復成大氣壓將晶圓搬出裝載模組(例如參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本特開2006-128578號公報
然而，上述的加載互鎖模組，在大氣壓下納入施加等離子處理在主面形成有圖案的晶圓後，對真空室內進行真空排氣時，會導致形成在晶圓主面的圖案倒塌。
圖案倒塌的產生機制，如第8圖所示，當真空排氣時真空室內的圖案P間存在的氣體分子m會衝撞圖案P，該衝撞的氣體分子m的運動量造成圖案P倒塌。
晶圓主面圖案倒塌的產生，會造成從該晶圓所製造出來的半導體元件其短路等不佳的問題，結論是會降低製造完成的半導體元件成品良率。
習知，上述問題的對策是於加載互鎖模組中，降低真空排氣時的排氣速度藉此降低真空室內的氣體分子運動量防止圖案倒塌，但若降低真空排氣時的排氣速度，則要達到所期望之真空度的時間就會變長，因此會有基板處理系統生產量明顯降低的問題。
本發明之目的是提供一種不會降低生產量，能夠防止基板主面上所形成的圖案倒塌的氣密模組及該氣密模組的排氣方法。
為了達成上述目的，申請專利範圍第1項所記載的氣密模組，係搬運施加指定處理在主面形成有圖案的基板， 並具備搬入上述基板可進行減壓的真空室的氣密模組，其特徵為：具備有可朝和上述已搬入的基板的上述主面成相向的上述真空室的頂板，並使該基板昇降的基板昇降裝置，藉上述基板及上述頂板區隔形成有從上述真空室的其餘部份隔離的排氣流路，該排氣流路的剖面積是比上述真空室的其餘部份的剖面積還小。
為了達成上述目的，申請專利範圍第2項所記載的氣密模組之排氣方法，係於搬運施加指定處理在主面形成有圖案的基板的氣密模組，具備搬入上述基板可進行減壓的真空室，及配置在該真空室內，並載放上述基板藉旋繞來移動上述基板的搬運裝置所成的氣密模組之排氣方法，其特徵為，具有：朝向與上述已搬入的基板的上述主面成相向的上述真空室的頂板使得該基板昇降的基板昇降步驟，及執行上述真空室內排氣的排氣步驟，在上述基板昇降步驟中，藉上述基板及上述頂板區隔形成有從上述真空室的其餘部份隔離的排氣流路，該排氣流路的剖面積是比上述真空室的其餘部份的剖面積還小。
根據申請專利範圍第1項所記載的氣密模組及申請專利範圍第2項所記載的氣密模組之排氣方法時，因是可讓基板朝該基板主面相向的真空室區隔形成用的構件昇降。此時，在基板主面的正上方區隔形成有由基板及真空室區隔形成用的構件從真空室的其餘部份隔離的排氣流路。由 於該排氣流路的剖面積比真空室的其餘部份的剖面積還小，因此就能夠使排氣流路的傳導比真空室的其餘部份的傳導小。其結果，於真空排氣時就能夠降低基板主面正上方的氣體分子即基板主面上形成的圖案間存在的氣體分子的運動量，因此該圖案不會因該氣體分子的衝撞而倒塌。此外，於真空室內基板主面正上方的排氣流量是相對地微量，因此上述排氣流路的傳導變化是不會影響到真空室內全體排氣流的傳導。其結果，真空排氣的排氣時間就不會變長。因此，就不會造成基板處理系統的生產量降低，能夠防止已形成在基板主面的圖案倒塌。
m‧‧‧氣體分子
P‧‧‧圖案
S‧‧‧處理空間
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧基板處理系統
5、37‧‧‧加載互鎖模組
31、41‧‧‧移載臂
32‧‧‧真空室
33‧‧‧氣體供應系統
34、38‧‧‧加載互鎖模組排氣系統
36、39‧‧‧板狀構件
40‧‧‧孔
43‧‧‧昇降支桿
第1圖為表示具備有本發明實施形態相關氣密模組的基板處理系統構成的概略剖面圖。
第2圖為本實施形態相關的氣密模組即加載互鎖模組的排氣方法其排氣處理說明用的圖面。
第3圖為表示加載互鎖模組的真空室的真空排氣其真空室內的壓力和排氣時間的關係圖表。
第4圖為本實施形態相關的氣密模組即加載互鎖模組的排氣方法其排氣處理變形例說明用的作業步驟圖。
第5圖為本實施形態相關的氣密模組即加載互鎖模組變形例的排氣方法其排氣處理說明用的圖面。
第6圖為本實施形態相關的氣密模組即加載互鎖模組具備有分離裝置時說明用的圖面。
第7圖為本實施形態相關的氣密模組即加載互鎖模組變形例說明用的圖面。
第8圖為真空排氣時形成在基板主面的圖案倒塌說明用的圖面。
[發明之最佳實施形態]
以下，參照圖面對本發明實施形態進行說明。
首先，針對具備有本發明實施形態相關氣密模組的基板處理系統進行說明。
第1圖，是表示具備有本實施形態相關氣密模組的基板處理系統構成的概略剖面圖。
第1圖中，基板處理系統1，具備有：可對成為基板的半導體用晶圓W(以下，僅稱為「晶圓W」)針對每一片晶圓進行成膜處理、擴散處理、蝕刻處理等各種等離子處理的處理模組2；可從容納有指定片數之晶圓W的晶圓收納盒3取出晶圓W的裝載模組4；及配置在該裝載模組4和處理模組2之間，可將晶圓W從裝載模組4搬送至處理模組2或是從處理模組2搬送至裝載模組4的加載互鎖模組5(氣密模組)。
處理模組2及加載互鎖模組5是透過閘閥6成為連接著，加載互鎖模組5及裝載模組4是透過閘閥7成為連接著。此外，加載互鎖模組5內部及裝載模組4內部，是由連通管9連通著，該連通管9途中配置有關閉自如的閥 8。
處理模組2，具有金屬製例如鋁或不鏽鋼製的圓筒型真空室10，該真空室10內，配置有例如直徑300mm晶圓W載放用的載放台即圓柱狀承受器11。
真空室10側壁和承受器11之間，形成有可將下述處理空間S的氣體排出至真空室10外具有流路功能的排氣路12。該排氣路12途中配置有環狀的排氣板13，比排氣路12的排氣板13位於下游側的空間即集流腔14是連通於可變式蝶形閥即自動壓力控制閥15(Adaptive Pressure Control Valve，以下稱「APC閥」)。APC閥15是連接在真空抽取用排氣泵即渦輪分子泵(以下稱「TMP」)16。於此，排氣板13可防止處理空間S中產生的等離子流出集流腔14。APC閥15是執行真空室10內的壓力控制，TPM16是將真空室10內減壓成大致真空狀態。
承受器11是透過整合器18連接有高頻電源17，高頻電源17是將高頻電力供應至承受器11。如此一來，承受器11就具有下部電極的功能。此外，整合器18可降低來自於承受器11的高頻電力反射使該高頻電力對承受器11的供應效率達到最大。
承受器11配置有可利用庫倫力或約翰遜拉貝克(Johnsen-Rahbek)力吸附晶圓W的電極板(未圖示)。如此一來，晶圓W就可吸附保持在承受器11的上面。此外，承受器11的上部配置有矽(Si)等形成的圓環狀聚焦環19，該聚焦環19可使承受器11及下述噴灑頭20之 間的處理空間S中產生的等離子朝晶圓W聚集。
此外，承受器11的內部設有環狀冷媒室(未圖示)。該冷媒室內循環供應有指定溫度的冷媒例如冷卻水，利用該冷媒溫度調整承受器11上的晶圓W處理溫度。另，晶圓W及承受器11之間供應有氦氣，該氦氣可將晶圓W的熱傳到承受器11。
真空室10的頂板部配置有圓板狀噴灑頭20。噴灑頭20是透過整合器22連接有高頻電源21，高頻電源21是將高頻電力供應至噴灑頭20。如此一來，噴灑頭20就具有上部電極的功能。另，整合器22的功能是和整合器18相同。
另外，噴灑頭20連接有處理氣體例如CF系氣體及其他種類氣體的混合氣體供應用的處理氣體導入管23，噴灑頭20是將處理氣體導入管23所供應的處理氣體導入處理空間S。
該處理模組2的真空室10內的處理空間S，是由已供應有高頻電力的承受器11及噴灑頭20對處理空間S施加高頻電力，於處理空間S內從處理氣體產生高密度的等離子。所產生的等離子是利用聚焦環19聚集在晶圓W表面，例如對晶圓W表面進行物理或化學蝕刻。
裝載模組4，具有晶圓收納盒3載放用的晶圓收納盒載放台24及搬送室25。晶圓收納盒3是以等距多段載放收容有例如25片的晶圓W。搬送室25是長方體的箱狀物，具有可於內部搬送晶圓W的標量型搬送臂26。
搬送臂26，具有：構成為可伸屈的多關節搬送臂腕部27；及安裝在該搬送臂腕部27前端的固定夾具28，該固定夾具28是構成可直接載放晶圓W。搬送臂26是構成為旋繞自如，並且利用搬送臂腕部27形成可彎折自如，因此能夠將載放在固定夾具28上的晶圓W自由搬送在晶圓收納盒3及加載互鎖模組5之間。
此外，搬送室25的頂板部連接有可將空氣流入搬送室25內的流入管29，搬送室25的底部連接有可將搬送室25內的空氣流出的流出管30。基於此，該搬送室25內，從搬送室25頂板部流入的空氣會從搬送室25的底部流出。因此，流入搬送室25內的空氣是形成往下流動的氣流。
加載互鎖模組5具有真空室32和氣體供應系統33(氣體供應裝置)及加載互鎖模組排氣系統34，真空室32配置有構成為可伸屈及旋繞自如的移載臂31，氣體供應系統33是可將做為吹掃氣體的氮(N2)氣等惰性氣體及做為置換氣體的氦(He)氣等輕元素氣體供應至該真空室32，加載互鎖模組排氣系統34是可對真空室32內進行真空排氣。於此，移載臂31是由複數腕部形成的標量型搬送臂，具有安裝在其前端的固定夾具35。該固定夾具35是構成可直接載放晶圓W。此外，真空室32內配置有板狀構件36。該板狀構件36，在該真空室32的真空排氣期間，於真空室32內的一處是和持續載放著晶圓W的固定夾具35成相向。即，板狀構件36是配置成和搬入至 真空室32內的晶圓W主面成相向。
板狀構件36的尺寸是和晶圓W的尺寸大致相同，當板狀構件36和晶圓W主面成相向時，板狀構件36是覆蓋著晶圓W的大致全面。此時，在晶圓W主面的正上方是由晶圓W及板狀構件36區隔形成有從真空室32的其餘部份隔離的排氣流路。
晶圓W從裝載模組4搬送往處理模組2時，當閘閥7打開時，移載臂31會在大氣壓下從搬送室25內的搬送臂26接收晶圓W，接著關閉閘閥7使真空室32內真空排氣成指定壓力後，當閘閥6打開時，移載臂31就會進入處理模組2的真空室10內，將晶圓W載放在承受器11上。此外，晶圓W從處理模組2搬送往裝載模組4時，當閘閥6打開時，移載臂31會進入處理模組2的真空室10內，從承受器11接收晶圓W，接著關閉閘閥6使真空室32內恢復成大氣壓後，當閘閥7打開時，移載臂31就會將晶圓W交接至搬送室25內的搬送臂26。
另，基板處理系統1構成用的處理模組2、裝載模組4及加載互鎖模組5的各構成元件的動作，是由基板處理系統1所具備的控制裝置即電腦(未圖示)，或是由連接於基板處理系統1的控制裝置即外部伺服機(未圖示)等控制。
以下，針對本實施形態相關的氣密模組即加載互鎖模組的排氣方法進行說明。
第2圖是本實施形態相關的氣密模組即加載互鎖模組 的排氣方法其排氣處理說明用的圖面。另，本排氣處理是針對例如施加有上述各種等離子處理在主面形成有圖案的晶圓W從裝載模組4搬送往處理模組2的狀況，在大氣壓下將該晶圓W納入在真空室32內之後才執行。
第2圖中，首先，加載互鎖模組5的移載臂31是在大氣壓下從搬送室25內的搬送臂26接收晶圓W，將晶圓W搬入真空室32內，於該真空室32內使該晶圓W的主面和板狀構件36成相向。接著，加載互鎖模組排氣系統34是在真空室32內進行真空排氣。
第3圖是表示加載互鎖模組的真空室的真空排氣之真空室內的壓力和排氣時間的關係圖表。
第3圖的圖表中，虛線B是表示由晶圓W及板狀構件36區隔形成的排氣通道的壓力轉變，實線A是表示真空室32的其餘部份的壓力轉變。
由於真空室32的其餘部份的傳導較大，所以真空室32的其餘部份在真空排氣初期階段其壓力會急遽下降，但由晶圓W及板狀構件36區隔形成的排氣通道，因該排氣通道的傳導比真空室32的其餘部份的傳導還小，所以其壓力會徐徐下降。即，上述排氣通道可降低排氣速度，能夠降低該排氣通道中的氣體分子的運動量。
根據本排氣處理時，由於板狀構件36是配置成和晶圓W的主面成相向，因此在晶圓W主面的正上方就會形成有由晶圓W及板狀構件36區隔成為從真空室32的其餘部份隔離的排氣流路。該排氣流路的剖面積是比真空室 32的其餘部份的剖面積還小，因此就能夠使排氣流路的傳導[晶圓W主面的正上方的傳導(以下，稱「正上方傳導」)]比真空室32的其餘部份的傳導還小。其結果，於真空排氣時可使晶圓W主面正上方的氣體分子即晶圓W主面上形成的圖案間存在的氣體分子的運動量降低，因此該圖案不會因該氣體分子的衝撞而倒塌。此外，於真空室32內基板W主面正上方的排氣流量是相對地微量，因此正上方傳導的變化不會影響到真空室32內全體排氣流的傳導。其結果，真空排氣時的排氣時間就不會變長。因此，就不會造成基板處理系統1的生產量降低，能夠防止已形成在基板W主面的圖案倒塌。
另，為了防止圖案倒塌，經由本發明人的確認最好是將正上方傳導構成為未配置板狀構件36時其傳導的1/10以下為佳。具體而言，若是將沿著由晶圓W及板狀構件36區隔形成的排氣流路的排氣流方向的長度(第2圖中的左右方向的長度)為379mm，將沿著真空室32氣體流動方向的直角方向的長度(第2圖中的深度方向的長度)為309mm，將搬入在真空室32內的晶圓W的主面和與該主面成相向的真空室32頂板的間隔為15.7mm時，為了實現能夠防止圖案倒塌的傳導，經確認結果最好是將板狀構件36配置成和晶圓W主面的間隔為5mm以下為佳。
此外，上述的板狀構件36，可以是網眼構造體或多孔構造體，也可以施有窄縫加工。於該狀況時，能夠防止正上方傳導有所需以上的變小，因此能夠迅速進行真空室 32內的真空排氣。
另外，上述板狀構件36也可具貫通該板狀構件36的複數孔(未圖示)。於該狀況時，晶圓W主面正上方的氣體其一部份是會通過該複數孔形成排氣，因此該氣體的一部份在真空排氣時會從基板主面朝板狀構件流動，即，對形成在主面的圖案成大致平行流動。如此一來，就能夠防止通過複數孔形成排氣之存在於圖案間的氣體分子對該圖案的衝撞，因此就能夠確實防止圖案倒塌。
此外，貫通上述板狀構件36的各複數孔，最好是對與該板狀構件36相向配置的晶圓W主面成垂直方向形成。於該狀況時，能夠讓真空排氣時通過該複數孔的氣體確實對形成在主面的圖案成平行流動。
另外，當對真空室32內進行真空排氣時，會擔心真空室內微粒上揚，該上揚微粒有時候會飛向晶圓W的主面，但於加載互鎖模組5中，板狀構件36是配置成和晶圓W的主面成相向，所以朝晶圓W主面飛去的微粒會由板狀構件36阻擋前進，使微粒無法到達晶圓W主面。因此，就能夠提昇從晶圓W所製造出來的半導體元件的成品良率。
第4圖是本實施形態相關的氣密模組即加載互鎖模組的排氣方法其排氣處理變形例說明用的作業步驟圖。
首先，加載互鎖模組5的移載臂31是在大氣壓下從搬送室25內的搬送臂26接收晶圓W，將晶圓W搬入真空室32內，於該真空室32內使該晶圓W的主面和板狀 構件36成相向。接著，加載互鎖模組排氣系統34是將真空室32內排氣成低真空[第4(A)圖]。
接著，氣體供應系統33是將輕元素氣體即氦氣供應至已排氣成低真空的真空室32內[第4(B)圖]。
然後，加載互鎖模組排氣系統34是對真空室32內進行真空排氣[第4(C)圖]。
根據本排氣處理變形例時，因板狀構件36是配置成和晶圓W主面成相向，所以能夠實現和上述第2圖排氣處理相同的效果。再加上，在排氣成低真空的時間點，輕元素氣體即氦氣會供應至真空室32內，因此真空室32內的氣體就可置換成輕元素氣體即氦氣。其結果，於真空排氣時就能夠降低晶圓W主面正上方的氣體分子即晶圓W主面上形成的圖案間所存在的氣體分子的運動量，因此，就能夠確實防止已形成在晶圓W主面的圖案倒塌。此外，當目的並不需要降低氣體分子的運動量時，即，氣體分子的運動量即使維持成與氦氣置換前同等的運動量也無礙時，可以提昇排氣速度，如此一來，就能夠提昇基板處理系統1的生產量。
另，根據本排氣處理變形例時，由於將真空室32內的氣體置換成輕元素氣體即氦氣，能夠降低晶圓W主面上形成的圖案間所存在的氣體分子的運動量，因此例如即使不配置板狀構件36還是能夠達到某種程度防止圖案的倒塌。
第5圖是本實施形態相關的氣密模組即加載互鎖模組 變形例的排氣方法其排氣處理說明用的圖面。另，本排氣處理是以上述第2圖排氣處理相同的作業步驟執行。
第5圖中，加載互鎖模組37是配置在真空室32上方並且具有可對該真空室32內進行排氣的加載互鎖模組排氣系統(排氣裝置)38，真空室32內配置有和固定夾具35的晶圓載放面成相向的板狀構件39，該板狀構件39具有貫通該板狀構件39的複數孔40。加載互鎖模組37的移載臂31是在大氣壓下從搬送室25內的搬送臂26接收晶圓W，將晶圓W搬入真空室32內，於該真空室32內使該晶圓W的主面和板狀構件39成相向。接著，加載互鎖模組排氣系統38是從上方對真空室32內進行真空排氣。
根據本排氣處理時，因板狀構件39是配置成和晶圓W主面成相向，所以能夠實現和上述第2圖排氣處理相同的效果。再加上，板狀構件39具有貫通該板狀構件39的複數孔40，真空室32內的氣體是從上方真空排氣，因此晶圓W主面正上方的氣體幾乎全部都通過複數的孔40形成排氣。其結果，於真空排氣時能夠讓晶圓W主面正上方的氣體流動方向對形成在該主面的圖案成大致平行方向。如此一來，就能夠防止圖案間所存在的氣體分子衝撞該圖案，因此，就能夠確實防止圖案倒塌。
此外，貫通上述板狀構件39的複數孔40各個，最好是對著與該板狀構件39相向配置的晶圓W主面成垂直方向形成。於該狀況時，能夠讓真空排氣時晶圓W主面正 上方的氣體流動方向確實對形成在主面的圖案成平行流動。
另外，具有複數孔40且其複數孔40對晶圓W主面成垂直方向形成的板狀構件也可配置成橫貫真空室32內的空間，將該板狀構件配置在真空室32上方使真空室32內分割成2個空間。於該狀況時，同樣地，於真空排氣時也能夠讓分割成2個空間的真空室32內當中空間的下方空間，即搬入有晶圓W的空間其全部氣體流動方向對形成在該晶圓W主面的圖案成大致平行方向。
此外，第5圖的排氣處理，其加載互鎖模組排氣系統38是配置在真空室32上方，但搬入至真空室32內的晶圓W其主面若不是朝向上方，例如是朝向下方時，則加載互鎖模組排氣系統38是配置成和晶圓W的主面成相向，即是配置在真空室32下方。如此一來，就能夠實現和上述第5圖排氣處理相同的效果。
另外，上述各排氣處理執行用的加載互鎖模組5(37)，如第6圖所示，可具備有板狀構件36(39)和晶圓W主面拉開距離用的分離裝置(未圖示)。於該狀況時，該分離裝置是根據真空排氣時的真空室32內的壓力控制板狀構件36(39)和晶圓W主面的分離量。如此一來，就能夠根據真空排氣時的真空室32內的壓力適當控制正上方傳導。具體而言，真空室32內的壓力愈往下降則愈需拉開板狀構件36(39)和晶圓W主面的間距。如此一來，能夠使晶圓W和板狀構件36(39)所區隔形 成的排氣通道傳導逐漸加大，藉此，就能夠迅速進行真空室32內的真空排氣。
此外，加載互鎖模組5(37)，其真空室32內也可配置有前端安裝有固定夾具42的移載臂41。固定夾具42，具有複數昇降支桿43(基板昇降裝置)可昇降被載放在該固定夾具42上的晶圓W。加載互鎖模組5(37)的移載臂41，是在大氣壓下從搬送室25內的搬送臂26接收晶圓W，當移載臂41將晶圓W搬入至真空室32內之後，固定夾具42的複數昇降支桿43是將晶圓W朝該晶圓W主面成相向的真空室32區隔形成用的構件即真空室32的頂板進行昇降。此時，晶圓W主面的正上方是由晶圓W及真空室32的頂板區隔形成有從真空室32的其餘部份隔離的排氣流路。該排氣流路的剖面積因是比真空室32的其餘部份的剖面積還小，所以能夠讓正上方傳導變小，因此能夠實現和上述第2圖排氣處理相同的效果。
本發明是應用在氣密模組即加載互鎖模組，但其可應用的氣密模組並不限於此，只要是具有真空室且已形成圖案之晶圓搬入其真空室內的模組或裝置都可應用本發明。
另外，上述的實施形態中，基板為半導體用晶圓，但基板並不限於此，例如也可以是LCD(Liquid Crystal Display)或FPD(Flat Panel Display)等玻璃基板。
W‧‧‧晶圓
5‧‧‧加載互鎖模組
31‧‧‧移載臂
32‧‧‧真空室
34‧‧‧加載互鎖模組排氣系統
35‧‧‧固定夾具
36‧‧‧板狀構件

Claims (2)

  1. 一種氣密模組，係搬運施加指定處理在主面形成有圖案的基板，並具備搬入上述基板可進行減壓的真空室的氣密模組，其特徵為：具備有可朝和上述已搬入的基板的上述主面成相向的上述真空室的頂板，並使該基板昇降的基板昇降裝置，藉上述基板及上述頂板區隔形成有從上述真空室的其餘部份隔離的排氣流路，該排氣流路的剖面積是比上述真空室的其餘部份的剖面積還小。
  2. 一種氣密模組之排氣方法，係於搬運施加指定處理在主面形成有圖案的基板的氣密模組，具備搬入上述基板可進行減壓的真空室，及配置在該真空室內，並載放上述基板藉旋繞來移動上述基板的搬運裝置所成的氣密模組之排氣方法，其特徵為，具有：朝向與上述已搬入的基板的上述主面成相向的上述真空室的頂板使得該基板昇降的基板昇降步驟，及執行上述真空室內排氣的排氣步驟，在上述基板昇降步驟中，藉上述基板及上述頂板區隔形成有從上述真空室的其餘部份隔離的排氣流路，該排氣流路的剖面積是比上述真空室的其餘部份的剖面積還小。
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