TWI532077B - Ｅｕｖ用防塵薄膜組件、使用其的ｅｕｖ用組合體以及組合方法 - Google Patents
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Description
本發明涉及極紫外線(EUV：Extreme Ultra Violet)用防塵薄膜組件(以下，稱“EUV用防塵薄膜組件”)，本發明進一步涉及減小了投影在晶圓上的網格結構體(mesh structure)的像影的濃淡對比度的EUV用防塵薄膜組件。
現在，半導體裝置的高積體化，細微化正在進展，45nm左右的圖案化也已經實用化。對於該圖案化，可以用對以往的使用準分子光的技術進行了改良的技術，即，使用ArF的液浸法以及二重曝光等的技術來應付。但是，對下一代的更細微化的32nm以下的圖案化，應用準分子光的曝光技術就難以應付了，用與準分子光相比極短波長的以13.5nm為主波長的EUV光的EUV曝光技術被認為是今後的主流。
進一步，關於該EUV曝光技術的實用化，雖然已經具有相當的進展，但是光源，光阻以及防塵薄膜組件，還有很多要解
決的技術的課題。例如，關於將決定製造成品率的高低的防止光遮罩上異物附著的防塵用防塵薄膜組件，還有種種要解決的問題，這成了EUV用防塵薄膜組件的實現上的障礙。另外，特別是，防塵薄膜的材料要不僅EUV光的透過率要高，還要沒有由於氧化等造成的隨時間的變化以及具有化學安定性，但是該種材料的開發還沒有頭緒。
以往的EUV用防塵薄膜的材料中有種種問題，特別是，在有機材料中，具有不透EUV光，分解老化的問題。現在，對EUV光的波長帶具有完全的透明性的材料還不存在，例如在下述的專利文獻1以及非專利文獻1中，記載了作為比較透明的材料的矽製薄膜。
這些矽製薄膜，從使EUV光的衰減減少的觀點，優選盡量薄的，但是另一方面，這些矽製薄膜，由於是厚度20nm的矽和15nm的銣構成的奈米級的極薄薄膜，強度非常小，由此，有不能單獨作為EUV用防塵薄膜來使用的問題。
為了對該問題加以解決，有人提議使對該極薄薄膜進行補強的蜂窩形狀的結構物和矽製薄膜一體化。例如在專利文獻2中，提議了具有對使用SOI(Silicon On Insulator)的EUV用防塵薄膜有補強作用的蜂窩結構的網格結構體。
作為該補強用的網格結構體，除了蜂窩形狀之外，可以使用正方形或長方形形狀，或圓形以及角形等，或者配置有具有任意形狀的開口部的板狀體等，只要能達到目的任意形狀的網格
結構體。再者，其強度是由網格的間隔(pitch)，網格的邊幅，網格的邊的高度決定，間隔越窄、邊幅越大、邊越高，強度越大。
但是，這種補強用的網格結構體，由於不透EUV光，所以在使用這種補強用的網格結構體的場合，有必要設置可以透過EUV光的開口部。而且，為了將透過EUV用防塵薄膜組件的EUV光的衰減壓到最小，這種網格結構體的開口率必須提高，但是，若提高強度，則網格結構體的開口率就會降低，因此網格結構體造成的補強和透過率處於二律背反(妳增我減、我增妳減)的關係，所以就必須設計符合使用時的條件以及制約的EUV用防塵薄膜組件。
這樣的經網格結構體補強的EUV用防塵薄膜組件保護遮罩的圖案部不受外部的灰塵以及粒子的侵害，因此可以用於如圖10所示的那樣的EUV曝光機。在這種EUV曝光機中，分段機內的光源1發出的EUV光，被作為照明光而從與由防塵薄膜組件2和遮罩3構成的光罩(reticle)的遮罩圖案面的垂線成4-8°的角度的方向入射，通過防塵薄膜組件2到達遮罩3。這種到達遮罩3的EUV光，被遮罩3反射，再一次通過防塵薄膜組件2，進入光學系統4，在晶圓5上成像。
即，EUV光，以光源1→防塵薄膜組件2→遮罩3→防塵薄膜組件2→光學系統4→晶圓5的順序通過，將遮罩3上的圖案向晶圓5上投影轉印，所以2次通過防塵薄膜組件2。此時，如果防塵薄膜組件2如用上述那樣的網格結構體進行補強的話，EUV
光會被不透EUV光的網格結構體遮斷，網格結構體就會在晶圓5上被作為像影而投影，從而阻礙曝光作業。
【專利文獻1】美國專利第6623893號說明書
【專利文獻2】日本特開2010-256434號
【非專利文獻1】 Shroff et al. “EUV pellicle Development for Mask Defect Control,” Emerging Lithographic Technologies X, Proc of SPIE Vol.6151 615104-1(2006)
因此，本發明的目的，就是提供一種可以使投影在晶圓上的網格結構體的像影的濃淡對比度減小的EUV用防塵薄膜組件和使用該EUV用防塵薄膜組件的EUV用組合體以及其組合方法。
但是，EUV用防塵薄膜組件2是由防塵薄膜結構體和將該防塵薄膜結構體進行保持的防塵薄膜組件框架構成，所述防塵薄膜結構體是將用以保護遮罩3的圖案部不受外部的灰塵以及粒子的侵害的防塵薄膜用網格結構體進行補強而成。然後，雖然在圖10中沒有圖示，但是，這種防塵薄膜結構體通常保持在防塵薄膜組件框架的其中一面，防塵薄膜組件框架的另一面固定在遮罩3的圖案面。另外，典型而言，遮罩3為長方形且具有側邊。
因此，這樣的EUV用防塵薄膜組件配置在光路上的場合，防塵薄膜結構體和遮罩3的圖案面，由於防塵薄膜組件框架的厚度成為間隔物，所以保持適當的距離。在本說明書中，將這一種距離稱作「間隔(stand-off)」，但是在防塵薄膜結構體和遮罩3的圖案面距離近的場合，即防塵薄膜組件框架薄的場合，間隔值變小；距離大的場合，即防塵薄膜組件框架厚的場合，間隔值大。
一般的EUV曝光機的場合，由於以使遮罩3的圖案的圖像正確地投影在晶圓5上的方式進行設計而組成光學系統4，因此即使遮罩3面上的圖案像的形狀縮小，也可以在晶圓5上正確成像。此時，光學系統4的焦點對焦在遮罩3的面和晶圓5的面，不對焦在處於該面以外的物體，因此由防塵薄膜和網格結構體構成的防塵薄膜結構體的圖像，在晶圓5面上模糊成像。
在此，所謂「模糊」是指防塵薄膜結構體的輪廓變得不清楚，並且由於成像的影子的部分也有光線入射，所以防塵薄膜結構體的像影的濃淡對比度變小。因此，這種模糊的程度越大，防塵薄膜結構體的像影的濃淡對比度越小，所以如這種模糊的程度充分大，防塵薄膜結構體的像影就會實質上看不見。
如果EUV光為相干性(coherence)高的光的場合，防塵薄膜結構體的影子不模糊而以濃淡對比度大的影像轉印在晶圓上，但是，曝光機的照明光一般為相干性低的光線，並且，實際具有從與遮罩3的圖案面的垂線成4°~8°的角度的方向入射的角度，所以光也會到達防塵薄膜結構體的影子的部分，故以模糊像
而在晶圓5的表面上成像。
因此，本發明人，著眼於這種“模糊”的現象，思考著如果構成防塵薄膜結構體的網格結構體的模糊的程度大，是否這種網格結構體的像影的濃淡對比度會變小，而難以在晶圓5面上看見，並檢討要如何使這種網格結構體的像影的濃淡對比度減小，結果發現在決定模糊的程度的因素中，藉由間隔和網格結構體的像影的濃淡對比度之間成立特定的關係，並且將網格結構體的角度和間隔值設定為適當的狀態，而能夠使在晶圓上成像的網格結構體的2種像影的濃淡對比度減小，從而完成本發明。
即，本發明的EUV用防塵薄膜組件是由將防塵薄膜用網格結構體進行補強了的防塵薄膜結構體以及對該防塵薄膜結構體進行保持的防塵薄膜組件框架構成的EUV用防塵薄膜組件，網格結構體是因EUV光在遮罩面反射，2次通過EUV用防塵薄膜組件，而在晶圓上被投影為2種像影，其特徵在於：設定為能夠使所述網格結構體的像影的濃淡對比度比減小至25%以下的間隔值。另外，優選為所述間隔值設定為0.3mm~1.0mm的範圍內。
另外，本發明的EUV用組合體包括EUV用防塵薄膜組件以及具有側邊的遮罩，所述EUV用防塵薄膜組件是由將防塵薄膜用網格結構體進行補強了的防塵薄膜結構體、以及將該防塵薄膜結構體加以保持的防塵薄膜組件框架構成，而且，所述網格結構體是因EUV光在遮罩的面反射，2次通過EUV用防塵薄膜組件，而在晶圓上被投影為2種像影，其特徵在於：防塵薄膜組件
的間隔值設定為能夠使所述網格結構體的像影的濃淡對比度比減小至25%以下的值，並且構成所述網格結構體的任意的網格邊和遮罩的至少一個側邊形成的投影角度為比0°大並且30°以下。
而且，對於使濃淡對比度比減小至25%以下的任意的間隔值，該投影角度優選為以使濃淡對比度比為極小的方式設定。
間隔值以及投影角度優選為一起以使濃淡對比度比為極小的方式設定。另外，網格結構體的網狀單位的形狀優選為四角形或正六角形。
進一步，本發明的EUV用組合體的組合方法的特徵在於，包括：將防塵薄膜組件的間隔值設定為能夠使所述網格結構體的像影的濃淡對比度比減小至25%以下的值的步驟、以及將所述網格結構體在相對於遮罩為比0°大且30°以下的投影角度的範圍內轉動，而設定為濃淡對比度比為極小的位置的步驟。
根據本發明，可以使網格結構體的像影的濃淡對比度減小，由此，在曝光處理時，可以進行曝光區域全面照度一定並且均一的曝光。
1‧‧‧光源
2‧‧‧防塵薄膜組件
3‧‧‧具有側邊的遮罩
4‧‧‧光學系統
5‧‧‧晶圓
圖1的(a)~(d)為顯示網格結構體的像影的模式圖。
圖2的(a)~(c)為間隔值為0.1mm~0.8mm的場合的網格結構
體的光學圖像。
圖3為表示從點的圖像圖採取數位光量數據的部位的圖。
圖4為表示從條的圖像圖採取數位光量數據的部位的圖。
圖5是將從圖3或圖4表示的部位求得的光強度和位置的關係圖表化的圖。
圖6為將網格結構體轉動為0°、15°、30°的場合的各別的模式圖和點或條的圖像圖。
圖7為依照表1的結果，將間隔值、濃淡對比度比以及角度的關係圖表化的圖。
圖8為表示不優選的網格結構體的形狀的圖。
圖9為表示不優選的網格結構體的形狀的圖。
圖10為表示曝光機的基本的構成和從光源到晶圓的光路的圖。
以下，對本發明的一個實施方式進行說明，本發明並不限於這種實施方式。
在具有本發明的防塵薄膜結構體的EUV用防塵薄膜組件中，所謂「間隔(stand-off)值」，是指具有側邊的遮罩3和網格結構體之間的距離。因此，該間隔值為0，意味著具有圖案像的遮罩3和網格結構體相接觸。這種場合，網格結構體的像影為具有強濃淡對比度的影子，入射光造成的像影和反射光造成的像影相
重合。若從這種狀態，將防塵薄膜結構體和遮罩3的距離拉大，取得間隔，則網格結構體的影子分離為入射光造成的網格結構體的影子和反射光造成的網格結構體的影子，因此像影的濃淡對比度降低。這種現象，是由於對遮罩3，入射光以一定的角度入射，並且反射光以與其相同的角度反射而引起的。
然後，入射光造成的網格結構體的像影和反射光造成的網格結構體的像影分離的方向，由從光源向防塵薄膜組件照射的入射光的方向來決定。如將此進行圖示，如圖1的(a)的箭頭作為入射光的方向的場合，通過設定間隔，在晶圓5上投影的網格結構體的2種像影，如圖1的(b)那樣，在入射光的方向上分離而錯開。這種錯開量，隨著間隔值變大，從圖1的(a)的錯開量，以圖1的(b)→圖1的(c)→圖1的(d)的順序變大，其位置關係，變成如圖1的(a)~(d)表示的那樣。然後，這種錯開量和2種像影的位置關係，隨著間隔的擴大而反覆。另外，在圖1的(a)~(d)中，模糊的程度沒有圖示。
圖1的(c)表示的以點線的○圍起的部分，為入射光造成的像影和反射光造成的像影的邊的交點相重合的7處重疊部分，這7處重疊部分發生濃淡對比度強的像影。另外，在間隔進一步擴大的場合，圖1的(d)中的以點線的橢圓包圍的部分，是入射光造成的像影和反射光造成的像影的邊重疊的帶狀部分，在這種帶狀部分也發生濃淡對比度強的像影。
本發明人，對於圖1的(c)以及圖1的(d)所示的像影重疊
而變為高密度的部分和網格結構體的實際像影的關係，用光學模擬器以光學像進行了考察，結果確認到圖1的(a)~(d)中圖示的像影的高濃淡對比度的部分實際出現。
在這種光學模擬中，如圖10所示的那樣，設置由光源1，防塵薄膜組件2，具有側邊的遮罩3，光學系統4以及晶圓5形成的光路。在這種光路中，配置EUV用組合體，並以EUV光的入射角度為6°，入射光的張開度為3.8°，在電腦上進行了模擬，其中該EUV用組合體是將具有蜂窩間距為200μm且蜂窩邊幅為3μm的網格結構體的EUV用防塵薄膜組件相對於無圖案的遮罩3，而設定為規定的間隔值而成。
圖2的(a)~(c)表示這種模擬的結果的光學像的一部分圖像，白的部分為光量多的地方，黒的部分為光量少的地方。從圖2，可以很好地確認到由網格結構體遮蔽的入射光的影響反映至像影中。
另外，模擬器中，使用Optical research associate公司的Light tools，投影光學系統，為與反射光學系統同等的折射光學系統。
圖2的(a)的間隔值0.1mm的場合，由於模糊的程度小，可確認到網格結構體的蜂窩的模樣。另外，圖2的(b)的間隔值0.5mm的場合，可以確認到點圖案，圖2的(c)的間隔值0.8mm的場合，確認到了縱條的圖案。
這些點和條，在形狀上，與圖1的(c)以及圖1的(d)的蜂窩形狀分別對應。即，可以確認到，圖1的(c)的構成蜂窩的網格
的邊的交點相重疊的部分成為圖2的(b)的點而投影，圖1的(d)的帶狀部分成為圖2的(c)的條而投影。因此，如對成為圖1的(c)以及圖1的(d)的狀態的蜂窩邊長進行計算，分別為0.55mm和0.82mm，與模擬的結果很一致。
因此，這一現象，意味著如圖1表示的那樣的幾何推定的模樣即使在實際的曝光機中也有同樣的模樣，並且可以由間隔值推定網格結構體的點或條的出現。
另外，蜂窩的點或條，由於是由蜂窩的邊的交點重合的重合點或邊重合的帶狀部分形成的，所以這些模樣也可以作為光的強度的差(濃淡對比度值)來加以確認。這可以用點模樣的圖3來進行說明，圖3表示使用所述的模擬器得到的，具有上述的尺寸形狀的蜂窩的防塵薄膜組件在間隔值為0.4mm的場合的影像。
圖3的影像的用白線圍起來的區域的數位光量數據中，將短邊方向的5個數位份的數據的平均值作為該位置的代表值，圖5是將這些值圖表化而成。
圖5的橫軸，表示了圖3的白線包圍的四角的部位的從上向下的位置關係，縱軸表示了所述位置的光強度。另外，雖然在圖表中表示了實際數據和平滑後的數據，但由於實際數字變動的程度大，所以將平滑化的數字用於評價。然後，不連續的兩端區域有異常值，所以對從這些數據中除去兩端區域的數據的數據，求出最大值和最小值，並採用其光量差的比率，則可以用下式而使濃淡對比度數值化。
濃淡對比度比=(1-最小值/最大值)×100
作為具體例，將圖5表示的光強度的輪廓(profile)中除去兩端區域的數值後的最大的光強度作為最大值，將最小的光強度作為最小值，如按所述的計算式對間隔值為0.4mm的場合和0.5mm的場合的濃淡對比度比進行計算，0.4mm的場合的濃淡對比度比為21.5%，0.5mm的場合的濃淡對比度比為22.0%。
另外，條模樣的圖4中，也可以用同樣的方法進行濃淡對比度比的求取。如對間隔值0.7mm的場合和0.8mm場合的濃淡對比度比進行比較，間隔值0.7mm的場合的濃淡對比度比為7.2%，間隔值為0.8mm的場合的濃淡對比度比為9.1%。
間隔值和濃淡對比度的關係，作為一般道理，間隔值越大，濃淡對比度越少，網格結構體的影子的影響就會變弱，但是，從結果來看，並非絕對如此。這是因為，由所述的網格結構體的像影的特異的重疊而形成的點或條的模樣帶來了濃淡對比度的周期性的變動的緣故。
因此，本發明人，鑒於網格結構體的像影中產生的濃淡對比度的網格起因的周期性的變化，得出如果對網格結構體的間距進行設定，使這種濃淡對比度變小，則EUV用防塵薄膜組件的網格結構體的像影的影響就會減小。
另外，網格結構體或多會少都會對濃淡對比度有所影響，本發明人發現了，通過使網格結構體平面轉動而作為控制因特異的重疊，而較暗的部份出現的濃淡對比度局部性增大的出現
的方法，以使這種濃淡對比度的周期性變動變化，特異的重疊是指到達遮罩3的過去和歸來的網格起因的光的暗的部分相重疊。
因此，在將由具有網格結構體等的EUV用防塵薄膜組件2和具有側邊的遮罩3構成的EUV用組合體進行組合的場合，如圖10所示的那樣，所述網格結構體是以在光路上EUV光因在遮罩3的面反射，而2次通過EUV用防塵薄膜組件2，從而在晶圓5上被投影為2種像影的方式配置。
然後，此時對防塵薄膜組件的間隔值進行設定，使網格結構體的像影的濃淡對比度比減小為25%以下，使構成網格結構體的任意的網格邊和遮罩3的至少一個側邊所形成的投影角度為比0°大並且30°以下。
另外，優選，對間隔值和投影角度進行設定，以使濃淡對比度比為極小，由此，具體地是使網格結構體在相對於遮罩3比0°大且30°以下的投影角度的範圍內轉動，使其位置可以讓濃淡對比度比為極小。
用網格結構體為蜂窩形狀的例的圖6進行說明。圖6中，圖示了蜂窩的投影角度為0°，15°，30°和間隔值為0.3mm，0.5mm的場合的像影的模擬結果。另外，圖6的左側，圖示了圖1所示的蜂窩的平面的投影角度為0°的狀態、以及將這種投影角度0°的狀態的蜂窩反時計方向轉動投影角度15°以及30°的場合的蜂窩的狀態。
從圖6，可以確認，將網格結構體的蜂窩在相對於遮罩為
0。~30°的投影角度的範圍內，僅轉動某些投影角度的場合，蜂窩的邊的特異的重疊狀態發生變化，對於間隔值0.5mm的場合的蜂窩的像影，如將蜂窩的投影角度0°的場合的濃淡對比度比和投影角度30°的場合的濃淡對比度比相比較的話，投影角度0°的場合的濃淡對比度比為22.0%，投影角度30°的場合的濃淡對比度比為14.6%。從這一結果，可以確定，根據蜂窩的投影角度的不同，蜂窩的像影的濃淡對比度比會發生大的不同。
因此，在間隔值由於曝光機的構造以及防塵薄膜組件的構造等的關係被制限的場合，在其被限制的間隔值中，網格結構體的特異的的重合造成的濃淡對比度比的局部的增大發生時，如果要將其加以回避，可以將網格結構體轉動，設定其平面的投影角度，就可以使其像影的濃淡對比度比減小。
作為網格結構體的形狀，除了蜂窩形狀那樣的網格結構體之外，根據目的可使用正方形或長方形的形狀的網格結構體，圓形以及多邊形的網格結構體，配置任意的形狀的開口部的板狀體等任何形狀的網格結構體。但是，如在網格結構體中存在6條邊集合的部分以及影子的密度高的部分的話，網格結構體的像影的重疊造成的局部性的濃淡對比度會增大，所以不優選。
例如，圖8所示的三角形單位的網格結構體，邊的集合部一定為6點，所以不優選。另外，圖9所示的拔除面形狀而非線狀的網格結構體，也由於網格結構體的像影易於重疊，也不優選。優選網格結構體的單位為四角形或正六角形的網格結構體。
以下，對本發明的實施例進行說明。首先，準備在直徑200mm，厚度725μm的矽基板的操作基板上，隔著厚度100nm的熱氧化膜(SiO2)貼附COP(Crystal Originated Particle)等的實質上結晶缺陷少的矽單結晶(Nearly Perfect Crystal：NPC)形成的厚度100nm的薄膜而成的SOI(Silicon On Insulator)基板。
將這種SOI基板的操作基板削薄至50μm後，在此操作基板側用光刻將網格結構體的蜂窩圖案加以製作。其後，用DRIE(Deep Reactive Ion Etching)，使此蜂窩單位的6角形的各個的內角具有曲線的方式成形，並且成形為間距200μm，邊幅3μm，邊高20μm的尺寸。然後，將其進HF處理而除去BOX(Buried Oxide)膜，在製作EUV用防塵薄膜後，用接著劑將該防塵薄膜固定在鋁製的防塵薄膜組件框架，得到EUV用防塵薄膜組件2。
然後，使用Optical research associate社的Light tools，製成如圖10所示的具有由光源1，防塵薄膜組件2，具有側邊的遮罩3，投影光學系統4以及晶圓5構成的光路的曝光機。另外，在這種曝光機中，NA0.33，入射角度6°，入射光的張開度3.8°，在這種曝光機中配置了EUV用組合體，此EUV用組合體分別設定了使具有間距200μm、邊幅3μm的蜂窩結構體的所述防塵薄膜結構體轉動到相對於遮罩3為0°、15°、30°的投影角度，並且設定了和沒有圖案的遮罩3規定的間隔值。然後，以數位數據的形式取得處於各個間隔值的晶圓5上的光學像的圖像數據。
從這種圖像數據，用圖3的例子說明的方法，求取各個的濃淡對比度比。表1為從各蜂窩的投影角度和各間隔值求取的濃淡對比度比的結果。另外，圖7為將表1的結果圖表化的圖。
圖7以及表1可知，根據蜂窩的投影角度和間隔值的不同，濃淡對比度比變動。另外，濃淡對比度比的變動，如在0°或15°的場合那樣，間隔值越寬，越處於減小的傾向。但是，投影角度30°的場合，並不一定顯示出該傾向。進一步，濃淡對比度比的變動，間隔值被定為0.3mm，0.8mm以及1.0mm的場合，蜂窩的投影角度越大，濃淡對比度比顯示出增大的傾向，但是，在間隔值0.5mm的場合，並非顯示出這種的傾向，而是蜂窩的投影角度如0°→15°→30°，即越大，濃淡對比度比越小。
從以上的結果可知，蜂窩結構體的像影的濃淡對比度比，與間隔值以及蜂窩的投影角度都有三次元關係，所以，重要的是設定成能夠使以蜂窩為代表的網格結構體的像影的濃淡對比度比減小至25%以下的適當的間隔值。
另外，在間隔值由於曝光機的構造以及防塵薄膜組件的
構造等被制限的場合，在受到限定的間隔值中，為了使網格結構體的像影的濃淡對比度比進一步減小，優選為使網格結構體對遮罩面的投影角度為30°以下的範圍，更優選為選擇濃淡對比度比為極小的間隔值和投影角度的組合。
Claims (7)
- 一種EUV用防塵薄膜組件，其是由將防塵薄膜用網格結構體進行補強了的防塵薄膜結構體以及將該防塵薄膜結構體加以保持的防塵薄膜組件框架構成，所述網格結構體因EUV光在遮罩面反射，2次通過EUV用防塵薄膜組件，而在晶圓上被投影為2種的像影，其特徵在於：設定為能夠使所述網格結構體的像影的濃淡對比度比減小至25%以下的間隔值。
- 如申請專利範圍第1項所述的EUV用防塵薄膜組件，其中所述間隔值設定為0.3mm~1.0mm的範圍。
- 一種EUV用組合體，包括EUV用防塵薄膜組件和具有側邊的遮罩，所述EUV用防塵薄膜組件是由將防塵薄膜用網格結構體進行補強了的防塵薄膜結構體以及將該防塵薄膜結構體加以保持的防塵薄膜組件框架構成，所述網格結構體因EUV光在遮罩的面反射，2次通過EUV用防塵薄膜組件，而在晶圓上被投影為2種像影，其特徵在於：所述防塵薄膜組件的間隔值設定為能夠使所述網格結構體的像影的濃淡對比度比減小至25%以下的值，並且構成所述網格結構體的任意的網格邊和遮罩的至少一個側邊形成的投影角度為比0°大並且30°以下。
- 如申請專利範圍第3項所述的EUV用組合體，其中，對於使所述濃淡對比度比減小至25%以下的任意的所述間隔值，所述投影角度是以使濃淡對比度比為極小的方式設定。
- 如申請專利範圍第3項所述的EUV用組合體，其中，所 述間隔值以及所述投影角度是一起以使濃淡對比度比為極小的方式設定。
- 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的EUV用組合體，其中，所述網格結構體的網格單位的形狀為四角形或正六角形。
- 一種EUV用組合體的組合方法，所述EUV用組合體包括EUV用防塵薄膜組件和具有側邊的遮罩，所述EUV用防塵薄膜組件是由將防塵薄膜用網格結構體進行補強了的防塵薄膜結構體以及將該防塵薄膜結構體加以保持的防塵薄膜組件框架構成，所述網格結構體是因EUV光在遮罩的面反射，2次通過EUV用防塵薄膜組件，而在晶圓上被投影為2種像影的方式構成，其特徵在於，包括：將防塵薄膜組件的間隔值設定為能夠使所述網格結構體的像影的濃淡對比度比減小至25%以下的值的步驟、以及使所述網格結構體在相對於遮罩為比0°大且30°以下的投影角度的範圍內轉動，而設定為濃淡對比度比為極小的位置的步驟。
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