TWI530465B - 用以形成熔合蓋片之方法及包含熔合蓋片之玻璃封裝 - Google Patents

用以形成熔合蓋片之方法及包含熔合蓋片之玻璃封裝 Download PDF

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Description

用以形成熔合蓋片之方法及包含熔合蓋片之玻璃封裝 【交互參照之相關申請案】
本申請案主張受益於2009年7月17日申請之61/226,342號的美國專利申請案。該文件的內文及在此所提及的公告文件、專利及專利文件所揭露的全文併入本文作為參考。
本說明書大體上關於用於密封玻璃封裝的熔合蓋片，更詳言之，是關於形成熔塊蓋片及形成包含熔合蓋片之玻璃封裝的方法。
美國專利6,998,776號文件揭露用於使用輻射吸收玻璃熔塊以熔合密封玻璃封裝的方法。如於美國專利6,998,776號文件大體所述，玻璃熔塊沉積於第一玻璃基材上封閉線中(一般是以圖案框線的形狀)，並且受熱以預燒結該熔塊。第一玻璃基材隨後放置在第二玻璃基材頂上，在第一與第二基材間配置熔塊。雷射光束隨後橫切熔塊之上(一般是通過該等基材之一者或二者)以加熱並且熔融該熔塊，生成基材之間緊密的密封。
一種用於此類玻璃封裝的用途是在於製造有機發光二極體(OLED)顯示裝置。示範性OLED顯示裝置包含於其上沉積第一電極材料的玻璃基材，一層或多層有機電致發光材料，以及第二電極材料。該有機電致發光材料的一項特質是其對於濕氣及氧化二者的感受性，因此需要該有機電致發光材料在兩個玻璃基材之間緊密地密封以防止該電致發光材料降解。
當OLED顯示裝置結合至較寬的商業產品之陣列時，生產適合受密封以防止電致發光材料長時間降解的OLED顯示裝置的能力變得逐漸重要，而電致發光材料的降解經常破壞結合OLED裝置的商業產品的功能性。
根據一實施例，用於形成熔合蓋片的方法包括提供一基材以及沉積一初始熔塊珠狀物於該基材上。之後，至少一個額外的熔塊珠狀物沉積於該基材上，以致該至少一個額外的熔塊珠狀物之基座接觸相鄰的熔塊珠狀物的基座，因而形成熔塊密封物於該基材上。
另一實施例中，用於形成玻璃封裝的方法可包括提供一第一基材與一第二基材，並且沉積一初始熔塊珠狀物於該第一基材上。第二熔塊珠狀物可隨後沉積於該第一基材上，以致該第二熔塊珠狀物的一基座接觸該初始熔塊珠狀物的基座，而形成框架狀熔塊密封物於該第一基材上。將該第一基材定位於該第二基材上，以致該熔塊密封物配置於該第一基材及該第二基材之間。可隨後加熱該熔塊密封物，以在該第一基材與該第二基材之間形成一密封物。
另一實施例中，用於密封一玻璃封裝的一熔合蓋片包括沉積於一基材上的一熔塊密封物。該熔塊密封物可在該玻璃基材上包圍一密封區域。該第一密封物可具有延伸於一對漸縮側壁之間的一頂部表面。該熔塊密封物的該頂部表面可包括至少三個主要熔塊峰。介於相鄰主要熔塊峰之間的一間距可少於約1 mm。
額外的特徵與優點將在隨後的詳細說明書中提出，而對於此技術領域中熟習技藝者而言，由說明書可清楚瞭解該等特徵與優點，或者藉由操作此述的實施例(包括隨後的詳述說明書內容、申請專利範圍以及附圖)可認識到本發明之特徵與優點。
應瞭解，前述的大體描述以及隨後的詳細描述二者說明了各種實施例，並且該二者意欲提供瞭解所請求的標的之本質與特色之概觀以及骨架。所包括的伴隨圖式提供能夠進一步瞭解實施例，並且結合至此說明書，且構成此說明書之一部份。該等圖示繪示此述的各種實施例，並與說明書一起解釋所請求的標的之法則與操作。
現將詳閱各種用在密封玻璃封裝中的熔合蓋片之實施例。如可能，相同的元件符號將用於指定相同或類似零件的各圖式。熔合蓋片之一實施例顯示於第1圖中，並且大體上以元件符號100指定於各圖中。熔合蓋片可大體上包含透明基材以及熔塊密封物。熔合蓋片與形成及使用熔合蓋片以密封玻璃封裝(諸如顯示裝置或類似的玻璃封裝)的方法將於此更詳盡描述。
參考第1圖，顯示熔合蓋片100之實施例。熔合蓋片100大體上包含透明基材102，該透明基材具有熔塊密封物104沉積於該基材102的熔塊施加表面106上。如在此所用針對基材102的該詞「透明」，是指在後續密封操作中，對施加至熔合蓋片100的輻射能的特定波長而言，具有穿透度至少約90%的基材。舉例而言，在一實施例中，基材102在用於加熱熔塊密封物104的約750 nm至約950 nm的輻射能之波長下，具有至少約90%的穿透度。在此述的實施例中，基材102可為由例如Corning Inc.所生產的EAGLE XGTM玻璃或具有適當穿透度的類似玻璃材料的玻璃基材。透明基材102可大體上包含定位於相對背面(圖中未示)的熔塊施加表面106。
仍參考第1圖，熔塊密封物104可定位於基材102之熔塊施加表面106上。可沉積熔塊密封物104以致熔塊密封物104大體上具有線或帶形式的框架狀形狀或圖案，該形狀或圖案在其本身上封閉以形成毗連的線路，藉此大體上界定基材102的熔塊施加表面106上的密封區域周圍的周長。如第1圖所描繪，熔塊密封物104可沉積在熔塊施加表面106上，以致框架狀形狀具有彎曲或磨圓的轉角。在此述及所示的實施例中，熔塊密封物104具有大於0.5 mm的寬度WFS以及從約12 μm至約20 μm的高度。然而，應瞭解到，具有寬度少於0.5 mm及高度大於20 μm或小於12 μm的熔塊密封物亦可使用此述的沉積技術形成。
在一實施例中，熔塊密封物104為玻璃類的熔塊材料，其以糊狀物形式沉積。該糊狀物大體上可包含玻璃粉末、黏結劑(通常是有機類)及/或揮發性液體載體(諸如溶劑)。在一實施例中，熔塊密封物104是由低溫玻璃熔塊形成，該低溫玻璃熔塊具有在預定的輻射能之波長下實質上具光學吸收性的截面，該預定的輻射能之波長匹配或實質上匹配在後續密封操作中施加至熔塊密封物104的輻射能波長。舉例而言，玻璃熔塊可含有一種或多種選自包括鐵、銅、釩、釹或其組合之群組的輻射能吸收離子。玻璃熔塊亦可以填充劑(例如，反轉填充劑或添加性填充劑)摻雜，該填充劑改變了玻璃熔塊的熱膨脹係數(CTE)，以致玻璃熔塊的CTE更加接近匹配熔合蓋片隨後密封的透明基材與裝置基材二者的CTE。可瞭解到，欲產生熔塊密封物，可使用各種玻璃熔塊的組成。舉例而言，一些適合的熔塊組成物的非限制性的範例揭露於美國專利號6,998,776之文件，其標題為「Glass Package that is Hermetically Sealed with a Frit and Method of Fabrication」，其全文在此併入作為參考。
熔塊糊狀物可用擠壓成型施加器沉積於基材102上以形成熔塊密封物104，該擠壓成型施加器透過噴嘴將熔塊糊狀物之珠狀物配送至基材102上。所得的熔塊珠狀物之形狀大體上由用以配送熔塊糊狀物至基材上的噴嘴之尺寸所主控。舉例而言，欲沉積具有寬度WFB為0.6 mm之熔塊珠狀物，可使用具有直徑約0.55 mm之噴嘴。然而，可瞭解到，可使用更小或更大的噴嘴以沉積具有期望寬度的熔塊珠狀物。為了達成具有期望尺寸與圖案的熔塊密封物，施加器可耦接至電腦控制定位系統(例如機械手臂或者電腦數值控制(cnc)定位系統)，其在熔塊糊狀物從施加器配送時，在基材之上操控施加器。電腦控制定位系統可經程式化以用預定圖案操控施加器，其助於依序以期望的圖案沉積熔塊珠狀物。
在此述及所示的實施例中，熔塊密封物104可形成於基材102上，其為藉由以期望圖案(例如框架狀圖案或者類似圖案)沉積複數個單獨的熔塊珠狀物於基材102上，使得每一熔塊珠狀物接觸及/或重疊相鄰的熔塊珠狀物，因而形成具有期望寬度的熔塊密封物104。舉例而言，為了形成具有寬度WFS的熔塊密封物104，具有寬度WFB<WFS的初始熔塊珠狀物可沉積於基材102上。然後，至少一個額外的、具有寬度WFB<WFS的熔塊珠狀物可沉積於基材102上，以致該至少一個額外熔塊珠狀物鄰接或重疊相鄰熔塊珠狀物的基座，因而形成具有期望寬度WFS的熔塊密封物104。
現參考第1圖與第2A-2B圖，其繪示用於形成熔合蓋片100的方法之一個實施例。在此實施例中，複數個熔塊珠狀物108a、108b可沉積於基材102的熔塊施加表面106上，以形成具有期望寬度的熔塊密封物104a。為說明該方法的基本原則，熔塊珠狀物108a、108b被描繪成具有理想的、矩形截面，以致熔塊珠狀物108a、108b每一者包含平行於頂部表面132a、132b的基座130a、130b，以及平行側邊134a、134b以及136a、136b。每一熔塊珠狀物108a、108b的基座130a、130b大體上具有寬度WFB，在此實施例中，WFB亦為相對應的頂部表面132a、132b的寬度。
透過使施加器依預定圖案橫越於熔塊施加表面106之上，將熔塊糊狀物從施加器噴嘴配送時，第一熔塊珠狀物108a可沉積於基材102的熔塊施加表面106上。舉例而言，在此述之實施例中，期望的圖案為矩形、具有彎曲或磨圓轉角的框架狀圖案，如第1圖所示。之後，第二熔塊珠狀物108b可依照如第一熔塊珠狀物108a之類似的手法沉積於基材102的熔塊施加表面106上。第二熔塊珠狀物108b可經沉積而鄰近先前的熔塊珠狀物(即第一熔塊珠狀物108a)，以致第二熔塊珠狀物108b的側壁134b直接接觸並且鄰接第一熔塊珠狀物108a的側壁136b。據此，在此實施例中，至少第二熔塊珠狀物108b的基座130b接觸相對應的第一熔塊珠狀物108a的基座130a，以致第一熔塊珠狀物108a與第二熔塊珠狀物108b一起形成熔塊密封物104a，而使得熔塊密封物104a具有寬度WFS=2*WFB。
應瞭解到具有各種寬度WFB的兩個以上的熔塊珠狀物可經沉積以形成具有期望寬度WFS的熔塊密封物。舉例而言，當期望熔塊密封物104a具有1.2 mm的寬度WFS時，各具有寬度0.6 mm的第一及第二熔塊珠狀物108a、108b可如此述般沉積於基材102的熔塊施加表面106上，使得熔塊密封物104a具有1.2 mm之寬度。當期望熔塊密封物具有1.5 mm之寬度時，各具有0.5 mm之寬度的三個熔塊珠狀物可經沉積以形成具有期望寬度的熔塊密封物。據此，應瞭解到，具有期望寬度的熔塊密封物可藉由以此述的手法沉積兩個以上較小寬度的熔塊珠狀物而形成。
如此所記述，顯示於第2B圖中的熔塊珠狀物108a、108b具有理想化的矩形剖面。然而，在其他實施例中，由施加器配送的熔塊珠狀物可具有漸縮型態，因而需要連續的熔塊珠狀物既接觸且重疊另一者以形成具有期望寬度的熔塊密封物。
舉例而言，參考第3A圖與第3B圖，描繪熔塊珠狀物302、330的兩個實施例之截面，其中熔塊珠狀物302、330具有漸縮型態。在一實施例中，由施加器配送的熔塊珠狀物302可具有基座304，該基座具有朝頂部表面310漸縮的側壁306、308。據此，應瞭解到頂部表面310較基座304窄。在第3A圖所示的熔塊珠狀物302之實施例中，側壁306、308轉變成具有磨圓轉角的頂部表面310。在第3B圖中所繪的替代性實施例中，熔塊珠狀物330包含基座304，該基座具有朝拱狀(arched)頂部表面320漸縮的側壁306、308。據此，應瞭解到用施加器配送的熔塊珠狀物可具有漸縮型態，其具有從基座朝頂部表面漸縮的側壁。又有一實施例，熔塊珠狀物的寬度WFB為熔塊珠狀物基座的寬度。
現在，參考第1、4A及4B圖，為了由複數個具有漸縮型態的熔塊珠狀物形成熔塊密封物104b，每一熔塊珠狀物可沉積於基材102的熔塊施加表面106上，以致每一熔塊珠狀物的基座接觸並且重疊相鄰熔塊珠狀物的基座。例如，參考第4A圖與第4B圖，其描繪熔塊密封物104b的一實施例，其中，熔塊密封物104b是由三個重疊的熔塊珠狀物109a、109b、109c所形成。如第4A圖所示，每一熔塊珠狀物的基座重疊相鄰熔塊珠狀物的基座。每一重疊的熔塊珠狀物具有寬度WFB以及漸縮的剖面型態，為說明起見，將該型態描繪為呈梯形。
如前文所述，透過使施加器依預定圖案橫越於熔塊施加表面106之上，將熔塊糊狀物從施加器噴嘴配送時，第一熔塊珠狀物108a可沉積於基材102的熔塊施加表面106上。之後，至少一個額外的熔塊珠狀物沉積於熔塊施加表面106上，以致該至少一個額外熔塊珠狀物接觸並且重疊相鄰熔塊珠狀物的基座。在本範例中，第二熔塊珠狀物109b沉積於基材102的熔塊施加表面106上，以致第二熔塊珠狀物109b的基座114b以OL所指的量重疊第一熔塊珠狀物109a的基座114a。由於熔塊珠狀物109a、109b的漸縮型態，在熔塊珠狀物109a、109b之間的重疊區域111中的玻璃熔塊材料(為說明起見，其顯示於第4B圖)確實地沉積在熔塊珠狀物109a之頂部表面116a與熔塊珠狀物109b的頂部表面116b之間的區域112中，因而在第一熔塊珠狀物109a與第二熔塊珠狀物109b之間形成連續的頂部表面。
之後，可沉積第三熔塊珠狀物109c，使得第三熔塊珠狀物109c的基座114c接觸且重疊第二熔塊珠狀物109b的基座114b，因而在第一熔塊珠狀物109a、第二熔塊珠狀物109b與第三熔塊珠狀物109c之間形成連續的頂部表面。可藉由以相同手法沉積額外的熔塊珠狀物重複該製程，直到熔塊密封物104b形成為具有期望的寬度WFS為止，如第4C圖所繪。
例如，具有2.6 mm之寬度WFS的熔塊密封物可透過沉積五個具有漸縮截面型態以及0.6 mm寬度WFB的熔塊珠狀物而形成。熔塊珠狀物可經沉積使得每一熔塊珠狀物的基座接觸並且重疊相鄰熔塊珠狀物之基座約0.1 mm，因而產生具有寬度WFS為2.6 mm的熔塊密封物。
在此述及所示的矩形與漸縮型態熔塊珠狀物二者的範例及實施例中，熔塊珠狀物大體上被描述為具有少於約1 mm的寬度WFB，而由此類熔塊珠狀物形成的熔塊密封物具有大於約1 mm的寬度WFS。進一步言之，在將重疊用於連結具有少於約1 mm之寬度的熔塊珠狀物之處，在相鄰熔塊珠狀物之間的重疊量可為約0.05 mm至約0.5 mm。然而，應瞭解到，該等寬度與重疊量為示範性質，且用於形成此述之熔塊密封物的技術可用以形成具有寬度少於約1 mm之熔塊密封物，且當熔塊珠狀物重疊時，重疊量可少於0.05 mm或大於約0.5 mm。再者，亦應瞭解，用於形成此述之熔塊密封物的技術亦可用於連結具有寬度大於約1 mm的熔塊珠狀物。
進一步而言，此述及所示的實施例及範例描述藉由沉積實質上相同寬度的多重熔塊珠狀物而形成熔塊密封物，應瞭解到不同寬度的多重熔塊密封物可透過此述的技術沉積以形成適當寬度的熔塊密封物。
現在，參考第1圖與第5圖，使用此述之多道沉積技術，熔塊密封物可以框架狀形狀沉積，使得熔塊密封物在其本身上封閉以形成毗連線路，如第1圖所描繪，其中熔塊密封物104在基材102的熔塊施加表面106上形成具有磨圓轉角的框架。據此，將瞭解到熔塊密封物104可以包含至少一個彎曲部份的圖案沉積。為了在框架或圖案的彎曲部份中維持期望的重疊(或缺少重疊)，每一連續沉積的熔塊珠狀物之曲率半徑可不同於先前沉積的熔塊珠狀物。參考第5圖，形成熔塊密封物104b的熔塊珠狀物的曲率半徑是指位於熔塊珠狀物中心處的線段之曲率半徑，諸如中心線CL1、CL2、CL3。為了形成具有期望曲率半徑的熔塊珠狀物，當熔塊糊狀物由施加器配送時，施加器在基材上方以一拱形橫越，該拱形具有相對應的中心線之曲率半徑。
當熔塊密封物104b從基材內側至基材邊緣(例如，從熔塊珠狀物109a至熔塊珠狀物109c)形成時，每一連續沉積熔塊珠狀物可具有框架狀圖案之彎曲部份的中心線曲率半徑，其大於先前的熔塊珠狀物之中心線曲率半徑。反過來，當熔塊密封物104b從基材邊緣朝基材中心(例如從熔塊珠狀物109c至熔塊珠狀物109a)形成時，每一連續沉積的熔塊珠狀物所具有的中心線曲率半徑可小於先前的熔塊珠狀物之中心線曲率半徑。
在一實施例中，每一經沉積以形成熔塊密封物104b的熔塊珠狀物之中心線曲率半徑是基於以下因子而決定：熔塊珠狀物所沉積的圖案之彎曲部份之內徑(RI)、每一熔塊珠狀物的寬度(WFB)、相鄰熔塊珠狀物之間的重疊量(OL)以及熔塊珠狀物沉積道的數目(P)。
舉例而言，參考顯示於第5圖的由沉積三個重疊熔塊珠狀物(即P=3)所形成的熔塊密封物104b，熔塊密封物的最內側之熔塊珠狀物(特別是熔塊珠狀物109a)的中心線曲率半徑R1可使用下列等式計算：
下一個後續的熔塊珠狀物(熔塊珠狀物109b)的中心線曲率半徑R2可寫為：
R 2=R 1+W FB -OL　(2)
下一個後續的熔塊珠狀物(熔塊珠狀物109c)的中心線曲率半徑R3可寫為：
R 3=R 2+W FB -OL　(3)
據此，基於前述者，在包含P個熔塊珠狀物的熔塊密封物中，第J個熔塊珠狀物的中心線曲率半徑RJ可寫為：
其中，J為由1至P的整數(即從1至熔塊珠狀物總數)。下文中的表1顯示各具有寬度WFB0.6 mm、重疊量OL約0.1 mm之三個連續熔塊珠狀物每一者的所計算的中心線半徑，以形成具有內曲率半徑RI 1 mm及總寬度1.6 mm的熔塊密封物。
在另一實施例中，每一熔塊珠狀物的中心線曲率半徑可利用上述的等式(4)結合熔塊沉積的轉角之內徑(RI)、期望的熔塊密封物寬度(WFS)、相鄰熔塊珠狀物之間的重疊量(OL)以及製成熔塊密封物的熔塊珠狀物數目(P)決定。在此實施例中，每一熔塊珠狀物的寬度WFB可基於熔塊密封物的寬度WFS、熔塊珠狀物數目P以及重疊量OL計算，以致
所計算的WFB之值可代入等式(4)並且，可針對J個熔塊珠狀物的每一者計算每一熔塊珠狀物的中心線曲率半徑，其中J為1至P的整數。
或者，當熔塊珠狀物寬度已知但總熔塊密封物寬度未知時，等式(5)可寫成：
W FS =W FB *P-OL(P-1)　(6)
使用等式(6)，所得的熔塊珠狀物之寬度可基於所沉積的熔塊珠狀物之寬度、數目及重疊量而決定。
一旦針對以最佳方式形成熔塊密封物104b的熔塊珠狀物圖案中每一熔塊珠狀物計算中心線曲率半徑後，可使用所選擇的重疊量OL及計算的中心線曲率半徑沉積每一熔塊珠狀物於基材的熔塊施加表面上，因而形成具有期望寬度WFS的熔塊密封物104b。
現在，參考第6圖，其顯示針對根據此述的一實施例所形成的熔塊密封物之多個截面的熔塊寬度對熔塊高度之圖表。由透過沉積各具有0.6 mm之寬度的五個熔塊珠狀物而形成在透明基材上的2.6 mm之熔塊密封物採取輪廓測量。相鄰熔塊珠狀物之間的重疊量為0.1 mm。熔塊密封物之不同截面切片的輪廓是以Werth Fixed Bridge Inspector FQ多感測器座標測量機器所測量。
如第6圖所繪示，熔塊密封物的頂部表面可包含一系列峰谷，其大體而言在高度(例如，從峰的頂端至相鄰的谷底部)上少於10微米，以致熔塊密封物的頂部表面在橫跨熔塊密封物的寬度上大體上具有約+/-5微米的差異。峰可分成兩種分類。第一種類的峰為主要熔塊峰402，其形成於構成熔塊密封物之熔塊珠狀物的外側邊緣(例如，熔塊密封物之外側邊緣)以及內部邊緣(例如，於相鄰熔塊珠狀物的重疊處或交會處)處。在一實施例中，根據此述的技術形成的熔塊密封物大體上包含至少三個主要熔塊峰(即，熔塊密封物是透過沉積至少兩個熔塊珠狀物而形成)。第二種類的峰是次要峰404，其形成於主要熔塊峰402之間。次級熔塊峰404在高度與寬度二者上大體而言小於主要熔塊峰402。
減少相鄰主要熔塊峰402之間的間距406可改善熔塊密封物與熔合蓋片被密封的裝置基材之機械性接觸。改善機械性接觸亦改善熔塊密封物與熔合蓋片被密封的裝置基材之間的熱耦合，並且造成更均勻地分散密封期間生成的熱。再者，改善熔塊密封物與熔合蓋片被密封的裝置基材之間的機械性耦合亦減少了需要將熔合蓋片密封至裝置基材的力量。改善的熱耦合以及減少的密封力在密封裝置基材用於顯示器裝置(諸如OLED顯示器)時特別重要，其中，過量的熱及/或高密封力會損壞電致發光材料、耦接至電致發光材料的導線及/或其他電路。減少相鄰主要熔塊峰402之間的間距406可透過減少所沉積的熔塊珠狀物的寬度而完成。
據此，在一實施例中，此述的方法可用於改善熔塊密封物以及熔合蓋片被密封的裝置基材之間的機械性接觸。具有期望機械與熱性質的熔塊密封物可透過使用此述的技術沉積數個寬度少於1 mm熔塊珠狀物而形成，使得熔塊密封物之頂部表面上介於相鄰主要熔塊峰之間的間距少於約1 mm。
現在參考第7A圖與第7B圖，如此述般形成的熔合蓋片可用於密封裝置基材以形成玻璃封裝。在顯示於第7A圖與第7B圖的實施例中，熔合蓋片100用於密封具有電致發光裝置216以及至少一個定位於其上的電導線215，以形成在此實施例中為顯示裝置220的玻璃封裝。例如，電致發光裝置可為OLED。
熔合蓋片100首先定位於裝置基材218上，以致電致發光裝置216定位在熔合蓋片100的熔塊施加表面106與裝置基材218之間。利用在此位置的熔合蓋片100，電致發光裝置216定位於由熔塊密封104界定的周邊或框架內。電導線215可在熔塊密封物104之下延伸。之後，藉由將輻射能222導引穿過熔合蓋片100，使熔塊密封物104受適當的輻射能222(以塊狀箭頭指示)照射。在一些實施例中，輻射能222可為具有會由熔塊密封物104吸收之波長的雷射光束。舉例而言，具有適當波長的雷射光束可橫越熔合蓋片100之上以照射並且加熱熔塊密封物104。
照射熔塊密封物104之適當的照射源以及方式是視待加熱及待熔融的熔塊組成以及被密封的玻璃封裝之性質而定，例如，熱敏感性有機物質是否用於製造玻璃封裝中。導至熔塊密封物104的輻射能加熱並且熔融熔塊密封物104。當熔塊密封物104冷卻，熔塊密封物104將蓋片100黏結至裝置基材218以及任何從電致發光裝置216延伸的電導線215，因而將該熔合蓋片100密封至裝置基材218以形成緊密密封的玻璃封裝(諸如在此實施例中為顯示裝置220)。
第7A圖與第7B圖描繪諸如OLED顯示器之顯示裝置之形成，應瞭解到，具有如此述般形成之熔塊密封物之熔合蓋片可用於密封其他種類的玻璃封裝。此類玻璃封裝可包括例如光伏打裝置以及包括以熔合蓋片密封的裝置基材之用類似方式建構的玻璃封裝。
在不背離所請求之標的物的精神與範疇的情況下，可針對此述之實施例製做各種修改型式與變動型式。因此，其欲此說明書涵蓋此述的實施例之修改型式與變動型式，在隨後所附的申請專利範圍以及其等效物的範疇內提供此類修改型式與變動型式。
100．．．熔合蓋片
102．．．基材
104．．．熔塊密封物
106．．．熔塊施加表面
108a-b．．．熔塊珠狀物
109a-c．．．熔塊珠狀物
111．．．重疊區域
112．．．區域
114a-c．．．基座
116a-b．．．頂部表面
130a-b．．．基座
132a-b．．．頂部表面
134a-b．．．側邊
136a-b．．．側邊
215．．．電導線
216．．．電致發光裝置
218．．．裝置基材
220．．．顯示裝置
222．．．輻射能
302、330．．．熔塊珠狀物
304．．．基座
306、308．．．側壁
310．．．頂部表面
320．．．拱狀頂部表面
402．．．主要熔塊峰
404．．．次要熔塊峰
406．．．間距
WFS、WFB．．．寬度
R1-R4．．．半徑
CL1-CL3．．．中心線
OL．．．重疊量
第1圖描繪用於密封玻璃封裝的熔合蓋片，該玻璃封裝包含沉積於基材上的熔塊密封物。
第2A圖描繪根據本發明之實施例之第1圖之熔塊密封物的一部分之放大視圖，其中該熔塊密封物是藉由沉積多重熔塊珠狀物於基材上以致每一熔塊珠狀物的基座緊接相鄰熔塊珠狀物之邊緣而形成。
第2B圖描繪第2A圖的熔塊密封物之剖面圖，其根據本發明之一實施例繪示相鄰熔塊珠狀物的相對方位。
第3A圖與第3B圖描繪具有漸縮型態的熔塊珠狀物之兩個實施例的剖面圖。
第4A圖描繪根據本發明之實施例之第1圖之熔塊密封物的一部分之放大視圖，其中該熔塊密封物是藉由沉積多重熔塊珠狀物於透明基材上以致每一熔塊珠狀物的基座之一部份重疊相鄰熔塊珠狀物之基座的一部分而形成。
第4B圖描繪第4A圖的熔塊密封物之剖面圖，其根據本發明之實施例繪示相鄰熔塊珠狀物的相對方位。
第4C圖根據此述以及在此顯示的一個實施例描繪第4A圖的熔塊密封物之剖面圖。
第5圖根據此述及所示之一實施例描繪第1圖之熔塊密封物的彎曲部份的放大視圖，其中相鄰的熔塊珠狀物以增加的中心線半徑沉積以形成第1圖的熔塊密封物之彎曲部份。
第6圖是一圖表，圖示根據此述及所示之一個以上的實施例形成的熔塊密封物的複數個剖面輪廓。
第7A圖與第7B圖描繪根據此述及所示之一實施例之熔合蓋片的剖面視圖，其位於包含用以形成顯示器裝置的電致發光裝置之基材上並且密封至該基材。
100．．．熔合蓋片
102．．．基材
104．．．熔塊密封物
106．．．熔塊施加表面
WFS．．．寬度

Claims (16)

  1. 一種用於形成一熔合蓋片的方法，其包含以下步驟：提供一基材；沉積一初始熔塊珠狀物於該基材上；以及沉積至少一個額外的熔塊珠狀物於該基材上，以致該至少一個額外的熔塊珠狀物之一基座與一相鄰的熔塊珠狀物的一基座重疊，因而形成一熔塊密封物於該基材上，其中該初始熔塊珠狀物以及該至少一個額外熔塊珠狀物具有側壁的一漸縮型態，該等側壁自各熔塊珠狀物的該基座至各熔塊珠狀物的一頂部表面漸縮。
  2. 如請求項第1項所述之方法，其中該初始熔塊珠狀物的寬度少於約1mm，而該至少一個額外熔塊珠狀物的寬度少於約1mm。
  3. 如請求項第1項所述之方法，其中該熔塊密封物的寬度為至少1mm。
  4. 如請求項第1項所述之方法，其中該初始熔塊珠狀物的一頂部表面以及該至少一個額外熔塊珠狀物的一頂部表面差異少於+/-5.0微米。
  5. 如請求項第1項所述之方法，其中該至少一個額外熔 塊珠狀物之該基座與一相鄰熔塊珠狀物之該基座重疊至少約0.05mm。
  6. 如請求項第1項所述之方法，其中該熔塊密封物包含至少三個主要熔塊峰，以及在相鄰主要熔塊峰之間的一間距為少於約1mm。
  7. 如請求項第1項所述之方法，其中該熔塊密封物是以包含一彎曲部份的一圖案形成。
  8. 如請求項第7項所述之方法，其進一步包含以下步驟：選擇在該圖案之該彎曲部份中的該熔塊密封物之一內曲率半徑；選擇一熔塊珠狀物寬度；選擇一重疊量；基於該內徑、該熔塊珠狀物寬度以及該重疊量，計算該圖案之該彎曲部份中的該初始熔塊珠狀物及該至少一個額外熔塊珠狀物所用之中心線半徑；以及藉由以該所選擇的熔塊珠狀物寬度及所計算的中心線半徑沉積該初始熔塊珠狀物以及至少一個額外熔塊珠狀物，而形成該圖案之該彎曲部份。
  9. 如請求項第7項所述之方法，其進一步包含以下步驟：選擇一熔塊密封物寬度；選擇一熔塊珠狀物沉積道的數目，其中該熔塊珠 狀物沉積道的數目至少為2；選擇該圖案之該彎曲部份中的該熔塊密封物之一內曲率半徑；選擇一重疊量；基於該內曲率半徑、該熔塊密封物之總寬度、該熔塊珠狀物沉積道之數目以及該重疊量，計算該圖案之該彎曲部份中的該初始熔塊珠狀物及該至少一個額外熔塊珠狀物所用之一熔塊珠狀物寬度；基於該所計算的熔塊珠狀物寬度以及該所選擇的內曲率半徑，計算該初始熔塊珠狀物及該至少一個額外熔塊珠狀物所用之中心線半徑；以及藉由以該所計算的中心線半徑沉積該初始熔塊珠狀物以及該至少一個額外熔塊珠狀物，而形成該圖案之該彎曲部份。
  10. 一種用於形成一玻璃封裝的方法，其包含以下步驟：提供一第一基材與一第二基材；沉積一初始熔塊珠狀物於該第一基材上；沉積一第二熔塊珠狀物於該第一基材上，以致該第二熔塊珠狀物的一基座與該初始熔塊珠狀物的一基座重疊，而形成一框架狀熔塊密封物於該第一基材上，其中該初始熔塊珠狀物與該第二熔塊珠狀物具有側壁的一漸縮型態，該等側壁自各熔塊珠狀物的該基座至各熔塊珠狀物的一頂部表面漸縮； 將該第一基材定位於該第二基材上，以致該熔塊密封物配置於該第一基材及該第二基材之間；以及加熱該熔塊密封物，以在該第一基材與該第二基材之間形成一密封物。
  11. 如請求項第10項所述之方法，其中該第二熔塊珠狀物與該初始熔塊珠狀物之間的一重疊至少為0.05mm。
  12. 如請求項第10項所述之方法，其中該熔塊密封物具有大於約1mm之寬度。
  13. 如請求項第10項所述之方法，其中加熱該熔塊密封物之步驟包含以下步驟：將輻射能導引穿過該第一基材至該熔塊密封物上，其中該第一基材實質上對受導引至該熔塊密封物上的輻射能之至少一個波長而言為可通透的。
  14. 如請求項第10項所述之方法，其中該第二基材包含至少一個電致發光裝置，且當該第一基材定位於該第二基材上時，該電致發光裝置定位於由該框架狀熔塊密封物所界定的一區域內。
  15. 一種由請求項1所述之方法所形成的熔合蓋片，其中： 熔塊密封物在一基材上包圍一密封區域；以及該熔塊密封物包含一頂部表面，該頂部表面具有至少三個主要熔塊峰，其中介於相鄰主要熔塊峰之間的一間距少於約1mm。
  16. 如請求項第15項所述之熔塊蓋片，其中該至少一個額外熔塊珠狀物的一基座與一相鄰熔塊珠狀物的一基座重疊至少0.05mm。
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