JPWO2012128348A1 - 静電チャック装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2011年3月23日に、日本に出願された特願2011−064311号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
プラズマエッチング装置等のプラズマを用いた半導体製造装置においては、従来から、試料台に簡単にウエハを取付け、固定するとともに、このウエハを所望の温度に維持する装置として静電チャック装置が使用されている。
この静電チャック装置では、アクリル系接着剤層が、酢酸ビニルまたは酪酸ビニルを1体積%以上かつ50体積%以下含有しているので、耐プラズマ性を低下させることなく、柔軟性が付与される。また、このアクリル系接着剤層の硬化収縮がアクリルモノマー単体と比較して抑制されることにより、静電チャック部及び加熱部材と冷却ベース部との間の応力をさらに緩和する。
この静電チャック装置では、アクリル系接着剤層の厚みを250μm以下とし、加熱部材と冷却ベース部との間に設けられるスペーサのヤング率を5MPa以上かつ5GPa以下としているので、このアクリル系接着剤層は、アクリル系接着剤の硬化収縮によるスペーサへの応力集中を回避する。また、このスペーサとアクリル系接着剤層との熱膨張差を±200%以下としているので、繰り返しの熱応力によりスペーサに応力が発生するのを回避する。
この静電チャック装置では、アクリル系接着剤層のショア硬さをD40以下としているので、静電チャック部及び加熱部材と冷却ベース部との間の応力及び熱膨張差がさらに緩和される。
この静電チャック装置では、絶縁碍子が静電吸着用内部電極に電圧を印加する給電用端子を囲むように設けられ、この絶縁碍子と静電チャック部との間のアクリル系接着剤層の厚みを50μm以上かつ150μm以下としているので、絶縁碍子と静電チャック部との間の絶縁性を十分確保する。
この静電チャック装置では、絶縁材層を、アクリル系接着剤層を介して静電チャック部に接着一体化しているので、この絶縁材層が静電チャック部と冷却ベース部との間の絶縁を良好に維持し、絶縁破壊を防止する。これにより、静電チャック部と冷却ベース部との間の耐電圧性が向上する。
このような厚みの静電吸着用内部電極13は、スパッタ法や蒸着法等の成膜法、あるいはスクリーン印刷法等の塗工法により容易に形成することができる。
ヒータエレメント5の厚みが0.2mmを超えると、ヒータエレメント5のパターン形状が板状試料Wの温度分布として反映され、板状試料Wの面内温度を所望の温度パターンに維持することが困難になる。
また、一定の厚みの非磁性金属薄板を用いてヒータエレメント5を形成すれば、ヒータエレメント5の厚みが加熱面全域で一定となり、さらに発熱量も加熱面全域で一定となるので、静電チャック部2の載置面における温度分布を均一化することができる。
このスペーサ8のヤング率は、5MPa以上かつ5GPa以下であることが好ましく、より好ましくは50MPa以上かつ3GPa以下である。スペーサ8のヤング率が5MPa未満では、接着時の荷重による変形が大きく、接着層を所定の厚みに維持することができなくなるから好ましくない。一方、5GPaを超えると、アクリル系接着剤層9を形成する際に、アクリル系接着剤の硬化収縮時に、スペーサ8に硬化収縮時の応力が集中し、ボイドの発生及び接着剤層の剥離が生じるので好ましくない。
このアクリル系接着剤層9の厚みは、250μm以下であることが好ましく、より好ましくは200μm以下である。アクリル系接着剤層9の厚みが250μmを超えると、アクリル系接着剤の硬化収縮に伴う厚みの変化が大きくなり過ぎてしまい、得られたアクリル系接着剤層9に硬化収縮に起因するボイドが発生し、さらにはクラックや割れ等が生じる虞がある。その結果、アクリル系接着剤層9の絶縁性が低下する虞がある。
まず、酸化アルミニウム−炭化ケイ素(Al2O3−SiC)複合焼結体により板状の載置板11及び支持板12を作製する。この場合、炭化ケイ素粉体及び酸化アルミニウム粉体を含む混合粉体を所望の形状に成形し、その後、例えば1600℃〜2000℃の温度、非酸化性雰囲気、好ましくは不活性雰囲気下にて所定時間、焼成することにより、載置板11及び支持板12を得ることができる。
次いで、給電用端子15aを、支持板12の固定孔に密着固定し得る大きさ、形状となるように作製する。この給電用端子15aとして導電性複合焼結体を用いる場合には、給電用端子15aの作製方法として、導電性セラミックス粉体を、所望の形状に成形して加圧焼成する方法等が挙げられる。この導電性セラミックス粉体としては、静電吸着用内部電極13と同様の材料が好ましい。また、給電用端子15aとして金属を用いる場合には、給電用端子15aの作製方法として、高融点金属を研削法、粉体治金等の金属加工法等により成形する方法等が挙げられる。
次いで、この第2の接着材層6上に、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の絶縁性及び耐電圧性を有する樹脂を貼着し、絶縁部材7とする。この絶縁部材7の樹脂としては、シート状又はフィルム状であって第2の接着材層6と同一の平面形状を有する樹脂を用いる。
このアクリル系接着剤の塗布方法としては、ヘラ等を用いて手動で塗布する他、バーコート法、スクリーン印刷法等が挙げられるが、冷却ベース部3上の所定領域に精度良く形成する必要があることから、スクリーン印刷法が好ましい。
次いで、静電チャック部2下面のヒータエレメント5と冷却ベース部3上面の絶縁部材7との間隔がスペーサ8の厚みになるまで落し込み、押し出された余分のアクリル系接着剤を除去する。
(静電チャック装置の作製)
公知の方法により、内部に厚み15μmの静電吸着用内部電極13が埋設された静電チャック部2を作製した。この静電チャック部2の載置板11は、炭化ケイ素を8質量%含有する酸化アルミニウム−炭化ケイ素複合焼結体であり、直径は320mm、厚みは4mmの円板状であった。
次いで、この第1の接着材層4上に、厚みが100μmのチタン(Ti)薄板を載置した。次いで、真空中、150℃にて加圧保持し、静電チャック部2とチタン(Ti)薄板とを接着固定した。
次いで、静電チャック部2下面のヒータエレメント5と冷却ベース部3上面の絶縁部材7との間隔がスペーサ8の厚みになるまで落し込んだのち、110℃にて5時間保持した。その後、アクリル系接着剤を硬化させて静電チャック部2と冷却ベース部3とを接合させ、さらに、給電用端子15aに、導電性シリコン接着剤を用いてチタン製の給電用端子15bを接着固定し、実施例の静電チャック装置を作製した。なお、アクリル系接着剤層9のショア硬さは、D20であった。
この静電チャック装置を真空チャンバに装置し、フロン系冷媒により冷却ベース部を20℃に一定に保った状態で、載置面にシリコンウエハを配置した。その後、給電用端子15に2500Vの直流電圧を印加した状態で、ヒータエレメント5によりシリコンウエハを断続的に加熱した。このようなプロセスにより、シリコンウエハの表面温度が100℃と20℃との間を繰り返す、繰り返し加熱試験を計1000回実施した。
その結果、1000回繰り返し加熱した後の超音波探査傷装置を用いた観察により、接着剤層に剥離等の無いことが確認された。また、三次元測定による加熱前後での平面度変化は3μmであり、給電用端子15と冷却ベース部の間において、4000V以上の耐電圧を有していた。
(静電チャック装置の作製)
静電チャック部2と冷却ベース部3とを、D50のアクリル系接着剤を介して重ね合わせた他は、実施例に準じて、比較例の静電チャック装置を作製した。
この静電チャック装置を真空チャンバに装置し、フロン系冷媒により冷却ベース部を20℃に一定に保った状態で、載置面にシリコンウエハを配置した。その後、給電用端子15に2500Vの直流電圧を印加した状態で、ヒータエレメント5によりシリコンウエハを断続的に加熱した。このようなプロセスにより、シリコンウエハの表面温度が100℃と20℃との間を繰り返す、繰り返し加熱試験を計1000回実施した。
その結果、120回目の降温時に給電用端子15と冷却ベース部3の間で放電が生じ、渦電流により電源が停止した。この試験後、超音波探査傷装置を用いた観察により、アクリル接着剤層の剥離が確認された。
2 静電チャック部
3 冷却ベース部
4 第1の接着材層
5 ヒータエレメント
6 第2の接着材層
7 絶縁部材
8 スペーサ
9 アクリル系接着剤層
11 載置板
12 支持板
13 静電吸着用内部電極
14 絶縁材層
15、15a、15b 給電用端子
16 突起部
17 絶縁碍子
21 給電用端子
22 絶縁碍子
W 板状試料
Claims (6)
- 板状試料を載置する載置面として一主面を有するとともに静電吸着用内部電極を内蔵してなる静電チャック部と、
前記静電チャック部を冷却する冷却ベース部とを備え、
前記静電チャック部の前記載置面と反対側の主面には、第1の接着材層を介して加熱部材が接着され、
前記静電チャック部及び前記加熱部材と、前記冷却ベース部とは、柔軟性及び絶縁性を有するアクリル系接着剤層を介して接着一体化されている静電チャック装置。 - 前記アクリル系接着剤層は、酢酸ビニルまたは酪酸ビニルを1体積%以上かつ50体積%以下含有してなる請求項1記載の静電チャック装置。
- 前記アクリル系接着剤層の厚みを250μm以下とし、前記加熱部材と前記冷却ベース部との間に設けられるスペーサのヤング率を5MPa以上かつ5GPa以下とし、該スペーサと前記アクリル系接着剤層との熱膨張差を±200%以下とした請求項1記載の静電チャック装置。
- 前記アクリル系接着剤層のショア硬さは、D40以下である請求項1記載の静電チャック装置。
- 前記静電吸着用内部電極に、この静電吸着用内部電極に電圧を印加する給電用端子を接続し、この給電用端子を囲むように絶縁碍子を設け、この絶縁碍子と前記静電チャック部との間の前記アクリル系接着剤層の厚みを50μm以上かつ150μm以下とした請求項1記載の静電チャック装置。
- 前記冷却ベース部の前記静電チャック部側の主面に、第2の接着材層を介して絶縁材層を設け、
前記絶縁材層を、前記アクリル系接着剤層を介して前記静電チャック部及び前記加熱部材に接着一体化したことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項記載の静電チャック装置。
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US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
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US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
JP5915026B2 (ja) * | 2011-08-26 | 2016-05-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 温度測定用板状体及びそれを備えた温度測定装置 |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
JP6165452B2 (ja) * | 2013-02-01 | 2017-07-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
JP6244804B2 (ja) | 2013-10-15 | 2017-12-13 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
DE102014008030A1 (de) * | 2014-05-28 | 2015-12-03 | Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co | Verfahren zur Herstellung einer elektrostatischen Haltevorrichtung |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
DE102014008031B4 (de) | 2014-05-28 | 2020-06-25 | Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co. | Elektrostatische Haltevorrichtung mit einer Keramik-Elektrode und Verfahren zur Herstellung einer solchen Haltevorrichtung |
DE102014007903A1 (de) | 2014-05-28 | 2015-12-03 | Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co. | Elektrostatische Haltevorrichtung mit Noppen-Elektroden und Verfahren zu deren Herstellung |
DE102014008029B4 (de) | 2014-05-28 | 2023-05-17 | Asml Netherlands B.V. | Elektrostatische Haltevorrichtung mit einer Elektroden-Trägerscheibe und Verfahren zur Herstellung der Haltevorrichtung |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
TWI582061B (zh) * | 2014-09-04 | 2017-05-11 | Ngk Insulators Ltd | Wafer fixed table and its preparation method |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
JP6380177B2 (ja) * | 2015-03-12 | 2018-08-29 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
US10008399B2 (en) | 2015-05-19 | 2018-06-26 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic puck assembly with metal bonded backing plate for high temperature processes |
TW202224081A (zh) * | 2015-08-06 | 2022-06-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於晶圓處理系統的熱管理系統及方法 |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US9623679B1 (en) * | 2015-11-18 | 2017-04-18 | Xerox Corporation | Electrostatic platen for conductive pet film printing |
US10499461B2 (en) * | 2015-12-21 | 2019-12-03 | Intel Corporation | Thermal head with a thermal barrier for integrated circuit die processing |
US10923381B2 (en) * | 2016-01-19 | 2021-02-16 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
JP6572788B2 (ja) * | 2016-01-29 | 2019-09-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
KR101871067B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2018-06-25 | 세메스 주식회사 | 기판을 지지하는 척 모듈 및 이를 구비하는 프로브 스테이션 |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
TWI766433B (zh) | 2018-02-28 | 2022-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
WO2019176544A1 (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | 日本碍子株式会社 | ウエハー保持台 |
US11817339B2 (en) * | 2018-03-30 | 2023-11-14 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device and method for manufacturing same |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
WO2020004309A1 (ja) * | 2018-06-26 | 2020-01-02 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
US11367597B2 (en) * | 2018-07-05 | 2022-06-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrostatic chuck and plasma processing apparatus including the same |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
KR102123677B1 (ko) | 2018-08-21 | 2020-06-17 | 엘지전자 주식회사 | 전기 히터 |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
CN110943023B (zh) * | 2018-09-25 | 2022-04-26 | 北京华卓精科科技股份有限公司 | 静电卡盘功能孔防堵装置 |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
JP7328018B2 (ja) * | 2019-06-13 | 2023-08-16 | 新光電気工業株式会社 | 基板固定装置及びその製造方法 |
CN112992634B (zh) * | 2019-12-12 | 2023-10-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备 |
US20230115256A1 (en) * | 2020-03-26 | 2023-04-13 | Tomoegawa Co., Ltd. | Electrostatic chuck device and sleeve for electrostatic chuck device |
WO2022086638A1 (en) * | 2020-10-20 | 2022-04-28 | Lam Research Corporation | Cold edge low temperature electrostatic chuck |
KR20220128163A (ko) * | 2021-03-12 | 2022-09-20 | 주식회사 아모센스 | 정전 척 시트 및 이를 포함하는 정전 척 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5875180A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-06 | Toray Silicone Co Ltd | 加熱定着ロ−ル |
US5276084A (en) * | 1988-04-27 | 1994-01-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | High performance pressure sensitive adhesive emulsion |
US5089856A (en) * | 1989-02-06 | 1992-02-18 | Spectrum Sciences B.V. | Image transfer apparatus incorporating an internal heater |
US6256187B1 (en) | 1998-08-03 | 2001-07-03 | Tomoegawa Paper Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
JP2000100916A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置 |
JP2001332525A (ja) | 2000-05-25 | 2001-11-30 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | セラミックスヒータ |
US20050211385A1 (en) * | 2001-04-30 | 2005-09-29 | Lam Research Corporation, A Delaware Corporation | Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution |
JP4097435B2 (ja) * | 2002-02-21 | 2008-06-11 | 日東電工株式会社 | 粘着剤組成物及び粘着シート |
JP4003932B2 (ja) * | 2002-03-07 | 2007-11-07 | 日本碍子株式会社 | セラミックス−金属接合体 |
US20030185480A1 (en) * | 2002-03-28 | 2003-10-02 | Antao Chen | Device package with reduced bonding stresses |
JP4398306B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2010-01-13 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック及びセラミック製の静電チャックの製造方法 |
US8038796B2 (en) * | 2004-12-30 | 2011-10-18 | Lam Research Corporation | Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate |
US7838800B2 (en) | 2006-09-25 | 2010-11-23 | Tokyo Electron Limited | Temperature controlled substrate holder having erosion resistant insulating layer for a substrate processing system |
JP5018244B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2012-09-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック |
JP4948337B2 (ja) * | 2007-09-13 | 2012-06-06 | 株式会社巴川製紙所 | 静電チャック装置用接着シート、および静電チャック装置 |
JP2009290071A (ja) | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミックス接合体およびその製造方法 |
JP5163349B2 (ja) * | 2008-08-01 | 2013-03-13 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP2011049425A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 半導体製造装置用部品 |
US8637794B2 (en) * | 2009-10-21 | 2014-01-28 | Lam Research Corporation | Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing |
JP5423632B2 (ja) | 2010-01-29 | 2014-02-19 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
-
2012
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