TWI525742B - 基底傳送設備和基底加工設備 - Google Patents
基底傳送設備和基底加工設備 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI525742B TWI525742B TW102141165A TW102141165A TWI525742B TW I525742 B TWI525742 B TW I525742B TW 102141165 A TW102141165 A TW 102141165A TW 102141165 A TW102141165 A TW 102141165A TW I525742 B TWI525742 B TW I525742B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- transfer table
- shaft
- substrate
- air bearing
- suction
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 109
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 27
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 24
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 4
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000026058 directional locomotion Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
- H01L21/67787—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks with angular orientation of the workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
本發明涉及一種基底傳送設備以及一種基底加工設備，且更確切地說，涉及一種當基底進行加工時，通過基底傳送設備傳送基底而使薄膜結晶於所述基底上的基底加工設備。
在製造有機發光二極體(OLED)和太陽能電池時，通常執行熱處理來使非晶多晶矽結晶。此處，當使用具有低熔點的基底時，使用雷射來使非晶多晶矽結晶是十分有利的。
具體地，隨著基底變得更大，在沉積薄膜之後執行退火處理時更加難以保證均勻性，因此提出各種方法。所述各種方法中的一種是使用雷射使非晶多晶矽結晶的退火方法。圖1是圖示了根據相關技術的雷射加工設備的圖。
參考圖1，氣體入口端/出口端11a和11b設置在反應室10中，並且透明窗20設置在反應室10的上部部分中。雷射光束輻照單元40設置在透明窗20的上方，並且從所述雷射光束輻照
單元40輻照出的雷射光束穿過透明窗20，到達反應室10內的基底W。
圖2(A)、圖2(B)是圖示了從圖1中的雷射光束輻照單元40輻照出的雷射光束41的形狀的圖。圖2(A)圖示了從上方看到的基底。圖2(B)是基底的透視圖。如圖2(A)及圖2(B)所示，雷射光束41以直線形狀輻照到基底W上。由於基底W在與雷射光束41的直線垂直的方向上(在箭頭方向上)水平移動，因此雷射光束41可以輻照到基底W的整個表面上。
用於傳送基底的基底傳送設備通過線性電機(linear motor,LM)引導件來實施。如圖3所示，在LM引導件中，第一軸傳送台52沿著LM導軌51移動，而用作基底支撐件的第二軸傳送台53沿著所述第一軸傳送台52移動。因此，當執行熱處理時，基底W通過第二定向運動和水平旋轉運動以及第一定向運動合適地進行定位。此處，第一軸和第二軸是構成二維平面的任意軸，它們分別可以簡單地表示為X軸和Y軸。第一軸和第二軸的定義也將類似地或等效地適用於下文中的描述。
第一軸傳送台沿著LM導軌移動，而第二軸傳送台沿著所述第一軸傳送台移動，同時與所述第一軸傳送台機械地接觸。機械接觸會形成可能導致加工失敗的微粒。為了將微粒的形成最少化，韓國專利申請公開案第2011-0010252號提出將空氣軸承設置在第一軸傳送台和第二軸傳送台的下方，從而將機械摩擦接觸最小化。
然而，當傳送台通過使用空氣軸承移動時，可能發生隨後的限制。空氣軸承通過氣壓而無接觸地漂浮。此處，由於噴射出的空氣的氣壓，因此空氣軸承周圍的微粒被吹走，從而使得污染物沉積在基底上。
本發明提供一種基底傳送設備，其中基底被穩定地傳送。
本發明還提供一種設備，其中通過使用空氣軸承而產生的微粒污染物被最少化。
本發明還提供一種用於使得高品質膜能夠沉積的設備。
根據示例性實施例，基底傳送設備包含：通過空氣軸承滑動的傳送台；以及圍繞空氣軸承的吸收器，用來吸收從空氣軸承噴射出之後折回的空氣。
根據另一示例性實施例，基底傳送設備包含：一對導軌，該對導軌設置在第一軸方向上並且彼此間隔開；第一軸傳送台，所述第一軸傳送台連接該對導軌且所述第一軸傳送台在第二軸方向上具有一長度，通過設置在第一軸傳送台的底部表面上的空氣軸承，所述第一軸傳送台在第一軸方向上沿著導軌前後滑動；第二軸傳送台，所述第二軸傳送台設置在所述第一軸傳送台上方，通過設置在第二軸傳送台的底部表面上的空氣軸承，所述第二軸傳送台在第二軸方向上沿著第一軸傳送台前後滑動；旋轉軸引導件，所述旋轉軸引導件***到第二軸傳送台的中心；基底支撐件，
所述基底支撐件設置在所述旋轉軸引導件的上方；以及圍繞空氣軸承的吸收器，用來吸收從空氣軸承噴射出之後折回的空氣。
第二軸傳送台可以包含：基底支撐主體，所述基底支撐主體設置在第一軸傳送台上方；第二軸傳送台支撐主體，所述第二軸傳送台支撐主體分別從基底支撐主體的兩端向下突出，以在長度方向上圍繞第一軸傳送台的側壁。
吸收器可以包含：吸盤，所述吸盤圍繞空氣軸承的空氣噴射表面；固定嚙合棒，所述固定嚙合棒將所述吸盤固定到周邊結構上；多個吸氣孔，所述多個吸氣孔界定在所述吸盤的底部表面中；吸氣管，其設置在所述吸盤內，所述吸氣管與所述多個吸氣孔連通；以及排氣端，所述排氣端設置在所述吸氣管末端處以排放吸入的空氣。
根據又另一示例性實施例，基底加工設備包含：反應室，所述反應室具有內部空間；基底傳送設備，在反應室的內部空間中，所述基底傳送設備在第一軸方向和第二軸方向上傳送基底；以及雷射光束生成單元，所述雷射光束生成單元將雷射光束輻照到設置在基底傳送設備上的基底上，其中所述基底傳送設備包含：一對導軌，該對導軌設置在第一軸方向上並且彼此間隔開；第一軸傳送台，所述第一軸傳送台連接該對導軌且所述第一軸傳送台在第二軸方向上具有一長度，通過設置在第一軸傳送台的底部表面上的空氣軸承，所述第一軸傳送台在第一軸方向上沿著導軌前後滑動；第二軸傳送台，所述第二軸傳送台設置在所述第一
軸傳送台上方，通過設置在第二軸傳送台的底部表面上的空氣軸承，所述第二軸傳送台在第二軸方向上沿著第一軸傳送台前後滑動；旋轉軸引導件，所述旋轉軸引導件***到第二軸傳送台的中心；基底支撐件，所述基底支撐件設置在所述旋轉軸引導件的上方；以及圍繞空氣軸承的吸收器，用來吸收從空氣軸承噴射出之後折回的空氣。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
11a‧‧‧氣體入口端
11b‧‧‧氣體出口端
10、200‧‧‧反應室
20、300‧‧‧透明窗
40‧‧‧雷射光束輻照單元
41、451‧‧‧雷射光束
51‧‧‧導軌
52‧‧‧第一軸傳送台
53‧‧‧第二軸傳送台
100‧‧‧基底傳送設備
110‧‧‧第一軸傳送台
110a‧‧‧第一軸傳送台滑動件
110b‧‧‧第一軸傳送台主體
120‧‧‧第二軸傳送台
120a‧‧‧第二軸傳送台支撐主體
120b‧‧‧基底支撐主體
121、121a、121b‧‧‧空氣軸承
122、122a、122b‧‧‧吸收器
130‧‧‧導軌
140‧‧‧基底支撐件
150a‧‧‧第一加熱器
150b‧‧‧第二加熱器
400‧‧‧雷射光束生成單元
450‧‧‧反光鏡
1221‧‧‧吸盤
1222‧‧‧吸氣孔
1223‧‧‧吸氣管
1224‧‧‧排氣端
1225‧‧‧固定嚙合棒
W‧‧‧基底
圖1是圖示了根據相關技術的雷射加工設備的圖。
圖2(A)及圖2(B)是圖示了雷射光束形狀的圖。
圖3是圖示了根據相關技術的基底傳送設備的圖。
圖4是根據示例性實施例的雷射熱處理設備的示意圖。
圖5是根據示例性實施例的包含基底傳送設備的反應室的透視圖。
圖6是根據示例性實施例的基底傳送設備的俯視平面圖。
圖7是根據示例性實施例的沿著圖6中的線A-A'截取的基底傳送設備的截面圖。
圖8是根據示例性實施例的設置在空氣軸承周圍的吸收器的透視圖。
圖9是根據示例性實施例的吸收器的透視圖。
圖10是根據示例性實施例圖示多個吸盤設置在空氣軸承周
圍的狀態的透視圖。
下文中，將參考附圖詳細描述特定實施例。然而，本發明可以通過不同的形式進行實施，且不應解釋為限於本文中所列出的各實施例。相反，提供這些實施例以使本發明更加全面且完整，並且可以將本發明的範圍完整地傳達給所屬領域的技術入員。在附圖中，相同編號表示相同元件。
圖4是根據示例性實施例的雷射熱處理設備的示意圖。
儘管以下描述中將對作為包括基底傳送設備的基底加工設備的雷射熱處理設備進行例證，但是本發明並不限於此，除了雷射熱處理設備以外本發明可以適用於對基底進行加工的各種設備。
雷射熱處理設備(即，使用雷射使基底結晶的基底加工設備)是雷射結晶模組，其經配置以通過用雷射光束輻照基底來使基底W的表面或形成於基底W上的薄膜結晶。
雷射熱處理設備包含：反應室200，所述反應室200具有內部空間；基底傳送設備100，所述基底傳送設備100設置在反應室200內以支撐基底W，基底傳送設備100水平傳送基底W；透明窗300，所述透明窗300相對於基底傳送設備100設置在反應室200的一側上；雷射光束生成單元400，所述雷射光束生成單元400設置在反應室200的外部以輻照出雷射光束；以及反光鏡450，所
述反光鏡450在反應室200的外部面對著透明窗300的上側。另外，雷射熱處理設備包含設置在反應室200內的透明窗300兩側處的第一加熱器150a和第二加熱器150b，並且燈加熱器可以用作第一加熱器150a和第二加熱器150b。在雷射熱處理設備中，雷射熱處理過程通常在壓力下執行，所述壓力典型地略高於大氣壓。如果基底W使用空氣軸承進行傳送，那麼設定至所需壓力的反應室200的內部壓力可以變化。為了克服這個限制，在反應室200中，壓力控制閥安裝在反應室200的氣體入口端和氣體出口端中的至少一者中，例如，安裝在氣體出口端中，由此反應室200的內部壓力通過其中間的控制器維持恒定。
下文將簡單地對用於使用具有上述元件的雷射熱處理設備來使基底W結晶的過程進行描述。首先，當基底W負載到反應室200中時，基底W用第一加熱器150a進行加熱並且隨後用雷射進行輻照。其後，基底W用第二加熱器150b重新進行加熱。由於基底W通過基底傳送設備100水平地進行傳送，因此按順序在基底W的頂部表面上執行加熱過程、雷射輻照過程以及加熱過程。例如，基底W可以在其頂部表面上具有非晶矽層，並且基底W使用雷射熱處理設備進行結晶，從而使得矽層結晶。
基底W在與雷射光束451的束線垂直的方向上(在箭頭方向上)水平傳送，因此雷射光束451可以輻照到基底W的整個表面上。用於傳送基底W的基底傳送設備通過線性電機(LM)引導件來實施。因此，雷射熱處理設備具有沿著導軌線性移動的結
構。在下文中，將結合圖5至圖7進行描述。
圖5是根據示例性實施例的包含基底傳送設備的反應室的透視圖。圖6是根據示例性實施例的基底傳送設備的俯視平面圖。圖7是根據示例性實施例的沿著圖6中的線A-A'截取的基底傳送設備的截面圖。
導軌130可以配備有一對軌道。在第一軸(即Y軸)方向上，導軌130在反應室200的底部表面上彼此平行地間隔開。
第一軸傳送台110連接該對導軌130且第一軸傳送台110在第二軸方向上具有一長度。通過設置在第一軸傳送台110的底部表面上的空氣軸承121a，第一軸傳送台110在第一軸方向上沿著導軌前後滑動。參考圖6和圖7，圖6圖示了基底傳送設備的平面俯視圖並且圖7圖示了沿著線A-A'截取的截面圖，第一軸傳送台110包含：連接在導軌130之間的第一軸傳送台主體110b；多個第一軸傳送台滑動件110a，它們設置在第一軸傳送台主體110b的兩端處以沿著導軌130滑動。第一軸傳送台主體110b具有某一長度，其中界定了U形線槽，因此第一軸傳送台主體110b在第一軸傳送台主體110b的內部具有線形空間。
第二軸傳送台120設置在第一軸傳送台110的上方。通過設置在第二軸傳送台120下方的空氣軸承構件，第二軸傳送台120在第二軸方向上沿著第一軸傳送台110前後滑動。第二軸傳送台120設置在第一軸傳送台110的上方，從而凹入地圍繞第一軸傳送台110。第二軸傳送台120包含：基底支撐主體120b，其放
置在第一軸傳送台110的上方；以及第二軸傳送台支撐主體120a，它們分別從基底支撐主體120b的兩端向下突出，從而在縱向方向上圍繞第一軸傳送台110的側壁。
參考圖7，第二軸傳送台120以使所述第二軸傳送台120凹入地圍繞第一軸傳送台110進行設置，從而減小基底傳送設備100的總體高度。另外，旋轉軸引導件(未示出)也***到第二軸傳送台120的中心，因此此結構有助於減小基底傳送設備100的總體高度。採用此結構的原因是克服以下缺點：如典型方法中所提出，當第二軸傳送台120和基底支撐件140分別堆疊在第一軸傳送台110和第二軸傳送台120上時，基底傳送設備的總體高度可能增加，從而需要較大的空間並且還會在傳送基底W時降低穩定性。
由於基底傳送設備100具有上述結構，因此第一軸傳送台110沿著平行設置的一對導軌130滑動，而第二軸傳送台120沿著所述第一軸傳送台110滑動。此處，第一軸傳送台110和第二軸傳送台120的滑動通過形成為單個平面的底部表面201和空氣軸承121、121a和121b來實現，所述空氣軸承121、121a和121b沿著每條軸線的導面移動。旋轉軸引導件(未示出)***到第二軸傳送台120的中心，並且基底支撐件140設置在所述旋轉軸引導件上。第一軸傳送台110和第二軸傳送台120在空氣軸承121進行操作的狀態下通過線性電機移動，並且旋轉軸引導件使基底W能夠在R方向上操作，也就是說，使基底W能夠以交叉滾輪滑
軌型，而不是空氣軸承型的方式進行旋轉。第一軸傳送台110在穿過雷射光束451的簾幕表面的方向上滑動。因此，基底W通過使用空氣軸承121進行傳送。
以多個的形式分別提供於第一軸傳送台110的底部表面和第二軸傳送台120的底部表面上的空氣軸承121由塑膠、碳以及金屬陶瓷等原材料形成。空氣軸承121通過將空氣用作動力而與底部表面非接觸地漂浮，以防止反應室結構由於摩擦而受到損害。與將石油用作潤滑劑的一般滾珠軸承不同，空氣軸承121將空氣或各種氣體用作潤滑劑，從而具有極低的能量消耗並且由於氣體較低的粘性摩擦係數而實現高速旋轉。因此，空氣軸承121適用於精確控制，因為不具有通過潤滑劑或滾珠的摩擦產生的灰塵或污染物。本文中使用的實際上從空氣軸承噴射出的氣體可以是氮氣而不是大氣，所述大氣是氧氣和氮氣的混合物。這是因為在雷射熱處理過程期間，需要選擇相同的氣體，例如，氮氣來供應到反應室200中，從而調節反應室200的內部壓力並且改進熱處理過程的可靠度。
由於空氣軸承通過使用從導向下側的空氣噴射表面噴射出的氣壓而漂浮和滑動，因此其周圍現有的微粒(由於從空氣軸承121噴射出的氣壓而吹走)可以被吸收到基底W上。這會在基底W經受熱處理時引起品質降級。為了防止微粒被吹走或被吸收，根據本發明的實施例的基底傳送設備包含吸收器122，所述吸收器122圍繞空氣軸承121並且吸收從空氣軸承121噴射出之後
折回的空氣。
圖8是根據示例性實施例的設置在空氣軸承周圍的吸收器的透視圖。圖9是根據示例性實施例的吸收器的透視圖。
吸收器122、122a以及122b設置在每個空氣軸承的周圍並且取決於它們的安裝形式具有各種形狀。例如，設置在第一軸傳送台110的邊緣的下部上的吸收器以及設置在第二軸傳送台120的邊緣的下部上的吸收器可以在形狀上彼此不同。
如圖9所示，吸收器122包含：吸盤1221，所述吸盤1221圍繞空氣軸承的空氣噴射表面；固定嚙合棒1225，所述固定嚙合棒1225將所述吸盤1221連接和固定到周邊結構上；多個吸氣孔1222，所述多個吸氣孔1222界定在所述吸盤1221的底部表面中；吸氣管1223，所述吸氣管1223設置在所述吸盤1221內並且與所述多個吸氣孔1222連通；以及排氣端1224，所述排氣端1224設置在所述吸氣管1223末端處以排放吸入的空氣。
固定嚙合棒1225將吸盤1221固定到第一軸傳送台110和第二軸傳送台120等結構上。例如，固定嚙合棒1225以多個的形式提供，並且從吸盤1221突出且固定到傳送台上。
吸盤1221圍繞空氣軸承的空氣噴射表面，並且在所述吸盤1221的底部表面上具有多個吸氣孔1222。吸氣管1223設置在吸盤1221內並且與界定在吸盤1221的底部表面中的多個吸氣孔1222連通。因此，從空氣軸承噴射出的空氣被引入界定在吸盤1221的底部表面中的多個吸氣孔1222中，所述吸盤1221圍繞空氣軸
承的外周圍。引入吸入孔1222中的空氣通過設置在末端處的排氣端1224沿著吸盤1221中的吸氣管1223排放出。在必要的時候，排氣端1224連接到提供吸入力的壓力控制泵上，以使通過吸入孔吸入空氣的吸入力能夠增加。
空氣軸承121與圍繞所述空氣軸承的吸盤1221之間的距離可以為約等於或小於50mm。當吸盤1221和空氣軸承121以大於50mm的距離間隔時，吸收空氣軸承121的空氣的效率可能會降低。
同樣地，吸盤1221的底部表面可以塗覆有為氟樹脂的聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethene，PTFE)。這是因為吸盤1221設置在空氣軸承121的空氣噴射表面周圍，所述空氣軸承121定位在第一軸傳送台110和第二軸傳送台120的下方，並且因此在第一軸傳送台110和第二軸傳送台120的滑動期間，吸盤1221可能被底部表面刮擦。因此，吸盤1221的底部表面塗覆有能夠防止刮擦的聚四氟乙烯。
吸盤1221可以具有部分損壞的單個環的形狀，其圍繞空氣軸承121的空氣噴射表面，如圖9所示；然而，根據另一實施例，吸盤1221以多個的形式提供並且以在吸盤1221沿著空氣軸承121的空氣噴射表面的周圍彼此間隔開的狀態下圍繞空氣軸承121的空氣噴射表面配置，如圖10所示。如圖10中的此種配置可以在安裝時提高方便性，因為當圍繞空氣軸承121的結構比較複雜時，多個吸盤1221可以彼此間隔地進行安裝。
根據本發明的示例性實施例，基底傳送設備吸收從空氣軸承噴射的空氣，由此將被吹走的、圍繞基底傳送設備的現有微粒最少化。因此，高品質膜可以沉積在基底上。此外，根據示例性實施例，對吸盤的底部表面進行塗覆，因此可以防止基底傳送設備的底部表面被刮擦。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
110‧‧‧第一軸傳送台
120‧‧‧第二軸傳送台
121a、121b‧‧‧空氣軸承
122a、122b‧‧‧吸收器
Claims (12)
- 一種基底傳送設備，包括：通過空氣軸承滑動的傳送台；圍繞所述空氣軸承的吸收器，用來吸收從所述空氣軸承噴射出之後折回的空氣，其中所述空氣軸承及所述吸收器提供於所述傳送台的下部，所述吸收器包括：吸盤，所述吸盤圍繞所述空氣軸承的空氣噴射表面；固定嚙合棒，所述固定嚙合棒將所述吸盤固定到周邊結構上；多個吸氣孔，所述多個吸氣孔界定在所述吸盤的底部表面中；吸氣管，提供於所述吸盤中，所述吸氣管與所述多個吸氣孔連通；排氣端，所述排氣端設置在所述吸氣管的末端處以排放吸入的空氣；以及壓力控制泵，所述壓力控制泵耦合至所述排氣端以提供吸力。
- 一種基底傳送設備，包括：一對導軌，該對導軌設置在第一軸方向上並且彼此間隔開；第一軸傳送台，所述第一軸傳送台連接該對導軌，且所述第一軸傳送台在第二軸方向上具有一長度，通過設置在所述第一軸傳送台的底部表面上的空氣軸承，所述第一軸傳送台在所述第一軸方向上沿著所述導軌前後滑動；第二軸傳送台，所述第二軸傳送台設置在所述第一軸傳送 台上方，通過設置在所述第二軸傳送台的底部表面上的所述空氣軸承，所述第二軸傳送台在所述第二軸方向上沿著所述第一軸傳送台前後滑動；旋轉軸引導件，所述旋轉軸引導件***到所述第二軸傳送台的中心；基底支撐件，所述基底支撐件設置在所述旋轉軸引導件的上方；吸收器，設置在所述第一軸傳送台的下表面以及第二軸傳送台的下表面上，且圍繞所述空氣軸承，用來吸收從所述空氣軸承噴射出之後折回的空氣，其中所述吸收器包括：吸盤，所述吸盤圍繞所述空氣軸承的空氣噴射表面；固定嚙合棒，所述固定嚙合棒將所述吸盤固定到周邊結構上；多個吸氣孔，所述多個吸氣孔界定在所述吸盤的底部表面中；吸氣管，提供於所述吸盤中，所述吸氣管與所述多個吸氣孔連通；排氣端，所述排氣端設置在所述吸氣管的末端處以排放吸入的空氣；以及壓力控制泵，所述壓力控制泵耦合至所述排氣端以提供吸力。
- 如申請專利範圍第2項所述的基底傳送設備，其中所述第一軸傳送台具有預定長度的線槽。
- 如申請專利範圍第2或3項所述的基底傳送設備，其中所述第二軸傳送台經設置以從上方凹入地圍繞所述第一軸傳送台。
- 如申請專利範圍第4項所述的基底傳送設備，其中所述第 二軸傳送台包括：基底支撐主體，所述基底支撐主體設置在所述第一軸傳送台上方；以及第二軸傳送台支撐主體，所述第二軸傳送台支撐主體分別從所述基底支撐主體的兩端向下突出，以在長度方向上圍繞所述第一軸傳送台的側壁。
- 如申請專利範圍第2項所述的基底傳送設備，其中所述空氣軸承以多個的形式分別提供於所述第一軸傳送台的底部表面和所述第二軸傳送台支撐主體的底部表面上。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基底傳送設備，其中所述吸盤具有圍繞所述空氣軸承的所述空氣噴射表面的單個環的形狀。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基底傳送設備，其中所述吸盤以多個的形式提供並且所述多個吸盤在以沿著所述空氣噴射表面的周圍彼此間隔開的狀態下圍繞所述空氣軸承的所述空氣噴射表面配置。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基底傳送設備，其中所述吸盤的底部表面塗覆有為氟樹脂的聚四氟乙烯。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基底傳送設備，其中所述吸盤與所述空氣軸承之間的距離小於或等於50mm。
- 一種基底加工設備，其包括：反應室，所述反應室具有內部空間；基底傳送設備，在反應室的內部空間中，所述基底傳送設備在第一軸方向和第二軸方向上傳送基底；以及雷射光束生成單元，所述雷射光束生成單元將雷射光束輻照到設置在基底傳送設備上的所述基底上，其中所述基底傳送設備包括： 通過空氣軸承滑動的傳送台；圍繞所述空氣軸承的吸收器，用來吸收從所述空氣軸承噴射出之後折回的空氣，其中所述吸收器包括：吸盤，所述吸盤圍繞所述空氣軸承的空氣噴射表面；固定嚙合棒，所述固定嚙合棒將所述吸盤固定到周邊結構上；多個吸氣孔，所述多個吸氣孔界定在所述吸盤的底部表面中；吸氣管，提供於所述吸盤中，所述吸氣管與所述多個吸氣孔連通；排氣端，所述排氣端設置在所述吸氣管的末端處以排放吸入的空氣；以及壓力控制泵，所述壓力控制泵耦合至所述排氣端以提供吸力。
- 一種基底加工設備，其包括：反應室，所述反應室具有內部空間；基底傳送設備，在反應室的內部空間中，所述基底傳送設備在第一軸方向和第二軸方向上傳送基底；以及雷射光束生成單元，所述雷射光束生成單元將雷射光束輻照到設置在基底傳送設備上的所述基底上，其中所述基底傳送設備包括：一對導軌，該對導軌設置在第一軸方向上並且彼此間隔開；第一軸傳送台，所述第一軸傳送台連接該對導軌，且所述第一軸傳送台在第二軸方向上具有一長度，通過設置在所述第一軸傳送台的底部表面上的空氣軸承，所述第一軸傳送台在所述第一軸方向上沿著所述導軌前後滑動； 第二軸傳送台，所述第二軸傳送台設置在所述第一軸傳送台上方，通過設置在所述第二軸傳送台的底部表面上的所述空氣軸承，所述第二軸傳送台在所述第二軸方向上沿著所述第一軸傳送台前後滑動；旋轉軸引導件，所述旋轉軸引導件***到所述第二軸傳送台的中心；基底支撐件，所述基底支撐件設置在所述旋轉軸引導件的上方；吸收器，設置在所述第一軸傳送台的下表面以及第二軸傳送台的下表面上，且圍繞所述空氣軸承，用來吸收從所述空氣軸承噴射出之後折回的空氣，其中所述吸收器包括：吸盤，所述吸盤圍繞所述空氣軸承的空氣噴射表面；固定嚙合棒，所述固定嚙合棒將所述吸盤固定到周邊結構上；多個吸氣孔，所述多個吸氣孔界定在所述吸盤的底部表面中；吸氣管，提供於所述吸盤中，所述吸氣管與所述多個吸氣孔連通；排氣端，所述排氣端設置在所述吸氣管的末端處以排放吸入的空氣；以及壓力控制泵，所述壓力控制泵耦合至所述排氣端以提供吸力。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120128136A KR101403458B1 (ko) | 2012-11-13 | 2012-11-13 | 기판 이송 장치 및 기판 처리 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201420467A TW201420467A (zh) | 2014-06-01 |
| TWI525742B true TWI525742B (zh) | 2016-03-11 |
Family
ID=50707975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102141165A TWI525742B (zh) | 2012-11-13 | 2013-11-13 | 基底傳送設備和基底加工設備 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5925747B2 (zh) |
| KR (1) | KR101403458B1 (zh) |
| CN (1) | CN103811386B (zh) |
| TW (1) | TWI525742B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101983327B1 (ko) | 2016-07-26 | 2019-05-29 | 에이피시스템 주식회사 | 레이저 처리장치 |
| CN112828485B (zh) * | 2020-12-31 | 2023-03-24 | 南昌航空大学 | 一种用于止推顶箔微激光点焊的装置 |
| CN114724999B (zh) * | 2022-03-31 | 2023-01-03 | 先之科半导体科技(东莞)有限公司 | 一种二极管入料座 |
| CN117276160B (zh) * | 2023-11-21 | 2024-02-13 | 上海隐冠半导体技术有限公司 | 一种气浮刹车装置、运动装置及气浮刹车装置的控制方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58141536A (ja) * | 1982-02-17 | 1983-08-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体ウエハ−の吸着ヘツド |
| KR0131754Y1 (ko) * | 1995-12-27 | 1999-02-01 | 문정환 | 스테이지 구동장치 |
| JP2000264411A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-26 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 浮上移動台車 |
| JP2002217082A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-08-02 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
| US7313926B2 (en) * | 2005-01-18 | 2008-01-01 | Rexorce Thermionics, Inc. | High efficiency absorption heat pump and methods of use |
| JP4782710B2 (ja) * | 2006-03-02 | 2011-09-28 | 住友重機械工業株式会社 | ステージ装置 |
| TWI457193B (zh) * | 2006-03-02 | 2014-10-21 | Sumitomo Heavy Industries | Stage device |
| JP2009210295A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Canon Inc | 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR100982345B1 (ko) * | 2008-05-14 | 2010-09-15 | 주식회사 쎄믹스 | 레이저 리페어 시스템을 위한 척 플레이트 이송장치 |
| JP2010286784A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Canon Inc | ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
| KR101089626B1 (ko) * | 2009-07-24 | 2011-12-06 | 에이피시스템 주식회사 | 기판 이송이 에어 베어링을 통해 이루어지는 레이저 열처리 장치 |
| JP2011133724A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Nikon Corp | 流体静圧軸受、移動体装置、露光装置、デバイス製造方法、及び清掃装置 |
| KR20110131011A (ko) * | 2010-05-28 | 2011-12-06 | (유)에스엔티 | 스크린 프린터의 클리닝 장치 및 이를 구비하는 스크린 프린터 |
| JP5454971B2 (ja) * | 2012-04-13 | 2014-03-26 | 株式会社日本製鋼所 | 移動ステージ |
-
2012
- 2012-11-13 KR KR1020120128136A patent/KR101403458B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-11-11 JP JP2013233057A patent/JP5925747B2/ja active Active
- 2013-11-13 CN CN201310572302.1A patent/CN103811386B/zh active Active
- 2013-11-13 TW TW102141165A patent/TWI525742B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2014099607A (ja) | 2014-05-29 |
| TW201420467A (zh) | 2014-06-01 |
| JP5925747B2 (ja) | 2016-05-25 |
| CN103811386B (zh) | 2017-04-12 |
| KR20140061614A (ko) | 2014-05-22 |
| KR101403458B1 (ko) | 2014-06-30 |
| CN103811386A (zh) | 2014-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI525742B (zh) | 基底傳送設備和基底加工設備 | |
| KR102337428B1 (ko) | 레이저 어닐 장치, 레이저 어닐 처리용 연속 반송로, 레이저광 조사 수단 및 레이저 어닐 처리 방법 | |
| CN1277299C (zh) | 基板校准装置，基板处理装置及基板搬运装置 | |
| CN102714139B (zh) | 接合***和接合方法 | |
| KR101842504B1 (ko) | 반송 장치, 기판 처리 시스템 및 자세 제어 기구 | |
| CN1348552A (zh) | 具有诸垂直堆叠处理室的半导体晶片生产***和单轴双晶片传送*** | |
| US20120305024A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| CN1333385A (zh) | 用于真空蒸镀和有机电荧光器件的设备和方法 | |
| JP5611152B2 (ja) | 基板熱処理装置 | |
| TW200844021A (en) | Conveying device | |
| JP2010518604A (ja) | ガラスシートの半導体コーティングシステムおよび方法および得られる製品 | |
| US20070138228A1 (en) | Method and apparatus for finishing a glass sheet | |
| JP2006016144A (ja) | トランスファロボット | |
| WO2013153979A1 (ja) | 移動ステージ | |
| JP3965131B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| TW201508813A (zh) | 排氣設備和具有排氣設備的基板處理設備 | |
| KR101089626B1 (ko) | 기판 이송이 에어 베어링을 통해 이루어지는 레이저 열처리 장치 | |
| TWI731438B (zh) | 成膜裝置 | |
| JP2004319558A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| KR102435306B1 (ko) | 파티클 제거용 기판이송장치 | |
| JP6299210B2 (ja) | 基板搬送装置及びｅｆｅｍ | |
| CN212268817U (zh) | 一种真空吸盘及硅片输送装置 | |
| KR101862311B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JP6364388B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
| TW201132569A (en) | Sucking device |