TWI524422B - A substrate processing system, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium - Google Patents

A substrate processing system, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium Download PDF

Info

Publication number
TWI524422B
TWI524422B TW103107798A TW103107798A TWI524422B TW I524422 B TWI524422 B TW I524422B TW 103107798 A TW103107798 A TW 103107798A TW 103107798 A TW103107798 A TW 103107798A TW I524422 B TWI524422 B TW I524422B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
processing
gas
substrate
supply
buffer tank
Prior art date
Application number
TW103107798A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201526103A (zh
Inventor
Taketoshi Sato
Original Assignee
Hitachi Int Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Int Electric Inc filed Critical Hitachi Int Electric Inc
Publication of TW201526103A publication Critical patent/TW201526103A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI524422B publication Critical patent/TWI524422B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/0318—Processes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

基板處理系統、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
本發明係有關基板處理系統、半導體裝置之製造方法及記錄媒體。
伴隨著大型積體電路(Large Scale Integrated Circuit：以下稱為LSI)的高積體化，推進電路圖案的微細化。
為使多個半導體裝置集積於狹窄的面積，必須縮小所形成的裝置尺寸，因此，必須縮小欲形成的圖案之寬度和間隔。
對於近年來的藉由微細化而埋入微細構造，特別是有關氧化物朝縱向深或橫向窄的空隙構造(溝)埋入，利用CVD(化學氣相沉積)法的埋入方法正值技術極限。又，因電晶體的微細化，有形成薄且均一的閘極絕緣膜、閘電極之需求。再者，為提高半導體裝置的生產性而有縮短每一片基板的處理時間之需求。
近年來，由LSI、DRAM(動態隨機存取記憶體；Dynamic Random Access Memory)、Flash Memory(快閃記憶體)所代表的半導體裝置之最小加工尺寸寛度變 得小於30nm，在保持品質的情況下要達到微細化、提升生產量、處理溫度的低溫化逐漸困難。例如，有在形成閘極絕緣膜、閘電極之際，依序、反復原料氣體的供應．排氣、反應氣體的供應．排氣及電漿的生成之成膜方法。關於該成膜方法，例如進行電漿生成時在進行電力調整．壓力調整．氣體濃度調整等需要時間，生產量(through put)的縮短上有其限度。
本發明之目的在於提供一種可使形成於基板上的膜之特性提升並使生產量提升的基板處理系統、半導體裝置的製造方法及記錄媒體。
依據一態樣，係提供一種基板處理系統，其具有：收容基板的複數個處理室；向前述複數個處理室依序供應處理氣體之處理氣體供應系統；向前述複數個處理室依序供應被活性化的反應氣體之反應氣體供應系統；設於前述處理氣體供應系統的緩衝槽；控制部，以向前述複數個處理室任一供應反應氣體的時間是成為向前述複數個處理室任一供應處理氣體的時間與向前述緩衝槽供應處理氣體的時間之合計時間，使前述處理氣體和前述反應氣體向前述複數個處理室分別交互地供應的方式，控制前述處理氣體供應系統和前述反應氣體供應系統。
依據其他態樣，係提供一種半導體裝置之製 造方法，其具有：將處理氣體以第1既定時間依序供應至複數個處理室的各處理室之步驟；將處理氣體以第2既定時間供應至設在與前述各處理室連接之氣體供應管的緩衝槽之步驟；依序將被活性化的反應氣體以前述第1既定時間和前述第2既定時間之合計時間供應至前述複數個處理室的各處理室的之步驟。
依據另一其他態樣，係提供一種記錄著程式之記錄媒體，該程式使電腦執行以下程序：使處理氣體以第1既定時間依序供應至複數個處理室的各處理室之程序；使處理氣體以第2既定時間供應至設在連接於前述各處理室的氣體供應管之緩衝槽之程序；使被活性化的反應氣體以前述第1既定時間和前述第2既定時間之合計時間依序供應至前述複數個處理室的各處理室之程序。
依據本發明的基板處理系統、半導體裝置之製造方法及記錄媒體，可提升形成於基板上的膜之特性並提升生產量。
114‧‧‧緩衝槽
124‧‧‧遠距電漿單元(活性化部)
150‧‧‧共通氣體供應管
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理空間(處理室)
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧搬送空間
204‧‧‧隔板
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬入出口
207‧‧‧升降銷
210‧‧‧基板支持部
211‧‧‧載置面
212‧‧‧基板載置台
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降機構
219‧‧‧伸縮囊
221‧‧‧排氣口(第1排氣部)
222‧‧‧排氣管
223‧‧‧壓力調整器
224‧‧‧真空泵
230‧‧‧淋浴頭
231‧‧‧淋浴頭的蓋
231a‧‧‧孔
231b‧‧‧淋浴頭排氣口(第2排氣部)
232‧‧‧緩衝空間
233‧‧‧絕緣塊
234‧‧‧分散板
234a‧‧‧貫通孔
236‧‧‧排氣管
237‧‧‧閥
238‧‧‧壓力調整器
239‧‧‧真空泵
241‧‧‧氣體導入口
251‧‧‧整合器
252‧‧‧高頻電源
260‧‧‧控制器
圖1係一實施形態的基板處理裝置之概略構成圖。
圖2係在實施形態適用的基板處理裝置之控制器的概略構成圖。
圖3係顯示一實施形態的基板處理步驟之流程圖。
圖4(a)係顯示一實施形態的成膜步驟的流程例之圖。圖4(b)係顯示一實施形態的成膜步驟的其他流程例之圖。
圖5(a)係顯示一實施形態的成膜步驟的週期例之圖。圖5(b)係顯示其他實施形態的成膜步驟的週期例之圖。圖5(c)係顯示其他實施形態的成膜步驟的週期例之圖。
圖6係一實施形態的基板處理系統的概略構成圖。
圖7係一實施形態的基板處理系統之氣體系統的概略構成圖。
圖8係顯示一實施形態的基板處理系統之各處理室中的步驟例之圖。
圖9係顯示一實施形態的基板處理系統之各氣體供應閥的動作序列例之圖。
圖10係顯示一實施形態的基板處理系統之各氣體供應閥的動作序列的其他例之圖。
圖11係顯示一實施形態的基板處理系統之設置在各排氣系統的閥的動作序列例之圖。
圖12係其他實施形態的基板處理系統之氣體系統的概略構成圖。
以下針對本發明的實施形態作說明。
<本發明的一實施形態>
以下，依據圖面來說明本發明的一實施形 態。
(1)基板處理裝置的構成
首先，針對本發明的一實施形態的基板處理裝置作說明。
針對本實施形態的處理裝置100作說明。基板處理裝置100係高介電常數絕緣膜形成單元，且如圖1所示，構成為單片式基板處理裝置。在基板處理裝置上，進行如上述的半導體裝置之製造的一步驟。
如圖1所示，基板處理裝置100具備處理容器202。處理容器202係為例如橫斷面是圓形且以扁平的密閉容器構成。又，處理容器202係利用例如鋁(Al)或不鏽鋼(SUS)等之金屬材料或石英所構成。處理容器202內形成有處理作為基板的矽晶圓等之晶圓200的處理空間(處理室)201、搬送空間203。處理容器202由上部容器202a和下部容器202b所構成。在上部容器202a和下部容器202b之間設有隔板204。被上部處理容器202a所包圍且比隔板204還上方的空間稱為處理空間(亦稱為處理室)201，被下部容器202b所包圍且比隔板還下方的空間稱為搬送空間。
在下部容器202b的側面設有與閘閥205鄰接的基板搬入出口206，晶圓200係經由基板搬入出口203在與未圖示的搬送室之間移動。在下部容器202b的底部設置複數個升降銷207。而且下部容器202b接地。
在處理室201內設有支持晶圓200的基板支持部210。基板支持部210具有載置晶圓200的載置面 211和在表面持有載置面211的載置台212。此外，在基板支持部210亦可設置作為加熱部的加熱器213。藉由設置加熱部加熱基板，可提升形成在基板上之膜的品質。於基板載置台212，升降銷207貫通的貫通孔214亦可分別設置在和升降銷207對應的位置。
基板載置台212係被軸217所支持。軸217係貫通處理容器202的底部，而且在處理容器202的外部與升降機構218連接。使升降機構218作動並使軸217及支持台212升降，藉此可使載置於基板載置面211上的晶圓200升降。此外，軸217下端部的周圍被伸縮囊219所覆蓋，處理室201內被保持氣密。
基板載置台212係於搬送晶圓200時下降至基板支持台使基板載置面211來到在基板搬入出口206的位置(晶圓搬送位置)，於處理晶圓200時，如圖1所示，晶圓200上昇到處理室201內的處理位置(晶圓處理位置)。
具體言之，在使基板載置台212下降至晶圓搬送位置時，升降銷207的上端部從基板載置面211的上面突出，升降銷207將晶圓200從下方予以支持。又，在使基板載置台212上昇至晶圓處理位置時，升降銷207係自基板載置面211的上面埋没，基板載置面211將晶圓200從下方予以支持。此外，由於升降銷207係與晶圓200直接接觸，所以例如是用石英或氧化鋁等材質來形成較理想。此外，亦可建構成在升降銷207設置升降 機構，使基板載置台212和升降銷207相對移動。
(排氣系統)
於處理室201(上部容器202a)的內壁側面，設有進行處理室201的環境氣體之排氣的作為第1排氣部的排氣口221。於排氣口221連接排氣管222，在排氣管222，按將處理室201內控制成既定壓力的APC(自動壓力控制器；Auto Pressure Controller)等的壓力調整器223、真空泵224之順序串聯連接。主要利用排氣口221、排氣管222、壓力調整器223構成第1排氣部(排氣管路)220。此外，亦可建構成將真空泵224包含於第1排氣部。
(氣體導入口)
在設於處理室201的上部之後述的分散板234的上面(頂棚壁)，設有用以對處理室201內供應各種氣體之氣體導入口241。針對與氣體導入口241連接之氣體供應系統的構成將於後面述及。
(氣體分散單元)
在氣體導入口241和處理室201之間，設有作為氣體分散單元的分散板234。氣體導入口241連接於淋浴頭230的蓋231，從氣體導入口241導入的氣體經由設於蓋231上的孔231a被供應至淋浴頭230的緩衝空間232。
此外，亦可將淋浴頭的蓋231以具有導電性的金屬形成，當作用以激發存在於緩衝空間232或處理室201內之氣體的活性化部(激發部)。此時，在蓋231 和上部容器202a之間設有絕緣塊233，將蓋231和上部容器202a之間絕緣。亦可建構成向作為活性化部的電極(蓋231)供應電磁波(高頻電力、微波等)。
淋浴頭230在緩衝空間232和處理室201之間具備分散板234，用以使自氣體導入口241導入的氣體分散。在分散板234設置有複數個貫通孔234a。分散板234係與基板載置面211對向配置。
於緩衝空間232設有形成所供應之氣體流的氣體導引件235。氣體導引件235係呈以孔231a為頂點且面向分散板234方向之直徑越來變越寬的圓錐形狀。氣體導引件235下端之水平方向的直徑係形成比貫通孔234a的端部還更偏向外周。
在緩衝空間232的側方，經由淋浴頭排氣口235連接作為第2排氣部的排氣管236。於排氣管236、按切換排氣之ON/OFF的閥237、將排氣緩衝空間232內控制成既定壓力之APC(自動壓力控制器；Auto Pressure Controller)等的壓力調整器238及真空泵239的順序串聯連接。
(供應系統)
連接於淋浴頭230的蓋231之氣體導入孔241連接共通氣體供應管150(後述的150a，150b，150c，150d)。從共通氣體供應管150供應後述之處理氣體、反應氣體、淨化氣體。
(控制部)
如圖1所示，基板處理裝置100具有控制基 板處理裝置100之各部動作的控制器260。
圖2顯示控制器260的概略。屬控制部(控制手段)的控制器260係以具備CPU(中央處理單元；Central Processing Unit)260a、RAM(隨機存取記憶體；Random Access Memory)260b、記憶裝置260c、I/O埠260d的電腦構成。RAM260b、記憶裝置260c、I/O埠260d係建構成經由內部匯流排260e可與CPU260a交換資料。建構成於控制器121可連接例如以觸控板等所構成的輸出/輸入裝置261、外部記憶裝置262。
記憶裝置260c係由例如快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive；硬碟)等所構成。在記憶裝置260c內，記載有控制基板處理裝置之動作的控制程式、後述的基板處理之程序、條件等之程式配方(program recipe)等被以可讀出地儲存著。此外，製程變因(process recipe)係使控制器260執行後述的基板處理步驟中的各程序俾能獲得既定結果之組合者，以程式發揮機能。以下，僅將此程式配方、控制程式等統稱為程式。此外，本說明書中使用程式的用語之情況係有僅包含程式配方單體的情況、僅包含控制程式單體的情況、或包含其等雙方的情況。又，RAM260b係由暫時地保持藉CPU260a讀出的程式或資料等之記憶體區域(工作區)所構成。
I/O埠260d係被連接於閘閥205、升降機構218、加熱器213、壓力調整器223，238、真空泵224，239、整合器251、高頻電源252等。又，亦可被連接於後述的搬送機器人105、大氣搬送單元102、負載鎖定單 元103、質流控制器(MFC)115a，115b，115c，115d，125a，125b，125c，125d，135a，135b，135c，135d、閥237、處理室側閥116(116a，116b，116c，116d)，126(126a，126b，126c，126d)，136(136a，136b，136c，136d)、槽側閥160、通氣閥170(170a，170b，170c，170d)、遠距電漿單元(RPU)124等。
CPU260a係建構成讀出來自記憶裝置260c的控制程式且執行，並因應來自輸出/輸入裝置260之操作指令的輸入等而從記憶裝置260c讀出製程變因。而且，CPU260a係建構成按照所讀出之製程變因的內容，控制閘閥205的開閉動作、升降機構218的升降動作、朝加熱器213供應電力的動作、壓力調整器223，238的壓力調整動作、真空泵224，239之ON/OFF控制、遠距電漿單元124之氣體的活性化動作、MFC115a，115b，115c，115d，125a，125b，125c，125d，135a，135b，135c，135d的流量調整動作、閥237，處理室側閥116(116a，116b，116c，116d)，126(126a，126b，126c，126d)，136(136a，136b，136c，136d)、槽側閥160、通氣閥170(170a，170b，170c，170d)之氣體的ON/OFF控制、整合器251之電力的整合動作、以及高頻電源252的ON/OFF控制等。
此外，控制器260不限於以專用的電腦構成的情況，亦可用泛用的電腦來構成。例如，準備儲存著上述的程式之外部記憶裝置(例如，磁帶、軟碟或硬碟等之磁碟、CD或DVD等之光碟、MO等之磁光碟、USB 記憶體或記憶卡等之半導體記憶體)262，使用此種外部記憶裝置262將程式安裝於泛用的電腦，藉此可構成本實施形態的控制器260。此外，用以向電腦供應程式的手段並不限於經由外部記憶裝置262供應的情況。例如，亦可在不經由外部記憶裝置262下使用網際網路或專用線路等之通信手段供應程式。此外，記憶裝置260c或外部記憶裝置262係以電腦可讀取的記錄媒體構成。以下，僅將該等統稱為記錄媒體。此外，本說明書中，使用記錄媒體的用語之情況係有僅包含記憶裝置260c單體的情況、僅包含外部記憶裝置262單體的情況、或包含其等雙方的情況。
(2)基板處理步驟
其次，針對基板處理步驟之例，以使用屬半導體裝置的製造步驟之一，作為處理氣體的TiCl4(四氯化鈦)氣體及作為反應氣體的NH3(氨)氣體形成氮化鈦(TiN)膜為例作說明。
圖3係顯示利用本實施形態的基板處理裝置實施的基板處理之一例的序列圖。如圖3那樣，基板處理至少具有基板搬入步驟S102、成膜步驟S104及基板搬出步驟S106。以下針對各個步驟詳細說明。
(基板搬入步驟S102)
在成膜處理時，首先將晶圓200搬入處理室201。具體言之，藉由升降機構218使基板支持部210下降，形成升降銷207自貫通孔214向基板支持部210的上面側突出的狀態。又，在將處理室201內調壓成既定 壓力後，開放閘閥205，從閘閥205使晶圓200載置於升降銷207上。在使晶圓200載置於升降銷207上之後，因基板支持部210藉由升降218上昇到既定位置，使得晶圓200從升降銷207朝向基板支持部210載置。
(成膜步驟S104)
接著，實施在晶圓200形成所期望的膜之步驟。針對成膜步驟S104使用圖4(a)詳細說明。
在晶圓200被載置於基板支持部210，處理室201內的環境氣體穩定之後，進行圖4(a)所示之S202~S214的步驟。
(第1處理氣體供應步驟S202)
在第1處理氣體供應步驟S202中，由第1處理氣體供應系統向處理室201內供應作為第1處理氣體(原料氣體)的TiCl4氣體。又，控制利用排氣系統繼續對處理室201內進行排氣使處理室201內的壓力成為既定壓力(第1壓力)。具體言之，開啟設置在第1氣體供應管111(111a，111b，111c，111d中任一)之處理室側閥116(116a，116b，116c，116d中任一)，使TiCl4氣體流通於第1氣體供應管111。TiCl4氣體從氣體供應管112流動，藉由質流控制器115(115a，115b，115c，115d中任一)進行流量調整。經流量調整後的TiCl4氣體係從淋浴頭的氣體供應孔234a供應至減壓狀態的處理室201內而從排氣管231被排氣。此時，對晶圓200供應的TiCl4氣體(原料氣體(TiCl4)供應步驟)被以既定壓力(第1壓力：例如100Pa以上20000Pa以下)供應至處理室201內。 按照這樣，向晶圓200供應TiCl4。因為被供應TiCl4而在晶圓200上形成含鈦層。含鈦層係指含鈦(Ti)或含鈦和氯(Cl)的層。
(第1淋浴頭淨化步驟S204)
於晶圓200上形成含鈦層之後，關閉第1氣體供應管111之處理室側閥116停止TiCl4氣體的供應。此時，開啟排氣管236的閥237並經由排氣管236由排氣泵239將存在於緩衝空間232內的氣體排氣。此時，排氣泵239係事先作動。藉由APC閥238來控制排氣管236和淋浴頭230內的壓力(排氣傳導性)。排氣傳導性係為控制閥125a的開閉閥及真空泵239，俾使緩衝空間232中來自第1排氣系統的排氣傳導性變得比經由處理室201之排氣泵224的傳導性高。按照這樣調整而形成從緩衝空間232的中央朝向淋浴頭排氣口231b的氣流。藉此，附著於緩衝空間232的壁之氣體、漂浮於緩衝空間232內的氣體不進入處理室201而可從第1排氣系統排氣。此外，亦可調整緩衝空間232內的壓力和處理室201的壓力(排氣傳導性)，俾抑制氣體從處理室201朝緩衝空間232內逆流。
又，此處的淨化亦意味著除僅抽真空將氣體排出以外，亦進行利用非活性氣體的供應而擠出處理氣體的動作。因此，亦可建構成在淨化步驟向緩衝空間232內供應非活性氣體進行擠出殘留氣體的排出動作。又，亦可將抽真空和供應非活性氣體組合進行。又，亦可建 構成交互進行抽真空和供應非活性氣體。
(第1處理室淨化步驟S206)
在經過既定時間後，接著繼續第2排氣系統的排氣泵224之動作，調整APC閥223的閥開度，俾使處理空間中來自第2排氣系統之排氣傳導性變得比經由淋浴頭230之來自第1排氣系統之排氣傳導性還高。按照這樣調整以形成經由處理室201之朝向第2排氣系統的氣流，可對殘留於處理室201內的氣體進行排氣。又，此處，藉由開啟處理室側閥136(136a，136b，136c，136d)調整MFC135(135a，135b，135c，135d)以供應非活性氣體，可將非活性氣體確實地向基板上供應，基板上之殘留氣體的除去效率變高。
在處理室淨化步驟中被供應的非活性氣體係在第1處理氣體供應步驟S202將無法和晶圓200結合的鈦成分從晶圓200上除去。接著亦可開啟閥237控制壓力調整器238、真空泵239將殘留於淋浴頭230內的TiCl4氣體除去。在經過既定時間後，關閉閥136停止非活性氣體的供應，並關閉閥237將淋浴頭230和真空泵239之間遮斷。
更佳為，在經過既定時間後，一邊使第2排氣系統的排氣泵224接著作動一邊關閉閥237者較理想。如此一來，經由處理室201之朝向第2排氣系統的氣流不受第1排氣系統的影響，故可更確實地將非活性氣體供應至基板上、可更提升基板上之殘留氣體的除去效率。
此外，處理室的淨化亦意味著除僅抽真空將氣體排出以外，亦進行利用非活性氣體的供應而擠出處理氣體的動作。因此，亦可建構成在淨化步驟向緩衝空間232內供應非活性氣體進行擠出殘留氣體的排出動作。又，亦可將抽真空和供應非活性氣體組合地進行。又，亦可建構成交互進行抽真空和供應非活性氣體。
又，此時，亦可以是殘留於處理室201內及分散板234內的氣體未完全排除，亦可以是處理室201內未完全淨化。若殘留於處理室201內的氣體微量、則在其後進行的步驟中不會產生不良影響。此時供應至處理室201內之N2氣體的流量亦無需大流量，例如，藉由供應和處理室201的容積同程度之量，可於下一步驟中進行不產生不良影響之程度的淨化。如此，因未對處理室201內進行完全淨化而可縮短淨化時間，可提升生產量。又，亦能抑制N2氣體的消耗在必要的最小限度。
此時的加熱器213之溫度係與朝晶圓200進行原料氣體供應時同樣設定為200~750℃，較佳為300~600℃，更佳為成為300~550℃之範圍內的一定溫度。從各非活性氣體供應系統供應之作為淨化氣體的N2氣體的供應流量分別設為例如100~20000sccm之範圍內的流量。作為淨化氣體，除了N2氣體以外，亦可使用Ar、He、Ne、Xe等之稀有氣體。
(第2處理氣體供應步驟S208)
在第1處理室淨化步驟之後，開啟閥126a而經由作為活性化部(激發部)的遠距電漿單元(RPU)124、 氣體導入孔241、緩衝室232、複數個貫通孔234a向處理室201內供應作為第2處理氣體(反應氣體)之被活性化的氨氣。因為是經由緩衝室232、貫通孔234a向處理室作供應，故可向基板上均一地供應氣體。因此能使膜厚均一。
此時，調整質流控制器125a使NH3氣體的流量成為既定流量。此外，NH3氣體的供應流量係例如100sccm以上10000sccm以下。又，藉由適正地調整APC閥223的閥開度而將處理容器202內的壓力設成既定壓力。且控制成NH3氣體在RPU124內流動時將RPU124設為ON狀態(電源切入的狀態)使NH3活性化(激發)。
當被激發的NH3氣體被供應至形成於晶圓200上的含鈦層後，含鈦層被改質。例如，形成含鈦元素或氮元素的改質層。
改質層係例如因應於處理室201內的壓力、NH3氣體的流量、晶圓200的溫度、RPU124的電力供應情況，以與既定厚度、既定分布、含鈦層相對應之既定氮成分等的侵入深度所形成。
在經過既定時間後，關閉閥126停止NH3氣體的供應。
(第2淋浴頭淨化步驟S210)
在停止NH3氣體的供應之後，開啟閥237將淋浴頭230內的環境氣體排氣。具體言之，對緩衝室232內的環境氣體進行排氣。此時，真空泵239係事先作動。
調整閥237的開度或APC閥238的開度，俾 使緩衝室232中來自第1排氣系統之排氣傳導性變得比來自第2排氣系統之經由處理室201之排氣泵224的傳導性還高。按照這樣調整而形成從緩衝空間232的中央朝向淋浴頭排氣口231b的氣流。按照這樣，附著於緩衝空間232的壁之氣體、漂浮於緩衝空間內的氣體不進入處理室201而從第1排氣系統排氣。
針對第2淋浴頭淨化步驟之淨化亦可建構成和第1淋浴頭淨化步驟之淨化同樣。
(第2處理室淨化步驟S212)
在經過既定時間後，一邊使第2排氣系統排氣泵224作動一邊調整APC223，238的閥開度，俾使處理空間中來自第2排氣系統之排氣傳導性變得比經由淋浴頭230之來自第1排氣系統之排氣傳導性還高。按照這樣調整，形成經由處理室201之朝向第2排氣系統之氣流，可除去晶圓200上的殘留氣體。又，藉由開啟閥136供應非活性氣體，可將供應至緩衝室232的非活性氣體確實地供應至晶圓200上，可提升基板上之殘留氣體的除去效率。
在處理室淨化步驟中所供應的非活性氣體係在第2處理氣體供應步驟S212將無法和含鈦層結合的NH3氣體從晶圓200上除去。而且，亦除去殘留於淋浴頭230內的NH3氣體。在經過既定時間後，關閉閥136停止非活性氣體的供應，並關閉閥237將淋浴頭230和真空泵239之間遮斷。
更佳為，在經過既定時間後，使第2排氣系 統的排氣泵224接著作動並關閉閥237者較理想。如此一來，緩衝室232內的殘留氣體、所供應之非活性氣體係因為經由處理室201之朝向第2排氣系統的氣流不受第1排氣系統的影響，故可更確實地將非活性氣體供應至基板上，在基板上無法與第1氣體反應之殘留氣體的除去效率變更高。
如此，藉由在淋浴頭的淨化步驟之後，接著連續進行處理室的淨化步驟，可在已除去淋浴頭230內的殘留氣體之狀態下施予處理室的淨化步驟，故可防止殘留氣體從淋浴頭230供應到處理室201內使殘留氣體附著於晶圓200。
此外，若處理氣體、反應氣體之殘留是容許範圍內，則亦可如圖4b所記載同時進行淋浴頭的淨化步驟和處理室的淨化步驟。藉此，可縮短淨化時間，可提升生產量。
又，亦可建構成和第1處理室淨化步驟同樣。
(判定步驟S214)
在第2處理室淨化步驟S212結束後，控制器260係判定上述的S202~S212是否執行了既定次數。亦即，判定在晶圓200上是否形成有所期望之厚度的膜。
在未實施既定次數時(判定為No時)係反復S202~S212的週期。在已實施既定次數時(判定為YES時)係結束成膜步驟S104。
此處，使用圖5(a)(b)(c)說明S202~S212的週期例。圖5(a)係如上述那樣依序進行各步驟之週期。 圖5(b)係大致同時進行第1淋浴頭淨化步驟S204和第1處理室淨化步驟S206、且大致同時地進行第2淋浴頭淨化步驟S210和第2處理室淨化步驟S212之週期。如此藉由將淋浴頭和處理室大致同時地淨化，可縮短淨化時間，可期待生產量提升。圖5(c)係建構成在第1淋浴頭淨化步驟S204結束前開始第1處理室淨化步驟S206，在第2淋浴頭淨化步驟S210結束前開始第2處理室淨化步驟S212之週期。依這樣構成，能更減低殘留於處理室201的處理氣體或反應氣體。
其次、使用圖6、圖7、圖8、圖9、針對設置有複數個基板處理裝置101的基板處理系統中之氣體供應系統、各步驟的週期及氣體供應序列作說明。
此處，如圖6所示，針對在真空搬送室104設置有4個基板處理裝置101a、101b、101c、101d而成的基板處理系統100作說明。建構成利用設於真空搬送室104的真空搬送機器人105將晶圓200依序搬送至各基板處理裝置。此外，晶圓200係從大氣搬送室102經由負載鎖定單元103被搬入真空搬送室104。又，此處雖顯示設置4個基板處理裝置的情況，但不受此限，可設置2個以上，亦可設置5個以上。
其次，使用圖7針對設置在基板處理系統100的氣體供應系統作說明。氣體供應系統是由第1氣體供應系統(處理氣體供應系統)、第2氣體供應系統(反應氣體供應系統)、第3氣體供應系統(淨化氣體供應系統)等 所構成。茲針對各氣體供應系統的構成作說明。
(第1氣體供應系統)
如圖7所示，在從處理氣體源113到各基板處理裝置之間，分別設有緩衝槽114、質流控制器(MFC)115a，115b，115c，115d、處理室側閥116(116a，116b，116c，116d)。又，此等係藉處理氣體共通管112、處理氣體供應管111a，111b，111c，111d等連接。利用此等緩衝槽114、處理氣體共通管112、MFC115a，115b，115c，115d、處理室側閥116(116a，116b，116c，116d)、處理氣體供應管111a，111b，111c，111d構成第1氣體供應系統。此外，亦可建構成將處理氣體源113包含於第1氣體供應系統。又，亦可建構成因應設置於基板處理系統的基板處理裝置之個數增減各構成。
(第2氣體供應系統)
如圖7所示，在從反應氣體源123到各基板處理裝置之間，設有作為活性化部的遠距電漿單元(RPU)124、MFC125a，125b，125c，125d、處理室側閥126(126a，126b，126c，126d)。此等各構成係利用反應氣體供應管121a，121b，121c，121d等和反應氣體共通管122連接。此等RPU124、MFC125a，125b，125c，125d、處理室側閥126(126a，126b，126c，126d)、反應氣體共通管122、反應氣體供應管121a，121b，121c，121d等係構成第2氣體供應系統。
此外，亦可建構成將反應氣體供應源123包含於第2氣體供應系統。又，亦可建構成因應設置於基板處理 系統的基板處理裝置之個數增減各構成。
又，亦可建構成在處理室側閥126(閥126a，126b，126c，126d)之前設置通氣管路171a，171b，171c，171d、通氣閥170(170a，170b，170c，170d)對反應氣體進行排氣。藉由設置通氣管路，可將在去活性化的反應氣體或反應性降低的反應氣體在不通過處理室之下排出。亦可設置例如迄至後述的圖9之步驟3為止不對任一基板處理室供應反應氣體而排出存在於各氣體供應管121a，121b，121c，121d內之活性度降低的反應氣體之步驟。藉此，可提升在基板處理裝置間之處理均一性。
(第3氣體供應系統(淨化氣體供應系統))
如圖7所示，在從淨化氣體(非活性氣體)源133到各基板處理裝置之間，設置有MFC135a，135b，135c，135d、處理室側閥136(136a，136b，136c，136d)等。此各構成係藉淨化氣體(非活性氣體)共通管132、淨化氣體(非活性氣體)供應管131a，131b，131c，131d等連接。此等MFC135a，135b，135c，135d、處理室側閥136(136a，136b，136c，136d)、非活性氣體共通管132、非活性氣體供應管131a，131b，131c，131d等係構成第3氣體供應系統。此外，亦可建構成將淨化氣體(非活性氣體)源133包含於第3氣體供應系統(淨化氣體供應系統)。又，亦可建構成因應於設在基板處理系統的基板處理裝置之數量來增減各構成。
(各基板處理裝置中的處理步驟)
其次，針對在4個基板處理裝置之各步驟中 的處理步驟，使用圖8作說明。
(步驟1)
在基板處理裝置101a實施第1處理氣體供應步驟S202。
(步驟2)
在基板處理裝置101a實施第1淋浴頭淨化步驟S204和第1處理室淨化步驟S206、在基板處理裝置101b實施第1處理氣體供應步驟S202。
(步驟3)
在基板處理裝置101a實施第2處理氣體供應步驟S208、在基板處理裝置101b實施第1淋浴頭淨化步驟S204和第1處理室淨化步驟S206、在基板處理裝置101c實施第1處理氣體供應步驟S202。
(步驟4)
在基板處理裝置101a實施第2淋浴頭淨化步驟S210、實施第2處理室淨化步驟S212、在基板處理裝置101b實施第2處理氣體供應步驟S208、在基板處理裝置101c實施第1淋浴頭淨化步驟S204和第1處理室淨化步驟S206、在基板處理裝置101d實施第1處理氣體供應步驟S202。
像這樣，在各週期，於各基板處理裝置在各步驟進行處理氣體供應步驟、淨化步驟、反應氣體供應步驟、淨化步驟。
其次針對在各步驟中之各氣體供應系統的閥 動作，使用圖9作說明。
處理氣體源113、反應氣體源123、淨化氣體源133至少在執行成膜步驟S104的期間係繼續ON狀態。又，活性化部124在反應氣體從反應氣體源123被供應的期間亦係繼續ON狀態。第1氣體供應系統、第2氣體供應系統、第3氣體供應系統亦以和上述的圖8的動作配合地進行各閥的開閉動作。
此處，較佳為，在各步驟將處理室側閥116(116a，116b，116c，116d)分別開啟、關閉第1既定時間t1時，使處理氣體在緩衝槽114進行第2既定時間t2的緩衝。如此，藉由向緩衝槽114暫時地供應處理氣體，可緩和氣體供應系統之上流側的壓力變動、管內的壓力變動，可使朝向各處理室之處理氣體的供應量均一化。
較佳為，調整時序俾使第1既定時間t1和第2既定時間t2的合計成為與反應氣體的供應時間t3與非活性氣體的供應時間t4任一或雙方相等。
又較佳為，第2既定時間t2建構成比第1既定時間t1還短。依照這樣構成，可使緩衝槽114的壓力成為既定壓力以下，可更加緩和壓力之增減。
又較佳為，在緩衝槽114的緩衝亦可以是在閥116(116a、116b，116c，116d)各自關閉下同時地進行。
又較佳為，亦可建構成在閥116各自不關閉下同時關閉槽側閥160，停止朝向各處理室供應處理氣體以於緩衝槽114緩衝。
此外，亦可以是在第1氣體供應系統的緩衝槽114之後段設置槽側閥160、在將處理室側閥116(116a、116b，116c，116d)各自關閉之際關閉槽側閥160。又，亦可以是在關閉處理室側閥116之後設定時間差將槽側閥160關閉。藉由設置時間差，可對在將處理氣體共通管112內藉由處理氣體成為既定壓力地填滿之後朝向緩衝槽114的氣體作緩衝，可更加緩和壓力。藉由處理氣體共通管112內藉既定壓力填滿，可在其次開啟處理室側閥116之任一後將朝向其他處理室201之氣體供應量保持一定，所以就算從第1氣體供應系統到各處理室為止的氣體管之長度不同，亦可將在各處理室之氣體供應量保持一定。
又，如圖10所示，亦可作成在朝向各基板處理裝置供應處理氣體時與反應氣體時任一或雙方時供應非活性氣體。藉由同時供應非活性氣體，可提升氣體朝向處理室201內之擴散性，可提升對晶圓200之處理的面內均一性。藉由在處理氣體的供應時與非活性氣體的供應時任一或雙方供應非活性氣體，能利用非活性氣體除去在分別供應處理氣體和反應氣體之際產生的副產物。副產物例如有氯化銨(NH4Cl)。
又，考量到在淋浴頭內和處理室內產生之副產物的量會不同。故亦可調整淋浴頭的淨化時序和處理室的淨化時序。又，亦可作成使淨化時的排氣量分別不同。又，亦可作成使淨化時的非活性氣體的供應量分別不同。
其次針對各步驟中的各排氣系統之閥動作，使用圖11作說明。如圖11所示，建構成在以各基板處理裝置的淋浴頭的排氣系統進行排氣之際縮小處理室排氣系統之APC閥的閥開度。
(3)本實施形態的效果
依據本實施形態，可獲得以下所示的1個或複數個效果。
(a)在各處理室之處理氣體的供應進行既定時間後，關閉閥使處理氣體在緩衝槽緩衝，藉此可縮短各氣體的供應時間，生產量會提升。
(b)藉由使RPU常時ON並利用反應氣體的供應系統之閥操作對朝向各處理室之反應氣體的供應進行ON/OFF，因而不需要RPU之ON/OFF控制，可縮短電漿之ON/OFF所需的時間。
(c)藉由來自第1排氣系統之排氣傳導性變得比經由處理室201之排氣泵224的傳導性還高，使得附著在緩衝空間232之壁上的氣體、漂浮於緩衝空間232內的氣體在不進入處理室201下可從第1排氣系統排氣。
(d)藉由來自第2排氣系統之排氣傳導性比經由淋浴頭230之來自第1排氣系統之排氣傳導性高，可對殘留於處理室201內的氣體進行排氣。
(e)藉由在處理室的淨化步驟一邊使第2排氣系統的排氣泵作動一邊關閉第1排氣系統的閥，使得經由處理室201之朝向第2排氣系統的氣流不受第1排氣 系統之影響，故可更確實地將非活性氣體供應至基板上，可提升基板上之殘留氣體的除去效率。
(f)藉由將淋浴頭的淨化步驟和處理室的淨化步驟大致同時地進行，可提升生產量。
(g)藉由在淋浴頭的淨化步驟結束前開始處理室的淨化步驟，可減低殘留於淋浴頭、處理室的處理氣體、反應氣體。
(h)藉由設置緩衝槽114可節約處理氣體的使用量並增加每次供應的每單位時間的供應量，能提升對晶圓200之處理的均一性和生產量。
(i)藉由在反應氣體的供應管設置通氣管路，可排出活性度降低的反應氣體，可提升對晶圓200處理的品質、均一性。
(k)向複數個處理室依序供應活性化的反應氣體之際，在使活性化部維持ON狀態下開閉與各處理室連接的閥，藉此縮短活性化部之ON/OFF所需的時間，可提升生產量。
(L)藉由在進行處理氣體和反應氣體任一或雙方的供應之際供應非活性氣體，可提升處理氣體或反應氣體的擴散性。且能除去副產物並可提升對基板處理之品質、處理均一性、生產量。
(m)藉由在氣化器的後段設置緩衝槽，可減低因氣化器內的壓力上昇而產生的粒子。
(n)藉由設置緩衝槽，可緩和氣體管內的壓力差、處理室內的壓力差。
又，上述係針對半導體裝置的製造步驟之記述，但實施形態的發明亦可適用於半導體裝置之製造步驟以外。例如，有液晶裝置的製造步驟、對陶瓷基板之電漿處理等。
又，上述係針對交互供應原料氣體和反應氣體進行成膜的方法之記述，但亦可適用於其他方法。例如，亦可使原料氣體和反應氣體的供應時序重疊。
又，上述係針對成膜處理之記述，但亦可適用於其他處理。例如，在僅使用反應氣體對形成於基板表面、基板上的膜進行電漿氧化處理或電漿氮化處理時亦可適用本發明。又，亦可適用於僅使用反應氣體的電漿退火處理。
(其他實施形態)
上述的實施形態中係顯示使用四氯化鈦和氨形成作為電極、阻隔膜使用的金屬氮化膜(氮化鈦(TiN)膜)之例，但不受此所限。例如也可以是高介電常數(High -k)膜。例如也可以是氧化鋯(ZrxOy)膜、氧化鉿(HfxOy)膜。
以下針對形成氧化鉿膜之例作敘述。在形成氧化鉿膜之情況，使用TEMAHf作為第1氣體，使用氧氣(O2)作為第2氣體。氣體的供應序列係建構成和上述的實施形態大致相同。在供應TEMAHf之際有以將供應後充分除去多餘地物理吸附的TEMAHf分子為目的而從第1氣體的供應步驟的中途停止第1氣體的供應使多餘地吸附的分子脫離的情形。由於TEMAHf係液體原料， 所以使用氣化器使之氣體化。在使用這樣的液體原料的情況，第1氣體的供應之停止係難以藉由對氣化器進行ON/OFF來控制，而在氣化器維持ON狀態下進行閥的開閉來控制氣體的供應/停止。發明者發現利用此種閥控制會產生以下課題。停止中係為在氣化器內、氣化器後段的管內等的壓力上昇，變得比蒸氣壓還高，第1氣體在氣化器內水氣化(液化)。由於此水氣而有產生粒子的課題。又，TEMAHf分壓上昇使氣化變得不充分，TEMAHf在水氣狀態下不被供應至基板上，具有基板的處理均一性、緻密性降低的課題。用以解決此等課題之裝置構成顯示於圖12。如圖12所示，第1氣體供應系統、第2氣體供應系統、第3氣體供應系統的構成係不同於圖7之構成。
(第1氣體供應系統)
第1氣體供應系統是從處理室側設置有處理室側閥116(116a，116b，116c，116d)、槽側閥160、緩衝槽114、氣化器117、液體流量控制部118。亦可建構成將連接於液體流量控制部(LMFC)118的液體原料供應源119包含於第1氣體供應系統，亦可建構成包含供應管集合部140(140a，140b，140c，140d)。此處，係從液體原料供應源119供應作為液體原料的Hf[N(C2H5)CH3]4(四-(甲乙胺基)-鉿(Tetrakis(ethylmethylamino)hafnium)：以下稱為TEMAHf)，在利用LMFC118將液體的流量調整成既定流量後，被供應至 氣化器117。在氣化器117中，液體的TEMAHf被氣化而生成處理氣體。處理氣體係經由緩衝槽被供應至各處理室。此處，緩衝槽的容量係以設成上述的圖9、圖10所示在氣體供應停止時t2之期間，緩衝槽114的壓力可從氣體供應時的壓力上昇50%以下的壓力那樣的容量者較佳。按這樣構成緩衝槽，緩和壓力上昇，防止氣體水氣化(液化)，可抑制粒子的產生。且，依此壓力變動的緩和，亦可緩和處理室201的壓力變動。例如，若為習知的情況，係以於既定時間內向處理室201供應(閃流；flash flow)多量的原料氣體為目的而將氣體囤積於槽並使閥解放而進行了供應。該習知方法在朝處理室開始供應氣體之後(供應開始時)的壓力與在開始供應中間階段以後的壓力值有差異，難以控制實際被供應至基板之氣體量。但如同本形態，藉由緩和處理室201內的壓力變動，因可抑制壓力變動，故可提升在實際處理時的壓力值、朝向基板之氣體供應量的控制性。又，藉由使朝向基板之氣體供應量明確化，可使物理吸附於基板的多餘氣體量、用以淨化(除去)多餘的氣體之淨化時間的調整容易化。又，藉由建構成不讓處理室201內的壓力急劇地上昇，抑制第1氣體和第2氣體任一或雙方朝搬送空間203流入，可抑制在搬送空間203產生粒子。
(第2氣體供應系統)
第2氣體供應系統是從處理室側連接處理室側閥126(126a，126b，126c，126d)、RPU124、質流控 制器125，且是由此等所構成。亦可建構成將第2氣體供應源123包含於第2氣體供應系統。從第2氣體供應系統供應作為反應氣體之被活性化的氧氣(O2)。
(第3氣體供應系統)
第3氣體供應系統是從處理室側連接處理室側閥136(136a，136b，136c，136d)、質流控制器135，且是由此等構成所形成。亦可建構成將第3氣體供應源133包含於第3氣體供應系統。與第1實施形態同樣地，建構成能從第3氣體供應系統供應淨化氣體(非活性氣體)。
依這樣構成，在氣體供應共通管、緩衝槽可緩和氣化器、處理室內的壓力差，可抑制在各處理室之急劇的壓力變化。
此外，在上述的實施形態中雖對氣體供應源串聯地設置緩衝槽，但不受此所限。例如，亦可將緩衝槽對氣體供應共通管並聯地設置而在使壓力緩和時供應至緩衝槽側。
<本發明的較佳態樣>
以下，針對本發明的較佳態樣作附記。
<附記1>
依據一態樣，係提供一種基板處理系統，其具有：收容基板的複數個處理室；向前述複數個處理室依序供應處理氣體之處理氣體 供應系統；向前述複數個處理室依序供應被活性化的反應氣體之反應氣體供應系統；設於前述處理氣體供應系統的緩衝槽；控制部，以向前述複數個處理室任一供應反應氣體的時間成為向前述複數個處理室任一供應處理氣體的時間與向前述緩衝槽供應處理氣體的時間之合計時間，使前述處理氣體和前述反應氣體向前述複數個處理室分別交互地供應的方式，控制前述處理氣體供應系統和前述反應氣體供應系統。
<附記2>
如附記1所記載之基板處理系統，較佳為，前述控制部係以在前述處理氣體的供應停止後向前述緩衝槽供應處理氣體的方式，控制前述處理氣體供應系統。
<附記3>
如附記1所記載之基板處理系統，較佳為，設置有向前述複數個處理室供應淨化氣體之淨化氣體供應系統，前述控制部係以在向前述緩衝槽供應處理氣體之後向前述基板供應淨化氣體的方式，控制前述處理氣體供應系統和前述淨化氣體供應系統。
<附記4>
如附記3所記載之基板處理系統，較佳為， 前述複數個處理室係分別具有淋浴頭，前述控制部係以於朝前述緩衝槽進行處理氣體供應中進行淋浴頭的淨化的方式，控制前述處理氣體供應系統和前述淨化氣體供應系統。
<附記5>
如附記1所記載之基板處理系統，較佳為，前述複數個處理室各自設有對處理室的環境氣體進行排氣之第1排氣部，前述控制部係以在向前述各處理室進行前述處理氣體的供應和前述反應氣體的供應之間使前述處理室內淨化的方式，控制前述處理氣體供應系統和前述反應氣體供應系統及前述第1排氣部。
<附記6>
如附記1所記載之基板處理系統，較佳為，設有向前述複數個處理室供應非活性氣體之非活性氣體供應系統，前述控制部係以在向前述各處理室進行前述處理氣體的供應和前述反應氣體的供應之間使前述處理室內淨化的方式，控制前述處理氣體供應系統和前述反應氣體供應系統及前述非活性氣體供應系統。
<附記7>
如附記1所記載之基板處理系統，較佳為，在前述複數個處理室設有被供應前述處理氣體和前述反應氣體且具有第2排氣部之淋浴頭， 前述控制部係以在前述處理氣體的供應和前述反應氣體的供應之間使前述淋浴頭內淨化的方式，控制前述處理氣體供應系統和前述反應氣體供應系統及前述第2排氣部。
<附記8>
如附記7所記載之基板處理系統，較佳為，前述控制部係以在前述淋浴頭的淨化步驟之後進行前述處理室內的淨化的方式，控制前述第1排氣部和前述第2排氣部。
<附記9>
如附記7所記載之基板處理系統，較佳為，前述控制部係以在前述淋浴頭的淨化步驟終了前開始前述處理室內的淨化的方式，控制前述第1排氣部和前述第2排氣部。
<附記10>
如附記7至附記9所記載之基板處理系統，較佳為，前述控制部係以在對前述淋浴頭內進行淨化之際將前述淋浴頭內的排氣傳導性設為比前述處理室內的傳導性還大的方式，控制前述第1排氣部和前述第2排氣部。
<附記11>
如附記7至附記10所記載之基板處理系統，較佳為， 前述控制部係以在對前述處理室內進行淨化之際將前述處理室內的排氣傳導性設為比前述淋浴頭的排氣傳導性還大的方式，控制前述第1排氣部和前述第2排氣部。
<附記12>
如附記1所記載之基板處理系統，較佳為，在前述反應氣體供應系統設有將前述反應氣體激發之活性化部，前述控制部係以在前述反應氣體被供應於前述處理室任一的期間將前述活性化部保持成ON狀態的方式，控制前述反應氣體供應部和前述活性化部。
<附記13>
如附記1所記載之基板處理系統，其中在前述複數個處理室設有供應非活性氣體之非活性氣體供應部，前述控制部係以在進行前述處理氣體的供應時和進行前述反應氣體的供應時任一或雙方供應前述非活性氣體的方式，控制前述處理氣體供應部和前述反應氣體供應部及前述非活性氣體供應部。
<附記14>
再依據其他態樣，係提供一種半導體裝置之製造方法，其具有：將處理氣體以第1既定時間依序供應至複數個處理室的各處理室之步驟； 將處理氣體以第2既定時間供應至設在與前述各處理室連接之氣體供應管的緩衝槽之步驟；依序將被活性化的反應氣體向前述複數個處理室的各處理室進行前述第1既定時間和前述第2既定時間之合計時間的供應之步驟。
<附記15>
如附記14所記載之半導體裝置之製造方法，較佳為，在前述處理氣體的供應停止後向前述緩衝槽供應處理氣體。
<附記16>
如附記14所記載之半導體裝置之製造方法，較佳為，具有在向前述緩衝槽供應處理氣體後，向前述基板供應淨化氣體之步驟。
<附記17>
如附記16所記載之半導體裝置之製造方法，較佳為，在前述複數個處理室各自設有淋浴頭且具有在朝前述緩衝槽供應處理氣體中進行淋浴頭的淨化之步驟。
<附記18>
再依據其他態樣，係提供一種程式，使電腦執行以下的程序：將處理氣體以第1既定時間依序供應至複數個處理室的各處理室之程序； 使處理氣體以第2既定時間供應至設在連接於前述各處理室的氣體供應管之緩衝槽之程序；依序將被活性化的反應氣體向前述複數個處理室的各處理室進行前述第1既定時間和前述第2既定時間之合計時間的供應之程序。
<附記19>
再依據其他態樣，係提供一種基板處理系統，其具有：收容基板的複數個處理室；向前述複數個處理室依序供應處理氣體之處理氣體供應系統；向前述複數個處理室依序供應被活性化的反應氣體之反應氣體供應系統；設於前述處理氣體供應部的緩衝槽；控制部，以向前述複數個處理室當中一方的處理室供應前述反應氣體之時間是成為向前述複數個處理室當中他方的處理室供應前述處理氣體之時間和向前述緩衝槽供應處理氣體之時間的合計時間，使前述處理氣體和前述反應氣體向前述複數個處理室分別交互地供應的方式，控制前述處理氣體供應系統和前述反應氣體供應系統。
<附記20>
再依據其他態樣，係提供一種基板處理系統，其具有： 收容基板的複數個處理室；向前述複數個處理室依序供應處理氣體之處理氣體供應系統；向前述複數個處理室依序供應被活性化的反應氣體之反應氣體供應系統；設在與前述複數個處理室連接之共通的處理氣體供應管的緩衝槽；控制部，以向前述複數個處理室當中一方的處理室供應前述反應氣體之時間是成為向前述複數個處理室當中他方的處理室供應前述處理氣體之第1既定時間和停止朝該處理室供應該處理氣體並向前述緩衝槽供應處理氣體之第2既定時間的合計時間，使前述處理氣體和前述反應氣體向前述複數個處理室分別交互地供應的方式，控制前述處理氣體供應系統和前述反應氣體供應系統。
<附記21>
再依據其他態樣，係提供一種半導體裝置之製造方法將處理氣體以第1既定時間依序供應至複數個處理室的各處理室之步驟；將處理氣體以第2既定時間供應至設在與前述各處理室連接之共通處理氣體供應管的緩衝槽之步驟；依序將被活性化的反應氣體向前述複數個處理室的各處理室進行前述第1既定時間和前述第2既定時間之 合計時間的供應之步驟。
<附記22>
再依據其他態樣，係提供一種程式，該程式使電腦執行以下的程序：將處理氣體以第1既定時間依序供應至複數個處理室的各處理室之程序；將處理氣體以第2既定時間供應至設在與前述各處理室連接之共通處理氣體供應管的緩衝槽之程序；依序將被活性化的反應氣體向前述複數個處理室的各處理室進行前述第1既定時間和前述第2既定時間之合計時間的供應之程序。
<附記23>
再依據其他態樣，係提供一種記錄有程式的記錄媒體，該程式使電腦執行以下的程序：將處理氣體以第1既定時間依序供應至複數個處理室的各處理室之程序；將處理氣體以第2既定時間供應至設在與前述各處理室連接之共通處理氣體供應管的緩衝槽之程序；依序將被活性化的反應氣體向前述複數個處理室的各處理室進行前述第1既定時間和前述第2既定時間之合計時間的供應之程序。
<附記24>
再依據其他態樣，係提供一種半導體裝置之製造裝置，其具有： 收容基板的處理室；向前述處理室依序供應處理氣體之處理氣體供應系統；向前述處理室依序供應被活性化的反應氣體之反應氣體供應系統；設在連接於前述處理室之共通的處理氣體供應管的緩衝槽；控制部，以向前述處理室供應前述反應氣體之時間是成為向前述處理室供應前述處理氣體之第1既定時間與停止該處理氣體的供應並向前述緩衝槽供應前述處理氣體之第2既定時間的合計時間的方式調整供應時序，且向前述處理室交互地供應前述處理氣體和前述反應氣體的方式，控制前述處理氣體供應系統和前述反應氣體供應系統。
<附記25>
再依據其他態樣，係提供一種基板處理系統，其具有：收容基板的2個以上的處理室；向前述2個以上的處理室依序供應處理氣體之處理氣體供應系統；向前述2個以上的處理室依序供應被活性化的反應氣體之反應氣體供應系統；設在與前述2個以上的處理室連接之共通的處理氣體供應管的緩衝槽； 控制部，以向前述2個以上的處理室當中一方的處理室供應前述反應氣體之時間是成為向前述2個以上的處理室當中他方的處理室供應前述處理氣體之第1既定時間與停止朝該處理室供應該處理氣體且向前述緩衝槽供應處理氣體之第2既定時間的合計時間，使前述處理氣體和前述反應氣體向前述2個以上的處理室分別交互地供應的方式，控制前述處理氣體供應系統和前述反應氣體供應系統。
<附記26>
再依據其他態樣，係提供一種基板處理系統，其具有：收容基板的第1處理室；第2處理室；向前述第1處理室和第2處理室依序供應處理氣體之處理氣體供應系統；向前述第1處理室和第2處理室依序供應被活性化的反應氣體之反應氣體供應系統；設在與前述第1處理室和第2處理室連接之共通的處理氣體供應管之緩衝槽；控制部，以向前述第2處理室供應前述反應氣體之時間是成為向前述第1處理室供應處理氣體之第1既定時間與停止朝該處理室供應該處理氣體且向前述緩衝槽供應前述處理氣體之第2既定時間的合計時間，使前述處理氣體和前述反應氣體交互地向前述第1處理室和第2處理室分別供應的方式，控制前述處理氣體供應系統 和前述反應氣體供應系統。
150‧‧‧共通氣體供應管
200‧‧‧晶圓
201‧‧‧處理空間(處理室)
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧搬送空間
204‧‧‧隔板
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬入出口
207‧‧‧升降銷
210‧‧‧基板支持部
211‧‧‧載置面
212‧‧‧基板載置台
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降機構
219‧‧‧伸縮囊
221‧‧‧排氣口
222‧‧‧排氣管
223‧‧‧壓力調整器
224‧‧‧真空泵
230‧‧‧淋浴頭
231‧‧‧淋浴頭的蓋
231a‧‧‧孔
231b‧‧‧淋浴頭排氣口
232‧‧‧緩衝空間
233‧‧‧絕緣塊
234‧‧‧分散板
234a‧‧‧貫通孔
236‧‧‧排氣管
237‧‧‧閥
238‧‧‧壓力調整器
239‧‧‧真空泵
241‧‧‧氣體導入口
251‧‧‧整合器
252‧‧‧高頻電源
260‧‧‧控制器

Claims (23)

  1. 一種基板處理系統，具有：複數個處理室，收容基板；處理氣體供應系統，向前述複數個處理室依序供應處理氣體；反應氣體供應系統，向前述複數個處理室依序供應被活性化的反應氣體；緩衝槽，設於前述處理氣體供應系統；及控制部，以向前述複數個處理室任一供應反應氣體的時間是成為向前述複數個處理室任一供應處理氣體的時間與在前述處理氣體供應停止後向前述緩衝槽供應處理氣體的時間之合計時間，使前述處理氣體和前述反應氣體向前述複數個處理室分別交互地供應的方式，控制前述處理氣體供應系統和前述反應氣體供應系統。
  2. 如請求項1之基板處理系統，其中前述控制部係以在前述處理氣體的供應停止後向前述緩衝槽供應處理氣體的方式，控制前述處理氣體供應系統。
  3. 如請求項1之基板處理系統，其中設有向前述複數個處理室供應淨化氣體之淨化氣體供應系統，前述控制部係以在向前述緩衝槽供應處理氣體之後向前述基板供應淨化氣體的方式，控制前述處理氣體供應系統和前述淨化氣體供應系統。
  4. 如請求項3之基板處理系統，其中前述複數個處理室係分別具有淋浴頭，前述控制部係以在朝前述緩衝槽進行處理氣體供應中進行淋浴頭之淨化的方式，控制前述處理氣體供應系統和前述淨化氣體供應系統。
  5. 如請求項4之基板處理系統，其中在前述複數個處理室各自上設有進行前述複數個處理室各自的環境氣體之排氣的第1排氣部，前述控制部係以在向前述各處理室進行前述處理氣體的供應和前述反應氣體的供應之間使前述處理室內淨化的方式，控制前述處理氣體供應系統和前述反應氣體供應系統及前述第1排氣部。
  6. 如請求項5之基板處理系統，其中在前述淋浴頭具有對前述淋浴頭內的環境氣體進行排氣之第2排氣部，前述控制部係以在進行前述處理氣體的供應和前述反應氣體的供應之間使前述淋浴頭內淨化的方式，控制前述處理氣體供應系統和前述反應氣體供應系統及前述第2排氣部。
  7. 如請求項6之基板處理系統，其中前述控制部係以在前述淋浴頭淨化之後進行前述處理室內的淨化的方式，控制前述第1排氣部和前述第2排氣部。
  8. 如請求項1之基板處理系統，其中具有設於前述緩衝槽的後段之槽側閥，該槽側閥係在從將前述處理氣體 供應至前述複數個處理室中的一個處理室之後迄至將前述處理氣體供應至其他處理室為止的期間，使前述處理氣體在前述緩衝槽緩衝。
  9. 如請求項8之基板處理系統，其中前述控制部係以對前述複數個處理室中的一個處理室供應t1時間的前述處理氣體、以比前述t1時間還短的t2時間對前述緩衝槽進行緩衝、及以朝向前述一個處理室的反應氣體供應與前述t1與前述t2合計的時間相等之t3時間之方式控制前述處理氣體供應系統、前述反應氣體供應系及前述槽側閥。
  10. 如請求項8之基板處理系統，其中具有質流控制器，其位在前述緩衝槽的下游側且設於前述複數個處理室各自前面。
  11. 如請求項8之基板處理系統，其中在前述緩衝槽的上游側設置氣化器和液體流量控制部。
  12. 如請求項8之基板處理系統，其中具有設在前述複數個處理室各自的前段之處理室側閥，前述控制部係建構成以於關閉前述處理室側閥後關閉前述槽側閥之方式控制前述處理室側閥和前述槽側閥。
  13. 如請求項8之基板處理系統，其中前述緩衝槽的容量係前述緩衝槽內的壓力是依據來自於前述處理氣體供給時的壓力而壓力上昇50%以下那樣的容量所構成。
  14. 一種半導體裝置之製造方法，具有：將處理氣體以第1既定時間依序供應至複數個處 理室的各處理室之步驟；在前述處理氣體供應停止後，將處理氣體以第2既定時間供應至設在與前述各處理室連接之氣體供應管的緩衝槽之步驟；及依序將被活性化的反應氣體向前述複數個處理室的各處理室進行前述第1既定時間和前述第2既定時間之合計時間的供應之步驟。
  15. 如請求項14之半導體裝置之製造方法，其中在前述處理氣體的供應停止後向前述緩衝槽供應處理氣體。
  16. 如請求項14之半導體裝置之製造方法，其中具有在向前述緩衝槽供應處理氣體之後向前述複數個處理室內的前述基板供應淨化氣體之步驟。
  17. 如請求項14之半導體裝置之製造方法，其中在前述各處理室分別設有淋浴頭，在朝向前述緩衝槽進行處理氣體供應中或供應後，開始前述淋浴頭內淨化之步驟。
  18. 如請求項16之半導體裝置之製造方法，其中在前述各處理室分別設有淋浴頭，從朝前述緩衝槽進行處理氣體供應中或供應後，在向前述基板供應淨化氣體之前，開始前述淋浴頭內淨化之步驟。
  19. 一種記錄有使電腦執行程序之程式的記錄媒體，該程式使電腦執行以下的程序：使處理氣體以第1既定時間依序供應至複數個處理室的各處理室之程序； 在前述處理氣體供應停止後，使處理氣體以第2既定時間供應至設在連接於前述各處理室的氣體供應管之緩衝槽之程序；及使被活性化的反應氣體依序向前述複數個處理室的各處理室供應前述第1既定時間和前述第2既定時間之合計時間之程序。
  20. 如請求項19之記錄有使電腦執行程序之程式的記錄媒體，其中記錄有在前述處理氣體的供應停止後使處理氣體供應至前述緩衝槽之程序。
  21. 如請求項19之記錄有使電腦執行程序之程式的記錄媒體，其中記錄有在向前述緩衝槽供應處理氣體之後使淨化氣體供應至前記複數個處理室內的前述基板之程序。
  22. 如請求項19之記錄有使電腦執行程序之程式的記錄媒體，其中在前述各處理室分別設有淋浴頭，該程式使電腦執行在朝向前述緩衝槽進行處理氣體供應中或供應後，開始前述淋浴頭內的淨化之程序。
  23. 如請求項21之記錄有使電腦執行程序之程式的記錄媒體，其中在前述各處理室分別設有淋浴頭，該程式使電腦執行從朝前述緩衝槽進行處理氣體供應中或供應後，在向前述基板供應淨化氣體之前，開始使前述淋浴頭內淨化的程序。
TW103107798A 2013-12-27 2014-03-07 A substrate processing system, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium TWI524422B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013271924 2013-12-27
JP2014040430A JP5859586B2 (ja) 2013-12-27 2014-03-03 基板処理システム、半導体装置の製造方法および記録媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201526103A TW201526103A (zh) 2015-07-01
TWI524422B true TWI524422B (zh) 2016-03-01

Family

ID=53369360

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103107798A TWI524422B (zh) 2013-12-27 2014-03-07 A substrate processing system, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20150187611A1 (zh)
JP (1) JP5859586B2 (zh)
KR (1) KR101590044B1 (zh)
CN (1) CN104746040B (zh)
TW (1) TWI524422B (zh)

Families Citing this family (228)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP2016134569A (ja) * 2015-01-21 2016-07-25 株式会社東芝 半導体製造装置
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
JP5947435B1 (ja) * 2015-08-27 2016-07-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10062599B2 (en) * 2015-10-22 2018-08-28 Lam Research Corporation Automated replacement of consumable parts using interfacing chambers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
KR102126146B1 (ko) * 2016-03-28 2020-06-23 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11926894B2 (en) * 2016-09-30 2024-03-12 Asm Ip Holding B.V. Reactant vaporizer and related systems and methods
US10876205B2 (en) * 2016-09-30 2020-12-29 Asm Ip Holding B.V. Reactant vaporizer and related systems and methods
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) * 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR20240017968A (ko) * 2018-03-22 2024-02-08 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
KR20200020608A (ko) 2018-08-16 2020-02-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 승화기
JP2020026571A (ja) * 2018-08-17 2020-02-20 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
JP6896682B2 (ja) * 2018-09-04 2021-06-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210026898A (ko) 2019-09-02 2021-03-10 삼성전자주식회사 가스 공급기 및 이를 포함하는 박막 증착 장치
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11624113B2 (en) 2019-09-13 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Heating zone separation for reactant evaporation system
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
US11236424B2 (en) * 2019-11-01 2022-02-01 Applied Materials, Inc. Process kit for improving edge film thickness uniformity on a substrate
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
US11487304B2 (en) * 2021-01-08 2022-11-01 Applied Materials, Inc. Process fluid path switching in recipe operations
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529227A (ja) * 1991-07-17 1993-02-05 Canon Inc 堆積膜形成方法
DE4236324C1 (zh) * 1992-10-28 1993-09-02 Schott Glaswerke, 55122 Mainz, De
US6039809A (en) * 1998-01-27 2000-03-21 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Method and apparatus for feeding a gas for epitaxial growth
US6772781B2 (en) * 2000-02-04 2004-08-10 Air Liquide America, L.P. Apparatus and method for mixing gases
DE10005820C1 (de) * 2000-02-10 2001-08-02 Schott Glas Gasversorungsvorrichtung für Precursoren geringen Dampfdrucks
US6604555B2 (en) * 2000-08-04 2003-08-12 Arch Specialty Chemicals, Inc. Automatic refill system for ultra pure or contamination sensitive chemicals
EP1421606A4 (en) * 2001-08-06 2008-03-05 Genitech Co Ltd PLASMA ACTIVE ATOMIC LAYER (PEALD) DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF FORMING THIN FILM USING SAID APPARATUS
AU2002343583A1 (en) * 2001-10-29 2003-05-12 Genus, Inc. Chemical vapor deposition system
EP1466034A1 (en) * 2002-01-17 2004-10-13 Sundew Technologies, LLC Ald apparatus and method
KR100574150B1 (ko) * 2002-02-28 2006-04-25 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조방법
JP2003271218A (ja) * 2002-03-15 2003-09-26 Toshiba Corp 半導体製造装置、半導体製造システム及び基板処理方法
KR20030081144A (ko) * 2002-04-11 2003-10-17 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 종형 반도체 제조 장치
JP3947126B2 (ja) * 2002-04-11 2007-07-18 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
JP4204840B2 (ja) * 2002-10-08 2009-01-07 株式会社日立国際電気 基板処埋装置
US7378129B2 (en) * 2003-08-18 2008-05-27 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition methods of forming conductive metal nitride comprising layers
DE10345824A1 (de) * 2003-09-30 2005-05-04 Infineon Technologies Ag Anordnung zur Abscheidung von atomaren Schichten auf Substraten
JP2005129579A (ja) * 2003-10-21 2005-05-19 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP4399517B2 (ja) * 2004-01-05 2010-01-20 株式会社堀場製作所 成膜装置と成膜方法
KR100591762B1 (ko) * 2004-01-19 2006-06-22 삼성전자주식회사 증착 장치 및 증착 방법
CN100447962C (zh) * 2004-01-21 2008-12-31 株式会社日立国际电气 半导体装置的制造方法及衬底处理装置
DE102004052580B4 (de) * 2004-10-29 2008-09-25 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Vorrichtung und Verfahren zum Zuführen von Vorstufengasen zu einer Implantationsanlage
JP4866898B2 (ja) * 2006-03-30 2012-02-01 三井造船株式会社 原子層成長装置
JP4961218B2 (ja) * 2007-01-18 2012-06-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP5616591B2 (ja) * 2008-06-20 2014-10-29 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP5233562B2 (ja) * 2008-10-04 2013-07-10 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
US10378106B2 (en) * 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
KR20100119346A (ko) * 2009-04-30 2010-11-09 한국에이에스엠지니텍 주식회사 증착 장치
KR101089391B1 (ko) * 2009-09-23 2011-12-02 주식회사 뉴파워 프라즈마 다중 기판처리챔버
US20110143035A1 (en) * 2009-12-16 2011-06-16 Byoung Ha Cho Thin Film Deposition System and Method for Depositing Thin Film
JP2012164736A (ja) 2011-02-04 2012-08-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2012184482A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Ulvac Japan Ltd 真空成膜装置及び成膜方法
JP5750281B2 (ja) * 2011-03-07 2015-07-15 株式会社アルバック 真空一貫基板処理装置及び成膜方法
US20120244685A1 (en) * 2011-03-24 2012-09-27 Nuflare Technology, Inc. Manufacturing Apparatus and Method for Semiconductor Device
JP2013197475A (ja) 2012-03-22 2013-09-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150170909A1 (en) 2015-06-18
CN104746040B (zh) 2018-04-13
KR20150077254A (ko) 2015-07-07
JP5859586B2 (ja) 2016-02-10
JP2015143383A (ja) 2015-08-06
TW201526103A (zh) 2015-07-01
US20150187611A1 (en) 2015-07-02
CN104746040A (zh) 2015-07-01
KR101590044B1 (ko) 2016-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI524422B (zh) A substrate processing system, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium
TWI567224B (zh) A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium
JP5807084B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US9171734B1 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium
JP6368732B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
KR101312461B1 (ko) 반도체 처리용의 배치 ｃｖｄ 방법과 장치 및, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
CN108531887B (zh) 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
CN109585265B (zh) 半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质
JP5963893B2 (ja) 基板処理装置、ガス分散ユニット、半導体装置の製造方法およびプログラム
TWI584394B (zh) A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium on which a program is recorded
JP6529996B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
US20220403511A1 (en) Substrate processing apparatus, exhaust device and method of manufacturing semiconductor device