TWI523258B - 具薄ｎ型區之三－五族發光裝置 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種三-五族發光裝置，其中一透明導電氧化物係連接至n型區。
包含發光二極體(LED)、諧振腔發光二極體(RCLED)、垂直腔雷射二極體(VCSEL)及邊射型雷射的半導體發光裝置屬於目前可使用之最高效光源。目前在能夠跨可見光譜操作之高亮度發光裝置之製造中受關注的材料系統包含III-V族半導體，尤其是二元、三元及四元鎵、鋁、銦及氮合金，亦稱作三族氮化物材料。通常，可藉由金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)、分子束磊晶(MBE)或其他磊晶技術而在一藍寶石、碳化矽、三族氮化物或其他適當基板上磊晶生長不同組合物及摻雜濃度之一半導體層之堆疊而製造三族氮化物發光裝置。堆疊通常包含形成在基板上方之摻雜有(舉例而言)Si之一或多個n型層、形成在該(該等)n型層上方之一作用區中之一或多個發光層及形成在作用區上方之摻雜有(舉例而言)Mg之一或多個p型層。電接觸件係形成在n型區及p型區上。
由於原生三族氮化物生長基板通常昂貴、無法大量使用且對於商業裝置之生長不切實際，故三族氮化物裝置通常生長在藍寶石(Al2O3)、SiC或Si基板上。此等非原生基板具有與基板上所生長之三族氮化物裝置層之主體晶格常數不同的晶格常數、與裝置層不同的熱膨脹係數及不同的化
學及結構性質，導致裝置層中的應變及裝置層與基板之間的化學及結構不匹配。厚層的生長可能減少裝置的輸出且需要額外的源材料，其可能增加一裝置之成本。若裝置層生長過厚，則應變可能因龜裂而釋放，其可能不利地影響裝置效能。
當習知地在Al2O3上生長一三族氮化物裝置時，生長在基板上之第一結構通常為具有約3.189Å或更小之平面內晶格常數之一GaN模板層。該GaN模板充當發光區之一晶格常數模板，因其設定生長在該模板層上方之應變層之所有(包含InGaN發光層)之晶格常數。由於InGaN之主體晶格常數大於習知GaN模板之平面內晶格常數，故當發光層生長在一習知GaN模板上方時該發光層係壓縮應變。舉例而言，與GaN之晶格常數3.189Å相比，經組態以發射約450nm之光之一發光層可具有一種組合物In0.16Ga0.84N，即具有3.242Å之主體晶格常數之組合物。如在經設計以發射更長波長之光之裝置中，隨著該發光層中InN組合物增加，該發光層中的壓縮應變亦增大。
已提出減小發光層中之應變之數種技術。
名為「III-nitride light emitting devices grown on templates to reduce strain」且以引用的方式併入本文中之US 2008/0153192教示在經設計以減小裝置中特定言之發光層中之應變之一模板上方生長包含一三族氮化物裝置之發光層之裝置層。該模板係生長在一習知基板(諸如藍寶石)上。
名為「Substrate for growing a III-V light emitting device」
且以引用的方式併入本文中之US 2007/0072324教示在一複合基板上方生長一三族氮化物裝置，該複合基板包含一主體基板、一晶種層及結合該主體基板至該晶種層之一結合層。該主體基板提供機械支撐給該複合基板及生長在該複合基板上方之半導體裝置層。該晶種層通常為一種單晶材料，其係合理地與裝置層具有很好的晶格匹配性。使用此一基板，可增加晶格常數超過GaN，在此情況中生長在此等模板上之裝置層通常含有In。併入In並不節能且InGaN的生長緩慢。因此，厚InGaN層在商業上不可行。
本技術中需要的是無需厚n型區的裝置。
本發明之一目的係提供一種具有一薄n型區之裝置。
在本發明之實施例中，一裝置包含一半導體結構，該半導體結構包括設置在一n型區與一p型區之間之一三族氮化物發光層。一透明、導電非三族氮化物材料係設置為與該n型區直接接觸。該發光層與該透明、導電非三族氮化物材料之間之半導體材料之總厚度小於一微米。
在習知地生長在一藍寶石基板上之一覆晶裝置中，一p接觸件係形成在生長在該裝置中之最後一p型層之表面上，隨後蝕刻一台面以曝露n型區之一部分(一n接觸件係形成於其上)。該p接觸件的覆蓋面積通常比該n接觸件大得多，因為電流更易於散佈穿透n型三族氮化物材料。該n接觸件通常形成在一n型GaN層上。該n型GaN層必須具有
足夠的厚度及足夠的導電性以在一習知三族氮化物覆晶裝置中提供一低薄片電阻，舉例而言低於20歐姆/平方。
如本文所使用，一給定層具有對應於與該層具有相同組合物之自支撐材料之一晶格常數之一主體晶格常數abulk及對應於如生長在一實際裝置結構中之該層之一晶格常數之一平面內晶格常數ain-plane。在裝置層係生長在增加發光區之平面內晶格常數以減小該發光區中之應變之一模板上方之一裝置(本文簡稱作一「應變減小」裝置)中，該模板所設定之平面內晶格常數通常大於GaN之主體晶格常數。因此，生長在此等模板上方之GaN承受張力。必須限制併入一應變減小裝置中之任何GaN層之厚度以避免可能降低該裝置之效率或導致裝置故障之龜裂。在一些實施例中，厚至足以提供充分的電流散佈以充當n型層(n接觸件係形成於其上)之一n型GaN層無法在一應變減小裝置中生長而無龜裂。
具有大於GaN之主體晶格常數之InGaN可在壓縮或承受比GaN低之張力的情況下生長在一應變減小模板上方，且因此通常取代GaN用作一應變減小裝置之n型接觸層。在需要電流從n接觸件散佈之一裝置設計中生長厚至足以充當n接觸層之一InGaN層極其費時且因此非常昂貴。此一電流散佈InGaN層之厚度可為(舉例而言)至少2微米。
在本發明之一些實施例中，一應變減小三族氮化物裝置上之接觸件係經形成且經配置使得無需一厚n型區中之電流散佈。因此與電流散佈穿透n型區之一裝置相比，該n型
區可製作得更薄。
圖1至圖5圖解說明形成具有一薄n型區之一垂直裝置。
在圖1中，包含一n型區12、一發光區14及一p型區16之裝置層係生長在一基板10上方。該基板可為(舉例而言)生長在一生長基板諸如如US 2008/0153192所述之藍寶石、如US 2007/0072324所述之一複合基板，諸如舉例而言結合至一藍寶石主體基板或一藍寶石、SiC或Si基板之一InGaN晶種層上方之模板之一者。
該n型區12可包含具有不同組合物及摻雜濃度之多重層，舉例而言，包含製備層，諸如緩衝層或成核層，其等可為n型或非有意摻雜；釋放層(release layer)，其等係經設計以促進之後該生長基板之釋放或在基板移除後使該半導體結構變薄；及n型裝置層或甚至p型裝置層，其等係經設計用於發光區所要的特定光學或電學性質以高效地發射光。在一些實施例中，該n型區之厚度小於一微米。在一些實施例中，該n型區之厚度小於0.5微米。在一些實施例中，該n型區包含至少一InGaN層。在一些實施例中，該n型區包含僅InGaN。在一些實施例中，該n型區具有大於生長在藍寶石上之GaN之平面內晶格常數之一平面內晶格常數或該n型區具有大於3.186Å之一平面內晶格常數。
一發光區或作用區14係生長在該n型區12上方。適當發光區之實例包含一單個厚或薄發光層或一個多重量子井發光區，包含藉由障壁層分開之多重薄或厚量子井發光層。舉例而言，一個多重量子井發光區可包含藉由障壁(各具
有100Å或更小之一厚度)分開之多重發光層(各具有25Å或更小之一厚度)。在一些實施例中，該裝置中之該等發光層之各者之厚度係大於50Å。
一p型區16係生長在該發光區14上方。與該n型區相同，該p型區可包含具有不同組合物、厚度及摻雜濃度之多重層，包含非有意摻雜之層或n型層。
一p接觸件18係形成在p型區16之頂部表面上。p接觸件18可包含一反射層，諸如銀。p接觸件18可包含其他視需要之層，諸如包含(舉例而言)鈦及/或鎢之一歐姆接觸層及一防護薄片。在一些實施例中，p接觸件18係從與之後形成之n接觸件對齊之區域中移除以防止光在直接位於該p接觸件與該n接觸件之間之發光區中產生，因為該等接觸件之間所產生之光將被吸收。一電流阻擋結構諸如一電阻材料(圖1中未繪示)可形成在此等區域中。
在圖2中，穿渠22係形成在該裝置中。該等穿渠延伸穿過三族氮化物材料之整個厚度，下至基板10之一非三族氮化物層。在穿渠22形成後，一視需要之結合層20係設置在p接觸件18之表面上。結合層24亦可設置在穿渠22中。結合層20及24可為(舉例而言)一金屬，諸如NiAu。穿渠22之寬可(舉例而言)介於10μm至30μm之間。在一些實施例中，穿渠22形成LED晶圓上之個別LED之邊界且係根據所要的晶粒大小分開，舉例而言，分開達0.2mm與2mm之間，通常分開達0.5mm與1mm之間。如下文參考圖3所描述，穿渠22可限制雷射熔化以移除基板10之全部或部分所
導致之破損。
在圖3中，該裝置係結合至一基座26。一視需要之結合層28可形成在基座26上。半導體結構可經由一或多個結合層20及28而結合至基座26。基座26可為(舉例而言)Si、Ge、金屬或陶瓷。結合層28可為(舉例而言)一金屬，諸如NiAu。
在該半導體結構被結合至基座26後，生長基板10可移除。舉例而言，作為一複合基板之部分之一藍寶石生長基板或一藍寶石主體基板可藉由在與該藍寶石基板之一介面處雷射熔化一三族氮化物層或其他層而移除。可使用適用於正移除之基板之其他技術，諸如蝕刻或機械技術，諸如研磨。該基板之部分，諸如舉例而言，一複合基板之晶種層或生長在一非三族氮化物生長基板上之一擴大晶格常數之模板之一或多個半導體層可保留為該裝置之部分，但是其等亦可以移除。若穿渠22中之該結合層24並未藉由移除該基板之同一程序而移除，則剩餘的結合層材料(諸如NiAu)可藉由(舉例而言)濕式蝕刻而移除。
在一些實施例中，在移除基板10之所有或部分後，該半導體結構係(舉例而言)藉由光電化學(PEC)蝕刻而薄化。該半導體結構之曝露表面，通常為n型區12之一表面可(舉例而言)藉由粗糙化或藉由形成一光子晶體而紋理化。
在圖4中，穿渠22係部分或完全填充有一介電質材料，諸如舉例而言，藉由電漿增強型化學氣相沈積而形成之氮化矽。一介電層亦可形成在藉由移除基板10而曝露之n型
區12之表面上方，隨後經圖案化使得介電質僅保留在覆蓋穿渠22之區塊32中。
在圖5中，一透明、導電材料34係設置在n型區12之曝露表面上。在一些實施例中，透明導電材料34係一種氧化物，諸如銦錫氧化物(ITO)。透明導電材料34可藉由(舉例而言)電子束蒸鍍、濺鍍、旋塗或沈澱而沈積。透明導電材料34之厚度取決於n型裝置層之厚度及摻雜及透明導電材料之理想配比可為(舉例而言)0.5μm至1.5μm。舉例而言，一更厚透明導電材料層可形成在一薄或未高度摻雜之一n型區上，或若透明導電材料並非高度導電，則一更厚透明導電材料層可形成在一n型區上。ITO之替代物包含摻雜鋁之ZnO(AZO)、ZnO、摻雜鎂之ZnO(MZO)、摻雜鎵之ZnO(GZO)、摻雜鋁之MZO(AMZO)、摻雜ZnO氧化銦(ZIO)及摻雜鎵之MZO(GMZO)。透明、導電材料34係形成為厚至足以在n型區12中散佈電流，但是薄至使其無法實質吸收發光區所發射之光。與氧化物區32對齊之穿渠36係藉由習知圖案化步驟而形成在透明導電材料34中。金屬n接觸件38係形成在透明、導電材料34上。穿渠36及22電隔離半導體材料及透明導電材料34的鄰近區塊，其允許在切割個別區之一晶圓前檢測個別區。
在生長基板係藉由蝕刻移除之實施例中，諸如一矽生長基板之情況中，如圖2及圖3所示，穿渠22可在生長基板移除之後(而非之前)形成在磊晶層中。在此等實施例中，穿渠22可在透明、導電材料34形成後形成。
光係透過透明導電材料34而提取自圖5所示之結構。基座26及基座26與p接觸件18之間之任何結合層可導電使得電流係透過基座26而供應至p接觸件18。介於發光區14與透明導電材料34之間之半導體材料之總厚度在一些實施例中可為不超過1微米厚，在一些實施例中可為不超過0.8微米厚且在一些實施例中可為不超過0.5微米厚。在一些實施例中，介於透明導電材料34與p接觸件18之間之整個半導體結構為InGaN。
對於一給定的三族氮化物材料，以歐姆/平方表示之薄片電阻係厚度及摻雜之一函數。該n型區12之薄片電阻在一些實施例中可大於90歐姆/平方且在一些實施例中可大於80歐姆/平方。該n型區12與該透明、導電材料24之組合在一些實施例中可具有小於70歐姆/平方之一薄片電阻且在一些實施例中小於60歐姆/平方。相比之下，在具有一厚、GaNn型區之一習知三族氮化物裝置中，該n型區之薄片電阻為約40歐姆/平方。
圖6至圖12圖解說明形成一裝置，其中一薄n型區係結合至一光學元件(諸如一發光陶瓷)。圖6至圖12所述之材料及處理步驟可與圖1至圖5所述之材料及處理步驟相同，且反之亦然。
圖6圖解說明生長在一複合基板10上方之一n型區12、發光區14及p型區16。該複合基板10包含一主體基板40，諸如舉例而言藍寶石；結合層42及44，諸如舉例而言分別為氮化矽及氧化矽；及一晶種層46，諸如舉例而言具有不超
過8%之InN組合物之InGaN。該晶種層可形成在如舉例而言以引用的形式併入本文中之美國專利申請案第12/236,853號所述之區或島狀區中。該晶種層之厚度在一些實施例中可為(舉例而言)介於500Å與2000Å之間，且在一些實施例中可為約1000Å。該等裝置層12、14及16係生長在與水平生長相比更有利於垂直生長之條件下，使得半導體區之間之穿渠47得以維持。在一些實施例中，n型區12係厚度介於0.2微米與0.5微米之間之一InGaN區，發光區14係厚度為約1000Å之多量子井作用區，且p型區16係厚度為約1000Å之一InGaN層。
在圖7中，一p接觸件18係形成在該p型區16上方，隨後經圖案化以移除設置在半導體材料區之側壁上之p接觸件材料。一些p接觸件材料可保留在介於半導體材料區之間之穿渠47之底部中。在一些實施例中，同時移除該等區之側壁上之不良品質半導體材料。一結合材料48(諸如氧化矽)係設置在該p接觸件18上方及介於半導體材料區之間之穿渠47中。該結合材料48可視需要藉由(舉例而言)化學機械拋光而拋光。該半導體結構係結合至一中間基板52，該中間基板52亦可為(舉例而言)藍寶石或具有與主體基板40之一熱膨脹係數合理且很好地匹配之任何其他適當基板。可為(舉例而言)氧化矽之一視需要的結合層50可形成在中間基板52上。
在圖8中，圖6之主體基板40及結合層42及44係藉由適於移除特定主體基板材料之一技術而移除。舉例而言，一藍
寶石主體基板可藉由雷射熔化而移除。
圖9中該晶種層46係藉由適於移除特定晶種層材料之一技術而移除。舉例而言，一InGaN或其他三族氮化物晶種層可藉由PEC蝕刻或化學機械拋光(CMP)而移除。半導體結構可視需要而薄化且曝露表面可視需要而紋理化。亦可移除介於半導體材料島狀區之間之穿渠47中之任何p接觸件材料。
在圖10中，一透明、導電材料34係形成在曝露的n型區12上。該透明導電材料34可為(舉例而言)一透明導電氧化物(諸如ITO)。一視需要之結合層54(諸如舉例而言氮化矽)可形成在一透明、導電材料34上，隨後視需要藉由(舉例而言)化學機械拋光而拋光。
在圖11中，該透明、導電材料34係結合至一光學元件56。一視需要之結合層58可形成在光學元件56上。該光學元件可為(舉例而言)一透鏡或一發光陶瓷，亦稱作一陶瓷磷光體。發光陶瓷可為形成為一陶瓷之磷光體。該發光陶瓷吸收該發光區所發射之一波長之光且發射一不同波長之光。以引用的方式併入本文中之美國專利第7,361,938號更詳細地描述發光陶瓷。在結合至該光學元件56後，中間基板52可藉由適於基板材料之一技術而移除。舉例而言，一藍寶石中間基板可藉由雷射升離而移除。
圖7、圖10及圖11所示之結合層48、50、54及58可為(舉例而言)一有機材料(諸如矽酮)或一無機材料(諸如氧化矽)。該等結合層之所有無需為同一材料。在一些實施例
中，形成一結合之兩個結合層為氧化矽。可利用氧化物-氧化物結合以聯結平坦或非平坦表面。為了形成氧化物-氧化物結合，在兩個結構之間施加壓力。亦可施加熱。在一些實施例中，結合層48、50、54及58可為Si、Al、B、P、Zn、Ga、Ge、In、Sn、Sb、Pb、Bi、Ti、W、Mg、Ca、K、Ni、Y、Zr、Hf、Nd及Ta之氧化物、氮化物、碳化物或氟化物或在商業上可購自(舉例而言)Hoya、Ohara、Schott、CDGM、Hikari、Sumita及Corning之適當玻璃。
在圖12中，任何剩餘結合層，諸如結合層50及結合層48可移除以曝露該p接觸件之一頂部表面。
圖13圖解說明圖12之區之一者。該等接觸件係配置為一覆晶定向。如上文參考圖7所述，在圖13之裝置中，當將該p接觸件材料從該等區之側壁移除時，在同一蝕刻步驟中，使區之間之穿渠47變寬以容納n接觸件60。n接觸件係形成在與透明、導電材料34電接觸之穿渠47中。電流從n接觸件60散佈穿透透明、導電材料34至n型區12。
在圖13所示之裝置中，光係透過光學元件56而提取自該裝置。一單個LED可包含一單個區或多重區。
圖13所示之LED係結合至基座。互連件係形成在p接觸件18及n接觸件60上，隨後該裝置係透過該等互連件而連接至一基座。該等互連件可為任何適合之材料，諸如焊料或其他金屬且可包含多重材料層。在一些實施例中，互連件包含至少一金層且該LED與該基座之間之結合係藉由超
音波結合而形成。
在超音波結合期間，LED晶粒係定位在一基座上。一結合頭係定位在該LED晶粒之頂部表面上，舉例而言，該光學元件56之頂部表面上。該結合頭係連接至一超音波傳感器。該超音波傳感器可為(舉例而言)鋯鈦酸鉛(PZT)層之一堆疊。當將導致系統和諧共振之頻率(通常為數十或數百kHz量級之一頻率)之一電壓施加至該傳感器時，該傳感器開始振動，其繼而導致該結合頭及該LED晶粒通常按微米之量級之振幅振動。振動導致LED上之一結構(諸如n連接件及p連接件或形成在該n連接件及該p連接件上之互連件)之金屬晶格中之原子與基座上之一結構互相擴散，導致一冶金意義上的連續接頭。可在結合期間添加熱及/或壓力。
一或多個波長轉換材料可設置在圖5之透明導電層34上方或圖13之光學元件56上方。該(等)波長轉換材料可為(舉例而言)藉由網版印刷或模板印刷而設置在一透明材料諸如矽酮或環氧樹脂中且沈積在LED上之一或多個粉末磷光體、藉由電泳沈積而形成之一或多個粉末磷光體或膠合或結合至LED之一或多個陶瓷磷光體、一或多個染料或上述波長轉換層之任何組合。該等波長轉換材料可形成使得由發光區所發射之光之一部分不被波長轉換材料轉換。在一些實例中，該未經轉換之光係藍色且經轉換之光係黃色、綠色及/或紅色，使得從裝置發射之未經轉換之光及經轉換之光之組合表現為白色。
在一些實施例中，偏光器、二向色濾光器或此項技術中已知之其他光學件係形成在圖5之透明導電層34上方或圖13之光學元件56上方。
在上述裝置中，無需(舉例而言)具有至少為兩微米之一厚度之一厚n型區，因為電流係散佈通過一非三族氮化物透明導電材料(諸如一透明導電氧化物)。由於在無需透明、導電非三族氮化物材料用於電流散佈之一裝置(諸如具有一厚n型區之一裝置)中透明導電氧化物通常不如三族氮化物材料透明，故包含透明導電非三族氮化物材料可減少裝置之光輸出。
已詳細描述本發明，熟悉此項技術者應瞭解鑑於本揭示內容，可在不脫離本文所述之發明概念之精神的情況下對本發明進行修改。舉例而言，雖然上述實施例描述三族氮化物裝置，但是在本發明之實施例中，可使用由其他材料系統製成之裝置，諸如其他三-五族裝置，諸如三族磷化物裝置或三族砷化物裝置或二-六族裝置。因此，不希望本發明之範疇受限於所闡釋及描述之特定實施例。
10‧‧‧基板
12‧‧‧n型區
14‧‧‧發光區
16‧‧‧p型區
18‧‧‧p接觸件
20‧‧‧結合層
22‧‧‧穿渠
24‧‧‧結合層
26‧‧‧基座
28‧‧‧結合層
32‧‧‧氧化物區
34‧‧‧透明導電材料
36‧‧‧穿渠
38‧‧‧金屬n接觸件
40‧‧‧主體基板
42‧‧‧結合層
44‧‧‧結合層
46‧‧‧晶種層
47‧‧‧穿渠
48‧‧‧結合層
50‧‧‧結合層
52‧‧‧中間基板
54‧‧‧結合層
56‧‧‧光學元件
58‧‧‧結合層
60‧‧‧n接觸件
圖1圖解說明生長在一基板上方之裝置層；圖2圖解說明形成在圖1之結構中之穿渠；圖3圖解說明結合至一基座之圖2之結構。圖3進一步圖解說明圖2之結構之生長基板之移除；圖4圖解說明填充一介電質之圖3之結構之穿渠；圖5圖解說明形成在圖4之結構上之一透明導電材料及n
接觸件；圖6圖解說明生長在一複合基板上之裝置層，其中一晶種層形成於諸區中，諸穿渠將該等區分開；圖7圖解說明結合至一中間基板之圖6之結構；圖8圖解說明複合生長基板之主體基板移除後之圖7之結構；圖9圖解說明晶種層移除後之圖8之結構；圖10圖解說明在曝露的半導體表面上形成一透明、導電層後之圖9之結構；圖11圖解說明結合至一光學元件且移除中間基板後之圖10之結構；圖12圖解說明移除任何剩餘結合層以曝露p接觸件之一表面之圖11之結構；及圖13圖解說明圖12之一區塊，其中接觸件形成於一覆晶形成體中。
12‧‧‧n型區
14‧‧‧發光區
16‧‧‧p型區
18‧‧‧p接觸件
34‧‧‧透明導電材料
47‧‧‧穿渠
54‧‧‧結合層
56‧‧‧光學元件
58‧‧‧結合層
60‧‧‧n接觸件
Claims (12)
- 一種發光裝置，其包括：一半導體結構，其包括設置在一n型區與一p型區之間之一三-五族發光層；一透明、導電非三族氮化物材料，其係與該n型區直接接觸；及一反射p接觸件，其係與該p型區直接接觸並位於該半導體結構之相對於該透明、導電非三族氮化物材料之一表面上，其中該發光層與該透明、導電非三族氮化物材料之間之半導體材料之一總厚度不大於0.8微米。
- 如請求項1之裝置，其中該透明、導電非三族氮化物材料係一種氧化物。
- 如請求項1之裝置，其中該發光層與該透明、導電非三族氮化物材料之間之半導體材料係InGaN。
- 如請求項1之裝置，其中該發光層與該透明、導電非三族氮化物材料之間之該半導體材料之一平面內(in-plane)晶格常數係大於3.186Å。
- 如請求項1之裝置，其進一步包括設置在該p型區之一表面上之一反射金屬p接觸件，該p型區之該表面係相對於該透明、導電非三族氮化物材料之該半導體結構之一表面，其中提取自該半導體結構之大部分光係透過該透明、導電非三族氮化物材料而提取。
- 如請求項5之裝置，其中曝露該透明、導電非三族氮化 物材料之一表面之至少一開口係形成在該半導體結構中，該裝置進一步包括設置在該透明、導電非三族氮化物材料上之該開口中之一金屬n接觸件。
- 如請求項1之裝置，其進一步包括結合至該透明、導電非三族氮化物材料之一光學元件。
- 如請求項1之裝置，其進一步包括結合至該透明、導電非三族氮化物材料之一發光陶瓷。
- 如請求項1之裝置，其進一步包括形成在半導體材料中、與形成在該該透明、導電非三族氮化物材料中之穿渠(trenches)對齊之穿渠。
- 如請求項1之裝置，其中該發光層係一種三族氮化物材料。
- 如請求項1之裝置，其中該n型區具有大於90歐姆/平方之一薄片電阻且該n型區與該透明、導電非三族氮化物材料之一組合具有小於70歐姆/平方之一薄片電阻。
- 如請求項1之裝置，其中該n型區具有大於80歐姆/平方之一薄片電阻且該n型區與該透明、導電非三族氮化物材料之一組合具有小於60歐姆/平方之一薄片電阻。
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