TWI523091B - 晶圓黏片製作方法 - Google Patents

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宮本三郎
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Description

晶圓黏片製作方法
本發明係有關於一種晶圓黏片製作方法，該方法係對經由黏接劑黏貼支撐板而補強的半導體晶圓黏貼支撐用膠帶後，從半導體晶圓除去該支撐板與黏接劑，而製作晶圓黏片。
近年來，隨著高密度組裝的要求，有半導體晶圓(以下適當地稱為「晶圓」)之厚度經背面研磨處理迄至數十μm的傾向。薄型化的晶圓因為剛性降低，所以在進行背面研磨前係透過具有加熱剝離性的黏接層的雙面膠帶將與晶圓同形狀以上的支撐板黏貼於晶圓。
經背面研磨處理後之帶有支撐板的晶圓係透過支撐用膠帶黏接於環框架。然後，以內建有加熱器的上部吸附座從支撐板側對被下部吸附座從背面吸附並保持的晶圓進行吸附保持後，一面對該支撐板加熱一面使上部吸附座上升。此時，雙面膠帶之加熱剝離性的黏接層發泡膨脹而喪失黏接力。因此，使支撐板與雙面膠帶一體地從晶圓表面分離，或在晶圓側殘留有雙面膠帶地分離(參照日本特開2005-116679號公報)。
在晶圓的電路面，形成有凸塊等之階差。與在基材之單面具有黏接層的膠帶相比，在雙面具有黏接層的雙面膠帶變厚。因此，賦予使雙面膠帶的黏接劑侵入由晶圓表面之階差所形成的間隙並密接用的推壓力係比僅在單面具有黏接層的膠帶更大。因此，以往的方法有可能使凸塊變形或損壞。
又，因為雙面膠帶具有特殊的特性，所以亦衍生成本高的缺點。
本發明係鑑於這種情況而開發者，其主要目的在於提供一種能以廉價之構成高精度地製作晶圓黏片的晶圓黏片製作方法。
本發明係為了達成這種目的，而採用以下所示的構成。
即，一種晶圓黏片製作方法，係經由支撐用膠帶將半導體晶圓支撐於環框架的晶圓黏片製作方法，該方法係包含以下的製程：黏接劑塗布製程，係將液狀的黏接劑塗布於該半導體晶圓的電路面；支撐板黏貼製程，係將與半導體晶圓同形狀以上的支撐板黏貼於該半導體晶圓之黏接劑的塗布面；背面研磨製程，係保持該支撐板，並研磨半導體晶圓之背面；支撐製程，係經由支撐用的該膠帶將半導體晶圓支撐於環框架；分離製程，係從該半導體晶圓將支撐板分離；及剝離製程，係將具有寬度等於或大於半導體晶圓之直徑的剝離帶黏貼於在該半導體晶圓上成為薄膜狀的黏接劑，並將該剝離帶剝離，藉此，使該黏接劑一體地從半導體晶圓剝離。
若依據本方法，塗布於電路面之液狀的黏接劑逐漸迅速地侵入藉晶圓表面之階差所形成的間隙，而且黏接劑之表面成為平坦。即，不必對晶圓表面賦予推壓，就能以少量的黏接劑高密度地被覆晶圓整個面。又，在將支撐板黏貼於黏接劑之表面時，亦可不必賦予過度的推壓力就可使其黏接。因此，可避免晶圓表面之凸塊因推壓而變形或損壞。
進而，在支撐板分離後之晶圓表面所殘留的黏接劑硬化成比膠帶更薄的薄膜狀。因為將寬度比晶圓之直徑更寬的剝離帶黏貼於該黏接劑，所以黏接劑的整個面被剝離帶被覆。因此，因為在剝離製程拉力大致均勻地作用於黏接劑的剝離部位，所以可避免黏接劑局部地裂開而殘留於晶圓表面。
此外，在該方法的剝離製程，以個別的吸附座將半導體晶圓與環框架分別吸附並保持；在該半導體晶圓之表面自環框架之表面突出的狀態將剝離帶黏貼於半導體晶圓上的黏接劑較佳。
若依據本方法，薄膜狀的黏接劑成為比膠帶之厚度更薄得多。因此，從在半導體晶圓的外周與環框架之間所露出之支撐用膠帶的黏接面至黏接劑之表面的間隙(高度)亦變成極小。因此，藉由使半導體晶圓之表面從環框架之表面突出，可使該間隙變大。結果，在將剝離帶黏貼於黏接劑之表面時，即使剝離帶彎曲而從半導體晶圓之外周超出，亦避免該剝離帶與膠帶之黏接。換言之，可避免帶彼此之黏接所造成的剝離失誤。
又，在該剝離製程，進而在使已離模處理的板接近半導體晶圓之外周的狀態將剝離帶黏貼於半導體晶圓上的黏接劑較佳。
若依據本方法，利用板擋住彎曲而從半導體晶圓之外周超出的剝離帶。因此，可確實避免帶彼此的黏接。
此外，在該方法，黏接劑係紫外線硬化型；在該分離製程，從玻璃製的支撐板側照射紫外線，使黏接劑硬化後，從黏接劑將支撐板分離較佳。
若依據本方法，藉由紫外線的照射，促進位於半導體晶圓與支撐板之間之黏接劑的聚合反應，使黏接劑完全硬化。因此，因為黏接劑喪失黏接力，所以在使支撐板分離時，不必要的拉力不會作用於半導體晶圓。
又，本發明為了達成這種目的，採用以下所示的構成。
一種晶圓黏片製作方法，係經由支撐用膠帶將半導體晶圓支撐於環框架的晶圓黏片製作方法，該方法係包含以下的製程：黏接劑塗布製程，係將液狀的黏接劑塗布於該半導體晶圓的電路面；支撐板黏貼製程，係將與半導體晶圓同形狀以上的支撐板黏貼於該半導體晶圓之黏接劑的塗布面；背面研磨製程，係保持該支撐板，並研磨半導體晶圓之背面；支撐製程，係經由支撐用的該膠帶將半導體晶圓支撐於環框架；分離製程，係從該半導體晶圓將支撐板分離；黏貼製程，係將預先裁斷成與半導體晶圓同形狀以上膠帶黏貼於在該半導體晶圓上成為薄膜狀的黏接劑；及剝離製程，係將剝離帶黏貼於該膠帶後，將該剝離帶剝離，藉此，將該膠帶與黏接劑一體地從半導體晶圓剝離。
若依據本方法，將與半導體晶圓同形狀以上膠帶黏貼於半導體晶圓上的黏接劑。即，從支撐用膠帶的黏接面迄至黏貼剝離帶的間隙(高度)變大。因此，在將剝離帶黏貼於膠帶時，即使剝離帶彎曲而從半導體晶圓之外周超出，帶彼此間亦難黏接。換言之，可抑制帶彼此間的黏接所造成的剝離失誤。
此外，在該方法，例如，亦可在剝離製程，將寬度比半導體晶圓之直徑更窄的剝離帶黏貼於黏接劑。
即，藉由將晶圓形狀之膠帶黏貼於薄膜狀的黏接劑，而補強該黏接劑。因此，即使黏貼寬度比半導體晶圓之直徑更窄的剝離帶，亦因為利用構成膠帶的基材吸收局部的拉力，所以可避免薄膜狀的黏接劑局部地裂開而殘留於半導體晶圓上。
又，在該方法，黏接劑係紫外線硬化型；在該分離製程，從玻璃製的支撐板側照射紫外線，使黏接劑硬化後，從黏接劑將支撐板分離較佳。
若依據本方法，藉由紫外線的照射，促進位於半導體晶圓與支撐板之間之黏接劑的聚合反應，使黏接劑完全硬化。因此，因為黏接劑喪失黏接力，所以在使支撐板分離時，不必要的拉力不會作用於半導體晶圓。
為了說明發明而圖示現在認為適合的幾種形態，但是請理解發明未限定為所圖示的構成及對策。
以下，參照圖面說明本發明的一實施例。
<第1實施例>
本實施例如第1圖所示，由黏接劑塗布製程S1、支撐板黏貼製程S2、背面研磨製程S3、支撐製程S4、分離製程S5及剝離製程S6所構成。
在黏接劑塗布製程S1，對表面形成有電路的半導體晶圓W(以下僅稱為「晶圓W」)塗布黏接劑。例如第2圖所示，旋轉夾頭1、轉軸2、電動馬達3、噴嘴4及防止飛散杯5等配備於黏接劑塗布製程。
即，一面藉電動馬達3的旋轉使電路面被保持成朝上的旋轉夾頭1旋轉，一面從噴嘴4朝向晶圓W的中心塗布液體黏接劑6。所塗布之黏接劑6利用離心力朝向晶圓W的外周逐漸成放射狀地擴大。不要的黏接劑6被旋轉夾頭1甩掉後，被配備於外周的防止飛散杯5回收。此時，黏接劑6逐漸侵入藉晶圓W之表面的電路或凸塊等之階差所形成的間隙。
使旋轉夾頭1停止旋轉時，黏接劑以不使液體滴下之程度的均勻厚度被覆晶圓W的整個面。此外，被覆晶圓W之黏接劑6的厚度例如是數μm左右。該厚度可根據黏接劑6的特性適當地變更。即，黏接劑6的塗布量係因應於所使用之晶圓W或黏接劑的種類，預先重複實驗或模擬後所決定。
在本實施例所使用之黏接劑6是具有耐酸性、耐鹼性及耐藥液性之紫外線硬化型的黏接劑。
塗布有黏接劑6的晶圓W如第3圖所示，係在藉由前端具有馬蹄形手臂的搬運機器人7等從背面吸附並保持之狀態，被搬運至支撐板黏貼製程S2。
在支撐板黏貼製程S2中，例如具有由具有對準功能之下部吸附座8與上部吸附座9所構成的支撐板黏貼機構。
可升降及旋轉的吸附墊10配備於下部吸附座8的中央。首先，利用搬運機器人7將與晶圓W同形狀以上之玻璃製的支撐板11搬運至下部吸附座8後，將支撐板11交給上升的吸附墊10。已吸附有支撐板11的吸附墊10旋轉，並在旋轉期間檢測出支撐板11之外周的位置(座標)後，根據該檢測結果，求得支撐板11的中心位置。
求得中心位置後，吸附墊10下降，同時上部吸附座9下降，並吸附保持支撐板11，如第4圖所示，向上方退避。
接著，利用搬運機器人7將晶圓W搬運至下部吸附座8後，將晶圓W交給上升的吸附墊10。已吸附有晶圓W的吸附墊10旋轉，並在旋轉之間檢測出在晶圓W之外周所形成的定向平面或缺口，同時求得中心位置。根據這些取得的資訊，進行晶圓W之對準後，吸附墊10下降。
晶圓W之對準結束時，如第5圖所示，上部吸附座9下降，使支撐板11之背面與黏接劑6抵接或稍微推壓使支撐板11貼合。以與晶圓W對芯的方式完成支撐板11的黏貼後，以搬運機器人吸附保持支撐板11的表面，並搬運至背面研磨製程S3。
在背面研磨製程S3中，如第6圖及第7圖所示，配備有夾持工作台12與研磨器13。
在以夾持工作台12吸附並保持支撐板11之表面的狀態，利用研磨器13將晶圓W之背面研磨至既定厚度。對達到既定厚度之晶圓W施以除去所附著之灰塵等的處理。然後，利用搬運機器人將晶圓W搬運至支撐製程S4。
支撐製程S4如第8圖所示，例如具有帶供給部、夾持工作台14、框架保持部15、帶黏貼機構、帶裁斷機構17及帶回收部等。
首先，使可升降之夾持工作台14在上升至比框架保持部15更稍高的位置從搬運機器人接取晶圓W。此時，晶圓W之背面朝上。吸附並保持著晶圓W的夾持工作台14係在環框架f載置著框架保持部15的段部18時下降，使得環框架f之表面與晶圓W之背面位於相同的高度。
接著，利用搬運機器人將環框架f載置於框架保持部15。
晶圓W與環框架f的設定結束時，將從帶供給部通過晶圓W與環框架f之上方後捲繞於帶回收部之支撐用膠帶19黏貼於環框架f。即，如第9圖所示，在下游側藉夾輥20握持而被賦予既定張力的膠帶19上，使黏貼輥21從膠帶供給方向的下游側朝向上游側滾動，而將膠帶19黏貼於環框架f。此時，以對膠帶19賦予固定張力的方式，與黏貼輥21之滾動同步地從帶供給部抽出既定量的膠帶19。
黏貼輥21通過環框架f後到達終端位置時，使帶裁斷機構17下降，如第11圖所示，一面繞環框架f的中心旋轉，一面將膠帶19裁斷成黏貼環框架f的形狀。此時，如第10圖所示，配備成與裁刀刃22同軸之3支臂23的各輥24推壓藉裁刀刃22所裁斷之膠帶19之部位的浮起，而黏貼於環框架f。
膠帶19的裁斷結束時，使帶裁斷機構17回到上方的待機位置，同時解除夾輥20的握持後，捲繞並回收所剪下的膠帶19。
然後，使夾持工作台14上升至既定高度。即，使晶圓W之背面接近膠帶19並與其相對向。在此狀態，如第12圖所示，使別的黏貼輥21a從膠帶供給方向的上游側往下游側滾動，而一面推壓膠帶19一面黏貼於晶圓W之背面。被黏貼有膠帶19之環框架f所支撐的晶圓W，被搬運機器人搬運至分離製程S5。
在分離製程S5中，如第13圖所示，例如，具有下部吸附座25、紫外線照射單元及上部吸附座26等。
藉由下部吸附座25從背面吸附並保持晶圓W與環框架f。配備成可退出移動至支撐板11之上方位置的紫外線照射單元係從支撐板11側照射紫外線。紫外線的照射時間係以藉透過支撐板11的紫外線促進黏接劑6的聚合反應且使黏接力喪失的方式進行預設。此外，紫外線照射單元可以是紫外燈、紫外線LED或紫外線雷射裝置。在利用紫外線雷射裝置的情況，將焦點深度設定在與支撐板11的黏接界面。
紫外線處理結束時，紫外線照射單元回到待機位置，上部吸附座26下降後，吸附支撐板11。確認吸附支持板11後，如第14圖所示，使上部吸附座26上升，再使支撐板11從黏接劑6分離。支撐板11已被分離的晶圓W被搬運至剝離製程S6。
在剝離製程S6中，如第15圖所示，例如具有剝離帶供給部、夾持工作台27、框架保持部28、黏貼單元29、剝離單元30及帶回收部等。
利用框架保持部28與夾持工作台27吸附並保持環框架f與晶圓W。此時，環框架f與晶圓W之表面成為同一平面。接著，如第16圖所示，使可升降的夾持工作台27上升。因此，從在環框架f與晶圓W外周之間露出之膠帶19的黏接面迄至薄膜狀之黏接劑6之表面的間隙係比常態更大。
晶圓W與環框架f的設定結束時，將從帶供給部通過晶圓W與環框架f之上方後捲繞於帶回收部之寬度比晶圓W之直徑更寬的剝離帶31黏貼於晶圓W上的黏接劑6。即，在下游側藉剝離單元30內的夾輥握持而被賦予既定張力的剝離帶31上，使黏貼單元29所具有之黏貼輥32從膠帶供給方向的下游側朝向上游側滾動。此時，以對剝離帶31賦予固定張力的方式，與黏貼輥32之滾動同步地從帶供給部抽出既定量的剝離帶31。
黏貼輥32通過環框架f後到達終端位置時，如第17圖至第19圖所示，解除夾輥對剝離帶31的握持後，使剝離單元30移至上游側。此時，如第20圖所示，在剝離單元30所具有之邊緣構件33的前端將剝離帶31折回後剝離，同時與該剝離動作同步地利用帶回收部捲繞並回收與黏接劑6一體剝離的剝離帶31。
剝離單元30到達終端位置時，使夾持工作台27下降，然後，使剝離單元30與黏貼單元29回到起始位置。以上係結束晶圓黏片製作的一連串動作，而製作出如第21圖所示的晶圓黏片MF。
依據該晶圓黏片製作方法，藉由只是將既定量之液狀的黏接劑6稍微塗布於由旋轉夾頭1所保持並旋轉之晶圓W的電路面，即可使該黏接劑6侵入至形成於電路面的間隙並使其密接。即，可使黏接劑6之表面變成平坦。即，在以黏接劑6被覆晶圓W的電路面時及將支撐板11黏貼於該黏接劑6之任一情況，都無過度之推壓所造成的應力作用。因此，不會有使晶圓W之電路或凸塊等損壞的情形。
又，在該實施例中，可解決如下的問題。即，以往的方法通常是將寬度比晶圓W之直徑更窄的剝離帶黏貼於殘留在晶圓W上之雙面膠帶後再予以剝離。可是，若利用該剝離帶，拉力會局部地作用於薄膜狀且強度降低的黏接劑6。因此，具有伴隨剝離帶的剝離動作，黏接劑6從剝離帶的剝離部位沿著膠帶側邊裂開而殘留的問題。
因此，在該實施例中，即使是厚度比單面具有黏接層的膠帶及雙面膠帶更薄而成薄膜狀的黏接劑6，由於是以覆蓋該黏接劑6之整個面的方式黏貼剝離帶31後剝離，所以可抑制黏接劑6殘留於晶圓W的電路面。
進而，由於在剝離帶31黏貼於黏接劑6時使夾持工作台27上升，所以與將晶圓W與環框架f保持於同一平面上的情況相比，可使從膠帶19之黏接面迄至黏接劑6之表面的間隙變大。即，即使剝離帶31彎曲而從晶圓W之外周超出，亦可避免帶彼此之黏接。因此，不必為了解除帶彼此之黏接而施加強的拉力。換言之，可避免過度的拉力所造成之晶圓W的損壞及剝離失誤。
<第2實施例>
本實施例如第22圖所示，由黏接劑塗布製程S10、支撐板黏貼製程S20、背面研磨製程S30、支撐製程S40、分離製程S50、黏貼製程S60及剝離製程S70所構成。此外，因為從黏接劑塗布製程S10迄至支撐板分離製程S50係進行與該第1實施例相同的處理，所以針對相異的處理之黏貼製程S60及以後之處理作說明。
已分離支撐板11的晶圓W被搬運至黏貼製程S60。該黏貼製程S60如第23圖及第26圖所示，具有帶供給部、夾持工作台40、框架保持部41、黏貼單元、剝離單元及帶回收部等。
利用在建構成可沿著導軌44移動之可動台45上所配備的框架保持部41及夾持工作台40對晶圓W與環框架f進行吸附保持。此時，環框架f與晶圓W之表面成為同一平面。
晶圓W與環框架f的設定結束時，如第24圖所示，從帶供給部向晶圓W供給按照既定間距添設於帶狀的載送膠帶47之預先裁斷成與晶圓W同形狀以上的膠帶48(預裁膠帶)。
載送膠帶47被配備於黏貼位置的稜邊構件49折回後，膠帶48從載送膠帶47被逐漸剝離。在黏貼位置的上方待機之黏貼單元42的黏貼輥50如第25圖所示，係下降而推壓與晶圓W上之黏接劑6的黏貼端部接近的膠帶48並黏貼。接著，藉由使可動台45與載送膠帶47之供給速度同步地移動，而使黏貼輥50滾動。此時，膠帶48逐漸黏貼於黏接劑6。膠帶48的黏貼結束時，晶圓W被搬運至剝離製程S70。
在剝離製程S70中，如第26圖所示，例如具有剝離帶供給部、夾持工作台51、黏貼單元52、剝離單元53及帶回收部等。
利用夾持工作台51吸附並保持環框架f與晶圓W。此時，環框架f與晶圓W之表面成為同一平面。
晶圓W與環框架f的設定結束時，如第27圖所示，將從帶供給部通過晶圓W與環框架f之上方後捲繞於帶回收部之寬度比晶圓W之直徑更窄的剝離帶54黏貼於晶圓W上的膠帶48。即，在下游側藉剝離單元53內的夾輥握持而被賦予既定張力的剝離帶54上，使黏貼單元52所具有之黏貼輥32a從膠帶供給方向的下游側朝向上游側滾動。此時，以對剝離帶54賦予固定張力的方式，與黏貼輥32a之滾動同步地從帶供給部抽出既定量的剝離帶54。
黏貼輥32a通過環框架f後到達終端位置時，解除夾輥對剝離帶54的握持後，使剝離單元53移至上游側。此時，在剝離單元30所具有之稜邊構件33a的前端使剝離帶54折回後剝離，同時與該剝離動作同步地利用帶回收部捲繞並回收與黏接劑6及膠帶48一體剝離的剝離帶54。
剝離單元53到達終端位置時，使剝離單元53與黏貼單元52回到起始位置。以上，係結束晶圓黏片製作的一連串動作，而製作出如第21圖所示的晶圓黏片MF。
依據該晶圓黏片製作方法，因為是將與晶圓W同形狀以上的膠帶48黏貼於黏接劑6，所以與將環框架f與晶圓W保持於同一平面上的情況相比，可使從膠帶19的黏接面迄至膠帶48之表面的間隙變大。即，就算剝離帶54彎曲而從晶圓W之外周超出，亦可避免帶彼此間的黏接。因此，不必為了解除帶間彼此的黏接而施加強的拉力。換言之，可避免過度的拉力所造成之晶圓W的損壞及剝離失誤。
此外，本發明亦能以如以下所示的形態實施。
(1)在該第2實施例的剝離製程S70中，亦可與第1實施例一樣地將晶圓W保持於可升降的夾持工作台，並將環框架f保持於框架保持部後，在黏貼剝離帶54時使該夾持工作台上升，而將剝離帶54黏貼於膠帶48。
(2)在該兩個實施例及變形例中，亦可在黏貼剝離帶31、54時，如第28圖所示，將已進行過離模處理後的板55配備於膠帶黏貼之開始端及結束端側之晶圓W的外周。依據該構成，彎曲並從晶圓W之外周超出的剝離帶會被擋住。因此，可確實避免膠帶19與剝離帶31、54的黏接。
(3)在該第2實施例的黏貼製程中，亦可多重地黏貼2片以上的膠帶48。
(4)在該各實施例的支撐板黏貼製程中，亦可作成使上部吸附座26及下部吸附座25當中至少任一者內建有加熱器而一面將黏接劑6加熱，一面黏貼支撐板11。
本發明係可在不超出其構想或本質下以其他具體的形態實施，因此，發明之範圍並非以上的說明，而是應參照所附加的申請專利範圍。
1．．．旋轉夾頭
2．．．轉軸
3．．．電動馬達
4．．．噴嘴
5．．．防止飛散杯
6．．．黏接劑
7．．．搬運機器人
8．．．下部吸附座
9．．．上部吸附座
10．．．吸附墊
11．．．支撐板
12．．．夾持工作台
13．．．研磨器
14．．．夾持工作台
15．．．框架保持部
17．．．帶裁斷機構
18．．．段部
19．．．膠帶
20．．．夾輥
21．．．黏貼輥
22．．．裁刀刃
23．．．臂
24．．．輥
f．．．環框架
W．．．晶圓
第1圖係第1實施例所示之晶圓黏片製作的流程圖。
第2圖係表示在黏接劑塗布製程之動作的正視圖。
第3圖至第4圖係表示在支撐板黏貼製程之動作的正視圖。
第5圖至第6圖係表示在背面研磨製程之動作的正視圖。
第7圖係表示在支撐製程之動作的正視圖。
第8圖係表示支撐製程之示意構成的正視圖。
第9圖係表示在支撐製程之動作的正視圖。
第10圖係帶裁斷機構的俯視圖。
第11圖至第12圖係表示在分離製程之動作的正視圖。
第13圖至第14圖係表示在分離製程之動作的正視圖。
第15圖係表示剝離製程之示意構成的正視圖。
第16圖至第18圖係表示在剝離製程之動作的正視圖。
第19圖係表示剝離動作的立體圖。
第20圖係表示在剝離製程之動作的正視圖。
第21圖係晶圓黏片的立體圖。
第22圖係第2實施例所示之晶圓黏片製作的流程圖。
第23圖係表示黏貼製程之示意構成的正視圖。
第24圖係表示在黏貼製程之動作的立體圖。
第25圖係表示在黏貼製程之動作的正視圖。
第26圖係表示剝離製程之示意構成的正視圖。
第27圖係表示剝離製程之動作的立體圖。
第28圖係表示在變形例之剝離製程之剝離帶之黏貼動作的正視圖。

Claims (7)

  1. 一種晶圓黏片製作方法，係經由支撐用膠帶將半導體晶圓支撐於環框架的晶圓黏片製作方法，該方法係包含以下的製程：黏接劑塗布製程，係將液狀的黏接劑塗布於該半導體晶圓的電路面；支撐板黏貼製程，係將與半導體晶圓同形狀以上的支撐板黏貼於該半導體晶圓之黏接劑的塗布面；背面研磨製程，係保持該支撐板，並研磨半導體晶圓之背面；支撐製程，係經由支撐用的該膠帶將半導體晶圓支撐於環框架；分離製程，係從該半導體晶圓將支撐板分離；及剝離製程，係將具有等於或大於半導體晶圓之直徑的寬度之剝離帶黏貼於在該半導體晶圓上呈薄膜狀的黏接劑，並將該剝離帶剝離，藉此，使該黏接劑一體地從半導體晶圓剝離。
  2. 如申請專利範圍第1項之晶圓黏片製作方法，其中在該剝離製程，以個別的吸附座分別將半導體晶圓與環框架吸附並保持；在該半導體晶圓之表面自環框架之表面突出的狀態將剝離帶黏貼於半導體晶圓上的黏接劑。
  3. 如申請專利範圍第2項之晶圓黏片製作方法，其中在該剝離製程，進而在使已離模處理的板接近半導體晶圓之外周的狀態將剝離帶黏貼於半導體晶圓上的黏接劑。
  4. 如申請專利範圍第1項之晶圓黏片製作方法，其中該黏接劑係紫外線硬化型；在該分離製程，從玻璃製的支撐板側照射紫外線，使黏接劑硬化後，使支撐板自黏接劑分離。
  5. 一種晶圓黏片製作方法，係經由支撐用膠帶將半導體晶圓支撐於環框架的晶圓黏片製作方法，該方法係包含以下的製程：黏接劑塗布製程，係將液狀的黏接劑塗布於該半導體晶圓的電路面；支撐板黏貼製程，係將與半導體晶圓同形狀以上的支撐板黏貼於該半導體晶圓之黏接劑的塗布面；背面研磨製程，係保持該支撐板，並研磨半導體晶圓之背面；支撐製程，係經由支撐用的該膠帶將半導體晶圓支撐於環框架；分離製程，係從該半導體晶圓將支撐板分離；黏貼製程，係將預先裁斷成與半導體晶圓同形狀以上膠帶黏貼於在該半導體晶圓上呈薄膜狀的黏接劑；及剝離製程，係將剝離帶黏貼於該膠帶後，將該剝離帶剝離，藉此，將該膠帶與黏接劑一體地從半導體晶圓剝離。
  6. 如申請專利範圍第5項之晶圓黏片製作方法，其中在該剝離製程，黏貼寬度比半導體晶圓之直徑更窄的剝離帶。
  7. 如申請專利範圍第5項之晶圓黏片製作方法，其中該黏接劑係紫外線硬化型；在該分離製程，對玻璃製的支撐板照射紫外線，使黏接劑硬化後，使支撐板自黏接劑分離。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8834662B2 (en) * 2012-03-22 2014-09-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method of separating wafer from carrier
TWI576190B (zh) * 2013-08-01 2017-04-01 Ibm 使用中段波長紅外光輻射燒蝕之晶圓剝離
JP6814620B2 (ja) * 2016-12-08 2021-01-20 株式会社ディスコ 剥離装置
KR102434021B1 (ko) * 2017-11-13 2022-08-24 삼성전자주식회사 캐리어 기판의 디본딩 방법, 이를 수행하기 위한 장치 및 이를 포함하는 반도체 칩의 싱귤레이팅 방법
JP7204389B2 (ja) * 2018-09-18 2023-01-16 株式会社ディスコ テープ貼着装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990028523A (ko) * 1995-08-31 1999-04-15 야마모토 히데키 반도체웨이퍼의 보호점착테이프의 박리방법 및 그 장치
DE10256247A1 (de) * 2002-11-29 2004-06-09 Andreas Jakob Schichtverbund aus einer Trennschicht und einer Schutzschicht zum Schutze und zum Handling eines Wafers beim Dünnen, bei der Rückseitenbeschichtung und beim Vereinzeln
JP2004296839A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Kansai Paint Co Ltd 半導体チップの製造方法
JP4592270B2 (ja) * 2003-10-06 2010-12-01 日東電工株式会社 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置
US7348216B2 (en) * 2005-10-04 2008-03-25 International Business Machines Corporation Rework process for removing residual UV adhesive from C4 wafer surfaces
US20080014532A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 3M Innovative Properties Company Laminate body, and method for manufacturing thin substrate using the laminate body
JP2008258303A (ja) * 2007-04-03 2008-10-23 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法

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