TWI521046B - 螢光體、其製造方法及發光裝置 - Google Patents
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Description
本發明涉及一種螢光體、該螢光體的製造方法及使用該螢光體的發光裝置，所述螢光體具有複合氮氧化物的基質結晶，並且能夠在從紫外線到近紫外線的波長區域被有效激發，從而發出高亮度的藍色光。
螢光體能夠被真空紫外線、紫外線、電子射線、近紫外線等具有高能量的激發源激發，並發出可見光線，但是，如果螢光體長時間暴露在激發源下，則存在螢光體的亮度下降的問題，所以正尋求一種即使長時間使用其亮度下降也小的螢光體。
因此，提出以下方案：使用化學穩定性高、且具有已知能作為耐熱結構材料的氮氧化物類基質的螢光體，來代替以往具有氧化物基質的螢光體，例如矽酸鹽螢光體、磷酸鹽螢光體、鋁酸鹽螢光體、或具有硫化物類基質的螢光體(專利文獻1至3)。
[專利文獻1]國際公開第2006/093298號
[專利文獻2]國際公開第2007/037059號
[專利文獻3]國際公開第2007/105631號
具有氮氧化物類基質的螢光體，是將銪等稀土元素固溶到稱為賽隆(SiAlON)的結晶中而得到者。
本發明人等在對賽隆的結晶結構與稀土元素的關係進行研究時，發現當賽隆的結晶結構與稀土元素滿足特定條件時，可形成一種具有與以往已知的藍色螢光體不同的發光峰值波長、且亮度高的藍色螢光體，從而完成了本發明。
即，本發明的目的是提供一種具有與以往的藍色螢光體不同的發光峰值波長的藍色螢光體、其製造方法以及使用該螢光體的高亮度的發光裝置。
本發明是一種螢光體，其是由通式：MeaRebAlcSidOeNf(其中，Me是選自Sr及Ba的一種以上元素，Re為Eu。)表示的結晶之螢光體，其中組成比a、b、c、d、e及f具有以下關係。
a+b=1
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1.60<c<2.60
2.45<d<4.05
3.05<e<5.00
2.75<f<4.40
本發明的螢光體的c、d、e及f較佳為具有0.500<c/d<0.720及0.900<e/f<1.570的關係。
本發明的螢光體能夠被波長300nm以上420nm以下的光激發，並且在波長450nm以上485nm以下具有發光峰值波長。
從其它觀點來看的發明是製造本發明的螢光體的方法，包括：對下述所示的(1)至(4)的化合物進行混合的混合步驟；對混合步驟後的混合物進行燒成的燒成步驟；在燒成步驟後進行退火處理的退火步驟；在退火步驟後進行酸處理的酸處理步驟：(1)由Me表示的元素(其中，Me是選自Sr及Ba的一種以上元素。)的碳酸鹽、氧化物、氮化物、碳化物、氫化物或矽化物中的一種或多種；(2)由Re表示的元素(其中，Re包含Eu。)的碳酸鹽、氧化物、鹵化物、氮化物、碳化物、氫化物或矽化物中的一種或多種；(3)選自Al氧化物、Al鹵化物、Al氮化物或Al金屬中的一種或多種Al化合物；(4)選自Si氮化物、Si氧化物、Si氮氧化物及Si金屬中的一種或多種Si化合物。
上述燒成步驟較佳為在1大氣壓以上的環境氣體壓力下、在1400℃以上1800℃以下的溫度條件下進行燒成。
上述退火步驟較佳為在1200℃以上1600℃以
下進行退火處理。
在本發明的製造方法中，亦可以對上述(1)至(4)、以及燒成步驟在1大氣壓以上的環境氣體壓力下、1400℃以上1800℃以下的溫度條件下進行燒成而得到的螢光體進行混合。
從其它觀點來看的發明是包括發光元件和本發明的螢光體的發光裝置。
本發明的發光裝置較佳為進一步包括一種以上具有比本發明的螢光體更長波長的發光峰值波長的螢光體。
上述發光元件較佳為採用具有340nm以上450nm以下的發光的無機發光元件或有機發光元件中的任一種。
上述發光元件較佳為LED元件。
發光裝置較佳為液晶TV用背光源、投影機的光源裝置、照明裝置或信號裝置。
由於與以往的藍色螢光體的發光峰值波長相比，本發明的螢光體的發光峰值波長向長波長一側位移，且發光帶寬較寬，並且含有可見度良好的波長區域，所以呈現亮度更高的藍色。根據從其它觀點來看的發明之螢光體的製造方法，能夠製造亮度比以往的螢光體更高的呈現藍色的螢光體。根據從其它觀點來看的發明之發光裝置，能夠提供具有亮度更高的呈現藍色的螢光體的發光裝置。
第1圖是表示本發明的比較例1及實施例1、4、6、9、13、16的螢光體的發光光譜的圖。
第2圖是表示本發明的比較例1及實施例1、4、6、9、13、16的螢光體的激發光譜的圖。
本發明是一種螢光體，其是由通式：MeaRebAlcSidOeNf(其中，Me是選自Sr及Ba的一種以上元素，Re為Eu。)表示的結晶之螢光體，其中組成比a、b、c、d、e及f具有以下關係。
a+b=1
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1.60<c<2.60
2.45<d<4.05
3.05<e<5.00
2.75<f<4.40
如上所述，Me是選自Sr及Ba的一種以上元素，以Ba單體為較佳，包含Sr及Ba兩者時，以使包含Ba較多者為佳。這是因為包含Ba的結晶結構會變得更安定，並且發光效率會變高。
此外，Me除了Sr、Ba以外，亦可以進一步包含選自Mg、Ca、Sc、Y及La中的一種以上元素。
Re元素除了Eu以外，亦可以進一步包含選自
Mn、Ce、Tb、Yb及Sm中的一種以上元素。作為Eu以外的元素，較佳為Ce或Yb。
組成比a至f表示元素之莫耳比，而將a至f乘以任意正數而得到的元素比也會給予相同的組成式。即，由於在本發明中，以a+b=1的方式來限定元素之比，所以，藉由用a+b=1而求出的a至f，能夠判斷某一材料的組成式與本發明的專利範圍的關係。
在本發明的螢光體中，表示由Re所示的Eu等發光元素的離子濃度的b為0.005<b<0.25的範圍，較佳為0.01<b<0.20的範圍，更佳為0.02<b<0.10的範圍。當b低於0.005時，由於發光元素離子的原子數少，因此不能得到充分的發光效率。另一方面，當b高於0.25時，由於發光元素離子的原子數變得過多，並發生相鄰發光離子之間的激發能量的再吸收效應、即稱為濃度猝滅(concentration quenching)的現象，因此同樣也不能得到充分的發光效率。
在本發明的螢光體中，Al元素、Si元素、O元素及N元素的比率由c至f表示，並分別在1.60<c<2.60、2.45<d<4.05、3.05<e<5.00、2.75<f<4.40的範圍。在滿足上述組成比a至f的所有條件的範圍時，本發明的螢光體的結晶結構穩定。如果上述數值低於其下限值、或者高於其上限值，則由於在製造時促進第二相燒成物的形成，或者製造得到的螢光體的發光效率降低，所以不佳。
上述組成比c至f的條件更佳為1.83<c<2.20、2.73
<d<3.50、3.28<e<4.90、3.12<f<4.23。
本發明的螢光體的c/d及e/f較佳為具有0.500<c/d<0.720及0.900<e/f<1.570的關係。
確定Al元素和Si元素之比的c/d以及確定O元素和N元素之比的e/f分別為0.500<c/d<0.720、0.900<e/f<1.570，較佳為0.610<c/d<0.690、1.000<e/f<1.450，並且，當設為0.620<c/d<0.675、1.007<e/f<1.320時，結晶結構更穩定，並且發光效率更高，所以更佳。與c/d及e/f在範圍內的螢光體相比，c/d及e/f超出上述範圍的螢光體的發光效率較低。
當本發明的螢光體的組成比a至f設為0.90<a<0.98、0.02<b<0.10、1.83<c<2.20、2.73<d<3.50、3.28<e<4.47、3.12<f<4.04、0.620<c/d<0.675、1.007<e/f<1.320時，結晶結構更穩定，並且發光峰值波長也穩定在470nm附近，所以較佳。
本發明的螢光體較佳為被波長300nm以上420nm以下的光激發，並在波長450nm以上485nm以下具有發光峰值波長，更佳為發光峰值波長屬於波長469nm±8nm的範圍。
本發明的螢光體的製造方法包括：對如下所示的(1)至(4)的化合物進行混合的混合步驟；對混合步驟後的混合物進行燒成的燒成步驟；在燒成步驟後進行退火處理的退火步驟；在退火步驟後進行酸處理的酸處理步驟：(1)由Me表示的元素(其中，Me是選自Sr及Ba的一種
以上元素，並且可以進一步含有選自Mg、Ca、Sc、Y、La中的一種以上元素。)的碳酸鹽、氧化物、氮化物、碳化物、氫化物或矽化物中的一種或多種；(2)由Re表示的元素(其中，Re包含Eu，並且可以進一步含有選自Mn、Ce、Tb、Yb、Sm中的一種以上元素。)的碳酸鹽、氧化物、鹵化物、氮化物、碳化物、氫化物或矽化物中的一種或多種；(3)選自Al氧化物、Al鹵化物、Al氮化物或Al金屬中的一種或多種Al化合物；(4)選自Si氮化物、Si氧化物、Si氮氧化物、Si金屬中的一種或多種Si化合物。
化合物(1)至(4)的混合比例，基於組成比a至f進行設計即可。可以向化合物(1)至(4)中加入助熔劑。作為助熔劑，可以使用鹼金屬的鹵化物、鹼土金屬的鹵化物、Al的鹵化物等，例如，相對於100wt%的化合物(1)至(4)，可以在0.01~20wt%的範圍添加上述助熔劑。
Me元素及Re元素是如上所述。
燒成步驟較佳為在1大氣壓以上的環境氣體壓力下、在1400℃以上1800℃以下進行燒成，進一步較佳為在1500℃以上1700℃以下進行燒成。當燒成溫度為1400℃以下時，由於化合物之間不會進行充分的反應，所以會引起第二相的生成和結晶性的下降。當燒成溫度為1800℃以上時，藉由經過液相的反應，燒成物完全變成燒結體，對其進行粉末化時所進行的機械粉碎等會導致發光效率的下降和結晶性的下降。燒成步驟較佳為在
氮氣環境中1大氣壓以上的壓力下進行。
在燒成步驟的最高溫度下的保持時間根據燒成溫度而改變，但通常保持時間是1~20小時。
退火步驟較佳為在1200℃以上1600℃以下進行退火處理。退火步驟的環境氣體可以是氮氣、氬氣及氫氣中的一種或二種以上的混合氣體。
用於酸處理步驟的酸性溶液可以是鹽酸、硫酸、硝酸中的一種或二種以上的混合溶液、或者是用離子交換水稀釋該混合溶液而得到的溶液。
亦可以在上述(1)至(4)的化合物中，混合藉由上述製造方法所製造的螢光體。在原料中加入螢光體的比例，可以是相對於混合後的原料為20wt%以下的範圍。
本發明的發光裝置包括發光元件和本發明的螢光體。所述發光裝置可以使用本發明的螢光體以及一種以上與本發明的螢光體相比在更長的波長處具有發光峰值波長的螢光體。
與本發明的螢光體相比在更長的波長處具有發光峰值波長的螢光體，是指在485nm以上的波長區域具有發光峰值的螢光體，例如有β-SiAlON：Eu、(Ba,Sr)2SiO4：Eu、Sr-SiAlON：Eu、α-SiAlON：Eu、(Li,Ca)(Al,Si)2(N,O)3：Ce、(Ca,Sr,Ba)2Si5N8：Eu、SrAlSi4N7：Eu、(Ca,Sr)AlSiN3：Eu、La2O2S：Eu。
發光元件較佳為具有300nm以上420nm以下的發光的無機發光元件或有機發光元件中的任意一種。
發光元件例如為LED元件。
發光裝置亦可以為液晶電視用背光源、投影機的光源裝置、照明裝置或信號裝置。
以下針對本發明的實施例進行詳細說明。
作為螢光體的原料，使用Si3N4(氮化矽)、Al2O3(氧化鋁)、SrCO3(碳酸鍶)、BaCO3(碳酸鋇)及Eu2O3(氧化銪)的粉末。以使此等成為通式：MeaRebAlcSidOeNf中規定的組成比的方式稱量上述原料，用乳缽進行乾式混合而製成混合粉末。另外，Me元素為Sr及Ba(實施例11、12、13中僅為Ba，實施例15中僅為Sr)，Re元素僅為Eu。
將得到的混合粉末填充到BN(氮化硼)製的坩堝中。
將填充有混合粉末的BN製坩堝，設置在以碳纖維形成體作為絕熱材料並使用石墨加熱器加熱方式的電爐中，對混合粉末進行燒成。燒成是藉由回轉泵及擴散泵使電爐的加熱框體內成為真空，然後於室溫下填充氮氣直至達到1大氣壓，並以每小時500℃的速度從室溫升溫至1600℃，並在1600℃下保持4小時。
粉碎燒成物，製成螢光體粉末。
利用以下方法對螢光體的發光效率進行測定。
藉由分光器將從作為光源的Xe燈發射出的光分光成405nm，從而得到激發光，利用光纖對設置在積分球內
的螢光體照射激發光，並使用大塚電子股份有限公司製造的MCPD-7000，觀測由該激發光引起的螢光體的發光。
表1記載的相對發光效率是以比較例1的螢光體(通稱為BAM，具有氧化物基質的以往的藍色螢光體，代表性組成是BaMgAl10O17：Eu，峰值波長為455nm。)的發光效率作為100%時的相對值。由光譜特徵可知，實施例1至17、比較例2及3的螢光體是高亮度的螢光體，所以相對發光效率在90%以上為合格值。
基於螢光體的實施例的分析值求出螢光體的組成比a至f。Me元素、Re元素、Al及Si的陽離子元素使用由ICP得到的分析值，O及N的陰離子使用由氮氧分析儀得到的分析值。結果示於表1。
實施例1的螢光體是(Sr,Ba)0.93Eu0.07Al2.14Si3.25O4.47N3.40。此外，Sr、Ba的組成比(莫耳比)是Sr：Ba=1.00：1.25。在比較例1的市售螢光體的發光效率為100%時，實施例1的螢光體的相對發光效率為92%，其在合格值以上。雖然在表1中沒有記載，但實施例1的螢光體的發光峰值波長在469nm±8nm的範圍內。
實施例2的螢光體是對實施例1的螢光體粉末，在氮氣環境中(大氣壓)於1200℃進行8小時的退火處理者。實施例2的螢光體的相對發光效率為97%，雖然在表1中沒有記載，但其發光峰值波長在469nm±8nm的範圍內。藉由退火處理，提高了相對發光效率。
實施例3的螢光體是對實施例1的螢光體，在氮氣環境中(大氣壓)於1300℃進行8小時的退火處理者。實施例3的螢光體的相對發光效率為100%，雖然在表1中沒有記載，但其發光峰值波長在469nm±8nm的範圍內。藉由改變退火處理的條件，提高了相對發光效率。
實施例4的螢光體是對實施例1的螢光體，在氮氣環境中(大氣壓)於1400℃進行8小時的退火處理者。實施例4的螢光體的相對發光效率為107%，雖然在表1中沒有記載，但其發光峰值波長在469nm±8nm的範圍內。藉由改變退火處理的條件，提高了相對發光效率。
實施例5的螢光體是對實施例1的螢光體，在氮氣環境中(大氣壓)於1500℃進行8小時的退火處理者。實施例5的螢光體的相對發光效率為108%，雖然在表1中沒有記載，但其發光峰值波長在469nm±8nm的範圍內
。藉由改變退火處理的條件，提高了相對發光效率。
實施例6的螢光體是對實施例1的螢光體粉末進行酸處理者。本實施例的酸處理步驟是將在實施例1中製造的螢光體粉末投入以離子交換水稀釋硝酸而得到的酸性溶液(溶液溫度30℃)中，並處理30~60分鐘。硝酸的稀釋率以體積比計為12%。實施例6的螢光體的相對發光效率為99%，雖然在表1中沒有記載，但其發光峰值波長在469nm±8nm的範圍內。藉由進行酸處理，提高了相對發光效率。在後述的實施例7、10及實施例13中也相同。
實施例7的螢光體，是對實施例2的螢光體粉末進行與實施例6的酸處理步驟相同的酸處理步驟者。實施例7的螢光體的相對發光效率為105%，雖然在表1中沒有記載，但其發光峰值波長在469nm±8nm的範圍內。
實施例8的螢光體，是對實施例3的螢光體粉末進行與實施例6的酸處理步驟相同的酸處理步驟者。實施例8的螢光體的相對發光效率為111%，雖然在表1中沒有記載，但其發光峰值波長在469nm±8nm的範圍內。
實施例9的螢光體，是對實施例4的螢光體粉末進行與實施例6的酸處理步驟相同的酸處理步驟者。實施例9的螢光體的相對發光效率為115%，雖然在表1中沒有記載，但其發光峰值波長在469nm±8nm的範圍內。
實施例10的螢光體，是對實施例5的螢光體粉末進行與實施例6的酸處理步驟相同的酸處理步驟者。實施例10的螢光體的相對發光效率為112%，雖然在表1中沒有記載，但其發光峰值波長在469nm±8nm的範圍內。
實施例11的螢光體，是除了Me元素僅為Ba以外，藉由與實施例1同樣的方法所製造者，其為Ba0.93Eu0.07Al1.84Si2.73O3.49N3.17。實施例11的螢光體的相對發光效率為97%，雖然在表1中沒有記載，但其發光峰值波長在469nm±8nm的範圍內。
實施例12的螢光體是對實施例11的螢光體，在氮氣環境中(大氣壓)於1400℃進行8小時的退火處理者。實施例4的螢光體的相對發光效率為112%，雖然在表1中沒有記載，但其發光峰值波長在469nm±8nm的範圍內。藉由改變退火處理的條件，提高了相對發光效率。
實施例13的螢光體，是對實施例12的螢光體粉末進行與實施例6的酸處理步驟相同的酸處理步驟者。實施例13的螢光體的相對發光效率為119%，該相對發光效率是實施例中的最高值。雖然在表1中沒有記載，但其發光峰值波長在469nm±8nm的範圍內。
實施例14的螢光體是(Sr,Ba)0.93Eu0.07Al2.06Si3.94O3.92N4.23。此外，Sr、Ba的組成比是Sr：Ba=1.00：1.41。實施例14的螢光體的相對發光效率為91%，雖然在表1中沒有記載，但其發光峰值波長在469nm±8nm的範圍內。
實施例15的螢光體，是除了Me元素僅為Sr以外，藉由與實施例1同樣的方法所製造者，其為Sr0.92Eu0.08Al2.09Si3.03O4.31N3.32。實施例11的螢光體的相對發光效率為93%，雖然在表1中沒有記載，但其發光峰值波長在469nm±8nm的範圍內。
實施例16的螢光體是(Sr,Ba)0.98Eu0.02Al1.90Si2.90O3.66N3.18。此外，Sr、Ba的組成比是Sr：Ba=1.00：1.19。實施例16的螢光體的相對發光效率為90%，雖然在表1中沒有記載，但其發光峰值波長在469nm±8nm的範圍內。
實施例17的螢光體是(Sr,Ba)0.90Eu0.10Al2.15Si3.09O4.90N3.16。此外，Sr、Ba的組成比是Sr：Ba=1.00：1.14。實施例17的螢光體的相對發光效率為92%，雖然在表1中沒有記載，但其發光峰值波長在469nm±8nm的範圍內。
比較例2的螢光體是(Sr,Ba)0.92Eu0.08Al1.58Si2.42O3.61N2.57，Al、Si、N的組成比c、d、f沒有包含在本發明的比率範圍內。比較例2的螢光體的相對發光效率為31%，低於合格值。
比較例3的螢光體是(Sr,Ba)0.92Eu0.08Al2.72Si4.09O5.01N4.59，Al、Si、O、N的組成比c、d、e、f沒有包含在本發明的比率範圍內，比較例3的螢光體的相對發光效率為74%，低於合格值。
與比較例1的藍色螢光體的發光峰值相比，實施例1至17的螢光體的發光峰值波長向長波長一側位移，所以是亮度更高的藍色。
相對於實施例1至17的螢光體的相對發光效率都在合格值以上，未滿足組成a至f的數值限定、尤其未滿足c至f的比較例2及3的螢光體的相對發光效率低於合格值。
表2表示實施例的製造條件。
第1圖表示本發明的比較例1及實施例1、4、6、9、13、16的螢光體的發光光譜。第2圖表示本發明的比較例1及實施例1、4、6、9、13、16的螢光體的激發光譜的測定結果。
第1圖的縱軸是使比較例1及實施例1、4、6、9、13、16的螢光體的發光光譜的峰值為1時的標準強度。與比較例1的市售螢光體相比，本發明的螢光體的發光峰值波長位於長波長一側。亦即，相對於比較例1的發光峰值波長為456nm，實施例1、4、6、9、13、16的發光峰值波長為469nm±8nm的範圍內。與比較例1的螢光體相比，本發明的螢光體由於發光帶寬較寬且包括大量可
見度良好的波長區域的可見光，所以發光的亮度相對強。
第2圖的縱軸是使比較例1及實施例1、4、6、9、13、16的激發光譜的峰值為1時的標準強度。本發明的螢光體在波長250nm~430nm附近具有基本平坦的激發強度。與比較例1的螢光體相比，本發明的實施例1、4、6、9、13、16的螢光體尤其能有效地被波長380nm~420nm的近紫外區域的光激發。由該結果可知，本發明的螢光體藉由近紫外發光二極體而有效地進行發光。
Claims (16)
- 一種螢光體，其是由通式：MeaRebAlcSidOeNf(其中，Me是選自Sr及Ba的一種以上元素，Re是Eu)表示的螢光體，其中組成比a、b、c、d、e及f具有以下關係：a+b=1，0.005<b<0.25，1.60<c<2.60，2.45<d<4.05，3.05<e<5.00，2.75<f<4.40。
- 如申請專利範圍第1項的螢光體，其中該組成比c、d、e及f具有以下關係：0.500<c/d<0.720，0.900<e/f<1.570。
- 如申請專利範圍第1或2項的螢光體，其是被波長300nm以上420nm以下的光激發，並在波長450nm以上485nm以下具有發光峰值波長。
- 一種螢光體的製造方法，其是製造如申請專利範圍第1項的螢光體的螢光體的製造方法，其包括：對以下所示的(1)至(4)的化合物進行混合的混合步驟；對混合步驟後的混合物進行燒成的燒成步驟；在燒成步驟後進行退火處理的退火步驟；在退火步驟後進行酸處理的酸處理步驟；(1)由Me表示的元素(其中，Me是選自Sr及Ba的一種以上元素)的碳酸鹽、氧化物、氮化物、碳化物、 氫化物或矽化物中的一種或多種；(2)由Re表示的元素(其中，Re是Eu)的碳酸鹽、氧化物、鹵化物、氮化物、碳化物、氫化物或矽化物中的一種或多種；(3)選自Al氧化物、Al鹵化物、Al氮化物或Al金屬中的一種或多種Al化合物；(4)選自Si氮化物、Si氧化物、Si氮氧化物及Si金屬中的一種或多種Si化合物。
- 如申請專利範圍第4項的螢光體的製造方法，其中該燒成步驟是在1大氣壓以上的環境氣體壓力下、在1400℃以上1800℃以下的溫度下進行燒成。
- 如申請專利範圍第4或5項的螢光體的製造方法，其中該退火步驟是在1200℃以上1600℃以下的溫度下進行退火處理。
- 如申請專利範圍第6項的螢光體的製造方法，其中該退火步驟的環境氣體是氮氣、氬氣及氫氣中的一種或二種以上的混合氣體。
- 如申請專利範圍第4項的螢光體的製造方法，其中該退火步驟的環境氣體是氮氣、氬氣及氫氣中的一種或二種以上的混合氣體。
- 如申請專利範圍第4項的螢光體的製造方法，其中用於該酸處理步驟的酸性溶液是鹽酸、硫酸、硝酸中的一種或二種以上的混合溶液、或者是用離子交換水稀釋該混合溶液而得到的溶液。
- 一種螢光體的製造方法，其是製造如申請專利範圍第 1項的螢光體的螢光體的製造方法，其包括：對以下所示的(1)至(4)的化合物以及利用如申請專利範圍第5項得到的螢光體進行混合的混合步驟；對混合步驟後的混合物進行燒成的燒成步驟；在燒成步驟後進行退火處理的退火步驟；在退火步驟後進行酸處理的酸處理步驟；(1)由Me表示的元素(其中，Me是選自Sr及Ba的一種以上元素)的碳酸鹽、氧化物、氮化物、碳化物、氫化物或矽化物中的一種或多種；(2)由Re表示的元素(其中，Re是Eu)的碳酸鹽、氧化物、鹵化物、氮化物、碳化物、氫化物或矽化物中的一種或多種；(3)選自Al氧化物、Al鹵化物、Al氮化物或Al金屬中的一種或多種Al化合物；(4)選自Si氮化物、Si氧化物、Si氮氧化物及Si金屬中的一種或多種Si化合物。
- 如申請專利範圍第10項的螢光體的製造方法，其中相對於該(1)至(4)的化合物，以20wt%以下的範圍來添加該螢光體。
- 一種發光裝置，其包括發光元件和如申請專利範圍第1至3項中任一項的螢光體。
- 如申請專利範圍第12項的發光裝置，其中該發光元件是具有340nm以上450nm以下的發光的無機發光元件或有機發光元件。
- 如申請專利範圍第12項的發光裝置，其中該發光元 件是LED元件。
- 如申請專利範圍第12項的發光裝置，其中該發光裝置是液晶TV用背光源、投影機的光源裝置、照明裝置或信號裝置。
- 一種發光裝置，其包括發光元件、如申請專利範圍第1至3項中任一項的螢光體、以及進一步包括一種以上具有比如申請專利範圍第1至3項中任一項的螢光體更長波長的發光峰值波長的螢光體。
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