TWI519794B - 互連結構、其製造方法及其應用 - Google Patents

Description

互連結構、其製造方法及其應用

本發明係提供一種互連結構、其製造方法及其應用，尤指一種透過模組化互連結構，俾達成極佳之機械與電器性能者。

按，一般半導體晶片與積體電路於製造過程，為了測試各晶圓的積體電路之特性及參數，將連接至測試設備(Devices under test,DUTs)，令每一晶片在切割前，需要利用電互連器個別進行測試，其主要係確保積體電路之功能是否可正常運作，此測試過程應考量到晶片設計及密度，顯見所述電互連器必須隨著科技發展而與時俱進。

近年來，更是隨著積體電路技術之快速成長，使得半導體積體電路之尺寸漸趨縮小，以求取單位晶圓面積容量提升，並增進操作速度，相對之下，應用於至少二電子組件之電互連器同樣欲達到更小的節距(pitch)，進而發展出空間相對緊密之接觸墊，再者，探針陣列之空間或節距必須對應接觸墊或凸塊之電連接需求漸增，同時對於共面性(planarity)之需求亦漸增。

惟，經查習用電子組件之電互連器，如所述節距過小則會影響操作速度、可靠度及良率，是以其或許可分別解決前述些許缺失，但仍未有單一電互連器能完全符合需求，換言之，製程技術最迫切需要改善的是，應用於半導體封裝上每一電接觸點之測試設備，藉以提供所需之機械性能，例如彈簧力、順應性，以及去除於接觸墊或凸塊表面的膜之擦刮 動作。

有鑑於此，吾等發明人乃潛心進一步研究習用電子組件之電互連器，並著手進行研發及改良，期以一較佳創作以解決上述問題，且在經過不斷試驗及修改後而有本發明之問世。

緣是，本發明之目的係為解決先前技術之限制，吾等發明人提供一種互連結構、其製造方法及其應用，於連接至測試設備時，以對應空間或節距密集之接觸墊或凸塊，並確實達到良好的彈簧力、順應性及擦刮動作之機械性能。

為達致以上目的，吾等發明人係提供一種互連結構之製造方法，其步驟係包括：於一導電層形成至少一圖案化區域，所述圖案化區域係具有至少一匯流部及一接觸結構；於該導電層對應設置一遮罩層，且於該接觸結構表面電鍍金屬材料，藉以形成一薄片層；於一非導電層形成至少一第一開口，所述第一開口係對應所述圖案化區域而製成者；於一黏著層形成至少一第二開口，所述第二開口係對應所述圖案化區域而製成者；依序堆疊並層壓該薄片層、該黏著層及該非導電層；以及根據所述第一開口及第二開口而單一化該接觸結構，並形成至少一互連元件。

據上所述之互連結構之製造方法，其中形成該薄片層之步驟，更包含：該遮罩層係對應該匯流部而具有遮蔽區域，其對應該接觸結構則係具有非遮蔽區域。

據上所述之互連結構之製造方法，其中形成該薄片層之步驟，更包含：該接觸結構係包含分別成型於該匯流部兩側之第一接觸臂及第二接觸臂，並彎折該薄片層，使得所述第一接觸臂及第二接觸臂位於不同平面。

據上所述之互連結構之製造方法，其中形成所述圖案化區域之步驟，更包含：該等匯流部為兩相對應且平行之匯流部，且該接觸結構係包含連貫於該等匯流部之第三接觸臂。

據上所述之互連結構之製造方法，其中形成該薄片層之步驟，更包含：彎折該薄片層，使得該等匯流部位於不同平面。

據上所述之互連結構之製造方法，其中，單一化該接觸結構係使用一製程選自一蝕刻製程、一衝壓製程、一雷射製程或一鑽削製程。

據上所述之互連結構之製造方法，其中單一化該接觸結構之步驟，更包含：根據所述遮蔽區域完全移除該匯流部，而形成至少一連結段。

據上所述之互連結構之製造方法，其中單一化該接觸結構之步驟，更包含：根據所述遮蔽區域部分移除該匯流部，而形成至少一連結段及至少一結合段。

據上所述之互連結構之製造方法，更進一步包含步驟：重複堆疊複數該薄片層、該黏著層及該非導電層並形成一互連模組。

據上所述之互連結構之製造方法，更進一步包含步驟：於該互連模組定義一選定區域，根據該選定區域切割並製成一探針晶片。

據上所述之互連結構之製造方法，更進一步包含步驟：於該互連模組定義一選定區域，根據該選定區域切割並製成一中介件。

據上所述之互連結構之製造方法，其中，該導電層材料係選自鈹銅合金、磷青銅、彈簧鋼或鎳鈦合金組成之群組。

據上所述之互連結構之製造方法，其中，該金屬材料係選自鎳、金、鈀、銠或鉑組成之群組。

據上所述之互連結構之製造方法，其中，該非導電層材料 係選自玻璃布基有環氧樹脂(FR4)、聚醯亞胺(Polyimide)或陶瓷(Ceramic)組成之群組。

據上所述之互連結構之製造方法，其中，該接觸結構係包含分別成型於該匯流部兩側之第一接觸臂及第二接觸臂。

據上所述之互連結構之製造方法，其中，所述第一接觸臂及第二接觸臂係分別成型有至少一彎曲部，並於所述第一接觸臂及第二接觸臂頂端成型有一突出部。

據上所述之互連結構之製造方法，其中，所述第一接觸臂與第二接觸臂係分別具有相異彈簧率。

據上所述之互連結構之製造方法，其中，該等第一接觸臂之間係具有相異彈簧率。

據上所述之互連結構之製造方法，其中，該等第二接觸臂之間係具有相異彈簧率

據上所述之互連結構之製造方法，其中，該等第一接觸臂之間係具有一第一節距，且該等第二接觸臂之間係具有一第二節距

據上所述之互連結構之製造方法，其中，該等第一接觸臂係與第二接觸臂相互對應，並呈間隔排列。

據上所述之互連結構之製造方法，其中，該等第一接觸臂與第二接觸臂係分別兩兩相對，並呈間隔排列。

為達致以上目的，吾等發明人另提供一種互連結構，其係包含有：至少一互連元件，所述互連元件係具有一間隔件及複數第一接觸臂，該間隔件係包含有至少一薄片層、複數黏著層及複數非導電層，所述薄片層係位於所述黏著層之間，且所述黏著層係位於所述非導電層之間；該等第一接觸臂係同向延伸自該間隔件。

為達致以上目的，吾等發明人又提供一種互連結構，其係包含有：至少一互連元件，所述互連元件係具有至少二間隔件及複數第三接觸臂，該等間隔件係相互對應並平行，所述間隔件係包含有至少一薄片層、複數黏著層及複數非導電層，所述薄片層係位於所述黏著層之間，且所述黏著層係位於所述非導電層之間；該等第三接觸臂係連貫該等間隔件。

為達致以上目的，吾等發明人係提供一種探針卡結構，其係包含有：一探針晶片，其係具有一基體及一設置於該基體之互連模組，該互連模組係包含複數互連元件，所述互連元件係具有至少二間隔件及複數第三接觸臂，該等間隔件係相互對應並平行，所述間隔件係包含有至少一薄片層、複數黏著層及複數非導電層，所述薄片層係位於所述黏著層之間，且所述黏著層係位於所述非導電層之間；該等第三接觸臂係連貫該等間隔件，又，該其一互連元件係利用該等第三接觸臂之一端係耦接一待測元件，且該等第三接觸臂之另端係耦接一電路板。

為達致以上目的，吾等發明人另提供一種探針卡結構，其係包含有：一探針晶片，其係具有一基體及一設置於該基體之第一互連模組，該第一互連模組係包含至少一第一互連元件，所述第一互連元件係具有一間隔件及複數第一接觸臂，該等第一接觸臂係同向延伸自該間隔件；以及一中介件，其係具有一框體及一設置於該框體之第二互連模組，該第二互連模組係包含至少一第二互連元件，所述第二互連元件係具有一間隔件及複數第一接觸臂，該等第一接觸臂係同向延伸自該間隔件，並朝該間隔件反向延伸複數第二接觸臂；藉之，該第一互連模組之第一接觸臂係耦接一待測元件，且其間隔件係組設一間隔變壓器，該間隔變壓器於組設該第一互連模組之相反側係耦接該第二互連模組之第一接觸臂，且該第二互連模組係利用其第二接觸臂耦接一電路板。

藉由上述設置，與先前技術相較之下，本發明主要係能依照使用者需求，進行模組化互連結構，其中，該薄片層、該黏著層及該非導電層皆為平面構造，並根據需求決定重複堆疊該薄片層、該黏著層及該非導電層之層數，意即該等互連元件為可變尺寸而形成互連模組，此互連模組能進一步形成三維立體結構者，並應用在探針卡結構，其可根據使用需求配置或未配置該間隔變壓器，以連結至待測元件進行電性測試，再者，該間隔件係能防止該等第一接觸臂、第二接觸臂或第三接觸臂於受力時過度彎曲而損壞，本發明亦能適用安裝於一電子組件，俾具有良好的機械與電器性能，例如彈簧力、順應性，以及去除於接觸墊或凸塊表面的膜之擦刮動作，同時可大幅減低節距等優點及功效。

〔本發明〕

1‧‧‧導電層

2‧‧‧圖案化區域

21‧‧‧匯流部

22‧‧‧接觸結構

23、24‧‧‧連結段

25‧‧‧結合段

221‧‧‧第一接觸臂

222‧‧‧第二接觸臂

2211、2221‧‧‧彎曲部

2212、2222‧‧‧突出部

3‧‧‧遮罩層

31‧‧‧遮蔽區域

32‧‧‧非遮蔽區域

4‧‧‧薄片層

5‧‧‧非導電層

51‧‧‧第一開口

6‧‧‧黏著層

61‧‧‧第二開口

7‧‧‧加壓板

8、8a‧‧‧互連元件

81a‧‧‧間隔件

811a‧‧‧薄片層

812a‧‧‧黏著層

813a‧‧‧非導電層

82a‧‧‧第一接觸臂

83a‧‧‧第二接觸臂

821a、831a‧‧‧彎曲部

822a、832a‧‧‧突出部

8b‧‧‧互連元件

81b‧‧‧間隔件

811b‧‧‧薄片層

812b‧‧‧黏著層

813b‧‧‧非導電層

82b‧‧‧第一接觸臂

83b‧‧‧第二接觸臂

821b、831b‧‧‧彎曲部

822b、832b‧‧‧突出部

841c、841d、841e‧‧‧彎曲部

842c、842d、842e‧‧‧突出部

9‧‧‧互連模組

91‧‧‧選定區域

10‧‧‧探針晶片

101‧‧‧基體

102‧‧‧第一互連元件

1021‧‧‧間隔件

1022‧‧‧第一接觸臂

20‧‧‧中介件

201‧‧‧框體

202‧‧‧第二互連元件

2021‧‧‧間隔件

2022‧‧‧第一接觸臂

2023‧‧‧第二接觸臂

30‧‧‧待測元件

40‧‧‧間隔變壓器

50‧‧‧電路板

60‧‧‧探針晶片

601‧‧‧基體

602‧‧‧互連元件

6021‧‧‧間隔件

6022‧‧‧第三接觸臂

70‧‧‧待測元件

701‧‧‧第一耦接點

80‧‧‧電路板

801‧‧‧第二耦接點

602a‧‧‧互連元件

6021a‧‧‧間隔件

6022a‧‧‧第三接觸臂

70a‧‧‧待測元件

80a‧‧‧電路板

100‧‧‧電子組件

22a、22b、22c、22d、22e、22f、22g‧‧‧接觸結構

23a、23b、23c、23d、23e、23f、23g‧‧‧接觸結構

〔第1圖〕係本發明之製造方法之導電層形成示意圖。

〔第2圖〕係本發明之製造方法之薄片層、黏著層及非導電層之堆疊示意圖。

〔第3圖〕係本發明之製造方法之薄片層之局部結構放大示意圖。

〔第4圖〕係本發明之製造方法中經由加壓板之疊層示意圖。

〔第5圖〕係本發明之製造方法之單一化接觸結構之形成示意圖。

〔第6圖〕係於第5圖之局部結構放大示意圖。

〔第7圖〕係本發明之製造方法之形成連結段之示意圖。

〔第8圖〕係本發明之製造方法之互連元件之一結構示意 圖。

〔第9圖〕係本發明之製造方法之互連元件之另一結構示意圖。

〔第10圖〕係本發明之一實施例之立體外觀示意圖。

〔第11圖〕係本發明之另一實施例之立體外觀示意圖。

〔第12A圖至第12C圖〕係本發明之接觸結構具有相異態樣示意圖。

〔第13圖〕係本發明之製造方法之互連模組之形成示意圖。

〔第14圖〕係本發明製成探針晶片或中介件示意圖。

〔第15圖〕係本發明之一實施例之探針卡結構示意圖。

〔第16圖〕係本發明之另一實施例之探針卡結構示意圖。

〔第17圖〕係本發明之又一實施例之探針卡結構示意圖。

〔第18圖〕係本發明於第17圖進一步形成三維結構示意圖。

〔第19圖〕係根據本發明另一實施例耦接至電子組件之示意圖。

〔第20圖〕係本發明之互連元件相互插接示意圖。

〔第21A至21F圖〕係本發明之互連元件相互插接並具有相異態樣示意圖。

關於吾等發明人之技術手段，茲舉數種較佳實施例配合圖式於下文進行詳細說明，俾供 鈞上深入了解並認同本發明。

請先參閱第1圖至第13圖所示，本發明係一種互連結構之 製造方法，其步驟係包括：於一導電層1形成至少一圖案化區域2，該等圖案化區域2係呈陣列式排列，且所述圖案化區域2係具有至少一匯流部21及一接觸結構22，該接觸結構22係包含分別成型於該匯流部21兩側之第一接觸臂221及第二接觸臂222，所述第一接觸臂221及第二接觸臂222係分別成型有至少一彎曲部2211、2221，並於所述第一接觸臂221及第二接觸臂222頂端成型有一突出部2212、2222，又，該導電層1材料係選自鈹銅合金、磷青銅、彈簧鋼或鎳鈦合金組成之群組；於該導電層1對應設置一遮罩層3，該遮罩層3係對應該匯流部21而具有遮蔽區域31，其對應該接觸結構22則係具有非遮蔽區域32，且於該接觸結構22表面電鍍金屬材料，即該第一接觸臂221及第二接觸臂222表面係電鍍金屬材料，該金屬材料係選自鎳、金、鈀、銠或鉑組成之群組，其電鍍係茲舉鎳/金組成、鎳/金/鈀/金組成、鎳/金/銠組成、鎳/金/鉑組成或其他組成為例，藉以形成一薄片層4；於一非導電層5形成至少一第一開口51，所述第一開口51係對應所述圖案化區域2而製成者，又，該非導電層5材料係選自玻璃布基有環氧樹脂(FR4)、聚醯亞胺(Polyimide)或陶瓷(Ceramic)組成之群組；於一黏著層6形成至少一第二開口61，所述第二開口61係對應所述圖案化區域2而製成者，且所述第二開口61係使用一製程選自一車床加工製程或一雷射製程；依序堆疊並利用兩相對應之加壓板7，進行層壓該薄片層4、該黏著層6及該非導電層5；以及根據所述第一開口51及第二開口61而單一化該接觸結構22，其係根據所述遮蔽區域31完全移除該匯流部21，而形成至少一連結段 23，概如第7圖所示般，所述單一化該接觸結構22係使用一製程選自一蝕刻製程、一衝壓製程、一雷射製程或一鑽削製程，並經由車床加工磨除後，形成至少一互連元件8，該等互連元件8應同樣係呈陣列式排列，為清楚表現所述互連元件8之結構僅繪製其一，特予敘明，又，於此步驟中若係根據所述遮蔽區域31部分移除該匯流部21，而形成至少一連結段24及至少一結合段25，概如第9圖所示，該其二相鄰的第一接觸臂221係形成自一結合段25，而另一第一接觸臂221則係形成自一連結段24，所述結合段25及連結段24係呈間隔排列設置者，顯見該等連結段24與結合段25係能依照使用需求而進行配置。

請再次參閱第10圖所示，根據前述製造方法，本發明之一實施例係提供一種互連結構，其係包含有： 至少一互連元件8a，所述互連元件8a係具有一間隔件81a、複數第一接觸臂82a及複數第二接觸臂83a，該間隔件81a係包含有至少一薄片層811a、複數黏著層812a及複數非導電層813a，所述薄片層811a係位於所述黏著層812a之間，且所述薄片層811a係包含有導電層，該導電層材料係選自鈹銅合金、磷青銅、彈簧鋼或鎳鈦合金組成之群組，且該等第一接觸臂82a係一體成型自該導電層，於該等第一接觸臂82a表面係電鍍有金屬材料，該金屬材料係選自鎳、金、鈀、銠或鉑組成之群組，所述黏著層812a係位於所述非導電層813a之間；該等第一接觸臂82a係同向延伸自該間隔件81a；該等第二接觸臂83a係朝該間隔件81a反向延伸者，又，該等第一接觸臂82a係與第二接觸臂83a相互對應，並呈間隔排列，所述第一接觸臂82a及第二接觸臂83a係分別成型有至少一彎曲部821a、831a，並於所述第一接觸臂82a及第二接觸臂83a頂端成型有一突出部822a、832a。

接著，請再次參閱第11圖所示，同樣係根據前述製造方法， 本發明之另一實施例提供一種互連結構，其係包含有至少一互連元件8b，所述互連元件8b係具有一間隔件81b、複數第一接觸臂82b及複數第二接觸臂83b，該間隔件81b係包含有至少一薄片層811b、複數黏著層812b及複數非導電層813b，所述第一接觸臂82b及第二接觸臂83b係分別成型有至少一彎曲部821b、831b，並於所述第一接觸臂82b及第二接觸臂83b頂端成型有一突出部822b、832b，其差異處主要係在於： 該等第一接觸臂82b與第二接觸臂83b係分別兩兩相對，並呈間隔排列；於實際應用時，請見第12A圖至第12C圖，無論係該第一接觸臂82a、82b或第二接觸臂83a、83b，所述彎曲部841c、841d、841e及突出部842c、842d、842e係可為相異態樣，該等第一接觸臂82a、82b之間係與該等第二接觸臂83a、83b之間具有相異節距，並可分別位於不同平面，以形成三維立體結構，就製造方法之步驟而言，其係透過彎折該薄片層811a、811b，使得所述第一接觸臂82a、82b及第二接觸臂83a、83b位於不同平面。

續上而論，請參閱第13圖及第14圖所示，本發明係一種互連結構之製造方法，其步驟更進一步包括：重複堆疊複數該薄片層811b、該黏著層812b及該非導電層813b並形成一互連模組9，即所述互連元件8b為複數，圖所繪示者係以具有兩相對應的第一接觸臂82b與第二接觸臂83b之互連元件8b為例，該等互連元件8b係相互堆疊並形成該互連模組9； 於該互連模組9定義一選定區域91，根據該選定區域91切割並製成一探針晶片或一中介件。

關於本發明之應用概可提供兩種態樣，第一種態樣請參閱 第15圖所示，本發明之一實施例係提供一種探針卡結構，其係包含有：一探針晶片10，其係具有一基體101及一設置於該基體101之第一互連模組，該第一互連模組係包含至少一第一互連元件102，所述第一互連元件102係具有一間隔件1021及複數第一接觸臂1022，該等第一接觸臂1022係同向延伸自該間隔件1021；以及一中介件20，其係具有一框體201及一設置於該框體201之第二互連模組，該第二互連模組係包含至少一第二互連元件202，所述第二互連元件202係具有一間隔件2021及複數第一接觸臂2022，該等第一接觸臂2022係同向延伸自該間隔件2021，並朝該間隔件2021反向延伸複數第二接觸臂2023；藉之，該第一互連模組之第一接觸臂1022係耦接一待測元件30，且其間隔件1021係組設一間隔變壓器40，該間隔變壓器40於組設該第一互連模組之相反側係耦接該第二互連模組之第一接觸臂2022，且該第二互連模組係利用其第二接觸臂2023耦接一電路板50。

接著，第二種態樣請參閱第16圖所示，本發明之另一實施例係提供一種探針卡結構，其係包含有：一探針晶片60，其係具有一基體601及一設置於該基體601之互連模組，該互連模組係包含複數互連元件602，所述互連元件602係具有至少二間隔件6021及複數第三接觸臂6022，該等間隔件6021係相互對應並平行；該等第三接觸臂6022係連貫該等間隔件6021，又，該其一互連元件602係利用該等第三接觸臂6022之一端係耦接一待測元件70，該待測元件70係設有複數第一耦接點701，且該等第三接觸臂6022之另端係耦接一電路板80，該電路板80係設有複數第二耦接點801；藉以定義該其一互連元件602係位於一第一平面，並定義 垂直該第一平面者為一第二平面，而該等第三接觸臂6022連結至所述第一耦接點701與第二耦接點801係於該第二平面具有相異節距。

據上所述顯見第一種態樣係配置有間隔變壓器40，而第二種態樣則未配置該間隔變壓器40，先以第一種態樣而言，定義X方向及Y方向，該第一互連元件102之第一接觸臂1022間於X方向係具有一第一節距P₁，則於Y方向係具有一第二節距P₂，該第二互連元件202之第二接觸臂2023間於X方向係具有一第三節距P₃，則於Y方向係具有一第四節距P₄，因而該第二互連元件202係透過該間隔變壓器40，使變化該第三節距P₃為該第一節距P₁，且第一種態樣共具有四個耦接點；針對第二種態樣而言，同樣係定義X方向及Y方向，連結至該第一耦接點701之第三接觸臂6022間於X方向係具有一第五節距P₅，則連結至該第二耦接點801之第三接觸臂6022間於X方向係具有一第六節距P₆，於Y方向係具有一第七節距P₇，因而係透過該第三接觸臂6022直接變化該第六節距P₆為第五節距P₅，意即完全無須似第一種態樣設置該間隔變壓器40，且第二種態樣僅具有第一耦接點701與第二耦接點801共二個耦接點。

請參閱第17圖所示，本發明之又一實施例係提供一種互連結構，其係包含有：至少一互連元件602a，所述互連元件602a係具有至少二間隔件6021a及複數第三接觸臂6022a，該等間隔件6021a係相互對應並平行；該等第三接觸臂6022a係連貫該等間隔件6021a；藉之，所述互連元件602a亦能利用該等第三接觸臂6022a之一端耦接一待測元件70a，且該等第三接觸臂6022a之另端係耦接一電路板80a。

在此，本發明人需特別說明的是，該等第三接觸臂6022a 於製造方法，其步驟係於形成所述圖案化區域之步驟，更包含：該等匯流部為兩相對應且平行之匯流部，且該接觸結構係包含連貫於該等匯流部之第三接觸臂6022a；以及彎折該薄片層，使得該等匯流部位於不同平面，綜言之，該等第三接觸臂6022a不僅可於X方向形成相異節距，亦可形成三維立體結構而於Y方向形成相異節距。

最後，請參閱第19圖所示，本發明之互連結構更進一步利用該互連元件8b係耦接至一電子組件100，所述電子組件100係適用安裝於電池或電力傳輸器，藉以達到較佳之電連接效果；請參閱第20圖所示，相異互連元件係分別形成相異形狀之接觸結構並相互插接，其符號為22a至22g，以及23a至23g，此可視為公插與母插，而第21A圖至第21F圖係用以顯現其相互插接並具有相異態樣。

綜上所述，本發明所揭露之技術手段確能有效解決習知等問題，並達致預期之目的與功效，且申請前未見諸於刊物、未曾公開使用且具長遠進步性，誠屬專利法所稱之發明無誤，爰依法提出申請，懇祈 鈞上惠予詳審並賜准發明專利，至感德馨。

惟以上所述者，僅為本發明之數種較佳實施例，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明書內容所作之等效變化與修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

8a‧‧‧互連元件

81a‧‧‧間隔件

811a‧‧‧薄片層

812a‧‧‧黏著層

813a‧‧‧非導電層

82a‧‧‧第一接觸臂

83a‧‧‧第二接觸臂

821a、831a‧‧‧彎曲部

822a、832a‧‧‧突出部

Claims (48)

1. 一種互連結構之製造方法，其步驟係包括：於一導電層形成至少一圖案化區域，所述圖案化區域係具有至少一匯流部及一接觸結構；於該導電層對應設置一遮罩層，且於該接觸結構表面電鍍金屬材料，藉以形成一薄片層，該遮罩層係對應該匯流部而具有遮蔽區域，其對應該接觸結構則係具有非遮蔽區域；於一非導電層形成至少一第一開口，所述第一開口係對應所述圖案化區域而製成者；於一黏著層形成至少一第二開口，所述第二開口係對應所述圖案化區域而製成者；依序堆疊並層壓該薄片層、該黏著層及該非導電層；以及根據所述第一開口及第二開口而單一化該接觸結構，並形成至少一互連元件；其中單一化該接觸結構之步驟，更包含：根據所述遮蔽區域完全移除該匯流部，而形成至少一連結段；或根據所述遮蔽區域部分移除該匯流部，而形成至少一連結段及至少一結合段。
2. 如申請專利範圍第1項所述之互連結構之製造方法，其中形成該薄片層之步驟，更包含：該接觸結構係包含分別成型於該匯流部兩側之第一接觸臂及第二接觸臂，並彎折該薄片層，使得所述第一接觸臂及第二接觸臂位於不同平面。
3. 如申請專利範圍第1項所述之互連結構之製造方法，其中形成所述圖案化區域之步驟，更包含：該等匯流部為兩相對應且平行之匯流部，且該接觸結構係包含連貫於該等匯流部之第三接觸臂。
4. 如申請專利範圍第3項所述之互連結構之製造方法，其中形成該薄片層之步驟，更包含：彎折該薄片層，使得該等匯流部位於不同平面。
5. 如申請專利範圍第1項所述之互連結構之製造方法，其中，單一化該接觸結構係使用一製程選自一蝕刻製程、一衝壓製程、一雷射製程或一鑽削製程。
6. 如申請專利範圍第1項所述之互連結構之製造方法，更進一步包含步驟：重複堆疊複數該薄片層、該黏著層及該非導電層並形成一互連模組。
7. 如申請專利範圍第6項所述之互連結構之製造方法，更進一步包含步驟：於該互連模組定義一選定區域，根據該選定區域切割並製成一探針晶片。
8. 如申請專利範圍第6項所述之互連結構之製造方法，更進一步包含步驟：於該互連模組定義一選定區域，根據該選定區域切割並製成一中介件。
9. 如申請專利範圍第1項所述之互連結構之製造方法，其中，該導電層材料係選自鈹銅合金、磷青銅、彈簧鋼或鎳鈦合金組成之群組。
10. 如申請專利範圍第1項所述之互連結構之製造方法，其中，該金屬材料係選自鎳、金、鈀、銠或鉑組成之群組。
11. 如申請專利範圍第1項所述之互連結構之製造方法，其中，該非導電層材料係選自玻璃布基有環氧樹脂(FR4)、聚醯亞胺(Polyimide)或陶瓷(Ceramic)組成之群組。
12. 如申請專利範圍第1項所述之互連結構之製造方法，其中，該接觸結構係包含分別成型於該匯流部兩側之第一接觸臂及第二接觸臂。
13. 如申請專利範圍第12項所述之互連結構之製造方法，其中，所述第一接觸臂及第二接觸臂係分別成型有至少一彎曲部，並於所述第一接觸臂及第二接觸臂頂端成型有一突出部。
14. 如申請專利範圍第12項所述之互連結構之製造方法，其中，所述第一接觸臂與第二接觸臂係分別具有相異彈簧率。
15. 如申請專利範圍第12項所述之互連結構之製造方法，其中，該等第一接觸臂之間係具有相異彈簧率。
16. 如申請專利範圍第12項所述之互連結構之製造方法，其中，該等第二接觸臂之間係具有相異彈簧率。
17. 如申請專利範圍第12項所述之互連結構之製造方法，其中，該等第一接觸臂之間係具有一第一節距，且該等第二接觸臂之間係具有一第二節距。
18. 如申請專利範圍第12項所述之互連結構之製造方法，其中，該等第一接觸臂係與第二接觸臂相互對應，並呈間隔排列。
19. 如申請專利範圍第12項所述之互連結構之製造方法，其中，該等第一接觸臂與第二接觸臂係分別兩兩相對，並呈間隔排列。
20. 一種互連結構，其係包含有：至少一互連元件，所述互連元件係具有一間隔件及複數第一接觸臂，該間隔件係包含有至少一薄片層、複數黏著層及複數非導電層，所述薄片層係位於所述黏著層之間，且所述黏著層係位於所述非導電層之間；該等第一接觸臂係同向延伸自該間隔件，其中，該等第一接觸臂係朝該間隔件反向延伸複數第二接觸臂。
21. 如申請專利範圍第20項所述之互連結構，其中，所述薄片層係包含一導電層，且於該等第一接觸臂表面係電鍍有金屬材料。
22. 如申請專利範圍第21項所述之互連結構，其中，該導電層材料係選自鈹銅合金、磷青銅、彈簧鋼或鎳鈦合金組成之群組。
23. 如申請專利範圍第21項所述之互連結構，其中，該金屬材料係選自鎳、金、鈀、銠或鉑組成之群組。
24. 如申請專利範圍第20項所述之互連結構，其中，該等第一接觸臂係分別形成自一連結段，所述連結段係呈間隔排列設置者。
25. 如申請專利範圍第20項所述之互連結構，其中，該其二相鄰的第一接觸臂係形成自一結合段，所述連結段係呈間隔排列設置者。
26. 如申請專利範圍第20項所述之互連結構，其中，該其二相鄰的第一接觸臂係形成自一結合段，而另一第一接觸臂則係形成自一連結段，所述結合段及連結段係呈間隔排列設置者。
27. 如申請專利範圍第20項所述之互連結構，其中，所述第一接觸臂及第二接觸臂係分別成型有至少一彎曲部，並於所述第一接觸臂及第二接觸臂頂端成型有一突出部。
28. 如申請專利範圍第20項所述之互連結構，其中，該等第一接觸臂之間係與該等第二接觸臂之間具有相異節距。
29. 如申請專利範圍第20項所述之互連結構，其中，該等第一接觸臂係與第二接觸臂相互對應，並呈間隔排列。
30. 如申請專利範圍第20項所述之互連結構，其中，該等第一接觸臂與第二接觸臂係分別兩兩相對，並呈間隔排列。
31. 如申請專利範圍第20項所述之互連結構，其中，所述第一接觸臂及第二接觸臂係位於不同平面。
32. 如申請專利範圍第20項所述之互連結構，其中，所述互連元件為複數，該等互連元件係相互堆疊並形成一互連模組。
33. 一種互連結構，其係包含有：至少一互連元件，所述互連元件係具有至少二間隔件及複數第三接觸臂，該等間隔件係相互對應並平行，所述間隔件係包含有至少一薄片層、複數黏著層及複數非導電層，所述薄片層係位於所述黏著層之間，且所述黏著層係位於所述非導電層之間；該等第三接觸臂係連貫該等間隔件。
34. 如申請專利範圍第33項所述之互連結構，其中，所述薄片層係包含一導電層，該等第三接觸臂係一體成型自該導電層，於該等第三接觸臂表面係電鍍有金屬材料。
35. 如申請專利範圍第33項所述之互連結構，其中，該等第三接觸臂受到彎折，使得該等間隔件位於不同平面。
36. 如申請專利範圍第33項所述之互連結構，其中，該等第三接觸臂係分別形成自一連結段，所述連結段係呈間隔排列設置者。
37. 如申請專利範圍第33項所述之互連結構，其中，該其二相鄰的第三接觸臂係形成自一結合段，所述連結段係呈間隔排列設置者。
38. 如申請專利範圍第33項所述之互連結構，其中，該其二相鄰的第三接觸臂係形成自一結合段，而另一第三接觸臂則係形成自一連結段，所述結合段及連結段係呈間隔排列設置者。
39. 如申請專利範圍第33項所述之互連結構，其中，所述第三接觸臂係成型有至少一彎曲部，並於所述第三接觸臂兩端成型有一突出部。
40. 如申請專利範圍第33項所述之互連結構，其中，所述互連元件為複數，該等互連元件係相互堆疊並形成一互連模組。
41. 一種探針卡結構，其係包含有：一探針晶片，其係具有一基體及一設置於該基體之互連模組，該互連模組係包含複數互連元件，所述互連元件係具 有至少二間隔件及複數第三接觸臂，該等間隔件係相互對應並平行，所述間隔件係包含有至少一薄片層、複數黏著層及複數非導電層，所述薄片層係位於所述黏著層之間，且所述黏著層係位於所述非導電層之間；該等第三接觸臂係連貫該等間隔件，又，該其一互連元件係利用該等第三接觸臂之一端係耦接一待測元件，且該等第三接觸臂之另端係耦接一電路板。
42. 如申請專利範圍第41項所述之探針卡結構，其中，所述薄片層係包含一導電層，該等第三接觸臂係一體成型自該導電層，於該等第三接觸臂表面係電鍍有金屬材料。
43. 如申請專利範圍第41項所述之探針卡結構，其中，該等第三接觸臂受到彎折，使得該等間隔件位於不同平面。
44. 如申請專利範圍第41項所述之探針卡結構，其中，該待測元件係設有複數第一耦接點，且該電路板係設有複數第二耦接點，藉以定義該其一互連元件係位於一第一平面，並定義垂直該第一平面者為一第二平面，而該等第三接觸臂連結至所述第一耦接點與第二耦接點係於該第二平面具有相異節距。
45. 一種探針卡結構，其係包含有：一探針晶片，其係具有一基體及一設置於該基體之第一互連模組，該第一互連模組係包含至少一第一互連元件，所述第一互連元件係具有一間隔件及複數第一接觸臂，該等第一接觸臂係同向延伸自該間隔件；以及 一中介件，其係具有一框體及一設置於該框體之第二互連模組，該第二互連模組係包含至少一第二互連元件，所述第二互連元件係具有一間隔件及複數第一接觸臂，該等第一接觸臂係同向延伸自該間隔件，並朝該間隔件反向延伸複數第二接觸臂；藉之，該第一互連模組之第一接觸臂係耦接一待測元件，且其間隔件係組設一間隔變壓器，該間隔變壓器於組設該第一互連模組之相反側係耦接該第二互連模組之第一接觸臂，且該第二互連模組係利用其第二接觸臂耦接一電路板。
46. 如申請專利範圍第45項所述之探針卡結構，其中，所述第一互連元件與第二互連元件之間隔件係分別包含有至少一薄片層、複數黏著層及複數非導電層，所述薄片層係位於所述黏著層之間，且所述黏著層係位於所述非導電層之間。
47. 如申請專利範圍第45項所述之探針卡結構，其中，所述薄片層係包含一導電層，該等第一接觸臂與第二接觸臂係一體成型自該導電層，於該等第一接觸臂與第二接觸臂表面係電鍍有金屬材料。
48. 如申請專利範圍第45項所述之探針卡結構，其中，該第二互連模組之第一接觸臂係與第二接觸臂相互對應，並呈間隔排列。