TWI516709B - 發光二極體裝置及其發光二極體燈具 - Google Patents

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Description

發光二極體裝置及其發光二極體燈具
本發明是有關於一種發光裝置，更特別為一種發光二極體裝置及其發光二極體燈具。
目前，發光二極體(Light Emitting Diode,LED)燈泡因具低耗節能之優點，所以已逐漸取代傳統鎢絲發熱燈泡而被廣泛使用。然，習知之LED燈泡通常其LED發光單元皆朝向前端佈置為主，使得光源都集中投射於前端的同一方向，集中照射的效果雖不錯，但卻使燈泡四周光線亮度不均，整體照明效果較差。
為了增加LED燈泡四周之亮度，遂發展出一種具有高發光角度的LED燈條插設入LED散熱座上之插槽中，使LED燈條豎立在LED燈泡之散熱座上，藉以增加四周之光線亮度。然而，此種LED燈條需在LED基板之正反面、與四周側面塗佈螢光膠層，使LED燈條之正反面、側面都能發出白光，因此耗費許多的螢光膠而有成本過高的問題。
本發明之一態樣就是在提供一種發光二極體裝置及其發光二極體燈具，以解決先前技術的問題。
根據本發明之一實施例，係提供一種發光二極體裝置，包含透明基板、第一、第二反射層、第一、第二發光二極體晶片、正電極與負電極以及波長轉換層。透明基板包含相對之第一表面與第二表面，第一表面分佈有第一反射區、第二反射區以及位在第一、第二反射區以外區域的透明區。第一、第二反射層分別設置於第一、第二反射區。第一、第二發光二極體晶片分別設置於第一、第二反射層上，第一發光二極體晶片在透明基板上的正投影位於第一反射區內且小於第一反射區，第二發光二極體晶片在透明基板上的正投影是位於第二反射區內且小於第二反射區，且第一、第二發光二極體晶片彼此電性連接。正電極與負電極位於透明基板之一端且分別電性連接至第一發光二極體晶片與第二發光二極體晶片。波長轉換層至少覆蓋第一、第二反射層與第一、第二發光二極體晶片。其中，第一、第二發光二極體晶片發出之部分光線藉由第一、第二反射層反射至波長轉換層。
根據本發明之另一實施例，提出一種發光二極體裝置，其包含一透明基板、N個第一、第二反射層、N個第一發光二極體、N個第二發光二極體、一正電極與一負電極以及一波長轉換層，其中N為大於1的自然數。透明基板包含相對之第一表面與第二表面，第一表面包含由N個 第一反射區依序排列而成的第一列、由N個第二反射區依序排列而成的第二列以及位於第一、第二列以外區域的透明區。N個第一、第二反射層，分別設置於N個第一、第二反射區。N個第一發光二極體晶片分別對應設置於每一個第一反射層上，各第一發光二極體晶片彼此電性連接，且每一第一發光二極體晶片在透明基板上的正投影是位於其所在的第一反射區內且小於第一反射區。N個第二發光二極體晶片分別對應設置於每一個第二反射層上，各發光二極體晶片彼此電性連接，且每一第二發光二極體晶片在透明基板上的正投影是位於其所在的第二反射區內且小於第二反射區。正電極與負電極位於透明基板之一端且正電極電性連接至第一列中的第一個第一發光二極體晶片，負電極電性連接至第二列中的第一個發光二極體晶片，且第一列中的第N個第一發光二極體晶片與第二列中的第N個第二發光二極體晶片彼此電性連接。波長轉換層至少覆蓋各第一、第二反射層與各第一、第二發光二極體晶片。其中，各第一、第二發光二極體晶片發出之部分光線分別藉由第一、第二反射層反射至波長轉換層。
根據本發明之再一實施例，提出一種發光二極體裝置，其包含透明基板、N個第一、第二反射層、N個發光二極體晶片、正電極與負電極以及波長轉換層，其中N為大於1的自然數。透明基板包含相對之第一表面與第二表面，第一表面包含由分佈有N個第一反射區依序排列而成的第一列、由N個第二反射區依序排列而成的第二列，及 位於第一、第二列以外區域的透明區。N個第一、第二反射層分別設置於各個第一、第二反射區，且各第一、第二反射層分別彼此電性連接，且第i個第一反射層與第i個第二反射層位置對齊，其中i為自然數且1≦i≦N。第i個發光二極體晶片以覆晶方式跨接於第i個第一反射層與第i個第二反射層上。正電極與負電極位於透明基板之一端且正電極電性連接至與第一列中的第一個第一反射層，負電極電性連接至第二列中的第一個第二反射層。波長轉換層至少覆蓋各第一、第二反射層以及各發光二極體晶片。其中，各發光二極體晶片發出之光線部分藉由第一、第二反射層反射至波長轉換層。
根據本發明之再一實施例，提出一種發光二極體燈具，其包含燈座以及上述之發光二極體裝置。燈座包含電源驅動件。發光二極體裝置藉由正、負電極之一端插設於燈座上，並且電性連接至電源驅動件。
根據本發明之一實施例，上述之第一反射層與第二反射層彼此隔離。
根據本發明之一實施例，上述之第一反射層與該第二反射層之材質為金屬。
根據本發明之一實施例，其中第一、第二發光二極體晶片分別為第一、第二高壓發光二極體晶片。
根據本發明之一實施例，其中第一、第二發光二極體晶片側面所發出之光線與其所對應的第一、第二反射層相夾之最小角度介於17度到50度之間。
根據本發明之再一實施例，上述之燈座具有插槽，且插槽內具有正極接點與負極接點。發光二極體裝置包含有正、負電極之一端插設於插槽內，且正電極與負電極分別與正極接點與負極接點電性連接。
根據本發明之再一實施例，發光二極體燈具更包括燈罩，套接於燈座上，使得發光二極體裝置被包覆於燈罩與燈座之間。
綜上所述，本發明之發光二極體裝置以及發光二極體燈具，藉由將其反射層設置於發光二極體晶片以及透明基板之間，使得發光二極體晶片發出之光線直接進入波長轉換層，或藉由反射層反射進入波長轉換層，以避免光線會經由透明基板之第二表面或側面漏光。且，波長轉換層將發光二極體之光線轉換成不同波長的光線，之後混合出一預定色光，該預定色光就可經由透明基板之透明區出光，達到雙面出光的效果。
10、20、30‧‧‧發光二極體裝置
99‧‧‧發光二極體燈具
100、200‧‧‧透明基板
101‧‧‧第一表面
102‧‧‧第二表面
111‧‧‧第一反射區
113‧‧‧第二反射區
121‧‧‧透明區
120‧‧‧第一反射層
131‧‧‧正電極
132‧‧‧負電極
138、139‧‧‧電連接線
340‧‧‧發光二極體晶片
141、241‧‧‧第一發光二極體晶片
142、242‧‧‧第二發光二極體晶片
150、250‧‧‧波長轉換層
151‧‧‧螢光粉
160‧‧‧第二反射層
331‧‧‧第一電連接層
332‧‧‧第二電連接層
510‧‧‧燈座
520‧‧‧插槽
521‧‧‧正極接點
522‧‧‧負極接點
530‧‧‧電源驅動件
540‧‧‧燈罩
S‧‧‧空隙
L1、L2、L3‧‧‧光線
θ1、θ2‧‧‧角度
A‧‧‧第一列
B‧‧‧第二列
為讓本發明及其優點更明顯易懂，所附圖式之說明參考如下：第1A圖係繪示本發明之第一實施例之發光二極體裝置的上視圖。
第1B圖係繪示第1A圖沿著D_D`的剖面圖。
第1C圖係繪示第1A圖中之發光二極體晶片之局部放大圖。
第2圖係繪示本發明之第二實施例之發光二極體裝置 的上視圖。
第3A圖係繪示本發明之第三實施例之發光二極體裝置的上視圖。
第3B圖係繪示第3A圖沿著E_E`的剖面圖。
第3C圖係繪示第3B圖中之發光二極體晶片之局部放大圖。
第4圖係繪示本發明之發光二極體燈具之***圖。
第5圖係繪示第4圖之發光二極體燈具的組裝立體圖。
第6圖係繪示第5圖之發光二極體燈具的側視圖。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施例，為明確說明起見，許多實述上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明之部分實施例中，這些實務上的細節是非必要的。
下述實施例係提供一種發光二極體裝置以及應用此發光二極體裝置之發光二極體燈具，其中發光二極體裝置只需將波長轉換層設置在具有發光二極體的一面，而不需要在發光二極體裝置之雙面皆設置波長轉換層，即可達到防止藍光漏光之效果。
請參考第1A圖與第1B圖，第1A圖係繪示本發明之第一實施例之發光二極體裝置。第1B圖係繪示第1A圖 沿著D_D`的剖面圖。如圖所示，發光二極體裝置10包含透明基板100、N個第一反射層120、N個第二反射層160、N個第一發光二極體晶片141、N個第二發光二極體晶片142、正電極131、負電極132以及波長轉換層150，其中，N為大於1的自然數。
透明基板100包含相對之第一表面101與第二表面102，其中第一表面101分佈有N個第一反射區111、N個第二反射區113與透明區121。且，N個第一反射區111依序排列成第一列A，N個第二反射區113依序排列成第二列B，而透明區121則是位在第一、第二列A、B以外的區域。
在本實施例中，各個第一反射區111可為矩形之區域，且各矩形區域間相互連接，各個第二反射區113同樣可為矩形區域，且各矩形區域間相互連接，但不以此為限。在其他實施例中，各個第一反射區111可彼此分離，各個第二反射區113可彼此分離。需注意的是，本實施例之第一反射區111與第二反射區113彼此並不相連。
在一實施例中，透明基板100之材質為可透光的玻璃、陶瓷、塑膠、樹脂、矽膠材料。在一實施例中，在透明基板上設有一可透光的圖案化導電線路(圖中未示)位於透明基板100之第一表面101上。
N個第一反射層120分別一對一設置於N個第一反射區111上，N個第二反射層160分別一對一設置於N個第二反射區113上，且由於N個第一反射區111與N個第 二反射區113彼此互不相連，所以N個第一反射層120與N個第二反射層160彼此電性隔離。在本實施例中，N個第一反射層120與N個第二反射層160之材質可為高反射率且具導電性之金屬，但不以此為限。在本發明之其他實施例中，N個第一反射層120與N個第二反射層160可為具有反射率之但不具導電性之材質。
N個第一發光二極體晶片141分別對應設置於每一個第一反射層120上，且各個第一發光二極體晶片141彼此電性連接。每一個第一發光二極體晶片141在透明基板100上的正投影是位於其所在的第一反射區111內且小於第一反射區111。
同理，N個第二發光二極體晶片142分別對應設置於第二反射層160上，且各個第二發光二極體晶片142彼此電性連接，且每一個第二發光二極體晶片142在透明基板100上的正投影是位於其所在第二反射區113內且小於第二反射區113。
接著，請參考第1C圖，其係為第1B圖之發光二極體晶片之局部放大圖。如圖所示，本實施例之各個第一發光二極體晶片141可藉由黏貼之方式直接設置在第一反射層120上。同理，各個第二發光二極體晶片142(繪示於第1A圖)也可藉由黏貼之方式直接設置在第二反射層160上，但不以此為限。
在第一、第二發光二極體晶片141、142設置於第一、第二反射層120、160後，需覆蓋波長轉換層150在第 一、第二反射層120、160以及第一、第二發光二極體晶片141、142上。波長轉換層150之作用在於轉換第一、第二發光二極體晶片141、142所發出之光。
舉例而言，若本實施例之第一、第二發光二極體晶片141、142為藍光發光二極體晶片，則波長轉換層150內含有黃色螢光粉151。如此一來，黃色螢光粉151可將藍光發光二極體晶片發出之部分藍光轉換成黃光。接著，再將被轉換的黃光與剩餘的藍光混合，即可混合出白色光線。
請繼續參考第1C圖。如圖所示，本實施例之發光二極體裝置10在實際製造時，因為第一發光二極體晶片141本身具有高度，所以可能會出現波長轉換層150無法百分之百的將第一發光二極體晶片141之邊緣以及透明基板100包覆住的情形。亦即，第一發光二極體晶片141之邊緣與透明基板100之間可具有空隙S存在。因此，本實施例之第一反射層120之面積需略大於第一發光二極體晶片141之面積，以避免第一發光二極體晶片141側面所發出來的光線，未經由波長轉換層150轉換，即傳導至透明基板100之第二表面102。需說明的是，第1C圖雖只繪示第一發光二極體晶片141，但第二發光二極體晶片142與透明基板100之間也可具有空隙S存在。
換言之，本實施例需藉由設置面積略大於第一、第二發光二極體晶片141、142之第一反射層120與第二反射層160，使得可能經由空隙S直接傳導至透明基板100之光線，可藉由第一、第二反射層120、160反射回波長轉換層 150中。
請參考第1C圖，為了更清楚說明第一反射層120、160與第一發光二極體晶片141之間之關係，若第一發光二極體晶片141之側面中間所發出之光線L1與水平方向的夾角為角度θ1，則本實施例之角度θ1約為38度。換言之，第1C圖中之第一發光二極體晶片141發出之光線L1與第一反射層120相夾之最小角度θ2也應約為38度，但不以此為限。在本發明之其他實施中，角度θ1可介於17度到50度之間，角度θ2同樣可介於17度到50度之間。需注意的是，此處之光線L1係指尚未經由波長轉換層150轉換，且直接由第一發光二極體晶片141之側面中間部分發射入空隙S之光線。此外，第二發光二極體晶片142以及第二反射層160之間的關係與第一發光二極體晶片141以及第一反射層120類似，在此便不贅述。
接著，請同時參考第1B圖與第1C圖，如圖所示，第一發光二極體晶片141之側面實質上可為面光源，因此除了光線L1外，還可發出多條不同路徑的光線，例如光線L2以及L3。其中，光線L1會藉由第一反射層120反射回波長轉換層150中並且被轉換。光線L2往透明基板100之反方向前進，因而直接進入波長轉換層150中而被轉換。光線L3與水平方向的夾角則小於光線L1，因此也會直接進入波長轉換層150中而被轉換。
由此可知，本實施例之發光二極體裝置10可雙面出光，且所有經由透明區121到達透明基板100之第二表 面102上之光線，皆已經由波長轉換層150轉換，之後混合成為白光，使發光二極體裝置10可防止藍光漏光。且，本實施例藉由第一、第二反射層120、160之設置，使得發光二極體裝置10只要在其透明基板100之第一表面101設置波長轉換層150，而不需要同時在第一表面101與第二表面102上皆設置波長轉換層150，相較於習知技術可節省波長轉換層150的製造成本。
接著，請繼續參考第1A圖與第1B圖。發光二極體裝置10更包含正電極131、負電極132以及電連接線138、139(繪示於第1B圖)，正電極131與負電極132設置於透明基板100之一端部，其中正電極131透過電連接線138電性連接第一列A中的第一個第一發光二極體晶片141、負電極132透過電連接線138電性連接第二列B中的第一個第二發光二極體晶片142。電連接線139則連接各個第一、第二發光二極體晶片141、142之正負極，以將各個第一、第二發光二極體晶片141、142以及第一列A中的第N個第一發光二極體晶片141與第二列B中的第N個第二發光二極體晶片142串連在一起。本實施例之正電極131與負電極132之材質可與第一、第二反射層120、160相同且在同一道製程形成於透明基板100上，電連接線138、139則可利用打線之方式連接各個第一、第二發光二極體晶片141、142。
需說明的是，本實施例中的第一個第一發光二極體晶片141指得是最靠近正電極131的第一發光二極體晶片 141，第N個第一發光二極體晶片141指得是最遠離正電極131的第一發光二極體晶片141。第一個第二發光二極體晶片142指的是最靠近負電極132的第二發光二極體晶片142，第N個第二發光二極體晶片142指得是最遠離負電極132的第二發光二極體晶片142。
在產品實際應用時，第一與第二發光二極體晶片141、142之數量總共為30個(如第1A圖所示)，其屬於低功率之第一、第二發光二極體晶片141、142，其驅動電壓約為3伏特。正電極131與負電極132之間之電壓可為110伏特，以驅動本實施例中30個低功率之第一、第二發光二極體晶片141、142發光。
值得一提的是，在部分實施例中，透明基板100更可設置其他種類之第一、第二發光二極體晶片141、142於第一、第二反射層120、160上。舉例而言，在部分實施例中，透明基板100上最靠近正電極131與負電極132之矩形的第一、第二反射區111、113面積可大於其他位置之第一、第二反射區111、113。如此一來，在第一、第二反射區111、113之位置設置第一、第二反射層120、160後，可改設置較高壓的發光之第一、第二發光二極體晶片141、142於第一、第二反射層120、160上。
接著，請參考第2圖，其係繪示本發明之第二實施例之發光二極體裝置。如圖所示，第二實施例與第一實施例最大的不同在於，本實施例之發光二極體裝置20是專門應用於高功率之第一、第二發光二極體晶片241、242，以 下主要將介紹第二實施例與第一實施例結構上之差異，結構相同或相似之部分則用與第一實施例相同的標號表示。
如第2圖所示，發光二極體裝置20之透明基板200由於只需設置兩個高壓發光之高功率發光二極體晶片241、242，因此第二實施例之透明基板200之大小可小於第一實施例之透明基板100。舉例而言，本實施例之透明基板200之長度可約為第一實施例之透明基板100之長度的一半。
此外，第一實施例設置有N個第一反射區111、N個第二反射區113、N個第一反射層120以及N個第二反射層160。本實施例只分別具有一個第一、第二反射區111、113，一個第一、第二反射層120、160。在部分實施例中，高壓之第一、第二發光二極體晶片241、242之面積較大，因此第一、第二反射區111、113以及第一、第二反射層120、160之面積可大於第一實施例之第一、第二反射區111、113以及第一、第二反射層120、160之面積，但不以此為限。
在產品實際應用時，高壓之第一、第二發光二極體晶片241、242之驅動電壓可約為46伏特，且高壓之第一、第二發光二極體晶片241、242相互串連。以正電極131與負電極132之間之電壓為110伏特為例，正好可以驅動高壓之第一、第二發光二極體晶片241、242。
本實施例由於透明基板200之面積小於第一實施例之透明基板100，且本實施例只需設置兩個高功率之第一、第二發光二極體晶片241、242，因此本實施例所需塗 佈之波長轉換層250之面積也小於第一實施例。更詳細而言，本實施例之波長轉換層250可以只覆蓋住第一、第二反射層120、160以及第一、第二發光二極體241、242，而不需要覆蓋整個透明基板200。
如此一來，本實施例相較於第一實施例可更降低透明基板200、波長轉換層250以及第一、第二反射層120、160之製造成本。此外，本實施例由於具有第一、第二反射層120、160之設計，因此本實施例之發光二極體裝置20也可有效地防止藍光漏光之現象。
接著，請參考第3A圖、第3B圖與第3C圖，第3A圖係繪示本發明之第三實施例之發光二極體裝置、第3B圖係繪示本發明第3A圖沿著E_E`剖面線、第3C圖係繪示第3A圖中之發光二極體晶片之局部放大圖。以下主要將介紹第三實施例與第一實施例結構上之差異，結構相同或相似之部分則用與第一實施例相同的標號表示。
如圖所示，第三實施例與第一實施例最大的不同在於，第三實施例之發光二極體裝置30之發光二極體晶片340係以覆晶之方式封裝於透明基板100上，因此本實施例並不具有第一實施例中之電連接線139。詳言之，本實施例之第i個第一反射層120與第i個第二反射層160之位置需對齊，其中i為自然數且1≦i≦N，使得第i個發光二極體340可利用覆晶之方式跨接於第i個第一反射層120與第i個第二反射層160上。此外，本實施例之各個第一反射層120之間具有第一電連接層331，各個第二反射層160之間 具有第二電連接層332，使得各個第一反射層120彼此電性連接，各個第二反射層160彼此電性連接。且，N個第一反射層120中的第一個第一反射層120也可藉由第一電連接層331與正電極131電性相連，N個第二反射層160中第一個第二反射層160也可藉由第二電連接層332與負電極132電性相連。因此，各發光二極體晶片340可藉由第一、第二反射層120、160彼此串連，且各發光二極體340可受正電極131與負電極132之電壓驅動而發光。
值得一提的是，在第3C圖中，由於發光二極體晶片340以覆晶之方式設置在第一反射層120與第二反射層160上，所以發光二極體晶片340之中間所發出之光線L1與水平方向的夾角為角度θ1應略大於38度。亦即，第3C圖中之發光二極體晶片340發出之光線L1與第一反射層120相夾之最小角度θ2也應略大於38度，但不以此為限。在本發明之其他實施中，角度θ1可介於17度到50度之間，角度θ2同樣可介於17度到50度之間。
綜上所述，本發明之第一至第三實施例之發光二極體裝置，可藉由其第一、第二反射層之設置，使得所有經由發光二極體晶片發出之光線會經由第一反射層與第二反射層反射進入波長轉換層，避免光線經由透明基板第二表面或側面射出而產生藍光漏光的問題。
接著，請一併參考第4圖至第6圖，第4圖係繪示本發明之發光二極體燈具之***圖，第5圖係繪示第4圖之組裝立體圖，第6圖係繪示第5圖之側視圖。如圖所示， 發光二極體燈具99可包含燈座510以及上述第一實施例至第三實施例中任一實施例之發光二極體裝置10、20或30。為了敘述方便，將以第一實施例之發光二極體裝置10為例說明。
如圖所示，本實施例具有一個發光二極體裝置10，其透明基板100具有正電極131與負電極132之一端可插設入燈座510之插槽520中。正電極131與負電極132可與插槽520內對應的正極接點521與負極接點522電性連接。
燈座510內可更包含電源驅動件530，且電源驅動件530可透過插槽520與正電極131以及負電極132電性連接，用以將交流電源轉換成所需電流源，以供給第一發光二極體晶片141與第二發光二極體晶片142(繪示於第1A圖)發光之用。
在本實施例中，發光二極體燈具99可更包含燈罩540套皆於燈座510上，且燈罩540罩設住發光二極體裝置10，以防止發光二極體裝置10受到碰撞而損壞，且使得光線均勻出光。
接著請參考第6圖，如圖所示。本實施例之發光二極體燈具99藉由第一、第二反射層120、160(繪示於第1A圖)之設置，使得本實施例之發光二極體燈具99內之發光二極體裝置10只需在一側設置有波長轉換層150，即可達雙面出光效果且又可防止藍光漏光之現象。
綜上所述，本發明之上述實施例之發光二極體裝置 以及發光二極體燈具，藉由在發光二極體晶片以及透明基板之間設置反射層，使得發光二極體晶片發出之光線直接進入波長轉換層，或藉由反射層反射進入波長轉換層。因此，本發明之發光二極體裝置以及發光二極體燈具可具有防止未被波長轉換層轉換之光線從透明基板之第二表面或側邊射出之問題。此外，上述實施例之波長轉換層只需設置在透明基板具有發光二極體之表面，而不需在透明基板之雙面設置波長轉換層，因此可降低發光二極體裝置及其燈具之製造成本。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧發光二極體裝置
100‧‧‧透明基板
111‧‧‧第一反射區
113‧‧‧第二反射區
121‧‧‧透明區
120‧‧‧第一反射層
131‧‧‧正電極
132‧‧‧負電極
138‧‧‧電連接線
141‧‧‧第一發光二極體晶片
142‧‧‧第二發光二極體晶片
160‧‧‧第二反射層
A‧‧‧第一行
B‧‧‧第二行

Claims (16)

  1. 一種發光二極體裝置，包含：一透明基板，該透明基板包含相對之一第一表面與一第二表面，該第一表面分佈有一第一反射區、一第二反射區，及一位在該第一、第二反射區以外區域的透明區；一第一、第二反射層，分別設置於該第一、第二反射區；一第一、第二發光二極體晶片，分別設置於該第一、第二反射層上，該第一發光二極體晶片在該透明基板上的正投影是位於該第一反射區內且小於該第一反射區，該第二發光二極體晶片在該透明基板上的正投影是位於該第二反射區內且小於該第二反射區，且該第一、第二發光二極體晶片彼此電性連接；一正電極與一負電極，位於該透明基板之一端且分別電性連接至該第一發光二極體晶片與該第二發光二極體晶片；以及一波長轉換層，至少覆蓋該第一、第二反射層與該第一、第二發光二極體晶片；其中，該第一、第二發光二極體晶片發出之部分光線分別藉由該第一、第二反射層反射至該波長轉換層。
  2. 如請求項1所述之發光二極體裝置，其中該第一反射層與該第二反射層彼此隔離。
  3. 如請求項2所述之發光二極體裝置，其中該第一反射層與該第二反射層之材質為金屬。
  4. 如請求項1所述之發光二極體裝置，其中該第一、第二發光二極體晶片分別為一第一、第二高壓發光二極體晶片。
  5. 如請求項1所述之發光二極體裝置，其中該第一、第二發光二極體晶片側面所發出之光線與其所對應的該第一、第二反射層相夾之最小角度介於17度到50度之間。
  6. 一種發光二極體裝置，包含：一透明基板，該透明基板包含相對之一第一表面與一第二表面，該第一表面包括一由N個第一反射區依序排列而成的第一列、一由N個第二反射區依序排列而成的第二列，及一位在該第一、第二列以外區域的透明區；N個第一、第二反射層，分別設置於該些第一、第二反射區； N個第一發光二極體晶片分別對應設置於每一該些第一反射層上，該些第一發光二極體晶片彼此電性連接，且每一該第一發光二極體晶片在該透明基板上的正投影是位於其所在該第一反射區內且小於該第一反射區；N個第二發光二極體晶片分別對應設置於每一該些第二反射層上，該些第二發光二極體晶片彼此電性連接，且每一該第二發光二極體晶片在該透明基板上的正投影是位於其所在該第二反射區內且小於該第二反射區；一正電極與一負電極，位於該透明基板之一端，且該正電極電性連接至該第一列中的第一個第一發光二極體晶片，該負電極電性連接至該第二列中的第一個第二發光二極體晶片，且該第一列中的第N個第一發光二極體晶片與該第二列中的第N個第二發光二極體晶片彼此電性連接；以及一波長轉換層，至少覆蓋該些第一、第二反射層與該些第一、第二發光二極體晶片；其中，該些第一、第二發光二極體晶片發出之部分光線分別藉由該些第一、第二反射層反射至該波長轉換層；其中，N為大於1的自然數。
  7. 如請求項6所述之發光二極體裝置，其中該些第 一反射層與該些第二反射層彼此隔離。
  8. 如請求項7所述之發光二極體裝置，其中該些第一反射層與該些第二反射層之材質為金屬。
  9. 如請求項6所述之發光二極體裝置，其中每一該些第一、第二發光二極體晶片側面所發出之光線與所對應的每一該些第一、第二反射層相夾之最小角度介於17度到50度之間。
  10. 一種發光二極體裝置，包含：一透明基板，該透明基板包含相對之一第一表面與一第二表面，該第一表面包括一由分佈有N個第一反射區依序排列而成的第一列、一由N個第二反射區依序排列而成的第二列，及一位在該第一、第二列以外區域的的透明區；N個第一、第二反射層，分別設置於該些第一、第二反射區，各該第一、第二反射層分別彼此電性連接，且第i個第一反射層與第i個第二反射層位置對齊；N個發光二極體晶片，第i個發光二極體晶片以覆晶方式跨接於第i個第一反射層與第i個第二反射層上；一正電極與一負電極，位於該透明基板之一端， 且該正電極電性連接至與該第一列中的第一個第一反射層，該負電極電性連接至該第二列中的第一個第二反射層；以及一波長轉換層，至少覆蓋該些第一、第二反射層與該些發光二極體晶片；其中，該些發光二極體晶片發出之光線部分別藉由該些第一、第二反射層反射至該波長轉換層；其中，N為大於1的自然數，i為自然數且1≦i≦N。
  11. 如請求項10所述之發光二極體裝置，其中該些第一反射層與該些第二反射層彼此隔離。
  12. 如請求項11所述之發光二極體裝置，其中該些第一反射層與該些第二反射層之材質為金屬。
  13. 如請求項10所述之發光二極體裝置，其中每一該些發光二極體晶片側面所發出之光線與所對應的每一該些第一、第二反射層相夾之最小角度介於17度到50度之間。
  14. 一種發光二極體燈具，包含：一燈座，包含一電源驅動件；以及一如請求項1至13中任一項所述的發光二極體裝 置，藉由包含有該正、負電極之一端插設於該燈座上，並且電性連接至該電源驅動件。
  15. 如請求項14所述之發光二極體燈具，該燈座具有一插槽，且該插槽內具有一正極接點與一負極接點，該發光二極體裝置包含有該正、負電極之一端插設於該插槽內，且該正電極與該負電極分別與該正極接點與該負極接點電性連接。
  16. 如請求項15所述之發光二極體燈具，更包括一燈罩，套接於該燈座上，使得該發光二極體裝置被包覆於該燈罩與該燈座之間。
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