TWI515843B - 晶片封裝結構 - Google Patents

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TWI515843B TW102146307A TW102146307A TWI515843B TW I515843 B TWI515843 B TW I515843B TW 102146307 A TW102146307 A TW 102146307A TW 102146307 A TW102146307 A TW 102146307A TW I515843 B TWI515843 B TW I515843B
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Description

晶片封裝結構
本發明是有關於一種半導體封裝結構，且特別是有關於一種晶片封裝結構。
隨著積體電路之積集度的增加，晶片的封裝結構越來越複雜而多樣。一般而言，電感器(inductor)是非常重要的被動元件，常被應用於射頻(radio frequency,RF)電路、壓控振盪器(voltage controlled oscillator,VCO)、低噪放大器(low noise amplifier,LNA)或是功率放大器(power amplifier,PA)等。
一般而言，在半導體元件中製作高頻電感元件，通常是利用增加線圈匝數的作法，達到增加電感值的目的。但線圈匝數提高後，相對使得電感所需佔用的晶片面積增加。然而，隨著晶片體積微型化的趨勢，電感器的設置空間已不敷使用。另一方面，為了提高封裝結構的散熱效果，通常會在封裝結構上設置散熱片。習知通常是藉由黏膠(adhesive)或是銲料(solder)將散熱片貼附在封裝結構表面，然而此種散熱方式散熱片往往無法牢固地貼合在封裝結構上，以至於散熱片可能從封裝結構上剝離或脫 落，而影響產品的生產良率以及使用上的可靠度，更需額外耗費散熱片的成本。
本發明提供一種晶片封裝結構，其可增加感應線圈的設計面積以及減少感應線圈與晶片間的訊號干擾，更可增加散熱效率。
本發明的一種晶片封裝結構，其包括一晶片、至少一感應線圈、一封裝膠體以及一重配置線路層。晶片包括一主動表面以及相對主動表面之一背面。感應線圈環繞設置於晶片的一周圍區域。封裝膠體包括一上表面以及相對上表面的一下表面，且覆蓋晶片以及周圍區域並暴露主動表面，且感應線圈配置於封裝膠體上，且封裝膠體之下表面實質上與主動表面切齊。重配置線路層覆蓋主動表面、部分封裝膠體以及部分感應線圈，並電性連接晶片。
本發明的一種晶片封裝結構，其包括一晶片、多個散熱柱、一封裝膠體以及一重配置線路層。晶片包括一主動表面以及相對主動表面之一背面。散熱柱環繞設置於晶片的一周圍區域。封裝膠體覆蓋晶片以及周圍區域並暴露主動表面。散熱柱配置於封裝膠體，且封裝膠體暴露各散熱柱的一部分。重配置線路層覆蓋主動表面以及部分封裝膠體，並電性連接晶片。
本發明的一種晶片封裝結構，其包括一晶片、至少一感 應線圈、多個散熱柱、一封裝膠體以及一重配置線路層。晶片包括一主動表面以及相對主動表面之一背面。感應線圈環繞設置於晶片的一第一周圍區域。散熱柱環繞設置於晶片的一第二周圍區域。第一周圍區域以及第二周圍區域彼此不重疊。封裝膠體覆蓋晶片、第一周圍區域以及第二周圍區並暴露主動表面。感應線圈以及散熱柱配置於封裝膠體上，且封裝膠體暴露各散熱柱的一部分。重配置線路層覆蓋主動表面以及部分封裝膠體，並電性連接晶片。
基於上述，本發明的晶片封裝結構將感應線圈環繞設置於晶片的周圍區域，以作為晶片封裝結構的電感元件，因而可增加晶片封裝結構的電感設置面積而無須侷限於晶片的表面上，進而可增加其電感量。並且，本發明的感應線圈環繞設置於晶片的周圍而非直接設置於晶片的主動表面上，因而可減少感應線圈與晶片間的訊號干擾。此外，本發明的晶片封裝結構亦可將多個散熱柱環繞設置於晶片的周圍區域，並使封裝膠體暴露散熱柱，因此，晶片封裝結構可透過環繞於晶片周圍的散熱柱，將晶片所產生的熱能散逸至外界，因而增加晶片封裝結構的散熱效率，亦可省去設置散熱膏或散熱片等額外的散熱元件的成本。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100、100a、200、300‧‧‧晶片封裝結構
110、210、310‧‧‧晶片
112、212、312‧‧‧主動表面
114、214、314‧‧‧背面
116、216、316‧‧‧接墊
120、320a‧‧‧感應線圈
122、222‧‧‧金屬層
124、224‧‧‧圖案化乾膜層
130、230、330‧‧‧封裝膠體
132、232、332‧‧‧上表面
134、234、334‧‧‧下表面
138‧‧‧通孔
140、240、340‧‧‧重配置線路層
142、242、342‧‧‧第一保護層
144、244、344‧‧‧圖案化導線層
146、246、346‧‧‧第二保護層
148、248、348‧‧‧焊墊
150、250、350‧‧‧焊球
160‧‧‧支撐層
162‧‧‧銅箔層
164‧‧‧乾膜層
220、320b‧‧‧散熱柱
236、336‧‧‧開口
圖1A至圖1F是依照本發明的一實施例的一種晶片封裝結構的製作方法的流程剖面示意圖。
圖2是依照本發明的一實施例的感應線圈與晶片的設置關係仰視示意圖。
圖3是依照本發明的另一實施例的感應線圈與晶片的設置關係仰視示意圖。
圖4A至圖4F是依照本發明的另一實施例的一種晶片封裝結構的製作方法的流程剖面示意圖。
圖5A至圖5B是依照本發明的另一實施例的一種晶片封裝結構的製作方法的流程剖面示意圖。
圖6A至圖6B是依照本發明的另一實施例的一種晶片封裝結構的製作方法的流程剖面示意圖。
圖7是依照本發明的另一實施例的一種晶片封裝結構的剖面示意圖。
有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之各實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。以下實施例中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本發明。並且，在下列各實施 例中，相同或相似的元件將採用相同或相似的標號。
圖1A至圖1F是依照本發明的一實施例的一種晶片封裝結構的製作方法的流程剖面示意圖。圖2是依照本發明的一實施例的感應線圈與晶片的設置關係仰視示意圖。圖3是依照本發明的另一實施例的感應線圈與晶片的設置關係仰視示意圖。請先參照圖1F以及圖2，在本實施例中，晶片封裝結構100可包括一晶片110、至少一感應線圈120、一封裝膠體130以及一重配置線路層140。晶片110包括一主動表面112以及相對主動表面112之一背面114。感應線圈120可如圖2所示，環繞設置於晶片110的一周圍區域。封裝膠體130則覆蓋晶片110以及晶片110的周圍區域，並暴露晶片110的主動表面112。感應線圈120配置於封裝膠體130上，重配置線路層140則覆蓋主動表面112、部分封裝膠體130以及部分感應線圈120，並電性連接晶片110與感應線圈120，於本實施例中，感應線圈120與晶片110彼此電性連接，然而，本發明並不侷限於此，於另一可行之實施例中，感應線圈120亦可無需與重配置線路層140電性連接。
詳細而言，本實施例中，晶片110更包括多個接墊116，其分別設置於主動表面112上，而重配置線路層140則可如圖1F所示地將感應線圈120電性連接至接墊116的其中之一。在本實施例中，感應線圈120的數量可為一個。當然，在本發明的其他實施例中，感應線圈120的數量亦可如圖3所示為複數個，而重配置線路層140則可分別電性連接各感應線圈120至晶片110。本 發明並不限制感應線圈120的數量及其圍繞晶片110的方式。
具體而言，封裝膠體130包括一上表面132以及相對上表面132的一下表面134，其中，下表面134實質上與主動表面112切齊。重配置線路層140即覆蓋主動表面112以及封裝膠體130的下表面134。在本實施例中，重配置線路層140包括一第一保護層142、一圖案化導線層144、一第二保護層146以及多個焊墊148。詳細來說，第一保護層142可覆蓋主動表面112以及封裝膠體130的下表面134。圖案化導線層144可覆蓋第一保護層142，其中，圖案化導線層144分別連接接墊116，並電性連接感應線圈120至接墊116的其中之一。第二保護層146覆蓋第一保護層142以及部分圖案化導線層144，其中，第二保護層146可如圖1F所示具有多個開口，以暴露部份圖案化導線層144。焊墊148設置於第二保護層146上並分別連接第二保護層146的開口所暴露出的部份圖案化導線層144。在本實施例中，晶片封裝結構100更可包括多個焊球150，分別設置於焊墊148上，其中，焊墊148可包括一球底金屬層(under bump metallurgic layer,UBM layer)，其可由一黏著層(adhesion layer)、一阻障層(barrier layer)與一沾附層(wetting layer)所組成，以提高焊球150與焊墊148之間的接合強度，並防止電移的現象。
如上述之配置，本實施例的晶片封裝結構100將感應線圈120環繞設置於晶片110的周圍區域，以作為晶片封裝結構100的電感元件之用，使感應線圈120的設置範圍無須再侷限於晶片 的表面上，因而可增加晶片封裝結構100的電感設置面積，進而增加其電感量。並且，相較於習知將電感元件直接設置於晶片110的主動表面112上，本實施例的感應線圈120環繞設置於晶片110的周圍，可減少感應線圈120與晶片間的訊號干擾，因而可增加收訊品質。此外，環繞設置於晶片110周圍的感應線圈120更可幫助晶片散熱，增加晶片封裝結構100的散熱效率。
進一步而言，在本實施例中，感應線圈120可如圖1F所示嵌入封裝膠體130內，且感應線圈120遠離上表面132的一表面可如圖1F所示地突出於下表面134，而圖案化導線層144則連接突出於下表面134的部份感應線圈120至接墊116的其中之一。以下將舉例說明此種晶片封裝結構100的製作方法。
首先，請先參照圖1A，提供一金屬層122，並設置一圖案化乾膜層124於金屬層122上。接著，再如圖1B所示，以圖案化乾膜層124為電鍍罩幕進行一電鍍製程而形成感應線圈120。感應線圈120的中央具有一晶片設置區，感應線圈120可圍繞此晶片設置區而設置。接著，請參照圖1C，將晶片110設置於圖案化乾膜層124上並使其位於晶片設置區內，再接著形成封裝膠體130於晶片110以及晶片110的周圍區域上，使感應線圈120可如圖2所示環繞於晶片的周圍區域並嵌入封裝膠體130內。其中，晶片110包括多個接墊116、相對的主動表面112以及背面114。接墊116設置於主動表面112上，且封裝膠體130包括相對的上表面132以及下表面134，且下表面134實質上與主動表面112切齊。
接著，請參照圖1D以及圖1E，透過例如蝕刻製程以移除金屬層122，並移除圖案化乾膜層124，以暴露出主動表面112以及封裝膠體130的下表面134，並使感應線圈120遠離上表面132的表面如圖1E所示地突出於下表面134。之後，再如圖1F所示形成重配置線路層140，使重配置線路層140電性連接感應線圈120以及接墊116的其中之一。之後，再將多個焊球150分別與重配置線路層140形成電性連接，即大致完成晶片封裝結構100的製作。
詳細而言，形成重配置線路層140的方法可包括下列步驟：首先，形成第一保護層142於主動表面112以及封裝膠體130的下表面134上。接著，再形成圖案化導線層144於第一保護層142上，其中，圖案化導線層144分別連接接墊116，並連接突出於下表面134的部份感應線圈120至接墊116的其中之一，以電性連接感應線圈120與晶片110。接著，再形成第二保護層146於第一保護層142以及圖案化導線層144上，其中，第二保護層146暴露部份圖案化導線層144。之後，再形成多個焊墊148於第二保護層146上，並使焊墊148連接第二保護層146所暴露出的部份圖案化導線層144，即可完成重配置線路層140的製作。之後，可再將多個焊球150分別設置於焊墊148上，以作為晶片封裝結構100與其他電子元件電性連接的外部端子。
圖4A至圖4F是依照本發明的另一實施例的一種晶片封裝結構的製作方法的流程剖面示意圖。在此必須說明的是，本實 施例之如圖4F所示的晶片封裝結構100與圖1F之晶片封裝結構100相似，因此，本實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。以下將針對圖4F所示之晶片封裝結構100與圖1F之晶片封裝結構100的不同之處作說明。
在本實施例中，晶片封裝結構100的感應線圈120可如圖4F所示嵌入封裝膠體130內，且感應線圈120遠離封裝膠體130的下表面134的表面與封裝膠體130的上表面132實質上切齊。並且，封裝膠體130更可包括一通孔138，以暴露部分感應線圈120，而重配置線路層140可包括一圖案化導線層144，其中，圖案化導線層144連接通孔138所暴露的部份感應線圈120至接墊116的其中之一，以電性連接感應線圈120與晶片110。以下將舉例說明如圖4F所示的晶片封裝結構100的製作方法，以更清楚說明本實施例的晶片封裝結構100其元件之間的設置關係。
首先，可依照先前圖1A以及圖1B所示的步驟形成感應線圈120於金屬層122上。並可參照圖4A，將晶片110設置於一支撐層160上。晶片110如前述實施例所述包括多個接墊116、相對的主動表面112以及背面114。在本實施例中，支撐層160可例如由一銅箔層162以及一乾膜層164所組成，用以支撐晶片110。接著，請參照圖4B，形成封裝膠體130於支撐層160上，並覆蓋晶片110，接著，將依照先前圖1A以及圖1B所示的步驟所形成 的感應線圈120連同金屬層122一起壓合於封裝膠體130的上表面132，使感應線圈120嵌入封裝膠體130內並環繞於晶片110的周圍區域。
接著，請參照圖4C，透過例如蝕刻製程以移除金屬層122，使感應線圈120遠離封裝膠體130的下表面134的表面與封裝膠體130的上表面132實質上切齊。接著，再如圖4D所示移除支撐層160，以暴露晶片110的主動表面112以及封裝膠體130的下表面134。
請接續參照圖4E，形成通孔138於封裝膠體130的下表面134上，使其暴露部分感應線圈120，在本實施例中，形成通孔138的方式可利用雷射鑽孔，更具體而言，可例如利用二氧化碳(CO2)雷射進行鑽孔。接著，請再參照圖4F，形成重配置線路層140於晶片110的主動表面112以及封裝膠體130的下表面134上。重配置線路層140可如前述實施例所述包括保護層、圖案化導線層144以及多個焊墊，其中，圖案化導線層144如圖4F所示連接通孔138所暴露的部份感應線圈120至接墊116的其中之一，以電性連接感應線圈120與晶片110。之後，可再設置多個焊球150於重配置線路層140上，以作為晶片封裝結構100與其他電子元件電性連接的外部端子。如此，即大致完成圖4F所示的晶片封裝結構100的製作。
圖5A至圖5B是依照本發明的另一實施例的一種晶片封裝結構的製作方法的流程剖面示意圖。在此必須說明的是，本實 施例之如圖5B所示的晶片封裝結構100與圖1F之晶片封裝結構100相似，因此，本實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，本實施例不再重複贅述。以下將針對圖5B所示之晶片封裝結構100與圖1F之晶片封裝結構100的不同之處作說明。
在本實施例中，晶片封裝結構100的感應線圈120可如圖5B所示配置於封裝膠體130的下表面134上而非嵌入封裝膠體130內。重配置線路層140的圖案化導線層144則分別連接晶片110的主動表面112上的多個接墊116，並連接感應線圈120至接墊116的其中之一。以下將舉例說明如圖5B所示的晶片封裝結構100的製作方法，以更清楚說明本實施例的晶片封裝結構100其元件之間的設置關係。
首先，請參照圖5A，提供晶片110，並形成封裝膠體130於晶片110上，其中，封裝膠體130如圖5A所示覆蓋晶片110以及晶片110的周圍區域。接著，請再參照圖5B，形成感應線圈120於封裝膠體130的下表面134上，並形成重配置線路層140於晶片110的主動表面112以及封裝膠體130的下表面134上，其中，感應線圈120環繞於晶片110的周圍區域。在本實施例中，重配置線路層140可包括圖案化導線層144、保護層以及多個焊墊。並且，圖案化導線層144如圖5B所示連接感應線圈120至接墊116的其中之一，以電性連接感應線圈120與晶片110。之後，可再設 置多個焊球150於重配置線路層140上，以作為晶片封裝結構100與其他電子元件電性連接的外部端子。如此，即大致完成圖5B所示的晶片封裝結構100的製作，形成的方式可利用電鍍形成。
圖6A至圖6B是依照本發明的另一實施例的一種晶片封裝結構的製作方法的流程剖面示意圖。在本實施例中，晶片封裝結構200如圖6B所示包括一晶片210、多個散熱柱220、一封裝膠體230以及一重配置線路層240。晶片210包括一主動表面212以及相對主動表面212之一背面214。在本實施例中，晶片210更包括多個接墊216，設置於晶片210的主動表面212上。散熱柱220環繞設置於晶片210的一周圍區域。封裝膠體230覆蓋晶片210及其周圍區域並暴露主動表面212，使散熱柱220嵌入封裝膠體230，且封裝膠體230暴露各散熱柱220的一部分。封裝膠體230包括相對的一上表面232以及下表面234，其下表面234與主動表面214實質上切齊。重配置線路層240覆蓋主動表面212以及封裝膠體230的下表面234，並電性連接晶片210。並且，在本實施例中，散熱柱220遠離封裝膠體230的上表面232的一表面突出於封裝膠體230的下表面234，且散熱柱220不與重配置線路層240或晶片210的主動表面214上的其他線路層電性連接。
詳細而言，在本實施例中，重配置線路層240可如圖6B所示包括一第一保護層242、一圖案化導線層244、一第二保護層246以及多個焊墊248。第一保護層242覆蓋主動表面212以及封裝膠體230的下表面234。圖案化導線層244覆蓋第一保護層242， 並分別連接接墊216。第二保護層246覆蓋第一保護層242並具有多個開口，以暴露至少部份圖案化導線層244。焊墊248設置於第二保護層246上並分別連接第二保護層246的開口所暴露出的圖案化導線層244。在本實施例中，晶片封裝結構200更可包括多個焊球250，分別設置於焊墊248上，其中，焊墊248可包括一球底金屬層，其可如前述由黏著層、阻障層與沾附層所組成，以提高焊球250與焊墊248之間的接合強度，並防止電移的現象。
進一步而言，封裝膠體230更可包括多個開口236，重配置線路層240覆蓋封裝膠體230的下表面234，而開口236則位於封裝膠體230的上表面232，以如圖6B所示地分別暴露每一個散熱柱220的頂面。如此配置，本實施例的晶片封裝結構200將散熱柱220環繞設置於晶片210的周圍區域，且散熱柱220不與晶片210電性連接，並利用封裝膠體230的開口236暴露散熱柱220的頂面，使晶片封裝結構200可透過暴露的散熱柱220將晶片210所產生的熱能散逸至外界，因而可增加晶片封裝結構200的散熱效率，亦可省去設置散熱膏或散熱片等額外的散熱元件的成本。此外，在其他實施例中，晶片210更可為一堆疊式晶片結構，其由多個晶片彼此堆疊而成，並藉由環繞設置於堆疊式晶片結構的周圍區域的散熱柱220來幫助此堆疊式晶片結構進行側邊散熱。
承上述，如圖6B所示的晶片封裝結構200可應用相似於圖1A至圖1F所示的製作方法而製成，因此，詳細的製作流程圖可參考圖1A至圖1F。具體來說，晶片封裝結構200的製作流程 可先如圖6A所示提供一相似於圖1A所示的金屬層222，並設置一圖案化乾膜層224於金屬層222上，再以圖案化乾膜層224為電鍍罩幕進行電鍍製程而形成多個如圖6B所示的散熱柱220，其中，散熱柱220環繞一晶片設置區設置。之後，將晶片210設置於圖案化乾膜層224上並使其位於晶片設置區內，再接著形成封裝膠體230於晶片210及其周圍區域上，使散熱柱220嵌入封裝膠體230內。
接著，再形成如圖6B所示的多個開口236於封裝膠體230的上表面232，使其分別暴露散熱柱220的頂面。之後，可再移除金屬層222以及圖案化乾膜層224，以暴露出晶片210的主動表面112以及封裝膠體130的下表面134，且散熱柱220遠離上表面232的表面如圖6B所示地突出於下表面234。之後，再如圖6B所示形成重配置線路層240，使重配置線路層240電性連接晶片210的主動表面212上的多個接墊216。之後，再將多個焊球250分別與重配置線路層240形成電性連接，以作為晶片封裝結構200與其他電子元件電性連接的外部端子。如此，即大致完成晶片封裝結構200的製作。
除此之外，在其他實施例中，散熱柱亦可嵌入封裝膠體230，並使散熱柱遠離下表面234的表面與上表面232實質上切齊，而被封裝膠體230所暴露，也就是相似於圖4F中的感應線圈130的配置方式。如此，散熱柱可環繞晶片210的周圍區域並與封裝膠體230的上表面232切齊而被封裝膠體230所暴露，使晶片 210所產生的熱能可透過此暴露的散熱柱而散逸至外界，以增加其散熱效率。
圖7是依照本發明的另一實施例的一種晶片封裝結構的剖面示意圖。請參照圖7，在本實施例中，晶片封裝結構300包括一晶片310、至少一感應線圈320a、多個散熱柱320b、一封裝膠體330以及一重配置線路層340。晶片310包括一主動表面312、相對主動表面312之一背面314以及多個接墊316，其中，接墊316設置於主動表面312上。感應線圈320a環繞設置於晶片310的一第一周圍區域。散熱柱320b環繞設置於晶片310的一第二周圍區域。在本實施例中，第一周圍區域以及第二周圍區域彼此不重疊而可共同環繞晶片310。封裝膠體330覆蓋晶片310、第一周圍區域以及第二周圍區。在本實施例中，封裝膠體330包括相對的一上表面332以、及下表面334，其中，封裝膠體330的下表面334與晶片310的主動表面312實質上切齊，以暴露主動表面312。感應線圈320a以及散熱柱320b配置於封裝膠體330上，且封裝膠體330暴露各散熱柱320b的一部分，而重配置線路層340則覆蓋主動表面312以及封裝膠體330的下表面334。並且，重配置線路層340分別連接接墊316，並連接感應線圈320a與接墊316的其中之一，以電性連接晶片310與感應線圈320a，而散熱柱320b則不與重配置線路層340或晶片310上的其它線路層電性連接。
詳細而言，在本實施例中，重配置線路層340可包括一第一保護層342、一圖案化導線層344、一第二保護層346以及多 個焊墊348。第一保護層342覆蓋主動表面312以及封裝膠體330的下表面334。圖案化導線層344覆蓋第一保護層342且分別連接接墊316，並電性連接感應線圈320a至接墊316的其中之一。第二保護層346覆蓋第一保護層342且暴露至少部份圖案化導線層344。焊墊348設置於第二保護層346上並分別連接第二保護層346所暴露出的部份圖案化導線層344。在本實施例中，晶片封裝結構300更可包括多個焊球350，分別設置於焊墊348上，其中，焊墊348可如前所述包括一球底金屬層，以提高焊球350與焊墊348之間的接合強度，並防止電移的現象。
承上述，本實施例的晶片封裝結構300可例如應用相似於圖1A至圖1F所示的製作方法而製成，惟，相較於如圖1B所示的圖案化製程以形成感應線圈120的步驟，本實施例是利用同一圖案化製程同時形成感應線圈320a以及多個散熱柱320b於晶片310的周圍。之後，再覆蓋封裝膠體330，使感應線圈320a以及散熱柱320b分別嵌入封裝膠體330，且感應線圈320a以及散熱柱320b遠離上表面332的表面突出於下表面334。之後，再於封裝膠體330的上表面332形成多個開口336，以暴露散熱柱320b的頂面。之後，再形成重配置線路層340，使其分別連接主動表面312上的接墊316，並電性連接感應線圈320a至接墊316的其中之一。在本實施例中，重配置線路層340可包括圖案化導線層344，其連接突出於下表面334的部份感應線圈320a至接墊316的其中之一。之後，再將多個焊球350分別與重配置線路層340 形成電性連接，以作為晶片封裝結構300與其他電子元件電性連接的外部端子。如此，即可大致完成晶片封裝結構300的製作。
除此之外，在其他實施例中，晶片封裝結構300的感應線圈以及散熱柱可套用圖4F中的感應線圈130的配置方式，也就是說，感應線圈以及散熱柱嵌入封裝膠體330，並且感應線圈以及散熱柱遠離下表面234的表面可與上表面232切齊，而使散熱柱被封裝膠體230所暴露。此外，亦可於封裝膠體330的下表面234上形成如圖4F所示的通孔138，以暴露部份感應線圈，並使重配置線路層340的圖案化導線層344連接此通孔所暴露的部份感應線圈至接墊316的其中之一。如此，感應線圈以及散熱柱可環繞晶片310的周圍區域，並使散熱柱暴露於封裝膠體330外，因而使晶片310所產生的熱能可透過暴露的散熱柱而散逸至外界，增加散熱效率。
綜上所述，本發明的晶片封裝結構將感應線圈環繞設置於晶片的周圍區域，以作為晶片封裝結構的電感元件之用，使感應線圈的設置範圍無須再侷限於晶片的表面上，因而可增加晶片封裝結構的電感設置面積，進而增加其電感量。並且，相較於習知將電感元件直接設置於晶片的主動表面上，本發明的感應線圈環繞設置於晶片的周圍，可減少感應線圈與晶片間的訊號干擾，因而可增加收訊品質。
並且，本發明的晶片封裝結構亦可將多個散熱柱環繞設置於晶片的周圍區域，且散熱柱不與晶片電性連接，並使封裝膠 體暴露散熱柱的頂面，使晶片封裝結構可透過環繞於晶片周圍的散熱柱，將晶片所產生的熱能散逸至外界，因而可增加晶片封裝結構的散熱效率，亦可省去設置散熱膏或散熱片等額外的散熱元件的成本。此外，本發明利用已發展成熟的半導體製程來實現感應線圈以及散熱柱，以作為晶片封裝結構的電感元件以及散熱元件，其製程簡單並利於量產，亦可節省製程成本。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧晶片封裝結構
110‧‧‧晶片
112‧‧‧主動表面
114‧‧‧背面
116‧‧‧接墊
120‧‧‧感應線圈
132‧‧‧上表面
134‧‧‧下表面
140‧‧‧重配置線路層
142‧‧‧第一保護層
144‧‧‧圖案化導線層
146‧‧‧第二保護層
148‧‧‧焊墊
150‧‧‧焊球

Claims (18)

  1. 一種晶片封裝結構，包括：一晶片，於包括一主動表面以及相對該主動表面之一背面；至少一感應線圈，環繞設置於該晶片的一周圍區域；一封裝膠體，包括一上表面以及相對該上表面的一下表面，並覆蓋該晶片以及該周圍區域並暴露該主動表面，其中，該感應線圈配置於該封裝膠體上，且該封裝膠體之下表面實質上與該主動表面切齊；一重配置線路層，覆蓋該主動表面、部分該封裝膠體以及部分該感應線圈，並電性連接該晶片。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的晶片封裝結構，其中該晶片更包括多個接墊，設置於該主動表面上，該重配置線路層電性連接該感應線圈與該些接墊的其中之一。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的晶片封裝結構，其中，該感應線圈嵌入該封裝膠體，且該感應線圈遠離該上表面的一表面突出於該下表面。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的晶片封裝結構，其中該重配置線路層包括一圖案化導線層，該圖案化導線層連接突出於該下表面的部份該感應線圈至該些接墊的其中之一。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的晶片封裝結構，其中，該感應線圈嵌入該封裝膠體，且該感應線圈遠離該下表面的表面與該上表面切齊。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的晶片封裝結構，其中該封裝膠體更包括一通孔，暴露部份該感應線圈，該重配置線路層包括一圖案化導線層，該圖案化導線層連接該通孔所暴露的部份該感應線圈至該些接墊的其中之一。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的晶片封裝結構，其中，該感應線圈配置於該下表面上。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的晶片封裝結構，其中該感應線圈的數量為多個，該重配置線路層電性連接各該感應線圈與該晶片。
  9. 一種晶片封裝結構，包括：一晶片，包括一主動表面以及相對該主動表面之一背面；多個散熱柱，環繞設置於該晶片的一周圍區域；一封裝膠體，覆蓋該晶片以及該周圍區域並暴露該主動表面，該些散熱柱配置於該封裝膠體，且該封裝膠體暴露各該散熱柱的一部分；以及一重配置線路層，覆蓋該主動表面以及部分該封裝膠體，並電性連接該晶片。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的晶片封裝結構，其中該封裝膠體包括一上表面、相對該上表面的一下表面以及多個開口，該下表面實質上與該主動表面切齊，該重配置線路層覆蓋該下表面，該些開口位於該上表面，該些散熱柱嵌入該封裝膠體且各該開口暴露對應的散熱柱的一頂面。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的晶片封裝結構，其中該散熱柱遠離該上表面的一表面突出於該下表面。
  12. 如申請專利範圍第9項所述的晶片封裝結構，其中該封裝膠體包括一上表面以及相對該上表面的一下表面，該下表面實質上與該主動表面切齊，該些散熱柱嵌入該封裝膠體，且該些散熱柱遠離該下表面的表面與該上表面切齊而被該封裝膠體所暴露。
  13. 一種晶片封裝結構，包括：一晶片，包括一主動表面以及相對該主動表面之一背面；至少一感應線圈，環繞設置於該晶片的一第一周圍區域；多個散熱柱，環繞設置於該晶片的一第二周圍區域，該第一周圍區域以及該第二周圍區域彼此不重疊；一封裝膠體，覆蓋該晶片、該第一周圍區域以及該第二周圍區並暴露該主動表面，該感應線圈以及該些散熱柱配置於該封裝膠體上，且該封裝膠體暴露各該散熱柱的一部分；以及一重配置線路層，覆蓋該主動表面以及部分該封裝膠體，並電性連接該晶片。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的晶片封裝結構，其中該晶片更包括多個接墊，設置於該主動表面上，該重配置線路層電性連接該感應線圈與該些接墊的其中之一。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的晶片封裝結構，其中該封裝膠體包括一上表面、相對該上表面的一下表面以及多個開口， 該下表面實質上與該主動表面切齊，該感應線圈以及該些散熱柱嵌入該封裝膠體，且該感應線圈以及該些散熱柱遠離該上表面的表面突出於該下表面，該些開口位於該上表面，各該開口暴露對應的散熱柱的一頂面。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的晶片封裝結構，其中該重配置線路層包括一圖案化導線層，該圖案化導線層連接突出於該下表面的部份該感應線圈至該些接墊的其中之一。
  17. 如申請專利範圍第13項所述的晶片封裝結構，其中該封裝膠體包括一上表面以及相對該上表面的一下表面，該下表面實質上與該主動表面切齊，該感應線圈以及該些散熱柱嵌入該封裝膠體，且該感應線圈以及該些散熱柱遠離該下表面的表面與該上表面切齊。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的晶片封裝結構，其中該封裝膠體更包括一通孔，暴露部份該感應線圈，該重配置線路層包括一圖案化導線層，該圖案化導線層連接該通孔所暴露的部份該感應線圈至該些接墊的其中之一。
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