TWI508452B - 驅動電路之位準偏移器及其運作方法 - Google Patents

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Description

驅動電路之位準偏移器及其運作方法
本發明係與顯示器之驅動電路有關，特別是關於一種應用於顯示器的驅動電路之位準偏移器及其運作方法。
於傳統顯示器的驅動電路中，當位準偏移器(Level shifter)進行多電源域(multi-power domain)之訊號升壓轉換時，為了避免一次訊號升壓轉換的轉換電壓過大(例如從0~1.5伏特升壓轉換至6~12伏特)，使得跨壓超過其金氧半場效電晶體(MOSFET)元件所能承受的耐壓，導致漏電及縮短其使用壽命等缺點，習知的位準偏移器通常都會使用較多級數的位準偏移單元依序進行多次的訊號升壓轉換，藉以使得每次訊號升壓轉換的轉換電壓均不會超過其金氧半場效電晶體元件所能承受的耐壓，故能避免漏電之情形發生並且可延長其使用壽命。
舉例而言，如圖1所示，傳統的位準偏移器1包含有五級的位準偏移單元11~15，假設位準偏移器1之輸入端IN及INB的輸入電壓為0~1.5伏特，當0~1.5伏特的輸入電壓依序經過位準偏移單元11~15之訊號升壓轉換處理後，將會轉換成具有6~12伏特的輸出電壓訊號OUTP及OUTPB，並透過位準偏移器1之輸出端將其輸出。
然而，傳統的位準偏移器1所包含的金氧半場效電晶體 (MOSFET)元件數量高達26個之多(M1~M26)，並且需要設置有兩個額外的電壓源來提供訊號升壓轉換處理所需之兩個中間電壓VCL1及VCL2，導致其製造成本增加並使得其電路結構變得較為複雜。此外，由於整個訊號升壓轉換處理程序還需依序分成四段來進行，亦會導致位準偏移器1進行多電源域的訊號升壓轉換效率變差。
因此，本發明提出一種驅動電路之位準偏移器及其運作方 法，以解決先前技術所遭遇到之上述問題。
根據本發明之一較佳具體實施例為一種位準偏移器。於此實 施例中，位準偏移器係應用於一顯示器的一驅動電路，用以將一輸入電壓訊號升壓轉換為一輸出電壓訊號。位準偏移器包含一第一級位準偏移單元及一第二級位準偏移單元。
第一級位準偏移單元包含一第一電晶體開關、一第二電晶 體開關、一第三電晶體開關、一第四電晶體開關、一第五電晶體開關、一第六電晶體開關、一第七電晶體開關及一第八電晶體開關。第一電晶體開關、第二電晶體開關、第三電晶體開關及第四電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開關；第五電晶體開關、第六電晶體開關、第七電晶體開關及第八電晶體開關為P型金氧半場效電晶體開關；第一電晶體開關、第三電晶體開關、第五電晶體開關及第七電晶體開關彼此串接於一接地端與一操作電壓之間；第二電晶體開關、第四電晶體開關、第六電晶體開關及第八電晶體開關彼此串接於接地端與操作電壓之間；第一電晶體開關及第二電晶體開關之閘極係耦接輸入電壓訊號；第三電晶體開關、 第四電晶體開關、第五電晶體開關及第六電晶體開關之閘極均耦接一半操作電壓，半操作電壓係為操作電壓的一半；第七電晶體開關之閘極係耦接至第六電晶體開關與第八電晶體開關之間的一第一接點；第八電晶體開關之閘極係耦接至第五電晶體開關與第七電晶體開關之間的一第二接點。
第二級位準偏移單元包含一第九電晶體開關、一第十電晶 體開關、一第十一電晶體開關及一第十二電晶體開關，其中第九電晶體開關及第十電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開關；第十一電晶體開關及第十二電晶體開關為P型金氧半場效電晶體開關；第九電晶體開關及第十一電晶體開關彼此串接於半操作電壓與操作電壓之間；第十電晶體開關及第十二電晶體開關彼此串接於半操作電壓與操作電壓之間；第九電晶體開關之閘極係耦接至第十電晶體開關與第十二電晶體開關之間的一第一輸出端；第十電晶體開關之閘極係耦接至第九電晶體開關與第十一電晶體開關之間的一第二輸出端；第十一電晶體開關之閘極係耦接至第一接點；第十二電晶體開關之閘極係耦接至第二接點；第二級位準偏移單元係透過第一輸出端及第二輸出端將輸出電壓訊號輸出。
於一實施例中，操作電壓為12伏特，半操作電壓為6伏特， 輸入電壓訊號之電壓範圍為0~1.5伏特，輸出電壓訊號之電壓範圍為6~12伏特。
於一實施例中，若第一電晶體開關~第四電晶體開關之臨 界電壓為VTN且元件耐壓為6伏特，第五電晶體開關~第八電晶體開關之臨界電壓為VTP且元件耐壓為6伏特，則第一電晶體開關及第二電晶體開 關操作於0~(6-VTN)伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特；第三電晶體開關及第四電晶體開關操作於VTN~6伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特；第五電晶體開關及第六電晶體開關操作於6~(12-VTP)伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特；第七電晶體開關及第八電晶體開關操作於(6+VTP)~12伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特。
於一實施例中，位準偏移器進一步包含另一第二級位準偏 移單元。另一第二級位準偏移單元包含一第十三電晶體開關、一第十四電晶體開關、一第十五電晶體開關及一第十六電晶體開關，其中第十三電晶體開關及第十四電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開關；第十五電晶體開關及第十六電晶體開關為P型金氧半場效電晶體開關；第十三電晶體開關及第十五電晶體開關彼此串接於接地端與半操作電壓之間；第十四電晶體開關及第十六電晶體開關彼此串接於接地端與半操作電壓之間；第十三電晶體開關之閘極係耦接至第一電晶體開關與第三電晶體開關之間；第十四電晶體開關之閘極係耦接至第二電晶體開關與第四電晶體開關之間；第十五電晶體開關之閘極係耦接至第十四電晶體開關與第十六電晶體開關之間的一第三輸出端；第十六電晶體開關之閘極係耦接至第十三電晶體開關與第十五電晶體開關之間的一第四輸出端；另一第二級位準偏移單元係透過第三輸出端及第四輸出端輸出另一輸出電壓訊號。
於一實施例中，另一輸出電壓訊號係與輸出電壓訊號具有 相同的邏輯及不同的電壓範圍。
於一實施例中，操作電壓為12伏特，半操作電壓為6伏特， 輸入電壓訊號之電壓範圍為0~1.5伏特，輸出電壓訊號之電壓範圍為6~12伏特，另一輸出電壓訊號之電壓範圍為0~6伏特。
根據本發明之另一較佳具體實施例為一種位準偏移器運作 方法。於此實施例中，位準偏移器運作方法係用以運作一顯示器之一驅動電路中之一位準偏移器將一輸入電壓訊號升壓轉換為一輸出電壓訊號。位準偏移器包含一第一級位準偏移單元及一第二級位準偏移單元。
第一級位準偏移單元包含一第一電晶體開關、一第二電晶 體開關、一第三電晶體開關、一第四電晶體開關、一第五電晶體開關、一第六電晶體開關、一第七電晶體開關及一第八電晶體開關。第二級位準偏移單元包含一第九電晶體開關、一第十電晶體開關、一第十一電晶體開關及一第十二電晶體開關。第一電晶體開關、第二電晶體開關、第三電晶體開關、第四電晶體開關、第九電晶體開關及第十電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開關；第五電晶體開關、第六電晶體開關、第七電晶體開關、第八電晶體開關、第十一電晶體開關及第十二電晶體開關為P型金氧半場效電晶體開關。
第一電晶體開關、第三電晶體開關、第五電晶體開關及 第七電晶體開關彼此串接於一接地端與一操作電壓之間。第二電晶體開關、第四電晶體開關、第六電晶體開關及第八電晶體開關彼此串接於接地端與操作電壓之間。第三電晶體開關、第四電晶體開關、第五電晶體開關及第六電晶體開關之閘極均耦接一半操作電壓。半操作電壓係為操作電壓的一半。第七電晶體開關之閘極係耦接至第六電晶體開關與第八電晶體開關之間的一第一接點。第八電晶體開關之閘極係耦接至第五電 晶體開關與第七電晶體開關之間的一第二接點。第九電晶體開關及第十一電晶體開關彼此串接於半操作電壓與操作電壓之間。第十電晶體開關及第十二電晶體開關彼此串接於半操作電壓與操作電壓之間。第九電晶體開關之閘極係耦接至第十電晶體開關與第十二電晶體開關之間的一第一輸出端。第十電晶體開關之閘極係耦接至第九電晶體開關與第十一電晶體開關之間的一第二輸出端。第十一電晶體開關之閘極係耦接至第一接點。第十二電晶體開關之閘極係耦接至第二接點。
該方法包含下列步驟：(a)透過該第一電晶體開關及該第 二電晶體開關之閘極接收該輸入電壓訊號；(b)透過該第十一電晶體開關及該第十二電晶體開關之閘極分別自該第一接點及該第二接點接收一第一電壓訊號及一第二電壓訊號；以及(c)透過該第一輸出端及該第二輸出端輸出該輸出電壓訊號。
根據本發明之另一較佳具體實施例為一種位準偏移器。於此 實施例中，位準偏移器係應用於一顯示器的一驅動電路，用以將一輸入電壓訊號升壓轉換為一輸出電壓訊號。位準偏移器包含一第一級位準偏移單元及一第二級位準偏移單元。
第一級位準偏移單元包含一第一電晶體開關、一第二電晶 體開關、一第三電晶體開關、一第四電晶體開關、一第五電晶體開關、一第六電晶體開關、一第七電晶體開關、一第八電晶體開關、一第九電晶體開關、一第十電晶體開關、一第十一電晶體開關及一第十二電晶體開關。第一電晶體開關、第二電晶體開關、第三電晶體開關、第四電晶體開關、第九電晶體開關及第十電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開 關；第五電晶體開關、第六電晶體開關、第七電晶體開關、第八電晶體開關、第十一電晶體開關及第十二電晶體開關為P型金氧半場效電晶體開關；第一電晶體開關、第三電晶體開關、第五電晶體開關及第七電晶體開關彼此串接於接地端與第一中間電壓之間；第二電晶體開關、第四電晶體開關、第六電晶體開關及第八電晶體開關彼此串接於接地端與第一中間電壓之間；第一電晶體開關及第二電晶體開關之閘極係耦接輸入電壓訊號；第三電晶體開關、第四電晶體開關、第五電晶體開關及第六電晶體開關之閘極均耦接第二中間電壓，第二中間電壓係小於第一中間電壓；第一電晶體開關、第二電晶體開關、第三電晶體開關及第四電晶體開關之閘極均耦接至接地端；第五電晶體開關、第六電晶體開關、第七電晶體開關及第八電晶體開關之閘極均耦接至第一中間電壓；第七電晶體開關之閘極耦接至第六電晶體開關與第八電晶體開關之間；第八電晶體開關之閘極耦接至第五電晶體開關與第七電晶體開關之間；第九電晶體開關與第十一電晶體開關係耦接於半操作電壓與第一中間電壓之間；第十電晶體開關與第十二電晶體開關係耦接於半操作電壓與第一中間電壓之間；第九電晶體開關及第十電晶體開關之閘極均耦接至第五電晶體開關與第七電晶體開關之間；第十一電晶體開關與第十二電晶體開關之閘極均耦接至第六電晶體開關與第八電晶體開關之間；第九電晶體開關及第十電晶體開關之閘極分別耦接至半操作電壓；第十一電晶體開關與第十二電晶體開關之閘極分別耦接至第一中間電壓。
第二級位準偏移單元包含一第十三電晶體開關、一第十四 電晶體開關、一第十五電晶體開關、一第十六電晶體開關、一第十七電 晶體開關及一第十八電晶體開關，其中第十三電晶體開關及第十四電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開關；第十五電晶體開關、第十六電晶體開關、第十七電晶體開關及第十八電晶體開關為P型金氧半場效電晶體開關；第十三電晶體開關、第十五電晶體開關及第十七電晶體開關彼此串接於半操作電壓與操作電壓之間，半操作電壓係為操作電壓之一半；第十四電晶體開關、第十六電晶體開關及第十八電晶體開關彼此串接於半操作電壓與操作電壓之間；第十三電晶體開關與第十四電晶體開關之閘極耦接半操作電壓；第十五電晶體開關、第十六電晶體開關、第十七電晶體開關及第十八電晶體開關之閘極耦接操作電壓；第十三電晶體開關與第十五電晶體開關之閘極均耦接至第九電晶體開關與第十一電晶體開關之間；第十四電晶體開關與第十六電晶體開關之閘極均耦接至第十電晶體開關與第十二電晶體開關之間；第十七電晶體開關係透過第一輸出端耦接至第十四電晶體開關與第十六電晶體開關之間；第十八電晶體開關係透過第二輸出端耦接至第十三電晶體開關與第十五電晶體開關之間；第二級位準偏移單元係透過第一輸出端及第二輸出端將輸出電壓訊號輸出。
根據本發明之另一較佳具體實施例為一種位準偏移器運作 方法。於此實施例中，位準偏移器運作方法係用以運作一顯示器之一驅動電路中之一位準偏移器將一輸入電壓訊號升壓轉換為一輸出電壓訊號。位準偏移器包含一第一級位準偏移單元及一第二級位準偏移單元。
第一級位準偏移單元包含一第一電晶體開關、一第二電晶 體開關、一第三電晶體開關、一第四電晶體開關、一第五電晶體開關、 一第六電晶體開關、一第七電晶體開關、一第八電晶體開關、一第九電晶體開關、一第十電晶體開關、一第十一電晶體開關及一第十二電晶體開關，其中第一電晶體開關、第二電晶體開關、第三電晶體開關、第四電晶體開關、第九電晶體開關及第十電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開關；第五電晶體開關、第六電晶體開關、第七電晶體開關、第八電晶體開關、第十一電晶體開關及第十二電晶體開關為P型金氧半場效電晶體開關；第一電晶體開關、第三電晶體開關、第五電晶體開關及第七電晶體開關彼此串接於接地端與第一中間電壓之間；第二電晶體開關、第四電晶體開關、第六電晶體開關及第八電晶體開關彼此串接於接地端與第一中間電壓之間；第一電晶體開關及第二電晶體開關之閘極係耦接輸入電壓訊號；第三電晶體開關、第四電晶體開關、第五電晶體開關及第六電晶體開關之閘極均耦接第二中間電壓，第二中間電壓係小於第一中間電壓；第一電晶體開關、第二電晶體開關、第三電晶體開關及第四電晶體開關之閘極均耦接至接地端；第五電晶體開關、第六電晶體開關、第七電晶體開關及第八電晶體開關之閘極均耦接至第一中間電壓；第七電晶體開關之閘極耦接至第六電晶體開關與第八電晶體開關之間；第八電晶體開關之閘極耦接至第五電晶體開關與第七電晶體開關之間；第九電晶體開關與第十一電晶體開關係耦接於半操作電壓與第一中間電壓之間；第十電晶體開關與第十二電晶體開關係耦接於半操作電壓與第一中間電壓之間；第九電晶體開關及第十電晶體開關之閘極均耦接至第五電晶體開關與第七電晶體開關之間；第十一電晶體開關與第十二電晶體開關之閘極均耦接至第六電晶體開關與第八電晶體開關之間；第九電晶體 開關及第十電晶體開關之閘極分別耦接至半操作電壓；第十一電晶體開關與第十二電晶體開關之閘極分別耦接至第一中間電壓；第二級位準偏移單元包含一第十三電晶體開關、一第十四電晶體開關、一第十五電晶體開關、一第十六電晶體開關、一第十七電晶體開關及一第十八電晶體開關，其中第十三電晶體開關及第十四電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開關；第十五電晶體開關、第十六電晶體開關、第十七電晶體開關及第十八電晶體開關為P型金氧半場效電晶體開關；第十三電晶體開關、第十五電晶體開關及第十七電晶體開關彼此串接於半操作電壓與操作電壓之間，半操作電壓係為操作電壓之一半；第十四電晶體開關、第十六電晶體開關及第十八電晶體開關彼此串接於半操作電壓與操作電壓之間；第十三電晶體開關與第十四電晶體開關之閘極耦接半操作電壓；第十五電晶體開關、第十六電晶體開關、第十七電晶體開關及第十八電晶體開關之閘極耦接操作電壓；第十三電晶體開關與第十五電晶體開關之閘極均耦接至第九電晶體開關與第十一電晶體開關之間；第十四電晶體開關與第十六電晶體開關之閘極均耦接至第十電晶體開關與第十二電晶體開關之間；第十七電晶體開關係透過第一輸出端耦接至第十四電晶體開關與第十六電晶體開關之間；第十八電晶體開關係透過第二輸出端耦接至第十三電晶體開關與第十五電晶體開關之間。
該方法包含下列步驟：(a)透過第一電晶體開關及第二電 晶體開關之閘極接收輸入電壓訊號；(b)透過第十三電晶體開關及第十五電晶體開關之閘極自第九電晶體開關與第十一電晶體開關之間接收第一電壓訊號以及透過第十四電晶體開關及第十六電晶體開關之閘極自第十 電晶體開關與第十二電晶體開關之間接收一第二電壓訊號；以及(c)透過第一輸出端及第二輸出端將輸出電壓訊號輸出。
相較於先前技術，根據本發明之驅動電路之位準偏移器及其運作方法具有下列優點：
(1)本發明之位準偏移器所需的金氧半場效電晶體元件之數量比傳統的位準偏移器減少很多，並且還可以不設置額外的電壓源來提供訊號升壓轉換處理所需之中間電壓，故能有效降低其製造成本並簡化其電路結構。
(2)本發明之位準偏移器僅需兩級位準偏移單元之操作即可完成整個訊號升壓轉換處理程序，不需分成多段程序進行，故可有效提升位準偏移器進行多電源域的訊號升壓轉換效率。
(3)本發明之位準偏移器亦可透過第一級位準偏移單元中之金氧半場效電晶體元件之間適當的耦接設計達到縮減電路佈局(layout)面積之功效。
關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。
S10~S14、S20~S24‧‧‧流程步驟
M1~M26‧‧‧電晶體開關
1~2、4、7‧‧‧位準偏移器
11~15、21~22、41~42、44、71~72‧‧‧位準偏移單元
IN、INB‧‧‧輸入電壓訊號
OUTP、OUTPB、OUTN、OUTNB‧‧‧輸出電壓訊號
VCL1、VCL2‧‧‧中間電壓
AGND‧‧‧接地端
AVDD‧‧‧操作電壓
hAVDD‧‧‧半操作電壓
V1P、V1N、V2P、V2N、V3P、V3N、V4P、V4N‧‧‧電壓
V1~V2‧‧‧電壓
P1‧‧‧第一接點
P2‧‧‧第二接點
OT1~OT4‧‧‧第一輸出端~第四輸出端
圖1係繪示傳統的驅動電路之位準偏移器的示意圖。
圖2係繪示根據本發明之一較佳具體實施例的位準偏移器之功能方塊圖。
圖3係繪示圖2之位準偏移器的詳細電路圖。
圖4係繪示根據本發明之另一較佳具體實施例的位準偏移器 之功能方塊圖。
圖5係繪示圖4之位準偏移器的詳細電路圖。
圖6係繪示根據本發明之另一較佳具體實施例的驅動電路之位準偏移器運作方法的流程圖。
圖7係繪示根據本發明之另一較佳具體實施例的位準偏移器之功能方塊圖。
圖8係繪示圖7之位準偏移器的詳細電路圖。
圖9係繪示根據本發明之另一較佳具體實施例的驅動電路之位準偏移器運作方法的流程圖。
根據本發明之一較佳具體實施例為一種驅動電路之位準偏移器。於此實施例中，位準偏移器係應用於一顯示器的一驅動電路，但不以此為限。首先，請參照圖2，圖2係繪示此實施例中的位準偏移器之功能方塊圖。如圖2所示，位準偏移器2包含第一級位準偏移單元21及第二級位準偏移單元22。其中，第一級位準偏移單元21係耦接於接地端AGND與操作電壓AVDD之間；第二級位準偏移單元22係耦接於半操作電壓hAVDD與操作電壓AVDD之間；第一級位準偏移單元21耦接第二級位準偏移單元22。
接著，請參照圖3，圖3係繪示圖2之位準偏移器2的詳細電路圖。如圖3所示，位準偏移器2的第一級位準偏移單元21包含第一電晶體開關M1、第二電晶體開關M2、第三電晶體開關M3、第四電晶體開關M4、第五電晶體開關M5、第六電晶體開關M6、第七電晶體開關M7及第八電晶體開關M8。其中，第一電晶體開關M1、第二電晶體開關M2、第三電 晶體開關M3及第四電晶體開關M4為N型金氧半場效電晶體開關；第五電晶體開關M5、第六電晶體開關M6、第七電晶體開關M7及第八電晶體開關M8為P型金氧半場效電晶體開關。
於此實施例中，第一電晶體開關M1、第三電晶體開關 M3、第五電晶體開關M5及第七電晶體開關M7彼此串接於接地端AGND與操作電壓AVDD之間；第二電晶體開關M2、第四電晶體開關M4、第六電晶體開關M6及第八電晶體開關M8彼此串接於接地端AGND與操作電壓AVDD之間。第一電晶體開關M1及第二電晶體開關M2之閘極(Gate)係耦接輸入電壓訊號IN及INB；第三電晶體開關M3、第四電晶體開關M4、第五電晶體開關M5及第六電晶體開關M6之閘極均耦接半操作電壓hAVDD，其中，半操作電壓hAVDD係為操作電壓AVDD的一半。第三電晶體開關M3之基極(Base)耦接至第一電晶體開關M1與第三電晶體開關M3之間；第四電晶體開關M4之基極耦接至第二電晶體開關M2與第四電晶體開關M4之間；第五電晶體開關M5之基極耦接至第七電晶體開關M7與第五電晶體開關M5之間；第六電晶體開關M6之基極耦接至第八電晶體開關M8與第六電晶體開關M6之間。第七電晶體開關M7之閘極係耦接至第六電晶體開關M6與第八電晶體開關M8之間的第一接點P1；第八電晶體開關M8之閘極係耦接至第五電晶體開關M5與第七電晶體開關M7之間的第二接點P2。
位準偏移器2的第二級位準偏移單元22包含第九電晶體開 關M9、第十電晶體開關M10、第十一電晶體開關M11及第十二電晶體開關M12。其中，第九電晶體開關M9及第十電晶體開關M10為N型金氧半場 效電晶體開關；第十一電晶體開關M11及第十二電晶體開關M12為P型金氧半場效電晶體開關。第九電晶體開關M9及第十一電晶體開關M11彼此串接於半操作電壓hAVDD與操作電壓AVDD之間；第十電晶體開關M10及第十二電晶體開關M12彼此串接於半操作電壓hAVDD與操作電壓AVDD之間。第九電晶體開關M9之閘極係耦接至第十電晶體開關M10與第十二電晶體開關M12之間的第一輸出端OT1；第十電晶體開關M10之閘極係耦接至第九電晶體開關M9與第十一電晶體開關M11之間的第二輸出端OT2。第十一電晶體開關M11之閘極係耦接至第一級位準偏移單元21中之第一接點P1，用以自第一接點P1接收第一電壓訊號V1P；第十二電晶體開關M12之閘極係耦接至第一級位準偏移單元21中之第二接點P2，用以自第二接點P2接收第二電壓訊號V1N。第二級位準偏移單元22係透過第一輸出端OT1及第二輸出端OT2分別將輸出電壓訊號OUTP及OUTPB輸出。
於實際應用中，假設操作電壓AVDD為12伏特，半操作電 壓hAVDD為6伏特，輸入電壓訊號IN及INB之電壓範圍為0~1.5伏特，輸出電壓訊號OUTP及OUTPB之電壓範圍為6~12伏特，第一電晶體開關M1~第四電晶體開關M4之臨界電壓為大於零的VTN且其元件耐壓為6伏特，第五電晶體開關M5~第八電晶體開關M8之臨界電壓為大於零的VTP且其元件耐壓為6伏特，則第一電晶體開關M1及第二電晶體開關M2係操作於0~(6-VTN)伏特之電壓範圍，由於VTN大於零，故其跨壓小於6伏特。第三電晶體開關M3及第四電晶體開關M4操作於VTN~6伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特。第五電晶體開關M5及第六電晶體開關M6操作於6~(12-VTP)伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特。第七電晶體開關M7及第 八電晶體開關M8操作於(6+VTP)~12伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特。
需說明的是，此實施例中之P型金氧半場效電晶體開關 (M5~M8)之閘極與基極/源極/汲極之間的耐壓為6伏特，而其源極/汲極與基極之間的耐壓為10伏特；此實施例中之N型金氧半場效電晶體開關(M1~M4)之閘極與基極/源極/汲極之間的耐壓為6伏特，而其源極/汲極與基極之間的耐壓為11伏特。
由上述可知：根據本發明之位準偏移器2僅需包含有兩級位 準偏移單元(第一級位準偏移單元21及第二級位準偏移單元22)，總共也僅需12個電晶體開關元件(第一電晶體開關M1~第十二電晶體開關M12)即可完成整個訊號升壓轉換處理程序，不但比圖1所示之傳統的位準偏移器1所需的五級位準偏移單元11~15，總共需要26個電晶體開關元件減少很多，而且也不需設置額外的電壓源來提供訊號升壓轉換處理所需之中間電壓，故能有效節省製造成本並提升位準偏移器之訊號升壓轉換效率。
根據本發明之另一較佳具體實施例亦為一種驅動電路之位 準偏移器。於此實施例中，位準偏移器係應用於一顯示器的一驅動電路，但不以此為限。首先，請參照圖4，圖4係繪示此實施例中的位準偏移器之功能方塊圖。如圖4所示，位準偏移器4包含第一級位準偏移單元41及兩個第二級位準偏移單元42及44。其中，第一級位準偏移單元41係耦接於接地端AGND與操作電壓AVDD之間；第二級位準偏移單元42係耦接於半操作電壓hAVDD與操作電壓AVDD之間；第二級位準偏移單元44係耦接於接地端AGND與半操作電壓hAVDD之間；第一級位準偏移單元21分別耦接兩個第二級位準偏移單元42及44。
接著，請參照圖5，圖5係繪示圖4之位準偏移器4的詳細電路 圖。如圖5所示，位準偏移器4的第一級位準偏移單元41包含第一電晶體開關M1、第二電晶體開關M2、第三電晶體開關M3、第四電晶體開關M4、第五電晶體開關M5、第六電晶體開關M6、第七電晶體開關M7及第八電晶體開關M8。其中，第一電晶體開關M1、第二電晶體開關M2、第三電晶體開關M3及第四電晶體開關M4為N型金氧半場效電晶體開關；第五電晶體開關M5、第六電晶體開關M6、第七電晶體開關M7及第八電晶體開關M8為P型金氧半場效電晶體開關。
於此實施例中，第一電晶體開關M1、第三電晶體開關 M3、第五電晶體開關M5及第七電晶體開關M7彼此串接於接地端AGND與操作電壓AVDD之間；第二電晶體開關M2、第四電晶體開關M4、第六電晶體開關M6及第八電晶體開關M8彼此串接於接地端AGND與操作電壓AVDD之間。第一電晶體開關M1及第二電晶體開關M2之閘極係耦接輸入電壓訊號IN及INB；第三電晶體開關M3、第四電晶體開關M4、第五電晶體開關M5及第六電晶體開關M6之閘極均耦接半操作電壓hAVDD，其中，半操作電壓hAVDD係為操作電壓AVDD的一半。第三電晶體開關M3之基極(Base)耦接至第一電晶體開關M1與第三電晶體開關M3之間；第四電晶體開關M4之基極耦接至第二電晶體開關M2與第四電晶體開關M4之間；第五電晶體開關M5之基極耦接至第七電晶體開關M7與第五電晶體開關M5之間；第六電晶體開關M6之基極耦接至第八電晶體開關M8與第六電晶體開關M6之間。第七電晶體開關M7之閘極係耦接至第六電晶體開關M6與第八電晶體開關M8之間的第一接點P1；第八電晶體開關M8之 閘極係耦接至第五電晶體開關M5與第七電晶體開關M7之間的第二接點P2。
位準偏移器4的第二級位準偏移單元42包含第九電晶體開 關M9、第十電晶體開關M10、第十一電晶體開關M11及第十二電晶體開關M12。其中，第九電晶體開關M9及第十電晶體開關M10為N型金氧半場效電晶體開關；第十一電晶體開關M11及第十二電晶體開關M12為P型金氧半場效電晶體開關。第九電晶體開關M9及第十一電晶體開關M11彼此串接於半操作電壓hAVDD與操作電壓AVDD之間；第十電晶體開關M10及第十二電晶體開關M12彼此串接於半操作電壓hAVDD與操作電壓AVDD之間。第九電晶體開關M9之閘極係耦接至第十電晶體開關M10與第十二電晶體開關M12之間的第一輸出端OT1；第十電晶體開關M10之閘極係耦接至第九電晶體開關M9與第十一電晶體開關M11之間的第二輸出端OT2。第十一電晶體開關M11之閘極係耦接至第一級位準偏移單元41中之第一接點P1：第十二電晶體開關M12之閘極係耦接至第一級位準偏移單元41中之第二接點P2。第二級位準偏移單元42係透過第一輸出端OT1及第二輸出端OT2分別將輸出電壓訊號OUTP及OUTPB輸出。
至於位準偏移器4的第二級位準偏移單元44包含第十三電 晶體開關M13、第十四電晶體開關M14、第十五電晶體開關M15及第十六電晶體開關M16。其中，第十三電晶體開關M13及第十四電晶體開關M14為N型金氧半場效電晶體開關；第十五電晶體開關M15及第十六電晶體開關M16為P型金氧半場效電晶體開關。第十三電晶體開關M13及第十五電晶體開關M15彼此串接於接地端AGND與半操作電壓hAVDD之間；第十 四電晶體開關M14及第十六電晶體開關M16彼此串接於接地端AGND與半操作電壓hAVDD之間。第十三電晶體開關M13之閘極係耦接至第一電晶體開關M1與第三電晶體開關M3之間；第十四電晶體開關M14之閘極係耦接至第二電晶體開關M2與第四電晶體開關M4之間；第十五電晶體開關M15之閘極係耦接至第十四電晶體開關14與第十六電晶體開關16之間的第三輸出端OT3；第十六電晶體開關M16之閘極係耦接至第十三電晶體開關M13與第十五電晶體開關M15之間的第四輸出端OT4；第二級位準偏移單元44係透過第三輸出端OT3及第四輸出端OT4分別將輸出電壓訊號OUTN及OUTNB輸出。
於實際應用中，假設操作電壓AVDD為12伏特，半操作電 壓hAVDD為6伏特，輸入電壓訊號IN及INB之電壓範圍為0~1.5伏特，輸出電壓訊號OUTP及OUTPB之電壓範圍為6~12伏特，第一電晶體開關M1~第四電晶體開關M4之臨界電壓為大於零的VTN且其元件耐壓為6伏特，第五電晶體開關M5~第八電晶體開關M8之臨界電壓為大於零的VTP且其元件耐壓為6伏特，則第一電晶體開關M1及第二電晶體開關M2係操作於0~(6-VTN)伏特之電壓範圍，由於VTN大於零，故其跨壓小於6伏特。第三電晶體開關M3及第四電晶體開關M4操作於VTN~6伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特。第五電晶體開關M5及第六電晶體開關M6操作於6~(12-VTP)伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特。第七電晶體開關M7及第八電晶體開關M8操作於(6+VTP)~12伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特。
實際上，此實施例中之P型金氧半場效電晶體開關(M5~M8)之閘極與基極/源極/汲極之間的耐壓為6伏特，而其源極/汲極與 基極之間的耐壓為10伏特；此實施例中之N型金氧半場效電晶體開關(M1~M4)之閘極與基極/源極/汲極之間的耐壓為6伏特，而其源極/汲極與基極之間的耐壓為11伏特。
需注意的是，第二級位準偏移單元44透過第三輸出端OT3 及第四輸出端OT4所分別輸出之輸出電壓訊號OUTN及OUTNB係與第二級位準偏移單元42透過第一輸出端OT1及第二輸出端OT2所分別輸出之輸出電壓訊號OUTP及OUTPB具有相同的邏輯，但具有不同的電壓範圍。
舉例而言，第二級位準偏移單元42透過第一輸出端OT1及 第二輸出端OT2所分別輸出之輸出電壓訊號OUTP及OUTPB之電壓範圍為6~12伏特，而第二級位準偏移單元44透過第三輸出端OT3及第四輸出端OT4所分別輸出之輸出電壓訊號OUTN及OUTNB之電壓範圍為0~6伏特。
由上述可知：根據本發明之位準偏移器4僅需包含有兩級位 準偏移單元(第一級位準偏移單元41與兩個第二級位準偏移單元42及44)，總共也僅需16個電晶體開關元件(第一電晶體開關M1~第十六電晶體開關M16)即可完成整個訊號升壓轉換處理程序，使得兩個第二級位準偏移單元42及44分別輸出具有相同的邏輯，但具有不同的電壓範圍之輸出電壓訊號。這不但比圖1所示之傳統的位準偏移器1所需的五級位準偏移單元11~15，總共需要26個電晶體開關元件減少很多，而且也不需設置額外的電壓源來提供訊號升壓轉換處理所需之中間電壓，故能有效節省製造成本並提升位準偏移器之訊號升壓轉換效率。
根據本發明之另一較佳具體實施例為一種驅動電路之位準 偏移器運作方法。於此實施例中，位準偏移器運作方法係用以運作一顯示 器之一驅動電路中之一位準偏移器將一輸入電壓訊號升壓轉換為一輸出電壓訊號。位準偏移器包含一第一級位準偏移單元及一第二級位準偏移單元。
第一級位準偏移單元包含一第一電晶體開關、一第二電晶 體開關、一第三電晶體開關、一第四電晶體開關、一第五電晶體開關、一第六電晶體開關、一第七電晶體開關及一第八電晶體開關。第二級位準偏移單元包含一第九電晶體開關、一第十電晶體開關、一第十一電晶體開關及一第十二電晶體開關。第一電晶體開關、第二電晶體開關、第三電晶體開關、第四電晶體開關、第九電晶體開關及第十電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開關；第五電晶體開關、第六電晶體開關、第七電晶體開關、第八電晶體開關、第十一電晶體開關及第十二電晶體開關為P型金氧半場效電晶體開關。
第一電晶體開關、第三電晶體開關、第五電晶體開關及 第七電晶體開關彼此串接於一接地端與一操作電壓之間。第二電晶體開關、第四電晶體開關、第六電晶體開關及第八電晶體開關彼此串接於接地端與操作電壓之間。第三電晶體開關、第四電晶體開關、第五電晶體開關及第六電晶體開關之閘極均耦接一半操作電壓。半操作電壓係為操作電壓的一半。第七電晶體開關之閘極係耦接至第六電晶體開關與第八電晶體開關之間的一第一接點。第八電晶體開關之閘極係耦接至第五電晶體開關與第七電晶體開關之間的一第二接點。第九電晶體開關及第十一電晶體開關彼此串接於半操作電壓與操作電壓之間。第十電晶體開關及第十二電晶體開關彼此串接於半操作電壓與操作電壓之間。第九電晶 體開關之閘極係耦接至第十電晶體開關與第十二電晶體開關之間的一第一輸出端。第十電晶體開關之閘極係耦接至第九電晶體開關與第十一電晶體開關之間的一第二輸出端。第十一電晶體開關之閘極係耦接至第一接點。第十二電晶體開關之閘極係耦接至第二接點。
請參照圖6，圖6係繪示此實施例之驅動電路之位準偏移器運 作方法的流程圖。如圖6所示，首先，於步驟S10中，該方法透過第一級位準偏移單元中之第一電晶體開關及第二電晶體開關之閘極接收輸入電壓訊號。接著，於步驟S12中，該方法透過第二級位準偏移單元中之第十一電晶體開關及第十二電晶體開關之閘極分別自第一級位準偏移單元中之第一接點及第二接點接收一第一電壓訊號及一第二電壓訊號。然後，於步驟S14中，該方法透過第二級位準偏移單元中之第一輸出端及第二輸出端將輸出電壓訊號輸出。
根據本發明之另一較佳具體實施例為一種驅動電路之位準 偏移器。於此實施例中，位準偏移器係應用於一顯示器的一驅動電路，但不以此為限。首先，請參照圖7，圖7係繪示此實施例中的位準偏移器之功能方塊圖。如圖7所示，位準偏移器7包含第一級位準偏移單元71及第二級位準偏移單元72。其中，第一級位準偏移單元71係耦接於接地端AGND與第一中間電壓VCL1之間；第二級位準偏移單元72係耦接於半操作電壓hAVDD與操作電壓AVDD之間；第一級位準偏移單元71耦接第二級位準偏移單元72。
接著，請參照圖8，圖8係繪示圖7之位準偏移器7的詳細電路 圖。如圖8所示，第一級位準偏移單元71包含第一電晶體開關M1、第二電 晶體開關M2、第三電晶體開關M3、第四電晶體開關M4、第五電晶體開關M5、第六電晶體開關M6、第七電晶體開關M7、第八電晶體開關M8、第九電晶體開關M9、第十電晶體開關M10、第十一電晶體開關M11及第十二電晶體開關M12。其中，第一電晶體開關M1、第二電晶體開關M2、第三電晶體開關M3、第四電晶體開關M4、第九電晶體開關M9及第十電晶體開關M10為N型金氧半場效電晶體開關；第五電晶體開關M5、第六電晶體開關M6、第七電晶體開關M7、第八電晶體開關M8、第十一電晶體開關M11及第十二電晶體開關M12為P型金氧半場效電晶體開關。
第一電晶體開關M1、第三電晶體開關M3、第五電晶體開 關M5及第七電晶體開關M7彼此串接於接地端AGND與第一中間電壓VCL1之間；第二電晶體開關M2、第四電晶體開關M4、第六電晶體開關M6及第八電晶體開關M8彼此串接於接地端AGND與第一中間電壓VCL1之間；第一電晶體開關M1及第二電晶體開關M2之閘極係耦接輸入電壓訊號IN及INB；第三電晶體開關M3、第四電晶體開關M4、第五電晶體開關M5及第六電晶體開關M6之閘極均耦接第二中間電壓VCL2，其中第二中間電壓VCL2係小於第一中間電壓VCL1。
第一電晶體開關M1、第二電晶體開關M2、第三電晶體開 關M3及第四電晶體開關M4之閘極均耦接至接地端AGND；第五電晶體開關M5、第六電晶體開關M6、第七電晶體開關M7及第八電晶體開關M8之閘極均耦接至第一中間電壓VCL1；第七電晶體開關M7之閘極耦接至第六電晶體開關M6與第八電晶體開關M8之間；第八電晶體開關M8之閘極耦接至第五電晶體開關M5與第七電晶體開關M7之間；第九電晶體開關 M9與第十一電晶體開關M11係耦接於半操作電壓hAVDD與第一中間電壓VCL1之間；第十電晶體開關M10與第十二電晶體開關M12係耦接於半操作電壓hAVDD與第一中間電壓VCL1之間；第九電晶體開關M9及第十電晶體開關M10之閘極均耦接至第五電晶體開關M5與第七電晶體開關M7之間；第十一電晶體開關M11與第十二電晶體開關M12之閘極均耦接至第六電晶體開關M6與第八電晶體開關M8之間；第九電晶體開關M9及第十電晶體開關M10之閘極分別耦接至半操作電壓hAVDD；第十一電晶體開關M11與第十二電晶體開關M12之閘極分別耦接至第一中間電壓VCL1。
第二級位準偏移單元72包含第十三電晶體開關M13、第十 四電晶體開關M14、第十五電晶體開關M15、第十六電晶體開關M16、第十七電晶體開關M17及第十八電晶體開關M18，其中第十三電晶體開關M13及第十四電晶體開關M14為N型金氧半場效電晶體開關；第十五電晶體開關M15、第十六電晶體開關M16、第十七電晶體開關M17及第十八電晶體開關M18為P型金氧半場效電晶體開關。
第十三電晶體開關M13、第十五電晶體開關M15及第十七 電晶體開關M17彼此串接於半操作電壓hAVDD與操作電壓AVDD之間，其中半操作電壓hAVDD係為操作電壓AVDD之一半。第十四電晶體開關M14、第十六電晶體開關M16及第十八電晶體開關M18彼此串接於半操作電壓hAVDD與操作電壓AVDD之間；第十三電晶體開關M13與第十四電晶體開關M14之閘極耦接半操作電壓hAVDD；第十五電晶體開關M15、第十六電晶體開關M16、第十七電晶體開關M17及第十八電晶體開關M18 之閘極耦接操作電壓AVDD；第十三電晶體開關M13與第十五電晶體開關M15之閘極均耦接至第九電晶體開關M9與第十一電晶體開關M11之間；第十四電晶體開關M14與第十六電晶體開關M16之閘極均耦接至第十電晶體開關M10與第十二電晶體開關M12之間；第十七電晶體開關M17係透過第一輸出端OUTP耦接至第十四電晶體開關M14與第十六電晶體開關M16之間；第十八電晶體開關M18係透過第二輸出端OUTB耦接至第十三電晶體開關M13與第十五電晶體開關M15之間；第二級位準偏移單元72係透過第一輸出端OUTP及第二輸出端OUTB將輸出電壓訊號輸出。
於一實施例中，假設操作電壓AVDD為12伏特，半操作電 壓hAVDD為6伏特，輸入電壓訊號IN及INB之電壓範圍為0~1.5伏特，輸出電壓訊號OUTP及OUTB之電壓範圍為6~12伏特，第一中間電壓VCL1為7.5伏特，第二中間電壓VCL2為4.5伏特，但不以此為限。
假設第一電晶體開關M1~第四電晶體開關M4之臨界電壓 為VTN且元件耐壓為6伏特，第五電晶體開關M5~第八電晶體開關M8之臨界電壓為VTP且元件耐壓為6伏特，VTN及VTP均大於零。第一電晶體開關M1~第四電晶體開關M4均操作於0~(4.5-VTN)伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特；第五電晶體開關M5~第八電晶體開關M8均操作於(4.5+VTP)~7.5伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特；第九電晶體開關M9~第十二電晶體開關M12均操作於6~7.5伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特。
由上述可知：根據本發明之位準偏移器7僅需包含有兩級位 準偏移單元(第一級位準偏移單元71及第二級位準偏移單元72)，總共也僅需 18個電晶體開關元件(第一電晶體開關M1~第十八電晶體開關M18)即可完成整個訊號升壓轉換處理程序，不但比圖1所示之傳統的位準偏移器1所需的五級位準偏移單元11~15，總共需要26個電晶體開關元件減少很多，而且透過將第一電晶體開關M1~第四電晶體開關M4均耦接至接地端AGND以及將第五電晶體開關M5~第八電晶體開關M8均耦接至第一中間電壓VCL1之耦接方式大幅縮小位準偏移器7中之第一級位準偏移單元71所需佔用的電路佈局(layout)面積，故能有效節省位準偏移器所需之晶片面積並提升位準偏移器之訊號升壓轉換效率。
根據本發明之另一較佳具體實施例為一種位準偏移器運作 方法。於此實施例中，位準偏移器運作方法係用以運作一顯示器之一驅動電路中之一位準偏移器將一輸入電壓訊號升壓轉換為一輸出電壓訊號。位準偏移器包含一第一級位準偏移單元及一第二級位準偏移單元。
於此實施例中，第一級位準偏移單元包含第一電晶體開 關、第二電晶體開關、第三電晶體開關、第四電晶體開關、第五電晶體開關、第六電晶體開關、第七電晶體開關、第八電晶體開關、第九電晶體開關、第十電晶體開關、第十一電晶體開關及第十二電晶體開關，其中第一電晶體開關、第二電晶體開關、第三電晶體開關、第四電晶體開關、第九電晶體開關及第十電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開關；第五電晶體開關、第六電晶體開關、第七電晶體開關、第八電晶體開關、第十一電晶體開關及第十二電晶體開關為P型金氧半場效電晶體開關。
第一電晶體開關、第三電晶體開關、第五電晶體開關及 第七電晶體開關彼此串接於接地端與第一中間電壓之間；第二電晶體開 關、第四電晶體開關、第六電晶體開關及第八電晶體開關彼此串接於接地端與第一中間電壓之間；第一電晶體開關及第二電晶體開關之閘極係耦接輸入電壓訊號；第三電晶體開關、第四電晶體開關、第五電晶體開關及第六電晶體開關之閘極均耦接第二中間電壓，第二中間電壓係小於第一中間電壓；第一電晶體開關、第二電晶體開關、第三電晶體開關及第四電晶體開關之閘極均耦接至接地端；第五電晶體開關、第六電晶體開關、第七電晶體開關及第八電晶體開關之閘極均耦接至第一中間電壓；第七電晶體開關之閘極耦接至第六電晶體開關與第八電晶體開關之間；第八電晶體開關之閘極耦接至第五電晶體開關與第七電晶體開關之間。
第九電晶體開關與第十一電晶體開關係耦接於半操作電 壓與第一中間電壓之間；第十電晶體開關與第十二電晶體開關係耦接於半操作電壓與第一中間電壓之間；第九電晶體開關及第十電晶體開關之閘極均耦接至第五電晶體開關與第七電晶體開關之間；第十一電晶體開關與第十二電晶體開關之閘極均耦接至第六電晶體開關與第八電晶體開關之間；第九電晶體開關及第十電晶體開關之閘極分別耦接至半操作電壓；第十一電晶體開關與第十二電晶體開關之閘極分別耦接至第一中間電壓。
第二級位準偏移單元包含第十三電晶體開關、第十四電晶 體開關、第十五電晶體開關、第十六電晶體開關、第十七電晶體開關及第十八電晶體開關，其中第十三電晶體開關及第十四電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開關；第十五電晶體開關、第十六電晶體開關、第十 七電晶體開關及第十八電晶體開關為P型金氧半場效電晶體開關；第十三電晶體開關、第十五電晶體開關及第十七電晶體開關彼此串接於半操作電壓與操作電壓之間，半操作電壓係為操作電壓之一半；第十四電晶體開關、第十六電晶體開關及第十八電晶體開關彼此串接於半操作電壓與操作電壓之間；第十三電晶體開關與第十四電晶體開關之閘極耦接半操作電壓；第十五電晶體開關、第十六電晶體開關、第十七電晶體開關及第十八電晶體開關之閘極耦接操作電壓；第十三電晶體開關與第十五電晶體開關之閘極均耦接至第九電晶體開關與第十一電晶體開關之間；第十四電晶體開關與第十六電晶體開關之閘極均耦接至第十電晶體開關與第十二電晶體開關之間；第十七電晶體開關係透過第一輸出端耦接至第十四電晶體開關與第十六電晶體開關之間；第十八電晶體開關係透過第二輸出端耦接至第十三電晶體開關與第十五電晶體開關之間。
請參照圖9，圖9係繪示此實施例之驅動電路之位準偏移器運 作方法的流程圖。如圖9所示，首先，於步驟S20中，該方法透過第一電晶體開關及第二電晶體開關之閘極接收輸入電壓訊號。於步驟S22中，該方法透過第十三電晶體開關及第十五電晶體開關之閘極自第九電晶體開關與第十一電晶體開關之間接收第一電壓訊號以及透過第十四電晶體開關及第十六電晶體開關之閘極自第十電晶體開關與第十二電晶體開關之間接收第二電壓訊號。於步驟S24中，該方法透過第一輸出端及第二輸出端將輸出電壓訊號輸出。
相較於先前技術，根據本發明之驅動電路之位準偏移器及其 運作方法具有下列優點：
(1)本發明之位準偏移器所需的金氧半場效電晶體(MOSFET) 元件之數量比傳統的位準偏移器減少很多，並且還可以不設置額外的電壓源來提供訊號升壓轉換處理所需之中間電壓，故能有效降低其製造成本並簡化其電路結構。
(2)本發明之位準偏移器僅需兩級位準偏移單元之操作即 可完成整個訊號升壓轉換處理程序，不需分成多段程序進行，故可有效提升位準偏移器進行多電源域的訊號升壓轉換效率。
(3)本發明之位準偏移器亦可透過第一級位準偏移單元中之 金氧半場效電晶體元件之間適當的耦接設計達到縮減電路佈局(layout)面積之功效。
由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述 本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。
M1~M12‧‧‧電晶體開關
2‧‧‧位準偏移器
21~22‧‧‧位準偏移單元
IN、INB‧‧‧輸入端
OUTP、OUTPB‧‧‧輸出電壓訊號
AGND‧‧‧接地端
AVDD‧‧‧操作電壓
hAVDD‧‧‧半操作電壓
V1P、V1N‧‧‧電壓
P1‧‧‧第一接點
P2‧‧‧第二接點
OT1~OT2‧‧‧第一輸出端~第二輸出端

Claims (16)

  1. 一種位準偏移器，係應用於一顯示器之一驅動電路，用以將一輸入電壓訊號升壓轉換為一輸出電壓訊號，該位準偏移器包含：一第一級位準偏移單元，包含一第一電晶體開關、一第二電晶體開關、一第三電晶體開關、一第四電晶體開關、一第五電晶體開關、一第六電晶體開關、一第七電晶體開關及一第八電晶體開關，其中該第一電晶體開關、該第二電晶體開關、該第三電晶體開關及該第四電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開關；該第五電晶體開關、該第六電晶體開關、該第七電晶體開關及該第八電晶體開關為P型金氧半場效電晶體開關；該第一電晶體開關、該第三電晶體開關、該第五電晶體開關及該第七電晶體開關彼此串接於一接地端與一操作電壓之間；該第二電晶體開關、該第四電晶體開關、該第六電晶體開關及該第八電晶體開關彼此串接於該接地端與該操作電壓之間；該第一電晶體開關及該第二電晶體開關之閘極係耦接該輸入電壓訊號；該第三電晶體開關、該第四電晶體開關、該第五電晶體開關及該第六電晶體開關之閘極均耦接一半操作電壓，該半操作電壓係為該操作電壓的一半；該第七電晶體開關之閘極係耦接至該第六電晶體開關與該第八電晶體開關之間的一第一接點；該第八電晶體開關之閘極係耦接至該第五電晶體開關與該第七電晶體開關之間的一第二接點；以及一第二級位準偏移單元，包含一第九電晶體開關、一第十電晶體開關、一第十一電晶體開關及一第十二電晶體開關，其中該第九電晶體開關及該第十電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開關；該第十一電晶體開關及該第十二電晶體開關為P型金 氧半場效電晶體開關；該第九電晶體開關及該第十一電晶體開關彼此串接於該半操作電壓與該操作電壓之間；該第十電晶體開關及該第十二電晶體開關彼此串接於該半操作電壓與該操作電壓之間；該第九電晶體開關之閘極係耦接至該第十電晶體開關與該第十二電晶體開關之間的一第一輸出端；該第十電晶體開關之閘極係耦接至該第九電晶體開關與該第十一電晶體開關之間的一第二輸出端；該第十一電晶體開關之閘極係耦接至該第一接點；該第十二電晶體開關之閘極係耦接至該第二接點；該第二級位準偏移單元係透過該第一輸出端及該第二輸出端輸出該輸出電壓訊號；其中該操作電壓為12伏特，該半操作電壓為6伏特，該輸入電壓訊號之電壓範圍為0~1.5伏特，該輸出電壓訊號之電壓範圍為6~12伏特。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之位準偏移器，其中若該第一電晶體開關~該第四電晶體開關之臨界電壓為VTN且元件耐壓為6伏特，該第五電晶體開關~該第八電晶體開關之臨界電壓為VTP且元件耐壓為6伏特，則該第一電晶體開關及該第二電晶體開關操作於0~(6-VTN)伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特；該第三電晶體開關及該第四電晶體開關操作於VTN~6伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特；該第五電晶體開關及該第六電晶體開關操作於6~(12-VTP)伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特；該第七電晶體開關及該第八電晶體開關操作於(6+VTP)~12伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特，VTN及VTP均大於零。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之位準偏移器，進一步包含：另一第二級位準偏移單元，包含一第十三電晶體開關、一第十四電晶體開關、一第十五電晶體開關及一第十六電晶體開關， 其中該第十三電晶體開關及該第十四電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開關；該第十五電晶體開關及該第十六電晶體開關為P型金氧半場效電晶體開關；該第十三電晶體開關及該第十五電晶體開關彼此串接於該接地端與該半操作電壓之間；該第十四電晶體開關及該第十六電晶體開關彼此串接於該接地端與該半操作電壓之間；該第十三電晶體開關之閘極係耦接至該第一電晶體開關與該第三電晶體開關之間；該第十四電晶體開關之閘極係耦接至該第二電晶體開關與該第四電晶體開關之間；該第十五電晶體開關之閘極係耦接至該第十四電晶體開關與該第十六電晶體開關之間的一第三輸出端；該第十六電晶體開關之閘極係耦接至該第十三電晶體開關與該第十五電晶體開關之間的一第四輸出端；該另一第二級位準偏移單元係透過該第三輸出端及該第四輸出端輸出另一輸出電壓訊號。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之位準偏移器，其中該另一輸出電壓訊號係與該輸出電壓訊號具有相同的邏輯及不同的電壓範圍。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之位準偏移器，其中該另一輸出電壓訊號之電壓範圍為0~6伏特。
  6. 一種位準偏移器運作方法，係用以運作一顯示器之一驅動電路中之一位準偏移器將一輸入電壓訊號升壓轉換為一輸出電壓訊號，該位準偏移器包含一第一級位準偏移單元及一第二級位準偏移單元，該第一級位準偏移單元包含一第一電晶體開關、一第二電晶體開關、一第三電晶體開關、一第四電晶體開關、一第五電晶體開關、一第六電晶體開關、一第七電晶體開關及一第八電晶體開關；該第二級位準偏移單元包含一第九電晶體開關、一第十電晶體開關、一第十一電晶體開關及一第十二電晶體開關；該第一電晶體開關、該第二電晶體 開關、該第三電晶體開關、該第四電晶體開關、該第九電晶體開關及該第十電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開關；該第五電晶體開關、該第六電晶體開關、該第七電晶體開關、該第八電晶體開關、該第十一電晶體開關及該第十二電晶體開關為P型金氧半場效電晶體開關；該第一電晶體開關、該第三電晶體開關、該第五電晶體開關及該第七電晶體開關彼此串接於一接地端與一操作電壓之間；該第二電晶體開關、該第四電晶體開關、該第六電晶體開關及該第八電晶體開關彼此串接於該接地端與該操作電壓之間；該第三電晶體開關、該第四電晶體開關、該第五電晶體開關及該第六電晶體開關之閘極均耦接一半操作電壓，該半操作電壓係為該操作電壓的一半；該第七電晶體開關之閘極係耦接至該第六電晶體開關與該第八電晶體開關之間的一第一接點；該第八電晶體開關之閘極係耦接至該第五電晶體開關與該第七電晶體開關之間的一第二接點；該第九電晶體開關及該第十一電晶體開關彼此串接於該半操作電壓與該操作電壓之間；該第十電晶體開關及該第十二電晶體開關彼此串接於該半操作電壓與該操作電壓之間；該第九電晶體開關之閘極係耦接至該第十電晶體開關與該第十二電晶體開關之間的一第一輸出端；該第十電晶體開關之閘極係耦接至該第九電晶體開關與該第十一電晶體開關之間的一第二輸出端；該第十一電晶體開關之閘極係耦接至該第一接點；該第十二電晶體開關之閘極係耦接至該第二接點，該方法包含下列步驟：(a)透過該第一電晶體開關及該第二電晶體開關之閘極接收該輸入電壓訊號；(b)透過該第十一電晶體開關及該第十二電晶體開關之閘極分別自該第一接點及該第二接點接收一第一電壓訊號及一第二電壓訊號；以及 (c)透過該第一輸出端及該第二輸出端輸出該輸出電壓訊號；其中該操作電壓為12伏特，該半操作電壓為6伏特，該輸入電壓訊號之電壓範圍為0~1.5伏特，該輸出電壓訊號之電壓範圍為6~12伏特。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之位準偏移器運作方法，其中若該第一電晶體開關~該第四電晶體開關之臨界電壓為VTN且元件耐壓為6伏特，該第五電晶體開關~該第八電晶體開關之臨界電壓為VTP且元件耐壓為6伏特，則該第一電晶體開關及該第二電晶體開關操作於0~(6-VTN)伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特；該第三電晶體開關及該第四電晶體開關操作於VTN~6伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特；該第五電晶體開關及該第六電晶體開關操作於6~(12-VTP)伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特；該第七電晶體開關及該第八電晶體開關操作於(6+VTP)~12伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特，VTN及VTP均大於零。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之位準偏移器運作方法，其中該位準偏移器進一步包含另一第二級位準偏移單元，該另一第二級位準偏移單元包含一第十三電晶體開關、一第十四電晶體開關、一第十五電晶體開關及一第十六電晶體開關，該第十三電晶體開關及該第十四電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開關；該第十五電晶體開關及該第十六電晶體開關為P型金氧半場效電晶體開關；該第十三電晶體開關及該第十五電晶體開關彼此串接於該接地端與該半操作電壓之間；該第十四電晶體開關及該第十六電晶體開關彼此串接於該接地端與該半操作電壓之間；該第十三電晶體開關之閘極係耦接至該第一電晶體開關與該第三電晶體開關之間；該第十四電晶體開關之閘極係耦接至該第二電晶體開關與該第四電晶體開關之間；該第十五電晶體開關之閘極係耦接至該第十四電晶體開關與該第十六電晶體開關之 間的一第三輸出端；該第十六電晶體開關之閘極係耦接至該第十三電晶體開關與該第十五電晶體開關之間的一第四輸出端，該方法進一步包含下列步驟：(d)透過該第十三電晶體開關之閘極自該第一電晶體開關與該第三電晶體開關之間接收一第三電壓訊號並透過該第十四電晶體開關之閘極自該第二電晶體開關與該第四電晶體開關之間接收一第四電壓訊號；以及(e)透過該第三輸出端及該第四輸出端輸出另一輸出電壓訊號。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之位準偏移器運作方法，其中該另一輸出電壓訊號係與該輸出電壓訊號具有相同的邏輯及不同的電壓範圍。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之位準偏移器運作方法，其中該另一輸出電壓訊號之電壓範圍為0~6伏特。
  11. 一種位準偏移器，係應用於一顯示器之一驅動電路，用以將一輸入電壓訊號升壓轉換為一輸出電壓訊號，該位準偏移器包含：一第一級位準偏移單元，包含一第一電晶體開關、一第二電晶體開關、一第三電晶體開關、一第四電晶體開關、一第五電晶體開關、一第六電晶體開關、一第七電晶體開關、一第八電晶體開關、一第九電晶體開關、一第十電晶體開關、一第十一電晶體開關及一第十二電晶體開關，其中該第一電晶體開關、該第二電晶體開關、該第三電晶體開關、該第四電晶體開關、該第九電晶體開關及該第十電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開關；該第五電晶體開關、該第六電晶體開關、該第七電晶體開關、該第八電晶體開關、該第十一電晶體開關及該第十二電晶體開關為P型金氧半場效電晶體開關；該第一電晶體開關、該第三電晶體開關、該第五電晶體開關及該第七電晶體開關彼此串接於一接地端與一第一中間電壓之間； 該第二電晶體開關、該第四電晶體開關、該第六電晶體開關及該第八電晶體開關彼此串接於該接地端與該第一中間電壓之間；該第一電晶體開關及該第二電晶體開關之閘極係耦接該輸入電壓訊號；該第三電晶體開關、該第四電晶體開關、該第五電晶體開關及該第六電晶體開關之閘極均耦接一第二中間電壓，該第二中間電壓係小於該第一中間電壓；該第一電晶體開關、該第二電晶體開關、該第三電晶體開關及該第四電晶體開關之閘極均耦接至該接地端；該第五電晶體開關、該第六電晶體開關、該第七電晶體開關及該第八電晶體開關之閘極均耦接至該第一中間電壓；該第七電晶體開關之閘極耦接至該第六電晶體開關與該第八電晶體開關之間；該第八電晶體開關之閘極耦接至該第五電晶體開關與該第七電晶體開關之間；該第九電晶體開關與該第十一電晶體開關係耦接於一半操作電壓與該第一中間電壓之間；該第十電晶體開關與該第十二電晶體開關係耦接於該半操作電壓與該第一中間電壓之間；該第九電晶體開關及該第十電晶體開關之閘極均耦接至該第五電晶體開關與該第七電晶體開關之間；該第十一電晶體開關與該第十二電晶體開關之閘極均耦接至該第六電晶體開關與該第八電晶體開關之間；該第九電晶體開關及該第十電晶體開關之閘極分別耦接至該半操作電壓；該第十一電晶體開關與該第十二電晶體開關之閘極分別耦接至該第一中間電壓；以及一第二級位準偏移單元，包含一第十三電晶體開關、一第十四電晶體開關、一第十五電晶體開關、一第十六電晶體開關、一第十七電晶體開關及一第十八電晶體開關，其中該第十三電晶體開關及該第十四電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開 關；該第十五電晶體開關、該第十六電晶體開關、該第十七電晶體開關及該第十八電晶體開關為P型金氧半場效電晶體開關；該第十三電晶體開關、該第十五電晶體開關及該第十七電晶體開關彼此串接於該半操作電壓與一操作電壓之間，該半操作電壓係為該操作電壓之一半；該第十四電晶體開關、該第十六電晶體開關及該第十八電晶體開關彼此串接於該半操作電壓與該操作電壓之間；該第十三電晶體開關與該第十四電晶體開關之閘極耦接該半操作電壓；該第十五電晶體開關、該第十六電晶體開關、該第十七電晶體開關及該第十八電晶體開關之閘極耦接該操作電壓；該第十三電晶體開關與該第十五電晶體開關之閘極均耦接至該第九電晶體開關與該第十一電晶體開關之間；該第十四電晶體開關與該第十六電晶體開關之閘極均耦接至該第十電晶體開關與該第十二電晶體開關之間；該第十七電晶體開關係透過一第一輸出端耦接至該第十四電晶體開關與該第十六電晶體開關之間；該第十八電晶體開關係透過一第二輸出端耦接至該第十三電晶體開關與該第十五電晶體開關之間；該第二級位準偏移單元係透過該第一輸出端及該第二輸出端輸出該輸出電壓訊號。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之位準偏移器，其中該操作電壓為12伏特，該半操作電壓為6伏特，該輸入電壓訊號之電壓範圍為0~1.5伏特，該輸出電壓訊號之電壓範圍為6~12伏特，該第一中間電壓為7.5伏特，該第二中間電壓為4.5伏特。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之位準偏移器，其中若該第一電晶體開關~該第四電晶體開關之臨界電壓為VTN且元件耐壓為6伏特，該第五電晶體開關~該第八電晶體開關之臨界電壓為VTP且元件耐壓為6伏特，則該第一電晶體開關~該第四電晶體開關均操作於0~(4.5-VTN) 伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特；該第五電晶體開關~該第八電晶體開關均操作於(4.5+VTP)~7.5伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特；該第九電晶體開關~該第十二電晶體開關均操作於6~7.5伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特；VTN及VTP均大於零。
  14. 一種位準偏移器運作方法，係用以運作一顯示器之一驅動電路中之一位準偏移器將一輸入電壓訊號升壓轉換為一輸出電壓訊號，該位準偏移器包含一第一級位準偏移單元及一第二級位準偏移單元，該第一級位準偏移單元包含一第一電晶體開關、一第二電晶體開關、一第三電晶體開關、一第四電晶體開關、一第五電晶體開關、一第六電晶體開關、一第七電晶體開關、一第八電晶體開關、一第九電晶體開關、一第十電晶體開關、一第十一電晶體開關及一第十二電晶體開關，其中該第一電晶體開關、該第二電晶體開關、該第三電晶體開關、該第四電晶體開關、該第九電晶體開關及該第十電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開關；該第五電晶體開關、該第六電晶體開關、該第七電晶體開關、該第八電晶體開關、該第十一電晶體開關及該第十二電晶體開關為P型金氧半場效電晶體開關；該第一電晶體開關、該第三電晶體開關、該第五電晶體開關及該第七電晶體開關彼此串接於一接地端與一第一中間電壓之間；該第二電晶體開關、該第四電晶體開關、該第六電晶體開關及該第八電晶體開關彼此串接於該接地端與該第一中間電壓之間；該第一電晶體開關及該第二電晶體開關之閘極係耦接該輸入電壓訊號；該第三電晶體開關、該第四電晶體開關、該第五電晶體開關及該第六電晶體開關之閘極均耦接一第二中間電壓，該第二中間電壓係小於該第一中間電壓；該第一電晶體開關、該第二電晶體開關、該第三電晶體開關及該第四電晶體開關之閘極均耦接至該接地端；該第五電晶體開關、該第六電晶體開關、該第七電晶體開關及該第八電晶體開關之閘極均耦接 至該第一中間電壓；該第七電晶體開關之閘極耦接至該第六電晶體開關與該第八電晶體開關之間；該第八電晶體開關之閘極耦接至該第五電晶體開關與該第七電晶體開關之間；該第九電晶體開關與該第十一電晶體開關係耦接於一半操作電壓與該第一中間電壓之間；該第十電晶體開關與該第十二電晶體開關係耦接於該半操作電壓與該第一中間電壓之間；該第九電晶體開關及該第十電晶體開關之閘極均耦接至該第五電晶體開關與該第七電晶體開關之間；該第十一電晶體開關與該第十二電晶體開關之閘極均耦接至該第六電晶體開關與該第八電晶體開關之間；該第九電晶體開關及該第十電晶體開關之閘極分別耦接至該半操作電壓；該第十一電晶體開關與該第十二電晶體開關之閘極分別耦接至該第一中間電壓；第二級位準偏移單元，包含一第十三電晶體開關、一第十四電晶體開關、一第十五電晶體開關、一第十六電晶體開關、一第十七電晶體開關及一第十八電晶體開關，其中該第十三電晶體開關及該第十四電晶體開關為N型金氧半場效電晶體開關；該第十五電晶體開關、該第十六電晶體開關、該第十七電晶體開關及該第十八電晶體開關為P型金氧半場效電晶體開關；該第十三電晶體開關、該第十五電晶體開關及該第十七電晶體開關彼此串接於該半操作電壓與一操作電壓之間，該半操作電壓係為該操作電壓之一半；該第十四電晶體開關、該第十六電晶體開關及該第十八電晶體開關彼此串接於該半操作電壓與該操作電壓之間；該第十三電晶體開關與該第十四電晶體開關之閘極耦接該半操作電壓；該第十五電晶體開關、該第十六電晶體開關、該第十七電晶體開關及該第十八電晶體開關之閘極耦接該操作電壓；該第十三電晶體開關與該第十五電晶體開關之閘極均耦接至該第九電晶體開關與該第十一電晶體開關之間；該第十四電晶體開關與該第十六電晶體開關之閘極均耦接至該第十電晶體開關與該第十二電 晶體開關之間；該第十七電晶體開關係透過一第一輸出端耦接至該第十四電晶體開關與該第十六電晶體開關之間；該第十八電晶體開關係透過一第二輸出端耦接至該第十三電晶體開關與該第十五電晶體開關之間，該方法包含下列步驟：(a)透過該第一電晶體開關及該第二電晶體開關之閘極接收該輸入電壓訊號；(b)透過該第十三電晶體開關及該第十五電晶體開關之閘極自該第九電晶體開關與該第十一電晶體開關之間接收一第一電壓訊號以及透過該第十四電晶體開關及該第十六電晶體開關之閘極自該第十電晶體開關與該第十二電晶體開關之間接收一第二電壓訊號；以及(c)透過該第一輸出端及該第二輸出端輸出該輸出電壓訊號。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之位準偏移器運作方法，其中該操作電壓為12伏特，該半操作電壓為6伏特，該輸入電壓訊號之電壓範圍為0~1.5伏特，該輸出電壓訊號之電壓範圍為6~12伏特，該第一中間電壓為7.5伏特，該第二中間電壓為4.5伏特。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之位準偏移器運作方法，其中若該第一電晶體開關~該第四電晶體開關之臨界電壓為VTN且元件耐壓為6伏特，該第五電晶體開關~該第八電晶體開關之臨界電壓為VTP且元件耐壓為6伏特，則該第一電晶體開關~該第四電晶體開關均操作於0~(4.5-VTN)伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特；該第五電晶體開關~該第八電晶體開關均操作於(4.5+VTP)~7.5伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特；該第九電晶體開關~該第十二電晶體開關均操作於6~7.5伏特之電壓範圍，其跨壓小於6伏特；VTN及VTP均大於零。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI525994B (zh) * 2014-11-14 2016-03-11 瑞鼎科技股份有限公司 驅動電路之位準偏移器
KR102315333B1 (ko) 2015-02-04 2021-10-19 삼성전자주식회사 회로 디자인 시스템 및 이를 이용한 반도체 회로
CN104917513B (zh) * 2015-06-26 2017-12-01 灿芯半导体(上海)有限公司 采用低压器件的大摆幅驱动器
CN107123977B (zh) * 2016-02-24 2019-04-19 比亚迪股份有限公司 晶体管的驱动电路
CN106098000B (zh) * 2016-08-03 2018-11-23 深圳市华星光电技术有限公司 伴压电路及液晶显示器
US10164637B2 (en) 2017-02-24 2018-12-25 Qualcomm Incorporated Level shifter for voltage conversion
US10498315B2 (en) * 2018-03-05 2019-12-03 Texas Instruments Incorporated Level shifter circuit
TWI681628B (zh) 2018-06-11 2020-01-01 瑞昱半導體股份有限公司 電壓位準移位電路
CN114465617B (zh) * 2021-12-30 2022-12-09 北京奕斯伟计算技术股份有限公司 电平移位电路、集成电路、电子设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7199617B1 (en) * 2004-11-12 2007-04-03 Intel Corporation Level shifter
US7268588B2 (en) * 2005-06-29 2007-09-11 Freescale Semiconductor, Inc. Cascadable level shifter cell
US7999574B2 (en) * 2009-07-07 2011-08-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Level conversion circuit and solid-state imaging device using the same
TW201251332A (en) * 2011-06-09 2012-12-16 Magnachip Semiconductor Ltd Level shifter

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3036481B2 (ja) * 1997-09-16 2000-04-24 日本電気株式会社 レベルシフト回路
US7847590B2 (en) * 2008-11-03 2010-12-07 Agilent Technologies, Inc. Level shifter including cascode sets
JP2012070333A (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 Rohm Co Ltd レベルシフト回路及びそれを用いたスイッチングレギュレータ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7199617B1 (en) * 2004-11-12 2007-04-03 Intel Corporation Level shifter
US7268588B2 (en) * 2005-06-29 2007-09-11 Freescale Semiconductor, Inc. Cascadable level shifter cell
US7999574B2 (en) * 2009-07-07 2011-08-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Level conversion circuit and solid-state imaging device using the same
TW201251332A (en) * 2011-06-09 2012-12-16 Magnachip Semiconductor Ltd Level shifter

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