TWI503420B - Tantalum sputtering target - Google Patents

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TWI503420B
TWI503420B TW100126902A TW100126902A TWI503420B TW I503420 B TWI503420 B TW I503420B TW 100126902 A TW100126902 A TW 100126902A TW 100126902 A TW100126902 A TW 100126902A TW I503420 B TWI503420 B TW I503420B
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Shinichiro Senda
Atsushi Fukushima
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Jx Nippon Mining & Metals Corp
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Description

鉭濺鍍靶
本發明，係關於一種具備均一微細之組織、電漿穩定、且膜之均勻性(uniformity)優異之高純度鉭濺鍍靶。
近年來，用以形成金屬、陶瓷材料等被膜之濺鍍，係被使用於電子學領域、耐蝕性材料或裝飾之領域、觸媒領域、切削/研磨材或耐磨耗性材料之製作等諸多領域。
濺鍍法本身雖然於上述領域為眾所皆知之方法，但是最近特別是在電子學領域，係要求適於形成複雜形狀之被膜、電路或障壁膜等之鉭濺鍍靶。
一般而言，此鉭靶係重複進行鑄錠或小胚(對鉭原料進行電子束熔解、鑄造而成)之熱鍛、退火(熱處理)，並且進行壓延及精加工(機械、研磨等)而被加工成靶。
於此種製造步驟中，鑄錠或小胚之熱鍛，會破壞鑄造組織，使氣孔及偏析擴散、消失，並且藉由對其進行退火以再結晶化，提高組織之緻密化與強度，藉此來加以製造。
一般而言，熔解鑄造而成之鑄錠或小胚具有50mm以上之結晶粒徑。又，藉由鑄錠或小胚之熱鍛與再結晶退火，來破壞鑄造組織，而得到大致均一且微細(100μm以下)之晶粒。
另一方面，使用以此種方式所製得之靶實施濺鍍時，靶的再結晶組織越微細且均一，而且結晶方位越一致於特定方向，越可進行均勻之成膜，電弧(arcing)、粒子(particle)之發生越少，越可得到具有穩定特性之膜。
因此，於靶的製造步驟中，係採取使再結晶組織微細化與均一化，並且使其一致於特定結晶方位之方法(例如，參照專利文獻1及專利文獻2)。
又，揭示有使用高純度Ta作為高純度Ta靶(用以形成使用作為對Cu配線膜之障壁層的TaN膜)，其含有0.001～20ppm之選自Ag、Au及Cu之元素(為具有自持放電特性之元素)，且使雜質元素之Fe、Ni、Cr、Si、Al、Na、K之合計量在100ppm以下，減去此等之值為99.99～99.999%之範圍(參照專利文獻3)。
此等之專利文獻，含有特定之元素係用以使組織微細化，而並無藉此使電漿穩定化。
特別是於專利文獻3，係含有0.001～20ppm之選自Ag、Au及Cu之元素，而至0.001ppm之極微量元素的添加，雖然可增加Ta離子的釋放量，但是正因為添加元素為微量，因此會有難以調節含量且難以均一添加(參差不齊)的問題。
而且，如專利文獻3之表1所示，Mo、W、Ge、Co量，分別容許未達10ppm、20ppm、10ppm、10ppm之含量。即使僅有如此，亦具有未達50ppm之雜質。
因此，雖然如上述，稱「使用雜質元素之Fe、Ni、Cr、Si、Al、Na、K之合計量在100ppm以下且減去此等之值為99.99～99.999%之範圍之高純度Ta」，但是係實際純度之下限值低於99.99%之純度(容許其之純度)。
此係在以往之高純度鉭的水準以下，可強烈預料到並無法活用高純度鉭之特性。
專利文獻1：日本特表2002-518593號公報
專利文獻2：美國專利第6,331,233號
專利文獻3：日本特開2002-60934號公報
本發明之課題在於，藉由將鉭之純度維持在高純度且添加特定之元素，以提供一種具備均一微細之組織、電漿穩定、膜之均勻性(uniformity)優異之高純度鉭濺鍍靶。
本發明為了解決上述問題，得到如下之見解：藉由將鉭之純度維持在高純度且添加特定之元素，可得到具備均一微細之組織、電漿穩定、膜之均勻性(uniformity)優異之高純度鉭濺鍍靶。
本發明，根據此見解，提供：
1)一種鉭濺鍍靶，含有1massppm以上、50massppm以下之硼作為必要成分，不計硼及氣體成分之純度在99.998%以上。
2)一種鉭濺鍍靶，含有10massppm以上、50massppm以下之硼作為必要成分，不計硼及氣體成分之純度在99.998%以上。
3)一種鉭濺鍍靶，含有10massppm以上、20massppm以下之硼作為必要成分，不計硼及氣體成分之純度在99.998%以上。
4)如上述1)～3)中任一項所記載之鉭濺鍍靶，其硼含量的變動在±20%以下。
5)如上述1)～4)中任一項所記載之鉭濺鍍靶，其平均結晶粒徑在110μm以下。
6)如上述5)所記載之鉭濺鍍靶，其結晶粒徑的變動在±20%以下。
本發明具有以下之優異效果：藉由將鉭之純度維持在高純度，且添加硼作為必要成分，而可提供具備均一微細之組織、電漿穩定、膜之均勻性(uniformity)優異之高純度鉭濺鍍靶。又，濺鍍時之電漿穩定化，由於即使在初期之階段亦穩定化，因此具備有可縮短預燒時間之效果。
本發明所使用之鉭(Ta)靶的原料，係使用高純度鉭。此高純度鉭之例表示於表1(參照社團法人發明協會編，公開技報2005-502770，公開技報名稱「高純度鉭及由高純度鉭所構成之濺鍍靶」)。
於此表1中，除了氣體成分，所有的雜質未達1wtppm。亦即為99.999～99.9999wt%，可使用此種高純度鉭。
本發明之濺鍍靶，通常係藉由以下之步驟進行製造。
若顯示其一例，則首先使用鉭，例如4N(99.99%以上)之高純度鉭，對其添加適量之硼(B)作為靶之原料。藉由電子束熔解等將其加以熔解、純化，提高純度，然後對其進行鑄造，製作鑄錠或小胚。當然，亦可使用最初表1所示之99.999～99.9999wt%的高純度鉭。
接著，對此鑄錠或小胚進行退火-鍛造、壓延、退火(熱處理)、精加工等一連串之加工。
具體而言，例如進行鑄錠-粗軋-於1373K～1673K之溫度之退火(第1次)-冷鍛造(第1次)-於再結晶開始溫度～1673K之溫度之再結晶退火(第2次)-冷鍛造(第2次)-於再結晶開始溫度～1673K之溫度之再結晶退火(第3次)-冷(熱)壓延(第1次)-於再結晶開始溫度～1373K之溫度之再結晶退火(第4次)-冷(熱)壓延(視需要，第2次)-於再結晶開始溫度～1373K之溫度之再結晶退火(視需要，第5次)-精加工，製成靶材。
可藉由鍛造或壓延，破壞鑄造組織，使氣孔、偏析擴散或消失，並且藉由對其進行退火，使其再結晶化，然後藉由重複進行該冷鍛造或冷壓延與再結晶退火，可提高組織之緻密化、微細化與強度。於上述之加工製程中，再結晶退火可僅為1次，但藉由重複進行2次，可極力減少組織上之缺陷。又，冷(熱)壓延與再結晶開始溫度～1373K間之再結晶退火，可重複進行，但亦可為1循環。然後，藉由機械加工、研磨加工等之精加工，以精加工成最後之靶形狀。
通常係藉由上述製造步驟來製造鉭靶，但是此製造步驟僅是顯示一例，本發明並非以此製造步驟作為發明。因此當然可以藉由其他的步驟來進行製造，本發明包含其等全部。
為了活用鉭靶之特性，雖然大多使用6N等級純度之材料，但總是會有靶之結晶粒容易粗大化的缺點。
本發明人等發現於此種6N等級之靶的製造步驟中，若為一般情形，則在0.5massppm左右之含量的硼偶爾偏析出1massppm左右的部分，結晶粒徑會局部地微細化。因此，得到硼的添加是否會有助於鉭靶之微細化的啟發，此係成為完成本發明之契機。
亦即，本發明之鉭濺鍍靶，重點為，於不計硼及氣體成分之純度在99.998%以上之鉭，含有1massppm以上、50massppm以下之硼作為必要成分。硼之下限值1massppm係用以發揮效果之數值，硼之上限值50massppm，則是用以持續本發明之效果的上限值。當超過此上限值時，會引起硼的偏析，而發生硼之一部分未再結晶部，結果，預燒變長，因此以硼50massppm作為上限值。
含有此硼，會形成靶之均一微細的組織，藉此可使電漿穩定化，而可藉此提升濺鍍膜之均勻性(uniformity)。又，此濺鍍時之電漿穩定化，由於即使於初期之階段亦穩定化，因此可縮短預燒時間。
此時，鉭的純度必須為高純度，亦即要在99.998%以上。此情形時，可不計原子半徑小的氧、氫、碳、氮等氣體成分。一般而言，氣體成分若不以特殊方法則會難以去除，難以在通常的生產步驟於純化時加以去除，因此本發明之鉭的純度並不包括氣體成分。
如上述，硼會使鉭具有均一微細的組織，但其他之金屬成分、金屬性非金屬成分、氧化物、氮化物、碳化物等陶瓷的混入則為有害，故無法容許。係由於認為此等雜質會產生抑制硼之作用的作用之故。又，此等雜質明顯與硼不同，難以將鉭靶之結晶粒徑精加工成均一，無助於濺鍍特性之穩定化。
本發明之鉭濺鍍靶，更佳之範圍，係含有10massppm以上、50massppm以下之硼作為必要成分，不計硼及氣體成分之純度在99.998%以上。
進一步為含有10massppm以上、20massppm以下之硼作為必要成分，不計硼及氣體成分之純度超過99.998%之鉭濺鍍靶。
本發明之鉭濺鍍靶，更佳為使靶中之硼含量的變動在±20%以下。
含有適度的硼，具有形成鉭濺鍍靶之均一微細組織的功能(性質)，而且硼更均勻分散，可對靶組織之均一微細組織更有貢獻。
當然，於通常之製造步驟，此等可輕易達成，但要注意使靶之硼含量的變動在±20%以下之點，必須明確地具有其意圖。
對於此靶之硼含量的變動，例如於圓盤狀之靶，在通過圓盤中心之等分的8條線上，採樣3點(中心點、半徑之1/2點、外周或其附近點)，對合計17點{16點+中心點(由於中心點共通，故為1點)}之硼含量進行分析。
又，於各點，可根據{(最大值-最小值)/(最大值+最小值)}×100之式，來計算變動。
本發明之鉭濺鍍靶，更佳為平均結晶粒徑在100μm以下。硼之適度添加與通常之製造步驟，雖可達成結晶粒徑之微細化，但要注意使平均結晶粒徑在100μm以下之點，必須明確地具有其意圖。
又，更佳為使此結晶粒徑之變動在±20%以下。
對於此硼之平均結晶粒徑的變動，例如於圓盤狀之靶，在通過圓盤中心之等分的8條線上，採樣3點(中心點、半徑之1/2點、外周或其附近點)，對合計17點{16點+中心點(由於中心點共通，故為1點)}之硼化物的結晶粒徑進行測量。
又，於各點，可根據{(最大值-最小值)/(最大值+最小值)}×100之式，來計算結晶粒徑之變動。
此種靶組織，電漿穩定，膜的均勻性(uniformity)優異。又，濺鍍時之電漿穩定化，即使於初期階段亦穩定化，因此具有可縮短預燒時間之效果。
實施例
接著，說明實施例。另，本實施例僅是用以表示發明之一例者，本發明並不受到此等實施例之限制。亦即，包含本發明之技術思想所含之其他態樣及變形。
(實施例1)
對純度99.998%之鉭添加有硼1massppm相當量之原料進行電子束熔解，對其進行鑄造製成厚度200mm、直徑200mmψ之鑄錠。此時之結晶粒徑約為55mm。
接著，以室溫對此鑄錠或小胚進行粗軋後，以1500K之溫度進行再結晶退火。藉此得到平均結晶粒徑具有200μm之組織之厚度120mm、直徑130mmψ的材料。
接著，再次以室溫對其進行粗軋及鍛粗鍛造後，再次以1480K溫度實施再結晶退火。再次重複進行鍛造、熱處理，藉此得到平均結晶粒徑具有100μm之組織之厚度120mm、直徑130mmψ的材料。
接著，對其進行低溫之壓延及1173K溫度之再結晶退火，然後進行精加工，製成厚度10mm、直徑450mmψ的靶材。以成為以下之平均結晶粒徑及結晶粒徑之變動的方式，調節中途及最後之冷加工以及再結晶退火。另，此平均結晶粒徑與變動，雖然亦會因硼的添加量而變化，但是於本實施例中，可進行此等之調節。
靶的平均結晶粒徑為90μm，結晶粒徑之變動為±20%。且，硼含量之變動為±19%。此結果示於表2。
由於薄片電阻(sheet resistance)取決於膜厚，因此對晶圓(12吋)內之薄片電阻之分布進行測量，藉此調查膜厚的分布狀況。具體而言，係對晶圓上之49點的薄片電阻進行測量，算出其標準偏差(σ)。
其結果同樣地示於表2。由表2清楚可知，於本實施例，從濺鍍初期至後期，薄片內電阻分布之變動小(2.5～3.8%)，亦即表示膜厚分布之變動小。
又，對濺鍍之至初期穩定化為止的電力量進行測量，為120kWh，相較於後述之比較例，大幅減少。此結果亦示於表2。以此方式可減少至初期穩定為止的電力量(可將預燒時間縮短化)，且膜之均勻性(uniformity)良好，可提升濺鍍成膜之品質。
(實施例2)
對純度99.998%之鉭添加有硼5massppm相當量之原料進行電子束熔解，對其進行鑄造製成厚度200mm、直徑200mmψ之鑄錠。此時之結晶粒徑約為50mm。
接著，以室溫對此鑄錠或小胚進行粗軋後，以1500K之溫度進行再結晶退火。藉此得到平均結晶粒徑具有200μm之組織之厚度120mm、直徑130mmψ的材料。
接著，再次以室溫對其進行粗軋及鍛粗鍛造後，再次以1400～1500K溫度實施再結晶退火。再次重複進行鍛造、熱處理，藉此得到平均結晶粒徑具有100μm之組織之厚度120mm、直徑130mmψ的材料。
接著，對其進行低溫之壓延及1173K溫度之再結晶退火，然後進行精加工，製成厚度10mm、直徑450mmψ之靶材。以成為以下之平均結晶粒徑及結晶粒徑之變動的方式，調節中途及最後之冷加工以及再結晶退火。另，此平均結晶粒徑與變動，雖然亦會因硼的添加量而變化，但是於本實施例中，可進行此等之調節。
靶的平均結晶粒徑為70μm，結晶粒徑之變動為±16%。且，硼含量之變動為±16%。此結果同樣地示於表2。
由於薄片電阻取決於膜厚，因此對晶圓(12吋)內之薄片電阻之分布進行測量，藉此調查膜厚的分布狀況。具體而言，係對晶圓上之49點的薄片電阻進行測量，算出其標準偏差(σ)。
其結果同樣地示於表2。由表2清楚可知，於本實施例，從濺鍍初期至後期，薄片內電阻分布之變動小(2.4～3.5%)，亦即表示膜厚分布之變動小。
又，對濺鍍之至初期穩定化為止的電力量進行測量，為80kWh，已減少。此結果亦示於表2。以此方式可將預燒時間縮短化，且膜之均勻性(uniformity)良好，可提升濺鍍成膜之品質。
(實施例3)
對純度99.998%之鉭添加有硼10massppm相當量之原料進行電子束熔解，對其進行鑄造製成厚度200mm、直徑200mmψ之鑄錠。此時之結晶粒徑約為45mm。
接著，以室溫對此鑄錠或小胚進行粗軋後，以1500K之溫度進行再結晶退火。藉此得到平均結晶粒徑具有200μm之組織之厚度120mm、直徑130mmψ的材料。
接著，再次以室溫對其進行粗軋及鍛粗鍛造後，再次以1400～1500K溫度實施再結晶退火。再次重複進行鍛造、熱處理，藉此得到平均結晶粒徑具有100μm之組織之厚度120mm、直徑130mmψ的材料。
接著，對其進行低溫之壓延及1173K溫度之再結晶退火，然後進行精加工，製成厚度10mm、直徑450mmψ之靶材。以成為以下之平均結晶粒徑及結晶粒徑之變動的方式，調節中途及最後之冷加工以及再結晶退火。另，此平均結晶粒徑與變動，雖然亦會因硼的添加量而變化，但是於本實施例中，可進行此等之調節。
靶的平均結晶粒徑為50μm，結晶粒徑之變動為±17%。且，硼含量之變動為±15%。此結果同樣地示於表2。
由於薄片電阻取決於膜厚，因此對晶圓(12吋)內之薄片電阻之分布進行測量，藉此調查膜厚的分布狀況。具體而言，係對晶圓上之49點的薄片電阻進行測量，算出其標準偏差(σ)。
其結果同樣地示於表2。由表2清楚可知，於本實施例，從濺鍍初期至後期，薄片內電阻分布之變動小(2.2～3.0%)，亦即表示膜厚分布之變動小。
又，對濺鍍之至初期穩定化為止的電力量進行測量，為50kWh，已減少。此結果亦示於表2。以此方式可將預燒時間縮短化，且膜之均勻性(uniformity)良好，可提升濺鍍成膜之品質。
(實施例4)
對純度99.998%之鉭添加有硼20massppm相當量之原料進行電子束熔解，對其進行鑄造製成厚度200mm、直徑200mmψ之鑄錠。此時之結晶粒徑約為40mm。
接著，以室溫對此鑄錠或小胚進行粗軋後，以1500K之溫度進行再結晶退火。藉此得到平均結晶粒徑具有200μm之組織之厚度120mm、直徑130mmψ的材料。
接著，再次以室溫對其進行粗軋及鍛粗鍛造後，再次以1400～1500K溫度實施再結晶退火。再次重複進行鍛造、熱處理，藉此得到平均結晶粒徑具有90μm之組織之厚度120mm、直徑130mmψ的材料。
接著，對其進行低溫之壓延及1173K溫度之再結晶退火，然後進行精加工，製成厚度10mm、直徑450mmψ之靶材。以成為以下之平均結晶粒徑及結晶粒徑之變動的方式，調節中途及最後之冷加工以及再結晶退火。另，此平均結晶粒徑與變動，雖然亦會因硼的添加量而變化，但是於本實施例中，可進行此等之調節。
靶的平均結晶粒徑為35μm，結晶粒徑之變動為±15%。且，硼含量之變動為±13%。此結果同樣地示於表2。
由於薄片電阻取決於膜厚，因此對晶圓(12吋)內之薄片電阻之分布進行測量，藉此調查膜厚的分布狀況。具體而言，係對晶圓上之49點的薄片電阻進行測量，算出其標準偏差(σ)。
其結果同樣地示於表2。由表2清楚可知，於本實施例，從濺鍍初期至後期，薄片內電阻分布之變動小(1.6～2.2%)，亦即表示膜厚分布之變動小。
又，對濺鍍之至初期穩定化為止的電力量進行測量，為45kWh，已減少。此結果亦示於表2。以此方式可將預燒時間縮短化，且膜之均勻性(uniformity)良好，可提升濺鍍成膜之品質。
(實施例5)
對純度99.999%之鉭添加有硼50massppm相當量之原料進行電子束熔解，對其進行鑄造製成厚度200mm、直徑200mmψ之鑄錠。此時之結晶粒徑約為35mm。
接著，以室溫對此鑄錠或小胚進行粗軋後，以1500K之溫度進行再結晶退火。藉此得到平均結晶粒徑具有200μm之組織之厚度120mm、直徑130mmψ的材料。
接著，再次以室溫對其進行粗軋及鍛粗鍛造後，再次以1400～1500K溫度實施再結晶退火。再次重複進行鍛造、熱處理，藉此得到平均結晶粒徑具有80μm之組織之厚度120mm、直徑130mmψ的材料。
接著，對其進行低溫之壓延及1173K溫度之再結晶退火，然後進行精加工，製成厚度10mm、直徑450mmψ之靶材。以成為以下之平均結晶粒徑及結晶粒徑之變動的方式，調節中途及最後之冷加工以及再結晶退火。另，此平均結晶粒徑與變動，雖然亦會因硼的添加量而變化，但是於本實施例中，可進行此等之調節。
靶的平均結晶粒徑為20μm，結晶粒徑之變動為±7%。且，硼含量之變動為±9%。此結果同樣地示於表2。
由於薄片電阻取決於膜厚，因此對晶圓(12吋)內之薄片電阻之分布進行測量，藉此調查膜厚的分布狀況。具體而言，係對晶圓上之49點的薄片電阻進行測量，算出其標準偏差(σ)。
其結果同樣地示於表2。由表2清楚可知，於本實施例，從濺鍍初期至後期，薄片內電阻分布之變動小(2.0～3.1%)，亦即表示膜厚分布之變動小。
又，對濺鍍之至初期穩定化為止的電力量進行測量，為60kWh，已減少。此結果亦示於表2。以此方式可將預燒時間縮短化，且膜之均勻性(uniformity)良好，可提升濺鍍成膜之品質。
(比較例1)
對純度99.995%之鉭添加有硼0.5massppm相當量之原料進行電子束熔解，對其進行鑄造製成厚度200mm、直徑200mmψ之鑄錠。此時之結晶粒徑約為60mm。
接著，以室溫對此鑄錠或小胚進行粗軋後，以1500K之溫度進行再結晶退火。藉此得到平均結晶粒徑具有200μm之組織之厚度120mm、直徑130mmψ的材料。
接著，再次以室溫對其進行粗軋及鍛粗鍛造後，再次以1400～1500K溫度實施再結晶退火。再次重複進行鍛造、熱處理，藉此得到平均結晶粒徑具有150μm之組織之厚度120mm、直徑130mmψ的材料。
接著，對其進行低溫之壓延及1173K溫度之再結晶退火，然後進行精加工，製成厚度10mm、直徑450mmψ之靶材。以成為適度之平均結晶粒徑及結晶粒徑之變動的方式，調節中途及最後之冷加工以及再結晶退火，但是於本比較例中，無法進行此等之調節，靶的平均結晶粒徑為120μm，結晶粒徑之變動為±30%。且，硼含量之變動為±30%。此結果同樣地示於表2。
由於薄片電阻取決於膜厚，因此對晶圓(12吋)內之薄片電阻之分布進行測量，藉此調查膜厚的分布狀況。具體而言，係對晶圓上之49點的薄片電阻進行測量，算出其標準偏差(σ)。
其結果同樣地示於表2。由表2清楚可知，於本比較例，從濺鍍初期至後期，薄片內電阻分布之變動大(3.9～5.0%)，亦即表示膜厚分布之變動大。
又，對濺鍍之至初期穩定化為止的電力量進行測量，為200kWh，已增加。此結果亦示於表2。以此方式無法將預燒時間縮短化，膜之均勻性(uniformity)亦不良，無法提升濺鍍成膜之品質。
以上，雖然亦對純度99.999%之鉭添加有硼0.5massppm之情形進行相同的試驗，但是發現與此比較例1相同的傾向。此清楚可知無論鉭的純度為何，皆會造成影響。
(比較例2)
對純度99.999%之鉭添加有硼100massppm相當量之原料進行電子束熔解，對其進行鑄造製成厚度200mm、直徑200mmψ之鑄錠。此時之結晶粒徑約為20mm。
接著，以室溫對此鑄錠或小胚進行粗軋後，以1500K之溫度進行再結晶退火。藉此得到平均結晶粒徑具有200μm之組織之厚度120mm、直徑130mmψ的材料。
接著，再次以室溫對其進行粗軋及鍛粗鍛造後，再次以1400～1500K之溫度實施再結晶退火。再次重複進行鍛造、熱處理，藉此得到平均結晶粒徑具有70μm之組織之厚度120mm、直徑130mmψ的材料。
接著，對其進行低溫之壓延及1173K溫度之再結晶退火，然後進行精加工，製成厚度10mm、直徑450mmψ之靶材。以成為適度之平均結晶粒徑及結晶粒徑之變動的方式，調節中途及最後之冷加工以及再結晶退火，但是於本比較例中，無法進行此等之調節，靶的平均結晶粒徑大致為10μm，但結晶粒徑之變動為±50%，變動大。且，硼含量之變動為±65%。此結果同樣地示於表2。
由於薄片電阻取決於膜厚，因此對晶圓(12吋)內之薄片電阻之分布進行測量，藉此調查膜厚的分布狀況。具體而言，係對晶圓上之49點的薄片電阻進行測量，算出其標準偏差(σ)。
其結果同樣地示於表2。由表2清楚可知，於本比較例，從濺鍍初期至後期，薄片內電阻分布之變動大(5.0～7.0%)，亦即表示膜厚分布之變動大。
又，對濺鍍之至初期穩定化為止的電力量進行測量，為300kWh，已增加。此結果亦示於表2。以此方式無法將預燒時間縮短化，膜之均勻性(uniformity)亦不良，無法提升濺鍍成膜之品質。
以上，當在純度99.999%之鉭添加硼超過100massppm後，結晶粒徑之粗大化與變動會快速變大，並且硼含量之變動亦會變得顯著。
此被認為是硼產生偏析的結果，可知添加過量的硼並不佳。
產業上之可利用性
本發明具有以下之優異效果：藉由使鉭濺鍍靶中含有1massppm以上、50massppm以下之硼作為必要成分，並使不計硼及氣體成分之純度在99.998%以上，而可提供具備均一微細之組織、電漿穩定、膜之均勻性(uniformity)優異之高純度鉭濺鍍靶。又，濺鍍時之電漿穩定化，由於即使在初期之階段亦穩定化，因此具有可縮短預燒時間之效果，故適用作為適於電子學領域，特別是形成複雜形狀之被膜、電路或障壁膜等之靶。

Claims (8)

  1. 一種鉭濺鍍靶，其含有1massppm以上、50massppm以下之硼作為必要成分，不計硼及氣體成分之純度在99.998%以上。
  2. 一種鉭濺鍍靶，其含有10massppm以上、50massppm以下之硼作為必要成分，不計硼及氣體成分之純度在99.998%以上。
  3. 一種鉭濺鍍靶，其含有10massppm以上、20massppm以下之硼作為必要成分，不計硼及氣體成分之純度在99.998%以上。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之鉭濺鍍靶，其硼含量的變動在±20%以下。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之鉭濺鍍靶，其平均結晶粒徑在110μm以下。
  6. 如申請專利範圍第4項之鉭濺鍍靶，其平均結晶粒徑在110μm以下。
  7. 如申請專利範圍第5項之鉭濺鍍靶，其結晶粒徑的變動在±20%以下。
  8. 如申請專利範圍第6項之鉭濺鍍靶，其結晶粒徑的變動在±20%以下。
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