TWI502608B - 導電性粒子、異向性導電薄膜及接合體以及連接方法 - Google Patents

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Description

導電性粒子、異向性導電薄膜及接合體以及連接方法
本發明係關於導電性粒子、異向性導電薄膜及接合體,以及連接方法。
在「液晶顯示器與捲帶載具封裝(Tape Carrier Package:TCP)的連接、撓性電路基板(Flexible Printed Circuit:FPC)與TCP的連接、或者FPC與印刷配線板的連接」等所謂線路構件的互相連接方面,可以使用導電性粒子分散於接著劑中而成的電路連接材料(例如,異向性導電接著劑)。又,最近,在將半導體矽晶片實裝於基板的情況,不使用電路構件互相連接用的電線接合,而係進行所謂將半導體矽晶片面朝下直接實裝於基板的覆晶實裝。縱使在該覆晶實裝中,在電路構件的相互連接方面可以使用異向性導電接著劑等電路連接材料。
上述電路連接材料,一般而言,包含接著劑組成物及導電性粒子。就該導電性粒子而言,可列舉,例如,(1)在鎳粒子表面,經由合金層而含有Au、Ag及Pd中之1種或2種以上的導電性粒子(例如,專利文獻1);(2)具備由有機高分子所構成的核體,形成於該核體上且由銅、鎳、鎳合金、銀或銀合金所構成的金屬層,以及由金或鈀所構成的最外層之導電性粒子(例如,專利文獻2);(3)具備由有機高分子所構成的核體,形成於該核體上之由銅、鎳、鎳合金、銀或銀合金所構成的金屬層,由金或鈀所構成的最外層,以及設置於最外層之表面側且由50nm~500nm高之鎳、銅、金、鈷等所構成的突起部的導電性粒子(例如,專利文獻3);(4)由樹脂微粒子及形成於該樹脂微粒子表面之由鎳構成的導電層所構成的導電性粒子,該導電層具有以選自金、銀、銅、鈀、鋅、鈷及鈦所組成群組中之至少一種金屬或金屬氧化物作為芯心物質的突起(例如,專利文獻4)。其中,為了使導電性粒子的特性達到最大,以將導電性粒子進行40%~70%壓縮來連接為最佳。又,為了使不具硬表面氧化性的惰性金屬得到低電阻連接,以在導電性粒子上設置突起為較佳。
但是,若使用鎳作為導電性粒子的最外殼,由於鎳的表面易於氧化,有所謂無法得到低電阻值的問題。
又,若使用硬且脆的鈀作為導電性粒子的最外殼,則將導電性粒子壓縮至適當值使用時,由於產生鍍覆裂紋,有所謂環境可靠性試驗後之電阻值上升變大的問題。
又,若使用莫氏硬度(Moh’s hardness)比鈀高的鈷作為導電性粒子的最外殼,則有所謂表面活性高、容易氧化,同時與自由基聚合性黏合劑組合時引發觸媒作用,導致保存安定性顯著降低的問題。
又,近年來,有所謂使用IZO(氧化銦鋅,Indium zinc oxide)代替生產成本高的ITO(氧化銦錫,Indium tin oxide)作為電極材料的傾向。
在使用導電性高的金作為導電性粒子的最外殼的情況,對於向來可用作電極材料的ITO基板,雖可確保導通可靠性,但對於表面形成有氧化金屬(不導體)且平滑的IZO基板而言,無法突破並充分嵌入形成於表面的氧化金屬(不導體),以致無法確保充分的導通可靠性。
再者,就現況而言,可在保持高硬度下抑制應力(連接時縱使為壓潰狀態,亦難以造成龜裂),並且不僅對於ITO基板而且對於IZO基板均確保充分導通可靠性的導電性粒子尚未被發現。
[先前技術文獻]
[專利文獻1]日本特開2002-25345號公報
[專利文獻2]國際公開第05/002002號公報
[專利文獻3]日本特開2005-166438號公報
[專利文獻4]日本特開2007-35573號公報
本發明係以解決先前的諸問題,達成以下的目的為課題。亦即,本發明係以提供可在保持高硬度下提高延展性及抑制應力(連接時縱使為壓潰狀態,亦難以造成龜裂),並且不僅對於ITO基板,而且對於IZO基板均可確保充分導通可靠性的導電性粒子,具備該導電性粒子的異向性導電薄膜及具備該異向性導電薄膜的接合體,以及使用該異向性導電薄膜的連接方法為目的。
解決上述課題的手段如下所述。亦即,
<1>一種導電性粒子,其係具備高分子微粒子以及形成於該高分子微粒子表面之導電層的導電性粒子,該導電性粒子的特徵為該導電層的最外殼係鎳-鈀合金層。
該導電性粒子,由於導電層的最外殼為鎳-鈀合金層,所以可在保持高硬度下抑制應力(連接時縱使為壓潰狀態,亦難以造成龜裂),並且不僅對於ITO基板,而且對於IZO基板均可確保充分的導通可靠性。
<2>如上述<1>記載之導電性粒子,其中鎳-鈀合金層之厚度為5nm~20nm。
<3>如上述<1>至<2>中任一項記載之導電性粒子,其中鎳-鈀合金層係藉由使鈀觸媒負載於高分子微粒子的表面,並使用促進劑而形成。
<4>如上述<1>至<3>中任一項記載之導電性粒子,其中導電層具有形成於高分子微粒子表面的鎳鍍覆層。
<5>如上述<1>至<4>中任一項記載之導電性粒子,其中導電層的厚度為50nm~150nm。
<6>如上述<1>至<5>中任一項記載之導電性粒子,其中於40%~70%壓縮變形時的壓縮彈性率為100kgf/mm2 ~1,000kgf/mm2 ;壓縮變形回復率為10%~70%。
<7>如上述<1>至<6>中任一項記載之導電性粒子,其進一步具備以鎳、鈀、鈷及鉻中的至少任一種作為核的突起。
<8>如上述<1>至<7>中任一項記載之導電性粒子,其係用於IZO(氧化銦鋅)基板的連接。
<9>一種異向性導電薄膜,其特徵為其係具備上述<1>至<8>中任一項記載之導電性粒子及黏合劑的異向性導電薄膜,該黏合劑包含環氧樹脂及丙烯酸酯樹脂的至少任一種。
<10>如上述<9>記載之異向性導電薄膜,其包含苯氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂及胺基甲酸酯樹脂的至少任一種,且該樹脂為異向性導電薄膜的10質量%~80質量%。
<11>如上述<10>記載之異向性導電薄膜,其包含藉由加熱而活性化的潛在性硬化劑。
<12>如上述<10>記載之異向性導電薄膜,其包含藉由加熱而產生游離自由基的潛在性硬化劑。
<13>如上述<9>至<12>記載之異向性導電薄膜,其中若硬化率為80%以上,則於40℃以下之彈性率為0.5GPa以上,而且玻璃轉移點為50℃以上。
<14>一種接合體,其特徵為:具備第1電路構件、與該第1電路構件相對的第2電路構件、配設在該第1電路構件與該第2電路構件間的上述<9>至<13>中任一項記載之異向性導電薄膜,該第1電路構件中的電極與該第2電路構件中的電極係經由導電性粒子連接。
<15>如上述<14>記載之接合體,其中該第1電路構件及第2電路構件的至少任一者為IZO(氧化銦鋅)基板。
<16>一種連接方法,其特徵為其係使用上述<9>至<13>中任一項記載之異向性導電薄膜的連接方法,該連接方法包括在第1電路構件與第2電路構件之間配設該異向性導電薄膜的配設步驟,將該第1電路構件朝向該第2電路構件押壓的押壓步驟,以及將該第1電路構件中的電極與該第2電路構件中的電極經由導電性粒子連接的連接步驟。
<17>如上述<16>記載之連接方法,其中該第1電路構件及第2電路構件的至少任一者為IZO(氧化銦鋅)基板。
若依照本發明,可以提供能解決上述先前諸問題,達成上述目的,在保持高硬度下抑制應力(連接時縱使為壓潰狀態,亦難以造成龜裂),並且不僅對於ITO基板而且對於IZO基板均可確保充分導通可靠性的導電性粒子,具備該導電性粒子的異向性導電薄膜及具備該異向性導電薄膜的接合體,以及使用該異向性導電薄膜的連接方法。
(導電性粒子)
本發明之導電性粒子至少具備高分子微粒子及導電層,視需要可具有突起等。
又,該導電性粒子以於40%~70%壓縮變形時的壓縮彈性率係100kgf/mm2 ~1,000kgf/mm2 ,壓縮變形回復率係10%~70%為較佳,其不僅適於ITO(氧化銦錫)基板的連接,亦適於IZO(氧化銦鋅)基板的連接。
其中,若導電性粒子於40%~70%壓縮變形時的壓縮彈性率小於100kgf/mm2 ,由於弱壓縮力即會造成過度壓潰,所以連接時壓力的控制變得困難。又,藉由小力即容易破壞,無法保留原型(球體)且無法保持連接可靠性。
另一方面,若導電性粒子於40%~70%壓縮變形時的壓縮彈性率超過1,000kgf/mm2 ,則導電性粒子過硬,無法壓潰,而無法保持良好的連接可靠性。
-高分子微粒子-
就構成高分子微粒子的有機高分子而言,可列舉丙烯酸酯樹脂、苯乙烯樹脂、苯基胍胺樹脂、聚矽氧樹脂、聚丁二烯樹脂等。又,上述有機高分子,雖然可為具有由構成上述樹脂之單體所衍生的重複單元中的至少二種以上任意組合而成之構造的共聚物,但以由選自苯基胍胺、丙烯酸酯、酞酸二烯丙酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、二乙烯基苯及苯乙烯所組成群組中之至少二種以上共聚而得的共聚物為較佳。以將四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、二乙烯基苯及苯乙烯組合所得之共聚物為更佳。
其中,苯基胍胺等由於在分子中具有剛直的構造,且其交聯點間的距離亦短,所以在共聚物中此等分子的含有率越高,將得到越硬的導電性粒子。又,亦可藉由提高有機高分子的交聯度,以得到硬的導電性粒子。
另一方面,在丙烯酸酯、酞酸二烯丙酯等中,由於交聯點間的距離變長,所以共聚物中由此等分子所衍生的重複單元的含有率越高,得到越柔軟的導電性粒子。又,亦可藉由降低有機高分子的交聯度,以得到柔軟的導電性粒子。
-導電層-
就上述導電層而言,若形成於高分子微粒子的表面且最外殼為鎳-鈀合金層,將無特殊限制,可視目的而適宜地選擇,但以於上述高分子微粒子的表面形成鎳鍍覆層者為較佳。又,厚度以50nm~150nm為較佳。
上述導電層若比50nm薄,連接後難以得到充分的電特性。若上述導電層比150nm厚,則常產生凝集粒子,短路發生率變高,故不佳。
--鎳-鈀合金層--
就上述鎳-鈀合金層而言,雖無特殊限制,可視目的而適當地選擇,但厚度以3nm~150nm為較佳,以5nm~20nm為更佳。
又,上述鎳-鈀合金層之厚度以儘可能均一為較佳。上述鎳-鈀合金層若比3nm薄,由於可能有未被上述鎳-鈀合金層鍍覆的部分,故而不佳。又,若上述鎳-鈀合金層比150nm厚,則粒子互相黏附凝集的比例變高,故不佳。
其中,關於上述鎳-鈀合金層之厚度的測定方法,首先將導電性粒子分散於環氧樹脂接著劑,然後用研磨機(丸本Struers公司製)削出粒子斷面。使用SEM(Keyence公司製,產品編號VE-8800)進行測定。
又,上述鎳-鈀合金層,例如係藉由使鈀觸媒負載於高分子微粒子的表面,並使用促進劑(例如,MK-370(MUROMACHI TECHNOS公司製))而形成。
上述鎳-鈀合金層之形成,亦可採用:進行無電解鍍覆並利用離子化傾向差異的置換式鍍覆、使用還原劑的化學還原式鍍覆等中的任一方法。
上述鎳-鈀合金層中鎳與鈀的合金比率,可依連接基材(第1電路構件、第2電路構件)的種類並在考量硬度、導電性及離子化傾向差異等下,藉由改變金屬鹽的配合比率進行鍍覆而予以任意地設計。
--鎳鍍覆層--
就上述鎳鍍覆層而言,雖無特殊限制,可依目的而適宜選擇,但厚度以30nm~150nm為較佳,以30nm~147nm為更佳。
若上述鎳鍍覆層比30nm薄,則與高分子微粒子的密著性降低,變得容易剝離。又,若上述鎳鍍覆層比150nm厚,則常產生凝集體,短路發生率變高,故不佳。
-突起-
就上述突起而言,無特殊限制,可依目的而適宜選擇,例如,可列舉以鎳、鈀、鈷及鉻之至少任一種為核者。
-壓縮彈性率-
上述壓縮彈性率(K值(kgf/mm2 ),可於20℃氛圍氣下用微小壓縮試驗機(PCT-200島津製作所製)測定,並以下式求出。
K=(3/2)‧F‧S-3/2 ‧R-1/2
F:導電性粒子於40%~70%壓縮變形時之各荷重值(N)
S:導電性粒子於40%~70%壓縮變形時之各壓縮變位(mm)
R:導電性粒子的半徑(mm)
-壓縮變形回復率-
上述壓縮變形回復率係使用微小壓縮試驗機將導電性粒子壓縮至反轉荷重值9.8mN後,相反地減少荷重時,測定荷重值與壓縮變位的關係所得的值,亦即在原點荷重值0.98mN、加負荷及除去負荷時之壓縮速度為0.2842mN/秒下,測定至除去荷重時的終點,並將至反轉點之變位(L1)與從反轉點至得到原點荷重值之點之變位(L2)的比(L2/L1)以百分率表示的值。
上述壓縮變形回復率即使較少亦可,不過若比10%小,則變得無法追蹤連接時之熱變化或使用時之環境變化所導致的黏合劑鬆開,而無法保持連接可靠性。另一方面,若超過70%,則會產生比連接時之熱變化或使用時之環境變化所導致的黏合劑鬆開還大的反作用力,而成為使連接可靠性變差的原因,故不佳。
以下,使用第一圖至第三圖說明本發明的導電性微粒子。就導電性粒子10而言,可列舉:(1)具有高分子微粒子12、及形成於高分子微粒子12之表面由鎳-鈀合金層所構成的導電層11的導電性粒子(第一圖);(2)具有高分子微粒子12、以及由形成於高分子微粒子12之表面的鎳層11b及形成於鎳層11b之表面的鎳-鈀合金層11a所構成的導電層11的導電性粒子(第二圖);以及(3)進一步具有突起13的導電性粒子(第三圖及第四圖)等。
(異向性導電薄膜)
本發明之異向性導電薄膜具有本發明的導電性粒子、至少一種黏合劑;視需要尚可具有潛在性硬化劑、於常溫為固態的樹脂等。
一般而言,異向性導電薄膜藉由將導電性粒子變形40%~70%來連接,可得到高度的連接可靠性。
該異向性導電薄膜,在硬化率為80%以上的情況,以於40℃以下的彈性率為0.5GPa以上,而且玻璃轉移點為50℃以上為較佳。
彈性率若小於0.5GPa,則無法將端子間所挾持的變形導電性粒子押入,電阻值上升且連接可靠性變差。又,若玻璃轉移點小於50℃,由於電子零件驅動時所產生的熱會軟化異向性導電薄膜,因此無法押入導電性粒子,而引起連接不良。
-黏合劑-
就上述黏合劑而言,只要為環氧樹脂及丙烯酸酯樹脂之至少任一種,則無特殊限制,可依目的而適宜選擇。
--環氧樹脂--
就上述環氧樹脂而言,無特殊限制,可依目的而適宜選擇,可列舉如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚醛型環氧樹脂等。就此等而言,可單獨使用1種,亦可併用2種以上。
--丙烯酸酯樹脂--
就上述丙烯酸酯樹脂而言,無特殊限制,可依目的而適宜選擇,可列舉如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸環氧酯、乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二丙烯酸酯、1,4-丁二醇四丙烯酸酯、2-羥基-1,3-二丙烯醯氧基丙烷、2,2-雙[4-(丙烯醯氧基甲氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4-(丙烯醯氧基乙氧基)苯基]丙烷、丙烯酸二環戊烯酯、丙烯酸三環癸酯、參(丙烯醯氧基乙基)異氰尿酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯等。此等丙烯酸酯,可單獨使用1種,亦可併用2種以上。
又,可列舉將前述丙烯酸酯置換成甲基丙烯酸酯者;此等甲基丙烯酸酯,可單獨使用1種,亦可併用2種以上。
--潛在性硬化劑--
就上述潛在性硬化劑而言,無特殊限制,可依目的而適宜選擇,可列舉如藉由加熱而活性化的潛在性硬化劑、藉由加熱而產生游離自由基的潛在性硬化劑。
就上述藉由加熱而活性化的潛在性硬化劑而言,無特殊限制,可依目的而適宜選擇,可列舉如多元胺、咪唑等陰離子系硬化劑或鋶鹽等陽離子系硬化劑等。
就上述藉由加熱而產生游離自由基的潛在性硬化劑而言,無特殊限制,可依目的而適宜選擇,可列舉如有機過氧化物、偶氮化合物等。
--於常溫為固態的樹脂--
就於上述常溫為固態的樹脂而言,可列舉苯氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂及胺基甲酸酯樹脂等,其較佳佔異向性導電薄膜之10質量%~80質量%。
上述樹脂若不到異向性導電薄膜之10質量%,則欠缺膜性,製成溶膠狀製品時會引起黏連現象。又,上述樹脂若超過異位性導電薄膜之80質量%,則薄膜之黏性降低,無法貼附於電路構件。
(接合體)
本發明之接合體具備第1電路構件、與該第1電路構件相對的第2電路構件、配設在該第1電路構件與該第2電路構件間的本發明異向性導電薄膜,該第1電路構件中的電極與該第2電路構件中的電極係經由導電性粒子連接。
-第1電路構件-
就上述第1電路構件而言,無特殊限制,可依目的而適宜選擇,可列舉如FPC基板、PWB基板。
-第2電路構件-
就上述第2電路構件而言,無特殊限制,可依目的而適宜選擇,可列舉如FPC基板、COF基板、TCP基板、PWB基板、IC基板、面板等。
以第1電路構件及第2電路構件之至少任一者為IZO(氧化銦鋅)基板(形成有IZO配線的基板)為較佳。
IZO配線,可在廣泛溫度範圍(室溫~350℃)內成膜,安定且非晶成膜之形成為可能。
因此,如第五圖及第六圖所示之照片所顯示,IZO配線,與ITO配線相比,成膜面的平滑性較高,膜內較為均一且可以得到較高的導電性;又,不僅對於玻璃基板的負荷降低,而且可使步驟簡略化而廉價地製造。
又,從第五圖及第六圖可以知道IZO配線為非晶質且表面為平滑,相對於此,ITO配線為結晶質且表面粗糙度高。
IZO配線係共有稜的銦八面體構造相連多的非晶構造,此被認為係導電性優良的原因。
(連接方法)
本發明的連接方法至少包括配設步驟、押壓步驟及連接步驟,且視需要可進一步包括經適宜選擇的其他步驟。
-配設步驟-
上述配設步驟係在第1電路構件及第2電路構件間配設本發明之異向性導電薄膜的步驟。
以上述第1電路構件及上述第2電路構件之至少任一者為IZO(氧化銦鋅)基板為較佳。
-押壓步驟-
上述押壓步驟係將上述第1電路構件朝向上述第2電路構件押壓的步驟。
-連接步驟-
上述連接步驟係將第1電路構件中的電極與第2電路構件中的電極經由導電性粒子連接的步驟。
-其他步驟-
就上述其他步驟而言,無特殊限制,可視目的而適宜選擇。
以下,對於本發明之實施例加以說明,但本發明在任何方面均不限於下述實施例。
(比較例1) <導電性粒子A1之製作> -基材粒子(樹脂粒子)之製作-
藉由在二乙烯基苯、苯乙烯單體、甲基丙烯酸丁酯的混合溶液中投入作為聚合起始劑的苯甲醯基過氧化物,並於高速均一地攪拌下加熱進行聚合反應,得到微粒子分散液。藉由將該微粒子分散液過濾及減壓乾燥,得到為微粒子凝集體的塊體。然後,藉由粉碎該塊體,分別製作交聯密度不同、平均粒徑為3.8μm的基材粒子(樹脂粒子)。
-鎳鍍覆-
在上述所製作樹脂粒子的表面負載鈀觸媒(Muromachi Technos公司製,商品名:MK-2605),將以促進劑(Muromachi Technos公司製,商品名:MK-370)活性化的樹脂粒子投入加溫至60℃的硫酸鎳水溶液、次亞磷酸鈉水溶液及酒石酸鈉水溶液的混合液中,進行無電解鍍覆前步驟。攪拌20分鐘,確認氫氣發泡停止。接著,添加硫酸鎳、次亞磷酸鈉、檸檬酸鈉、鍍覆安定劑的混合溶液,攪拌至pH安定,並進行無電解鍍覆後步驟至氫氣發泡停止。接著,過濾鍍覆液,用水洗淨濾過物後,用80℃的真空乾燥機乾燥,製作經鎳鍍覆的導電性粒子。
-金鍍覆-
在氯化金酸鈉與離子交換水的混合溶液中,投入經鎳鍍覆的導電性粒子並混合後,投入硫代硫酸銨、亞硫酸銨及磷酸氫銨以調製鍍覆液。在所得到之鍍覆液中投入羥基胺後,藉由用氨將pH調整至10,將浴溫調至65℃,進行反應約20分鐘,製作最外殼經金鍍覆(最外層為金層)的導電性粒子A1。
<導電性粒子A1的評價> -壓縮彈性率(K值)及壓縮變形回復率的測定-
對於所製作之導電性粒子A1,使用微小壓縮試驗機(PCT-200島津製作所製),測定於50%壓縮變形時的壓縮彈性率(K值)及壓縮變形回復率。壓縮彈性率係於20℃氛圍氣下進行測定,讀取於壓縮速度0.2gf/秒下各壓縮率之值。壓縮變形回復率係於壓縮速度0.2gf/秒、原點加重值0.1gf、反轉加重值1.0gf進行。將結果示於表1中。
-鍍覆厚度的測定-
將所製作的導電性粒子A1分散於環氧接著劑中並硬化後,用SEM(Keyence公司製,產品編號VE-8800)觀察以研磨機(丸本Struers公司製)切削出的粒子斷面並進行測定。將結果示於表1中。
<異向性導電薄膜之製作>
將以上所製作的導電性粒子A1以體積比率成為10%之方式分散在包括微囊型胺系硬化劑(旭化成化學公司製,商品名Novacure HX 3941HP)50份、液狀環氧樹脂(日本環氧樹脂公司製,商品名EP828)14份、苯氧樹脂(東都化成公司製,商品名YP50)35份、矽烷偶合劑(信越化學公司製,商品名KBE403)1份的熱硬化性黏合劑中,將其以使厚度成為20μm的方式塗布於經矽烷處理的剝離PET薄膜上,製作成片狀的異向性導電薄膜。
<IZO配線的實裝體(接合體)A1的製作>
進行IZO配線的實裝體A1的製作。作為評價基材的COF(索尼化工和資訊產品公司(Sony Chemical & Information Device Corporation)的評價用COF、50μmP、Cu 8μmt-Sn鍍覆、38μmt-S’perflex基材)與IZOβ-玻璃(索尼化工和資訊產品公司評價用ITOβ-玻璃、IZO鍍覆厚度300nm、玻璃厚度0.7mm)的連接如下述進行。首先,使用寬1.5mm的壓著機壓具、厚70μm的鐵氟龍(Teflon)(登錄商標)緩衝材料,於80℃-1MPa-2秒的暫時壓著條件下,將裁切成1.5mm寬之條的異向性導電薄膜暫時貼附於IZOβ-玻璃上,剝除可剝離PET薄膜,接著,用同一壓著機,於80℃-0.5MPa-0.5秒的暫時固定條件下,將COF暫時固定,最後,進行主壓著,即使用寬1.5mm的壓著機壓具、厚70μm的鐵氟龍(登錄商標)緩衝材料,於190℃-3MPa-10秒的壓著條件下進行壓著,完成實裝體(接合體)。
<ITO配線之實裝體A1的製作>
除了將製作IZO配線之實裝體A1時的IZOβ-玻璃變更為ITOβ-玻璃(索尼化工和資訊產品公司評價用ITOβ-玻璃、ITO鍍覆厚度300nm、玻璃厚度0.7mm)以外,與IZO配線之實裝體A1的製作同樣地製作ITO配線的實裝體A1。
<實裝體A1的連接電阻測定>
對於所製作的IZO配線的實裝體A1及ITO配線的實裝體A1,使用4端子法測定流過1mA電流時的連接電阻。結果如表2所示。
(比較例2)
除了如以下所示進行鈀鍍覆,以代替比較例1中之金鍍覆以外,與比較例1同樣地,進行導電性粒子A2的製作、導電性粒子A2的評價、異向性導電薄膜的製作、IZO配線的實裝體A2的製作、ITO配線的實裝體A2的製作以及實裝體A2的連接電阻測定。將結果示於表1及表2。
<鈀鍍覆>
在包含四氯鈀、乙二胺、胺基吡啶、次磷酸鈉、聚乙二醇及離子交換水的混合溶液中,投入經鎳鍍覆的導電性粒子並混合後,藉由用氨將pH調整至7.5,將浴溫調至60℃,進行約20分鐘的反應,製作於最外層施行鈀鍍覆的導電性粒子A2。
(實施例1)
在比較例1所製作之樹脂粒子的表面負載鈀觸媒(Muromachi Technos公司製,商品名:MK-2605),將以促進劑(Muromachi Technos公司製,商品名:MK-370)活性化的樹脂粒子投入加溫至60℃且以氨將pH調整至8的氯化鈀、氯化鎳、乙二胺、硫二乙酸(HOOCCH2 )2 S,thioglycolic acid)與次磷酸鈉的混合溶液中,製作最外殼經鎳-鈀合金鍍覆(最外層為鎳-鈀合金層)的導電性粒子A3,然後,與比較例1同樣地,進行導電性粒子A3的評價、異向性導電薄膜的製作、IZO配線的實裝體A3的製作、ITO配線的實裝體A3的製作以及實裝體A3的連接電阻測定。將結果示於表1及表2。
(實施例2)
除了如以下所示進行鎳-鈀合金鍍覆代替比較例1中之金鍍覆之外,與比較例1同樣地進行導電性粒子A4的製作、導電性粒子A4的評價、異向性導電薄膜的製作、IZO配線的實裝體A4的製作、ITO配線的實裝體A4的製作以及實裝體A4的連接電阻測定。將結果示於表1及表2。
<鎳-鈀合金鍍覆>
在氯化鈀、氯化鎳、乙二胺、硫二乙酸及次磷酸鈉的混合溶液中,投入經鎳鍍覆的導電性粒子並混合後,藉由用氨將pH調整至8,將浴溫調至60℃,製作於最外殼施行鎳-鈀合金鍍覆(最外層為鎳-鈀合金層)的導電性粒子A4。
(實施例3)
將比較例1所製作之樹脂粒子分散於脫離子水中3分鐘後,藉由投入鎳漿(100nm)及攪拌,得到附著有鎳漿的基材粒子。然後進行與比較例1之鎳鍍覆的無電解鍍覆前步驟及後步驟同樣的處理,以製作附有鎳突起的導電性粒子。然後施行實施例2中的鎳-鈀合金鍍覆,製作導電性粒子A5,然後,與比較例1同樣地進行導電性粒子A5的評價、異向性導電薄膜的製作、IZO配線的實裝體A5的製作、ITO配線的實裝體A5的製作以及實裝體A5的連接電阻測定。將結果示於表1及表2。
(實施例4~12)
除了變更實施例3中二乙烯基苯、苯乙烯單體、甲基丙烯酸丁酯之混合比以得到表1所示之壓縮彈性率及壓縮變形回復率之外,與實施例3同樣地進行導電性粒子A6~A14的製作、導電性粒子A6~A14的評價、異向性導電薄膜的製作、IZO配線的實裝體A6~A14的製作、ITO配線的實裝體A6~A14的製作以及實裝體A6~A14的連接電阻測定。將結果示於表1及表2。
(比較例3)
除了將實施例6中鎳-鈀合金鍍覆中的氯化鎳以硫酸銅代替,對於最外殼施行銅-鈀合金鍍覆(最外層為銅-鈀合金層)以外,與實施例6同樣地進行導電性粒子A15的製作、導電性粒子A15的評價、異向性導電薄膜的製作、IZO配線的實裝體A15的製作、ITO配線的實裝體A15的製作以及實裝體A15的連接電阻測定。將結果示於表1及表2。
(比較例4)
除了將實施例6中鎳-鈀合金鍍覆中的氯化鎳以氰化金鉀代替,並對於最外殼施行金-鈀合金鍍覆(最外層為金-鈀合金層)以外,與實施例6同樣地進行導電性粒子A16的製作、導電性粒子A16的評價、異向性導電薄膜的製作、IZO配線的實裝體A16的製作、ITO配線的實裝體A16的製作以及實裝體A16的連接電阻測定。將結果示於表1及表2。
判定比較例1之金鍍覆粒子雖然對於ITO配線的初期電阻值低,對於ITO配線的信賴性試驗(85℃/85%/500小時)後的電阻值亦低,但對於IZO配線的初期電阻值高,對於IZO配線的信賴性試驗(85℃/85%/500小時)後的電阻值進一步上升。
在比較例1中,對於IZO配線的信賴性試驗(85℃/85%/500小時)後的電阻值高被認為係由於金鍍覆軟,無法鑽入IZO配線。
又,判定比較例2的鈀鍍覆粒子對於ITO配線的初期電阻值低,對於ITO配線的信賴性試驗(85℃/85%/500小時)後的電阻值亦低;雖然對於IZO配線的初期電阻值低,但對於IZO配線的信賴性試驗(85℃/85%/500小時)後的電阻值高。再者,用SEM觀察鈀鍍覆的龜裂狀態時,確認產生無數的鍍覆裂紋。
在比較例2中,對於IZO配線的信賴性試驗(85℃/85%/500小時)後的電阻值高被認為係由於鈀鍍覆硬而且脆,故而產生無數的鍍覆裂紋。
又,判定比較例3的銅-鈀鍍覆粒子雖然對於ITO配線的初期電阻值低,對於ITO配線的信賴性試驗(85℃/85%/500小時)後的電阻值亦低,但對於IZO配線的初期電阻值高,對於IZO配線的信賴性試驗(85℃/85%/500小時)後的電阻值進一步上升。
又,判定比較例4的金-鈀鍍覆粒子雖然對於ITO配線的初期電阻值低,對於ITO配線的信賴性試驗(85℃/85%/500小時)後的電阻值亦低,但對於IZO配線的初期電阻值高,對於IZO配線的信賴性試驗(85℃/85%/500小時)後的電阻值進一步上升。
相對於此,實施例1~3、5、6、8、10及12的鎳鈀鍍覆粒子對於ITO配線的初期電阻值、對於ITO配線的信賴性試驗(85℃/85%/500小時)後的電阻值,對於IZO配線的初期電阻值,以及對於IZO配線的信賴性試驗(85℃/85%/500小時)後的電阻值的任一者均顯示為低電阻值。
由以上判定藉由鈀合金鍍覆,可以兼具硬度及延展性,降低對於IZO配線之電阻值。
實施例4的壓縮彈性率低至70kgf/mm2 的導電性粒子,對於IZO配線的信賴性試驗(85℃/85%/500小時)後的電阻值,比實施例1~3、5、6、8、10及12的導電性粒子高。
實施例7的壓縮彈性率高達1,100kgf/mm2 的導電性粒子,對於IZO配線的初期電阻值比實施例1~3、5、6、8、10及12的導電性粒子高,信賴性試驗(85℃/85%/500小時)後的電阻值亦比其他實施例的導電性粒子高。
實施例9之壓縮變形回復率低至5%的導電性粒子對於IZO配線的信賴性試驗(85℃/85%/500小時)後的電阻值,比實施例1~3、5、6、8、10及12的導電性粒子高。
實施例11之壓縮變形回復率高達80%的導電性粒子對於IZO配線的信賴性試驗(85℃/85%/500小時)後的電阻值,亦比實施例1~3、5、6、8、10及12的導電性粒子高。
10‧‧‧導電性粒子
11‧‧‧導電層
11a‧‧‧鎳-鈀合金層
11b‧‧‧鎳層
12‧‧‧高分子微粒子
13‧‧‧突起
第一圖係本發明的導電性微粒子的剖面圖(之一)。
第二圖係本發明的導電性微粒子的剖面圖(之二)。
第三圖係本發明的導電性微粒子的剖面圖(之三)。
第四圖係本發明的導電性粒子(有突起)的SEM照片。
第五圖係IZO配線的剖面的TEM照片。
第六圖係ITO配線的剖面的TEM照片。
10...導電性粒子
11...導電層
12...高分子微粒子

Claims (15)

  1. 一種導電性粒子,其係具備高分子微粒子以及形成於該高分子微粒子表面之導電層的導電性粒子,該導電性粒子的特徵為該導電層的最外殼係鎳-鈀合金層,其中鎳-鈀合金層之厚度為3nm~150nm,其中於40%~70%壓縮變形時的壓縮彈性率為100kgf/mm2 ~1,000kgf/mm2 ;壓縮變形回復率為10%~70%。
  2. 如申請專利範圍第1項之導電性粒子,其中鎳-鈀合金層係藉由使鈀觸媒負載於高分子微粒子的表面,並使用促進劑而形成。
  3. 如申請專利範圍第1項之導電性粒子,其中導電層具有形成於高分子微粒子表面的鎳鍍覆層。
  4. 如申請專利範圍第1項之導電性粒子,其中導電層的厚度為50nm~150nm。
  5. 如申請專利範圍第1項之導電性粒子,其進一步具備以鎳、鈀、鈷及鉻的至少任一種作為核的突起。
  6. 如申請專利範圍第1項之導電性粒子,其係用於IZO(氧化銦鋅)基板的連接。
  7. 一種異向性導電薄膜,其特徵為其係具備如申請專利範圍第1項之導電性粒子及黏合劑的異向性導電薄膜,該黏合劑包含環氧樹脂及丙烯酸酯樹脂的至少任一種,且該樹脂為異向性導電薄膜的10質量%~80質量%。
  8. 如申請專利範圍第7項之異向性導電薄膜,其包含苯氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂及胺基甲酸酯樹脂的至 少任一種。
  9. 如申請專利範圍第8項之異向性導電薄膜,其包含藉由加熱而活性化的潛在性硬化劑。
  10. 如申請專利範圍第8項之異向性導電薄膜,其包含藉由加熱而產生游離自由基的潛在性硬化劑。
  11. 如申請專利範圍第7項之異向性導電薄膜,其中若硬化率為80%以上,則於4()℃以下之彈性率為0.5GPa以上,而且玻璃轉移點為50℃以上。
  12. 一種基板間或基板與面板間的電極接合之接合體,其特徵為:具備第1電路構件、與該第1電路構件相對的第2電路構件、配設在該第1電路構件與該第2電路構件間的如申請專利範圍第7項之異向性導電薄膜,該第1電路構件中的電極與該第2電路構件中的電極係經由導電性粒子連接。
  13. 如申請專利範圍第12項之接合體,其中該第1電路構件及第2電路構件的至少任一者為IZO(氧化銦鋅)基板。
  14. 一種基板間或基板與面板間的電極接合之連接方法,其特徵為其係使用如申請專利範圍第7項之異向性導電薄膜的連接方法,該連接方法包括在第1電路構件與第2電路構件之間配設該異向性導電薄膜的配設步驟,將該第1電路構件朝向該第2電路構件押壓的押壓步驟,以及將該第1電路構件中的電極與該第2電路構件中的電極經由導電性粒子連接的連接步驟。
  15. 如申請專利範圍第14項之連接方法,其中該第1電路構件及第2電路構件的至少任一者為IZO(氧化銦鋅)基板。
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