TWI488545B - Plasma processing device and plasma processing method and memory medium - Google Patents

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Description

電漿處理裝置及電漿處理方法及記憶媒體
本發明是有關藉由高頻電力來使處理氣體電漿化，藉由該電漿來對被處理體實施蝕刻等的處理之電漿處理裝置、電漿處理方法及記憶媒體。
在半導體裝置或液晶顯示裝置等的平面面板的製造工程中，對半導體晶圓或玻璃基板等的被處理基板實施蝕刻處理或成膜處理等的製程處理之電漿蝕刻裝置或電漿CVD成膜裝置等的電漿處理裝置會被使用。
雷漿處理裝置例如使用平行平板型的雷容耦合電漿處理裝置。圖8(a)是表示該電漿處理裝置的模式圖，在該處理容器內設有上部電極11、及載置被處理基板10的下部電極12。例如就所謂下部2頻型態的裝置而言，在下部電極12連接雷漿形成用(來源用)的高頻雷源13及偏壓用的高頻電源14。
該偏壓用的高頻電源14除了引入電漿中的離子來確保蝕刻的異方性以外還具有異常放電防止的任務。亦即在大型基板的電漿處理中，單獨電漿形成用的高頻電源13會依處理條件而造成電漿P的狀態不安定，離子鞘層的面內均一性變差，而有發弧(異常放雷)之虞。於是在下部電極12除了電漿形成用的高頻以外還重疊施加來自偏壓用的高頻電源14的高頻，提高被處理基板10上的離子鞘層的面內均一性，迴避上述異常放電的發生。圖中h1為形成有上述離子鞘層的區域。
可是例如在上述的電漿處理裝置1進行蝕刻處理時，有時在蝕刻的終點附近會出現具有與在那之前相異性質的膜。具體而言，例如若絕緣膜亦即上層的膜的蝕刻進展，底層的金屬膜露出而被蝕刻，則構成電漿P的成分會變化，會有電漿阻抗大幅度變化的情況。一旦如此電漿阻抗大幅度變化，則匹配電路的匹配將無法取得，在高頻電源14側產生過大的反射波。
在此，專利文獻1是顯示有關可根據如此發生的反射波來使電漿處理停止的平行平板型電漿處理裝置。雖未詳細記載，但可想像一旦在此電漿處理裝置中藉由監視手段20來檢測出異常，則異常檢出信號會被傳送至控制器，接著從該控制器傳送停止信號至各高頻電源，各高頻電源會根據此指令來使內部的停止部動作而使停止。另一方面，為了瞬間對應，而檢討了使各高頻電源持有檢出機能，在檢出時瞬間使本身電源的振盪動作停止，此情況如果使本身電源的振盪動作停止的話，則可想像會像專利文獻1那樣將一個電源的異常信號傳送至裝置控制器，由此裝置控制器傳送信號至其他的高頻電源，使該高頻電源的振盪停止，但如此的構成會有以下的問題。
如上述般若在偏壓施加用的高頻電源14側產生過大的反射波，該高頻電源14的振盪停止，然後來自高頻電源14的異常信號被傳送至上述裝置控制器，從裝置控制器傳送信號至高頻電源13，使高頻電源13的振盪停止，則從高頻電源14的振盪停止到高頻電源13的振盪停止為止，即使最短也需花100毫秒。而且，其間如上述般電漿P的狀態不安定，如圖8(b)中h2所示，被處理基板10的表面上形成離子鞘層的區域變窄，產生往被處理基板10的異常放電，電流會流至被處理基板10，而使被處理基板10有損傷之虞。
另外，在專利文獻2中是記載有關根據被反射至高頻電源的反射波的電力值來使高頻電源的振盪停止之電路，但無法解決本發明的問題。
[專利文獻1]特開2003-264180號公報：請求項6及段落0026
[專利文獻2]WO 2003-037047號公報
本發明是有鑑於上述情事而研發者，其目的是在於提供一種使用複數的高頻電源來對被處理體進行雷漿處理時，在至少一個的高頻電源發生過大的反射波時，停止該高頻電源的輸出，且使其他高頻電源的輸出瞬間停止，藉此可抑止電漿的異常造成被處理體的損傷之電漿處理裝置、電漿處理方法及實施該方法的記憶媒體。
本發明的電漿處理裝置，係具備參與電漿的複數個高頻電源，藉由電漿來對處理容器內的被處理體進行處理之電漿處理裝置，
其特徵為：
上述複數的高頻電源係分別具備：振盪高頻的振盪器、及供以與外部通信的通信部、及藉由該通信部來接受停止信號時停止振盪器的輸出之輸出停止部，
上述複數的高頻電源之中的至少一個的高頻電源的輸出停止部，係藉由在檢測出從該高頻電源的振盪器輸出的高頻異常時停止該振盪器的輸出且輸出停止信號至上述通信部之監視部所構成，
上述至少一個的高頻電源的通信部與其他的高頻雷源的通信部，係將來自上述監視部的停止信號直接傳送至其他的高頻雷源。
例如，藉由上述至少一個的高頻雷源的監視部所檢測出的高頻異常為反射波的異常。又，上述至少一個的高頻雷源的通信部與其他高頻雷源的通信部係藉由用以直接傳送上述停止信號的通信路來互相連接。
在上述處理容器內載置基板的下部電極與上部電極係對向設置，
包含：
連接至上述下部雷極及上部電極的其中一方的雷漿發生用的高頻電源；及
連接至上述下部電極，頻率比上述電漿發生用的高頻電源更低的偏壓施加用的高頻電源，
又，上述至少一個的高頻電源為上述偏壓施加用的高頻電源，上述其他的高頻電源係包含上述電漿發生用的高頻電源，
可從偏壓施加用的高頻電源的通信部直接傳送停止信號至電漿發生用的高頻電源的通信部。
此情況，例如，藉由上述輸出停止部來停止偏壓施加用的高頻電源的振盪器及電漿發生用的高頻電源的振盪器的輸出之後，依照偏壓施加用的高頻電源的振盪器、電漿發生用的高頻雷源的振盪器之順序，自動地恢復其輸出。
上述雷漿發生用的高頻電源的輸出停止部，可藉由檢測出從該高頻雷源的振盪器輸出的高頻異常時停止該振盪器的輸出之監視部所構成，且此情況，藉由上述電漿發生用的高頻電源的監視部所檢測出的高頻異常為反射波的異常。又，依據上述高頻的異常而停止電漿發生用的高頻電源的振盪器的輸出時，設有傳送停止信號至偏壓側的高頻電源的通信部之裝置控制器。
上述其他高頻電源的輸出停止部，可藉由在檢測出從該高頻電源的振盪器輸出的高頻異常時停止該振盪器的輸出之監視部所構成。藉由上述其他高頻電源的監視部所檢測出的高頻異常為反射波的異常。並且，例如上述振盪器的輸出停止為停止振盪器。
本發明的雷漿處理方法，係使用參與電漿的複數個高頻電源，藉由電漿來對處理容器內的被處理體進行處理之電漿處理方法，
其特徵為：
藉由設於上述複數的高頻電源之中的至少一個的高頻電源的監視部來檢測出從該高頻電源的振盪器輸出的高頻異常時藉由上述監視部來停止該振盪器的輸出且輸出其他高頻電源用的停止信號至該高頻電源所含的通信部之工程；
將上述停止信號從上述一個高頻電源的通信部直接傳送至其他高頻電源的通信部之工程；及
上述其他高頻電源的通信部接受上述停止信號時，藉由設於該高頻電源的輸出停止部來停止該高頻電源的振盪器的輸出之工程。
本發明的記憶媒體，其係使用於對基板進行電漿處理的雷漿處理裝置，儲存動作於電腦上的雷腦程式之記憶媒體，其特徵為：
上述電腦程式係編有步驟群，而使能夠實施上述電漿處理方法。
在使用參與電漿的複數個高頻電源來對被處理體進行電漿處理時，至少一個的高頻雷源檢測出從該高頻電源的振盪器輸出的高頻異常時，停止該振盪器的輸出，且將該異常信號(停止信號)從該高頻雷源直接傳送至其他的高頻電源，而使其他高頻電源的振盪器的輸出能夠停止，因此可從發生上述高頻的異常起瞬間停止其他高頻電源的高頻輸出。所以可抑止電漿的不安定狀態持續所造成異常放電的發生等，因此可防止或降低被處理體的損傷。
一邊參照圖1一邊說明有關將本發明的電漿處理裝置適用於蝕刻液晶顯示器用的玻璃基板B的裝置之實施形態。此電漿蝕刻裝置2是具備例如表面被陽極氧化處理的鋁所構成的角筒形狀的處理容器20。在該處理容器20的中央下部設有下部雷極41，下部電極41是兼作為載置基板B的載置台，該基板B是藉由未圖示的搬送手段來搬送至處理容器20內。在該下部電極41的下部設有絕緣體42，藉由此絕緣體42來使下部電極41形成充分電性隔離處理容器20的狀態。圖中43是下部電極41的支持部。並且，在處理容器20的下部設有開口部44，在此開口部44的外側設有接地框體的匹配箱45。
在匹配箱45中分別設有一端側連接至電漿形成用(來源用)的高頻電源6A及偏壓施加用的高頻電源6B之整合電路46、47，該等整合電路46、47的另一端側是被連接至下部電極41。圖中48A、48B為同軸電纜。整合電路46、47是配合電漿的阻抗來調整下部電極41與高頻電源6A、6B之間的阻抗。
並且，在處理容器20的側壁連接排氣路32，在此排氣路32連接成為真空排氣手段的真空泵33。而且，在處理容器20的側壁設有用以開閉被處理基板B的搬送口34之閘閥35。
在下部雷極41的上方，以能夠和該下部電極41呈對向的方式，設有兼作為氣體供給部的氣體淋浴頭的上部電極51。並且，上部電極51是經由沿著設置於處理容器20上側的開口部36的開口緣而設置的絕緣體52來連接至處理容器20的頂部，藉由此絕緣體52來使上部電極51形成充分電性隔離處理容器20的狀態。
上部電極51是經由氣體供給路53來連接至處理氣體供給部54，且從氣體供給路53供給的處理氣體可由多數的氣體孔55來供給至該處理空間S。圖中57是導電路。
來源用的高頻電源6A是用以對處理氣體供給高頻雷力來使處理氣體電漿化(活性化)者，如圖2所示，具備：例如輸出13.56MHz的高頻的振盪器61A、反射波監視部的電弧檢測電路部65A、及通信板62A。又、偏壓用的高頻電源部6B是用以對基板B施加偏壓者，具備：例如輸出3.2MHz的高頻的振盪器61B、電弧檢測電路部65B、及通信板62B。各通信板62A、62B的第1埠63A、63B是藉由控制器通信用的通信路之電纜66A、66B來分別連接至控制板71，控制板71是藉由電纜73來連接至裝置控制器72。又，高頻雷源6A的第2埠64A是藉由專用的通信路之電纜67來連接至高頻電源6B的通信板62B的第2埠64B。
在此，詳述有關高頻電源6A、6B的各部及高頻電源6A、6B及裝置控制器72間的通信機能。高頻電源6A的電弧檢測電路部65A是具有檢測出自振盪器61A輸出的高頻(行波)的電力值及反射至振盪器61A的反射波的電力(反射電力)值，判斷所被檢測出的反射電力值是否超越了預定的容許值之機能。來自高頻雷源6A之高頻的輸出是例如為10kW，此情況反射波的容許值是例如為200W。然後當判斷超越該容許值時，電弧檢測電路部65A會使振盪器61A的輸出停止。
此外，高頻電源6B的電弧檢測電路部65B亦具有檢測出自振盪器61B輸出的行波的電力值及反射至振盪器61B的反射電力值，判斷所被檢測出的反射電力值是否超越預定的容許值之機能。來自高頻電源6B之高頻的輸出是例如為5kW，此情況反射波的容許值是例如為200W。然後當判斷超越該容許值時，電弧檢測電路部65B會使振盪器61B的輸出停止，且對通信用板62B的第2埠64B輸出異常信號。
高頻電源6A的通信板62A是具有使有關來自振盪器61A的反射電力的信號，例如包含反射雷力值的信號從第1埠63A經由電纜66A、控制板71及電纜73來傳送至裝置控制器72，且使從裝置控制器72經由控制板71來傳送的停止指令輸出至振盪器61A之任務。
另一方面，高頻電源6B的通信板62B是具有使有關來自振盪器61B的反射雷力的信號，例如包含反射電力值的信號從第1埠63B經由雷纜66B、控制板71及雷纜73來傳送至裝置控制器72，且使從裝置控制器72經由控制板71來傳送的停止指令輸出至振盪器61B之任務。又，通信板62B具有使電弧檢測電路部65B所判斷反射至振盪器61B的反射波異常而輸出的異常信號從第2埠64B經由專用的電纜67來直接傳送至高頻電源6A的通信板62A的第2埠64A之機能。
裝置控制器72會收集有關來自各高頻電源6A、6B的反射電力的資料，當一方的反射電力值超過容許值時，對各高頻電源6A、6B輸出停止指令。
並且，在該電漿蝕刻裝置2設有例如由電腦所構成的控制部20A。此控制部20A是具備程式、記憶體、CPU所構成的資料處理部等，在上述程式中編入有命令，而使能夠由控制部20A傳送控制信號至蝕刻裝置2的各部，在使後述的各步驟進行之下對基板B實施電漿處理。又，例如在記憶體中具備被寫入處理壓力、處理時間、氣體流量、電力值等的處理參數的值之區域，在CPU執行程式的各命令時讀出該等的處理參數，對應於該參數值的控制信號會被傳送至該電漿蝕刻裝置2的各部位。此程式(亦包含有關處理參數的輸入操作或顯示的程式)是被儲存於電腦記憶媒體例如軟碟、光碟、MO(光磁碟)等的記憶部20B，然後安裝於控制部20A。
接著，一邊參照圖4及圖5一邊說明有關此電漿蝕刻裝置2的作用。圖3及圖4是表示蝕刻裝置2的各部之信號的流向，且圖5是蝕刻的終點附近之高頻電源6A、6B的輸出波形資料。圖5中鎖線是表示偏壓施加用的高頻電源6B的輸出，實線是表示電漿形成用的高頻電源6A的輸出。
首先，操作員會從未圖示的輸入畫面來輸入氣體種類、處理容器20內的壓力、高頻電源6A、6B的電力等之處理條件。然後，開啟閘閥25，將例如表面形成絕緣膜，其下層形成金屬膜的基板B搬入處理容器20，藉由來自未圖示的外部的搬送臂與昇降銷的協力作用，載置於下部電極41。接著關閉閘閥，一邊從兼作為上部電極51的氣體供給部供給處理氣體至處理容器20內，一邊對處理容器20內抽真空，形成設定的壓力。
然後，從裝置控制器72經由控制板71來對通信板62A的第1埠63A、通信板62B的第1埠63B傳送投入指令。依照此投入指令，各振盪器61A、61B會動作而輸出高頻。
自振盪器61A、61B輸出的各高頻是以同軸電纜48A、48B→整合電路46、47→下部電極41→上部電極51→導電路57→處理容器20的壁部→匹配箱45的路徑來流動。因此，處理氣體會藉由來自振盪器61A的高頻而被電漿化，在處理空間S形成電漿P，且藉由振盪器61B的高頻來對基板B施加偏壓，電漿中的離子會藉由此偏壓而被引入基板B側，基板B表面的絕緣膜會持異方性來被蝕刻(圖3(a))。又，如[先前技術]中所述，此偏壓亦具有使基板B表面的鞘層在面內均一化的作用。
然後，對應於反射至振盪器61A、61B的反射波的電力值及從振盪器61A、61B輸出的高頻的電力值之信號會從振盪器61A、61B經由通信板62A、62B的各第1埠63A、63B及控制板71來傳送至裝置控制器72，裝置控制器72會監視反射電力值及高頻電力值。並且，電弧檢測電路部65A、65B會分別判斷上述反射電力是否超越容許值例如200W。
一旦進行基板B的絕緣膜的蝕刻，在基板B的表面露出絕緣膜的下層的金屬膜，該金屬膜開始被蝕刻，則電漿P的阻抗會變化。一旦產生此阻抗的變化，則會形成瞬間的不整合狀態，在振盪器61A、61B瞬間地發生大的反射波。然後，當偏壓側的高頻電源6B的電弧檢測電路部65B判斷反射至振盪器61B的反射波的電力值超越200W時，該雷弧檢測電路部65B會停止振盪器61B的輸出(圖5中時刻t1)且將異常信號輸出至通信板62B的第2埠64B。此異常信號，亦即高頻電源6A的停止用的停止信號會從通信板62B直接傳送至來源用的高頻電源6A的通信板62A，輸入至雷弧檢測電路部65A(圖3(b))。接受此停止信號的電弧檢測電路部65A會使振盪器61A的輸出停止(圖5中時刻t2)。t1 t2間是例如為數μ秒。藉由高頻電源6B的振盪器61B停止，如圖3(b)所示，離子鞘層的形成區域變窄，但緊接著(可以說是大致同時)電漿P的生成停止。
根據來自各雷弧檢測電路部的停止信號來停止輸出的振盪器61A、61B是在預定的休止期間經過後，自動地以所定的上升時間來恢復至原來的輸出。此休止時間，基於充分抑止反射波的影響之目的，在偏壓用的高頻電源6B是時刻t1 t3間為300ms～500ms，例如400ms，在來源用的高頻電源6A是時刻t2t4間為400ms～600ms，例如500ms。
高頻電源6B的振盪器61B是時刻t5形成與成為關閉的時刻t1以前相同的輸出，時刻t5以後是其輸出會被維持於一定。又，高頻電源6A的振盪器61A是在時刻t5之後的時刻t6形成與成為關閉的時刻t2相同的輸出，電漿P會再度被形成(圖4(c))，在基板B進行電漿處理。時刻t6以後是高頻電源61A的輸出被維持於一定。若將如此各高頻電源6A、6B的輸出恢復的期間設為再開始期間，則有關高頻電源6B的再開始期間之時刻t3 t5間是0.1秒～2.0秒例如0.7秒，有關高頻電源6A的再開始期間之時刻t4 t6間是0.1秒～2.0秒例如0.7秒。
若根據上述的電漿蝕刻裝置2，則在利用參與電漿的高頻電源之來源用的高頻電源6A及偏壓用的高頻電源6B來對基板B進行電漿蝕刻處理時，當發生反射至高頻電源6B的振盪器61B之反射波的異常時，藉由內藏的電弧檢測電路部65B來使該高頻電源6B的振盪器61B停止，且從高頻電源6B直接傳送停止信號至來源用的高頻電源6A，而使高頻電源6A的電弧檢測電路部65A能夠停止振盪器61A，所以因反射波的異常而高頻電源6B的振盪器61B停止之後，可瞬間地例如以μs單位來停止來自高頻電源6A的高頻輸出。因此，可抑止電漿之不安定的狀態持續所造成異常放電的發生等，可防止或降低基板B的損傷。例如可防止像前述那樣在被蝕刻膜的終點附近底層的膜露出之下，電漿的狀態改變，不能取得匹配，而於偏壓用的高頻消失的狀態下處理基板B，所以該手法極為有效。
實際使用上述的電漿蝕刻裝置2來測定圖5的時刻t1、t2間的時間時約1.7μs(百方分之一秒)。如[先前技術]中所述，以往的裝置構成是100ms(毫秒)以上，因此本發明的效果顯著。此外，在偏壓施加用的高頻電源6B中從容許值以上的反射電力被檢測出到該高頻雷源6B的振盪器61B關閉為止的時間是80ns。
另外，當來源側的雷弧檢測電路部65A檢測出超越容許值的反射波時，雷弧檢測電路部65A會使振盪器61A的輸出停止，且將對應於在振盪器61A發生超越容許值的反射波及藉由該雷弧檢測電路部65A來停止振盪器61A的情況之信號傳送至裝置控制器72。接受該信號的裝置控制器72是經由通信板62B來傳送停止信號至電弧檢測電路部65B，電弧檢測電路部65B會使偏壓側的振盪器61B停止。振盪器61A的輸出停止之後如此從裝置控制器72到停止信號到達電弧檢測電路部65B為止所要的時間是例如為100ms程度。
圖6是表示使高頻電源6A在蝕刻開始時最初升起形成所定的輸出時及如上述般使再開始時的輸出的波形之一例及那時發生的反射波的波形之一例，電弧檢測電路部65A的容許值是設定成200W。使高頻電源6A的振盪器61A的輸出在蝕刻開始時形成所定的輸出時(圖中S1～S2的期間)是以比再開始期間(圖中S4～S5間的期間)更快的時間使電力升起至所定的值。如此一來，相較於再開始期間，反射波容易發生，因此例如在S1～S2的期間，較理想是設定成即使反射電力超越容許值，電弧檢測電路部65A也不會停止振盪器61A的輸出。有關高頻電源61B的電弧檢測電路部63B也是同様地，在蝕刻開始時使該高頻電源61B最初升起時，較理想設定成即使反射電力超過容許值也不會使振盪器61B的輸出停止。
圖7是表示其他雷漿蝕刻裝置的構成，此電漿蝕刻裝置9是具備與高頻雷源6A同様構的高頻電源6C。高頻電源6C的同軸雷纜48C是經由組合器箱91來連接至電源6A的同軸電纜48A，高頻電源6A及6C會構成為來源用的高頻電源。若連接至偏壓用的高頻電源6B的電弧檢測電路部63B檢測出超越其容許值的反射電力，則電弧檢測電路部63B會使振盪器61B的輸出停止，且經由高頻電源6A、6C的各個通信板62A、62C來傳送信號至電弧檢測電路部65A及65C，該等電弧檢測電路部65A及65C會使振盪器61A、61C的輸出停止。亦可如此形成從一個高頻電源的電弧檢測電路部直接傳送信號至複數的其他高頻電源的電弧檢測電路部，停止連接至各電弧檢測電路部的高頻電源之類的構成。
上述的各實施形態是顯示有關從偏壓用的高頻電源6B的通信板62B傳送信號至來源用的高頻電源6A的通信板62A之例，但並非限於如此從來源側傳送停止信號至偏壓側。例如當高頻電源5A的電弧檢測電路65A在振盪器61A檢測出過大的反射波時，亦可從來源用的高頻電源6A的通信板62A直接傳送停止信號至偏壓用的高頻電源6B的通信板62B，使雷弧檢測電路部65B能夠停止振盪器61B。又，停止信號的傳送並非如此限於一方向，亦可在通信板62A、62B間雙方向傳送停止信號。
又，上述實施形態是偏壓側的高頻電源的電弧檢測電路會根據反射波的異常來輸出停止信號，但在檢測出行波的異常時亦可同様地輸出停止信號。又，亦可在通信板62B及通信板62A間藉由無線來傳收停止信號，取代使用專用的電纜67。
2．．．電漿蝕刻裝置
20．．．處理容器
41．．．上部電極
51．．．下部電極
6A．．．來源用高頻電源
6B．．．偏壓用高頻電源
61A、61B．．．振盪器
62A、62B．．．通信板
65A、65B．．．電弧檢測電路部
72．．．裝置控制器
圖1是表示本發明的實施形態的電漿蝕刻裝置的縱斷側面圖。
圖2是表示上述電漿蝕刻裝置的高頻電源的構成圖。
圖3是表示上述電漿蝕刻裝置的信號流向的說明圖。
圖4是表示上述電漿蝕刻裝置的信號流向的說明圖。
圖5是表示蝕刻停止時的各高頻電源的輸出的波形圖。
圖6是表示蝕刻開始時及再開時的高頻電源的輸出及反射波的波形的說明圖。
圖7是表示電漿蝕刻裝置的高頻電源的其他構成的構成圖。
圖8是表示異常的電漿發生的狀態說明圖。
2．．．電漿蝕刻裝置
20．．．處理容器
45．．．匹配箱
48A、48B．．．同軸電纜
6A．．．來源用高頻電源
6B．．．偏壓用高頻電源
61A、61B．．．振盪器
62A、62B．．．通信板
64．．．高頻電源6A的第2埠
63A、63B．．．第1埠
64B．．．通信板62B的第2埠
65A、65B．．．電弧檢測電路部
66A、66B．．．電纜
67、73．．．電纜
71．．．控制板
72．．．裝置控制器
67、73．．．電纜

Claims (12)

  1. 一種電漿處理裝置，係具備參與電漿的複數個高頻電源，藉由電漿來對處理容器內的被處理體進行處理之電漿處理裝置，其特徵為：上述複數的高頻電源係分別具備：振盪高頻的振盪器、及供以與外部通信的通信部、及藉由該通信部來接受停止信號時停止振盪器的輸出之輸出停止部，上述複數的高頻電源之中的至少一個的高頻電源的輸出停止部，係藉由在檢測出從該高頻電源的振盪器輸出的高頻異常時停止該振盪器的輸出且輸出停止信號至上述通信部之監視部所構成，上述至少一個的高頻電源的通信部與其他的高頻電源的通信部，係將來自上述監視部的停止信號直接傳送至其他的高頻電源，上述至少一個的高頻電源的通信部與其他高頻電源的通信部係藉由用以直接傳送上述停止信號的通信路來互相連接。
  2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，藉由上述至少一個的高頻電源的監視部所檢測出的高頻異常為反射波的異常。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其 中，在上述處理容器內載置基板的下部電極與上部電極係對向設置，包含：連接至上述下部電極及上部電極的其中一方的電漿發生用的高頻電源；及連接至上述下部電極，頻率比上述電漿發生用的高頻電源更低的偏壓施加用的高頻電源，又，上述至少一個的高頻電源為上述偏壓施加用的高頻電源，上述其他的高頻電源係包含上述電漿發生用的高頻電源，從偏壓施加用的高頻電源的通信部直接傳送停止信號至電漿發生用的高頻電源的通信部。
  4. 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置，其中，藉由上述輸出停止部來停止偏壓施加用的高頻電源的振盪器及電漿發生用的高頻電源的振盪器的輸出之後，依照偏壓施加用的高頻電源的振盪器、電漿發生用的高頻電源的振盪器之順序，自動地恢復其輸出。
  5. 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置，其中，上述電漿發生用的高頻電源的輸出停止部，係藉由檢測出從該高頻電源的振盪器輸出的高頻異常時停止該振盪器的輸出之監視部所構成。
  6. 如申請專利範圍第5項之電漿處理裝置，其中，藉由上述電漿發生用的高頻電源的監視部所檢測出的高頻異常為反射波的異常。
  7. 如申請專利範圍第5項之電漿處理裝置，其中，依據上述高頻的異常而停止電漿發生用的高頻電源的振盪器的輸出時，設有傳送停止信號至偏壓側的高頻電源的通信部之裝置控制器。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中，上述其他高頻電源的輸出停止部，係藉由在檢測出從該高頻電源的振盪器輸出的高頻異常時停止該振盪器的輸出之監視部所構成。
  9. 如申請專利範圍第8之電漿處理裝置，其中，藉由上述其他高頻電源的監視部所檢測出的高頻異常為反射波的異常。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中，上述振盪器的輸出停止為停止振盪器。
  11. 一種電漿處理方法，係使用參與電漿的複數個高頻電源，藉由電漿來對處理容器內的被處理體進行處理之電漿處理方法，其特徵為：藉由設於上述複數的高頻電源之中的至少一個的高頻電源的監視部來檢測出從該高頻電源的振盪器輸出的高頻異常時藉由上述監視部來停止該振盪器的輸出且輸出其他高頻電源用的停止信號至該高頻電源所含的通信部之工程；將上述停止信號從上述一個高頻電源的通信部直接傳送至其他高頻電源的通信部之工程；及 上述其他高頻電源的通信部接受上述停止信號時，藉由設於該高頻電源的輸出停止部來停止該高頻電源的振盪器的輸出之工程，上述至少一個的高頻電源的通信部與其他高頻電源的通信部係藉由用以直接傳送上述停止信號的通信路來互相連接。
  12. 一種記憶媒體，其係使用於對基板進行電漿處理的電漿處理裝置，儲存動作於電腦上的電腦程式之記憶媒體，其特徵為：上述電腦程式係編有步驟群，而使能夠實施如申請專利範圍第11項所記載的電漿處理方法。
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