TWI488349B - 複合阻障層結構及包括此結構之封裝結構 - Google Patents
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Description
本揭露係有關於一種複合阻障層結構，特別是有關於一種複合阻障層之封裝結構。
近幾年來，氣體阻障層(gas barrier layer)吸引了不同領域的注意，且應用的範圍相當地廣泛，從食品、醫療、汽車、航太及電子等產業都需要用到此類材料，而像食品儲存與包裝、防水布料、手錶工業、電子元件封裝、光電產業、防水性電子產品等，也都必需具備有阻濕、阻氣或疏水性材料的特性。而在光電領域中，其元件外層也上了一層阻濕、阻氣膜，以避免長期處在外在環境造成老化的問題。
OLED具有自發光、輕、薄、省電等優勢，相較於傳統的螢光燈管的管狀發光與LED的點狀發光，OLED具有整面發光的功能，未來可替代螢光燈管的使用；除此之外，OLED發光材料為可撓曲的有機材料，又具有高對比度、反應速度快及廣視角等優點，將OLED元件作在塑膠基板上，再搭配有機薄膜電晶體做驅動，可製作為可撓式OLED面板顯示器，是取代目前硬式顯示器的最佳選項。但，OLED元件在製作過程中，最令人關注的是元件壽命問題。造成OLED元件崩壞的最主要原因是大氣中的水氣、氧氣的滲透，因此，大氣中的水氣及氧氣對OLED的影響甚鉅。
一般來說，OLED軟性面板顯示器發光元件中的高分
子有機發光層及高活性電極材料如鈣(Ca)、鎂(Mg)等對水氧敏感度極高，因此，當大氣中的水/氧由塑膠基板滲透時，會導致元件輝度降低、驅動電壓上升、暗點(dark spots)及短路發生。
因此，封裝技術優劣在OLED技術中是極為重要的一環。
本揭露之一實施例，提供一種複合阻障層結構，包括：一基板；以及一第一複合阻障層，形成於該基板上，其中該第一複合阻障層包括一第一類有機層與一第二類有機層，該第二類有機層形成於該第一類有機層上，且該第一類有機層與該第二類有機層由矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵所構成，其中該第一類有機層之該矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與該矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵之比值為小於或等於1，該第二類有機層之該矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與該矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵之比值為大於1。
本揭露之一實施例，提供一種封裝結構，包括：一基板；一第一複合阻障層，形成於該基板上，其中該第一複合阻障層包括一第一類有機層與一第二類有機層，該第二類有機層形成於該第一類有機層上，且該第一類有機層與該第二類有機層由矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵所構成，其中該第一類有機層之該矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與該矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵之比值為小於或等於1，該第二類有機層之該矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與該矽-
甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵之比值為大於1；一第二複合阻障層，形成於該第一複合阻障層上，其中該第二複合阻障層包括一第三類有機層與一第四類有機層，該第四類有機層形成於該第三類有機層上，且該第三類有機層與該第四類有機層由矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵所構成，其中該第三類有機層之該矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與該矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵之比值為小於或等於1，該第四類有機層之該矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與該矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵之比值為大於1；以及一電子元件，設置於該第一複合阻障層與該基板之間或設置於該第一複合阻障層與該第二複合阻障層之間。
本揭露提供一種應用於撓曲的複合阻氣膜應力調控結構，透過製程條件變化鍍製高氧類有機薄膜(例如其矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵的比值大於1)與類有機薄膜(例如其矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵的比值小於或等於1)的阻氣膜，將複合阻氣膜中的類有機薄膜當作一介面緩衝層，以降低複合阻氣膜的內應力(避免產生裂縫)並提升其與基板間的附著度。當複合阻氣膜進行多層堆疊時，新堆疊的複合阻氣膜的類有機薄膜厚度須較前一複合阻氣膜的類有機薄膜厚度增加(例如厚度比值大於1且小於或等於5)，藉由調變類有機薄膜厚度可改善薄膜封裝結構應力，彌補薄膜本質缺陷，利用缺陷錯位原理以有效降低水氣滲透。此外，複合阻氣膜可於同一腔體(例如PECVD)中連續鍍製形成封裝結構，免去一般製程須
傳片與傳片時的微粒汙染，可達省時、提高良率及降低成本的目的。此外，本揭露整體封裝結構的可見光穿透率可達95%，具有極高光穿透率。
為讓本揭露之上述目的、特徵及優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，作詳細說明如下：
請參閱第1圖，根據本揭露之一實施例，說明一種複合阻障層結構。複合阻障層結構10包括一基板12與一第一複合阻障層14。第一複合阻障層14形成於基板12上。第一複合阻障層14包括一第一類有機層16與一第二類有機層18。第二類有機層18形成於第一類有機層16上，且第一類有機層16與第二類有機層18由矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵所構成。值得注意的是，第一類有機層16的矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵的比值為小於或等於1，而第二類有機層18的矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵的比值為大於1。
基板12可由聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚醚碸(polyethersulfone,PES)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚亞醯胺(polyimide,PI)或聚碳酸酯(polycarbonate,PC)所構成。
請參閱第2圖，複合阻障層結構10更包括一第二複合阻障層20，形成於第一複合阻障層14上。第二複合阻障層20包括一第三類有機層22與一第四類有機層24。第四
類有機層24形成於第三類有機層22上，且第三類有機層22與第四類有機層24由矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵所構成。值得注意的是，第三類有機層22的矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵的比值為小於或等於1，而第四類有機層24的矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵的比值為大於1。
值得注意的是，第三類有機層22的厚度與第一類有機層16的厚度的比值為大於1且小於或等於5。
請參閱第3圖，複合阻障層結構10更包括一第三複合阻障層26，形成於第二複合阻障層20上。第三複合阻障層26包括一第五類有機層28與一第六類有機層30。第六類有機層30形成於第五類有機層28上，且第五類有機層28與第六類有機層30由矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵所構成。值得注意的是，第五類有機層28的矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵的比值為小於或等於1，而第六類有機層30的矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵的比值為大於1。
值得注意的是，第五類有機層28的厚度與第三類有機層22的厚度的比值為大於1且小於或等於5。
請參閱第4圖，根據本揭露之一實施例，說明一種封裝結構。封裝結構100包括一基板120、一第一複合阻障層140、一第二複合阻障層200以及一電子元件260。第一複合阻障層140形成於基板120上。第一複合阻障層140包括一第一類有機層160與一第二類有機層180。第二類
有機層180形成於第一類有機層160上，且第一類有機層160與第二類有機層180由矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵所構成。值得注意的是，第一類有機層160的矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵的比值為小於或等於1，而第二類有機層180的矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵的比值為大於1。第二複合阻障層200形成於第一複合阻障層140上。第二複合阻障層200包括一第三類有機層220與一第四類有機層240。第四類有機層240形成於第三類有機層220上，且第三類有機層220與第四類有機層240由矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵所構成。值得注意的是，第三類有機層220的矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵的比值為小於或等於1，而第四類有機層240的矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵的比值為大於1。在此實施例中，電子元件260設置於第一複合阻障層140與基板120之間。
基板120可由聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚醚碸(polyethersulfone,PES)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚亞醯胺(polyimide,PI)或聚碳酸酯(polycarbonate,PC)所構成。
值得注意的是，第三類有機層220的厚度與第一類有機層160的厚度的比值為大於1且小於或等於5。
電子元件260可包括有機發光(OLED)軟性顯示器、薄膜電池、薄膜太陽能元件或其他需封裝的電子產品。
請參閱第5圖，根據本揭露之一實施例，說明一種封
裝結構。封裝結構100’包括一基板120’、一第一複合阻障層140’、一第二複合阻障層200’以及一電子元件260’。第一複合阻障層140’形成於基板120’上。第一複合阻障層140’包括一第一類有機層160’與一第二類有機層180’。第二類有機層180’形成於第一類有機層160’上，且第一類有機層160’與第二類有機層180’由矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵所構成。值得注意的是，第一類有機層160’的矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵的比值為小於或等於1，而第二類有機層180’的矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵的比值為大於1。第二複合阻障層200’形成於第一複合阻障層140’上。第二複合阻障層200’包括一第三類有機層220’與一第四類有機層240’。第四類有機層240’形成於第三類有機層220’上，且第三類有機層220’與第四類有機層240’由矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵所構成。值得注意的是，第三類有機層220’的矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵的比值為小於或等於1，而第四類有機層240’的矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵的比值為大於1。在此實施例中，電子元件260’設置於第一複合阻障層140’與第二複合阻障層200’之間。
基板120’可由聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚醚碸(polyethersulfone,PES)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚亞醯胺(polyimide,PI)或聚碳酸酯(polycarbonate,PC)所構成。
值得注意的是，第三類有機層220’的厚度與第一類有機層160’的厚度的比值為大於1且小於或等於5。
電子元件260’可包括有機發光(OLED)顯示器、薄膜電池、薄膜太陽能元件或其他需封裝的電子產品。
在此實施例中，第一複合阻障層(下複合阻障層)140’可阻絕由基板120’下方滲入的空氣/水氣，而第二複合阻障層(上複合阻障層)200’用來防止上方滲入的水氣。因此，第一複合阻障層(下複合阻障層)140’與第二複合阻障層(上複合阻障層)200’所形成的阻障層可同時防止水氣由上下滲透至電子元件260’。
以下說明本揭露複合阻障層的製備方法，請參閱第1圖，首先，加熱前驅物六甲基矽氧烷(hexamethyldisiloxane，C6
H18
Si2
O，HMDSO)。接著，通入氬氣(Ar)，將揮發的HMDSO蒸氣帶入電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)腔體中，於低電漿功率下(400瓦)，在基板12上沉積第一複合阻障層14中的第一類有機層16。沉積第一類有機層16時，於低電漿功率反應生成的材料會含有大量未解離的矽-甲基鍵結，因此，成長出含矽-甲基(Si-(CH3
)x
,x=1~3)鍵的類有機薄膜。於沉積第一類有機層16後，在反應的氣氛中通入氧氣與HMDSO蒸氣，於1000瓦電漿功率下，利用在腔體中產生的電漿解離通入的HMDSO蒸氣與氧氣，電漿將HMDSO較弱的矽-碳鍵結打斷，分子再與反應氣體中的氧結合而沉積形成第二類有機層18。經上述步驟後，即製作完成單組(one pair)複合阻障層。
本揭露提供一種應用於撓曲的複合阻氣膜應力調控結構，透過製程條件變化鍍製高氧類有機薄膜(例如其矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵的比值大於1)，與類有機薄膜(例如其矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3
)x
〕鍵的比值小於或等於1)的阻氣膜，高氧類有機薄膜也就是本文所提到的第二類有機層18、180與180’、第四類有機層24、240與240’、第六類有機層30。此類有機薄膜也就是本文所提到的第一類有機層16、160與160’、第三類有機層22、220與220’、第五類有機層28。將複合阻氣膜中的類有機薄膜當作一介面緩衝層，以降低複合阻氣膜的內應力(避免產生裂縫)並提升其與基板間的附著度。當複合阻氣膜進行多層堆疊時，新堆疊的複合阻氣膜的類有機薄膜厚度須較前一複合阻氣膜的類有機薄膜厚度增加(例如厚度比值大於1且小於或等於5)，藉由調變類有機薄膜厚度可改善薄膜封裝結構應力，彌補薄膜本質缺陷，利用缺陷錯位原理以有效降低水氣滲透。此外，複合阻氣膜可於同一腔體(例如PECVD)中連續鍍製形成封裝結構，免去一般製程須傳片與傳片時的微粒汙染，可達省時、提高良率及降低成本的目的。此外，本揭露整體封裝結構的可見光穿透率可達95%，具有極高光穿透率。
【實施例】
【實施例1】
本揭露複合阻障層結構(1)之應力調控
本實施例複合阻障層結構(單組(one pair)複合阻障層)如第1圖所示，基板12為PET塑膠基板，第一類有機層(類有機層)16的厚度分別為15nm、30nm、60nm、100nm，第二類有機層(高氧類有機層)18的厚度為300nm。本實施例複合阻障層結構的應力調控結果如第6圖所示。第6圖為不同第一類有機層厚度與複合阻障層結構內殘留應力(residual stress)的關係圖。
由第6圖可看出，隨第一類有機層厚度的增加，複合阻障層結構內的殘留應力明顯下降，當第一類有機層厚度達30nm時，複合阻障層結構內的殘留應力大幅降至108MPa，此顯示第一類有機層可有效釋放第二類有機層內的殘留應力累積。此外，在第一類有機層厚度自15nm增加至100nm的過程中，第二類有機層皆無脫落現象，所沉積的複合阻障層結構可完整附著在PET塑膠基板上，並完全通過方格附著度試驗，根據ASTM D3359刮痕測試標準，可估算其附著度等級達5B標準，此顯示藉由第一類有機層的沉積可使第二類有機層在可撓式塑膠基板上的附著度獲明顯改善。
本實施例複合阻障層結構(兩組(two pairs)複合阻障層)如第2圖所示，基板12為PET塑膠基板，第一類有機層(類有機層)16的厚度為30nm，第二類有機層(高氧類有機層)
18的厚度為300nm，第三類有機層(類有機層)22的厚度分別為15nm、30nm、60nm、100nm，第四類有機層(高氧類有機層)24的厚度為300nm。本實施例複合阻障層結構的應力調控結果如第7圖所示。第7圖為不同第三類有機層厚度與複合阻障層結構內殘留應力(residual stress)的關係圖。
由第7圖可看出，隨第三類有機層厚度的增加，複合阻障層結構內的殘留應力逐漸下降，當第三類有機層厚度達60nm時，複合阻障層結構內的殘留應力最小，大幅降至187MPa，此顯示第三類有機層可有效釋放兩組複合阻障層內的殘留應力累積。此外，當第三類有機層厚度為15nm及30nm時，複合阻障層結構有嚴重脫落現象，並未達到方格附著度試驗5B標準，推測原因可能為沉積第二組複合阻障層時，第四類有機層造成整體複合阻障層結構內的殘留應力上升，導致厚度較薄的第三類有機層無法同時減緩第一組與第二組複合阻障層內的殘留應力，造成所沉積的複合阻障層結構在PET塑膠基板上呈現脫落現象，然而，隨第三類有機層厚度持續增加，複合阻障層結構附著度有顯著改善，當第三類有機層厚度為60nm及100nm時，兩組複合阻障層皆完整附著在PET塑膠基板上，並無明顯脫落現象且可完全通過方格附著度試驗，其附著度等級可達5B標準。
本實施例複合阻障層結構(三組(three pairs)複合阻障層)如第3圖所示，基板12為PET塑膠基板，第一類有機層(類有機層)16的厚度為30nm，第二類有機層(高氧類有機層)18的厚度為300nm，第三類有機層(類有機層)22的厚度為60nm，第四類有機層(高氧類有機層)24的厚度為300nm，第五類有機層(類有機層)28的厚度分別為90nm、120nm、150nm，第六類有機層(高氧類有機層)30的厚度為300nm。本實施例複合阻障層結構的應力調控結果如第8圖所示。第8圖為不同第五類有機層厚度與複合阻障層結構內殘留應力的關係圖。
由第8圖可看出，當第五類有機層厚度達90nm時，複合阻障層結構內的殘留應力最小(residual stress)約為198MPa，此顯示第五類有機層可有效釋放三組複合阻障層內的殘留應力累積。此外，當第五類有機層厚度為90nm時，三組複合阻障層皆完整附著在PET塑膠基板上，並無明顯脫落現象且可完全通過方格附著度試驗，其附著度等級可達5B標準，至此顯示隨複合阻障層沉積組數的增加，後續較厚的類有機層確實能有效改善多組複合阻障層所造成附著度不佳的問題。
本實施例為三種阻障層結構(例如(1)單一高氧類有機
層、(2)單組複合阻障層、(3)三組複合阻障層)其阻水氣效果與結構內殘留應力的比較。
實驗條件如下：基板為PET塑膠基板；(1)單一高氧類有機層，厚度為300nm；(2)單組複合阻障層(如第1圖所示)，總厚度為330nm(第一類有機層(類有機層)的厚度為30nm，第二類有機層(高氧類有機層)的厚度為300nm)；(3)三組複合阻障層(如第3圖所示)，總厚度為1,080nm(第一類有機層(類有機層)的厚度為30nm，第二類有機層(高氧類有機層)的厚度為300nm，第三類有機層(類有機層)的厚度為60nm，第四類有機層(高氧類有機層)的厚度為300nm，第五類有機層(類有機層)的厚度為90nm，第六類有機層(高氧類有機層)的厚度為300nm)。
實驗結果如下表1：
由表1可看出，相較於單一阻障層結構，本揭露單組
複合阻障層或三組複合阻障層除結構內殘留應力明顯下降外，其亦具備極佳阻水氣效果。
本實施例為兩種複合阻障層結構(例如(1)三組複合阻障層(類有機層厚度相同)、(2)三組複合阻障層(類有機層厚度調整))其抗撓曲性(向下彎曲與向上彎曲)的比較。
實驗條件如下：基板為PET塑膠基板；(1)三組複合阻障層(類有機層厚度相同)，總厚度為990nm(第一類有機層(類有機層)的厚度為30nm，第二類有機層(高氧類有機層)的厚度為300nm，第三類有機層(類有機層)的厚度為30nm，第四類有機層(高氧類有機層)的厚度為300nm，第五類有機層(類有機層)的厚度為30nm，第六類有機層(高氧類有機層)的厚度為300nm)；(2)三組複合阻障層(類有機層厚度調整)(如第3圖所示)，總厚度為1,080nm(第一類有機層(類有機層)的厚度為30nm，第二類有機層(高氧類有機層)的厚度為300nm，第三類有機層(類有機層)的厚度為60nm，第四類有機層(高氧類有機層)的厚度為300nm，第五類有機層(類有機層)的厚度為90nm，第六類有機層(高氧類有機層)的厚度為300nm)。
實驗結果請參閱第9圖(向下彎曲)與第10圖(向上彎
曲)。
由第9圖與10圖可看出，相較於類有機層厚度相同的三組複合阻障層，本揭露類有機層厚度經調整後的三組複合阻障層，無論在「向下彎曲」或「向上彎曲」操作條件下，其均具備較佳抗撓曲性。
本實施例為兩種複合阻障層結構(例如(1)三組複合阻障層(類有機層厚度相同)、(2)三組複合阻障層(類有機層厚度調整))其光穿透率的比較。
實驗條件如下：基板為PET塑膠基板；(1)三組複合阻障層(類有機層厚度相同)，總厚度為990nm(第一類有機層(類有機層)的厚度為30nm，第二類有機層(高氧類有機層)的厚度為300nm，第三類有機層(類有機層)的厚度為30nm，第四類有機層(高氧類有機層)的厚度為300nm，第五類有機層(類有機層)的厚度為30nm，第六類有機層(高氧類有機層)的厚度為300nm)；(2)三組複合阻障層(類有機層厚度調整)(如第3圖所示)，總厚度為1,080nm(第一類有機層(類有機層)的厚度為30nm，第二類有機層(高氧類有機層)的厚度為300nm，第三類有機層(類有機層)的厚度為60nm，第四類有機層(高氧類有機層)的厚度為300nm，第五類有機層(類有機層)的厚
度為90nm，第六類有機層(高氧類有機層)的厚度為300nm)。
實驗結果請參閱第11圖(e.g.，三組複合阻障層(類有機層厚度相同))與第12圖(e.g.，三組複合阻障層(類有機層厚度調整))。
由第11圖與12圖可看出，本揭露類有機層厚度經調整後的三組複合阻障層，無論在「未彎曲」、「拉伸」或「壓縮」操作條件下，其均可維持一致性的高光穿透率(transmittance)。
雖然本揭露已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何熟習此項技藝者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作更動與潤飾，因此，本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧複合阻障層結構
12、120、120’‧‧‧基板
14、140、140’‧‧‧第一複合阻障層
16、160、160’‧‧‧第一類有機層
18、180、180’‧‧‧第二類有機層
20、200、200’‧‧‧第二複合阻障層
22、220、220’‧‧‧第三類有機層
24、240、240’‧‧‧第四類有機層
26‧‧‧第三複合阻障層
28‧‧‧第五類有機層
30‧‧‧第六類有機層
100、100’‧‧‧封裝結構
260、260’‧‧‧電子元件
第1圖係根據本揭露之一實施例，一種複合阻障層結構；第2圖係根據本揭露之一實施例，一種複合阻障層結構；第3圖係根據本揭露之一實施例，一種複合阻障層結構；第4圖係根據本揭露之一實施例，一種封裝結構；第5圖係根據本揭露之一實施例，一種封裝結構；第6圖係根據本揭露之一實施例，不同第一類有機層厚度與複合阻障層結構內殘留應力的關係圖；第7圖係根據本揭露之一實施例，不同第三類有機層厚度與複合阻障層結構內殘留應力的關係圖；第8圖係根據本揭露之一實施例，不同第五類有機層厚度與複合阻障層結構內殘留應力的關係圖；第9圖係根據本揭露之一實施例，三組複合阻障層(類有機層厚度相同)與三組複合阻障層(類有機層厚度調整)其抗撓曲性(向下彎曲)的比較；第10圖係根據本揭露之一實施例，三組複合阻障層(類有機層厚度相同)與三組複合阻障層(類有機層厚度調整)其抗撓曲性(向上彎曲)的比較；第11圖係根據本揭露之一實施例，三組複合阻障層(類有機層厚度相同)在「未彎曲」、「拉伸」及「壓縮」操作條件下的光穿透率；第12圖係根據本揭露之一實施例，三組複合阻障層(類
有機層厚度調整)在「未彎曲」、「拉伸」及「壓縮」操作條件下的光穿透率。
10‧‧‧複合阻障層結構
12‧‧‧基板
14‧‧‧第一複合阻障層
16‧‧‧第一類有機層
18‧‧‧第二類有機層
20‧‧‧第二複合阻障層
22‧‧‧第三類有機層
24‧‧‧第四類有機層
26‧‧‧第三複合阻障層
28‧‧‧第五類有機層
30‧‧‧第六類有機層
Claims (6)
- 一種複合阻障層結構，包括：一基板；一第一複合阻障層，形成於該基板上，其中該第一複合阻障層包括一第一類有機層與一第二類有機層，該第二類有機層形成於該第一類有機層上，且該第一類有機層與該第二類有機層由矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3 )x 〕鍵所構成，其中該第一類有機層之該矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與該矽-甲基〔Si-(CH3 )x 〕鍵之比值為小於或等於1，該第二類有機層之該矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與該矽-甲基〔Si-(CH3 )x 〕鍵之比值為大於1，其中x=1~3；以及一第二複合阻障層，形成於該第一複合阻障層上，其中該第二複合阻障層包括一第三類有機層與一第四類有機層，該第四類有機層形成於該第三類有機層上，且該第三類有機層與該第四類有機層由矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基(Si-CH3 )x 鍵所構成，其中該第三類有機層之該矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與該矽-甲基(Si-CH3 )x 鍵之比值為小於或等於1，該第四類有機層之該矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與該矽-甲基(Si-CH3 )x 鍵之比值為大於1，其中該第三類有機層之厚度與該第一類有機層之厚度之比值為大於1且小於或等於5。
- 如申請專利範圍第1項所述之複合阻障層結構，其中該基板由聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚醚碸(polyethersulfone,PES)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚亞醯胺(polyimide,PI)或聚碳酸酯(polycarbonate,PC)所構成。
- 如申請專利範圍第1項所述之複合阻障層結構，更包括一第三複合阻障層，形成於該第二複合阻障層上，其中該第三複合阻障層包括一第五類有機層與一第六類有機層，該第六類有機層形成於該第五類有機層上，且該第五類有機層與該第六類有機層由矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3 )x 〕鍵所構成，其中該第五類有機層之該矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與該矽-甲基〔Si-(CH3 )x 〕鍵之比值為小於或等於1，該第六類有機層之該矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與該矽-甲基〔Si-(CH3 )x 〕鍵之比值為大於1，其中x=1~3。
- 如申請專利範圍第3項所述之複合阻障層結構，其中該第五類有機層之厚度與該第三類有機層之厚度之比值為大於1且小於或等於5。
- 一種封裝結構，包括：一基板；一第一複合阻障層，形成於該基板上，其中該第一複合阻障層包括一第一類有機層與一第二類有機層，該第二類有機層形成於該第一類有機層上，且該第一類有機層與該第二類有機層由矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3 )x 〕鍵所構成，其中該第一類有機層之該矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與該矽-甲基〔Si-(CH3 )x 〕鍵之比值為小於或等於1，該第二類有機層之該矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與該矽-甲基〔Si-(CH3 )x 〕鍵之比值為大於1；一第二複合阻障層，形成於該第一複合阻障層上，其中該第二複合阻障層包括一第三類有機層與一第四類有機層，該第四類有機層形成於該第三類有機層上，且該第三 類有機層與該第四類有機層由矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與矽-甲基〔Si-(CH3 )x 〕鍵所構成，其中該第三類有機層之該矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與該矽-甲基〔Si-(CH3 )x 〕鍵之比值為小於或等於1，該第四類有機層之該矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵與該矽-甲基〔Si-(CH3 )x 〕鍵之比值為大於1，其中x=1~3，其中該第三類有機層之厚度與該第一類有機層之厚度之比值為大於1且小於或等於5；以及一電子元件，設置於該第一複合阻障層與該基板之間或設置於該第一複合阻障層與該第二複合阻障層之間。
- 如申請專利範圍第5項所述之封裝結構，其中該基板由聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚醚碸(polyethersulfone,PES)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate,PEN)、聚亞醯胺(polyimide,PI)或聚碳酸酯(polycarbonate,PC)所構成。
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| TW101142560A TWI488349B (zh) | 2012-11-15 | 2012-11-15 | 複合阻障層結構及包括此結構之封裝結構 |
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Citations (3)
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| TW201232868A (en) * | 2010-10-08 | 2012-08-01 | Sumitomo Chemical Co | An organic electro-luminescent device |
| TW201234692A (en) * | 2010-10-25 | 2012-08-16 | Tno | Multilayered protective layer, organic opto-electric device and method of manufacturing the same |
| TW201238768A (en) * | 2011-03-31 | 2012-10-01 | Toray Eng Co Ltd | Gas barrier film, production device therefor, and production program therefor |
-
2012
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Patent Citations (3)
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| TW201419607A (zh) | 2014-05-16 |
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