JP6054589B2 - 有機発光装置 - Google Patents
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Description
本発明は、有機発光装置に関する。
最近、フレキシブル平板ディスプレイ装置への関心が高まるにつれて、これに関する研究が活発に進められているが、このようなフレキシブル平板ディスプレイ装置を具現するためには、従来のガラス材基板ではない、プラスチックのような材質のフレキシブル基板を利用する。
一方、平板ディスプレイ装置には、各画素の動作を制御したり、駆動部での電気的信号を作るために、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が備えられるが、このようなＴＦＴは、外部の不純物から保護されることが望ましい。特に、フレキシブル平板ディスプレイ装置と関連して、最近活発に研究が進められている有機ＴＦＴの場合、有機物は、外部の水分または酸素に対して非常に脆弱であるので、このような外部の不純物の浸透を防止する必要がある。
また、フレキシブル平板ディスプレイ装置のディスプレイ部と関連して、最近研究が活発に進められている有機発光装置の場合にも、各画素に備えられる有機発光素子の有機物が外部の水分または酸素のような不純物に非常に脆弱であるので、このような外部の不純物の浸透を防止する必要がある。
外部不純物の浸透防止のために、バリヤ層が使われるが、このようなバリヤ層がディスプレイ装置の製造工程中に剥離される問題点がある。
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、ディスプレイ装置の製造工程、特にバックプレイン製作工程中に発生する剥離（ピールオフ）現象の発生を防止することができる有機発光装置を提供することである。
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、シリコン酸化物膜とシリコンリッチシリコン窒化物膜とを有するバリヤ層と、前記バリヤ層の少なくとも一方の面に設けられる樹脂層と、前記樹脂層の面のうち、前記バリヤ層が設けられる面の反対側の面に設けられる有機電界発光部と、を備える有機発光装置が提供される。
ここで、前記シリコンリッチシリコン窒化物膜の屈折率は、１．８１〜１．８５でありうる。
また、前記シリコンリッチシリコン窒化物膜のストレスは、−２００Ｍｐａ〜０Ｍｐａでありうる。
また、前記バリヤ層は、複数のシリコン酸化物膜とシリコンリッチシリコン窒化物膜とが交互に配されたものでありうる。
また、前記シリコンリッチシリコン窒化物膜の厚さは、２０ｎｍ〜８０ｎｍでありうる。
また、本発明の他の一具現例によれば、前記シリコン酸化物膜の厚さは、１００ｎｍ〜５００ｎｍでありうる。
また、前記バリヤ層の厚さは、１２０ｎｍ〜２０００ｎｍでありうる。
また、前記バリヤ層は、前記樹脂層に最も近い膜から、シリコンリッチシリコン窒化物膜、シリコン酸化物膜、シリコンリッチシリコン窒化物膜、シリコン酸化物膜、シリコンリッチシリコン窒化物膜、シリコン酸化物膜、シリコンリッチシリコン窒化物膜の順で積層された複数の膜を有するものでありうる。
また、前記シリコンリッチシリコン窒化物膜は、ＳｉＮｘを含みうる（ここで、ｘは、１．１〜１．３である）。
また、前記シリコン酸化物膜は、シリコンリッチシリコン酸化物膜でありうる。
本発明によれば、ストレスが低減されるバリヤ層の適用によって、ディスプレイ装置の製造工程、特にバックプレイン製作工程中に発生する剥離（ピールオフ）現象の防止、ガラス反り現象を抑制して工程の収率を高めうる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
従来の技術のフレキシブルディスプレイパネルは、ガラス上にプラスチックをコーティングし、その上にバリヤを蒸着した後、オキシドＴＦＴバックプレイン（Ｏｘｉｄｅ ＴＦＴ Ｂａｃｋ Ｐｌａｎｅ）及びＥＶＥＮ（ＥＬ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ、Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）工程を適用している。その後、プラスチックパネルをガラスから脱着してフレキシブルディスプレイパネルを製作している。この時に使われるプラスチック母材は、既存のガラス母材とは異なり、透湿率が非常に高くてＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）寿命を低下させることが問題である（ガラス透湿率１Ｅ−６ｇ／ｍ２ ｄａｙ以下、プラスチック透湿率１Ｅ−１ｇ／ｍ２ ｄａｙ以上）。
そのため、プラスチック母材を貫いて上がる水分からＥＬユニットを保護するために、下部にバリヤを挿し込む。よく使われるバリヤは、ＮＯＮＯＮＯＮ（Ｎ：ＳｉＮｘ＝５０ｎｍ、Ｏ：ＳｉＯ２＝３００ｎｍ）構造であって、ＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で蒸着され、透湿率は、１Ｅ−３ｇ／ｍ２ ｄａｙ以下の特性を有する。この時、バリヤ全体の厚さが１０５０ｎｍであって、若干のストレスを有すれば、工程中にガラス反り、ガラス基板からの剥離が発生する問題点がある。
このような問題点を解決するために、本発明の一具現例は、基板バリヤ層及び有機電界発光部を備える有機発光装置において、前記バリヤ層がシリコン酸化物膜とシリコンリッチシリコン窒化物膜とを備える有機発光装置を提供する。
以下、添付した図面を参照して、本発明の望ましい実施例を詳細に説明すれば、次の通りである。
図１は、本発明の一実施例による有機発光装置に含まれるフレキシブル基板を概略的に示す断面図である。
図１を参照すれば、本実施例によるフレキシブル基板１０は、バリヤ層１１とこのバリヤ層１１の上下部にそれぞれ配されたプラスチックフィルム１３とを備える。ここで、バリヤ層１１は、シリコンリッチシリコン窒化物膜１１ａとシリコン酸化物膜１１ｂとを備える。または、前記バリヤ層１１は、シリコン酸化物膜１１ｂとシリコンリッチシリコン窒化物膜１１ａとを備える。
前記シリコンリッチシリコン窒化物膜は、１．８１〜１．８５の屈折率を有しうる。
シリコンリッチシリコン窒化物膜が前記範囲の屈折率値を有する場合、シリコンリッチシリコン窒化物膜の透湿率抑制能が最適の状態となる。
シリコンリッチシリコン窒化物膜が前記範囲の屈折率値を有する場合、シリコンリッチシリコン窒化物膜の透湿率抑制能が最適の状態となる。
バリヤ層のシリコンリッチシリコン窒化物膜、シリコン酸化物膜は、プラズマ化学気相蒸着法（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、または原子層蒸着法（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を利用して製造されうる。もちろん、これ以外の多様な方法を通じて製造されることもある。
前記シリコンリッチシリコン窒化物膜は、例えば、ＳｉＨ４を３５０〜５５０ｓｃｃｍ、ＮＨ３を１８００〜２２００ｓｃｃｍ、Ｎ２を９０００〜１１０００ｓｃｃｍでもって製造されうる。前記のような条件で製造されたシリコンリッチシリコン窒化物膜は、−２００Ｍｐａ〜０Ｍｐａ以下のストレス値を示す。
ストレス値は、例えば、ＳｉＨ４を３５０〜５５０ｓｃｃｍ、ＮＨ３を１８００〜２２００ｓｃｃｍ、Ｎ２を９０００〜１１０００ｓｃｃｍの条件でガラス上に一定の厚さ、例えば、２００ｎｍにシリコンリッチシリコン窒化物膜を蒸着させた場合と、ＳｉＨ４を１００〜３００ｓｃｃｍ、ＮＨ３を１８００〜２２００ｓｃｃｍ、Ｎ２を９０００〜１１０００ｓｃｃｍの条件でガラス上に同じ厚さにシリコン窒化物膜を蒸着させた場合とを比較して測定されるが、シリコン窒化物膜を蒸着させて反った場合のガラスと、シリコンリッチシリコン窒化物膜を蒸着させて反っていない場合のガラスとの曲率半径の差を比較して、シリコンリッチシリコン窒化物膜のストレスを測定する。
このようなバリヤ層１１は、化学気相蒸着法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、または原子層蒸着法（ＡＬＤ）を利用して製造できる。もちろん、これ以外の多様な方法を通じて製造されることもある。
一方、このようなバリヤ層１１は、その表面の粗度が大きくてバリヤ層１１のみで形成された基板上にＴＦＴを形成する場合、その収率が低下するという問題点がある。したがって、このバリヤ層１１の上下部にそれぞれプラスチックフィルム１３（樹脂層）が備えられうる。このようなプラスチックフィルム１３は、ホットロールを利用して、バリヤ層１１の上下部（両面）にプラスチック物質をラミネートして形成することもできる。もちろん、これ以外の多様な方法が利用されうる。また、最初からプラスチックフィルム１３上にシリコンリッチシリコン窒化物膜１１ａと酸化物膜１１ｂとを形成した後、その上部に再びプラスチックフィルム１３を形成することによって、フレキシブル基板１０を製造できる。
このような構造のフレキシブル基板１０のバリヤ層１１で、シリコンリッチシリコン窒化物膜は、透湿率を低める役割を行い、シリコン酸化物膜は、ストレスバランスの役割を行う。
一方、図１には、バリヤ層１１がシリコンリッチシリコン窒化物膜と酸化物膜とを一層ずつ備える場合について示されているが、図２に示したように、二層のシリコンリッチシリコン窒化物膜１１ａがシリコン酸化物膜１１ｂの両側に備えられた構造を有することも可能である。もちろん、これと逆に、二層のシリコン酸化物膜がシリコンリッチシリコン窒化物膜の両側に備えられた構造を有することも可能である。
また、図３に示したように、バリヤ層１１は、複数のシリコンリッチシリコン窒化物膜１１ａとシリコン酸化物膜１１ｂとが交互に配された構造を有することも可能である。
一方、前述したように、このようなバリヤ層１１の上下部には、プラスチックフィルム１３が備えられるところ、このプラスチックフィルム１３とバリヤ層１１との接合をさらに確実にするために、図４に示したように、バリヤ層１１とプラスチックフィルム１３との間に接着層１２が必要に応じてさらに備えられることも可能である。もちろん、この接着層１２の位置は、図４に示されたものに限定されず、バリヤ層１１とバリヤ層１１の上下部に配されたプラスチックフィルム１３との間のうち少なくともいずれか１ヵ所に介在されうる。
前記シリコンリッチシリコン窒化物膜の厚さは、２０ｎｍ〜８０ｎｍであり、前記シリコン酸化物膜の厚さは、１００ｎｍ〜５００ｎｍでありうる。
シリコンリッチシリコン窒化物膜の厚さ及びシリコン酸化物膜の厚さが前記範囲である場合、透湿率の抑制及びストレスバランスの役割が最適に発揮されうる。
前記バリヤ層の厚さは、１２０ｎｍ〜２０００ｎｍでありうる。
有機発光装置の全体厚さ、透湿防止、反り防止を考慮する時に、前記範囲が適切である。
前記バリヤ層は、シリコンリッチシリコン窒化物膜／シリコン酸化物膜／シリコンリッチシリコン窒化物膜／シリコン酸化物膜／シリコンリッチシリコン窒化物膜／シリコン酸化物膜／シリコンリッチシリコン窒化物膜の構造でありうる。すなわち、バリヤ層は、２つのプラスチックシートのうち、一方のプラスチックシートに最も近い膜から、シリコンリッチシリコン窒化物膜、シリコン酸化物膜、シリコンリッチシリコン窒化物膜、シリコン酸化物膜、シリコンリッチシリコン窒化物膜、シリコン酸化物膜、シリコンリッチシリコン窒化物膜の順で積層された複数の膜を有する。また、シリコンリッチシリコン窒化物膜は、ＳｉＮｘを含む（ここで、ｘは、１．１〜１．３である）。
一方、前記シリコン酸化物膜は、シリコンリッチシリコン酸化物膜でありうる。
図５は、本発明の望ましい他の一実施例によるフレキシブルＴＦＴ基板を概略的に示す断面図である。
図５を参照すれば、前述した実施例の変形例による接着層１２まで備えたフレキシブル基板１０上に、ゲート電極２１、ソース電極２３、ドレイン電極２４、半導体層２５及びゲート絶縁膜２６を備えたＴＦＴが備えられている。
前述したように、ＴＦＴ、特に、有機ＴＦＴの場合、外部からの水分または酸素のような不純物の浸透に非常に脆弱である。したがって、前述した実施例及びその変形例によるフレキシブル基板を利用することによって、このようなＴＦＴを保護できる。
図６は、本発明の一実施例による有機発光装置の概略的な断面図である。
有機発光装置は、多様な形態のものが適用されうるが、本発明の一実施例による有機発光装置は、有機ＴＦＴを備えた能動駆動型（ＡＭ：Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ）発光ディスプレイ装置である。この有機発光装置は、シリコン酸化物膜１１１ｂとシリコンリッチシリコン窒化物膜１１１ａとを有するバリヤ層１１１と、バリヤ層１１１の表面及び裏面のそれぞれに設けられるプラスチックシート１１３と、上側のプラスチックシート１１３の面のうち、バリヤ層１１１が設けられる面の反対側の面に設けられる有機電界発光部と、を備える。
各副画素は、図６に示されたように少なくとも一つの有機ＴＦＴを備える。図６を参照すれば、前述したようなフレキシブル基板１１０上にＴＦＴが備えられる。もちろん、ＴＦＴの形態は、図６に示されたものに限定されず、有機ＴＦＴまたはシリコンＴＦＴのような多様なＴＦＴが備えられうる。
ＴＦＴの上部には、ＳｉＯ２からなるパッシベーション膜１２８が形成され、パッシベーション膜１２８の上部には、アクリル、ポリイミドによる画素定義膜１２９が形成されている。パッシベーション膜１２８は、有機ＴＦＴを保護する保護膜の役割を行ってもよく、その上面を平坦化させる平坦化膜の役割を行ってもよい。
そして、図面に示されていないが、有機ＴＦＴには、少なくとも一つのキャパシタが連結されうる。そして、このような有機ＴＦＴを備える回路は、必ずしも図６に示された例に限定されず、多様に変形できる。
一方、ドレイン電極１２４に有機発光素子が連結される。有機発光素子は、相互対向した画素電極１３１及び対向電極１３４と、この電極の間に介在された少なくとも発光層を備える中間層１３３と、を備える。対向電極１３４は、複数の画素において、共通に形成されることもあるなど、多様な変形が可能である。
一方、図６には、中間層１３３が副画素のみに対応するようにパターニングされたと示されているが、これは、副画素の構成を説明するために、便宜上、そのように示したものであり、中間層１３３は、隣接した副画素の中間層と一体に形成されることもある。また、中間層１３３のうち一部の層は、各副画素別に形成され、他の層は、隣接した副画素の中間層と一体に形成されることもあるなど、その多様な変形が可能である。
画素電極１３１は、アノード電極の機能を行い、対向電極１３４は、カソード電極の機能を行う。もちろん、この画素電極１３１と対向電極１３４との極性は、逆になってもよい。
画素電極１３１は、反射型電極として備えられる。すなわち、本発明によるフレキシブル基板１１０は、シリコンリッチシリコン窒化物膜１１１ａと酸化物膜１１１ｂとを備えるバリヤ層１１１を備えるところ、このようなバリヤ層１１１は、不透明な特性を有するので、中間層１３３から発生した光は、フレキシブル基板１１０の逆方向に、すなわち、対向電極１３４を通じて放出される。したがって、画素電極１３１は、反射型電極として形成し、対向電極１３４は、透明電極として形成する。
したがって、画素電極１３１は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びこれらの化合物で反射膜を形成した後、その上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３を形成した構造を有する。対向電極１３４は、前述したように、透明電極となるが、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ及びこれらの化合物が中間層１３３に向かうように蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明電極形成用物質で補助電極やバス電極ラインを形成できる。
画素電極１３１と対向電極１３４との間に備えられる中間層１３３は、低分子または高分子有機物で備えられうる。低分子有機物を使用する場合、ホール注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、ホール輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、有機発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）が単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）をはじめとして、多様に適用可能である。これらの低分子有機物は、前述したようなパターニングで備えられ、前述したようなマスクを利用して、真空蒸着の方法で形成される。
高分子有機物の場合には、概して、ホール輸送層（ＨＴＬ）及び発光層（ＥＭＬ）で備えられた構造を有し、この時、前記ＨＴＬとしてＰＥＤＯＴ（Ｐｏｌｙ（３，４−Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））を使用し、ＥＭＬとしてＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系などの高分子有機物質を使用できる。
基板１１０上に形成された有機発光素子は、対向部材（図示せず）によって密封される。対向部材は、基板１１０と同一に、ガラスまたはプラスチック材で備えられうるが、これ以外にも、メタルキャップで形成されることもある。
また、前記実施例において、有機発光装置の構造を基にして本発明を説明したが、それ以外の多様なフレキシブルディスプレイ装置にも、本発明が適用されうる。
以下、本発明を下記の実施例で詳細に説明するが、本発明が下記の実施例に限定されるものではない。
［透湿率の比較］
［実施例１：ＳｉＨ４ ４００ｓｃｃｍ、ＮＨ３ ２０００ｓｃｃｍ、Ｎ２ １００００ｓｃｃｍ］
ＰＥＣＶＤ方法を使用して、 ＳｉＨ４ ４００ｓｃｃｍ、ＮＨ３ ２０００ｓｃｃｍ、Ｎ２ １００００ｓｃｃｍの条件でシリコンリッチシリコン窒化物膜を５０ｎｍの厚さにし、ＳｉＨ４ １５０ｓｃｃｍ、Ｎ２Ｏ ３０００ｓｃｃｍ、Ａｒ ４０００ｓｃｃｍの条件でシリコン酸化物膜を３００ｎｍの厚さにし、ガラス板上に、ガラス板に最も近い膜から、シリコンリッチシリコン窒化物膜、シリコン酸化物膜、シリコンリッチシリコン窒化物膜、シリコン酸化物膜、シリコンリッチシリコン窒化物膜、シリコン酸化物膜、シリコンリッチシリコン窒化物膜の順に各膜を積層することで、バリヤ層を形成した。
［実施例１：ＳｉＨ４ ４００ｓｃｃｍ、ＮＨ３ ２０００ｓｃｃｍ、Ｎ２ １００００ｓｃｃｍ］
ＰＥＣＶＤ方法を使用して、 ＳｉＨ４ ４００ｓｃｃｍ、ＮＨ３ ２０００ｓｃｃｍ、Ｎ２ １００００ｓｃｃｍの条件でシリコンリッチシリコン窒化物膜を５０ｎｍの厚さにし、ＳｉＨ４ １５０ｓｃｃｍ、Ｎ２Ｏ ３０００ｓｃｃｍ、Ａｒ ４０００ｓｃｃｍの条件でシリコン酸化物膜を３００ｎｍの厚さにし、ガラス板上に、ガラス板に最も近い膜から、シリコンリッチシリコン窒化物膜、シリコン酸化物膜、シリコンリッチシリコン窒化物膜、シリコン酸化物膜、シリコンリッチシリコン窒化物膜、シリコン酸化物膜、シリコンリッチシリコン窒化物膜の順に各膜を積層することで、バリヤ層を形成した。
シリコンリッチシリコン窒化物膜のＳｉとＮとの含量をＦＴＩＲ（Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で分析した結果、約１：１．２の値を示すことが分かった。
［実施例２：ＳｉＨ４ ５００ｓｃｃｍ、ＮＨ３ ２０００ｓｃｃｍ、Ｎ２ １００００ｓｃｃｍ］
ＳｉＨ４を５００ｓｃｃｍの条件としたことを除いては、実施例１と同一にバリヤ層を形成させた。
ＳｉＨ４を５００ｓｃｃｍの条件としたことを除いては、実施例１と同一にバリヤ層を形成させた。
［比較例１：ＳｉＨ４ １００ｓｃｃｍ、ＮＨ３ ２０００ｓｃｃｍ、Ｎ２ １００００ｓｃｃｍ］
ＳｉＨ４を１００ｓｃｃｍの条件としたことを除いては、実施例１と同一にバリヤ層を形成させた。
ＳｉＨ４を１００ｓｃｃｍの条件としたことを除いては、実施例１と同一にバリヤ層を形成させた。
［比較例２：ＳｉＨ４ ２００ｓｃｃｍ、ＮＨ３ ２０００ｓｃｃｍ、Ｎ２ １００００ｓｃｃｍ］
ＳｉＨ４を２００ｓｃｃｍの条件としたことを除いては、実施例１と同一にバリヤ層を形成させた。
ＳｉＨ４を２００ｓｃｃｍの条件としたことを除いては、実施例１と同一にバリヤ層を形成させた。
実施例１、２及び比較例１、２のバリヤ層の透湿率を比較して、表１に示した。
表１を参照すれば、実施例１、２のバリヤ層の透湿率は、比較例１、２のバリヤ層の透湿率と同等なレベルであることが確認できた。
［バリヤ層の剥離有無の観察］
常温で２週間放置して、実施例１、比較例１のバリヤ層の剥離有無を観察した。
常温で２週間放置して、実施例１、比較例１のバリヤ層の剥離有無を観察した。
図７は、比較例１のバリヤ層の剥離有無を撮影したＴＥＭ写真である。
図８は、実施例１のバリヤ層の剥離有無を撮影したＴＥＭ写真である。
図７、図８を参照すれば、実施例１の場合、剥離が観察されなかったが、比較例１の場合、バリヤ層が剥離されたことが確認できた。
［シリコン窒化物膜のストレス測定］
［実施例３：ＳｉＨ４ ４００ｓｃｃｍ、ＮＨ３ ２０００ｓｃｃｍ、Ｎ２ １００００ｓｃｃｍ］
ＰＥＣＶＤ方法を使用して、 ＳｉＨ４ ４００ｓｃｃｍ、ＮＨ３ ２０００ｓｃｃｍ、Ｎ２ １００００ｓｃｃｍの条件でシリコンリッチシリコン窒化物膜を１００ｎｍの厚さにし、ガラス板上にシリコンリッチシリコン窒化物膜を形成させた。
［実施例３：ＳｉＨ４ ４００ｓｃｃｍ、ＮＨ３ ２０００ｓｃｃｍ、Ｎ２ １００００ｓｃｃｍ］
ＰＥＣＶＤ方法を使用して、 ＳｉＨ４ ４００ｓｃｃｍ、ＮＨ３ ２０００ｓｃｃｍ、Ｎ２ １００００ｓｃｃｍの条件でシリコンリッチシリコン窒化物膜を１００ｎｍの厚さにし、ガラス板上にシリコンリッチシリコン窒化物膜を形成させた。
［実施例４：ＳｉＨ４ ５００ｓｃｃｍ、ＮＨ３ ２０００ｓｃｃｍ、Ｎ２ １００００ｓｃｃｍ］
ＳｉＨ４を５００ｓｃｃｍの条件としたことを除いては、実施例３と同一にシリコンリッチシリコン窒化物膜を形成させた。
ＳｉＨ４を５００ｓｃｃｍの条件としたことを除いては、実施例３と同一にシリコンリッチシリコン窒化物膜を形成させた。
［比較例３：ＳｉＨ４ １００ｓｃｃｍ、ＮＨ３ ２０００ｓｃｃｍ、Ｎ２ １００００ｓｃｃｍ］
ＳｉＨ４を１００ｓｃｃｍの条件としたことを除いては、実施例３と同一にシリコン窒化物膜を形成させた。
［比較例４：ＳｉＨ４ ２００ｓｃｃｍ、ＮＨ３ ２０００ｓｃｃｍ、Ｎ２ １００００ｓｃｃｍ］
ＳｉＨ４を２００ｓｃｃｍの条件としたことを除いては、実施例３と同一にシリコン窒化物膜を形成させた。
ＳｉＨ４を１００ｓｃｃｍの条件としたことを除いては、実施例３と同一にシリコン窒化物膜を形成させた。
［比較例４：ＳｉＨ４ ２００ｓｃｃｍ、ＮＨ３ ２０００ｓｃｃｍ、Ｎ２ １００００ｓｃｃｍ］
ＳｉＨ４を２００ｓｃｃｍの条件としたことを除いては、実施例３と同一にシリコン窒化物膜を形成させた。
実施例３、４及び比較例３、４のシリコン窒化物膜の屈折率及びフィルムストレスを比較して、表２に示した。
フィルムストレスは、シリコン窒化物蒸着前のガラス板の反り程度を測定し、ガラス板上にシリコン窒化物膜を１００ｎｍ蒸着した後、ガラス板の反り程度を測定し、その曲率半径差から計算した。（Ｓｔｏｎｅｙ Ｅｑｕａｔｉｏｎ適用）
表２を参照すれば、実施例３、４のシリコン窒化物膜のフィルムストレス値が比較例３、４のシリコン窒化物膜のフィルムストレス値より小さい絶対値を有することが分かる。
以上により、本実施の形態では、シリコンリッチ窒化物膜がバリヤ層に作用するストレスを低減することができるので、ディスプレイ装置の製造工程、特にバックプレイン製作工程中に発生する剥離（ピールオフ）現象の防止、ガラス反り現象を抑制して工程の収率を高めうる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明は、ディスプレイ関連の技術分野に好適に適用可能である。
１０，１１０ フレキシブル基板
１１，１１１ バリヤ層
１２，１１２ 接着層
１３，１１３ プラスチックフィルム
１１，１１１ バリヤ層
１２，１１２ 接着層
１３，１１３ プラスチックフィルム
Claims (9)
- シリコン酸化物膜とシリコンリッチシリコン窒化物膜とを有するバリヤ層と、
前記バリヤ層の両面に樹脂層が設けられることで構成される有機電界発光部の基板と、
前記樹脂層の面のうち、前記バリヤ層が設けられる面の反対側の面に設けられる有機電界発光部と、を備え、
前記シリコンリッチシリコン窒化物膜は、ＳｉＮｘ（ここで、ｘは、１．１〜１．３である）を含み、前記樹脂層に接触することを特徴とする有機発光装置。 - 前記シリコンリッチシリコン窒化物膜の屈折率は、１．８１〜１．８５であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光装置。
- 前記シリコンリッチシリコン窒化物膜のストレスは、−２００Ｍｐａ〜０Ｍｐａであることを特徴とする請求項１または２に記載の有機発光装置。
- 前記バリヤ層は、複数のシリコン酸化物膜とシリコンリッチシリコン窒化物膜とが交互に配されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機発光装置。
- 前記シリコンリッチシリコン窒化物膜の厚さは、２０ｎｍ〜８０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機発光装置。
- 前記シリコン酸化物膜の厚さは、１００ｎｍ〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機発光装置。
- 前記バリヤ層の厚さは、１２０ｎｍ〜２０００ｎｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機発光装置。
- 前記バリヤ層は、前記樹脂層に最も近い膜から、シリコンリッチシリコン窒化物膜、シリコン酸化物膜、シリコンリッチシリコン窒化物膜、シリコン酸化物膜、シリコンリッチシリコン窒化物膜、シリコン酸化物膜、シリコンリッチシリコン窒化物膜の順で積層された複数の膜を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機発光装置。
- 前記シリコン酸化物膜は、シリコンリッチシリコン酸化物膜であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機発光装置。
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