TWI487145B - 用於一微型投影系統之發光二極體裝置 - Google Patents

Description

用於一微型投影系統之發光二極體裝置

本發明係關於一種發光二極體裝置，特別是關於一種可應用於一微型投影系統中之發光二極體裝置，藉以使微型投影系統體積更為小型化。

因應現今市場對電子產品的輕薄短小需求趨勢，傳統的投影機亦開始朝微型化發展。微型投影機(Pico Projector)之使用需求係設定為便於隨身攜帶，不僅製成可攜的微型投影機外，更應用於各式現有的電子產品上，例如內建於手機、多媒體播放器、個人數位助理(Personal Digital Assistant,PDA)、筆記型電腦等，藉以擴充電子產品之功能多樣性。

基於結構上的精簡輕量需求及光學上的亮度表現，目前微型投影機多採用紅光、綠光、藍光三原色之發光二極體作為光源，直接將三色光線投射至數位微鏡裝置(Digital Micromirro Device,DMD)進行成像。故與一般投影機相較下，微型投影機省卻了彩色濾光片(color filter)等其他光學元件，大幅縮減體積、降低製造成本，更因發光二極體之各項特性而發揮使用壽命長、色彩表現範圍大等優勢。

然而目前運用於電子產品之微型投影機中，受到發光二極體裝置之限制，體積均稍嫌過大且笨重，電力負荷亦有所不足。

綜上所述，發展出一種在體積上更適於應用在微型投影機，且具有一定之發光效率、色彩表現及應用彈性之發光二極體裝置乃此業界亟需努力之目標。

本發明之一目的在於提供一種用於一微型投影系統之發光二極體裝置，其具有輕薄短小之體積，且能提供良好亮度及色彩表現，便於應用在可隨身攜帶之微型投影系統中。

為達上述目的，本發明揭露一種用於一微型投影系統之發光二極體裝置，包含一底部基板、一陽極部、至少一陰極部、至少一發光二極體(light emitting diode,LED)晶片以及一透光元件。陽極部及至少一陰極部均設置於底部基板上，至少一LED晶片設置於陽極部上並與陽極部及至少一陰極部電性連接，透光元件覆蓋於底部基板上，以界定一空腔。

為達上述目的，本發明更揭露一種用於一微型投影系統之發光二極體裝置，包含一底部基板、一陽極部、至少一陰極部、至少一LED晶片、一環繞基板以及一透光元件。陽極部及至少一陰極部均設置於底部基板上，至少一LED晶片設置於陽極部上並與陽極部及至少一陰極部電性連接，環繞基板具有一環繞部及一中空部，透光元件係直接覆蓋於環繞基板上，以中空部界定出空腔。

為讓上述目的、技術特徵和優點能更明顯易懂，下文係以較佳實施例配合所附圖式進行詳細說明。

以下將透過實施例來解釋本發明之發光二極體裝置，然而，關於實施例之說明僅為闡釋本發明，而非用以限制本發明。須說明者，下述實施例中，以下實施例以及圖式中，與本發明非直接相關之元件已省略而未繪示；且圖示中各元件之尺寸及相對位置關 係僅用以示意俾便瞭解，非用以限制實際比例及尺寸大小。

如第1A圖至第1C圖所示，本發明之第一實施例係為一種用於一微型投影系統之發光二極體(light emitting diode,LED)裝置1，發光二極體裝置1包含一底部基板101、一陽極部103、二陰極部105、一發光二極體晶片107、一環繞基板109以及一透光元件111。由於本實施例之發光二極體裝置1僅具有單一發光二極體晶片107，故又可稱單晶發光二極體裝置。

如圖所示，陽極部103及二陰極部105均設置於底部基板101上。發光二極體晶片107設置於陽極部103上，且發光二極體晶片107與陽極部103及其中一個陰極部105分別以引線電性連接。環繞基板109具有一環繞部109a及一中空部109b，透光元件111係直接覆蓋於環繞基板109之環繞部109a上，以中空部109b界定出空腔。

由於本實施例中，每一發光二極體裝置1僅包含一發光二極體晶片107，為得到良好的投影光源品質，應用時可組合數個本實施例之發光二極體裝置1。舉例而言，微型投影系統中可採用三個本實施例之發光二極體裝置，而此等發光二極體裝置分別包含紅光、綠光及藍光三原色之發光二極體晶片。此外，發光二極體裝置之數量亦可因應需求而調整。

第1D圖係本發明第一實施例之發光二極體裝置另一實施態樣之上視圖。考量應用時可能會有操作電流過高的問題，故於本實施態樣中，發光二極體裝置1’更包含一齊納二極體(Zener diode)113，藉以使發光二極體裝置1’之電路穩壓。齊納二極體113係設 置於發光二極體裝置1’之陽極部103上，並以引線與二陰極部105其中之一電性連接。於本實施態樣中，係以單一齊納二極體113進行單一發光二極體晶片之穩壓，但本發明並不以此為限。於本實施態樣之發光二極體裝置1’中，其餘元件均與第一實施例之發光二極體裝置1相同，故於此不另贅述。

第2圖係本發明第二實施例之發光二極體裝置上視圖，本實施例之發光二極體裝置2與第一實施例之發光二極體裝置1類似，相異處僅在於電極部之數量及外型，以本實施例而言，發光二極體裝置2僅包含一陽極部201及一陰極部203。

如第3A圖至第3C圖所示，本發明之第三實施例亦為一種用於一微型投影系統之發光二極體裝置3，發光二極體裝置3包含一底部基板301、一陽極部303、二陰極部305、二發光二極體晶片307、一環繞基板309以及一透光元件311，二陰極部305分別與二發光二極體晶片307電性連接。由於本實施例之發光二極體裝置3具有二個發光二極體晶片307，故又可稱雙晶發光二極體裝置。本實施例之元件關係亦如第一實施例所述，故於此不另重言。

於本實施例中，每一發光二極體裝置3包含二發光二極體晶片307，為得到良好的投影光源品質，應用時可組合數個本實施例之發光二極體裝置3。舉例而言，微型投影系統中可採用三個本實施例之發光二極體裝置，而此等發光二極體裝置分別包含紅光及綠光、綠光及藍光、藍光及紅光之發光二極體晶片。熟知本領域技術者亦可推及其他顏色之發光二極體晶片組合，舉例而言，各發光二極體裝置可包含同一顏色之發光二極體晶片，例如分別均為紅光、綠光及藍光。此外，發光二極體裝置之數量亦可因應需求 而調整。

第3D圖係本發明第三實施例之發光二極體裝置另一實施態樣之上視圖。考量應用時可能會有操作電流過高的問題，故於本實施態樣中，發光二極體裝置3’更包含二齊納二極體313，藉以使發光二極體裝置3’之電路穩壓。齊納二極體313均設置於發光二極體裝置3’之陽極部303上，並分別以引線與相鄰之陰極部305電性連接。於本實施態樣中，係以二個齊納二極體313分別用於二片發光二極體晶片之穩壓；基於前文所述，亦可僅採用單一齊納二極體，藉以進行發光二極體晶片之穩壓動作。於本實施態樣之發光二極體裝置3’中，其餘元件均與第三實施例之發光二極體裝置3相同，故於此不另贅述。

第4A圖係本發明第四實施例之發光二極體裝置上視圖，本實施例之發光二極體裝置4與第三實施例之發光二極體裝置3類似，相異處僅在於電極部之外型設計，熟知本領域技術者應可輕易推及其他外觀態樣。

第4B圖為本發明第四實施例之發光二極體裝置另一實施態樣之上視圖。考量應用時可能會有操作電流過高的問題，故於本實施態樣中，發光二極體裝置4’更包含二齊納二極體413，藉以使發光二極體裝置4’之電路穩壓。齊納二極體413均設置於發光二極體裝置4’之陽極部403上，並分別以引線與相鄰之陰極部405電性連接。於本實施態樣中，係以二個齊納二極體413分別用於二片發光二極體晶片之穩壓；如同前文所述，亦可僅採用單一齊納二極體，藉以進行發光二極體晶片之穩壓動作。於本實施態樣之發光二極體裝置4’中，其餘元件均與第四實施例之發光二極體 裝置4相同，故於此不另贅述。

第5圖係本發明第五實施例之發光二極體裝置上視圖，同樣地，本實施例之發光二極體裝置5與第三實施例之發光二極體裝置3類似，相異處僅在於電極部之外型設計，熟知本領域技術者亦可輕易推及其他外觀態樣。

如第6A圖至第6C圖所示，本發明之第六實施例亦為一種用於一微型投影系統之發光二極體裝置6。發光二極體裝置6包含一底部基板601、一陽極部603、四陰極部605、三發光二極體晶片607、一環繞基板609以及一透光元件611，三發光二極體晶片607分別與其中三個陰極部605電性連接。由於本實施例之發光二極體裝置6具有三個發光二極體晶片607，故又可稱三晶發光二極體裝置。本實施例之元件關係亦如第一實施例所述，故於此不另再言。

於本實施例中，每一發光二極體裝置6包含三發光二極體晶片607，為得到良好的投影光源品質，應用時可組合數個本實施例之發光二極體裝置6。舉例而言，微型投影系統中可採用至少一個本實施例之發光二極體裝置，而此種發光二極體裝置均包含紅光、綠光及藍光三原色之發光二極體晶片，亦即單一發光二極體裝置便可提供三原色之光線。熟知本領域技術者亦可推及其他顏色之發光二極體晶片組合，舉例而言，各發光二極體裝置可包含同一顏色之發光二極體晶片，例如分別均為紅光、綠光及藍光。此外，發光二極體裝置之數量亦可因應需求而調整。

第6D圖係本發明第六實施例之發光二極體裝置另一實施態樣之上視圖。考量應用時可能會有操作電流過高的問題，故於本實施態樣中，發光二極體裝置6’更包含一齊納二極體613，藉以使 發光二極體裝置6’之電路穩壓。齊納二極體613係設置於發光二極體裝置6’之陽極部603上，並以引線與未和發光二極體晶片607電性連接之陰極部605電性連接。於本實施態樣中，僅以單一齊納二極體613作為三片發光二極體晶片607之穩壓；基於前文所述，亦可採用二個或三個齊納二極體進行發光二極體晶片之穩壓。於本實施態樣之發光二極體裝置6’中，其餘元件均與第六實施例之發光二極體裝置6相同，故於此不另贅述。

第7A圖係本發明第七實施例之發光二極體裝置上視圖，本實施例之發光二極體裝置7與第六實施例之發光二極體裝置6類似，相異處僅在於電極部之外型設計，熟知本領域技術者應可輕易推及其他外觀態樣。

第7B圖係本發明第七實施例之發光二極體裝置另一實施態樣之上視圖。考量應用時可能會有操作電流過高的問題，故於本實施態樣中，發光二極體裝置7’更包含二齊納二極體713，藉以使發光二極體裝置7’之電路穩壓。齊納二極體713均設置於發光二極體裝置7’之陽極部703上，並分別以引線與相鄰之陰極部705電性連接。於本實施態樣中，係以二個齊納二極體713作為三片發光二極體晶片之穩壓；基於前文所述，亦可採用單一或三個齊納二極體進行發光二極體晶片之穩壓動作。於本實施態樣之發光二極體裝置7’中，其餘元件均與第七實施例之發光二極體裝置7相同，故於此不另贅述。

如第8A圖至第8C圖所示，本發明第八實施例同為一種用於一微型投影系統之發光二極體裝置8，發光二極體裝置8包含一底部基板801、一陽極部803、四陰極部805、四發光二極體晶片807、 一環繞基板809以及一透光元件811，四陰極部805分別與四發光二極體晶片807電性連接。由於本實施例之發光二極體裝置8具有四個發光二極體晶片807，故又可稱四晶發光二極體裝置。本實施例之元件關係亦如第一實施例所言，故於此不另再述。該四個發光二極體(LED)晶片807可為一紅光LED晶片、二綠光LED晶片及一藍光LED晶片。

第8D圖係本發明第八實施例之發光二極體裝置另一實施態樣之上視圖。考量應用時可能會有操作電流過高的問題，故於本實施態樣中，發光二極體裝置8’更包含四齊納二極體813，藉以使發光二極體裝置8’之電路穩壓。齊納二極體813均設置於發光二極體裝置8’之陽極部803上，並分別以引線與相鄰之陰極部805電性連接。於本實施態樣中，係以四個齊納二極體813分別用於四片發光二極體晶片之穩壓；基於前文所述，亦可採用單一或其他數目之齊納二極體，藉以進行發光二極體晶片之穩壓動作。於本實施態樣之發光二極體裝置8’中，其餘元件均與第八實施例之發光二極體裝置8相同，故於此不另贅述。

第9圖係本發明第九實施例之發光二極體裝置上視圖，本實施例之發光二極體裝置9與第八實施例之發光二極體裝置8類似，相異處僅在於電極部之外型設計，熟知本領域技術者應可輕易推及其他外觀態樣。

於上述各實施例及各實施態樣中，透光元件係為一玻璃，尤其係為一抗光折射玻璃。於其他實施態樣中，透光元件亦可採用一依光學所設計之透鏡；在實際應用上若微型投影系統不需覆蓋透 明玻璃或透鏡，亦可僅蓋以簡易的透鏡以便出貨。再者，前述說明之發光二極體裝置均具有環繞基板，而於實際應用時，亦可省略此元件。

依前段所述，熟知本領域技術者可分別推及：如第10A圖之剖面圖所示，採用抗光折射之平板玻璃且具有環繞基板之發光二極體裝置10a；如第10B圖之剖面圖所示，採用抗光折射之ㄇ形玻璃且不具有環繞基板之發光二極體裝置10b；如第11A圖之剖面圖所示，採用凸透鏡且具有環繞基板之發光二極體裝置11a；如第11B圖之剖面圖所示，採用凸透鏡且不具有環繞基板之發光二極體裝置11b。

此外，上述各實施例及各實施態樣中，環繞基板係為一低溫共燒陶瓷(Low temperature co-fired ceramic,LTCC)，底部基板則係為一氮化鋁(AlN)，氮化鋁是極少數同時具備高熱傳導係數及電絕緣性的非金屬固體，屬於一種良好的陶瓷基板材料。由於環繞基板與底部基板均係採用陶瓷基板，散熱性良好，且因發光二極體裝置應用端之操作電流不高，故在散熱方面不會產生任何問題。

此外，環繞基板上均設有供產線機台進行對位之對位孔，此對位孔可依產線機台特性進行設計，藉此在發光二極體裝置之製造組裝將具有更良好的精準度。

再者，在本發明中，考量電極部在模組端之吃錫面積，本發明之發光二極體裝置中，於現有製程製作允許之條件下將背面之電極部面積設計至最大，並將散熱電極部及陽極部共用，藉以促進發光二極體晶片之散熱。

本發明之發光二極體晶片可依應用需求而採用垂直式晶片或水 平式晶片。此外，發光二極體晶片之電極型式亦不限定，當發光二極體晶片之兩電極係分別位於底部時，每一發光二極體晶片之兩電極可實質上與陽極部和相應之陰極部接觸，藉以達到電性連接；而當發光二極體晶片之兩電極係分別位於頂部時，每一發光二極體晶片之兩電極可分別透過打線而與陽極部和相應之陰極部電性連接。

對於微型投影系統來說，封裝內晶片間距越小越好，為因應基板製程以及固晶機台所能達到之極限，本發明將電極部作新的設計，除了在基板製程方面不會有任何問題外，也可因應固晶機台的極限及機台之誤差。此外對於元件品質來說，本發明之共陽極設計易於進行檢測，無異提供了出貨品質更可靠的保障。

若要將微型投影系統整合於手機中，微型投影系統體積至少要小於6cc，而總厚度則需小於7mm。此發光二極體裝置封裝的設計為配合晶片大小以及製程上的問題，並配合微型投影系統以薄為導向，將此基板設計至能容許以上問題之最小尺寸，寬度僅為3.6mm的設計，有利於投影系統微型化，未來在薄型化的手機及其他電子產品市場中將佔有尺寸上的優勢。

此款基板最大的特點就是固晶區之電極部設計。由於微型投影系統係以小螢幕作為基礎，藉以放大成像為大螢幕，因此微型投影系統內部可容許的缺陷量極低，而根據光展量(Etendue)之公式(Etendue=A×Ω)可知，微型投影系統中之光源設計主要重點在於發光面積及發光角度。

為了使發光面積縮小，必須將發光二極體之晶片間距縮小，亦 即晶片間距越小對於提升微型投影系統之效率越佳，是故本發明將固晶區設計為一個可容納數顆發光二極體晶片的大面積陽極部(亦即共陽極)，而未直接地區分出數個陽極部。藉此，在量產機台的能力允許範圍內(機台之誤差大約為±40μm)，便可將晶片間距大幅縮小(<0.07mm)，可增加微型投影系統輸出的效率，更能符合客戶應用端的需求。本發明目前已將基板之功能區面積縮小至製程能力的極限，隨著未來製程進步，勢必能再將本發明之發光二極體裝置尺寸再進一步縮小。

針對不同微型投影系統及其內部光路設計，本發明之發光二極體裝置分別有單晶、兩晶、三晶及四晶之封裝形式，對於光路設計來說，可設計成三條、兩條及一條光路，對微型投影系統之製造設計廠商而言，設計方案及材料選擇較為多元，無需配合發光二極體裝置之光路設計微型投影系統，而可以從微型投影系統之需求去尋找最適合的搭配組合。

再者，發光二極體晶片之顏色及發光二極體裝置之封裝可隨需求而進行搭配，熟知本發明技術領域者可以輕易推及多種搭配方式，故發光二極體晶片之排列方式及顏色並不侷限上述提供之實施例及態樣，例如可為單晶+二晶、三個單晶等，藉以配合微型投影系統之光源需求。而每一發光二極體裝置之封裝內晶片搭配或排列均隨需求選擇，搭配彈性高。

本發明之發光二極體裝置之封裝無須填膠，而是直接覆蓋一片抗光折射玻璃，藉以有效減少光的折射，使發光二極體裝置成為一點光源而不是一面光源，維持原有的聚光效果；故可在量產時 減少許多的成本及工時；此外，如果改為覆蓋透鏡，亦可同樣採用內部不填膠的封裝方式，以確保高可靠度。

承上段所述，本發明之發光二極體裝置具有多種封裝形式。因應現今微型投影系統尺寸上的要求，直接將二次光學的部份設計於封裝上，使發光二極體裝置除了是光源亦可直接進行光學設計。是故可搭配不同角度及形狀的透鏡，封裝方式極具彈性，不同於過去發光二極體裝置隨客需封裝而彈性較小，此對於微型投影系統之光學設計及製程上均能減少一道工夫。

上述之實施例僅用以例舉本發明之實施態樣、及闡釋本發明之技術特徵，並非用來限制本發明之範疇。任何熟悉此技術者可輕易完成之改變或均等性之安排均屬於本發明所主張之範圍，本發明之權利範圍應以申請專利範圍為準。

1‧‧‧發光二極體裝置

1’‧‧‧發光二極體裝置

101‧‧‧底部基板

103‧‧‧陽極部

105‧‧‧陰極部

107‧‧‧發光二極體晶片

109‧‧‧環繞基板

109a‧‧‧環繞部

109b‧‧‧中空部

111‧‧‧透光元件

113‧‧‧齊納二極體

2‧‧‧發光二極體裝置

201‧‧‧陽極部

203‧‧‧陰極部

3‧‧‧發光二極體裝置

3’‧‧‧發光二極體裝置

301‧‧‧底部基板

303‧‧‧陽極部

305‧‧‧陰極部

307‧‧‧發光二極體晶片

309‧‧‧環繞基板

311‧‧‧透光元件

313‧‧‧齊納二極體

4‧‧‧發光二極體裝置

4’‧‧‧發光二極體裝置

403‧‧‧陽極部

405‧‧‧陰極部

413‧‧‧齊納二極體

5‧‧‧發光二極體裝置

6‧‧‧發光二極體裝置

6’‧‧‧發光二極體裝置

601‧‧‧底部基板

603‧‧‧陽極部

605‧‧‧陰極部

607‧‧‧發光二極體晶片

609‧‧‧環繞基板

611‧‧‧透光元件

613‧‧‧齊納二極體

7‧‧‧發光二極體裝置

7’‧‧‧發光二極體裝置

703‧‧‧陽極部

705‧‧‧陰極部

713‧‧‧齊納二極體

8‧‧‧發光二極體裝置

8’‧‧‧發光二極體裝置

801‧‧‧底部基板

803‧‧‧陽極部

805‧‧‧陰極部

807‧‧‧發光二極體晶片

809‧‧‧環繞基板

811‧‧‧透光元件

813‧‧‧齊納二極體

9‧‧‧發光二極體裝置

10a‧‧‧發光二極體裝置

10b‧‧‧發光二極體裝置

11a‧‧‧發光二極體裝置

11b‧‧‧發光二極體裝置

第1A圖係本發明第一實施例之發光二極體裝置上視圖；第1B圖係本發明第一實施例之發光二極體裝置立體圖；第1C圖係本發明第一實施例之發光二極體裝置剖面圖；第1D圖係本發明第一實施例之發光二極體裝置另一實施態樣之上視圖；第2圖係本發明第二實施例之發光二極體裝置上視圖；第3A圖係本發明第三實施例之發光二極體裝置上視圖；第3B圖係本發明第三實施例之發光二極體裝置立體圖；第3C圖係本發明第三實施例之發光二極體裝置剖面圖；第3D圖係本發明第三實施例之發光二極體裝置另一實施態樣 之上視圖；第4A圖係本發明第四實施例之發光二極體裝置上視圖；第4B圖係本發明第四實施例之發光二極體裝置另一實施態樣之上視圖；第5圖係本發明第五實施例之發光二極體裝置上視圖；第6A圖係本發明第六實施例之發光二極體裝置上視圖；第6B圖係本發明第六實施例之發光二極體裝置立體圖；第6C圖係本發明第六實施例之發光二極體裝置剖面圖；第6D圖係本發明第六實施例之發光二極體裝置另一實施態樣之上視圖；第7A圖係本發明第七實施例之發光二極體裝置上視圖；第7B圖係本發明第七實施例之發光二極體裝置另一實施態樣之上視圖；第8A圖係本發明第八實施例之發光二極體裝置上視圖；第8B圖係本發明第八實施例之發光二極體裝置立體圖；第8C圖係本發明第八實施例之發光二極體裝置剖面圖；第8D圖係本發明第八實施例之發光二極體裝置另一實施態樣之上視圖；第9圖係本發明第九實施例之發光二極體裝置上視圖；第10A圖係本發明發光二極體裝置之一應用態樣之剖面圖；第10B圖係本發明發光二極體裝置之另一應用態樣之剖面圖；第11A圖係本發明發光二極體裝置之又一應用態樣之剖面圖；以及第11B圖係本發明發光二極體裝置之再一應用態樣之剖面圖。

1‧‧‧發光二極體裝置

101‧‧‧底部基板

103‧‧‧陽極部

105‧‧‧陰極部

107‧‧‧發光二極體晶片

109‧‧‧環繞基板

109a‧‧‧環繞部

109b‧‧‧中空部

111‧‧‧透光元件

Claims (15)

1. 一種用於一微型投影系統之發光二極體裝置，包含：一底部基板；一陽極部，設置於該底部基板上；至少一陰極部，設置於該底部基板上；複數個發光二極體(light emitting diode,LED)晶片，設置於該陽極部上，該等LED晶片共同與該陽極部電性連接，且該等LED晶片與該至少一陰極部電性連接，該等LED晶片的間距小於0.07mm；一透光元件，覆蓋於該底部基板上，以界定一空腔；以及一環繞基板，具有一環繞部及一中空部，該透光元件係直接覆蓋於該環繞基板上，以該中空部界定出該空腔，而該空腔為無填膠者。
2. 如請求項1所述之發光二極體裝置，其中該透光元件係為一玻璃或一透鏡。
3. 如請求項2所述之發光二極體裝置，其中該玻璃係為一抗光折射玻璃。
4. 如請求項1所述之發光二極體裝置，更包含至少一齊納二極體(Zener diode)。
5. 如請求項1所述之發光二極體裝置，其中該底部基板係為一氮化鋁(AlN)基板。
6. 如請求項1所述之發光二極體裝置，其中該環繞基板係為一低溫共燒陶瓷基板(LTCC，Low Temperature Co-fired Ceramic)。
7. 一種用於一微型投影系統之發光二極體裝置，包含：一底部基板；一陽極部，設置於該底部基板上；複數個陰極部，設置於該底部基板上；複數個發光二極體(light emitting diode,LED)晶片，設置於該陽極部上，該等LED晶片共同與該陽極部電性連接，且各該LED晶片係分別與各該陰極部電性連接，該等LED晶片之數量與該等陰極部之數量相同；一透光元件，覆蓋於該底部基板上，以界定一空腔；以及一環繞基板，具有一環繞部及一中空部，該透光元件係直接覆蓋於該環繞基板上，以該中空部界定出該空腔。
8. 如請求項7所述之發光二極體裝置，其中該等LED晶片係為垂直式晶片或水平式晶片。
9. 如請求項7所述之發光二極體裝置，其中該等LED晶片係為一紅光LED晶片、一綠光LED晶片及一藍光LED晶片其中之一。
10. 如請求項7所述之發光二極體裝置，其中該等LED晶片之數量為二個，且該等陰極部之數量為二個，分別與該二個LED晶片電性連接。
11. 如請求項10所述之發光二極體裝置，其中該二個LED晶片係為一紅光LED晶片及一綠光LED晶片、一紅光LED晶片及一藍光LED晶片，或一綠光LED晶片及一藍光LED晶片。
12. 如請求項7所述之發光二極體裝置，其中該等LED晶片之數量為三個，且該等陰極部之數量為三個，分別與該三個LED晶片電性連接。
13. 如請求項12所述之發光二極體裝置，其中該三個LED晶片係為一紅光LED晶片、一綠光LED晶片及一藍光LED晶片。
14. 如請求項7所述之發光二極體裝置，其中該等LED晶片之數量為四個，且該等陰極部之數量為四個，分別與該四個LED晶片電性連接。
15. 如請求項14所述之發光二極體裝置，其中該四個LED晶片係為一紅光LED晶片、二綠光LED晶片及一藍光LED晶片。