TWI485428B - 電濕潤顯示面板 - Google Patents

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TWI485428B
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    • G02OPTICS
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    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/004Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on a displacement or a deformation of a fluid
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Description

電濕潤顯示面板
本發明揭露一種電潤濕顯示面板結構,於面板結構中透過一屏蔽電極的設置,有效解決傳統電潤濕顯示結構中,非極性液體作動後無法微縮至主動式元件、畫素電容或其他具電性之畫素結構上,有效提高電潤濕顯示器於穿透式應用模式下的穿透率。
電潤濕顯示面板一般包括上電極、下電極以及夾於兩電極之間的極性流體以及非極性流體。電潤濕顯示面板的操作方法是,當未施加電壓時,非極性流體佈滿畫素單元。如此可使入射光被非極性流體吸收而使所述畫素單元呈現暗態。另外,當欲使畫素單元呈現亮態時,則對其上下兩電極施加電壓,以使非極性流體匯集並降低在所述畫素單元中所占比例,進而露出位於非極性流體下方的反射層或是光源。如此可使入射光被反射層反射或是使光源的光線可以穿過畫素單元露出的區域而呈現亮態。
一般來說,上述的電壓施加可以透過畫素單元中的主動元件(例如薄膜電晶體)來進行,其中主動元件大多是利用不透光的 金屬作為傳輸訊號用的電極。由於主動元件必須持續電訊號的傳遞,這使得非極性流體無法穩定的匯集於主動元件上方的區域。因此,在已知的設計中,施加電壓的狀態下,非極性流體匯集所佔據的區域與主動元件所在區域各自獨立,且此兩區域都無法反射光線或是使光線穿透,亦即無法成為有效的顯示區域。因此,使電潤濕顯示面板的顯示開口率受到限制。
本揭露提供一種電潤濕顯示面板,具有理想的顯示開口率。
本揭露的電潤濕顯示面板,包括一主動元件陣列基板、一介電層、一擋牆結構、一對向基板、一第一流體以及一第二流體。主動元件陣列基板包括一第一基板以及多個畫素結構。畫素結構配置於第一基板上,其中各畫素結構包括一屏蔽電極、一主動元件以及電性連接於主動元件的一畫素電極。主動元件位於屏蔽電極與第一基板之間,且屏蔽電極連接至一共用電位。介電層配置於主動元件陣列基板上且覆蓋畫素結構。擋牆結構配置於主動元件陣列基板上,具有多個開口。各畫素結構的主動元件以及畫素電極位於其中一個開口之內。畫素結構位於第一基板與對向基板之間。第一流體設置於介電層與對向基板之間。第二流體設置於介電層與第一流體之間。
本揭露的另一種電潤濕顯示面板,包括一主動元件陣列 基板、一介電層、一擋牆結構、一對向基板、一第一流體以及一第二流體。主動元件陣列基板包括一第一基板、多條掃描線、多條資料線以及多個畫素結構。畫素結構配置於第一基板上。各畫素結構包括一屏蔽電極、一主動元件以及電性連接於主動元件的一畫素電極。主動元件位於屏蔽電極與第一基板之間。掃描線開啟或關閉畫素結構的主動元件以將資料線上的電壓透過主動元件傳遞給對應的畫素電極,且各畫素結構的屏蔽電極與主動元件分別連接第i條與第j條掃描線,i與j為正整數,且j不等於i。介電層配置於主動元件陣列基板上且覆蓋畫素結構。擋牆結構配置於主動元件陣列基板上,並具有多個開口。各畫素結構的主動元件以及畫素電極位於其中一開口之內。畫素結構位於第一基板與對向基板之間。第一流體設置於介電層與對向基板之間。第二流體設置於介電層與第一流體之間。
基於上述,本揭露實施例的畫素結構中包括有覆蓋主動元件的屏蔽電極,且屏蔽電極甚至可以進一步覆蓋儲存電容結構。因此,主動元件進行電訊號傳遞時屏蔽電極所提供的屏蔽作用可以降低訊號傳遞對第一流體的影響。因此,第二流體可以匯集於主動元件上方而不需匯集於主動元件之外的區域,進而提升電潤濕顯示面板的顯示開口率。
為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
100、100A、200、300、300A、400、500‧‧‧電潤濕顯示面板
110、400A、500A‧‧‧主動元件陣列基板
112、402、502‧‧‧第一基板
114、404、504‧‧‧掃描線
116、406、506‧‧‧資料線
118、410、510‧‧‧畫素結構
118A、412、512‧‧‧主動元件
118B、414、514‧‧‧畫素電極
118C、118C’、416、516‧‧‧屏蔽電極
120‧‧‧對向基板
122‧‧‧第二基板
124‧‧‧對向電極
130、IL‧‧‧介電層
132‧‧‧開口
140‧‧‧擋牆結構
142‧‧‧開口
150‧‧‧第一流體
160‧‧‧第二流體
170、408、508‧‧‧共用電極線
172‧‧‧儲存電容電極
310、310A‧‧‧支撐物
418‧‧‧儲存電容電極
518‧‧‧電容電極
518A‧‧‧儲存電容上電極
518B‧‧‧儲存電容下電極
C‧‧‧通道層
Cs‧‧‧儲存電容結構
D‧‧‧汲極
G‧‧‧閘極
GI‧‧‧閘絕緣層
H‧‧‧高度
I-I’、II-II’、III-III’、IV-IV’‧‧‧剖線
PA‧‧‧保護層
PV1、PV2‧‧‧第一、第二保護層
PV‧‧‧保護層
R‧‧‧收縮區
S‧‧‧源極
T‧‧‧厚度
V1、V2、V3‧‧‧接觸窗
圖1A為本揭露第一實施例的電潤濕顯示面板的局部上視示意圖。
圖1B與圖1C為圖1A的電潤濕顯示面板沿剖線I-I’與剖線II-II’的剖面示意圖,其中圖1B與圖1C表示為不同的顯示狀態。
圖2為本揭露第二實施例的電濕潤顯示面板的局部上視示意圖。
圖3A為本揭露第三實施例的電潤濕顯示面板的局部上視示意圖。
圖3B與圖3C為圖3A的電潤濕顯示面板在操作時的示意圖,其中圖3B與圖3C以陰影區域來表示第二流體在其中一個畫素結構中的分布情形。
圖4A與圖4B為本揭露第四實施例的電潤濕顯示面板的局部剖面示意圖,其中圖4A與圖4B表示為不同的狀態。
圖4C為本揭露第五實施例的電潤濕顯示面板的局部剖面示意圖。
圖5為本發明第六實施例的電潤濕顯示面板的局部上視示意圖。
圖6A與圖6B為圖5的電潤濕顯示面板沿剖線III-III’的剖面示意圖,其中圖6A與圖6B表示為不同的狀態。
圖7為本揭露第七實施例的電潤濕顯示面板的局部上視示意 圖。
圖8A與圖8B為圖7的電潤濕顯示面板沿剖線IV-IV’的剖面示意圖,其中圖8A與圖8B表示為不同的狀態。
圖1A為本揭露第一實施例的電潤濕顯示面板的局部上視示意圖,而圖1B與圖1C為圖1A的電潤濕顯示面板沿剖線I-I’與剖線II-II’的剖面示意圖,其中圖1B與圖1C表示為不同的顯示狀態。請同時參照圖1A與圖1B,電潤濕顯示面板100包括主動元件陣列基板110、對向基板120、介電層130、擋牆結構140、第一流體150與第二流體160。在本實施例中,主動元件陣列基板110與對向基板120彼此相對。介電層130與擋牆結構140都設置於主動元件陣列基板110上,且擋牆結構140定義出多個開口142。第一流體150與第二流體160都設置於主動元件陣列基板110與對向基板120之間,並且第二流體160位於第一流體150與主動元件陣列基板110之間。在此,第一流體150與第二流體160其中一者為極性流體而另一者為非極性流體,因此第一流體150與第二流體160實質上不互溶。值得一提的是,圖1表示電潤濕顯示面板100的上視圖,因此有部分堆疊在一起的構件無法在圖1A中表示出來。不過,所屬技術領域中具備通常知識者可以參照圖1A與圖1B而理解圖1A中沒有表示的構件為何者。
具體而言,主動元件陣列基板110包括有第一基板112、 多條掃描線114、多條資料線116以及多個畫素結構118,其中各個畫素結構118包括有主動元件118A、畫素電極118B以及屏蔽電極118C並且各個畫素結構118位於對應的其中一個開口142之內。也就是說,在本實施例中,擋牆結構140沒有完全地遮蔽住主動元件118A、畫素電極118B與屏蔽電極118C。主動元件118A連接於對應的掃描線114與對應的資料線116,而畫素電極118B電性連接於主動元件118A。另外,屏蔽電極118C之至少一部分區域位於主動元件118A上方以使主動元件118A位於屏蔽電極118C與第一基板112之間。在本實施例中,畫素電極118B與屏蔽電極118C可以由相同的導電層材料在相同製程製作,但不以此為限。並且,屏蔽電極118C電性獨立於畫素電極118B而連接至一共用電位。舉例而言,主動元件陣列基板110上可以設置有至少一條共用電極線170,而屏蔽電極118C可以電性連接至共用電極線170。此時,共用電極線170用來傳遞共用電位,且共用電位可以為接地電位或是參考電位。另外,畫素電極118B可以部份地重疊於共用電極線170以構成畫素結構118所需要的儲存電容結構Cs,因此,共用電極線170重疊於畫素電極118B的部分可以視為儲存電容電極172。
在主動元件陣列基板110中,各個畫素結構118的主動元件118A包括有閘極G、通道層C、源極S與汲極D,其中閘極G連接於掃描線114,通道層C位於閘極G上方,源極S連接於資料線116,且源極S與汲極都接觸於通道層C並位於閘極G的 兩側。如此,掃描線114用以開啟或是關閉主動元件118A,以讓資料線116上的電壓對應的傳遞至畫素電極118B。在此,主動元件118A以底閘型薄膜電晶體的結構為例進行說明,但不以此為限。舉例而言,在其他實施例中,主動元件118A可以藉由頂閘型薄膜電晶體來實現。此外,主動元件118A中的通道層C可以採用半導體材質加以製作,其中半導體材質包括有非晶矽、多晶矽、氧化物半導體、有機半導體或是其他具有半導體性質的材料。
另外,主動元件陣列基板110還包括有閘絕緣層GI與保護層PA,其中閘絕緣層GI設置於閘極G與通道層C之間並且可以覆蓋住掃描線114與共用電極線170,保護層PA則覆蓋住主動元件118A、掃描線114、資料線116與共用電極線170。此時,為了讓畫素電極118B連接於主動元件118A,保護層PA中設置有一接觸窗V1使得畫素電極118B透過接觸窗V1接觸於汲極D。另外,為了實現屏蔽電極118C與共用電極線170的電性連接,閘絕緣層GI中設置有一接觸窗V2而保護層PA中設置有另一接觸窗V3。接觸窗V2與接觸窗V3彼此連通,使得屏蔽電極118C透過此兩者接觸於共用電極線170。在一實施例中,接觸窗V1、接觸窗V2與接觸窗V3可以藉由同一個圖案化製程來製作。
對向基板120包括有第二基板122與對向電極124,其中第一基板112與第二基板122例如都是透明基板。對向電極124可以被施加一共同電壓,所以在畫素電極118B也被施加電壓時對向電極124與畫素電極118B之間的壓差造成極性第一流體150對 介電層130表面親和,進而改變第二流體160與第一流體150的分佈狀態。
在本實施例中,介電層130配置於主動元件基板110上,並且覆蓋這些畫素結構118。並且,擋牆結構140設置於介電層130上。在一較佳實施例中,擋牆結構140作為限定第二流體160的分佈狀態,如此一來,第二流體160可以在第一流體150與介電層130之間流動,而不會溢流到相鄰畫素結構。再者,為了達到顯示的效果,第一流體150可以為透明流體而第二流體160可以具有吸光性質或具有顏色的不透明流體,因此第二流體160在不同的分佈狀態下可以提供不同的顯示效果。
在本實施例中,介電層130與擋牆結構140具有不同的性質以使第二流體160保持在第一流體150與介電層130之間流動。當擋牆結構140具有親水性時,介電層130可以具有疏水性,第一流體150為極性流體而第二流體160為非極性流體。介電層130可以為多層結構。在一實施例中,介電層130可由一層絕緣膜層與一層疏水膜層堆疊而成,且疏水膜層覆蓋於絕緣膜層之上。另外,介電層130也可選擇性地由多層絕緣膜層與多層疏水膜層交替堆疊而成。
具體來說,請參照圖1B,在本實施例中,畫素結構118的畫素電極118B未被施加電壓時,介電層130對第二流體160的親和力大於對第一流體150的親和力。因此,第二流體160將擴散地分佈於介電層130與第一流體150之間。另外,請參照圖1C 與圖1A,在畫素電極118B與對向電極124被施加電壓時,介電層130表面對於第一流體150的親和力增加。因此,第二流體160將受到第一流體150的推擠而流動至開口142的邊緣並且匯集至收縮區R中以暴露出開口142的大部分面積。
在電潤濕顯示面板100應用於穿透式顯示器時,電潤濕顯示面板100可設置於一背光模組(未繪示)上方。在圖1B的狀態下,基於第二流體160的吸光性質,背光模組的光線無法穿透開口142而呈現暗態畫面。在圖1C的狀態下,基於第二流體160匯集至收縮區R中而暴露出開口142的大部分面積,背光模組的光線可以穿透開口142而呈現亮態畫面。
在其他實施例中,電潤濕顯示面板100應用於反射式顯示器時,電潤濕顯示面板100的非主動元件區可額外設置有一反射層(未繪示),或設置於第一基板112與介電層130之間(未繪示),或介電層本身為反射層,或是畫素電極118B本身為反射電極。在圖1B的狀態下,基於第二流體160的吸光性質,由外界入射的光線無法穿透第二流體160而不會被反射層或畫素電極118B反射以呈現暗態畫面。在圖1C的狀態下,基於第二流體160暴露出開口142的大部分面積,由外界入射的光線可以穿透第一流體150而被反射層或畫素電極118B反射以呈現亮態畫面。藉由上述操作,電潤濕顯示面板100可以顯示不同灰階以呈現所需要的影像。
在本實施例中,介電層130與主動元件118A之間設置有 屏蔽電極118C,使得主動元件118A的電訊號傳遞對於介電層130的影響會被屏蔽。因此,在本實施例中,在顯示亮態畫面時,第二流體160可以匯集至主動元件118A上方,也就是至少遮蔽住主動元件118A所在區域,或是主動元件118A位於收縮區R內。如此一來,不透光的主動元件118A與第二流體160堆疊在一起而讓可透光的面積增加以提升顯示開口率。
圖2為本揭露第二實施例的電潤濕顯示面板的局部上視示意圖。請參照圖2,電潤濕顯示面板100A,大致相同於電潤濕顯示面板100,且兩者的相同構件將以相同的元件符號標示,重複之處不另贅述。具體而言,在電潤濕顯示面板100A中,畫素結構118以陣列方式排列,且每一列的畫素結構118都對應於其中一條共用電極線170。在本實施例中,屏蔽電極118C’朝向前一列或是次一列的畫素結構118延伸而連接於前一列或是次一列畫素結構118所對應的共用電極線170。因此,屏蔽電極118C’可以橫越掃描線114。
在以上的實施例中,畫素結構118包括有遮蔽住主動元件118A的屏蔽電極118C或118C’且屏蔽電極118C或118C’電性連接至共用電極線170以連接至參考電位,但不以此為限。圖3A為本揭露第三實施例的電潤濕顯示面板的局部上視示意圖。請參照圖3A,電潤濕顯示面板200,大致相同於電潤濕顯示面板100,且兩者的相同構件將以相同的元件符號標示,重複之處不另贅述。具體而言,電潤濕顯示面板200不同於電潤濕顯示面板100 之處主要在於,電潤濕顯示面板200的各畫素結構118中,屏蔽電極118C與主動元件118A分別連接至不同的掃描線114。也就是說,對於同一個畫素結構118而言,主動元件118A連接至第i條掃描線114時,屏蔽電極118C連接至第j條掃描線,其中i與j為正整數,且j不等於i。此時,各畫素結構118的畫素電極118B可以選擇性的連接至上一條或是下一條掃描線114以構成儲存電容結構Cs在掃描線114上的結構設計。當然,在其他實施例中,儲存電容結構Cs可以如圖1一般由畫素電極118B與額外設置的共用電極線170來構成。
具體來說,圖3B與圖3C為圖3A的電潤濕顯示面板200在操作時的示意圖,其中圖3B與圖3C以陰影區域來表示第二流體在其中一個畫素結構中的分布情形。請先參照圖3B,電潤濕顯示面板200在未被施加操作電壓,如處於待機狀態時,第二流體160可以均勻的分佈在擋牆結構140所圍繞的區域中。此時,第二流體160若具有吸光性質或是遮光性質,則對應的畫素結構118呈現為暗態。在圖3C中,電潤濕顯示面板200已被施加操作電壓,因此第二流體160的分布將集中於主動元件118A附近。此時,由於畫素結構118包括有屏蔽電極118C,可以屏蔽主動元件118A中的電子訊號的干擾,第二流體160可以穩定地分布於主動元件118A上方而與主動元件118A重疊。
另外,圖4A與圖4B為本揭露第四實施例的電潤濕顯示面板的局部剖面示意圖,其中圖4A與圖4B表示為不同的狀態。 請先參照圖4A,電潤濕顯示面板300,大致相同於電潤濕顯示面板100,且兩者的相同構件將以相同的元件符號標示,重複之處不另贅述。具體而言,電潤濕顯示面板300不同於電潤濕顯示面板100之處主要在於,電潤濕顯示面板300的各畫素結構118中,屏蔽電極118C藉由一導電構件連接至對向基板120上的對向電極124。
在此,電潤濕顯示面板300例如更包括配置於第二基板122上的一支撐物310。支撐物310的一端連接於第二基板122上而另一端例如抵頂於主動元件陣列基板110。此外,對向電極124覆蓋於支撐物310與第二基板122的表面。如此一來,基於支撐物310的設置,對向電極124可與主動元件陣列基板110上的屏蔽電極118C接觸。在此,介電層130可以設置有開口132以允許支撐物310凸伸於開口132中來實現對向電極124與屏蔽電極118C的接觸。
在圖4A中,電潤濕顯示面板300例如處於待機或是位被輸入操作電壓的狀態,所以,第二流體160大致上均勻地分布於介電層130上。電潤濕顯示面板300被輸入操作電壓之後,第二流體160的分布即如圖4B所示,集中地分布於主動元件118A上方。在第二流體160具有遮光或是吸光性質時,圖4B可以表示亮態畫面而圖4A可以表示暗態畫面。
圖4C為本揭露第五實施例的電潤濕顯示面板的局部剖面示意圖。請參照圖4C,電潤濕顯示面板300A,大致相同於電潤 濕顯示面板300,且兩者的相同構件將以相同的元件符號標示,重複之處不另贅述。具體而言,電潤濕顯示面板300A不同於電潤濕顯示面板300之處主要在於,支撐物310A由導電材質製作以直接提供導電構件的功能。此時,對向電極124可選擇性地不須覆蓋住支撐物310A,而可以位於支撐物310A與第二基板122之間。
在圖3A與圖4A的實施例中,位於主動元件118A上方的屏蔽電極118C連接至參考電位而可以屏蔽主動元件的電訊號傳遞對第一流體150的影響。因此,第二流體160受到畫素電極118B的驅動而匯集時,可以匯集於主動元件118A上方,藉以提高畫素結構118的顯示開口率。值得一提的是,上述實施例並非用以限定本揭露。在其他的實施例中,只是使得屏蔽電極118C連接至參考電位的設計都可以作為本揭露的實施方式之一。舉例而言,在其他實施例中,電潤濕顯示面板上設置有連接至接地電位的靜電防護結構時,所有的畫素結構的屏蔽電極可以連接至此靜電防護結構。另外,屏蔽電極除了屏蔽住主動元件之外,也可以選擇地屏蔽主動元件陣列基板上的其他導電構件,例如儲存電容結構。
舉例而言,圖5為本發明第六實施例的電潤濕顯示面板的局部上視示意圖,而圖6A與圖6B為圖5的電潤濕顯示面板沿剖線III-III’的剖面示意圖,其中圖6A與圖6B表示為不同的狀態。請同時參照圖5與圖6,電潤濕顯示面板400大致相似於前述的電潤濕顯示面板,因此本實施例有部分構件的元件符號相同於 前文中的記載也表示為相同或近似的涵義。不過,本實施例的主動元件陣列基板400A不同於圖1B與圖1C中所示的主動元件陣列基板110。
主動元件陣列基板400A包括有第一基板402、掃描線404、資料線406、共用電極線408與畫素結構410。在本實施例中,為了使圖面清晰簡潔,掃描線404、資料線406、共用電極線408與畫素結構410的數量都僅繪出一個,但本揭露不以此為限。換言之,在具體實施時掃描線404、資料線406、共用電極線408與畫素結構410的數量分別為多個,且呈現陣列排列。
畫素結構410包括有主動元件412、畫素電極414、屏蔽電極416、儲存電容電極418。主動元件412包括有閘極G、通道層C、源極S與汲極D。相似於前述實施例,閘極G連接於掃描線404,源極S連接於資料線406,而汲極D連接於畫素電極414。儲存電容電極418連接於共用電極線408,而可以與共用電極線408為一體成形。同時,畫素電極414有一部分與儲存電容電極418彼此上下疊置而構成儲存電容結構Cs。另外,屏蔽電極416在本實施例中是電性連接於共用電極線408。不過,在其他實施例中,屏蔽電極416可以選擇性地電性連接於其他條的掃描線404(即如圖3A所示),或是電性連接於對向基板上的電極(即如圖4A所示)。
具體而言,為了實現各構件的電性獨立,主動元件陣列基板400尚包括有閘絕緣層GI、第一保護層PV1、第二保護層PV 與介電層IL。閘絕緣層GI位於閘極G與通道層C之間並且覆蓋掃描線404、共用電極線408與儲存電容電極418。第一保護層PV1覆蓋主動元件412,且位於儲存電容電極418與畫素電極414之間。第二保護層PV2則覆蓋畫素電極414使得畫素電極414與屏蔽電極416彼此分離。也就是說,本實施例的畫素電極414與屏蔽電極416由不同膜層所構成,且第二保護層PV2夾於畫素電極414與屏蔽電極416之間。另外,介電層IL則覆蓋於畫素結構410,使得整個畫素結構410位於介電層IL與第一基板402之間。在此,介電層IL的性質大致相同於前述實施例的介電層130,而不另贅述。
由圖5與圖6A可知,本實施例的儲存電容結構Cs與主動元件412都被屏蔽電極416所屏蔽,也就是,都位於屏蔽電極416與第一基板402之間。同時,屏蔽電極416電性連接至共用電極線408而具有共用電位,例如接地電位或是參考電位。畫素結構410驅動第一流體150與第二流體160時,可以讓第二流體160匯集於屏蔽電極416所在位置。舉例來說,圖6B表示為畫素結構410輸入操作電壓以驅動第一流體150與第二流體160的狀態。此時,第二流體160將位於主動元件412與儲存電容結構Cs上方。在主動元件412與儲存電容結構Cs不透光的設計或是具有低透光性時,第二流體160匯集於主動元件412與儲存電容結構Cs上方可以視為不透光或是低透光性的元件疊置於相同的區域,而有助於增加透光區域的面積。因此,主動元件陣列基板400A應用於電 潤濕顯示面板400有助於提升顯示開口率。
圖7為本揭露第七實施例的電潤濕顯示面板的局部上視示意圖,而圖8A與圖8B為圖7的電潤濕顯示面板沿剖線IV-IV’的剖面示意圖,其中圖8A與圖8B表示為不同的狀態。請同時參照圖7與圖8,電潤濕顯示面板500相似於前述的潤濕顯示面板400,不過本實施例的主動元件陣列基板500A不同於主動元件陣列基板400A。
主動元件陣列基板500A包括有第一基板502、掃描線504、資料線506、共用電極線508與畫素結構510。在本實施例中,為了使圖面清晰簡潔,掃描線504、資料線506、共用電極線508與畫素結構510的數量都僅繪出一個,但本揭露不以此為限。換言之,在具體實施時掃描線504、資料線506、共用電極線508與畫素結構510的數量分別為多個,且呈現陣列排列。
畫素結構510包括有主動元件512、畫素電極514、屏蔽電極516與電容電極518,其中電容電極518包括有儲存電容上電極518A與儲存電容下電極518B。主動元件512包括有閘極G、通道層C、源極S與汲極D。相似於前述實施例,閘極G連接於掃描線504,源極S連接於資料線506,而汲極D連接於畫素電極514。儲存電容上電極518A連接於汲極D而實質上與汲極D為一體成形並且電性連接畫素電極514。儲存電容下電極518B連接於共用電極線508,而可以與共用電極線508為一體成形。同時,儲存電容上電極518A與儲存電容下電極518B彼此上下疊置而構成 儲存電容結構Cs。另外,屏蔽電極516在本實施例中是電性連接於共用電極線508且與畫素電極514為相同膜層。不過,在其他實施例中,屏蔽電極516可以選擇性地電性連接於其他條的掃描線504(即如圖3A所示),或是電性連接於對向基板上的電極(即如圖4A所示)。
具體而言,為了實現各構件的電性獨立,主動元件陣列基板500A尚包括有閘絕緣層GI、保護層PV與介電層IL。閘絕緣層GI位於閘極G與通道層C之間並且覆蓋掃描線504、共用電極線508與儲存電容下電極518B。保護層PV覆蓋主動元件512與儲存電容結構Cs。另外,介電層IL則覆蓋於畫素結構510,使得整個畫素結構510位於介電層IL與第一基板502之間。在此,介電層IL的性質大致相同於前述實施例的介電層130,而不另贅述。
由圖7與圖8A可知,本實施例的儲存電容結構Cs與主動元件512都被屏蔽電極516所屏蔽,也就是,都位於屏蔽電極516與第一基板502之間。同時,屏蔽電極516電性連接至共用電極線508而具有共用電位,例如接地電位或是參考電位。畫素結構510驅動第一流體150與第二流體160時,如圖8B所示,可以讓第二流體160匯集於屏蔽電極516所在位置。此時,第二流體160將位於主動元件512與儲存電容結構Cs上方。在主動元件512與儲存電容結構Cs不透光的設計或是具有低透光性時,第二流體160匯集於主動元件512與儲存電容結構Cs上方可以視為不透光 或是低透光性的元件疊置於相同的區域,而有助於增加透光區域的面積。因此,主動元件陣列基板500A應用於電潤濕顯示面板500有助於提升顯示開口率。
綜上所述,本揭露實施例的電潤濕顯示面板在主動元件上方設置有連接至接地或共用電位的屏蔽電極。因此,電潤濕顯示面板中的不透光流體可以匯集於主動元件上方而不受主動元件的電訊號所干擾。甚至,電潤濕顯示面板中的不透光流體可以進一步匯集於儲存電容結構上方。如此一來,不透光的主動元件、儲存電容結構與不透光的流體重疊的設計有助於提高電潤濕顯示面板的顯示開口率。
100‧‧‧電潤濕顯示面板
114‧‧‧掃描線
116‧‧‧資料線
118‧‧‧畫素結構
118A‧‧‧主動元件
118B‧‧‧畫素電極
118C‧‧‧屏蔽電極
140‧‧‧擋牆結構
142‧‧‧開口
170‧‧‧共用電極線
172‧‧‧儲存電容電極
Cs‧‧‧儲存電容結構
I-I’、II-II’‧‧‧剖線
R‧‧‧收縮區

Claims (20)

  1. 一種電潤濕顯示面板,包括:一主動元件陣列基板,包括一第一基板以及多個畫素結構,該些畫素結構配置於該第一基板上,其中各該畫素結構包括一屏蔽電極、一主動元件以及電性連接於該主動元件的一畫素電極,該主動元件位於該屏蔽電極的至少部分區域與該第一基板之間,且該屏蔽電極電性連接至一共用電位;一介電層,配置於該主動元件陣列基板上且覆蓋該些畫素結構;一擋牆結構,配置於該主動元件陣列基板上,具有多個開口,且各該畫素結構的該主動元件以及該畫素電極位於其中一該開口之內;一對向基板,該些畫素結構位於該第一基板與該對向基板之間;一第一流體,設置於該介電層與該對向基板之間;以及一第二流體,設置於該介電層與該第一流體之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電潤濕顯示面板,其中該擋牆結構具有親水性,該介電層本身具有疏水性,或該介電層由至少一絕緣膜層與至少一疏水膜層所構成,該第一流體為極性流體而該第二流體為非極性流體。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的電潤濕顯示面板,其中該主動元件陣列基板更包括多條掃描線以及多條資料線,該些掃描線 開啟或關閉該些畫素結構的該些主動元件以將該些資料線上的電壓透過該些主動元件傳遞給對應的該些畫素電極。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的電潤濕顯示面板,其中各該畫素結構開啟時,該第二流體匯集於該主動元件上方。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的電潤濕顯示面板,其中該第二流體更匯集於該屏蔽電極上方。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的電潤濕顯示面板,其中該主動元件陣列基板更包括至少一共用電極線以提供該共用電位。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的電潤濕顯示面板,其中各該畫素結構的該屏蔽電極連接至該共用電極線,且該共用電位為一接地電位或一參考電位。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的電潤濕顯示面板,其中各該畫素結構更包括一儲存電容上電極以及一儲存電容下電極,該儲存電容下電極連接至該共用電極線,而該儲存電容上電極連接至該畫素電極,且該儲存電容上電極與該儲存電容下電極上下疊置而構成一儲存電容結構。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的電潤濕顯示面板,其中該儲存電容結構位於該屏蔽電極與該基板之間。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的電潤濕顯示面板,其中該畫素電極與該屏蔽電極由相同膜層所構成。
  11. 如申請專利範圍第6項所述的電潤濕顯示面板,其中各該畫素結構更包括一儲存電容電極,該儲存電容電極連接至該共 用電極線,而該儲存電容電極與該畫素電極上下疊置而構成一儲存電容結構。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的電潤濕顯示面板,更包括一保護層,該保護層夾於該屏蔽電極與該畫素電極之間,而該屏蔽電極位於該保護層與該介電層之間,且該儲存電容結構位於該屏蔽電極與該基板之間。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的電潤濕顯示面板,其中該對向基板包括一第二基板以及配置於該第二基板上的一對向電極。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的電潤濕顯示面板,更包括多個導電結構,其中該些導電結構將該些畫素結構的該些屏蔽電極電性連接至該對向電極。
  15. 一種電潤濕顯示面板,包括:一主動元件陣列基板,包括一第一基板、多條掃描線、多條資料線以及多個畫素結構,該些畫素結構配置於該第一基板上,各該畫素結構包括一屏蔽電極、一主動元件以及電性連接於該主動元件的一畫素電極,該主動元件位於該屏蔽電極的至少部分區域與該第一基板之間,其中該些掃描線開啟或關閉該些畫素結構的該些主動元件以將該些資料線上的電壓透過該些主動元件對應的傳遞給該些畫素電極,且各該畫素結構的該屏蔽電極與該主動元件分別連接第i條與第j條掃描線,i與j為正整數,且j不等於i; 一介電層,配置於該主動元件陣列基板上且覆蓋該些畫素結構;一擋牆結構,配置於該主動元件陣列基板上,具有多個開口,且各該畫素結構的該主動元件以及該畫素電極位於其中一該開口之內;一對向基板,該些畫素結構位於該第一基板與該對向基板之間;一第一流體,設置於該介電層與該對向基板之間;以及一第二流體,設置於該介電層與該第一流體之間。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的電潤濕顯示面板,其中該擋牆結構具有親水性,該介電層本身具有疏水性,或該介電層由至少一絕緣膜層與至少一疏水膜層所構成,該第一流體為極性流體而該第二流體為非極性流體。
  17. 如申請專利範圍第15項所述的電潤濕顯示面板,其中各該畫素結構開啟時,該第二流體匯集於該主動元件上方。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的電潤濕顯示面板,其中該第二流體更匯集於該屏蔽電極上方。
  19. 如申請專利範圍第15項所述的電潤濕顯示面板,其中該畫素電極與該屏蔽電極由相同膜層所構成。
  20. 如申請專利範圍第15項所述的電潤濕顯示面板,其中該對向基板包括一第二基板以及配置於該第二基板上的一對向電極。
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