TWI483294B - 形成ｎ型擴散層的組成物、ｎ型擴散層的製造方法及太陽電池元件的製造方法 - Google Patents

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Description

形成n型擴散層的組成物、n型擴散層的製造方法及太陽電池元件的製造方法
本發明是有關於一種太陽電池元件的形成n型擴散層的組成物、n型擴散層的製造方法及太陽電池元件的製造方法，更詳細而言，本發明是有關於一種可於作為半導體基板的矽基板的特定的部分形成n型擴散層的技術。
對先前的矽太陽電池元件的製造步驟進行說明。
首先，為了促進光學侷限效應(confinement effect)來謀求高效率化，準備形成有紋理(texture)構造的p型矽基板，繼而於***(POCl3 )、氮氣、氧氣的混合氣體環境下以800℃～900℃進行幾十分鐘的處理，從而於基板上同樣地形成n型擴散層。於該先前的方法中，因使用混合氣體進行磷的擴散，故不僅於表面形成n型擴散層，而且於側面、背面亦形成n型擴散層。由於這些原因，需要側蝕刻(side etching)來移除側面的n型擴散層。另外，需將背面的n型擴散層轉換成p+ 型擴散層，因此於背面的n型擴散層上賦予鋁膏，以藉由鋁的擴散而使n型擴散層轉換成p+ 型擴散層。
另一方面，於半導體的製造領域中，例如如日本專利特開2002-75894號公報中所揭示般，提出有藉由塗佈含有五氧化二磷(P2 O5 )或磷酸二氫銨(NH4 H2 PO4 )等磷酸鹽的溶液來形成n型擴散層的方法。但是，因於該方法中是使用溶液，故與使用上述混合氣體的氣相反應法相同，磷的擴散亦到達側面及背面，不僅於表面形成n型擴散層，而且於側面、背面亦形成n型擴散層。
如上所述，當形成n型擴散層時，於使用***的氣相反應中，不僅於原本需要n型擴散層的一面(通常為受光面、表面)形成n型擴散層，而且於另一面(非受光面、背面)或側面亦形成n型擴散層。另外，於塗佈含有磷酸鹽的溶液並進行熱擴散的方法中，與氣相反應法相同，在表面以外亦形成n型擴散層。因此，為了獲得具有pn接合構造以作為元件，故必需於側面進行蝕刻，且必需於背面將n型擴散層轉換成p型擴散層。一般而言，於背面塗佈作為第13族元素的鋁的膏狀物，並進行煅燒(燒結)，從而將n型擴散層轉換成p型擴散層。
本發明是鑒於以上的先前的問題點而完成的發明，其課題在於提供一種於使用矽基板的太陽電池元件的製造步驟中，在特定部位形成n型擴散層，而不形成不需要的n型擴散層，且於具有藉此所獲得的n型擴散層的基板中載子的生命週期(lifetime)不會大幅下降的形成n型擴散層的組成物、n型擴散層的製造方法及太陽電池元件的製造方法。
解決上述課題的方法如下。
＜1＞　一種形成n型擴散層的組成物，其包括：含有施體元素(donor element)且生命週期殺手(lifetime killer)元素的總量為1000 ppm以下的玻璃粉末、以及分散介質。
<2>如上述<1>所述之形成n型擴散層的組成物，其中上述施體元素是選自P(磷)及Sb(銻)中的至少一種。
<3>如上述<1>或<2>所述之形成n型擴散層的組成物，其中含有上述施體元素的玻璃粉末包括：選自P2 O3 、P2 O5 及Sb2 O3 中的至少一種含有施體元素的物質，以及選自SiO2 、K2 O、Na2 O、Li2 O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、SnO、ZrO2 、及MoO3 中的至少一種玻璃成分物質。
<4>如上述<1>~<3>中任一項所述之形成n型擴散層的組成物，其更包括與上述玻璃粉末反應而結晶化的元素。
<5>如上述<4>所述之形成n型擴散層的組成物，其中與上述玻璃粉末反應而結晶化的上述元素是選自Ag(銀)、Si(矽)及Zn(鋅)中的至少一種。
<6>如上述<1>~<5>中任一項所述之形成n型擴散層的組成物，其中上述生命週期殺手元素是選自Fe(鐵)、Cu(銅)、Ni(鎳)、Mn(錳)、Cr(鉻)、W(鎢)及Au(金)中的至少一種。
<7>一種n型擴散層的製造方法，其包括：塗佈如上述<1>~<6>中任一項所述之形成n型擴散層的組成物的步驟、以及實施熱擴散處理的步驟。
<8>一種太陽電池元件的製造方法，其包括：於半導體基板上塗佈如上述<1>~<6>中任一項所述之形成n型擴散層的組成物的步驟、實施熱擴散處理以形成n型擴散層的步驟、以及於所形成的上述n型擴散層上形成電極的步驟。
[發明的效果]
根據本發明，於使用矽基板的太陽電池元件的製造步驟中，可於特定的部分形成n型擴散層，而不形成不需要的n型擴散層，且形成有n型擴散層的基板中載子(carrier)的生命週期不會大幅下降。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
首先，對本發明的形成n型擴散層的組成物進行說明，其次對使用形成n型擴散層的組成物的n型擴散層及太陽電池元件的製造方法進行說明。
再者，於本說明書中，「步驟(process)」這一用語不僅是指獨立的步驟，亦包含在無法與其他步驟明確地加以區分的情況下，若該步驟能達成所預期的作用，則亦包含於本用語中。
另外，於本說明書中，「～」表示分別包括其前後所記載的數值作為最小值及最大值的範圍。
進而，於本說明書中，當論及組成物中的各成分的量時，在組成物中存在多個相當於各成分的物質的情況下，只要事先無特別說明，則表示組成物中所存在的該多個物質的合計量。
本發明的形成n型擴散層的組成物包括至少含有施體元素且生命週期殺手元素的總量為1000ppm以下的玻璃粉末(以下，有時僅稱為「玻璃粉末」)、以及分散介質，進而考慮塗佈性等，亦可視需要含有其他添加劑。
此處，所謂形成n型擴散層的組成物，是指含有施體元素，且可藉由例如塗佈於矽基板上後進行熱擴散處理(煅燒)而使該施體元素熱擴散來形成n型擴散層的材料。藉由使用本發明的形成n型擴散層的組成物，而僅於賦予了形成n型擴散層的組成物的所期望的部位形成n型擴散層，而於未賦予形成n型擴散層的組成物的背面或側面不形成不需要的n型擴散層。
因此，若應用本發明的形成n型擴散層的組成物，則先前廣泛採用的氣相反應法中所必需的側蝕步驟就變得不必要，從而使步驟簡單化。另外，將形成於背面的n型擴散層轉換成p+ 型擴散層的步驟也變得不需要。因此，背面的p+ 型擴散層的形成方法，或者背面電極的材質、形狀及厚度不受限制，並且拓展了可應用的製造方法或材質、形狀的選擇。另外，由於抑制了背面電極的厚度所引起的矽基板內的內應力的產生，矽基板的翹曲亦得到抑制，詳細情況將後述。
此外，因本發明的n型擴散層形成組成物中所包含的玻璃粉末中的生命週期殺手元素的總量為1000ppm以下，故形成有n型擴散層的基板中的載子的生命週期不會大幅下降。生命週期殺手元素的詳細情況將後述。
再者，藉由煅燒而使本發明的形成n型擴散層的組成物中所含有的玻璃粉末熔融，從而於n型擴散層上形成玻璃層。但是，於先前的氣相反應法或塗佈含有磷酸鹽的溶液的方法中，亦於n型擴散層上形成玻璃層。因此，本發明中所生成的玻璃層可與先前的方法同樣地藉由蝕刻來去除。因此，即便與先前的方法相比，本發明的形成n型擴散層的組成物亦不產生不需要的產物，亦不增加步驟。
另外，玻璃粉末中的施體成分於煅燒中亦難以揮發(sublimation)，因此抑制了n型擴散層歸因於揮發氣體的產生而不僅只形成於表面還形成於背面或側面的情況。其原因可認為由於施體成分與玻璃粉末中的元素結合、或者被導入至玻璃中，因此難以揮發。
如此，本發明的形成n型擴散層的組成物可於所期望的部位形成所期望的濃度的n型擴散層，因此可形成n型摻雜物濃度高的選擇性的區域。另一方面，一般而言難以藉由使用n型擴散層的一般方法的氣體反應法及含磷酸鹽來形成高n型摻雜劑濃度的選擇性區域。
對本發明的含有施體元素的玻璃粉末進行詳細說明。
所謂施體元素，是指藉由摻雜於矽基板中而可形成n型擴散層的元素。施體元素可使用第15族(第VA族)的元素，例如可列舉P(磷)、Sb(銻)、Bi(鉍)及As(砷)等。就安全性、玻璃化的容易性等的觀點而言，較合適的是P或Sb。
作為用於將施體元素導入至玻璃粉末中的含有施體元素的物質，可列舉P2 O3 、P2 O5 、Sb2 O3 、Bi2 O3 、及As2 O3 ，較佳為使用選自P2 O3 、P2 O5 及Sb2 O3 中的至少一種。
另外，玻璃粉末可視需要調整成分比率，藉此控制熔融溫度、軟化點、玻璃轉移點、化學耐久性等。較佳為進而包含以下所述的成分。
作為玻璃成分物質，可列舉：SiO2 、K2 O、Na2 O、Li2 O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、V2 O5 、SnO、ZrO2 、MoO3 、La2 O3 、Nb2 O5 、Ta2 O5 、Y2 O3 、TiO2 、ZrO2 、GeO2 、TeO2 及Lu2 O3 等，較佳為使用選自SiO2 、K2 O、Na2 O、Li2 O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、SnO、ZrO2 、及MoO3 中的至少一種。
作為含有施體元素的玻璃粉末的具體例，可列舉包括上述含有施體元素的物質與上述玻璃成分物質兩者的體系，可列舉：P2 O5 -SiO2 體系(以含有施體元素的物質-玻璃成分物質的順序記載、以下相同)、P2 O5 -K2 O體系、P2 O5 -Na2 O體系、P2 O5 -Li2 O體系、P2 O5 -BaO體系、P2 O5 -SrO體系、P2 O5 -CaO體系、P2 O5 -MgO體系、P2 O5 -BeO體系、P2 O5 -ZnO體系、P2 O5 -CdO體系、P2 O5 -PbO體系、P2 O5 -CeO2 體系、P2 O5 -SnO體系、P2 O5 -GeO2 體系、P2 O5 -TeO2 體系等包含P2 O5 作為含有施體元素的物質的體系，包含Sb2 O3 來代替上述包含P2 O5 的體系的P2 O5 作為含有施體元素的物質的體系的玻璃粉末。
再者，亦可為如P2 O5 -Sb2 O3 體系、P2 O5 -As2 O3 體系等般，包含兩種以上的含有施體元素的物質的玻璃粉末。
於上述中例示了包含兩種成分的複合玻璃，但視需要亦可為P2 O5 -SiO2 -CeO2 、P2 O5 -SiO2 -CaO等包含三種成分以上的複合玻璃。
使載子的生命週期下降的元素(生命週期殺手元素)於玻璃粉末中的總量為1000 ppm以下，較佳為500 ppm以下，更佳為100 ppm以下，進而更佳為10 ppm以下。
作為生命週期殺手元素，可列舉：Fe、Cu、Ni、Mn、Cr、W及Au等。該些的元素量可藉由感應耦合電漿(Inductively Coupled Plasma，ICP)質量分析裝置、ICP發光分析裝置、原子吸光分析裝置來分析。另外，載子的生命週期可藉由微波光電導衰減法(Microwave Photoconductivity Decay,μ-PCD法)來測定。
玻璃粉末中的玻璃成分物質的含有比率較理想的是考慮熔融溫度、軟化溫度、玻璃轉移溫度、化學耐久性而適宜設定，一般而言，較佳為0.1質量%以上至95質量%以下，更佳為0.5質量%以上至90質量%以下。
玻璃粉末的軟化溫度就擴散處理時的擴散性、滴液(dripping)的觀點而言，較佳為200℃～1000℃，更佳為300℃～900℃。再者，玻璃粉末的軟化溫度可藉由公知的示差熱分析裝置(Differential Thermal Analyzer，DTA)，根據其吸熱波峰而容易地測定。
作為玻璃粉末的形狀，可列舉：大致球狀、扁平狀、塊狀、板狀、及鱗片狀等，就製成形成n型擴散層的組成物時的對於基板的塗佈性或均勻擴散性的觀點而言，較理想的是大致球狀、扁平狀、或板狀。
玻璃粉末的粒徑較理想的是100 μm以下。當使用具有100 μm以下的粒徑的玻璃粉末時，易於獲得平滑的塗膜。進而，玻璃粉末的粒徑更理想的是50 μm以下。再者，下限並無特別限制，但較佳為0.01 μm以上。
此處，玻璃的粒徑表示平均粒徑，可藉由雷射散射繞射法(laser scattering diffraction method)粒度分布(particle size distribution)測定裝置等來測定。
含有施體元素的玻璃粉末是藉由以下的程序來製作。
首先，稱量原料並將其填充至坩堝中。坩堝的材質可列舉鉑、鉑-銠、銥、氧化鋁、石英、碳等，可考慮熔融溫度、環境、與熔融物質的反應性等而適宜選擇。
其次，藉由電爐以對應於玻璃組成的溫度進行加熱而製成熔液。此時，較理想的是以使熔液變得均勻的方式進行攪拌。
繼而，使所獲得的熔液流出至氧化鋯基板或碳基板等上而將熔液玻璃化。
最後，粉碎玻璃而形成粉末狀。粉碎可應用噴射磨機、珠磨機、球磨機等公知的方法。
形成n型擴散層的組成物中的含有施體元素的玻璃粉末的含有比率是考慮塗佈性、施體元素的擴散性等而決定。一般而言，形成n型擴散層的組成物中的玻璃粉末的含有比率較佳為0.1質量%以上至95質量%以下，更佳為1質量%以上至90質量%以下。
其次，對分散介質進行說明。
所謂分散介質，是指於組成物中使上述玻璃粉末分散的介質。具體而言，採用黏合劑或溶劑等作為分散介質。
作為黏合劑，例如可適宜選擇：(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯聚合物、聚乙烯醇、聚丙烯醯胺類、聚乙烯醯胺類、聚乙烯吡咯啶酮、聚(甲基)丙烯酸類、聚環氧乙烷類、聚磺酸、丙烯醯胺烷基磺酸、纖維素醚類、纖維素衍生物、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素、乙基纖維素、明膠、澱粉及澱粉衍生物、海藻酸鈉類(sodium alginate)、三仙膠(xanthan)、瓜爾膠及瓜爾膠衍生物、硬葡聚糖及硬葡聚糖衍生物、黃蓍膠及黃蓍膠衍生物、糊精及糊精衍生物、丙烯酸樹脂、丙烯酸酯樹脂、丁二烯樹脂、苯乙烯樹脂及該些的共聚物、以及二氧化矽等。該些可單獨使用一種、或者組合兩種以上來使用。
黏合劑的分子量並無特別限制，較理想的是鑒於作為組成物的所期望的黏度而適宜調整。
作為溶劑，例如可列舉：丙酮、甲基乙基酮、甲基-正丙基酮、甲基-異丙基酮、甲基-正丁基酮、甲基-異丁基酮、甲基-正戊基酮、甲基-正己基酮、二乙基酮、二丙基酮、二-異丁基酮、三甲基壬酮、環己酮、環戊酮、甲基環己酮、2,4-戊二酮、丙酮基丙酮等酮系溶劑；二***、甲基乙基醚、甲基-正丙醚、二-異丙醚、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、二噁烷(dioxane)、二甲基二噁烷、乙二醇二甲醚(ethylene glycoldimethylether)、乙二醇二***、乙二醇二-正丙醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二***、二乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇甲基-正丙醚、二乙二醇甲基-正丁醚、二乙二醇二-正丙醚、二乙二醇二-正丁醚、二乙二醇甲基-正己醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇二***、三乙二醇甲基乙基醚、三乙二醇甲基-正丁醚、三乙二醇二-正丁醚、三乙二醇甲基-正己醚、四乙二醇二甲醚、四乙二醇二***、四-二乙二醇甲基乙基醚、四乙二醇甲基-正丁醚、二乙二醇二-正丁醚、四乙二醇甲基-正己醚、四乙二醇二-正丁醚、丙二醇二甲醚、丙二醇二***、丙二醇二-正丙醚、丙二醇二丁醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇二***、二丙二醇甲基乙基醚、二丙二醇甲基-正丁醚、二丙二醇二-正丙醚、二丙二醇二-正丁醚、二丙二醇甲基-正己醚、三丙二醇二甲醚、三丙二醇二***、三丙二醇甲基乙基醚、三丙二醇甲基-正丁醚、三丙二醇二-正丁醚、三丙二醇甲基-正己醚、四丙二醇二甲醚、四丙二醇二***、四-二丙二醇甲基乙基醚、四丙二醇甲基-正丁醚、二丙二醇二-正丁醚、四丙二醇甲基-正己醚、四丙二醇二-正丁醚等醚系溶劑；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、乙酸第二丁酯、乙酸正戊酯、乙酸第二戊酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸甲基戊酯、乙酸2-乙基丁酯、乙酸2-乙基己酯、乙酸2-(2-丁氧基乙氧基)乙酯、乙酸苄酯、乙酸環己酯、乙酸甲基環己酯、乙酸壬酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、乙酸二乙二醇單甲醚、乙酸二乙二醇單***、乙酸二乙二醇單-正丁醚、乙酸二丙二醇單甲醚、乙酸二丙二醇單***、乙二醇二乙酸酯、乙氧基三甘醇乙酸酯、丙酸乙酯、丙酸正丁酯、丙酸異戊酯、草酸二乙酯、草酸二-正丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯、乳酸正戊酯、乙二醇甲醚丙酸酯、乙二醇***丙酸酯、乙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇***乙酸酯、二乙二醇甲醚乙酸酯、二乙二醇***乙酸酯、二乙二醇-正丁醚乙酸酯、丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇***乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯、二丙二醇甲醚乙酸酯、二丙二醇***乙酸酯、γ-丁內酯、γ-戊內酯等酯系溶劑；乙腈、N-甲基吡咯酮、N-乙基吡咯酮、N-丙基吡咯酮、N-丁基吡咯酮、N-己基吡咯酮、N-環己基吡咯酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基亞碸等非質子性極性溶劑；甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、第二丁醇、第三丁醇、正戊醇、異戊醇、2-甲基丁醇、第二戊醇、第三戊醇、3-甲氧基丁醇、正己醇、2-甲基戊醇、第二己醇、2-乙基丁醇、第二庚醇、正辛醇、2-乙基己醇、第二辛醇、正壬醇、正癸醇、第二-十一醇、三甲基壬醇、第二-十四醇、第二-十七醇、苯酚、環己醇、甲基環己醇、苄醇、乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丁二醇、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇、三丙二醇等醇系溶劑；乙二醇甲醚、乙二醇***、乙二醇單苯醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單***、二乙二醇單-正丁醚、二乙二醇單-正己醚、乙氧基三甘醇、四乙二醇單-正丁醚、丙二醇單甲醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單***、三丙二醇單甲醚等二醇單醚系溶劑；α-萜品烯、α-萜品醇、月桂油烯、別羅勒烯(allo-ocimene)、檸檬烯、雙戊烯、α-蒎烯、β-蒎烯、松脂醇(terpineol)、香旱芹酮、羅勒烯、水芹烯等萜烯系溶劑；水等。該些可單獨使用一種、或者組合兩種以上來使用。
當製成形成n型擴散層的組成物時，就對於基板的塗佈性的觀點而言，可列舉α-萜品醇、二乙二醇單-正丁醚、乙酸2-(2-丁氧基乙氧基)乙酯作為較佳的溶劑。
形成n型擴散層的組成物中的分散介質的含有比率是考慮塗佈性、施體濃度而決定。
考慮到塗佈性，形成n型擴散層的組成物的黏度較佳為10 mPa‧S以上至1000000 mPa‧S以下，更佳為50 mPa‧S以上至500000 mPa‧S以下。
進而，形成n型擴散層的組成物亦可含有其他添加劑。作為其他添加物，例如可列舉容易與上述玻璃粉末進行反應的金屬。
將形成n型擴散層的組成物塗佈於半導體基板上，並於高溫下進行熱處理，藉此形成n型擴散層，但此時於表面形成玻璃。將該玻璃浸漬於氫氟酸等酸中而去除，但根據玻璃的種類，存在難以去除的玻璃。於該情況下，可藉由添加容易與玻璃結晶化的Ag、Zn、Si等金屬，而於酸清洗後容易地去除玻璃。該些之中，較佳為使用選自Ag、Si、及Zn中的至少一種。
容易與玻璃粉末進行反應的金屬的含有比率較理想的是根據玻璃的種類或該金屬的種類而適宜調整，一般相對於上述玻璃粉末，較佳為0.01質量%以上至10質量%以下。
再者，當上述玻璃粉末中的生命週期殺手元素的總量為1000ppm以下時，n型擴散層形成組成物中的生命週期殺手元素的總量大概成為1100ppm以下。因此，上述n型擴散層形成組成物中的生命週期殺手元素的總量較佳為500ppm以下，更佳為100ppm以下。
其次，參照圖1(1)-圖1(6)來對本發明的n型擴散層及太陽電池元件的製造方法進行說明。圖1(1)-圖1(6)是概念性地表示本發明的太陽電池元件的製造步驟的一例的模式剖面圖。於以下的圖式中，對相同的構成要素標註同一符號。
圖1(1)中，對作為p型半導體基板10的矽基板賦予鹼性溶液來去除損壞層，並藉由蝕刻而獲得紋理構造。
詳細而言，利用20質量%苛性鈉去除自鑄錠進行切片時所產生的矽表面的損壞層。繼而，利用1質量%苛性鈉與10質量%異丙醇的混合液進行蝕刻，形成紋理構造(圖中省略紋理構造的記載)。太陽電池元件藉由在受光面(表面)側形成紋理構造，而可促進光學侷限效應，謀求高效率化。
圖1(2)中，將上述形成n型擴散層的組成物塗佈於p型半導體基板10的表面即成為受光面的面上，形成了形成n型擴散層的組成物層11。本發明中，塗佈方法並無限制，例如有印刷法、旋塗法、毛刷塗佈、噴霧法、刮刀法、輥塗機法、噴墨法等。
上述形成n型擴散層的組成物的塗佈量並無特別限制。例如，作為玻璃粉末量，可設定為0.01 g/m2 ～100 g/m2 ，較佳為0.1 g/m2 ～10 g/m2 。
再者，根據形成n型擴散層的組成物的組成，亦可設置用以於塗佈後，使組成物中所含有的溶劑揮發的乾燥步驟。於該情況下，於80℃～300℃左右的溫度下，當使用加熱板時乾燥1分鐘～10分鐘，當使用乾燥機等時乾燥10分鐘～30分鐘左右。該乾燥條件依存於形成n型擴散層的組成物的溶劑組成，於本發明中並不特別限定於上述條件。
另外，當使用本發明的製造方法時，背面的p+ 型擴散層(高濃度電場層)14的製造方法並不限定於藉由鋁來將n型擴散層轉變成p型擴散層的方法，亦可採用先前公知的任何方法，可擴大製造方法的選擇項。因此，例如可賦予含有B(硼)等第13族的元素的組成物13來形成高濃度電場層14。
作為上述含有B(硼)等第13族的元素的組成物13，例如可列舉使用含有受體元素的玻璃粉末代替含有施體元素的玻璃粉末，且以與形成n型擴散層的組成物相同的方式所構成的形成p型擴散層的組成物。受體元素只要是第13族的元素即可，例如可列舉B(硼)、Al(鋁)及Ga(鎵)等。另外，含有受體元素的玻璃粉末較佳為選自B2 O3 、Al2 O3 及Ga2 O3 中的至少一種。
進而，將形成p型擴散層的組成物賦予至矽基板的背面的方法與已述的將形成n型擴散層的組成物塗佈於矽基板上的方法相同。
以與後述的形成n型擴散層的組成物的熱擴散處理相同的方式，對被賦予至背面的形成p型擴散層的組成物進行熱擴散處理，藉此可於背面形成高濃度電場層14。再者，較佳為形成p型擴散層的組成物的熱擴散處理與形成n型擴散層的組成物的熱擴散處理同時進行。
繼而，於600℃～1200℃下對形成有上述形成n型擴散層的組成物層11的半導體基板10進行熱擴散處理。藉由該熱擴散處理，如圖1(3)所示，施體元素朝半導體基板中擴散，而形成n型擴散層12。熱擴散處理可應用公知的連續爐、分批式爐等。另外，熱擴散處理時的爐內環境亦可適宜調整成空氣、氧氣、氮氣等。
熱擴散處理時間可對應於形成n型擴散層的組成物中所含有的施體元素的含有率等而適宜選擇。例如，可設定為1分鐘～60分鐘，更佳為5分鐘～30分鐘。
因於所形成的n型擴散層12的表面形成有磷酸玻璃等玻璃層(未圖示)，故藉由蝕刻而去除該玻璃層。蝕刻可應用浸漬於氫氟酸等酸中的方法、浸漬於苛性鈉等鹼中的方法等公知的方法。
於圖1(2)及圖1(3)所示的使用本發明的形成n型擴散層的組成物11形成n型擴散層12的本發明的n型擴散層的形成方法中，僅於所期望的部位形成n型擴散層12，不於背面或側面形成不需要的n型擴散層。
因此，於先前廣泛採用的藉由氣相反應法來形成n型擴散層的方法中，需要用於去除形成於側面的不需要的n型擴散層的側蝕步驟，但根據本發明的製造方法，不需要側蝕步驟，從而使步驟簡單化。
另外，於先前的製造方法中，必需將形成於背面的不需要的n型擴散層轉換成p型擴散層，作為該轉換方法，採用如下的方法：於背面的n型擴散層上塗佈作為第13族元素的鋁的膏狀物，並進行煅燒，使鋁擴散至n型擴散層而將n型擴散層轉換成p型擴散層。於該方法中，為了充分地將n型擴散層轉換成p型擴散層，進而形成p+ 型擴散層的高濃度電場層，而需要某種程度以上的鋁量，因此必需將鋁層形成得較厚。但是，鋁的熱膨脹係數與用作基板的矽的熱膨脹係數相差較大，因此於煅燒及冷卻的過程中，在矽基板中產生較大的內應力，而成為矽基板的翹曲的原因。
該內應力對結晶的結晶粒界(crystal grain boundary)造成損傷、從而導致電力損失變大的問題。另外，翹曲於模組製程中的太陽電池元件的搬送、或者與被稱為分支線路(tab wire)的銅線的連接過程中，容易使單元破損。近年來，由於切片加工技術的提高，因此矽基板的厚度正被薄型化，而存在太陽電池元件更加容易破裂的傾向。
但是，根據本發明的製造方法，不於背面形成不需要的n型擴散層，因此無需進行自n型擴散層朝p型擴散層的轉換，而不必使鋁層變厚。其結果，可抑制矽基板內的內應力的產生或翹曲。結果可抑制電力損失的增大、或太陽電池元件的破損。
另外，當使用本發明的製造方法時，背面的p+ 型擴散層(高濃度電場層)14的製造方法並不限定於藉由鋁來將n型擴散層轉換成p型擴散層的方法，亦可採用先前公知的任何方法，拓展了製造方法的選擇項。
較佳為例如將使用含有受體元素的玻璃粉末代替含有施體元素的玻璃粉末，且以與形成n型擴散層的組成物相同的方式構成的形成p型擴散層的組成物塗佈於矽基板的背面(與塗佈有形成n型擴散層的組成物的面為相反側的面)，並進行煅燒處理，藉此於背面形成p+ 型擴散層(高濃度電場層)14。
另外，如後述般，用於背面的表面電極20的材料並不限定於第13族的鋁，例如可應用Ag(銀)或Cu(銅)等，背面的表面電極20的厚度亦可比先前的厚度更薄地形成。
圖1(4)中，於n型擴散層12上形成抗反射膜16。抗反射膜16是應用公知的技術而形成。例如，當抗反射膜16為氮化矽膜時，藉由將SiH4 與NH3 的混合氣體作為原料的電漿化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition，CVD)法來形成。此時，氫於結晶中擴散，到不參與矽原子之鍵結的軌道中，即懸鍵(dangling bond)與氫鍵結，而使缺陷鈍化(氫鈍化)。
更具體而言，於上述混合氣體流量比NH3 /SiH4 為0.05～1.0，反應室的壓力為0.1 Torr～2 Torr，成膜時的溫度為300℃～550℃，用於電漿的放電的頻率為100 kHz以上的條件下形成。
圖1(5)中，於表面(受光面)的抗反射膜16上，藉由網版印刷法印刷塗佈表面電極用金屬膏並使其乾燥，而形成表面電極18。表面電極用金屬膏是將(1)金屬粒子與(2)玻璃粒子作為必需成分，且視需要包含(3)樹脂黏合劑、(4)其他添加劑等。
繼而，於上述背面的高濃度電場層14上亦形成背面電極20。如上所述，本發明中背面電極20的材質或形成方法並無特別限定。例如，可塗佈包含鋁、銀或銅等金屬的背面電極用膏，並使其乾燥而形成背面電極20。此時，為了模組製程中的單元間的連接，亦可於背面的一部分上賦予銀電極形成用銀膏。
圖1(6)中，對電極進行煅燒，製成太陽電池元件。若於600℃～900℃的範圍內煅燒幾秒～幾分鐘，則於表面側，作為絕緣膜的抗反射膜16因電極用金屬膏中所含有的玻璃粒子而熔融，進而矽10表面的一部分亦熔融，膏狀物中的金屬粒子(例如銀粒子)與矽基板10形成接觸部並凝固。藉此，所形成的表面電極18與矽基板10被導通。將此稱為燒透(fire through)。
對表面電極18的形狀進行說明。表面電極18是由匯流條電極30、以及與該匯流條電極30交叉的指狀電極32構成。圖2(A)是自表面觀察到的將表面電極18設定為包含匯流條電極30、以及與該匯流條電極30交叉的指狀電極32的構成的太陽電池元件的俯視圖，圖2(B)是將圖2(A)的一部分擴大表示的立體圖。
此種表面電極18可藉由例如上述金屬膏的網版印刷、或者電極材料的鍍敷、高真空中的利用電子束加熱的電極材料的蒸鍍等方法而形成。眾所周知，包含匯流條電極30與指狀電極32的表面電極18一般是用作受光面側的電極，可應用受光面側的匯流條電極及指狀電極的公知的形成方法。
於上述中，對在表面形成n型擴散層，在背面形成p+ 型擴散層，進而在各個層上設置有表面電極及背面電極的太陽電池元件進行了說明，但若使用本發明的形成n型擴散層的組成物，則亦可製作背接觸型的太陽電池元件。
背接觸型的太陽電池元件是將電極全部設置於背面而增大受光面的面積的太陽電池元件。即，於背接觸型的太陽電池元件中，必需於背面形成n型擴散部位及p+ 型擴散部位兩者來形成pn接合的構造。本發明的形成n型擴散層的組成物可僅於特定的部位形成n型擴散部位，因此可較佳地應用於背接觸型的太陽電池元件的製造。
再者，藉由參照而將日本申請案2010-100222中所揭示的全部內容引用於本說明書中。
本說明書中所記載的所有文獻、專利申請案、及技術規格是以與具體地且個別地記載藉由參照而引用各個文獻、專利申請案、及技術規格時相同的程度，藉由參照而引用於本說明書中。
[實例]
以下，更具體地說明本發明的實例，但本發明並不受該些實例限制。再者，只要事先無特別記述，則化學品全部使用試劑。另外，只要事先無說明，則「%」表示「mol%」。
再者，以下所示的「載子的生命週期」是以相對值來表示實例或比較例中所製作的具有n型擴散層的p型矽基板的載子的生命週期相對於先前的藉由氣相擴散形成n型擴散層的p型矽基板的載子的生命週期。載子的生命週期就實用的觀點而言，將70%以上設定為合格。
[實例1]
使用自動乳缽(mortar)混練裝置(kneading machine)將粒子形狀為大致球狀，平均粒徑為3.5 μm的SiO2 -P2 O5 -CaO體系玻璃(SiO2 ：60 mol%，P2 O5 ：30 mol%，CaO：10 mol%，生命週期殺手元素為970 ppm)粉末10 g與乙基纖維素4 g、乙酸2-(2-丁氧基乙氧基)乙酯86 g加以混合並膏化，製成形成n型擴散層的組成物。
再者，玻璃粉末中的生命週期殺手元素是藉由高頻感應耦合電漿發光分光分析裝置及高頻感應耦合電漿質量分析裝置，分析其含量及元素的種類。於以下的實例中相同。玻璃粉末中含有Fe、Cu、Ni作為生命週期殺手元素。
另外，玻璃粒子形狀是使用日立高科技(Hitachi High-Technologies)(股份)製造的TM-1000型掃描型電子顯微鏡進行觀察並判定。玻璃的平均粒徑是使用Beckman Coulter(股份)製造的LS 13 320型雷射散射繞射法粒度分布測定裝置(測定波長：632 nm)來算出。
其次，藉由網版印刷將所製備的膏狀物(形成n型擴散層的組成物)塗佈於p型矽基板的表面，並於150℃的加熱板上乾燥5分鐘。繼而，利用設定成1000℃的電爐進行10分鐘熱擴散處理，然後，為了去除形成於表面的玻璃層而將基板浸漬於氫氟酸中5分鐘，進行流水清洗，其後進行乾燥。
塗佈有形成n型擴散層的組成物之側的表面的薄片電阻為50 Ω/□，P(磷)擴散而形成n型擴散層。背面的薄片電阻為1000000 Ω/□以上而無法測定，判斷為實質上未形成n型擴散層。另外，載子的生命週期為75%。
[實例2]
將所使用的玻璃粉末替換成SiO2 -P2 O5 -CaO體系玻璃粉末(SiO2 ：60 mol%，P2 O5 ：30 mol%，CaO：10 mol%，生命週期殺手元素為550 ppm，大致球狀，平均粒徑為3.2 μm)，除此以外，以與實例1相同的方式形成n型擴散層。玻璃粉末中含有Fe、Cu、Ni作為生命週期殺手元素。
塗佈有形成n型擴散層的組成物之側的表面的薄片電阻為46 Ω/□，P(磷)擴散而形成n型擴散層。背面的薄片電阻為1000000 Ω/□以上而無法測定，判斷為實質上未形成n型擴散層。另外，載子的生命週期為80%。
[實例3]
將所使用的玻璃粉末替換成SiO2 -P2 O5 -CaO體系玻璃粉末(SiO2 ：60 mol%，P2 O5 ：30 mol%，CaO：10 mol%，生命週期殺手元素為460 ppm，大致球狀，平均粒徑為3.1 μm)，除此以外，以與實例1相同的方式形成n型擴散層。玻璃粉末中含有Fe、Cu、Ni作為生命週期殺手元素。
塗佈有形成n型擴散層的組成物之側的表面的薄片電阻為51 Ω/□，P(磷)擴散而形成n型擴散層。背面的薄片電阻為1000000 Ω/□以上而無法測定，判斷為實質上未形成n型擴散層。另外，載子的生命週期為85%。
[實例4]
將所使用的玻璃粉末替換成SiO2 -P2 O5 -CaO體系玻璃粉末(SiO2 ：60 mol%，P2 O5 ：30 mol%，CaO：10 mol%，生命週期殺手元素為110 ppm，大致球狀，平均粒徑為3.5 μm)，除此以外，以與實例1相同的方式形成n型擴散層。玻璃粉末中含有Fe、Cu、Ni作為生命週期殺手元素。
塗佈有形成n型擴散層的組成物之側的表面的薄片電阻為47 Ω/□，P(磷)擴散而形成n型擴散層。背面的薄片電阻為1000000 Ω/□以上而無法測定，判斷為實質上未形成n型擴散層。另外，載子的生命週期為90%。
[實例5]
將所使用的玻璃粉末替換成SiO2 -P2 O5 -CaO體系玻璃粉末(SiO2 ：60 mol%，P2 O5 ：30 mol%，CaO：10 mol%，生命週期殺手元素為90 ppm，大致球狀，平均粒徑為3.3 μm)，除此以外，以與實例1相同的方式形成n型擴散層。玻璃粉末中含有Fe、Cu、Ni作為生命週期殺手元素。
塗佈有形成n型擴散層的組成物之側的表面的薄片電阻為47 Ω/□，P(磷)擴散而形成n型擴散層。背面的薄片電阻為1000000 Ω/□以上而無法測定，判斷為實質上未形成n型擴散層。另外，載子的生命週期為92%。
[實例6]
將所使用的玻璃粉末替換成SiO2 -P2 O5 -CaO體系玻璃粉末(SiO2 ：60 mol%，P2 O5 ：30 mol%，CaO：10 mol%，生命週期殺手元素為20 ppm，大致球狀，平均粒徑為3.1 μm)，除此以外，以與實例1相同的方式形成n型擴散層。玻璃粉末中含有Fe、Cu、Ni作為生命週期殺手元素。
塗佈有形成n型擴散層的組成物之側的表面的薄片電阻為50 Ω/□，P(磷)擴散而形成n型擴散層。背面的薄片電阻為1000000 Ω/□以上而無法測定，判斷為實質上未形成n型擴散層。另外，載子的生命週期為97%。
[實例7]
將所使用的玻璃粉末替換成SiO2 -P2 O5 -CaO體系玻璃粉末(SiO2 ：60 mol%，P2 O5 ：30 mol%，CaO：10 mol%，生命週期殺手元素為8 ppm，大致球狀，平均粒徑為3.2 μm)，除此以外，以與實例1相同的方式形成n型擴散層。玻璃粉末中含有Fe、Cu、Ni作為生命週期殺手元素。
塗佈有形成n型擴散層的組成物之側的表面的薄片電阻為50 Ω/□，P(磷)擴散而形成n型擴散層。背面的薄片電阻為1000000 Ω/□以上而無法測定，判斷為實質上未形成n型擴散層。另外，載子的生命週期為100%。
[比較例1]
將磷酸二氫銨(NH4 H2 PO4 )粉末20 g與乙基纖維素3 g、乙酸2-(2-丁氧基乙氧基)乙酯7 g加以混合並膏化，製成n型擴散層組成物。
其次，藉由網版印刷將所製備的膏塗佈於p型矽基板表面，並於150℃的加熱板上乾燥5分鐘。繼而，利用設定成1000℃的電爐進行10分鐘熱擴散處理，然後，為了去除玻璃層而將基板浸漬於氫氟酸中5分鐘，然後進行流水清洗、乾燥。
塗佈有形成n型擴散層的組成物之側的表面的薄片電阻為14 Ω/□，P(磷)擴散而形成n型擴散層。但是，背面的薄片電阻為50 Ω/□，於背面亦形成有n型擴散層。
[比較例2]
將磷酸二氫銨(NH4 H2 PO4 )粉末1 g與純水7 g、聚乙烯醇0.7 g、異丙醇1.5 g混合來製備溶液，製成n型擴散層組成物。
其次，利用旋轉塗佈機(2000 rpm，30 sec)將所製備的溶液塗佈於p型矽基板表面，並於150℃的加熱板上乾燥5分鐘。繼而，利用設定成1000℃的電爐進行10分鐘熱擴散處理，然後，為了去除玻璃層而將基板浸漬於氫氟酸中5分鐘，然後進行流水清洗、乾燥。
塗佈有形成n型擴散層的組成物之側的表面的薄片電阻為10 Ω/□，P(磷)擴散而形成n型擴散層。但是，背面的薄片電阻為100 Ω/□，於背面亦形成有n型擴散層。
[比較例3]
將粒子形狀為大致球狀，平均粒徑為3.1 μm的SiO2 -P2 O5 -CaO體系玻璃(SiO2 ：60 mol%，P2 O5 ：30 mol%，CaO：10 mol%，生命週期殺手元素為1150 ppm)粉末10 g與乙基纖維素4 g、乙酸2-(2-丁氧基乙氧基)乙酯86 g加以混合並膏化，製成形成n型擴散層的組成物。玻璃粉末中含有Fe、Cu、Ni作為生命週期殺手元素。
繼而，藉由網版印刷將所製備的膏狀物(形成p型擴散層的組成物)塗佈於p型矽基板表面，並於150℃的加熱板上乾燥5分鐘。繼而，利用設定成1000℃的電爐進行10分鐘熱擴散處理，然後，為了去除玻璃層而將基板浸漬於氫氟酸中5分鐘，進行流水清洗，其後進行乾燥。
塗佈有形成n型擴散層的組成物之側的表面的薄片電阻為48 Ω/□，P(磷)擴散而形成n型擴散層。背面的薄片電阻為1000000 Ω/□以上而無法測定，未形成n型擴散層。但是，載子的生命週期為67%而較低。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10．．．p型半導體基板/半導體基板/矽/矽基板
11．．．形成n型擴散層的組成物層/形成n型擴散層的組成物
12．．．n型擴散層
13．．．組成物
14．．．p+ 型擴散層(高濃度電場層)
16．．．抗反射膜
18．．．表面電極
20．．．背面電極/表面電極
30．．．匯流條電極
32．．．指狀電極
圖1(1)至圖1(6)是概念性地表示本發明的太陽電池元件的製造步驟的一例的剖面圖。
圖2(A)是自表面所觀察到的太陽電池元件的俯視圖。
圖2(B)是將圖2(A)的一部分擴大表示的立體圖。
10．．．p型半導體基板
11．．．形成n型擴散層的組成物層/形成n型擴散層的組成物
12．．．n型擴散層
13．．．組成物
14．．．p+ 型擴散層(高濃度電場層)
16．．．抗反射膜
18．．．表面電極
20．．．背面電極/表面電極

Claims (8)

  1. 一種形成n型擴散層的組成物，包括：含有施體元素且生命週期殺手元素的總量為1000ppm以下的玻璃粉末；以及分散介質，其中形成n型擴散層的組成物中的生命週期殺手元素的總量為1100ppm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之形成n型擴散層的組成物，其中上述施體元素是選自P(磷)及Sb(銻)中的至少一種。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之形成n型擴散層的組成物，其中含有上述施體元素的玻璃粉末包括：選自P2 O3 、P2 O5 及Sb2 O3 中的至少一種含有施體元素的物質；以及選自SiO2 、K2 O、Na2 O、Li2 O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、SnO、ZrO2 、及MoO3 中的至少一種玻璃成分物質。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之形成n型擴散層的組成物，更包括與上述玻璃粉末反應而結晶化的元素。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之形成n型擴散層的組成物，其中與上述玻璃粉末反應而結晶化的上述元素是選自Ag(銀)、Si(矽)及Zn(鋅)中的至少一種。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之形成n型擴散層的組成物，其中上述生命週期殺手元素是選自Fe(鐵)、Cu (銅)、Ni(鎳)、Mn(錳)、Cr(鉻)、W(鎢)及Au(金)中的至少一種。
  7. 一種n型擴散層的製造方法，包括：塗佈如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述之形成n型擴散層的組成物的步驟；以及實施熱擴散處理的步驟。
  8. 一種太陽電池元件的製造方法，包括：於半導體基板上塗佈如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述之形成n型擴散層的組成物的步驟；實施熱擴散處理以形成n型擴散層的步驟；以及於所形成的上述n型擴散層上形成電極的步驟。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101835897B1 (ko) * 2010-04-23 2018-03-07 히타치가세이가부시끼가이샤 ｎ 형 확산층 형성 조성물, ｎ 형 확산층의 제조 방법, 및 태양 전지 소자의 제조 방법
JP5339011B1 (ja) * 2012-01-10 2013-11-13 日立化成株式会社 太陽電池用基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法
TW201332897A (zh) * 2012-01-10 2013-08-16 Hitachi Chemical Co Ltd 阻擋層形成用組成物、太陽電池用基板的製造方法以及太陽電池元件的製造方法
CN104025306A (zh) * 2012-01-10 2014-09-03 日立化成株式会社 太阳能电池用基板的制造方法及太阳能电池元件的制造方法
WO2013105602A1 (ja) * 2012-01-10 2013-07-18 日立化成株式会社 ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層形成組成物セット、ｎ型拡散層付き半導体基板の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法
JP5339013B1 (ja) * 2012-01-10 2013-11-13 日立化成株式会社 太陽電池用基板の製造方法および太陽電池素子の製造方法
CN104137227B (zh) * 2012-02-23 2018-05-18 日立化成株式会社 n型扩散层形成用组合物、具有n型扩散层的半导体基板的制造方法及太阳能电池元件的制造方法
KR101608123B1 (ko) * 2013-09-13 2016-03-31 제일모직주식회사 태양전지 전극　형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
CN109809699B (zh) * 2019-01-21 2021-05-28 西北大学 一种掺磷玻璃粉及制备方法和利用其制备太阳能电池用正银浆料的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW492081B (en) * 1999-03-11 2002-06-21 Merck Patent Gmbh Dopant pastes for the production of p, p+ and n, n+ regions in semiconductors
JP2009200276A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 電極形成用導電性組成物及び太陽電池の形成方法
TW201007770A (en) * 2008-06-06 2010-02-16 Du Pont Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL207969A (zh) * 1955-06-28
US4891331A (en) * 1988-01-21 1990-01-02 Oi-Neg Tv Products, Inc. Method for doping silicon wafers using Al2 O3 /P2 O5 composition
JPH06105696B2 (ja) * 1988-12-15 1994-12-21 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JPH02177569A (ja) * 1988-12-28 1990-07-10 Sharp Corp 太陽電池の製造方法
KR920005467B1 (ko) * 1990-05-04 1992-07-04 한국과학기술연구원 저온 소성용 세라믹스 소재 및 그의 제조 방법
JPH054827A (ja) * 1990-09-07 1993-01-14 Mitsubishi Kasei Corp シリカガラス粉末及びその製法並びにこれを用いたシリカガラス成形体
EP0474158B1 (en) * 1990-09-07 1995-04-19 Mitsubishi Chemical Corporation Silica glass powder and a method for its production and a silica glass body product made thereof
JPH04158514A (ja) * 1990-10-22 1992-06-01 Sumitomo Chem Co Ltd 半導体基板への不純物拡散方法
JPH04174517A (ja) * 1990-11-07 1992-06-22 Canon Inc ダイヤモンド半導体の製造方法
DE19508712C2 (de) 1995-03-10 1997-08-07 Siemens Solar Gmbh Solarzelle mit Back-Surface-Field und Verfahren zur Herstellung
US6482269B1 (en) 1997-05-29 2002-11-19 Memc Electronic Materials, Inc. Process for the removal of copper and other metallic impurities from silicon
JP2002075894A (ja) 2000-09-01 2002-03-15 Sanken Electric Co Ltd 液状不純物源材料及びこれを使用した半導体装置の製造方法
JP4726354B2 (ja) * 2001-08-22 2011-07-20 東洋アルミニウム株式会社 ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池
JP4761706B2 (ja) 2003-12-25 2011-08-31 京セラ株式会社 光電変換装置の製造方法
JP4458963B2 (ja) * 2004-07-08 2010-04-28 東ソ−・エスジ−エム株式会社 ドープトシリカガラス及びその製造方法
US8076570B2 (en) * 2006-03-20 2011-12-13 Ferro Corporation Aluminum-boron solar cell contacts
WO2008085806A1 (en) * 2007-01-03 2008-07-17 Nanogram Corporation Nanoparticle inks based on silicon/germanium, doped particles, printing and processes for semiconductor applications
US20090092745A1 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Luca Pavani Dopant material for manufacturing solar cells
US20100136314A1 (en) * 2007-11-09 2010-06-03 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Dopant host and process for producing the dopant host
JP5382606B2 (ja) 2007-12-25 2014-01-08 日本電気硝子株式会社 半導体用ホウ素ドープ材の製造方法
JP2009117729A (ja) 2007-11-09 2009-05-28 Nippon Electric Glass Co Ltd ドーパントホストおよびその製造方法
WO2009060761A1 (ja) * 2007-11-09 2009-05-14 Nippon Electric Glass Co., Ltd. ドーパントホストおよびその製造方法
JP5476849B2 (ja) 2008-08-20 2014-04-23 日本電気硝子株式会社 ドーパントホスト
JP5223588B2 (ja) 2008-10-24 2013-06-26 トヨタ紡織株式会社 内装材の移動規制部材及び移動規制構造
WO2010068331A1 (en) 2008-12-10 2010-06-17 Applied Materials, Inc. Enhanced vision system for screen printing pattern alignment
US8710355B2 (en) * 2008-12-22 2014-04-29 E I Du Pont De Nemours And Company Compositions and processes for forming photovoltaic devices
EP2417073A1 (en) * 2009-04-09 2012-02-15 E. I. du Pont de Nemours and Company Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells
KR101835897B1 (ko) * 2010-04-23 2018-03-07 히타치가세이가부시끼가이샤 ｎ 형 확산층 형성 조성물, ｎ 형 확산층의 제조 방법, 및 태양 전지 소자의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW492081B (en) * 1999-03-11 2002-06-21 Merck Patent Gmbh Dopant pastes for the production of p, p+ and n, n+ regions in semiconductors
JP2009200276A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 電極形成用導電性組成物及び太陽電池の形成方法
TW201007770A (en) * 2008-06-06 2010-02-16 Du Pont Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells

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