JP4726354B2 - ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池 - Google Patents
ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4726354B2 JP4726354B2 JP2001251166A JP2001251166A JP4726354B2 JP 4726354 B2 JP4726354 B2 JP 4726354B2 JP 2001251166 A JP2001251166 A JP 2001251166A JP 2001251166 A JP2001251166 A JP 2001251166A JP 4726354 B2 JP4726354 B2 JP 4726354B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste composition
- mass
- boron
- boron compound
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 43
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 claims description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 17
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 5
- AJSTXXYNEIHPMD-UHFFFAOYSA-N triethyl borate Chemical compound CCOB(OCC)OCC AJSTXXYNEIHPMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N trimethyl borate Chemical compound COB(OC)OC WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001649 bromium compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 2
- -1 oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 6
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/2225—Diffusion sources
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、一般的にはペースト組成物およびそれを用いた太陽電池に関し、特定的には、結晶系シリコン太陽電池を構成するｐ型シリコン半導体基板の上に電極を形成する際に用いられるペースト組成物、およびそれを用いた太陽電池に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ｐ型シリコン半導体基板の上に電極が形成された電子部品として、太陽電池が知られている。図１に示すように、太陽電池は、厚みが３００〜４００μｍのｐ型シリコン半導体基板１を用いて構成される。ｐ型シリコン半導体基板１の受光面側には、厚みが０．３〜０．５μｍのｎ型不純物層２と、その上に反射防止膜３とグリッド電極４が形成されている。
【０００３】
また、ｐ型シリコン半導体基板１の裏面側には、裏面電極層５が形成されている。裏面電極層５は、アルミニウム粉末、ガラスフリットおよび有機質ビヒクルからなるペースト組成物をスクリーン印刷等によって塗布し、乾燥した後、６６０℃（アルミニウムの融点）以上の温度にて焼成することによって形成されている。この焼成の際にアルミニウムがｐ型シリコン半導体基板１の内部に拡散することにより、裏面電極層５とｐ型シリコン半導体基板１との間にＡｌ−Ｓｉ合金層６が形成されると同時に、アルミニウム原子の拡散による拡散層としてｐ+層７が形成される。このｐ+層７の存在により、生成キャリアの収集効率が向上するＢＳＦ（Back Surface Field)効果が得られる。実際の裏面電極は、焼成後の裏面電極層５、Ａｌ−Ｓｉ合金層６およびｐ+層７の三層をそのままで使用する場合と、電気抵抗を低減させるために、焼成後の裏面電極層５、または焼成後の裏面電極層５とＡｌ−Ｓｉ合金層６を化学的方法等によって除去した後、銀や銅からなる電極層を形成して使用する場合がある。いずれの場合においても、ｐ+層７がＢＳＦ効果を発揮する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
近年、太陽電池の出力を向上させることが強く要求されている。太陽電池の出力の向上を図るための一つの対策として、ＢＳＦ効果の向上や電極の電気抵抗の低減が望まれている。この目的のために、上記のｐ+層を形成するために用いられるペースト組成物について種々検討されている。
【０００５】
たとえば、特開２０００−９０７３４号公報には、アルミニウム粉末、ガラスフリット、有機質ビヒクルに加えて、さらにアルミニウム含有有機化合物を含有する導電性ペーストが開示されている。また、特開平８−１４８４４７号公報には、ペースト全体に対する配合比率が６０〜９０ｗｔ％の範囲内にある固形分と、１０〜４０ｗｔ％の範囲内にある有機質ビヒクルからなり、かつ、固形分は、固形分全体に対する配合比率が８５〜９８．５ｗｔ％の範囲内にある銀粉末と、０．５〜１０ｗｔ％の範囲内にあるアルミニウム粉末と、１〜１０ｗｔ％の範囲内にあるガラスフリットを含んだものであることを特徴とした導電性ペーストが開示されている。しかしながら、これらの公報で開示されたペーストを用いても、太陽電池の出力のさらなる向上という要求を充分満足するほど、ＢＳＦ効果の向上や電極の電気抵抗の低減を達成できていないのが現状である。
【０００６】
そこで、この発明の目的は、ＢＳＦ効果をさらに向上させることが可能なペースト組成物と、その組成物を用いて形成された電極を備えた太陽電池を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、特定の組成を有するペースト組成物を使用することにより、上記の目的を達成できることを見出した。この知見に基づいて、本発明に従ったペースト組成物は、次のような特徴を備えている。
【０００８】
この発明に従ったペースト組成物は、ｐ型シリコン半導体基板の上に電極を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、ガラスフリットと、無機ホウ素化合物および有機ホウ素化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種とを含む。
【０００９】
好ましくは、この発明のペースト組成物は、無機ホウ素化合物および有機ホウ素化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種を、ホウ素換算で０．０１質量％以上５．０質量％以下含む。
【００１０】
さらに好ましくは、この発明のペースト組成物は、アルミニウム粉末を６０質量％以上７５質量％以下、ガラスフリットを０．３質量％以上５．０質量％以下、有機質ビヒクルを２０質量％以上３０質量％以下、無機ホウ素化合物および有機ホウ素化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種を、ホウ素換算で０．０１質量％以上５．０質量％以下含む。
【００１１】
この発明のペースト組成物において、無機ホウ素化合物は、炭化物、酸化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、弗化物、窒化物およびホウ酸から選ばれた少なくとも１種であるのが好ましい。
【００１２】
また、この発明のペースト組成物において、有機ホウ素化合物は、トリメトキシボロン、トリエトキシボロン、トリプロポキシボロンおよびトリプトキシボロンからなる群から選ばれた少なくとも１種であるのが好ましい。
【００１３】
この発明に従った太陽電池は、上述の特徴を有するペースト組成物をｐ型シリコン半導体基板の上に塗布した後、焼成することにより形成した電極を備える。
【００１４】
【発明の実施の形態】
この発明のペースト組成物は、アルミニウム粉末、ガラスフリット、有機質ビヒクルに加えて、さらに、無機ホウ素化合物および有機ホウ素化合物からなる群より選ばれた少なくとも１種のホウ素含有物を含有することを特徴としている。従来の組成にホウ素含有物を加えることにより、ＢＳＦ効果をさらに向上させることが可能な電極形成材料としてのペースト組成物が得られる。
【００１５】
上記のホウ素含有物を含有させることにより、ＢＳＦ効果が向上する理由は明らかではないが、次のように推測される。ホウ素原子の存在によって、ペーストの焼成時にアルミニウム原子がｐ型シリコン半導体基板の表面から内部に拡散しやすくなるので、ＢＳＦ効果が向上する。あるいは、ペーストの焼成時にホウ素原子そのものがｐ型シリコン半導体基板の内部に拡散することによって、ＢＳＦ効果が向上する。
【００１６】
本発明のペースト組成物に含められる無機ホウ素化合物としては、炭化物、酸化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、弗化物、窒化物またはホウ酸が挙げられるが、これらの化合物に限定されるものではない。また、本発明のペースト組成物に含められる有機ホウ素化合物としては、トリメトキシボロン、トリエトキシボロン、トリプロポキシボロンまたはトリプトキシボロンが挙げられるが、これらの化合物に限定されるものではない。
【００１７】
本発明のペースト組成物に含められる無機ホウ素化合物および有機ホウ素化合物からなる群より選ばれた少なくとも１種のホウ素含有物の含有量は、ホウ素換算で０．０１質量％以上５．０質量％以下であることが好ましい。ホウ素含有物の含有量が０．０１質量％未満では、ＢＳＦ効果を高めるほどの充分な添加効果を得ることができない。ホウ素含有物の含有量が５．０質量％を超えると、スクリーン印刷等におけるペーストの塗布性が低下する。
【００１８】
また、本発明のペースト組成物に含められるアルミニウム粉末の含有量は、６０質量％以上７５質量％以下であることが好ましい。アルミニウム粉末の含有量が６０質量％未満では、焼成後の裏面電極の電気抵抗が高くなり、太陽電池の特性低下を招くおそれがある。アルミニウム粉末の含有量が７５質量％を超えると、スクリーン印刷等におけるペーストの塗布性が低下する。
【００１９】
さらに、本発明のペースト組成物に含められるガラスフリットの含有量は、０．３質量％以上５．０質量％以下であることが好ましい。ガラスフリットは、焼成後の裏面電極とｐ型シリコン半導体基板との密着性を向上させるために添加されているものである。ガラスフリットの含有量が０．３質量％未満では、焼成後の裏面電極の接着強度が低下する。ガラスフリットの含有量が５．０質量％を超えれば、ガラスの偏析が生じるおそれがある。
【００２０】
本発明のペースト組成物に含まれるガラスフリットとしては、ＳｉＯ2-Ｂｉ2Ｏ3−ＰｂＯ系の他に、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3系、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ系、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＰｂＯ系等のホウ素を含んだものも挙げられる。しかし、本発明のペースト組成物では、ガラスフリット中のホウ素の有無にかかわらず、上記のホウ素含有物を含有させることによって、ＢＳＦ効果を確実に向上させることができる。
【００２１】
本発明のペースト組成物に含められる有機質ビヒクルとしては、エチルセルロース、アクリル樹脂、アルキッド樹脂等を溶剤に溶解したものが使用される。有機質ビヒクルの含有量は２０質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。有機質ビヒクルの含有量が２０質量％未満では、ペーストの印刷性が低下する。有機質ビヒクルの含有量が３０質量％を超えれば、焼成後の裏面電極の密度が低下し、電極の電気抵抗が増大する。
【００２２】
【実施例】
以下、本発明の一つの実施例について説明する。
【００２３】
まず、アルミニウム粉末を６０〜７５質量％、ガラスフリットを０．３〜５．０質量％、有機質ビヒクルを２０〜３０質量％の範囲内で含有するとともに、ホウ素粉末、無機ホウ素化合物または有機ホウ素化合物のホウ素（Ｂ）含有物を表１に示す割合（ホウ素（Ｂ）換算添加量）で含有する各種のペースト組成物を作製した。
【００２４】
具体的には、エチルセルロースをグリコールエーテル系有機溶剤に溶解した有機質ビヒクルに、アルミニウム粉末とＢ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＰｂＯ系のガラスフリットを加え、さらに表１に示す各種のホウ素含有物を加えて、周知の混合機にて混合し、ペースト組成物を得た。
【００２５】
ここで、アルミニウム粉末は、ｐ型シリコン半導体基板との反応性の確保、塗布性、および塗布膜の均一性の点から、平均粒径２〜２０μｍの球形、または球形に近い形状を有する粒子からなる粉末を用いるのが好ましい。上記のペースト組成物の作製で用いたアルミニウム（Ａｌ）粉末の平均粒径を表１に示す。
【００２６】
表１に示すホウ素（Ｂ）含有物として、ホウ素（Ｂ）粉末は試薬の２５０メッシュ通過品、ホウ酸は試薬の２５０メッシュ通過品、酸化ホウ素は試薬の２５０メッシュ通過品、炭化ホウ素は共立マテリアル株式会社製のＢ４Ｃ−Ｊ５、トリエトキシボロンは試薬を用いた。
【００２７】
上記の各種のペースト組成物を厚みが３００μｍ、大きさが２インチ（５０．８ｍｍ）×２インチ（５０．８ｍｍ）のｐ型シリコン半導体基板に１８０メッシュのスクリーン印刷版を用いて塗布・印刷し、乾燥させた。
【００２８】
塗布量は、焼成後の電極の厚みが４０〜６０μｍになるように設定した。スクリーン印刷の評価は、シリコン（Ｓｉ）基板に１００％印刷できれば○、スクリーン印刷版にペースト組成物が残留し、シリコン基板への印刷面積が１００％未満から９５％の範囲であれば△、９５％未満であれば×とした。この評価は表１のスクリーン印刷性で示している。
【００２９】
ペーストが印刷されたｐ型シリコン半導体基板を乾燥した後、赤外線焼成炉にて、空気雰囲気で４００℃／分の加熱速度で加熱し、７１０〜７２０℃の温度で３０秒間保持する条件で焼成した。焼成後、冷却することにより、図１に示すようにｐ型シリコン半導体基板１に裏面電極層５を形成した構造を得た。
【００３０】
その後、裏面電極層を形成したｐ型シリコン半導体基板を塩酸水溶液に浸漬することによって、裏面電極層５とＡｌ−Ｓｉ合金層６を溶解除去した後、ｐ+層７が形成されたｐ型シリコン半導体基板の表面抵抗を、４探針式表面抵抗測定器にて測定した。ｐ+層７の表面抵抗とＢＳＦ効果との間には相関関係があり、その表面抵抗が小さいほど、ＢＳＦ効果が高いとされている。シリコン（Ｓｉ）基板のｐ+層の表面抵抗を表１に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】
表１に示す結果から、アルミニウム粉末の平均粒径に関係なく、無添加の従来例においては焼成後のｐ+層の表面抵抗が１２．０Ω□以上であったのに対して、ホウ素含有物を０．０１質量％以上添加した場合にはｐ+層の表面抵抗を１０．０Ω□以下まで低減させることができる。また、ホウ素含有物は、ホウ酸、酸化ホウ素またはトリエトキシボロンのいずれの形態で添加しても上記の効果を達成できることがわかる。
【００３３】
以上に開示された実施の形態や実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考慮されるべきである。本発明の範囲は、以上の実施の形態や実施例ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての修正や変形を含むものと意図される。
【００３４】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、ホウ素含有物を含む本発明のペースト組成物を塗布したｐ型シリコン半導体基板を焼成することにより、ｐ+層の表面抵抗を低減させることができるので、ＢＳＦ効果をより一層高めることができ、結果として太陽電池の出力を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明が適用される太陽電池の断面構造を模式的に示す図である。
【符号の説明】
１：ｐ型シリコン半導体基板、２：ｎ型不純物層、３：反射防止膜、４：グリッド電極、５：裏面電極層、６：Ａｌ−Ｓｉ合金層、７：ｐ+層。
【発明の属する技術分野】
この発明は、一般的にはペースト組成物およびそれを用いた太陽電池に関し、特定的には、結晶系シリコン太陽電池を構成するｐ型シリコン半導体基板の上に電極を形成する際に用いられるペースト組成物、およびそれを用いた太陽電池に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ｐ型シリコン半導体基板の上に電極が形成された電子部品として、太陽電池が知られている。図１に示すように、太陽電池は、厚みが３００〜４００μｍのｐ型シリコン半導体基板１を用いて構成される。ｐ型シリコン半導体基板１の受光面側には、厚みが０．３〜０．５μｍのｎ型不純物層２と、その上に反射防止膜３とグリッド電極４が形成されている。
【０００３】
また、ｐ型シリコン半導体基板１の裏面側には、裏面電極層５が形成されている。裏面電極層５は、アルミニウム粉末、ガラスフリットおよび有機質ビヒクルからなるペースト組成物をスクリーン印刷等によって塗布し、乾燥した後、６６０℃（アルミニウムの融点）以上の温度にて焼成することによって形成されている。この焼成の際にアルミニウムがｐ型シリコン半導体基板１の内部に拡散することにより、裏面電極層５とｐ型シリコン半導体基板１との間にＡｌ−Ｓｉ合金層６が形成されると同時に、アルミニウム原子の拡散による拡散層としてｐ+層７が形成される。このｐ+層７の存在により、生成キャリアの収集効率が向上するＢＳＦ（Back Surface Field)効果が得られる。実際の裏面電極は、焼成後の裏面電極層５、Ａｌ−Ｓｉ合金層６およびｐ+層７の三層をそのままで使用する場合と、電気抵抗を低減させるために、焼成後の裏面電極層５、または焼成後の裏面電極層５とＡｌ−Ｓｉ合金層６を化学的方法等によって除去した後、銀や銅からなる電極層を形成して使用する場合がある。いずれの場合においても、ｐ+層７がＢＳＦ効果を発揮する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
近年、太陽電池の出力を向上させることが強く要求されている。太陽電池の出力の向上を図るための一つの対策として、ＢＳＦ効果の向上や電極の電気抵抗の低減が望まれている。この目的のために、上記のｐ+層を形成するために用いられるペースト組成物について種々検討されている。
【０００５】
たとえば、特開２０００−９０７３４号公報には、アルミニウム粉末、ガラスフリット、有機質ビヒクルに加えて、さらにアルミニウム含有有機化合物を含有する導電性ペーストが開示されている。また、特開平８−１４８４４７号公報には、ペースト全体に対する配合比率が６０〜９０ｗｔ％の範囲内にある固形分と、１０〜４０ｗｔ％の範囲内にある有機質ビヒクルからなり、かつ、固形分は、固形分全体に対する配合比率が８５〜９８．５ｗｔ％の範囲内にある銀粉末と、０．５〜１０ｗｔ％の範囲内にあるアルミニウム粉末と、１〜１０ｗｔ％の範囲内にあるガラスフリットを含んだものであることを特徴とした導電性ペーストが開示されている。しかしながら、これらの公報で開示されたペーストを用いても、太陽電池の出力のさらなる向上という要求を充分満足するほど、ＢＳＦ効果の向上や電極の電気抵抗の低減を達成できていないのが現状である。
【０００６】
そこで、この発明の目的は、ＢＳＦ効果をさらに向上させることが可能なペースト組成物と、その組成物を用いて形成された電極を備えた太陽電池を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、特定の組成を有するペースト組成物を使用することにより、上記の目的を達成できることを見出した。この知見に基づいて、本発明に従ったペースト組成物は、次のような特徴を備えている。
【０００８】
この発明に従ったペースト組成物は、ｐ型シリコン半導体基板の上に電極を形成するためのペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、ガラスフリットと、無機ホウ素化合物および有機ホウ素化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種とを含む。
【０００９】
好ましくは、この発明のペースト組成物は、無機ホウ素化合物および有機ホウ素化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種を、ホウ素換算で０．０１質量％以上５．０質量％以下含む。
【００１０】
さらに好ましくは、この発明のペースト組成物は、アルミニウム粉末を６０質量％以上７５質量％以下、ガラスフリットを０．３質量％以上５．０質量％以下、有機質ビヒクルを２０質量％以上３０質量％以下、無機ホウ素化合物および有機ホウ素化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種を、ホウ素換算で０．０１質量％以上５．０質量％以下含む。
【００１１】
この発明のペースト組成物において、無機ホウ素化合物は、炭化物、酸化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、弗化物、窒化物およびホウ酸から選ばれた少なくとも１種であるのが好ましい。
【００１２】
また、この発明のペースト組成物において、有機ホウ素化合物は、トリメトキシボロン、トリエトキシボロン、トリプロポキシボロンおよびトリプトキシボロンからなる群から選ばれた少なくとも１種であるのが好ましい。
【００１３】
この発明に従った太陽電池は、上述の特徴を有するペースト組成物をｐ型シリコン半導体基板の上に塗布した後、焼成することにより形成した電極を備える。
【００１４】
【発明の実施の形態】
この発明のペースト組成物は、アルミニウム粉末、ガラスフリット、有機質ビヒクルに加えて、さらに、無機ホウ素化合物および有機ホウ素化合物からなる群より選ばれた少なくとも１種のホウ素含有物を含有することを特徴としている。従来の組成にホウ素含有物を加えることにより、ＢＳＦ効果をさらに向上させることが可能な電極形成材料としてのペースト組成物が得られる。
【００１５】
上記のホウ素含有物を含有させることにより、ＢＳＦ効果が向上する理由は明らかではないが、次のように推測される。ホウ素原子の存在によって、ペーストの焼成時にアルミニウム原子がｐ型シリコン半導体基板の表面から内部に拡散しやすくなるので、ＢＳＦ効果が向上する。あるいは、ペーストの焼成時にホウ素原子そのものがｐ型シリコン半導体基板の内部に拡散することによって、ＢＳＦ効果が向上する。
【００１６】
本発明のペースト組成物に含められる無機ホウ素化合物としては、炭化物、酸化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、弗化物、窒化物またはホウ酸が挙げられるが、これらの化合物に限定されるものではない。また、本発明のペースト組成物に含められる有機ホウ素化合物としては、トリメトキシボロン、トリエトキシボロン、トリプロポキシボロンまたはトリプトキシボロンが挙げられるが、これらの化合物に限定されるものではない。
【００１７】
本発明のペースト組成物に含められる無機ホウ素化合物および有機ホウ素化合物からなる群より選ばれた少なくとも１種のホウ素含有物の含有量は、ホウ素換算で０．０１質量％以上５．０質量％以下であることが好ましい。ホウ素含有物の含有量が０．０１質量％未満では、ＢＳＦ効果を高めるほどの充分な添加効果を得ることができない。ホウ素含有物の含有量が５．０質量％を超えると、スクリーン印刷等におけるペーストの塗布性が低下する。
【００１８】
また、本発明のペースト組成物に含められるアルミニウム粉末の含有量は、６０質量％以上７５質量％以下であることが好ましい。アルミニウム粉末の含有量が６０質量％未満では、焼成後の裏面電極の電気抵抗が高くなり、太陽電池の特性低下を招くおそれがある。アルミニウム粉末の含有量が７５質量％を超えると、スクリーン印刷等におけるペーストの塗布性が低下する。
【００１９】
さらに、本発明のペースト組成物に含められるガラスフリットの含有量は、０．３質量％以上５．０質量％以下であることが好ましい。ガラスフリットは、焼成後の裏面電極とｐ型シリコン半導体基板との密着性を向上させるために添加されているものである。ガラスフリットの含有量が０．３質量％未満では、焼成後の裏面電極の接着強度が低下する。ガラスフリットの含有量が５．０質量％を超えれば、ガラスの偏析が生じるおそれがある。
【００２０】
本発明のペースト組成物に含まれるガラスフリットとしては、ＳｉＯ2-Ｂｉ2Ｏ3−ＰｂＯ系の他に、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3系、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ系、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＰｂＯ系等のホウ素を含んだものも挙げられる。しかし、本発明のペースト組成物では、ガラスフリット中のホウ素の有無にかかわらず、上記のホウ素含有物を含有させることによって、ＢＳＦ効果を確実に向上させることができる。
【００２１】
本発明のペースト組成物に含められる有機質ビヒクルとしては、エチルセルロース、アクリル樹脂、アルキッド樹脂等を溶剤に溶解したものが使用される。有機質ビヒクルの含有量は２０質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。有機質ビヒクルの含有量が２０質量％未満では、ペーストの印刷性が低下する。有機質ビヒクルの含有量が３０質量％を超えれば、焼成後の裏面電極の密度が低下し、電極の電気抵抗が増大する。
【００２２】
【実施例】
以下、本発明の一つの実施例について説明する。
【００２３】
まず、アルミニウム粉末を６０〜７５質量％、ガラスフリットを０．３〜５．０質量％、有機質ビヒクルを２０〜３０質量％の範囲内で含有するとともに、ホウ素粉末、無機ホウ素化合物または有機ホウ素化合物のホウ素（Ｂ）含有物を表１に示す割合（ホウ素（Ｂ）換算添加量）で含有する各種のペースト組成物を作製した。
【００２４】
具体的には、エチルセルロースをグリコールエーテル系有機溶剤に溶解した有機質ビヒクルに、アルミニウム粉末とＢ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＰｂＯ系のガラスフリットを加え、さらに表１に示す各種のホウ素含有物を加えて、周知の混合機にて混合し、ペースト組成物を得た。
【００２５】
ここで、アルミニウム粉末は、ｐ型シリコン半導体基板との反応性の確保、塗布性、および塗布膜の均一性の点から、平均粒径２〜２０μｍの球形、または球形に近い形状を有する粒子からなる粉末を用いるのが好ましい。上記のペースト組成物の作製で用いたアルミニウム（Ａｌ）粉末の平均粒径を表１に示す。
【００２６】
表１に示すホウ素（Ｂ）含有物として、ホウ素（Ｂ）粉末は試薬の２５０メッシュ通過品、ホウ酸は試薬の２５０メッシュ通過品、酸化ホウ素は試薬の２５０メッシュ通過品、炭化ホウ素は共立マテリアル株式会社製のＢ４Ｃ−Ｊ５、トリエトキシボロンは試薬を用いた。
【００２７】
上記の各種のペースト組成物を厚みが３００μｍ、大きさが２インチ（５０．８ｍｍ）×２インチ（５０．８ｍｍ）のｐ型シリコン半導体基板に１８０メッシュのスクリーン印刷版を用いて塗布・印刷し、乾燥させた。
【００２８】
塗布量は、焼成後の電極の厚みが４０〜６０μｍになるように設定した。スクリーン印刷の評価は、シリコン（Ｓｉ）基板に１００％印刷できれば○、スクリーン印刷版にペースト組成物が残留し、シリコン基板への印刷面積が１００％未満から９５％の範囲であれば△、９５％未満であれば×とした。この評価は表１のスクリーン印刷性で示している。
【００２９】
ペーストが印刷されたｐ型シリコン半導体基板を乾燥した後、赤外線焼成炉にて、空気雰囲気で４００℃／分の加熱速度で加熱し、７１０〜７２０℃の温度で３０秒間保持する条件で焼成した。焼成後、冷却することにより、図１に示すようにｐ型シリコン半導体基板１に裏面電極層５を形成した構造を得た。
【００３０】
その後、裏面電極層を形成したｐ型シリコン半導体基板を塩酸水溶液に浸漬することによって、裏面電極層５とＡｌ−Ｓｉ合金層６を溶解除去した後、ｐ+層７が形成されたｐ型シリコン半導体基板の表面抵抗を、４探針式表面抵抗測定器にて測定した。ｐ+層７の表面抵抗とＢＳＦ効果との間には相関関係があり、その表面抵抗が小さいほど、ＢＳＦ効果が高いとされている。シリコン（Ｓｉ）基板のｐ+層の表面抵抗を表１に示す。
【００３１】
【表１】
表１に示す結果から、アルミニウム粉末の平均粒径に関係なく、無添加の従来例においては焼成後のｐ+層の表面抵抗が１２．０Ω□以上であったのに対して、ホウ素含有物を０．０１質量％以上添加した場合にはｐ+層の表面抵抗を１０．０Ω□以下まで低減させることができる。また、ホウ素含有物は、ホウ酸、酸化ホウ素またはトリエトキシボロンのいずれの形態で添加しても上記の効果を達成できることがわかる。
【００３３】
以上に開示された実施の形態や実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考慮されるべきである。本発明の範囲は、以上の実施の形態や実施例ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての修正や変形を含むものと意図される。
【００３４】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、ホウ素含有物を含む本発明のペースト組成物を塗布したｐ型シリコン半導体基板を焼成することにより、ｐ+層の表面抵抗を低減させることができるので、ＢＳＦ効果をより一層高めることができ、結果として太陽電池の出力を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明が適用される太陽電池の断面構造を模式的に示す図である。
【符号の説明】
１：ｐ型シリコン半導体基板、２：ｎ型不純物層、３：反射防止膜、４：グリッド電極、５：裏面電極層、６：Ａｌ−Ｓｉ合金層、７：ｐ+層。
Claims (6)
- ｐ型シリコン半導体基板の上に電極を形成するためのペースト組成物であって、
アルミニウム粉末と、有機質ビヒクルと、ガラスフリットと、無機ホウ素化合物および有機ホウ素化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種とを含む、ペースト組成物。 - 無機ホウ素化合物および有機ホウ素化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種を、ホウ素換算で０．０１質量％以上５．０質量％以下含む、請求項１に記載のペースト組成物。
- アルミニウム粉末を６０質量％以上７５質量％以下、ガラスフリットを０．３質量％以上５．０質量％以下、有機質ビヒクルを２０質量％以上３０質量％以下、無機ホウ素化合物および有機ホウ素化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種を、ホウ素換算で０．０１質量％以上５．０質量％以下含む、請求項１に記載のペースト組成物。
- 前記無機ホウ素化合物は、炭化物、酸化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、弗化物、窒化物およびホウ酸から選ばれた少なくとも１種である、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載のペースト組成物。
- 前記有機ホウ素化合物は、トリメトキシボロン、トリエトキシボロン、トリプロポキシボロンおよびトリプトキシボロンからなる群から選ばれた少なくとも１種である、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載のペースト組成物。
- 請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載のペースト組成物をｐ型シリコン半導体基板の上に塗布した後、焼成することにより形成した電極を備えた、太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001251166A JP4726354B2 (ja) | 2001-08-22 | 2001-08-22 | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001251166A JP4726354B2 (ja) | 2001-08-22 | 2001-08-22 | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003069056A JP2003069056A (ja) | 2003-03-07 |
| JP4726354B2 true JP4726354B2 (ja) | 2011-07-20 |
Family
ID=19079853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001251166A Expired - Lifetime JP4726354B2 (ja) | 2001-08-22 | 2001-08-22 | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4726354B2 (ja) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3910072B2 (ja) | 2002-01-30 | 2007-04-25 | 東洋アルミニウム株式会社 | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池 |
| JP4668523B2 (ja) * | 2003-06-11 | 2011-04-13 | 東洋アルミニウム株式会社 | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| JP4518806B2 (ja) * | 2004-01-16 | 2010-08-04 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法 |
| CN100538915C (zh) | 2004-07-01 | 2009-09-09 | 东洋铝株式会社 | 糊组合物及使用该糊组合物的太阳能电池元件 |
| JP4846219B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2011-12-28 | シャープ株式会社 | 結晶シリコン太陽電池の製造方法 |
| US8575474B2 (en) * | 2006-03-20 | 2013-11-05 | Heracus Precious Metals North America Conshohocken LLC | Solar cell contacts containing aluminum and at least one of boron, titanium, nickel, tin, silver, gallium, zinc, indium and copper |
| US8076570B2 (en) * | 2006-03-20 | 2011-12-13 | Ferro Corporation | Aluminum-boron solar cell contacts |
| EP2077585A4 (en) * | 2006-09-28 | 2017-04-26 | Kyocera Corporation | Solar battery element and method for manufacturing the same |
| KR101352786B1 (ko) | 2007-05-09 | 2014-01-15 | 주식회사 동진쎄미켐 | 태양전지 전극 형성용 페이스트 |
| US8309844B2 (en) | 2007-08-29 | 2012-11-13 | Ferro Corporation | Thick film pastes for fire through applications in solar cells |
| CN102187470A (zh) | 2008-10-17 | 2011-09-14 | 株式会社爱发科 | 太阳能电池的制造方法 |
| JP5815215B2 (ja) | 2009-08-27 | 2015-11-17 | 東京応化工業株式会社 | 拡散剤組成物、および不純物拡散層の形成方法 |
| JP2011066044A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池素子の製造方法 |
| JP5447397B2 (ja) * | 2010-02-03 | 2014-03-19 | 日立化成株式会社 | ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 |
| US20110195540A1 (en) | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Composition for forming p-type diffusion layer, method for forming p-type diffusion layer, and method for producing photovoltaic cell |
| TWI498945B (zh) * | 2010-04-23 | 2015-09-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | ｐ型擴散層形成組成物、ｐ型擴散層的製造方法及太陽電池元件的製造方法 |
| CN102870197B (zh) * | 2010-04-23 | 2016-10-12 | 日立化成工业株式会社 | n型扩散层形成组合物、n型扩散层的制造方法和太阳能电池元件的制造方法 |
| CN102859659B (zh) * | 2010-04-23 | 2017-07-28 | 日立化成工业株式会社 | p型扩散层形成组合物、p型扩散层的制造方法和太阳能电池元件的制造方法 |
| TW201508821A (zh) * | 2010-04-23 | 2015-03-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | 形成ｎ型擴散層的組成物、ｎ型擴散層的製造方法及太陽電池元件的製造方法 |
| JP2011253868A (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Hitachi Chem Co Ltd | ｐ型拡散層形成組成物、並びに、太陽電池セルおよびその製造方法 |
| JP5625537B2 (ja) * | 2010-06-24 | 2014-11-19 | 日立化成株式会社 | ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 |
| JP5625538B2 (ja) * | 2010-06-24 | 2014-11-19 | 日立化成株式会社 | ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 |
| JP5691269B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2015-04-01 | 日立化成株式会社 | ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 |
| JP5691268B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2015-04-01 | 日立化成株式会社 | ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 |
| US8778231B2 (en) | 2010-12-16 | 2014-07-15 | E I Du Pont De Nemours And Company | Aluminum pastes comprising boron nitride and their use in manufacturing solar cells |
| CN103299399A (zh) * | 2011-01-13 | 2013-09-11 | 日立化成株式会社 | p型扩散层形成用组合物、p型扩散层的制造方法和太阳能电池元件的制造方法 |
| WO2012096311A1 (ja) * | 2011-01-13 | 2012-07-19 | 日立化成工業株式会社 | ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層を有するシリコン基板の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池 |
| CN102842640B (zh) * | 2011-06-21 | 2016-12-21 | 致嘉科技股份有限公司 | 一种制作硅晶磊晶层的方法及相关的晶硅基板结构 |
| CN102243901B (zh) * | 2011-06-28 | 2013-07-17 | 陈晓东 | 不含无机粘接剂硅太阳能电池铝背场用浆料及其制备方法 |
| KR20150143868A (ko) * | 2011-07-25 | 2015-12-23 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 반도체 기판 및 그 제조 방법, 태양 전지 소자, 그리고 태양 전지 |
| JPWO2013125252A1 (ja) * | 2012-02-23 | 2015-07-30 | 日立化成株式会社 | 不純物拡散層形成組成物、不純物拡散層付き半導体基板の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 |
| TWI569461B (zh) * | 2012-07-19 | 2017-02-01 | 日立化成股份有限公司 | 太陽電池元件及其製造方法及太陽電池模組 |
| JP6202939B2 (ja) * | 2013-08-23 | 2017-09-27 | 東洋アルミニウム株式会社 | ペースト組成物と太陽電池素子 |
| US20160133351A1 (en) * | 2014-11-04 | 2016-05-12 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste for a solar cell electrode |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59168669A (ja) * | 1983-03-16 | 1984-09-22 | Hitachi Ltd | 電極用ペースト材料 |
| JPH0773731A (ja) * | 1993-09-06 | 1995-03-17 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | 厚膜導電性ペースト組成物 |
| JPH1197726A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Daido Hoxan Inc | 太陽電池の製法 |
| JP2000090734A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池 |
| WO2000054341A1 (de) * | 1999-03-11 | 2000-09-14 | Merck Patent Gmbh | Dotierpasten zur erzeugung von p, p+ und n, n+ bereichen in halbleitern |
| JP2001093326A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Namics Corp | 導電性組成物 |
| JP2001257371A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Hitachi Ltd | 太陽電池作製方法及び太陽電池並びに集光型太陽電池モジュール |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19650111B4 (de) * | 1996-12-03 | 2004-07-01 | Siemens Solar Gmbh | Solarzelle mit geringer Abschattung und Verfahren zur Herstellung |
-
2001
- 2001-08-22 JP JP2001251166A patent/JP4726354B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59168669A (ja) * | 1983-03-16 | 1984-09-22 | Hitachi Ltd | 電極用ペースト材料 |
| JPH0773731A (ja) * | 1993-09-06 | 1995-03-17 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | 厚膜導電性ペースト組成物 |
| JPH1197726A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-04-09 | Daido Hoxan Inc | 太陽電池の製法 |
| JP2000090734A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池 |
| WO2000054341A1 (de) * | 1999-03-11 | 2000-09-14 | Merck Patent Gmbh | Dotierpasten zur erzeugung von p, p+ und n, n+ bereichen in halbleitern |
| JP2001093326A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Namics Corp | 導電性組成物 |
| JP2001257371A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Hitachi Ltd | 太陽電池作製方法及び太陽電池並びに集光型太陽電池モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003069056A (ja) | 2003-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4726354B2 (ja) | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池 | |
| JP3910072B2 (ja) | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池 | |
| EP2317523B1 (en) | Conductive paste for forming a solar cell electrode | |
| KR100837994B1 (ko) | 전도성 조성물 및 반도체 소자의 제조에 사용하는 방법 | |
| EP3270421B1 (en) | Electroconductive paste for forming solar cell electrode | |
| EP2490228B1 (en) | Silver paste composition and solar cell using same | |
| EP2461366A1 (en) | Paste composition and solar cell element using same | |
| JP2013514956A (ja) | 光起電力セル用の導体中に使用されるガラス組成物 | |
| JP6487842B2 (ja) | 導電性ペースト及び結晶系シリコン太陽電池の製造方法 | |
| KR20110135880A (ko) | 태양 전지 전극 | |
| TWI387112B (zh) | 糊狀組成物及使用其之太陽電池元件 | |
| US20080135097A1 (en) | Paste Composition, Electrode, and Solar Cell Element Including the Same | |
| JP2000090733A (ja) | 導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池 | |
| JP2009194121A (ja) | 結晶系シリコン太陽電池電極形成用導電性ペースト | |
| JP2005050983A (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法 | |
| JP2013243279A (ja) | 太陽電池の電極形成用導電性ペースト | |
| WO2012160921A1 (ja) | 導電性ペースト及び太陽電池 | |
| WO2012111479A1 (ja) | 導電性ペースト、太陽電池、及び太陽電池の製造方法 | |
| JP2013089481A (ja) | ペースト組成物 | |
| JP6266079B2 (ja) | 太陽電池の電極形成用導電性ペースト及び太陽電池の製造方法 | |
| JP6200128B2 (ja) | 太陽電池の電極形成用導電性ペースト | |
| JP5134722B1 (ja) | 太陽電池とこれに用いるペースト材料 | |
| WO2024101223A1 (ja) | 導電性ペースト、太陽電池及び太陽電池の製造方法 | |
| US10804003B2 (en) | Conductive paste for forming solar cell electrode | |
| JP2022074097A (ja) | 太陽電池セルの電極形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080617 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100512 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100518 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100701 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101124 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101220 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20101227 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110405 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110412 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4726354 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |