TWI482245B - 散熱元件及其製備方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種散熱元件及其製備方法,尤指一種適用於用於半導體晶片散熱之散熱元件及其製備方法。
隨著科技日新月異之進步與發展,資訊半導體業晶片不斷朝向高速/高頻化邁進,近年來例如中央處理器(CPU)等電子裝置之處理速度更是一日千里,然而高速處理下伴隨而來的是高溫產生。而如何有效的將電子裝置熱源所產生之高溫排出,使電子裝置能於適當的工作溫度下運轉,實為各家業者爭相開發的重點。
例如,一般個人用電腦中,其散熱器裝設於中央處理器上,用以協助將中央處理器晶片所產生之熱量排出。散熱器大部分係設於中央處理器上並與中央處理器貼合,且散熱器具有適當的散熱葉片形狀。散熱器上設有一風扇,用來產生對流空氣,以將吸收中央處理器熱量之散熱器的熱量對流帶離出散熱器(例如抽風或送風,視電腦內部空間及設計要求),以降低溫度。
而設置多組風扇與散熱器之散熱方式,除了會使得整體重量增加外,還會造成流場阻抗的增加,使得散熱風扇所提供的風通過散熱器的流量會降低,反而降低散熱器的散熱效率,因此,必須同時提高散熱風扇轉速來克服流量降低的問題,但提高風扇轉速則會造成噪音的增加。
此外,習知技術所使用的散熱片雖已用導熱、散熱效果佳的銅、鋁合金製成,但使用鋁質散熱片作為散熱層,並搭配導熱膏或導熱片作為導熱層之習知技術中,當產品的應用條件須符合絕緣特性時,鋁質散熱片可採用常見之陽極處理使其具有絕緣效果,但經實驗證實此方式之絕緣效果並不佳,且若於組裝過程中不小心破壞經陽極處理之表面,則絕緣特性會輕易地遭破壞。
此外,習知技術中,有使用陶瓷材料製作散熱器之技術,但其大部分僅以陶瓷顆粒形式作為塗布層(例如台灣專利第M384406號中揭露有一種奈米陶瓷散熱板)。或是,以沖壓方式製作散熱器,但所製作出之散熱器絕緣效果不佳(市售產品之表面電阻僅約1.2x103
Ω左右),且除了孔隙性差,沖壓之製備方式對於成品形狀限制很多(例如,僅可製作出片狀散熱器),且成形尺寸受限於長/寬60mm以內、厚度5mm以內,因此尺寸及形狀無法變化,可應用範圍較狹窄。且受限於傳統陶瓷散熱片之燒結技術,若欲製得尺寸超過25mm之陶瓷散熱片,其厚度必須為2.5mm以上。且此時會同時產生易變形的問題。故目前市面上販售之陶瓷散熱片皆未有長/寬大於50mm,但厚度為2mm以內的產品。
因此,本領域亟需一種新的散熱片材料,使可具有高表面電阻之同時,更具有高孔隙性,且可不受形狀限制,達到絕佳的散熱及導熱效果。
本發明提供了一種散熱元件,該散熱元件之組成係包括:85-98重量份之陶瓷材料,係包括有100-300目之陶瓷顆粒以及300-600目之陶瓷顆粒;以及5-10重量份之助燒結劑;其中,該散熱元件係具有複數個孔洞,該些孔洞之平均直徑係為20μm-100μm,該孔洞之孔隙率係16%-30%,且該散熱元件之表面電阻係為1x106
Ω至1x108
Ω。
本發明採用二種以上不同目數之陶瓷顆粒混合造粉,而形成絕緣效果極佳之散熱元件,且本發明所製得之散熱元件由於係經由射出成型形成,因此可作成各種立體形狀,不限於二維片狀之傳統陶瓷散熱片。例如,本發明之散熱元件可為片狀,且其至少一表面係具有如直條形狀、環形形狀、同心圓形狀、格子形狀等之圖案化溝槽,使加強散熱/排熱效果。或是,本發明之散熱元件可更包括至少一貫穿該散熱元件之固定孔。利用此固定孔,可將散熱元件固定於IC晶片上,例如,透過一組彈簧扣具,使彈簧扣具穿過固定孔而將散熱元件固定於IC晶片上。
由於陶瓷散熱元件經由燒結成體後其硬度相當高,後加工不易,且加工器具容易毀損,因此具有特殊形狀之陶瓷散熱元件不易製作。相對地,本發明之技術可使陶瓷散熱元件具有任意三維形狀,係大幅突破了習知舊有的陶瓷散熱片技術。
此外,由於本發明之散熱元件之材料組合以及製作方式與習知陶瓷散熱片之材料及製作方式不同,因此造成本發明之散熱元件具有優於習知陶瓷散熱片之絕緣特性。且此特性已經由第三驗證機構之檢驗數據而獲得證實。
本發明之散熱元件之長度較佳可為25mm以上、寬度較佳可為25mm以上、及厚度較佳可為2mm以下。因本發明之獨特技術,所製作之散熱元件可到達1mm厚且長/寬25mm以上之薄型化產品,因此解決了傳統陶瓷無法提升尺寸之問題。
本發明之散熱元件中,該些孔洞之間較佳可互相連接而形成毛細結構,可使熱氣藉由此相通的孔洞對流至外部。詳細地說,本發明之散熱元件之毛細結構之特性所形成之煙囪效應可使熱氣體有效上升,同時讓冷氣體從對流層之側邊毛孔進入,形成一個熱對流的循環,以協助發熱層不再升溫或給予降溫的幫助。
本發明之散熱元件中,該陶瓷顆粒之材質較佳可選自由:碳化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽(SiN)、氮化硼、石墨、及其混合所組成之群組。
本發明之散熱元件中,該助燒結劑較佳可選自由:鋁矽酸鹽;氧化鋁與二氧化矽之複合材料;石英、長石、硼砂、黏土之混合物(即,釉水之組成);稀土元素之氧化物;氧化硼(B2
O3
);氧化磷(P2
O5
);以及堇青石陶瓷粉末所組成之群組。其中,堇青石陶瓷粉末係以堇青石(2MgO‧2Al2
O3
‧5SiO2
)為主晶相的陶瓷粉末。
本發明之散熱元件中,該孔隙率較佳可依照以下[公式1]計算得到,
[公式1]
孔隙率=(散熱元件吸飽水之重量-散熱元件未吸水之重量)/散熱元件未吸水之重量。
本發明之散熱元件中,該100-300目之陶瓷顆粒與該300-600目之陶瓷顆粒之重量比較佳可為:
100-300目之陶瓷顆粒:300-600目之陶瓷顆粒=(40-50):(55-70)。
本發明之散熱元件中,該散熱元件較佳可用於半導體晶片之散熱。
本發明中,目數(如,100目、300目、600目)係為本領域常用之單位。
本發明另提供一種散熱元件之製備方法,包括步驟:(A)將85-98重量份之陶瓷材料、5-10重量份之助燒結劑、以及10-15重量份之溶劑(例如,水)混合形成一起始漿料,其中,該陶瓷材料係包括有100-300目之陶瓷顆粒以及300-600目之陶瓷顆粒;(B)將5-15重量份之黏結塑型劑加入至該步驟(A)所得之起始漿料中,並混合形成一凝膠物;(C)將該步驟(B)所得之凝膠物成形以形成一毛胚;(D)將該步驟(C)所得之毛胚烘烤以形成一硬化毛胚;以及(E)將該步驟(D)所得之該硬化毛胚燒結,以得到一散熱元件,該燒結之溫度係為1100℃-1500℃,該燒結之時間係為3-6小時(亦即,須於1100℃-1500℃之溫度下維持3-6小時。燒結時間依毛胚大小而調整,當厚度或尺寸(dimension)較大時,所需時間較久);其中,該步驟(B)之該黏結塑型劑係選自由:聚乙烯醇(PVA)、聚乙二醇(PEG)、聚醋酸乙烯(PVAc)、玻璃纖維、糊精(dextrin)、水溶性壓克力樹脂(PMMA)及其混合(即,上述高分子材料之混合)所組成之群組;該散熱元件係具有複數個孔洞,該些孔洞之平均直徑係為20μm-100μm,該孔洞之孔隙率係16%-30%,且該散熱元件之表面電阻係為1x106
Ω至1x108
Ω。
本發明利用陶瓷粉體與助燒結劑、水、黏結塑型劑等混合後,再以射出成型的方式製作成毛胚,經由高溫爐中進行燒結成體,使其具有不規則類孔狀之毛細結構。使用時,與導熱層之相關材料組合成品後,可固定於發熱層之任何表面上,並利用Tc溫度(發熱體表面溫度)與Ta溫度(環境溫度)之溫度差,藉由本毛細結構之特性所形成之煙囪效應使熱氣體有效上升,同時讓冷氣體從對流層之側邊毛孔進入,形成一個熱對流的循環,以協助發熱層不再升溫或給予降溫的幫助。
本發明之散熱元件之製備方法中,該步驟(C)中之成形較佳可利用一射出成型機將該凝膠物注入至一成形模具中而成形。本發明之散熱元件之製備方法由於利用了射出成型技術,因此可作成各種立體形狀,不限於二維片狀之傳統陶瓷散熱片。
由於陶瓷散熱元件經由燒結成體後其硬度相當高,後加工不易,且加工器具容易毀損,因此具有特殊形狀之陶瓷散熱元件不易製作。相對地,本發明之技術可使陶瓷散熱元件具有任意三維形狀,係大幅突破了習知舊有的陶瓷散熱片技術。且因本發明之獨特技術,所製作之散熱元件可到達1mm厚且長/寬25mm以上之薄型化產品,因此解決了傳統陶瓷無法提升尺寸之問題。
此外,由於本發明之散熱元件之材料組合以及製作方式與習知陶瓷散熱片之材料及製作方式不同,因此造成本發明之散熱元件具有優於習知陶瓷散熱片之絕緣特性。且此特性已經由第三驗證機構之檢驗數據而獲得證實。
本發明之散熱元件之製備方法中,該些孔洞之間較佳可互相連接而形成毛細結構,可使熱氣藉由此相通的孔洞對流至外部。詳細地說,本發明之散熱元件之毛細結構之特性所形成之煙囪效應可使熱氣體有效上升,同時讓冷氣體從對流層之側邊毛孔進入,形成一個熱對流的循環,以協助發熱層不再升溫或給予降溫的幫助。
本發明之散熱元件之製備方法中,該步驟(E)之燒結步驟前,較佳可更包括一步驟(E0):於5-8小時之間,將該硬化毛胚由一常溫加熱至1100℃-1500℃;以及,該步驟(E)之燒結步驟後,更包括一步驟(E1):於6-10小時之間,將該燒結後之硬化毛胚冷卻至該常溫。本發明使用了特殊升溫以及降溫曲線,始可製作出具有高表面電阻之散熱元件。
本發明之散熱元件之製備方法,其中,該常溫較佳可為0℃-40℃,例如室溫25℃。
本發明之散熱元件之製備方法,其中,該步驟(D)之烘烤溫度較佳可為200-300℃,且烘烤時間較佳可為2.5-3.5小時。其用意係把毛胚裡的水份氣化,形成硬化毛胚。
本發明之散熱元件之製備方法,其中,該步驟(A)之溶劑較佳可為水。
本發明之散熱元件之製備方法,其中,該步驟(A)之前更包括一造粉之步驟,其較佳可為將重量比為100-300目之陶瓷顆粒:300-600目之陶瓷顆粒=(40-50):(55-70)之陶瓷顆粒混合以形成該陶瓷材料。
本發明之散熱元件之製備方法,其中,該步驟(A)之該陶瓷顆粒之材質較佳可選自由:碳化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽SiN、氮化硼、石墨、及其混合所組成之群組。
本發明之散熱元件之製備方法,其中,該步驟(A)之該助燒結劑較佳可選自由:鋁矽酸鹽;氧化鋁與二氧化矽之複合材料;石英、長石、硼砂、黏土之混合物(即,釉水之組成);稀土元素之氧化物;氧化硼(B2
O3
);氧化磷(P2
O5
);以及堇青石陶瓷粉末所組成之群組。
本發明之散熱元件之製備方法,其中,該孔隙率較佳可依照以下[公式1]計算得到,
[公式1]
孔隙率=(散熱元件吸飽水之重量-散熱元件未吸水之重量)/散熱元件未吸水之重量。
本發明之散熱元件之製備方法,其中,該散熱元件較佳可用於半導體晶片(如IC晶片)之散熱。
[實施例1]
依照以下步驟製備本實施例之散熱元件。
步驟1:造粉
將約40~45重量份之100~300目的陶瓷粉體顆粒(例如,43重量份之250目的陶瓷粉體顆粒)與約55~60重量份之300~600目的陶瓷粉體顆粒(例如,55重量份之400目的陶瓷粉體顆粒)混合後投入攪拌機進行粉體乾混。攪拌一定時間使混合均勻。另外,將助燒結劑(5~10重量份之鋁矽酸鹽化合物)與一定比例的水混合,並經由管線倒入上述攪拌機中,使其與陶瓷粉體混合製作成起始粉末。在此,所使用之鋁矽酸鹽化合物例如可為:鋁矽酸鹽;氧化鋁與二氧化矽之複合材料;石英、長石、硼砂、黏土之混合物(即,釉水之組成);稀土元素之氧化物;氧化硼(B2
O3
);氧化磷(P2
O5
);或堇青石陶瓷粉末。
步驟2:凝膠化
完成上述步驟1之後,將作為黏結塑型劑之約5-15重量份之高分子塑料(PVA)以加熱器加熱形成液體狀,並經由管線輸入至攪拌機中與上述起始粉末混合,並持續攪拌,而形成凝膠狀之原料。
步驟3:射出成型
將步驟2所形成之凝膠狀之原料經由管線送至射出成型機之保溫桶內使其維持液態狀。並由射出成型機之注射壓力把此原料射入成型胚模(此胚模採用鋁合金或鋼材)中,使得到具有如圖1所示之形狀之毛胚。此毛胚之長度係60mm、寬度25mm、且厚度係2mm。此外,成型胚模同時需配備有自動控制系統及冷卻管線,讓原料注入成型胚模後,自動控制系統可加入冷卻水使成型胚模降溫,同時也讓注入成型胚模的原料於模具中由液轉成固態狀,使其定型成為毛胚。
步驟4:烘乾
將步驟3所定型之毛胚送入約250℃之高溫烤箱中,進行約3小時的烘烤,其用意係把毛胚裡的水份氣化,形成硬化毛胚。
步驟5:燒結
把步驟4之硬化毛胚送進專用高溫燒結爐,採用梯形自動控溫方式,使其逐漸加溫到1300℃進行燒結,並於其後降溫。整個燒結及降溫作業過程共須要約18~22小時(依毛胚大小而調整)。燒結之升溫及降溫曲線係如圖2所示,首先於5-8小時之間,將該硬化毛胚由常溫(0℃-40℃,例如約25℃)加熱至1100℃-1500℃(如1300℃);接著,於此高溫下維持3-6小時(如5小時,燒結時間依照毛胚大小、形狀、體積而調整);最後,於6-10小時之間,將該燒結後之硬化毛胚冷卻至室溫。在此步驟中,陶瓷粉體藉由此高溫進行結晶,同時高分子塑料會氣化而於陶瓷體之內形成所需要的毛細孔洞,如此則得到本實施例之散熱元件。
步驟6:清洗烘乾
選擇性地,可將步驟5已燒結成體之陶瓷散熱元件送至清洗機進行震動清洗,把表面與結構內的塑料殘留物清洗乾淨後,進行品質篩選,經過篩選後之成品送至烘乾機去除水份。
表面電阻分析
本實施例所製得之散熱元件,經由宜特科技公司(Integrated Service Technology Inc.)檢驗分析結果,測得其表面電阻約為2.74x107
Ω,其係遠大於市售產品之表面電阻值(約1.2x103
Ω)。因此,證實本發明之散熱元件確實提升了散熱元件之絕緣效果。
孔隙率分析
另外,將本實施例所製得之散熱元件進行孔隙率測量,並依下述[公式1]計算,
[公式1]
孔隙率=(散熱元件吸飽水之重量-散熱元件未吸水之重量)/散熱元件未吸水之重量,
其測量結果為,本實施例所製得之散熱元件之孔隙率約為16%-30%。其他測試特性係顯示於下表1中。表1之數據係委託宜特科技公司檢驗分析之結果。
本發明中,散熱元件之孔隙率可依照燒結時間長短進行調整。例如,燒結時間較長時,所得到之孔隙率較低。相反地,當燒結時間較短時,所得到之孔隙率較高。
掃描式電子顯微鏡分析
如圖3所示,其係本實施例所製得之散熱元件之掃描式電子顯微鏡照片(係委託台灣檢驗科技股份有限公司(SGS Taiwan Limited)測量)。由圖中所示之結果可看出,本實施例之散熱元件孔洞之平均直徑係為約20μm-100μm,且孔洞之間係相通,因此可使熱氣藉由此相通的孔洞對流至外部。
本發明之散熱元件之毛細結構之特性所形成之煙囪效應可使熱氣體有效上升,同時讓冷氣體從對流層之側邊毛孔進入,形成一個熱對流的循環,以協助發熱層不再升溫或給予降溫的幫助。
[實施例2-4]
以實施例1中所述之相同方法以及材料製備本實施例之散熱元件,然而不同處在於,本實施例中散熱元件之尺寸係如下表2所示,且散熱元件之形狀為不具凸起之薄片狀。
上述實施例1-4之散熱元件皆已成功作出成品,因此證實本發明之技術確實可做出薄型化產品,而此為習知技術所無法辦到的。
綜上所述,本發明採用二種以上不同目數之陶瓷顆粒混合造粉,而形成絕緣效果極佳之散熱元件,且本發明所製得之散熱元件由於係經由射出成型形成,因此可作成各種立體形狀,不限於二維片狀之傳統陶瓷散熱片。由於陶瓷散熱元件經由燒結成體後其硬度相當高,後加工不易,且加工器具容易毀損,因此具有特殊形狀之陶瓷散熱元件不易製作。相對地,本發明之技術可使陶瓷散熱元件具有任意三維形狀,係大幅突破了習知舊有的陶瓷散熱片技術。
本發明之散熱元件使用時,與導熱層之相關材料組合成品後,可固定於發熱層之任何表面上,並利用Tc溫度(發熱體表面溫度)與Ta溫度(環境溫度)之溫度差,藉由本毛細結構之特性所形成之煙囪效應使熱氣體有效上升,同時讓冷氣體從對流層之側邊毛孔進入,形成一個熱對流的循環,以協助發熱層不再升溫或給予降溫的幫助。
此外,由於本發明之散熱元件之材料組合以及製作方式與習知陶瓷散熱片之材料及製作方式不同,因此造成本發明之散熱元件具有優於習知陶瓷散熱片之絕緣特性。且此特性已經由第三驗證機構之檢驗數據而獲得證實。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已,本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準,而非僅限於上述實施例。
圖1係本發明一較佳實施例之毛胚之形狀示意圖。
圖2係本發明一較佳實施例之燒結之升溫及降溫曲線。
圖3係本發明一較佳實施例之掃描式電子顯微鏡照片。
Claims (19)
- 一種散熱元件,該散熱元件之組成係包括:85-98重量份之陶瓷材料,係包括有100-300目之陶瓷顆粒以及300-600目之陶瓷顆粒;以及5-10重量份之助燒結劑;其中該散熱元件係具有複數個孔洞,該些孔洞之平均直徑係為20μm-100μm,該孔洞之孔隙率係16%-30%,且該散熱元件之表面電阻係為1x106 Ω至1x108 Ω。
- 如申請專利範圍第1項所述之散熱元件,其中,該散熱元件之長度係25mm以上、寬度係25mm以上、及厚度係2mm以下。
- 如申請專利範圍第1項所述之散熱元件,其中,該些孔洞之間係互相連接而形成毛細結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之散熱元件,其中,該陶瓷顆粒之材質係選自由:碳化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽(SiN)、氮化硼、石墨、及其混合所組成之群組。
- 如申請專利範圍第1項所述之散熱元件,其中,該助燒結劑係選自由:鋁矽酸鹽;氧化鋁與二氧化矽之複合材料;石英、長石、硼砂、黏土之混合物(即,釉水之組成);稀土元素之氧化物;氧化硼(B2 O3 );氧化磷(P2 O5 );以及堇青石陶瓷粉末所組成之群組。
- 如申請專利範圍第1項所述之散熱元件,其中,該孔隙率係依照以下[公式1]計算得到,[公式1]孔隙率=(散熱元件吸飽水之重量-散熱元件未吸水之重量)/散熱元件未吸水之重量。
- 如申請專利範圍第1項所述之散熱元件,其中,該100-300目之陶瓷顆粒與該300-600目之陶瓷顆粒之重量比係為:100-300目之陶瓷顆粒:300-600目之陶瓷顆粒=(40-50):(55-70)。
- 如申請專利範圍第1項所述之散熱元件,其中,該散熱元件係用於半導體晶片之散熱。
- 一種散熱元件之製備方法,包括步驟:(A) 將85-98重量份之陶瓷材料、5-10重量份之助燒結劑、以及10-15重量份之溶劑混合形成一起始漿料,其中,該陶瓷材料係包括有100-300目之陶瓷顆粒以及300-600目之陶瓷顆粒;(B) 將5-15重量份之黏結塑型劑加入至該步驟(A)所得之起始漿料中,並混合形成一凝膠物;(C) 將該步驟(B)所得之凝膠物成形以形成一毛胚;(D) 將該步驟(C)所得之毛胚烘烤以形成一硬化毛胚;以及(E) 將該步驟(D)所得之該硬化毛胚燒結,以得到一散熱元件,該燒結之溫度係為1100℃-1500℃,該燒結之時間係為3-6小時;其中,該步驟(B)之該黏結塑型劑係選自由:聚乙烯醇(PVA)、聚乙二醇(PEG)、聚醋酸乙烯(PVAc)、玻璃纖維、糊精(dextrin)、水溶性壓克力樹脂(PMMA)、及其混合所組成之群組該散熱元件係具有複數個孔洞,該些孔洞之平均直徑係為20μm-100μm,該孔洞之孔隙率係16%-30%,且該散熱元件之表面電阻係為1x106 Ω至1x108 Ω。
- 如申請專利範圍第9項所述之散熱元件之製備方法,其中,該步驟(C)中之成形係利用一射出成型機將該凝膠物注入至一成形模具中而成形。
- 如申請專利範圍第9項所述之散熱元件之製備方法,其中,該步驟(E)之燒結步驟前,更包括一步驟(E0):於5-8小時之間,將該硬化毛胚由一常溫加熱至1100℃-1500℃;以及,該步驟(E)之燒結步驟後,更包括一步驟(E1):於6-10小時之間,將該燒結後之硬化毛胚冷卻至該常溫。
- 如申請專利範圍第11項所述之散熱元件之製備方法,其中,該常溫係0℃-40℃。
- 如申請專利範圍第9項所述之散熱元件之製備方法,其中,該步驟(D)之烘烤溫度係200-300℃,且烘烤時間係2.5-3.5小時。
- 如申請專利範圍第9項所述之散熱元件之製備方法,其中,該步驟(A)之溶劑係水。
- 如申請專利範圍第9項所述之散熱元件之製備方法,其中,該步驟(A)之前更包括一造粉之步驟,其係將重量比為100-300目之陶瓷顆粒:300-600目之陶瓷顆粒=(40-50):(55-70)之陶瓷顆粒混合以形成該陶瓷材料。
- 如申請專利範圍第9項所述之散熱元件之製備方法,其中,該步驟(A)之該陶瓷顆粒之材質係選自由:碳化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮化矽SiN、氮化硼、石墨、及其混合所組成之群組。
- 如申請專利範圍第9項所述之散熱元件之製備方法,其中,該步驟(A)之該助燒結劑係選自由:鋁矽酸鹽;氧化鋁與二氧化矽之複合材料;石英、長石、硼砂、黏土之混合物(即,釉水之組成);稀土元素之氧化物;氧化硼(B2 O3 );氧化磷(P2 O5 );以及堇青石陶瓷粉末所組成之群組。
- 如申請專利範圍第9項所述之散熱元件之製備方法,其中,該孔隙率係依照以下[公式1]計算得到,[公式1]孔隙率=(散熱元件吸飽水之重量-散熱元件未吸水之重量)/散熱元件未吸水之重量。
- 如申請專利範圍第9項所述之散熱元件之製備方法,其中,該散熱元件係用於半導體晶片之散熱。
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- 2011-06-24 TW TW100122183A patent/TWI482245B/zh not_active IP Right Cessation
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