TWI481081B - 封止材料形成方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於半導體晶片的封止材料形成方法,且特別是有關於一種適用於形成發光二極體封裝(package)產品的封止材料的封止材料形成方法。
用樹脂來形成封止材料以便將晶片封裝起來的技術被用來製造包括半導體晶片(如發光二極體晶片)的封裝產品。根據最新產品的技術水準和特性以及市場需求,諸如發光二極體封裝等半導體封裝正日趨變輕、變薄、變短、變小。鑒於此趨勢,加之為了降低原料消耗,已對封止材料的形成進行了積極的研究,以便使形成封止材料所用的樹脂的量最小化。
作為封止材料形成技術,轉移成型(transfer molding)、射出成型(injection molding)以及二次成型(overmolding)(或壓縮成型(compression molding))是本領域中眾所周知的。
就轉移成型而言,為了以用作原料的未固化(uncured)的樹脂來填充實施成型的空腔(cavity),首先將樹脂提供給形成在模具中的通口(port(s)),然後在上方模具和下方模具閉合的狀態下對通口施加外力,使得樹脂能夠依序經過流槽(runner)和閘(gate)而進入空腔。當空腔完全充滿樹脂後,流經閘的樹脂在預定的時間內被固化。封止材料或包括封止材料的產品從模具上被分離。此時,殘留在通口、流槽以及閘中的剩餘樹脂從產品上被分離,然後將其丟棄。
如上所述,由於在轉移成型(或射出成型)中樹脂要轉移較長的路徑,所以必須使用較大流量的樹脂。另外,由於通口、流槽以及閘相比形成封止材料的空腔而言具有較大的容積,且通口、流槽以及閘中殘留的樹脂被丟棄,所以存在著樹脂損耗過度增大的缺點。因此,儘管轉移成型擁有眾多優點,如成型精確度佳且成型尺寸穩定性高,但它也具有內在問題,即因樹脂消耗過度而導致其經濟效益大大降低。
相比之下,與轉移成型不同的是,二次成型將樹脂直接提供給空腔,而不使用通口、流槽或閘,然後對樹脂進行壓縮以形成封止材料。如此一來,因為樹脂的消耗會大大減少,所以二次成型在經濟方面具有優勢。然而,在習知的二次成型中,由於在樹脂壓縮過程中空腔容積沿著成型厚度方向而減小或發生變化,所以成型厚度會隨著樹脂的供應而變化。此外,當以批量形式來為多個元件形成封止材料時,習知的二次成型具有優勢,但問題是,用習知的二次成型來生產特定的產品很困難。具體而言,當使用習知的二次成型來為具有多個通孔(through-holes)的引線框基板(lead frame substrate)上的半導體晶片形成封止材料時,樹脂會經由這些通孔而流出。因此,習知的二次成型必須進行(例如)預處理,用防漏帶之類的物品將通孔堵住,這非常不方便,非常麻煩。
就表面安裝元件(surface mounted device,SMD)式發光二極體封裝(其占發光二極體封裝產品的大部分)而言,需要一個圍繞著發光二極體晶片的反光板來增強光學效率。反光板是一種藉由射出成型和將苯丙醇胺(phenylpropanolamine,PPA)整合在引線框基板上而形成的產品,其中引線框基板是藉由將金屬圖案化而製成,且反光板具有一開口(opening),其用來容納半導體晶片。為了二次成型能夠用在此類應用中,應當形成封止材料或透鏡來覆蓋此開口。因此,若樹脂塗在下方模具的整個空腔上,則包括反光板之外周邊在內的引線框的非必要的區域也會形成封止材料。因此,裝置或封裝之間的間隙或間距(pitch)越大,所需的棄置性樹脂消耗就越大,這將在成型製程或任何後續製程中進一步造成額外的問題。此外,若為了減小棄置性樹脂消耗而形成薄薄的一層封止材料,則反光板與封止材料之間的黏附會變差,以致於在成型製程後的任何後續製程中封止材料可能會分離,從而導致其他問題。
同時,封止材料形成後,為了分離出產品,目前使用的是昂貴的離型膜(releasing film)。離型膜的典型實例包括氟化合物樹脂膜,如PTFE、PFA、FEP以及ETFE(由Asahi Glass公司製造,商標FluonETFE),所有這些離型膜都包含具有非粘滯性的氟成分。在現有的技術中,使用昂貴的離型膜導致經濟效益降低。此外,還存在一些問題,即多餘的固態樹脂黏附在離型膜對面的模具或塊體(block)上,也就是支撐產品的模具或塊體上,使它們不易分離。要想移除這些多餘的固態樹脂,就必須再做些麻煩的工作。此外,如果多餘的固態樹脂未完全移除的模具或塊體被再次用來壓縮和形成其他封止材料,則封止材料的成型品質會降低,因而產生更多缺陷。
本發明是為了解決先前技術的上述問題。本發明的一個目的是提供一種改良的封止材料形成方法,此方法可在封止材料形成後容易地移除多餘的固態樹脂。
依照本發明為實現其目的而提出的一觀點,提供一種封止材料形成方法,此方法包括:嵌入空腔塊(insert cavity block)配置步驟,將具有樹脂入口和成型空腔的嵌入空腔塊配置在基板上;樹脂裝載空間形成步驟,用以形成樹脂裝載空間,其正對嵌入空腔塊的一側被一層薄膜圍繞著;封止材料形成步驟,使樹脂裝載空間的底部靠近嵌入空腔塊,以便使樹脂裝載空間內的樹脂經由樹脂入口來填充成型空腔;以及薄膜分離步驟,樹脂固化後,在嵌入空腔塊之表面上所殘留的多餘的固態樹脂黏附在薄膜上的狀態下,使薄膜從嵌入空腔塊上分離並將其移除。
較佳的是,在嵌入空腔塊配置步驟中,將離型劑塗在嵌入空腔塊的正對樹脂裝載空間的表面上。
較佳的是,嵌入空腔塊配置步驟包括:將基板安裝在第一模具上;以及將嵌入空腔塊安裝在基板上。
較佳的是,在樹脂裝載空間形成步驟中,正對第一模具且具有凹面空間的第二模具被薄膜覆蓋以形成樹脂裝載空間,第二模具包括空腔壓縮塊和圍繞此空腔壓縮塊而配置的空腔固持塊,凹面空間是由空腔固持塊與空腔壓縮塊之間的高度差所形成。
較佳的是,在封止材料形成步驟中,空腔固持塊上移或下移,直到空腔固持塊接觸到嵌入空腔塊為止。在空腔固持塊停止移動的狀態下,空腔壓縮塊繼續上移或下移,以便將樹脂裝載空間中的樹脂注射到成型空腔內,其中,在薄膜分離步驟中,第二模具脫離嵌入空腔塊,使得薄膜和黏附在此薄膜上的多餘的固態樹脂脫離嵌入空腔塊。
第一模具可以是上方模具或下方模具。若第一模具是上方模具,則第二模具是下方模具。相反,若第一模具是下方模具,則第二模具是上方模具。
依照如此構造的本發明,當使用壓縮成型技術來形成用來封裝基板上的發光二極體晶片等半導體的封止材料時,無需使用昂貴的離型膜,所以可提高經濟效益。此外,依照本發明,由於多餘的固態樹脂可以容易地從嵌入空腔塊和封止材料上移除,所以製造產品所用的成本可大大降低。再者,因離型膜以及多餘的固態樹脂不易從所形成的產品的封止材料上分離的現象所導致的許多習知的品質下降問題也可得以解決。
下面將配合所附圖式來詳細闡述本發明的較佳實施例。另外,提供這些實施例是為了本領域具通常技能者能夠更好地瞭解本發明,本發明並不限於這些實施例。
圖1至圖3是依照本發明之一實施例的一種封止材料形成裝置的橫剖面圖,它們分別對應於成型初期的第一位置、對應於成型中期的第二位置以及對應於成型末期的第三位置,且圖4是用來展示圖3所示之封止材料形成裝置的重要部分的放大橫剖面圖。圖5是用來展示封止材料完全形成後多餘的固態樹脂被分離時的狀態的橫剖面圖。
如圖1至圖5所示,本實施例之封止材料形成裝置是一種二次成型式或擠製成型(extrusion-molding)式形成裝置,其包括上方模具20、下方模具30以及介於兩者之間的嵌入空腔塊40。為了使下方模具上移或下移來執行樹脂壓模(compression-mold),例如,可使用如壓力壓縮機(press compressor)等升降機構,但這在圖中並未繪示。
上方模具20與下方模具30分別配置在如壓力壓縮機等升降機構的上端部位和下端部位,且位於彼此對面。上方模具20及/或下方模具30可具有加熱元件(未繪示),用來將樹脂加熱到預設的溫度。在本實施例中,封止材料形成在具有引線框11的基板10上,且基板10包括:發光二極體晶片12,其安裝在引線框11上;以及多個反光板13,其具有多個開口,分別容納各別的發光二極體晶片12。另外,封止材料形成後,基板10被切割,使其分成多個表面安裝元件(SMD)式發光二極體封裝,其中基板10具有多個通孔,這是由引線框11的圖案所導致。在整個說明書中,術語“基板”定義為包括安裝在上方模具20或下方模具30上以便形成封止材料的所有類型的物件。此外,如各圖所示,基板,其作為封止材料形成所在的物件,是藉由將發光二極體晶片安裝在引線框上而製成的,但本發明並不限於此情形。
利用單獨提供的基板供應裝置(未繪示)來將基板10提供給上方模具20,且將其安裝在上方模具20上。為了將基板10安裝在上方模具20上,可使用真空吸附法(vacuum absorption method)或夾持法(clamping method),但是也可使用任何其他方法來將基板10安裝在上方模具20上。基板供應裝置是在上方模具20與下方模具30彼此隔開預定的距離的狀態下藉由壓力驅動單元來提供基板10。安裝在上方模具20上的基板10經配置以使得基板10的用來形成封止材料的寬表面朝著下方模具30。
此外,嵌入空腔塊40被安裝在基板10上,其中基板10被安裝在上方模具20上。再如圖4所示,嵌入空腔塊40在一個表面上具有多個成型空腔41,且在另一表面上具有多個分別連接到成型空腔41的樹脂入口(或閘)42。此外,嵌入空腔塊40被安裝在基板10上,使得多個成型空腔41朝向基板10,且多個樹脂入口42朝向位於下方模具30上的樹脂裝載空間38。
如上所述,基板10的一個表面上包括發光二極體晶片12和反光板13,每個反光板13具有一開口,用來容納其對應的發光二極體晶片12,且反光板13的開口必須充滿封止材料。為此,反光板13要實質上嚴格地配入(fitted into)嵌入空腔塊40的對應的成型空腔41。因此,在成型空腔41中,實際上只有反光板13的開口可充滿樹脂R。為了使封止材料形成想要的形狀,成型空腔41可設計成具有凸透鏡形或其他想要的形狀。下方模具30的樹脂裝載空間內的樹脂受到空腔壓縮塊31的壓迫,以受壓方式經由樹脂入口42而流入成型空腔41,然後被固化,從而形成用來封裝反光板13之開口中的發光二極體晶片12的封止材料。若不同於本實施例,基板10不包括反光板13,則圖式中被反光板13佔據的空間也會充滿樹脂。
請再參照圖1、圖2、圖3以及圖5,下方模具30包括配置在基底(base)3上的空腔壓縮塊31和空腔固持塊36。基底3經配置以連接到升降機構(未繪示),以便在垂直方向上被升降機構驅動。空腔壓縮塊31被固定在基底3的上表面的中心區域,且空腔固持塊36被安裝在基底3上的彈性構件37以彈性方式支撐著。若基底3經操作而上移,則空腔壓縮塊31和空腔固持塊36會一同上移。然後,若空腔固持塊36因接觸到另一構件(在本實施例中為嵌入空腔塊40)而停止上移,則只有空腔壓縮塊31會伴隨著彈性構件37的壓縮而上移預定的高度。
依照本實施例,由於空腔壓縮塊31的外周邊總是低於空腔固持塊36,所以在下方模具30的上方形成一個由空腔壓縮塊31和空腔固持塊36所界定的凹面空間。
同時,本實施例之封止材料形成裝置包括薄膜,特別是非離型膜50,其安裝在由空腔壓縮塊31和空腔固持塊36所形成的凹面空間中。薄膜50界定了一個容量可變化的樹脂裝載空間38,其可根據凹面空間的輪廓來容納熔化的樹脂。薄膜50能夠防止熔化的樹脂直接接觸下方模具30,且能夠防止熔化的樹脂滲漏到下方模具30下。
薄膜50是以真空方式(透過下方模具30的空腔壓縮塊31和空腔固持塊36之間的窄間隙施加真空)進行黏附,所以在壓縮過程中能夠防止樹脂部分滲漏出去的樹脂裝載空間38可藉由上述程序而形成。預定的量的固態或液態樹脂被均等地裝入到樹脂裝載空間38中。
當薄膜50覆蓋下方模具30的上端部分時,薄膜50被安裝在下方模具30上的真空元件(未繪示)以真空方式來黏附在下方模具30的上端部分上。與現有的離型膜不同的是,當形成封止材料時,薄膜50是黏附在樹脂上(如圖5所示),所以,即使當封止材料形成後,多餘的固態樹脂依然會牢固地粘在薄膜50上。因此,若薄膜50被分離,則多餘的固態樹脂也會連同薄膜50一起被分離。薄膜50可以是在能夠形成封止材料的溫度範圍(例如,從130℃至200℃的溫度範圍)內可使用的習知的耐熱薄膜,且薄膜50可由(例如)聚乙烯(polyethylene,PE)、聚丙烯(polypropylene,PP)、聚對酞酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)等所製成,它們比習知的離型膜便宜。尤其是,聚對酞酸乙二酯(PET)薄膜已應用于一般工業、電氣電子業、封裝業、繪圖業、顯示器產業等各種領域,因此容易以低價獲得。
同時,嵌入空腔塊40的至少一表面(當形成封止材料時此嵌入空腔塊40與樹脂接觸的表面)具有介面分離特性。為了提供介面分離特性,較佳的是將離型劑401(參見圖4)塗在嵌入空腔塊40與樹脂接觸的表面上。
下面將依次參照圖1、圖2、圖3以及圖5來進一步闡述使用封止材料形成裝置在基板上形成封止材料的過程。
請參照圖1,先將基板10安裝在上方模具20上,然後將嵌入空腔塊40安裝在基板10上。此時,可將離型劑塗在嵌入空腔塊40的表面的至少一部分上。
另外,耐熱薄膜50以真空方式被黏附在下方模具30的上端部分,而下方模具30因空腔壓縮塊31與空腔固持塊36之間存在高度差,所以具有凹面空間,從而形成樹脂裝載空間38。此時,樹脂裝載空間38位於正對嵌入空腔塊40的一側。較佳的是,薄膜50可耐受形成封止材料所需的溫度,且當封止材料形成後,薄膜50對多餘的固態樹脂的黏附力可大於嵌入空腔塊40對多餘的固態樹脂的表面黏附力。如上所述,為了使嵌入空腔塊40對樹脂的表面黏附力相對減小,可塗上離型劑。
在基板10上配置嵌入空腔塊40的過程和形成樹脂裝載空間38的過程可逆序進行。或者這兩個過程也可同時進行。
在圖1所示之第一位置,下方模具30的所有元件與上方模具20的所有元件隔開。
請參照圖2與圖3,當裝有液體型或凝膠型樹脂的樹脂裝載空間38靠近嵌入空腔塊40時,嵌入空腔塊40的成型空腔41被樹脂裝載空間38所裝載的液體型或凝膠型樹脂所填充。樹脂經由樹脂入口42來填充成型空腔41,因此較佳的是,多個樹脂入口42可分別連接多個對應的成型空腔41連接與一個樹脂裝載空間38。
如圖2所示,若基底3在升降機構的操作下上移,則下方模具30的空腔固持塊36會先接觸到嵌入空腔塊40,且停止移動。如此一來,在被薄膜50覆蓋的下方模具30與正對下方模具30的嵌入空腔塊40之間,由薄膜50所界定的樹脂裝載空間38完全閉合。
如圖3所示,若基底3在升降機構的操作下繼續上移,則空腔壓縮塊31會伴隨著彈性構件37的壓縮而繼續上移,從而對樹脂裝載空間38內的樹脂造成壓迫。這種壓迫導致樹脂裝載空間38越來越小。如圖4所示,若反光板13與嵌入空腔塊40相接觸之處的壩杆(dam bar)表面43進一步被壓迫,則可能會抑制樹脂轉移到空腔區域,且密封性能可進一步改善。如上所述,隨著樹脂裝載空間38越來越小,樹脂轉為直接被壓迫,且受到壓迫的樹脂經由嵌入空腔塊40所提供的樹脂入口42而被注射到成型空腔41中。
另外,為了有效地清除上述過程中遺留下來的或產生的氣泡(孔隙(voids))且提高可成形性(formability),可形成真空通道,也就是通氣孔。此通氣孔可選擇性地沿著以下表面而形成:嵌入空腔塊40與反光板13的上表面相接觸的表面以及與空腔固持塊36的構成樹脂裝載空間38之外周邊的上表面相接觸的表面。
再如圖3所示,受壓迫的液體型樹脂在預定時間後固化,於是具有透鏡形(形狀由嵌入空腔塊40之成型空腔41決定)的封止材料形成在基板10上。此時,應當移除的多餘的固態樹脂經由樹脂入口42而留在嵌入空腔塊40與薄膜50之間。
請參照圖5,下方模具30下移以使得上方模具20與下方模具30相互分離。安裝在上方模具20上的基板10和安裝在基板10上的嵌入空腔塊40脫離下方模具30和安裝在下方模具30之上表面的薄膜50。此時,多餘的固態樹脂R’(已在成型空腔41中固化而形成封止材料的樹脂除外)牢固地黏附在薄膜50上,將與薄膜50一起脫離嵌入空腔塊40。如此一來,多餘的固態樹脂R’可從嵌入空腔塊40的表面和封止材料的表面上被移除乾淨。
如上所述,本發明是由可牢固地黏附在固態樹脂上的具有較強黏附力的耐熱薄膜所製成,而不是由離型膜所製成。另外,一種具有較強的介面分離特性的材料(例如,離型劑)塗在嵌入空腔塊40的與樹脂相接觸的表面上,如此一來,當封止材料形成後,多餘的固態樹脂R’便可連同薄膜50一起從封止材料和嵌入空腔塊40上被移除乾淨。
同時,可使用材料供應裝置(未繪示)來打包(in a bundle)拆除基板10和嵌入空腔塊40,使它們以打包方式脫離模具。在其他情形下,可先拆除嵌入空腔塊40,且同時將其分離,然後再分離已形成有封止材料的基板。
圖6呈現為執行完圖5所示的過程後從模具和嵌入空腔塊上分離和移除的薄膜。請參照圖6,可理解的是,薄膜連同附著在此薄膜上的多餘的固態樹脂一起被移除。此時,還可以理解的是,用來填充樹脂入口或閘的一些多餘的固態樹脂也被分離,同時它們保留了樹脂入口或閘的形狀。
圖7與圖8是依照本發明之另一實施例的一種使用封止材料形成裝置來執行的封止材料形成方法的圖式。
圖7與前述實施例之封止材料形成方法實質上相同,不同之處在於基板10是以相反方向安裝。
請參照圖7,可移動模具300位於上部以便配置上方模具,且固定模具200位於下部以便配置下方模具。基板10安裝在下方模具(即固定模具200)上,且嵌入空腔塊400被放置在基板10上。嵌入空腔塊400的一個表面上提供成型空腔410,其中成型空腔410開口朝著安裝在下方模具(即固定模具200)上的基板10。樹脂裝載空間380以及連接樹脂裝載空間380與成型空腔的樹脂入口420形成在嵌入空腔塊400的正對可移動模具300的另一表面上。薄膜500位於可移動模具300的下方或嵌入空腔塊400的上方,以位於樹脂裝載空間380的下面。與前述實施例相似的是,薄膜500圍繞著樹脂裝載空間380。可移動模具300先下移,使得可移動模具300的空腔固持塊360接觸到嵌入空腔塊400,薄膜500介於兩者之間。此外,空腔壓縮塊310伴隨著彈性構件370的壓縮而繼續下移,從而對樹脂裝載空間380中的樹脂造成壓迫。在巨大的壓力下,樹脂從樹脂裝載空間380經由樹脂入口而被注射到成型空腔內。成型空腔中的液體型樹脂發生固化,從而在成型空腔內形成稠密且在厚度尺寸上(thick-dimensionally)穩定的封止材料。儘管未進行真空黏附,但薄膜500可保留在下方的固定模具200(即下方模具)上,因此可以不包括用來對薄膜500進行真空黏附的真空元件。
如圖8所示,封止材料形成後,若薄膜500脫離嵌入空腔塊400,則封止材料形成後殘留在嵌入空腔塊400之表面上的多餘的固態樹脂R’也脫離嵌入空腔塊400的表面,同時多餘的固態樹脂R’仍然黏附在薄膜500上。與前述實施例相似的是,離型劑可塗在嵌入空腔塊400的表面上。圖8中未繪示上方的可移動模具。
3...基底
10...基板
11...引線框
12...發光二極體晶片(或半導體晶片)
13...反光板
20...上方模具
30...下方模具
31、310...空腔壓縮塊
36、360...空腔固持塊
37、370...彈性構件
38、380...樹脂裝載空間
40、400...嵌入空腔塊
41、410...成型空腔
42、420...樹脂入口
43...壩欄杆表面
50、500...薄膜
200‧‧‧固定模具
300‧‧‧可移動模具
401‧‧‧離型劑
R‧‧‧樹脂
R’‧‧‧多餘的固態樹脂
圖1至圖3是分別從第一位置、第二位置和第三位置取得的依照發明之一實施例的一種封止材料形成裝置的橫剖面圖。
圖4是用來展示圖3所示的依照本發明之一實施例的封止材料形成裝置的一部分的放大橫剖面圖。
圖5是用來展示依照本發明之一實施例的形成封止材料且然後將多餘的固態樹脂連同薄膜一起分離並移除的過程的橫剖面圖。
圖6是在圖5所示之過程中連同多餘的固態樹脂一起被分離和移除的薄膜的照片。
圖7與圖8是依照本發明之另一實施例的一種封止材料形成方法的圖式。
3...基底
10...基板
11...引線框
12...發光二極體晶片(或半導體晶片)
13...反光板
20...上方模具
30...下方模具
31...空腔壓縮塊
36...空腔固持塊
37...彈性構件
38...樹脂裝載空間
40...嵌入空腔塊
41...成型空腔
42...樹脂入口
50...薄膜
Claims (5)
- 一種封止材料形成方法,包括:嵌入空腔塊配置步驟,將嵌入空腔塊配置在基板上,所述嵌入空腔塊具有樹脂入口和成型空腔;樹脂裝載空間形成步驟,用來形成樹脂裝載空間,其正對所述嵌入空腔塊的一側被一層薄膜圍繞著;將樹脂裝入所述樹脂裝載空間的步驟;封止材料形成步驟,使所述樹脂裝載空間的底部靠近所述嵌入空腔塊,從而使被裝入所述樹脂裝載空間內的所述樹脂經由所述樹脂入口來填充所述成型空腔;以及薄膜分離步驟,當所述樹脂固化後,在殘留於所述嵌入空腔塊之表面的多餘的固態樹脂黏附在所述薄膜上的狀態下,使所述薄膜從所述嵌入空腔塊上分離並將其移除。
- 如申請專利範圍第1項所述之封止材料形成方法,其中,在所述嵌入空腔塊配置步驟中,將離型劑塗在所述嵌入空腔塊的正對所述樹脂裝載空間的表面上。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述之封止材料形成方法,其中所述嵌入空腔塊配置步驟包括:將所述基板安裝在第一模具上;以及將所述嵌入空腔塊安裝在所述基板上。
- 如申請專利範圍第3項所述之封止材料形成方法,其中在所述樹脂裝載空間形成步驟中,正對所述第一模具且具有凹面空間的第二模具被所述薄膜覆蓋而形成所述樹脂裝載空間,所述第二模具包括空腔壓縮塊以及圍繞 著所述空腔壓縮塊而配置的空腔固持塊,所述凹面空間是由所述空腔固持塊與所述空腔壓縮塊之間的高度差所形成。
- 如申請專利範圍第4項所述之封止材料形成方法,其中在所述封止材料形成步驟中,所述空腔固持塊上移或下移,直到所述空腔固持塊接觸到所述嵌入空腔塊,然後在所述空腔固持塊停止移動的狀態下,所述空腔壓縮塊繼續上移或下移,以便將所述樹脂裝載空間內的所述樹脂注射到所述成型空腔中,以及其中,在所述薄膜分離步驟中,所述第二模具脫離所述嵌入空腔塊,使得所述薄膜以及黏附在所述薄膜上的所述多餘的固態樹脂脫離所述嵌入空腔塊。
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040048416A1 (en) * | 2002-09-06 | 2004-03-11 | Towa Corporation | Resin encapsulation molding method of electronic part and resin encapsulation molding apparatus used therefor |
JP2009090503A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形用金型 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2709035B2 (ja) * | 1994-12-28 | 1998-02-04 | 日東電工株式会社 | 半導体パッケージの製造方法 |
KR100214555B1 (ko) * | 1997-02-14 | 1999-08-02 | 구본준 | 반도체 패키지의 제조방법 |
JP3924457B2 (ja) * | 2001-12-10 | 2007-06-06 | Necエレクトロニクス株式会社 | 樹脂封止装置および樹脂封止方法 |
JP4358501B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2009-11-04 | Towa株式会社 | 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型 |
JP2008207450A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Towa Corp | 発光素子の圧縮成形方法 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040048416A1 (en) * | 2002-09-06 | 2004-03-11 | Towa Corporation | Resin encapsulation molding method of electronic part and resin encapsulation molding apparatus used therefor |
JP2009090503A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Towa Corp | 電子部品の樹脂封止成形用金型 |
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