TWI479955B - 用以產生電漿極紫外線光之方法及裝置 - Google Patents

用以產生電漿極紫外線光之方法及裝置 Download PDF

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Description

用以產生電漿極紫外線光之方法及裝置
本申請案係對於2010年3月10日提申名稱為“雷射產生電漿極紫外線光源”且事務所案號為No. 2008-0055-01的美國專利申請案編號12/721,317主張優先權，該案是共同審查中2007年7月13日提申名稱為“具有利用一經調變擾動波產生的一滴粒物流之雷射產生電漿極紫外線光源”且事務所案號為2007-0030-01的美國專利申請案編號11/827,803之部分接續申請案；其完整內容被合併於本文中以供參考。
本申請案係有關於共同審查中2006年2月21日提申名稱為“具有預脈衝之雷射產生電漿極紫外線光源”且事務所案號為2005-0085-01的美國專利申請案編號11/358,988；共同審查中2005年2月25日提申名稱為“用於極紫外線電漿源標靶輸送之方法及裝備”且事務所案號為2004-0008-01的美國專利申請案編號11/067,124；共同審查中2005年6月29日提申名稱為“LPP極紫外線電漿源材料標靶輸送系統”且事務所案號為2005-0003-01的美國專利申請案編號11/174,443；共同審查中名稱為“用於極紫外線光源之源材料配送器”的美國；共同審查中2006年2月21日提申名稱為“雷射產生電漿極紫外線光源”且事務所案號為2005-0081-01的美國專利申請案編號11/358,992；共同審查中2005年6月29日提申名稱為“LPP極紫外線光源驅動雷射系統”且事務所案號為2005-0044-01的美國專利申請案編號11/174,299；共同審查中2006年4月17日提申名稱為“用於極紫外線光源之替代燃料”且事務所案號為2006-0003-01的美國專利申請案編號11/406,216；共同審查中2006年10月13日提申名稱為“用於極紫外線光源之驅動雷射輸送系統”且事務所案號為2006-0025-01的美國專利申請案編號11/580,414；及共同審查中2006年12月22日提申名稱為“雷射產生電漿極紫外線光源”且事務所案號為2006-006-01的美國專利申請案編號11/644,153；共同審查中2006年8月16日提申名稱為“極紫外線光學件”且事務所案號為2006-0027-01的美國專利申請案編號11/505,177；共同審查中2006年6月14日提申名稱為“用於極紫外線光源之驅動雷射”且事務所案號為2006-0001-01的美國專利申請案編號11/452,558；共同審查中2005年8月9日發證予威伯(Webb)等人名稱為“長延遲及高TIS脈衝拉伸器”的美國專利案No. 6,928,093，2006年3月31日提申名稱為“共焦脈衝拉伸器”且事務所案號為2004-0144-01的美國申請案編號11/394,512；2005年5月26日提申名稱為“用於實行一被定形為線束的雷射及一沉積在一基材上的薄膜之間的一交互作用之系統及方法”的美國申請案編號11/138,001(事務所案號2004-0128-01)；及2002年5月4日提申名稱為“具有束輸送之雷射微影術光源”的美國申請案編號10/141,216，現為美國專利案6,693,939；2003年9月23日發證予諾爾(Knowles)等人名稱為“很窄頻、二室、高重覆率氣體放電雷射系統”的美國專利案No. 6,625,191，美國申請案No. 10/012,001，事務所案號2001-0090-01，2003年4月15日發證予奈斯(Ness)等人名稱為“具有精密定時控制之注射籽式雷射”之美國專利案No. 6,549,551，美國申請案No. 09/848,043，事務所案號2001-0020-01；及2003年5月20日發證予麥爾斯(Myers)等人名稱為“很窄頻、二室、高重覆率氣體放電雷射系統”之美國專利案No. 6,567,450，美國申請案No. 09/943,343，事務所案號2001-0084-01；共同審查中2006年8月25日提申名稱為“用於一雷射產生電漿極紫外線光源之源材料收集單元”的美國專利申請案編號11/509,925，事務所案號2005-0086-01；各案的整體內容合併於本文中以供參考。
發明領域
本揭示係有關從一電漿提供極紫外線(EUV)光之極紫外線光源，其從一標靶材料生成且被收集及導引至一中間區供極紫外線光源室外部利用，譬如由一微影術掃描器/步進器所利用。
 發明背景
極紫外線，譬如具有50nm左右或更小波長的電磁輻射(有時亦稱為軟x射線)，且包括約13.5nm波長的光，係可使用於光微影術製程中以在譬如矽晶圓等基材中產生極小特徵構造。
產生極紫外線光之方法係包括但未必限於將一材料轉換成一電漿狀態，其具有譬如氙、鋰或錫等至少一元素含有位於極紫外線範圍中的一或多個發射線。一種常稱為雷射產生電漿(LPP)的此方法中，可藉由一雷射波束輻照一具有所需要的線發射元素之標靶材料來產生所需要的電漿。
一種特別的LPP技術係涉及以一或多個預脈衝然後一主脈衝來輻照一標靶材料滴粒。因此，作為在一LPP製程中產生“主”脈衝的一驅動雷射時，CO2 雷射可提供特定優點。對於諸如融化錫滴粒等特定標靶材料，這可能尤其為真。譬如，優點可能包括產生相對較高轉換效率的能力，譬如輸出極紫外線頻帶中功率至驅動雷射輸入功率之比值。
較理論上來說，LPP光源係藉由將雷射能沉積在一諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)等源元素中以生成極紫外線輻射，而生成一具有數十eV電子溫度之高度離子化的電漿。這些離子去激及重組期間所生成的能量性輻射係在所有方向中從電漿發射。一常見配置中，一近法向入射面鏡(常稱為“收集器面鏡”)係被定位於相距電漿的一距離，以將光收集、導引(且在部分配置中聚焦)至一例如焦點等中間區位。經收集的光可隨後從中間區位被中繼至一組掃描器光學件且最終來到一晶圓。較量化來說，一目前發展目標為在中間區位產生約100W之配置係想見使用一脈衝式經聚焦10至12kW CO2 驅動雷射，其與一滴粒產生器同步化以順序性輻照每秒約40,000至100,000個錫滴粒。為了此目的，需要以相對較高重覆率(譬如40至100kHz或更高)產生一穩定物流的滴粒並在相對較長的時間週期以就定時及位置而言的高精確度與良好可重覆性(亦即以很小“顫動”)將滴粒輸送至一輻照部位。
對於一典型的LPP建置方式，標靶材料滴粒係被生成然後移行於一真空室內來到一輻照部位，其在該處譬如被一經聚焦雷射波束所輻照。除了生成極紫外線輻射外，這些電漿製程一般亦在電漿室中生成不良副產物(譬如雜屑)，其潛在會損害或降低各種不同電漿室光學元件的操作效率。這些碎屑可包括來自電漿形成之高能離子及散射雜屑，譬如源材料的原子及/或塊體/微滴粒。基於此理由，常想要使用所謂的“質量有限式(mass-limited)”滴粒之源材料來降低或消除雜屑形成。使用“質量有限式”滴粒亦可能導致源材料消耗的降低。用來達成一“質量有限式”滴粒的技術係可涉及稀釋源材料及/或使用相對較小滴粒。譬如，現今想見使用低達10至50μm的滴粒。
除了其對於真空室中的光學元件之效應外，電漿副產物亦可能不利地影響趨近輻照部位之滴粒(亦即滴粒物流中的後續滴粒)。部分案例中，滴粒與電漿副產物之間的交互作用可能導致對於這些滴粒的一較低極紫外線輸出。因此，2005年2月15日發證予薛爾茲名稱為“用於高脈衝率雷射電漿極紫外線光源之滴粒標靶輸送方法”之美國專利案No. 6,855,943(下文稱為‘943專利案)係揭露一種技術，其中一滴粒物流中只有部分滴粒譬如每隔第三個滴粒被輻照以產生一脈衝式極紫外線光輸出。如‘943專利案所揭露，未參與的滴粒(所謂緩衝滴粒)係有利地屏蔽下個參與滴粒不受到輻照部位處生成的電漿之效應。然而，使用緩衝滴粒係可能增加源材料消耗及/或真空室污染及/或可能需要遠比不用緩衝滴粒所需者更高頻率(譬如達到二或更大的因數)之滴粒生成。另一方面，若可增大滴粒之間的間隔，則可降低或消除緩衝滴粒的使用。因此，在設計用於LPP極紫外線光源的滴粒生成器時，滴粒尺寸、間隔及定時一致性(亦即顫動)係身為考慮因素之列。
一種用於生成滴粒之技術係涉及融化一例如錫等標靶材料，然後在高壓下迫使其經過一譬如0.5至30μm等相對較小直徑孔口。大部份狀況下，離開孔口之物流中自然發生的不穩定性譬如噪音係可能造成物流破解成滴粒。為了將滴粒與LPP驅動雷射的光學脈衝同步化，一具有超過隨機噪音的振幅之重覆性擾動可被施加至連續性物流。藉由以與脈衝式雷射的重覆率相同之頻率(或其較高諧波)施加一擾動，滴粒可與雷射脈衝同步化。在過去，一般已利用一單頻波形諸如正弦波形或其均等物來驅動一可電致動元件(諸如壓電材料)，藉以將擾動施加至物流。
此處所用的“可電致動元件”及其衍生物等用語係指當受到一電壓、電場、磁場、或其組合時經歷維度變化之材料或結構，且包括但不限於壓電材料、電致伸縮材料及磁致伸縮材料。
一般而言，為了施加諸如正弦波形等單頻、未調變波形擾動，滴粒之間的間隔係隨著擾動頻率減小而增大(亦即，諸如壓力及孔口直徑等其他因素保持固定)。然而，如“藉由經調變電信號所驅動之一振動孔口產生器的滴形成技術”(布銳恩(G. Brenn)及拉可曼(U. Lackermeier)，Phys. Fluids 9，3658(1997))所揭露，其內容被合併於本文中以供參考)，對於低於約0.3υ/(πd )的擾動頻率，其中υ是物流速度而d 是連續性液體物流的直徑，各擾動週期可生成不只一個滴粒。因此，對於一約具50m/s物流速度的10μm液體噴注，低於其每週期將可產生不只一滴粒之經計算最小值頻率係為約480kHz(請注意，現今係想見：對於LPP極紫外線製程可能欲具有40至100kHz的滴粒重覆率及約30至100m/s的速度)。淨結果係為對於單頻、未調變波形擾動之施用，滴粒之間的間隔基本上係有限且無法超過近似3.33πd 。如上述，可能想要在滴粒物流的相鄰滴粒之間供應一充足距離，以降低/消除來自電漿的雜屑對於趨近滴粒之效應。並且，因為對於間隔的限制係與物流直徑成正比，因此亦與滴粒尺寸成正比，在其中欲具有相對較小、質量有限的滴粒之諸如LPP極紫外線光源等應用中，此限制會特別嚴重(請見上文討論)。
有鑒於上文，申請人揭露一雷射產生電漿、極紫外線光源，其具有利用一調變擾動波形所產生之一滴粒物流，及對應的使用方法。
 發明概要
第一態樣中，一裝置可包括一電漿生成系統，該電漿生成系統包含一標靶材料滴粒源及一產生一波束之雷射，該波束在一輻照區輻照滴粒，電漿係產生極紫外線(EUV)輻射，其中滴粒源包含一離開一孔口之流體，及一在流體中產生一擾動之次系統，該滴粒源生成具不同初始速度的滴粒，而造成至少部分相鄰滴粒之間的間隔隨著該等滴粒移行至該輻照區而減小。
一特別實行方式中，至少部分相鄰滴粒可在抵達輻照區之前聚結。
一實施例中，次系統可產生一滴粒圖案，其中滴粒對件係抵達輻照部位而滴粒對件中的各滴粒受到輻照以產生電漿。
一特定實施例中，滴粒對件中的至少一滴粒可趨近輻照部位具有一直徑d，及各對件內的中心至中心滴粒間隔D，其中d≦D≦4d。
一特定實施例中，擾動可包含一經頻率調變擾動波形。
另一特定實施例中，擾動可包含一經振幅調變擾動波形。
該裝置的一配置中，次系統可產生一序列的脈衝式擾動，各脈衝式擾動具有一夠短上升時間及夠短下降時間的至少一者，以生成一基頻及該基頻的至少一諧波。
另一態樣中，一裝置可包含一電漿生成系統，該電漿生成系統係包含一標靶材料滴粒源及一產生一波束之雷射，該波束在一輻照區輻照滴粒，電漿係產生極紫外線(EUV)輻射，其中滴粒源包含一離開一孔口之流體，及一具有一在流體中產生一擾動的可電致動元件之次系統，可電致動元件係由一波形所驅動，該波形具有一夠短上升時間及一夠短下降時間的至少一者，以生成可電致動元件的一可操作響應範圍內之一基頻及該基頻的至少一諧波。
此態樣的一實施例中，波形可選自下列各物組成的群組：一正方形波，矩形波及峰值非正弦波。
此態樣的一特定實施例中，峰值非正弦波可選自下列各物組成的波形之群組：一快速脈衝波形，一快速斜坡波形，及一辛克函數(sinc function)波形。
此態樣的一特定實施例中，至少一諧波可為基頻的一奇數諧波。
此態樣的一特定實施例中，至少一諧波可包含基頻的至少一偶數諧波及基頻的至少一奇數諧波。
此態樣的一特定實施例中，波形可生成具有不同初始速度的滴粒，而造成至少部分相鄰滴粒之間的間隔隨著滴粒移行至輻照區而減小。
此態樣的一特定實施例中，至少部分相鄰滴粒係在抵達輻照區之前聚結。
此態樣的一特定實施例中，各脈衝可藉由改變一開-關切換狀態而被生成。
另一態樣中，一方法可包括下列作用/步驟：使一流體流往一孔口；擾動流體以生成一第一滴粒及一第二滴粒，第一滴粒具有一不同於第二滴粒的初始速度，造成第一及第二滴粒之間的間隔隨著滴粒移行至一輻照區而減小；及在輻照區輻照滴粒材料以形成一電漿。
此態樣的一實行方式中，第一及第二滴粒在抵達輻照區之前聚結。
此態樣的一特定實行方式，擾動可包含選自下列各物組成之調變波形的群組之一波形：一經頻率調變擾動波形及一經振幅調變擾動波形。
此態樣的一特定實行方式中，擾動流體之步驟係可包含產生一序列的脈衝式擾動，各脈衝式擾動具有一夠短上升時間及一夠短下降時間的至少一者，以生成一基頻及該基頻的至少一次諧波。
一特定實行方式中，脈衝式擾動可選自下列各物組成的擾動波形之群組：一正方波，矩形波，及峰值非正弦波。
圖式簡單說明
第1圖顯示一雷射產生電漿極紫外線光源的簡化示意圖；第2圖顯示一經簡化滴粒源的示意圖；第2A至2D圖顯示用於使一可電致動元件耦合於一流體以在一離開一孔口的物流中生成一擾動之數項不同技術；第3圖(先前技藝)顯示從一單頻、未調變擾動波形所產生之滴粒的圖案；第4圖顯示從一經振幅調變擾動波形所產生之滴粒的圖案；第5圖顯示從一經頻率調變擾動波形所產生之滴粒的圖案；第6圖顯示對於一單頻、未調變波形擾動及數個經頻率調變波形擾動所獲得之錫滴粒的照片；第7圖顯示可利用一經調變波形擾動所達成之一滴粒圖案，其中滴粒對抵達輻照區而容許一滴粒屏蔽住後續滴粒對不受電漿雜屑；第8圖顯示可利用一經調變波形擾動所達成之一滴粒圖案，其中滴粒對抵達輻照區，其中一第一滴粒將光反射至一自我導引雷射系統中以引發一輻照第二滴粒之放電以生成一極紫外線發射電漿；第8A圖顯示一滴粒圖案，其中滴粒對件係抵達輻照部位，其中滴粒對件中的各滴粒被輻照以生成電漿；第9圖顯示一正方波的代表物，作為一正弦波信號的奇數諧波之一疊置；第10圖顯示從輸出孔口在~40mm取得以30kHz的一正方波調變所獲得之滴粒的影像；第11圖顯示從輸出孔口在~120mm取得以30kHz的一正方波調變所獲得之滴粒的影像；第12A至D圖顯示對於一矩形波(第12A圖)調變之實驗結果，包括對於一矩形波之一頻率頻譜(第12B圖)；從輸出孔口在20mm所取得之滴粒的一影像(第12C圖)及從輸出孔口在450mm所取得之經聚結滴粒的一影像(第12D圖)；第13A至D圖顯示對於快速脈衝(第13A圖)調變之實驗結果，包括對於一快速脈衝之一頻率頻譜(第13B圖)；從輸出孔口在20mm所取得之滴粒的一影像(第13C圖)及從輸出孔口在450mm所取得之經聚結滴粒的一影像(第13D圖)；第14A至D圖顯示對於快速斜坡波(第14A圖)調變之實驗結果，包括對於一快速斜坡波之一頻率頻譜(第14B圖)；從輸出孔口在20mm所取得之滴粒的一影像(第14C圖)及從輸出孔口在450mm所取得之經聚結滴粒的一影像(第14D圖)；及第15A至D圖顯示對於一辛克函數(sinc function)波(第15A圖)調變之實驗結果，包括對於一辛克函數(sinc function)波之一頻率頻譜(第15B圖)；從輸出孔口在20mm所取得之滴粒的一影像(第15C圖)及從輸出孔口在450mm所取得之經聚結滴粒的一影像(第15D圖)。
 詳細說明
初步參照第1圖，顯示一極紫外線光源之示意圖，例如根據本發明的一態樣之雷射產生電漿極紫外線光源20。如第1圖所示，且進一步詳述於下文，極紫外線光源20可包括一用於生成一串光脈衝且將該等光脈衝輸送至一室26內之系統22。如下文詳述，各光源可從系統22沿著一波束路徑移行且進入室26內以在一輻照區28照射一各別標靶滴粒。
作為第1圖所示的系統22之適當雷射係可包括一脈衝式雷射裝置，譬如一脈衝式氣體放電CO2 雷射裝置，其譬如以DC或RF激勵產生處於9.3μm或10.6μm的輻射，以例如10kW或更高的相對較高功率及例如50kHz或更高的高脈衝重覆率操作。一特定實行方式中，雷射可為一軸向流RF泵送式CO2 雷射，具有一MOPA組態，其包含多重階段的放大並具有由一具低能量及高重覆率、譬如能夠作100kHz操作的Q切換式主振盪器(MO)所引發之一籽脈衝。從MO，雷射脈衝可隨後在進入LPP室之前被放大、定形、及/或聚焦。連續泵送式CO2 放大器可使用於系統22。譬如，一具有一振盪器及三放大器(O-PA1-PA2-PA3組態)之適當的CO2 雷射裝置係揭露於共同審查中2005年6月29日提申名稱為“LPP極紫外線光源驅動雷射系統”且事務所案號為2005-0044-01的美國專利申請案編號11/174,299，其整體內容已先行合併於本文中以供參考。或者，雷射可組構成一所謂“自我標靶”雷射系統，其中滴粒作為光學腔的一面鏡。部分“自我標靶”配置中，可能不需要一主振盪器。自我標靶雷射系統係揭露於共同審查中2006年10月13日提申名稱為“用於極紫外線光源之驅動雷射輸送系統”且事務所案號為2006-0025-01的美國專利申請案編號11/580,414中且作權利主張，該案的完整內容已先行合併於本文中以供參考。
依據應用而定，其他類型的雷射亦可能適合，譬如以高功率及高脈衝重覆率操作的一受激準分子或分子氟雷射。範例係包括一固態雷射，其譬如具有一纖維或碟形主動媒體，一受激準分子雷射，其具有一或多個室，譬如一振盪器室及一或多個放大室(具有併列或串列的放大室)，一主振盪器/功率振盪器(MOPO)配置，一功率振盪器/功率放大器(POPA)配置，或一固態雷射─其籽化一或多個受激準分子或分子氟放大器或振盪器室─係可能適合。亦可能具有其他設計。
進一步如第1圖所示，極紫外線光源20亦可包括一標靶材料輸送系統24，譬如將一標靶材料的滴粒輸送入一室26的內部中來到輻照區28，其中滴粒將與一或多個光脈衝交互作用，譬如零、一或多個預脈衝及隨後的一或多個主脈衝，以最終產生一電漿且生成一極紫外線發射。標靶材料可包括但未必限於一包括錫、鋰、氙或其組合之材料。錫、鋰、氙等極紫外線發射元素可能是液體滴粒及/或液體滴粒內所含的固體粒子之形式。譬如，元素錫可以純錫，以錫化合物，譬如SnBr4 ，SnBr2 ，SnH4 ，以錫合金，譬如錫鎵合金，錫銦合金，錫銦鎵合金，或其一組合作使用。依據使用材料而定，標靶材料可以包括室溫或接近室溫(譬如錫合金，SnBr4 )、升高溫度(譬如純錫)或低於室溫的溫度(譬如SnH4 )等不同溫度提供至輻照區28，且在部分案例中可相對較具揮發性，譬如SnBr4 。有關這些材料使用於一LPP極紫外線源中的更多細節請見共同審查中2006年4月17日提申名稱為“用於極紫外線光源之替代燃料”且事務所案號為2006-0003-01的美國專利申請案編號11/406,216，其內容已先行合併於本文中以供參考。
繼續參照第1圖，極紫外線光源20亦可包括一光學件30，譬如一呈現刪截橢球形式的收集器面鏡，其譬如具有一包含鉬與矽交替層之階化多層塗覆物。第1圖顯示光學件30可形成有一開孔以容許系統22生成的光脈衝穿過且抵達輻照區28。如圖所示，光學件30可譬如為一橢球形面鏡，其具有一位於輻照區28或接近於輻照區28之第一焦點，及一位於所謂中間區40之第二焦點，其中極紫外線光可從極紫外線光源20輸出並輸入至一利用極紫外線光之裝置，譬如一積體電路微影術工具(未圖示)。請瞭解可使用其他光學件來取代橢球形面鏡以收集並導引光至一中間區位供後續輸送至一利用極紫外線光之裝置，例如，光學件可為拋物形或可組構成將一具有環形橫剖面的波束輸送至一中間區位，譬如請見共同審查中2006年8月16日提申名稱為“極紫外線光學件”且事務所案號為2006-0027-01的美國專利申請案編號11/505,177，其內容合併於本文中以供參考。
繼續參照第1圖，極紫外線光源20亦可包括一極紫外線控制器60，其亦可包括一發射控制系統65用以觸發系統22中的一或多個燈具及/或雷射裝置以藉此生成光脈衝供輸送入室26中。極紫外線光源20亦可包括一滴粒位置偵測系統，其可包括一或多個滴粒成像器70，其提供一用於指示一或多個滴粒之譬如相對於輻照區28的位置之輸出。成像器70可將此輸出提供至一滴粒位置偵測回饋系統62，其可譬如運算一滴粒位置及軌跡，可譬如以一滴粒至滴粒基礎、或以平均方式從其運算一滴粒誤差。滴粒誤差可隨後以一輸入被提供至控制器60，其譬如可提供一位置、方向及/或定時矯正信號至系統22，以控制一源定時電路及/或控制一波束位置及定形系統，以譬如改變被輸送至室26中的輻照區28之光脈衝的區位及/或焦度。
極紫外線光源20可包括一或多個極紫外線量測儀器，其用於測量源20所生成的極紫外線光之各種不同性質。這些性質係譬如包括強烈度(intensity)(譬如，總強烈度或一特定頻帶內的強烈度)，頻譜帶寬，偏振，波束位置，指向等。對於極紫外線光源20，儀器可組構成當譬如光微影術掃描器等下游工具處於線上時操作，譬如藉由取樣極紫外線輸出的一部分，譬如利用一揀除面鏡(pickoff mirror)或取樣“未收集”的極紫外線光，及/或可當譬如光微影術掃描器等下游工具處於離線時操作，譬如藉由測量極紫外線光源20的整體極紫外線輸出。
進一步如第1圖所示，極紫外線光源20可包括一滴粒控制系統90，可回應於一來自控制器60之信號(其在部分實行方式中可包括上述的滴粒誤差，或從其衍生的某量)而操作，以譬如修改來自一滴粒源92之標靶材料的釋放點及/或修改滴粒形成定時，以矯正抵達所想要輻照區28之滴粒中的誤差及/或使滴粒生成與脈衝式雷射系統22同步化。
第2圖以示意方式顯示一簡化滴粒源92的組件。如圖所示，滴粒源92可包括一貯器94，其在壓力下容納一流體，例如融化的錫。亦顯示貯器94可形成有一孔口98，用以容許加壓流體96流過孔口建立一連續性物流100，其隨後破解成複數個滴粒102a,b。
繼續參照第2圖，所顯示的滴粒源92進一步包括一在流體中產生一擾動之次系統，其具有一可操作地耦合於流體96之可電致動元件104，及一用於驅動可電致動元件104之信號產生器106。第2A至2D圖顯示各種不同方式可使一或多個可電致動元件被可操作地耦合於流體以生成滴粒。首先參照第2A圖，顯示一其中迫使流體在壓力下從一貯器108流過一管110─譬如毛細管，具有0.5至0.8mm間的內側直徑及約10至50mm長度─之配置，而生成離開管110的一孔口114之一連續性物流112，其後續破解成滴粒116a,b。如圖所示，一可電致動元件118可耦合至管。譬如，一可電致動元件可耦合至管110以使管110偏向並擾動物流112。第2B圖顯示一類似配置，該配置具有一貯器120、管122及一對可電致動元件124、126，其各耦合至管122以各別頻率使管122偏向。第2C圖顯示另一變異，其中一板128被定位於一貯器130中，其可移動以迫使流體經過一孔口132以生成一破解成滴粒136a,b之物流134。如圖所示，一力可被施加至板128，且一或多個可電致動元件138可耦合至板以擾動物流134。請瞭解一毛細管可配合使用第2C圖所示的實施例。第2D圖顯示另一變異，其中一流體在壓力下被迫從一貯器140流過一管142，而生成一連續性物流144，離開管142的一孔口146，其隨後破解成滴粒148a,b。如圖所示，一譬如具有環狀形狀的可電致動元件150可被定位於管142周圍。當被驅動時，可電致動元件142可選擇性地擠壓及/或鬆解管142以擾動物流144。請瞭解可採用二或更多個可電致動元件以選擇性利用各別頻率擠壓管142。
有關各種不同滴粒配送器組態及其相關優點的更多細節可見於共同審查中2006年2月21日提申名稱為“具有預脈衝之雷射產生電漿極紫外線光源”且事務所案號為2005-0085-01的美國專利申請案編號11/358,988；共同審查中2005年2月25日提申名稱為“用於極紫外線電漿源標靶輸送之方法及裝置”且事務所案號為2004-0008-01的美國專利申請案編號11/067,124；及共同審查中2005年6月29日提申名稱為“LPP極紫外線電漿源材料標靶輸送系統”且事務所案號為2005-0003-01的美國專利申請案編號11/174,443；各案內容合併於本文中以供參考。
第3圖(先前技藝)顯示從一單頻、正弦波擾動波形202(對於高於約0.3υ/(πd )的擾動頻率)所導致之滴粒200的圖案。可看出擾動波形的各週期產生一滴粒。第3圖亦顯示滴粒不聚結在一起，而是各滴粒以相同初始速度被建立。
第4圖顯示從一經振幅調變擾動波形302所初始導致之滴粒300的圖案，但其與上述擾動波形202之差異係在於其不限於高於約0.3υ/(πd )的擾動頻率。可看出經振幅調變波形擾動302係包括兩特徵頻率，一相對較大頻率，譬如載體頻率，對應於波長λc ，及一較小頻率，譬如調變頻率，對應於波長λm 。對於第4圖所示的特定擾動波形範例，調變頻率係為一載體頻率次諧波，且特別來說，調變頻率是載體頻率的三分之一。藉由此波形，第4圖顯示對應於載體波長λc 之擾動波形的各週期係產生一滴粒。第4圖亦顯示滴粒聚結在一起，導致較大滴粒的一物流304，對於對應於調變波長λm 之擾動波形的各週期具有一較大滴粒。箭頭306a,b顯示初始相對速度組份係藉由經調變波形擾動302賦予於滴粒、且負責滴粒聚結。
第5圖顯示從一經頻率調變擾動波形402所初始導致之滴粒滴粒400的圖案，其就像上述擾動波形302並不限於高於約0.3υ/(πd )的擾動頻率。可看出經頻率調變波形擾動402係包括兩特徵頻率，一相對較大頻率，譬如載體頻率，對應於波長λc ，及一較小頻率，譬如調變頻率，對應於波長λm 。對於第5圖所示的特定擾動波形範例，調變頻率係為一載體頻率諧波，且特別來說，調變頻率是載體頻率的三分之一。藉由此波形，第5圖顯示對應於載體波長λc 之擾動波形的各週期係產生一滴粒。第5圖亦顯示滴粒聚結在一起，導致較大滴粒的一物流404，對於對應於調變波長λm 之擾動波形的各週期具有一較大滴粒。就像經振幅調變擾動(亦即第4圖)，初始相對速度組份係藉由經頻率調變波形擾動402賦予於滴粒，且負責滴粒聚結。
第4及5圖雖顯示並討論具有兩特徵頻率的實施例，第4圖係顯示一具有兩特徵頻率之經振幅調變擾動，而第5圖顯示一具有兩頻率之經頻率調變擾動，請瞭解可採用不只二個特徵頻率且調變可為角度性調變(亦即頻率或相位調變)，振幅調變，或其組合。
第6圖顯示利用一具有約70μm孔口直徑、~30m/s物流速度之類似第2D圖的裝備所獲得之錫滴粒的照片，其係對於一具有100kHz頻率的單頻、未調變波形擾動(最頂部照片)；一具有100kHz的載體頻率及相對較強調變深度的10kHz調變頻率之經頻率調變波形擾動(頂部往下第二張照片)；一具有100kHz載體頻率及相對較弱調變深度的10kHz調變頻率之經頻率調變波形擾動(頂部往下第三張照片)；一具有100kHz載體頻率及15kHz調變頻率之經頻率調變波形擾動(頂部往下第四張照片)；一具有100kHz載體頻率及20kHz調變頻率之經頻率調變波形擾動(底部照片)。
這些照片顯示出，可產生分開約3.14mm具有約265μm 直徑的錫滴粒，這是利用一單頻、未調變波形擾動的此滴粒尺寸及重覆率所無法實現之間隔。
測量顯示出一約為調變週期的0.14%之定時顫動，其顯著地小於利用一單頻、未調變波形擾動在類似條件下觀察到的顫動。因為個別滴粒不穩定性係平均化位於數個聚結滴粒上，故達成此效應。
第7圖顯示利用一經調變、譬如多重頻率、擾動波形所產生(亦請見第6圖，頂部往下第四張照片)之一滴粒圖案600。亦顯示滴粒對係形成於相距孔口604之一選定距離。如圖所示，滴粒對抵達輻照區之此滴粒圖案係容許滴粒608a在被雷射22’輻照時建立一極紫外線發射電漿，同時滴粒608b屏蔽住後續滴粒對610不受電漿雜屑。
第8圖顯示其中使滴粒對抵達輻照區之利用一經調變─譬如多重頻率─擾動波形所可達成的一滴粒圖案700，一第一滴粒702a將光反射至一自我導引雷射系統704內以引發一雷射振盪輸出雷射波束，其輻照第二滴粒702b以產生一極紫外線發射電漿。
自我導引雷射系統704更完整地描述於共同審查中2006年10月13日提申名稱為“用於極紫外線光源之驅動雷射輸送系統”且事務所案號為2006-0025-01的美國專利申請案編號11/580,414。特別請見US 11/580,414的第5圖，其完整內容先行合併於本文中以供參考。雖然下文描述一對應於11/580,414專利申請案第5圖之雷射系統704，請瞭解此描述同樣可適用於11/580,414專利申請案中所揭露的其他自我導引式雷射(亦即，第6至16圖)。
繼續參照第8圖可看出，自我導引雷射系統704可包括一光學放大器706a,b,c。譬如，光學放大器706可為一CW泵送式多重室CO2 雷射放大器，其放大10.6μm波長的光且具有一相對較高的二通增益(譬如約1,000,000的二通增益)。如進一步顯示，放大器706可包括一連串序列式排列的放大器室706a-c，各室有其自身的主動媒體及激勵源，譬如電極。
使用中，標靶材料的第一滴粒702a係被置於一穿過或接近一延伸經過放大器706的波束路徑710之軌跡上。從放大器706自發性發射的光子可能被滴粒所散射，且部分散射光子可能被置於路徑710上，其在該處移行經過放大器706。如圖所示，一光學件708可被定位成接收來自放大器706的路徑710之光子並將波束往回導引經過放大器706以供後續與第二滴粒702b交互作用以產生一極紫外線光發射電漿。對於此配置，光學件708可譬如為一扁平面鏡，彎曲狀面鏡，相位共軛面鏡或角落反射器。一例如透鏡等光學元件714可被定位成將從滴粒進入放大器706的光予以準直，並將從放大器706移行至滴粒的光予以聚焦。可提供一選用性光學延遲716以建立當第一及第二滴粒抵達輻照區時之間所需要的時間延遲。使用不同滴粒的一優點係在於：滴粒的尺寸可對於其特定功能(亦即，反射vs.電漿產生)被獨立地最適化。
第8A圖顯示可利用一經調變─譬如多重頻率─擾動波形(上述)或一脈衝式波形(上述)所達成之一滴粒圖案700’，其中使滴粒對件抵達輻照部位，滴粒對件中的各滴粒被輻照以產生電漿。確切來說，對件中的兩滴粒皆產生電漿及極紫外線光，且兩滴粒皆可被在放大器706a’-c’中以單一增益反轉(gain inversion)產生的一雷射波束所輻照。對於此配置，可對於相對於以單一滴粒產生之極紫外線輸出的各增益反轉，獲得一增高的極紫外線輸出功率。部分案例中，可有利地使用滴粒，使得滴粒對件中的至少一滴粒趨近輻照部位具有一直徑d，及各對件內的中心至中心滴粒間隔D，其中d≦D≦4d。滴粒可實質具有相等直徑，或一滴粒可大於另一滴粒。
繼續參照第8A圖，可看出自我導引雷射系統704’可包括光學放大器706a’,b’,c’。譬如，光學放大器706’可為一CW泵送式多重室CO2 雷射放大器，其放大10.6μm波長的光且具有一相對較高的二通增益(譬如約1,000,000的二通增益)。如進一步顯示，放大器706’可包括一連串序列式排列的放大器室706a’-c’，各室有其自身的主動媒體及激勵源，譬如電極。
使用中，標靶材料的第一滴粒702b’係被放置在一穿過或接近一延伸經過放大器706’的波束路徑710’之軌跡上。從放大器706’自發性發射的光子可能被滴粒所散射，且部分散射光子可能被置於路徑710’上，其在該處移行經過放大器706’。如圖所示，一光學件708’可被定位成接收來自放大器706’的路徑710’上之光子並將波束往回導引經過放大器706’。一雷射波束可隨後沿著輻照滴粒702b’之波束路徑710’被建立，並產生一極紫外線光發射電漿且繼續流通於電漿與光學件708’之間所建立的光學腔中直到滴粒702a’抵達波束路徑710’為止。滴粒702a’隨後被輻照以產生極紫外線光發射電漿。對於此配置，光學件708’可譬如為一扁平面鏡，彎曲狀面鏡，相位共軛面鏡或角落反射器。一例如透鏡等光學元件714’可被定位成將從滴粒進入放大器706’的光予以準直，並將從放大器706’移行至滴粒的光予以聚焦。部分實行方式中，對件中的滴粒可聚結而在輻照之前或輻照期間形成一長形滴粒。
現在參照第9至12圖，申請人已決定除了上述的經調變─譬如多重頻率─擾動波形外，可使用其他波形來產生聚結滴粒物流，其可被控制以產生頻率最小值(約0.3υ/(πd )，如上述)以下之一穩定物流的經聚結滴粒，其原本將限制使用單頻正弦未調變波形擾動之穩定的滴粒產生。
確切來說，這些波形可產生流體中的一擾動，其生成在物流內具有受控制、可重覆及/或非隨機性的不同初始速度之滴粒的一物流。
譬如，對於一利用一可電致動元件產生一擾動之滴粒產生器，可使用一序列的脈衝波形，其中各脈衝相較於波形週期的長度具有充分夠短的上升時間及/或下降時間以生成可電致動元件的一可操作響應範圍內之一基頻，及該基頻的至少一諧波。
此處的“基頻”用語及其衍生物與均等物係指一擾動一流到一出口孔口的流體之頻率及/或一被施加至一諸如噴嘴等產生滴粒的次系統之頻率，其具有一可電致動元件而在流體中產生一擾動；以產生滴粒的一物流，故若容許物流中的滴粒完全聚結成等距分隔滴粒的一圖案，將在基頻的每週期具有一經完全聚結的滴粒。
適當脈衝波形的範例係包括但未必限於一正方波(第9圖)，矩形波，及具有充分夠短上升時間及/或下降時間的峰值非正弦波諸如一快速脈衝(第13A圖)，快速斜坡波(第14A圖)，及一辛克函數(sinc function)波(第15A圖)。
第9圖顯示身為一正弦波信號的奇數諧波的疊置之一正方波800的代表圖。請注意：為求簡單只顯示頻率f 的前兩個諧波。請瞭解將以具漸小振幅之有限數量的奇數諧波獲得一確切正方波形狀。更詳細來說，一正方波800可以數學方式表示成正方波之具基頻f的正弦波(波形802)及其較高階奇數諧波3f(波形804)、5f(波形806)；等等之一組合：
其中t 是時間，ν(t) 是波的瞬間振幅(亦即電壓)，而ω是角頻率。因此，將一正方波信號施加至一譬如壓電件等可電致動元件，係可能導致基頻f =ω/2 π之機械振動，暨此頻率的較高諧波3f 、5f 等。由於一採用一可電致動元件的滴粒產生器之有限且一般來說較高的非均勻頻率響應，這是可能的方式。若正方波信號的基頻顯著地超過限制值0.3υ/( πd) ，則有效地禁止處於此頻率之單一滴粒的形成，且滴粒係在較高諧波被生成。如同上述振幅及頻率調變之案例中，以一正方波信號所產生的滴粒相對於物流中的相鄰滴粒具有差異性速度，其導致其最終以一頻率f 聚結成較大滴粒。部分實行方式中，極紫外線光源組構成在每週期產生複數個滴粒，其中各滴粒具有一不同於後續滴粒的初始速度，使得：1)至少二滴粒在抵達輻照部位之前即聚結；或2)滴粒產生一所想要的圖案，諸如一包括緊密分佈、滴粒對件之圖案(請見下文討論)。
第10及11圖顯示以30kHz的一正方波調變所獲得之滴粒的影像。藉由一簡單正弦波調變，其中對於此實驗所使用的滴粒產生器每週期可獲得單一滴粒之最低調變頻率係為110kHz。第10圖所示的影像係從輸出孔口在~40mm取得，且第11圖所示的影像從輸出孔口在~120mm取得而其中滴粒已經聚結。此範例顯示利用一正方波調變以低於一特定滴粒產生器組態之自然、低頻極限的頻率獲得滴粒之優點。
類似論點可適用於具有短上升時間及/或下降時間的多重諧波之各種不同重覆性調變信號，包括但不限於一快速脈衝(第13A圖)，快速斜坡波(第14A圖)及一辛克函數(sinc function)波(第15A圖)。例如，一鋸齒波形不只含有奇數、亦含有基頻的偶數諧波，且因此亦可有效用來克服低頻調變極限並改良一滴粒產生器的穩定性。部分案例中，一特定滴粒產生器組態可比其他者更能回應部分頻率。在此例中，一產生大量頻率的波形係較可能包括一匹配於特定滴粒產生器的響應頻率之頻率。
第12A圖顯示一用於驅動一滴粒產生器之矩形波900，而第12B圖顯示一具有基頻902a及對於矩形波的一週期之各種不同量值的諧波902b-h之對應的頻率頻譜。第12C圖顯示從矩形波所驅動之滴粒產生器的輸出孔口在20mm所取之滴粒的一影像，並顯示滴粒開始聚結。第12D圖顯示滴粒完全聚結之後從輸出孔口在450mm所取之滴粒的一影像。
第13A圖顯示用於驅動一滴粒產生器之一序列的快速脈衝1000，而第13B圖顯示一對應的頻率頻譜，其具有基頻1002a及對於矩形波的一週期之各種不同量值的諧波1002b-i。第13C圖顯示由該序列的快速脈衝所驅動從滴粒產生器的輸出孔口在20mm所取之滴粒的一影像並顯示滴粒開始聚結。第13D圖顯示滴粒完全聚結之後從輸出孔口在450mm所取之滴粒的一影像。
第14A圖顯示用於驅動一滴粒產生器之一快速斜坡波1100，而第14B圖顯示具有基頻1102a及用於矩形波的一週期之各種不同量值的諧波1102b-p之一對應的頻率頻譜。第14C圖顯示快速斜坡波所驅動從滴粒產生器的輸出孔口在20mm所取之滴粒的一影像，並顯示滴粒開始聚結。第14D圖顯示滴粒完全聚結之後從輸出孔口在450mm所取之滴粒的一影像。
第15A圖顯示用於驅動一滴粒產生器之一辛克函數(sinc function)波1200，而第15B圖顯示具有基頻1202a及用於矩形波的一週期之各種不同量值的諧波1202b-1之一對應的頻率頻譜。第15C圖顯示由辛克函數(sinc function)波所驅動從滴粒產生器的輸出孔口在20mm所取之滴粒的一影像，並顯示滴粒開始聚結。第15D圖顯示滴粒完全聚結之後從輸出孔口在450mm所取之滴粒的一影像。
為了滿足35 U.S.C.§112所需要之此專利申請案中詳述及顯示的特定實施例雖然完全能夠達成上述實施例的上述用途、解決其問題、或任何其他理由、或目的之一或多者，熟習該技術者瞭解：上述實施例僅為示範性、說明性且代表本申請案所廣泛想見的標的物。除非明確陳述，下列申請專利範圍中若以單數提及一元件並無意指稱且亦不指稱將此申請專利範圍元件詮釋為“一且唯一”，而是“一或多”。熟習該技術者已知或稍後將知悉之上述實施例的任何元件之所有結構性及功能性均等物皆明確合併於本文中以供參考並預定被本申請專利範圍所涵蓋。說明書及/或申請專利範圍中所使用且在本申請案的說明書及/或申請專利範圍中明述提供意義之任何用語皆具有該意義，不論此用語的字典或其他常用意義為何皆然。無意或不需使得在說明書中以一項實施例討論的一裝置或方法針對或解決此申請案中所討論的各項與每項問題，方能被本申請專利範圍所涵蓋。本揭示中並無元件、組件或方法步驟預定貢獻予公眾，不論該元件、組件或方法步驟是否明列於申請專利範圍中皆然。除非使用“用於之構件(means for)”語句明述該元件或者該元件在一方法請求項案例中被列為一‘‘步驟”而非‘‘作用(act)”，申請專利範圍中並無請求元件被視為落在35 U.S.C.§112第六段之下。
20．．．雷射產生電漿極紫外線光源
22．．．系統
22’．．．雷射
24．．．標靶材料輸送系統
26．．．室
28．．．輻照區
30,708,708’．．．光學件
40．．．中間區
60．．．極紫外線控制器
62．．．滴粒位置偵測回饋系統
65．．．發射控制系統
70．．．滴粒成像器
90．．．滴粒控制系統
92．．．滴粒源
94,108,120,130,140．．．貯器
96．．．加壓流體
98,114,132,146,604．．．孔口
100,112,144．．．連續性物流
102a-b,116a-b,136a-b,148a-b,200,300．．．滴粒
608a,608b,702a,702a’,702b,702b’．．．滴粒
104,118,124,126,150．．．可電致動元件
106．．．信號產生器
110,122,142．．．管
128‧‧‧板
134‧‧‧物流
202‧‧‧單頻、正弦波擾動波形
302‧‧‧經振幅調變擾動波形
304,404‧‧‧較大滴粒的物流
306a,b‧‧‧箭頭
400‧‧‧滴粒滴粒
402‧‧‧經頻率調變擾動波形
600,700,700’‧‧‧滴粒圖案
610‧‧‧滴粒對
706a-c,706’,706a’-c’‧‧‧光學放大器
704,704’‧‧‧自我導引雷射系統
710,710’‧‧‧波束路徑
714,714’‧‧‧光學元件
716‧‧‧光學延遲
800‧‧‧正方波
802,804,806‧‧‧波形
900‧‧‧矩形波
902a,1002a,1102a,1202a‧‧‧基頻
902b-h,1002b-I,1102b-p,1202b-1‧‧‧諧波
1000‧‧‧快速脈衝
1100‧‧‧快速斜坡波
1200‧‧‧辛克函數(sinc function)波
D‧‧‧對件內的中心至中心滴粒間隔
d‧‧‧滴粒直徑
λc ‧‧‧載體波長
λm ‧‧‧調變波長
第1圖顯示一雷射產生電漿極紫外線光源的簡化示意圖；
第2圖顯示一經簡化滴粒源的示意圖；
第2A至2D圖顯示用於使一可電致動元件耦合於一流體以在一離開一孔口的物流中生成一擾動之數項不同技術；
第3圖(先前技藝)顯示從一單頻、未調變擾動波形所產生之滴粒的圖案；
第4圖顯示從一經振幅調變擾動波形所產生之滴粒的圖案；
第5圖顯示從一經頻率調變擾動波形所產生之滴粒的圖案；
第6圖顯示對於一單頻、未調變波形擾動及數個經頻率調變波形擾動所獲得之錫滴粒的照片；
第7圖顯示可利用一經調變波形擾動所達成之一滴粒圖案，其中滴粒對抵達輻照區而容許一滴粒屏蔽住後續滴粒對不受電漿雜屑；
第8圖顯示可利用一經調變波形擾動所達成之一滴粒圖案，其中滴粒對抵達輻照區，其中一第一滴粒將光反射至一自我導引雷射系統中以引發一輻照第二滴粒之放電以生成一極紫外線發射電漿；
第8A圖顯示一滴粒圖案，其中滴粒對件係抵達輻照部位，其中滴粒對件中的各滴粒被輻照以生成電漿；
第9圖顯示一正方波的代表物，作為一正弦波信號的奇數諧波之一疊置；
第10圖顯示從輸出孔口在~40mm取得以30kHz的一正方波調變所獲得之滴粒的影像；
第11圖顯示從輸出孔口在~120mm取得以30kHz的一正方波調變所獲得之滴粒的影像；
第12A至D圖顯示對於一矩形波(第12A圖)調變之實驗結果，包括對於一矩形波之一頻率頻譜(第12B圖)；從輸出孔口在20mm所取得之滴粒的一影像(第12C圖)及從輸出孔口在450mm所取得之經聚結滴粒的一影像(第12D圖)；
第13A至D圖顯示對於快速脈衝(第13A圖)調變之實驗結果，包括對於一快速脈衝之一頻率頻譜(第13B圖)；從輸出孔口在20mm所取得之滴粒的一影像(第13C圖)及從輸出孔口在450mm所取得之經聚結滴粒的一影像(第13D圖)；
第14A至D圖顯示對於快速斜坡波(第14A圖)調變之實驗結果，包括對於一快速斜坡波之一頻率頻譜(第14B圖)；從輸出孔口在20mm所取得之滴粒的一影像(第14C圖)及從輸出孔口在450mm所取得之經聚結滴粒的一影像(第14D圖)；及
第15A至D圖顯示對於一辛克函數(sinc function)波(第15A圖)調變之實驗結果，包括對於一辛克函數(sinc function)波之一頻率頻譜(第15B圖)；從輸出孔口在20mm所取得之滴粒的一影像(第15C圖)及從輸出孔口在450mm所取得之經聚結滴粒的一影像(第15D圖)。
20‧‧‧雷射產生電漿極紫外線光源
22‧‧‧系統
24‧‧‧標靶材料輸送系統
26‧‧‧室
28‧‧‧輻照區
30‧‧‧光學件
40‧‧‧中間區
60‧‧‧極紫外線控制器
62‧‧‧滴粒位置偵測回饋系統
65‧‧‧發射控制系統
70‧‧‧滴粒成像器
90‧‧‧滴粒控制系統
92‧‧‧滴粒源

Claims (20)

  1. 一種用以產生電漿極紫外線(EUV)光之裝置，包含：一電漿生成系統，其包含一標靶材料滴粒源及一產生一波束之雷射，該波束在一輻照區輻照該等滴粒以形成一電漿，該電漿產生EUV輻射，其中該滴粒源包含離開一孔口之一流體及在該流體中產生一擾動之一個次系統，該滴粒源生成具不同初始速度的滴粒，造成至少部分相鄰滴粒之間的間隔隨著該等滴粒移行至該輻照區而減小。
  2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中至少部分相鄰滴粒在抵達該輻照區之前聚結。
  3. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該次系統產生一滴粒圖案，其中滴粒對件係抵達該輻照區，而該滴粒對件中的各滴粒受到輻照以產生電漿。
  4. 如申請專利範圍第3項之裝置，其中該滴粒對件中趨近該輻照區的至少一滴粒具有一直徑d，及各對件內的一中心至中心滴粒間隔D，其中d≦D≦4d。
  5. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該擾動包含一經頻率調變擾動波形。
  6. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該擾動包含一經振幅調變擾動波形。
  7. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該次系統產生一序列的脈衝式擾動，各脈衝式擾動具有一夠短上升時間及夠短下降時間中的至少一者，以生成一基頻及該基頻的 至少一諧波。
  8. 一種用以產生電漿極紫外線(EUV)光之裝置，包含：一電漿生成系統，其包含一標靶材料滴粒源及一產生一波束之雷射，該波束在一輻照區輻照該等滴粒以形成一電漿，該電漿產生EUV輻射，其中該滴粒源包含離開一孔口之一流體及具有在該流體中產生一擾動的一可電致動元件之一次系統，該可電致動元件係由一波形所驅動，該波形具有一夠短上升時間及一夠短下降時間中的至少一者，以生成該可電致動元件的一可操作響應範圍內之一基頻及該基頻的至少一諧波。
  9. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中該波形係選自下列各物組成之波形的群組：一正方形波、矩形波及峰值非正弦波。
  10. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中該峰值非正弦波係選自下列各物組成之波形的群組：一快速脈衝波形、一快速斜坡波形及一辛克函數(sinc function)波形。
  11. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中該至少一諧波為該基頻的一奇數諧波。
  12. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中該至少一諧波包含該基頻的至少一偶數諧波及該基頻的至少一奇數諧波。
  13. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中該波形生成具有不同初始速度的滴粒，而造成至少部分相鄰滴粒之間的間隔隨著該等滴粒移行至該輻照區而減小。
  14. 如申請專利範圍第13項之裝置，其中至少部分相鄰滴粒 在抵達該輻照區之前聚結。
  15. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中各脈衝係藉由改變一開-關切換狀態而生成。
  16. 一種用以產生電漿極紫外線(EUV)光之方法，包含下列步驟：使一流體流往一孔口；擾動該流體以生成一第一滴粒及一第二滴粒，該第一滴粒具有與該第二滴粒的初始速度不同的一初始速度，造成該等第一及第二滴粒之間的間隔隨著該等滴粒移行至一輻照區而減小；及在該輻照區輻照滴粒材料以形成一電漿。
  17. 如申請專利範圍第16項之方法，其中該等第一及第二滴粒在抵達該輻照區之前聚結。
  18. 如申請專利範圍第16項之方法，其中該擾動包含選自下列各物組成之經調變波形的群組之一波形：一經頻率調變擾動波形及一經振幅調變擾動波形。
  19. 如申請專利範圍第16項之方法，其中擾動流體之步驟包含產生一序列的脈衝式擾動，各脈衝式擾動具有一夠短上升時間及一夠短下降時間中的至少一者，以生成一基頻及該基頻的至少一個次諧波。
  20. 如申請專利範圍第19項之方法，其中該脈衝式擾動選自下列各物組成的擾動波形之群組：一正方波、矩形波、及峰值非正弦波。
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