TWI474149B - 多輸入低壓降穩壓器 - Google Patents

Description

多輸入低壓降穩壓器

本發明是有關於一種多輸入低壓降穩壓器，尤指一種利用具有複數個第一輸入端的放大器和一個監控襯墊監控積體電路內的複數個內部電壓的多輸入低壓降穩壓器。

在現有技術中，設計者為了要量測積體電路內的一內部電壓，設計者必須利用一個運算放大器與一個襯墊以量測積體電路內的內部電壓。

然而，因為設計者可能會量測積體電路內的複數個內部電壓，所以積體電路將包含複數個相對應的運算放大器與複數個相對應的襯墊。如此，複數個運算放大器與複數個襯墊將會大幅增加積體電路的晶片面積。

本發明的一實施例提供一種多輸入低壓降穩壓器。該多輸入低壓降穩壓器包含一放大器、一第一金氧半電晶體及一電阻。該放大器具有複數個第一輸入端，一第二輸入端，及一輸出端，其中該複數個第一輸入端中的每一第一輸入端是用以接收一內部電壓；該第一金氧半電晶體具有一第一端，用以接收一第一電壓，一第二端， 耦接該放大器的輸出端，及一第三端，耦接該放大器的第二輸入端；該電阻具有一第一端，耦接於該第一金氧半電晶體的第三端，及一第二端，是用以接收一第二電壓；該第一金氧半電晶體的第三端另用以耦接於一監控襯墊，且該監控襯墊是用以輸出該內部電壓。

本發明的另一實施例提供一種多輸入低壓降穩壓器。該多輸入低壓降穩壓器包含一放大器、一第一金氧半電晶體及一電阻。該放大器具有複數個第一輸入端，複數個第一致能輸入端，一第二輸入端，一第二致能輸入端，及一輸出端，其中該複數個第一輸入端中的每一第一輸入端是用以接收一內部電壓；該第一金氧半電晶體具有一第一端，用以接收一第一電壓，一第二端，耦接該放大器的輸出端，及一第三端，耦接該放大器的第二輸入端；該電阻具有一第一端，耦接於該第一金氧半電晶體的第三端，及一第二端，是用以接收一第二電壓；該第一金氧半電晶體的第三端另用以耦接於一監控襯墊，且該監控襯墊是用以輸出該內部電壓。

本發明提供一種多輸入低壓降穩壓器。該多輸入低壓降穩壓器是利用一具有複數個第一輸入端的放大器和一監控襯墊監控一積體電路內的複數個內部電壓。如此，相較於現有技術，因為本發明利用該放大器和該監控襯墊監控該積體電路內的複數個內部電壓，所以本發明可大幅減少該積體電路的晶片面積。

請參照第1圖，第1圖是本發明的一實施例說明一種多輸入低壓降穩壓器100的示意圖。多輸入低壓降穩壓器100包含一放大器102、一第一金氧半電晶體104及一電阻106，其中第一金氧半電晶體104是一P型金氧半電晶體。如第1圖所示，放大器102包含一電流源1022、一第一P型金氧半電晶體1024、一第二P型金氧半電晶體1026、M個第一N型金氧半電晶體10281-1028M及一第二N型金氧半電晶體1030，其中M是一正整數。第一金氧半電晶體104具有一第一端，用以接收一第一電壓V1，一第二端，耦接第一P型金氧半電晶體1024的第三端，及一第三端，耦接第二N型金氧半電晶體1030的第二端，其中第一電壓V1是一高電壓。電阻106具有一第一端，耦接於第一金氧半電晶體104的第三端，及一第二端，是用以接收一第二電壓V2，其中第二電壓V2是一低電壓。另外，第一金氧半電晶體104的第三端另用以耦接於一監控襯墊108，且監控襯墊108是用以輸出一內部電壓。因此，一使用者即可通過監控襯墊108量測監控襯墊108所輸出的內部電壓。

如第1圖所示，電流源1022具有一第一端，一控制端，及一第三端，用以接收第二電壓V2；第一P型金氧半電晶體1024具有一第一端，用以接收第一電壓V1，一第二端，及一第三端，耦接第一金氧半電晶體104的第二端，其中第一P型金氧半電晶體1024的第三端是做為放大器102的輸出端；第二P型金氧半電晶體1026具有一第一端，用以接收第一電壓V1，一第二端，耦接第一P型金氧半電晶體1024的第二端，及一第三端，耦接第二P型金氧半電晶體 1026的第二端；第一N型金氧半電晶體10281-1028M中的每一第一N型金氧半電晶體具有一第一端，耦接第一P型金氧半電晶體1024的第三端，一第二端，做為放大器102的M個第一輸入端中的一第一輸入端，用以接收一內部電壓，及一第三端，耦接電流源1022的第一端。例如，第一N型金氧半電晶體10281具有一第一端，耦接第一P型金氧半電晶體1024的第三端，一第二端，做為放大器102的M個第一輸入端中的一第一輸入端，用以接收一內部電壓VINT1，及一第三端，耦接電流源1022的第一端，其中內部電壓VINT1是經過處理而介於第一電壓V1與第二電壓V2之間。第二N型金氧半電晶體1030具有一第一端，耦接第二P型金氧半電晶體1026的第三端，一第二端，耦接第一金氧半電晶體104的第三端，用以做為放大器102的第二輸入端，及一第三端，耦接電流源1022的第一端。

如第1圖所示，多輸入低壓降穩壓器100另包含一第二金氧半電晶體110和一或閘112，其中第二金氧半電晶體110是一P型金氧半電晶體。第二金氧半電晶體110具有一第一端，用以接收第一電壓V1，一第二端，耦接電流源1022的控制端，及一第三端，耦接第一金氧半電晶體104的第二端；或閘112具有M個致能輸入端，及一輸出端，耦接第二金氧半電晶體110的第二端，其中M個致能輸入端中的每一致能輸入端是用以接收一相對應的內部致能訊號。

如第1圖所示，當或閘112的M個致能輸入端所接收的內部致能訊號都為低電位時，或閘112的輸出端的電位是一低電位，導致第二金氧半電晶體110開啟，電流源1022關閉，且一節點A的電位是等於第一電壓V1(高電位)。因為節點A的電位是等於第一電壓V1，所以第一金氧半電晶體104關閉；因為電流源1022關閉，所以放大器102去能。如此，因為第一金氧半電晶體104關閉且放大器102去能，所以監控襯墊108的電位是浮動的(floating)。亦即監控襯墊108不會輸出內部電壓VINT1-VINTM的任何一個內部電壓，其中內部電壓VINT1-VINTM是經過處理而介於第一電壓V1與第二電壓V2之間。

如第1圖所示，當或閘112的M個致能輸入端所接收的內部致能訊號中有一個內部致能訊號(例如EMVINT1)為高電位(此時對應內部致能訊號EMVINT1的第一N型金氧半電晶體10281的第二端接收內部電壓VINT1)時，或閘112的輸出端的電位是一高電位，導致第二金氧半電晶體110關閉，電流源1022開啟(放大器102致能)，且節點A的電位(介於第一電壓V1與第二電壓V2之間)是等於第一P型金氧半電晶體1024的第三端的電位(亦即放大器102的輸出端的電位)。因為節點A的電位是等於第一P型金氧半電晶體1024的第三端的電位，所以第一金氧半電晶體104開啟；因為電流源1022開啟，所以放大器102致能。如此，因為第一金氧半電晶體104開啟且放大器102致能，所以第二N型金氧半電晶體1030的第二端的電位是等於第一N型金氧半電晶體10281的第二端的電位(內部電 壓VINT1)，亦即監控襯墊108的電位是等於內部電壓VINT1。因此，監控襯墊108可輸出內部電壓VINT1。

請參照第2圖，第2圖是本發明的另一實施例說明一種多輸入低壓降穩壓器200的示意圖。多輸入低壓降穩壓器200包含一放大器202、一第一金氧半電晶體204及一電阻106，其中第一金氧半電晶體204是一N型金氧半電晶體。如第2圖所示，放大器202包含一電流源2022、一第一N型金氧半電晶體2024、一第二N型金氧半電晶體2026、M個第一P型金氧半電晶體20281-2028M及一第二P型金氧半電晶體2030，其中M是一正整數。第一金氧半電晶體204具有一第一端，用以接收一第一電壓V1，一第二端，耦接第一N型金氧半電晶體2024的第三端，及一第三端，耦接第二P型金氧半電晶體2030的第二端，其中第一電壓V1是一低電壓。電阻106具有一第一端，耦接於第一金氧半電晶體204的第三端，及一第二端，是用以接收一第二電壓V2，其中第二電壓V2是一高電壓。另外，第一金氧半電晶體204的第三端另用以耦接於一監控襯墊108，其中監控襯墊108的功能，在此不再贅述。

如第2圖所示，電流源2022具有一第一端，一控制端，及一第三端，用以接收第二電壓V2；第一N型金氧半電晶體2024具有一第一端，用以接收第一電壓V1，一第二端，及一第三端，耦接第一金氧半電晶體204的第二端，其中第一N型金氧半電晶體2024的第三端是做為放大器202的輸出端；第二N型金氧半電晶體2026 具有一第一端，用以接收第一電壓V1，一第二端，耦接第一N型金氧半電晶體2024的第二端，及一第三端，耦接第二N型金氧半電晶體2026的第二端；第一P型金氧半電晶體20281-2028M中的每一第一P型金氧半電晶體具有一第一端，耦接第一N型金氧半電晶體2024的第三端，一第二端，做為放大器202的M個第一輸入端中的一第一輸入端，用以接收一內部電壓，及一第三端，耦接電流源2022的第一端。例如，第一P型金氧半電晶體20281具有一第一端，耦接第一N型金氧半電晶體2024的第三端，一第二端，做為放大器202的M個第一輸入端中的一第一輸入端，用以接收一內部電壓VINT1，及一第三端，耦接電流源2022的第一端，其中內部電壓VINT1是經過處理而介於第一電壓V1與第二電壓V2之間。第二P型金氧半電晶體2030具有一第一端，耦接第二N型金氧半電晶體2026的第三端，一第二端，耦接第一金氧半電晶體204的第三端，用以做為放大器202的第二輸入端，及一第三端，耦接電流源2022的第一端。

如第2圖所示，多輸入低壓降穩壓器200另包含一第二金氧半電晶體210和一反或閘212，其中第二金氧半電晶體210是一N型金氧半電晶體。第二金氧半電晶體210具有一第一端，用以接收第一電壓V1，一第二端，耦接電流源2022的控制端，及一第三端，耦接第一金氧半電晶體204的第二端；反或閘212具有M個致能輸入端，及一輸出端，耦接第二金氧半電晶體210的第二端，其中M個致能輸入端中的每一致能輸入端是用以接收一相對應的內部致能 訊號。

另外，多輸入低壓降穩壓器200的放大器202、第一金氧半電晶體204、第二金氧半電晶體210和反或閘212的操作原理皆和多輸入低壓降穩壓器100的放大器102、第一金氧半電晶體104、第二金氧半電晶體110和或閘112相同，在此不再贅述。

請參照第3圖，第3圖是本發明的另一實施例說明一種多輸入低壓降穩壓器300的示意圖。多輸入低壓降穩壓器300包含一放大器302、一第一金氧半電晶體304及一電阻106，其中第一金氧半電晶體304是一P型金氧半電晶體。如第3圖所示，放大器302包含一電流源3022、一第一P型金氧半電晶體3024、一第二P型金氧半電晶體3026、M個第一N型金氧半電晶體30281-3028M、M個第一致能N型金氧半電晶體30291-3029M、一第二N型金氧半電晶體3030及一第二致能N型金氧半電晶體3031，其中M是一正整數。第一金氧半電晶體304具有一第一端，用以接收一第一電壓V1，一第二端，耦接第一P型金氧半電晶體3024的第三端，及一第三端，耦接第二N型金氧半電晶體3030的第二端，其中第一電壓V1是一高電壓。電阻106具有一第一端，耦接於第一金氧半電晶體304的第三端，及一第二端，是用以接收一第二電壓V2，其中第二電壓V2是一低電壓。另外，第一金氧半電晶體304的第三端另用以耦接於一監控襯墊108，其中監控襯墊108的功能，在此不再贅述。

如第3圖所示，電流源3022具有一第一端，一控制端，及一第三端，用以接收第二電壓V2；第一P型金氧半電晶體3024具有一第一端，用以接收第一電壓V1，一第二端，及一第三端，耦接第一金氧半電晶體304的第二端，其中第一P型金氧半電晶體3024的第三端是做為放大器302的輸出端；第二P型金氧半電晶體3026具有一第一端，用以接收第一電壓V1，一第二端，耦接第一P型金氧半電晶體3024的第二端，及一第三端，耦接第二P型金氧半電晶體3026的第二端；第一N型金氧半電晶體30281-3028M中的每一第一N型金氧半電晶體具有一第一端，耦接第一P型金氧半電晶體3024的第三端，一第二端，做為放大器302的M個第一輸入端中的一第一輸入端，用以接收一內部電壓，及一第三端。第一致能N型金氧半電晶體30291-3029M中的每一第一致能N型金氧半電晶體具有一第一端，耦接一相對應的第一N型金氧半電晶體的第三端，一第二端，做為放大器302的M個第一致能輸入端中的一第一致能輸入端，用以接收一相對應的內部致能訊號，及一第三端，耦接電流源3022的第一端。例如，第一N型金氧半電晶體30281具有一第一端，耦接第一P型金氧半電晶體3024的第三端，一第二端，做為放大器302的M個第一輸入端中的一第一輸入端，用以接收一內部電壓VINT1，及一第三端；第一致能N型金氧半電晶體30291具有一第一端，耦接第一N型金氧半電晶體30281的第三端，一第二端，用以做為放大器302的M個第一致能輸入端中的一第一致能輸入端，用以接收一內部致能訊號EMVINT1，及一第三端，耦接電流源3022的第一端，其中內部電壓VINT1和內部致能訊號 EMVINT1是經過處理而介於第一電壓V1與第二電壓V2之間。第二N型金氧半電晶體3030具有一第一端，耦接第二P型金氧半電晶體3026的第三端，一第二端，耦接第一金氧半電晶體304的第三端，用以做為放大器302的第二輸入端，及一第三端。第二致能N型金氧半電晶體3031具有一第一端，耦接第二N型金氧半電晶體3030的第三端，一第二端，用以做為放大器302的第二致能輸入端，及一第三端，耦接電流源3022的第一端。

如第3圖所示，多輸入低壓降穩壓器300另包含一第二金氧半電晶體310和一或閘312，其中第二金氧半電晶體310是一P型金氧半電晶體。第二金氧半電晶體310具有一第一端，用以接收第一電壓V1，一第二端，耦接電流源3022的控制端和第二致能N型金氧半電晶體3031的第二端，及一第三端，耦接第一金氧半電晶體304的第二端；或閘312具有M個致能輸入端，及一輸出端，耦接第二金氧半電晶體310的第二端，其中M個致能輸入端中的每一致能輸入端是耦接一相對應的第一致能N型金氧半電晶體的第二端。

如第3圖所示，當或閘312的M個致能輸入端所接收的內部致能訊號都為低電位時，第一致能N型金氧半電晶體30291-3029M關閉且或閘312的輸出端的電位是一低電位。因為或閘312的輸出端的電位是低電位，所以第二金氧半電晶體310開啟，電流源3022關閉，且一節點B的電位是等於第一電壓V1(高電位)。因為節點B的電位是等於第一電壓V1，所以第一金氧半電晶體304關閉；因為 電流源3022關閉，所以放大器302去能。如此，因為第一金氧半電晶體304關閉且放大器302去能，所以監控襯墊108的電位是浮動的。亦即監控襯墊108不會輸出內部電壓VINT1-VINTM的任何一個內部電壓，其中內部電壓VINT1-VINTM是經過處理而介於第一電壓V1與第二電壓V2之間。

如第3圖所示，當或閘312的M個致能輸入端所接收的內部致能訊號中有一個內部致能訊號(例如EMVINT1)為高電位(此時對應內部致能訊號EMVINT1的第一N型金氧半電晶體30281的第二端接收內部電壓VINT1)時，或閘312的輸出端的電位是一高電位且第一致能N型金氧半電晶體30291開啟(其餘第一致能N型金氧半電晶體30292-3029M因為相對應的內部致能訊號EMVINT2-EMVINTM仍為低電位所以維持關閉)。因為或閘312的輸出端的電位是高電位，所以第二金氧半電晶體310關閉，電流源3022開啟(放大器302致能)，且節點B的電位(介於第一電壓V1與第二電壓V2之間)是等於第一P型金氧半電晶體3024的第三端的電位(亦即放大器302的輸出端的電位)。因為節點B的電位是等於第一P型金氧半電晶體3024的第三端的電位，所以第一金氧半電晶體304開啟；因為電流源3022開啟，所以放大器302致能。如此，因為第一金氧半電晶體304開啟且放大器302致能，所以第二N型金氧半電晶體3030的第二端的電位是等於第一N型金氧半電晶體30281的第二端的電位(內部電壓VINT1)，亦即監控襯墊108的電位是等於內部電壓VINT1。因此，監控襯墊108可輸出內部電壓 VINT1。

請參照第4圖，第4圖是本發明的另一實施例說明一種多輸入低壓降穩壓器400的示意圖。多輸入低壓降穩壓器400包含一放大器402、一第一金氧半電晶體404及一電阻106，其中第一金氧半電晶體404是一N型金氧半電晶體。如第4圖所示，放大器402包含一電流源4022、一第一N型金氧半電晶體4024、一第二N型金氧半電晶體4026、M個第一P型金氧半電晶體40281-4028M、M個第一致能P型金氧半電晶體40291-4029M、一第二P型金氧半電晶體4030及一第二致能P型金氧半電晶體4031，其中M是一正整數。第一金氧半電晶體404具有一第一端，用以接收一第一電壓V1，一第二端，耦接第一N型金氧半電晶體4024的第三端，及一第三端，耦接第二P型金氧半電晶體4030的第二端，其中第一電壓V1是一低電壓。電阻106具有一第一端，耦接於第一金氧半電晶體404的第三端，及一第二端，是用以接收一第二電壓V2，其中第二電壓V2是一高電壓。另外，第一金氧半電晶體404的第三端另用以耦接於一監控襯墊108，其中監控襯墊108的功能，在此不再贅述。

如第4圖所示，電流源4022具有一第一端，一控制端，及一第三端，用以接收第二電壓V2；第一N型金氧半電晶體4024具有一第一端，用以接收第一電壓V1，一第二端，及一第三端，耦接第一金氧半電晶體404的第二端，其中第一N型金氧半電晶體4024的第三端是做為放大器402的輸出端；第二N型金氧半電晶體4026 具有一第一端，用以接收第一電壓V1，一第二端，耦接第一N型金氧半電晶體4024的第二端，及一第三端，耦接第二N型金氧半電晶體4026的第二端；第一P型金氧半電晶體40281-4028M中的每一第一P型金氧半電晶體具有一第一端，耦接第一N型金氧半電晶體4024的第三端，一第二端，做為放大器402的M個第一輸入端中的一第一輸入端，用以接收一內部電壓，及一第三端。第一致能P型金氧半電晶體40291-4029M中的每一第一致能P型金氧半電晶體具有一第一端，耦接一相對應的第一P型金氧半電晶體的第三端，一第二端，做為放大器402的M個第一致能輸入端中的一第一致能輸入端，用以接收一相對應的反相內部致能訊號，及一第三端，耦接電流源4022的第一端。例如，第一P型金氧半電晶體40281具有一第一端，耦接第一N型金氧半電晶體4024的第三端，一第二端，做為放大器402的M個第一輸入端中的一第一輸入端，用以接收一內部電壓VINT1，及一第三端；第一致能P型金氧半電晶體40291具有一第一端，耦接第一P型金氧半電晶體40281的第三端，一第二端，做為放大器402的M個第一致能輸入端中的一第一致能輸入端，用以接收一反相內部致能訊號EMVINT1B，及一第三端，耦接電流源4022的第一端，其中內部電壓VINT1和反相內部致能訊號EMVINT1B是經過處理而介於第一電壓V1與第二電壓V2之間。第二P型金氧半電晶體4030具有一第一端，耦接第二N型金氧半電晶體4026的第三端，一第二端，耦接第一金氧半電晶體404的第三端，用以做為放大器402的第二輸入端，及一第三端。第二致能P型金氧半電晶體4031具有一第一端，耦接第二P型金氧半 電晶體4030的第三端，一第二端，用以做為放大器402的第二致能輸入端，及一第三端，耦接電流源4022的第一端。

如第4圖所示，多輸入低壓降穩壓器400另包含一第二金氧半電晶體410和一反或閘412，其中第二金氧半電晶體410是一N型金氧半電晶體。第二金氧半電晶體410具有一第一端，用以接收第一電壓V1，一第二端，耦接電流源4022的控制端和第二致能P型金氧半電晶體4031的第二端，及一第三端，耦接第一金氧半電晶體404的第二端；反或閘412具有M個致能輸入端，及一輸出端，耦接第二金氧半電晶體410的第二端，其中M個致能輸入端中的每一致能輸入端是用以接收一相對應的內部致能訊號。

另外，多輸入低壓降穩壓器400的放大器402、第一金氧半電晶體404、第二金氧半電晶體410和反或閘412的操作原理皆和多輸入低壓降穩壓器300的放大器302、第一金氧半電晶體304、第二金氧半電晶體310和或閘312相同，在此不再贅述。

綜上所述，本發明所提供的多輸入低壓降穩壓器是利用具有複數個第一輸入端的放大器和一個監控襯墊監控一積體電路內的複數個內部電壓。如此，相較於現有技術，因為本發明利用一個放大器和一個監控襯墊監控積體電路內的複數個內部電壓，所以本發明可大幅減少積體電路的晶片面積。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

100、200、300、400‧‧‧多輸入低壓降穩壓器

102、202、302、402‧‧‧放大器

104、204、304、404‧‧‧第一金氧半電晶體

106‧‧‧電阻

108‧‧‧監控襯墊

110、210、310、410‧‧‧第二金氧半電晶體

112、312‧‧‧或閘

212、412‧‧‧反或閘

1022、2022、3022、4022‧‧‧電流源

1024、20281-2028M、3024、40281-4028M‧‧‧第一P型金氧半電晶體

1026、2030、3026、4030‧‧‧第二P型金氧半電晶體

10281-1028M、2024、30281-3028M、4024‧‧‧第一N型金氧半電晶體

1030、2026、3030、4026‧‧‧第二N型金氧半電晶體

30291-3029M‧‧‧第一致能N型金氧半電晶體

3031‧‧‧第二致能N型金氧半電晶體

40291-4029M‧‧‧第一致能P型金氧半電晶體

4031‧‧‧第二致能P型金氧半電晶體

A、B‧‧‧節點

EMVINT1-EMVINTM‧‧‧內部致能訊號

V1‧‧‧第一電壓

V2‧‧‧第二電壓

VINT1-VINTM‧‧‧內部電壓

第1圖是本發明的一實施例說明一種多輸入低壓降穩壓器的示意圖。

第2圖是本發明的另一實施例說明一種多輸入低壓降穩壓器的示意圖。

第3圖是本發明的另一實施例說明一種多輸入低壓降穩壓器的示意圖。

第4圖是本發明的另一實施例說明一種多輸入低壓降穩壓器的示意圖。

100‧‧‧多輸入低壓降穩壓器

102‧‧‧放大器

104‧‧‧第一金氧半電晶體

106‧‧‧電阻

108‧‧‧監控襯墊

110‧‧‧第二金氧半電晶體

112‧‧‧或閘

1022‧‧‧電流源

1024‧‧‧第一P型金氧半電晶體

1026‧‧‧第二P型金氧半電晶體

10281-1028M‧‧‧第一N型金氧半電晶體

1030‧‧‧第二N型金氧半電晶體

A‧‧‧節點

EMVINT1-EMVINTM‧‧‧內部致能訊號

V1‧‧‧第一電壓

V2‧‧‧第二電壓

VINT1-VINTM‧‧‧內部電壓

Claims (14)

1. 一種多輸入低壓降穩壓器，包含：一放大器，具有複數個第一輸入端，一第二輸入端，及一輸出端，其中該複數個第一輸入端中的每一第一輸入端是用以接收一內部電壓，其中該放大器是根據對應該內部電壓的一內部致能訊號的準位致能(enable)或去能(disable)；一第一金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收一第一電壓，一第二端，耦接該放大器的輸出端，及一第三端，耦接該放大器的第二輸入端；及一電阻，具有一第一端，耦接於該第一金氧半電晶體的第三端，及一第二端，是用以接收一第二電壓；其中該第一金氧半電晶體的第三端另用以耦接於一監控襯墊，且該監控襯墊是用以輸出該內部電壓。
2. 如請求項1所述的多輸入低壓降穩壓器，其中該放大器包含：一電流源，具有一第一端，一控制端，及一第三端，用以接收該第二電壓；一第一P型金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，及一第三端，耦接該第一金氧半電晶體的第二端，用以做為該放大器的輸出端；一第二P型金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，耦接該第一P型金氧半電晶體的第二端，及一第三端，耦接該第二P型金氧半電晶體的第二端； 複數個第一N型金氧半電晶體，其中該複數個第一N型金氧半電晶體中的每一第一N型金氧半電晶體具有一第一端，耦接該第一P型金氧半電晶體的第三端，一第二端，用以做為該放大器的複數個第一輸入端中的一第一輸入端，及一第三端，耦接該電流源的第一端；及一第二N型金氧半電晶體，具有一第一端，耦接該第二P型金氧半電晶體的第三端，一第二端，耦接該第一金氧半電晶體的第三端，用以做為該放大器的第二輸入端，及一第三端，耦接該電流源的第一端。
3. 如請求項2所述的多輸入低壓降穩壓器，另包含：一第二金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，耦接該電流源的控制端，及一第三端，耦接該第一金氧半電晶體的第二端；及一或閘，具有複數個致能輸入端，及一輸出端，耦接該第二金氧半電晶體的第二端，其中該複數個致能輸入端中的每一致能輸入端是用以接收一相對應的內部致能訊號。
4. 如請求項3所述的多輸入低壓降穩壓器，其中該第一金氧半電晶體和該第二金氧半電晶體是P型金氧半電晶體。
5. 如請求項1所述的多輸入低壓降穩壓器，其中該放大器包含：一電流源，具有一第一端，一控制端，及一第三端，用以接收 該第二電壓；一第一N型金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，及一第三端，耦接該第一金氧半電晶體的第二端，用以做為該放大器的輸出端；一第二N型金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，耦接該第一N型金氧半電晶體的第二端，及一第三端，耦接該第二N型金氧半電晶體的第二端；複數個第一P型金氧半電晶體，其中該複數個第一P型金氧半電晶體中的每一第一P型金氧半電晶體具有一第一端，耦接該第一N型金氧半電晶體的第三端，一第二端，用以做為該放大器的複數個第一輸入端中的一第一輸入端，及一第三端，耦接該電流源的第一端；及一第二P型金氧半電晶體，具有一第一端，耦接該第二N型金氧半電晶體的第三端，一第二端，耦接該第一金氧半電晶體的第三端，用以做為該放大器的第二輸入端，及一第三端，耦接該電流源的第一端。
6. 如請求項5所述的多輸入低壓降穩壓器，另包含：一第二金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，耦接該電流源的控制端，及一第三端，耦接該第一金氧半電晶體的第二端；及一反或閘，具有複數個致能輸入端，及一輸出端，耦接該第二金氧半電晶體的第二端，其中該複數個致能輸入端中的每 一致能輸入端是用以接收一相對應的內部致能電壓。
7. 如請求項6所述的多輸入低壓降穩壓器，其中該第一金氧半電晶體和該第二金氧半電晶體是N型金氧半電晶體。
8. 一種多輸入低壓降穩壓器，包含：一放大器，具有複數個第一輸入端，複數個第一致能輸入端，一第二輸入端，一第二致能輸入端，及一輸出端，其中該複數個第一輸入端中的每一第一輸入端是用以接收一內部電壓，其中該放大器是根據對應該內部電壓的一內部致能訊號的準位致能或去能；一第一金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收一第一電壓，一第二端，耦接該放大器的輸出端，及一第三端，耦接該放大器的第二輸入端；及一電阻，具有一第一端，耦接於該第一金氧半電晶體的第三端，及一第二端，用以接收一第二電壓；其中該第一金氧半電晶體的第三端另用以耦接於一監控襯墊，且該監控襯墊是用以輸出該內部電壓。
9. 如請求項8所述的多輸入低壓降穩壓器，其中該放大器包含：一電流源，具有一第一端，一控制端，及一第三端，用以接收該第二電壓；一第一P型金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收該第一電 壓，一第二端，及一第三端，耦接該第一金氧半電晶體的第二端，用以做為該放大器的輸出端；一第二P型金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，耦接該第一P型金氧半電晶體的第二端，及一第三端，耦接該第二P型金氧半電晶體的第二端；複數個第一N型金氧半電晶體，其中該複數個第一N型金氧半電晶體中的每一第一N型金氧半電晶體具有一第一端，耦接該第一P型金氧半電晶體的第三端，一第二端，用以做為該放大器的複數個第一輸入端中的一第一輸入端，及一第三端；複數個第一致能N型金氧半電晶體，其中該複數個第一致能N型金氧半電晶體中的每一第一致能N型金氧半電晶體具有一第一端，耦接該複數個第一N型金氧半電晶體中的一相對應的第一N型金氧半電晶體的第三端，一第二端，做為該放大器的複數個第一致能輸入端中的一第一致能輸入端，用以接收一相對應的內部致能訊號，及一第三端，耦接該電流源的第一端；一第二N型金氧半電晶體，具有一第一端，耦接該第二P型金氧半電晶體的第三端，一第二端，耦接該第一金氧半電晶體的第三端，用以做為該放大器的第二輸入端，及一第三端；及一第二致能N型金氧半電晶體，具有一第一端，耦接該第二N型金氧半電晶體的第三端，一第二端，用以做為該放大器 的第二致能輸入端，及一第三端，耦接該電流源的第一端。
10. 如請求項9所述的多輸入低壓降穩壓器，另包含：一第二金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，耦接該電流源的控制端和該第二致能N型金氧半電晶體的第二端，及一第三端，耦接該第一金氧半電晶體的第二端；及一或閘，具有複數個致能輸入端，及一輸出端，耦接該第二金氧半電晶體的第二端，其中該複數個致能輸入端中的每一致能輸入端是耦接該複數個第一致能N型金氧半電晶體中的一相對應的第一致能N型金氧半電晶體的第二端。
11. 如請求項10所述的多輸入低壓降穩壓器，其中該第一金氧半電晶體和該第二金氧半電晶體是P型金氧半電晶體。
12. 如請求項8所述的多輸入低壓降穩壓器，其中該放大器包含：一電流源，具有一第一端，一控制端，及一第三端，用以接收該第二電壓；一第一N型金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，及一第三端，耦接該第一金氧半電晶體的第二端，用以做為該放大器的輸出端；一第二N型金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收該第一電壓，一第二端，耦接該第一N型金氧半電晶體的第二端， 及一第三端，耦接該第二N型金氧半電晶體的第二端；複數個第一P型金氧半電晶體，其中該複數個第一P型金氧半電晶體中的每一第一P型金氧半電晶體具有一第一端，耦接該第一N型金氧半電晶體的第三端，一第二端，用以做為該放大器的複數個第一輸入端中的一第一輸入端，及一第三端；複數個第一致能P型金氧半電晶體，其中該複數個第一致能P型金氧半電晶體中的每一第一致能P型金氧半電晶體具有一第一端，耦接該複數個第一P型金氧半電晶體中的一相對應的第一P型金氧半電晶體的第三端，一第二端，做為該複數個第一致能輸入端中的一第一致能輸入端，用以接收一相對應的反相內部致能訊號，及一第三端，耦接該電流源的第一端；一第二P型金氧半電晶體，具有一第一端，耦接該第二N型金氧半電晶體的第三端，一第二端，耦接該第一金氧半電晶體的第三端，用以做為該放大器的第二輸入端，及一第三端；及一第二致能P型金氧半電晶體，具有一第一端，耦接該第二P型金氧半電晶體的第三端，一第二端，用以做為該放大器的第二致能輸入端，及一第三端，耦接該電流源的第一端。
13. 如請求項12所述的多輸入低壓降穩壓器，另包含：一第二金氧半電晶體，具有一第一端，用以接收該第一電壓， 一第二端，耦接該電流源的控制端和第二致能P型金氧半電晶體的第二端，及一第三端，耦接該第一金氧半電晶體的第二端；及一反或閘，具有複數個致能輸入端，及一輸出端，耦接該第二金氧半電晶體的第二端，其中該複數個致能輸入端中的每一輸入端是用以接收一相對應的內部致能訊號。
14. 如請求項13所述的多輸入低壓降穩壓器，其中該第一金氧半電晶體和該第二金氧半電晶體是N型金氧半電晶體。