TWI474124B - 微影裝置，投影組件及主動阻尼 - Google Patents

微影裝置，投影組件及主動阻尼 Download PDF

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Erik Roelof Loopstra
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Asml Netherlands Bv
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Description

微影裝置，投影組件及主動阻尼
本發明係關於一種微影裝置、一種投影組件及一種結構與主動阻尼組件之組合。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。習知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向("掃描"方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。
微影術中當前所針對之高精確度及高解析度需要微影裝置之部分(諸如，用以固持光罩之主光罩平台、投影系統及用以固持基板之基板台)相對於彼此之精確定位。除了(例如)主光罩平台及基板台之定位以外，此亦引起對投影系統之需求。當前實施中之投影系統可由載運結構(諸如，透鏡座架(在透射光學器件之情況下)或鏡面框架(在反射光學器件之情況下))及複數個光學元件(諸如，透鏡元件、鏡面，等等)組成。在操作中，投影系統可能經受歸因於複數個原因之振動。作為一實例，微影裝置中之部分的移動可導致附著有投影系統之框架的振動、諸如基板平台或主光罩平台之平台的移動，或其加速度/減速度，此可導致影響投影系統之氣體流及/或紊流及/或聲波。該等干擾可導致投影系統作為其整體或部分之振動。藉由該等振動，可導致透鏡元件或鏡面之移位，其又可導致成像誤差，亦即，圖案在基板上之投影的誤差。
通常，提供阻尼系統以阻尼投影系統或其部分之振動。至此，可提供如以許多形式已知之被動阻尼系統或主動阻尼系統或被動阻尼系統與主動阻尼系統之組合。在此文獻中，術語"主動阻尼系統"應被理解為包含用以偵測振動之效應之感測器(例如，位置感測器、速度感測器、加速度感測器，等等)及用以作用於待阻尼之結構或其一部分之致動器的阻尼系統，致動器由(例如)控制器視由感測器所提供之信號而驅動。藉由視由感測器所提供之信號而驅動致動器，可在某一程度上減少或取消振動對投影系統或其一部分之效應。該主動阻尼系統之實例可由回饋迴路提供：感測器用以提供位置量(諸如，投影系統或其一部分之位置、速度、加速度、急衝度，等等)，控制器具備位置量且產生用以驅動致動器之控制器輸出信號，致動器又作用於投影系統或其部分，使得提供回饋迴路。控制器可由任何類型之控制器形成，且可以待由微處理器、微控制器或任何其他可程式化元件執行之軟體實施，或可由專用硬體實施。
現出現之問題為回饋迴路之穩定性，亦即，達成回饋迴路之頻率行為，其中防止振鈴及/或振盪。同時，需要主動阻尼系統之高頻寬，因為主動阻尼系統之高頻寬將允許在該高頻寬內抑制振動。歸因於對微影裝置之速度之不斷增加的需求，微影裝置中之移動趨向於在更高速度下發生且因此涉及更快瞬時，其可導致在日益更高之頻率下之振動的產生。因此，出現針對主動阻尼系統之更高頻寬的需求。
所遇到之現象為：投影系統通常係由各種部分建置，包含(例如)透鏡、鏡面及/或其他光學元件、透鏡座架及/或鏡面座架、投影系統之外殼(諸如，透鏡本體)，等等。因此，投影系統之頻率行為作為剛體塊體而以低頻率極值開始，藉此提供與頻率成反比之轉移函數(如圖2所說明)，其中在垂直軸線上已標繪轉移函數(以對數標度)，而在水平軸線中已標繪頻率(以對數標度)，且其中RBM指示大體上對應於剛體塊體之頻率行為。在共振頻率範圍RES內，觀測投影系統之共振，其可接著具有增加之頻率的複數個另外共振頻率，藉此全面導致轉移函數之量值的增加。有效地，自共振區域時起，投影系統不再表現為單一物件，然而，代替地展示各種共振現象，每一者對應於投影系統之元件的共振。因此，頻率愈高，"促成"轉移函數之剩餘塊體愈低，其可被認為係對於在高於共振頻率範圍之頻率範圍內轉移函數之量值隨著增加之頻率而增加之事實的解釋。熟習此項技術者應理解，當嘗試達成主動阻尼系統之達到或超過投影系統之共振的頻寬時，如以上所概述之投影系統之頻率行為可導致穩定性問題。可在(例如)投影系統之速度作為投影系統上之力之函數的方面表達轉移函數。注意，亦可以任何其他適當量來表達轉移函數，諸如，投影系統由於投影系統上之力的加速度。在該情況下，轉移函數之低頻率行為將展示為頻率獨立性的，接著共振頻率範圍及轉移函數高於共振頻率範圍之增加(展示多個共振峰值)。
需要增加主動阻尼之穩定操作範圍。
根據本發明之一實施例，提供一種微影裝置，其包含：照明系統，照明系統經組態以調節輻射光束；支撐件，支撐件經建構以支撐圖案化元件，圖案化元件能夠在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以形成經圖案化輻射光束；基板台，基板台經建構以固持基板；及投影系統，投影系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分上；微影裝置進一步包含主動阻尼系統，主動阻尼系統用以阻尼投影系統之至少一部分的振動，主動阻尼系統包含用以量測投影系統之位置量的感測器與用以視由感測器所提供之信號而將力施加於投影系統上的致動器之組合；主動阻尼系統連接至阻尼塊體，阻尼塊體連接至投影系統。
在本發明之另一實施例中，提供一種投影組件，其包含：投影系統，投影系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分上；主動阻尼系統，主動阻尼系統用以阻尼投影系統之至少一部分的振動，主動阻尼系統包含用以量測投影系統之位置量的感測器與用以視由感測器所提供之信號而將力施加於投影系統上的致動器之組合，主動阻尼系統連接至阻尼塊體，阻尼塊體連接至投影系統。
根據本發明之另一實施例，提供一種結構與用以阻尼結構之至少一部分之振動之主動阻尼系統的組合，主動阻尼系統包含用以量測結構之位置量的感測器與用以視由感測器所提供之信號而將力施加於結構上的致動器之組合，主動阻尼系統連接至阻尼塊體，阻尼塊體連接至結構。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或任何其他適當輻射)；光罩支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化元件之第一定位元件PM。裝置亦包括基板台(例如，晶圓台)WT或"基板支撐件"，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位基板之第二定位元件PW。裝置進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
光罩支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化元件。光罩支撐結構以視圖案化元件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化元件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化元件。光罩支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化元件。光罩支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。光罩支撐結構可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用均與更通用之術語"圖案化元件"同義。
本文所使用之術語"圖案化元件"應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何元件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之元件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化元件可為透射或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語"投影系統"應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語"投影透鏡"之任何使用均與更通用之術語"投影系統"同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台或"基板支撐件"(及/或兩個或兩個以上光罩台或"光罩支撐件")的類型。在該等"多平台"機器中，可並行地使用額外台或支撐件，或可在一或多個台或支撐件上進行預備步驟，同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技術可用以增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語"浸沒"不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射器時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束借助於包括(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於光罩支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化元件(例如，光罩MA)上，且由圖案化元件圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二定位元件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測元件、線性編碼器，或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位元件PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位光罩MA。一般而言，可借助於形成第一定位元件PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二***PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT或"基板支撐件"之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT或"光罩支撐件"及基板台WT或"基板支撐件"保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT或"基板支撐件"在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT或"光罩支撐件"及基板台WT或"基板支撐件"(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT或"基板支撐件"相對於光罩台MT或"光罩支撐件"之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT或"光罩支撐件"保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT或"基板支撐件"。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT或"基板支撐件"之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖3描繪在此實例中固持於度量衡框架MF中之投影系統PS的高度示意性視圖。投影系統PS可藉由任何適當構件(例如，包含剛性座架、彈性座架，等等)而固持於度量衡MF中。可包含任何物件(包括(例如)剛性塊體)之阻尼塊體DM藉由阻尼器DMP而連接至投影系統PS。以下將更詳細地描述阻尼塊體DM及阻尼器DMP。目前，可省略其效應，且目前，可假定投影系統之振動可與阻尼塊體之振動一致且反之亦然。投影系統PS之振動因此導致阻尼塊體DM之振動，其將由感測器SENS感測。對於投影系統之一部分(諸如，透鏡元件、鏡面或其任何其他部分)的振動而言亦為如此，其可同樣地導致阻尼塊體DM之振動。該振動由感測器SENS感測，其可包含任何類型之振動感測器，諸如，位置量測感測器、速度量測感測器、加速度量測感測器，等等。提供作用於阻尼塊體DM之致動器ACT。在此實施例中，致動器連接於微影裝置之基底框架BF(然而，可應用任何其他反作用本體或其他參考)與阻尼塊體DM之間。致動器可包含任何適當類型之致動器，諸如，壓電致動器、馬達，等等，在一實施例中，使用羅倫茲(Lorentz)致動器，藉此可提供無接觸致動器，無接觸致動器不提供基底框架BF、其他反作用本體或參考與阻尼塊體DM之間的機械接觸，因為羅倫茲致動器可藉由分別連接至基底框架及阻尼塊體之各別部分來提供無接觸施加。如以上所解釋，可視由感測器SENS所提供之信號而驅動致動器(例如，藉由適當控制器)，感測器SENS之輸出信號藉此將輸入信號提供至控制器(圖3中未展示)。主動阻尼系統現將(仍不考慮藉由阻尼塊體DM及阻尼器DMP之任何效應)面臨著投影系統之轉移函數的頻率行為，以上已參看圖2而描述其實例。
發明者現已設計出，可有利地更改主動阻尼系統之穩定性態樣。感測器SENS及致動器ACT連接至阻尼塊體DM，代替直接連接至投影系統PS。阻尼塊體DM又連接至投影系統PS。在上文中，已參看圖2而描述投影系統PS之轉移函數的實例。藉由利用阻尼塊體DM，將更改如分別由感測器SENS及致動器ACT所觀測之投影系統的轉移函數。圖4中描繪如由感測器SENS及致動器ACT所觀測之阻尼塊體DM對該轉移函數之效應的實例。在頻率FDM 以下，轉移函數之行為極大地對應於如圖2所描繪之行為，因為在頻率FDM 以下，投影系統PS之振動導致阻尼塊體DM中之對應振動，且反之亦然。自頻率FDM 時起，感測器SENS及致動器ACT不再或大體上不再觀測投影系統PS或其部分之振動及共振，代替地藉由阻尼塊體DM來支配如自感測器SENS及致動器ACT所觀測之頻率行為。可能有用的為組態系統以使得阻尼塊體至少在主動阻尼系統之頻帶中形成剛體塊體，其可導致感測器SENS及致動器ACT觀測大體上對應於剛體塊體之轉移函數，如圖4中藉由自頻率FDM 時起向下傾斜轉移函數所描繪。有效地，如自感測器SENS及致動器ACT所見，自頻率FDM 時起，藉由存在阻尼塊體來遮蔽投影系統之共振行為，阻尼塊體有效地***於感測器與致動器(一方面)及投影系統PS(另一方面)之間。因此，自頻率FDM 時起，圖4再次展示轉移函數，轉移函數展示隨著增加之頻率的向下傾斜，藉此接近剛體塊體。因此，圖4事實上展示3個頻帶：投影系統表現為剛體塊體之低頻率區域RBM、投影系統之共振部分及共振，及(再次)由阻尼塊體DM所提供之剛體塊體。因此，自頻率FDM 時起轉移函數之相位將展示更恆定行為，藉此可能地有利於包含感測器SENS及致動器ACT之主動阻尼系統的穩定行為。實務上，對於甚至更高頻率，阻尼塊體DM可自身再次展示共振。然而，此等共振應超出主動阻尼系統之有效頻寬。因為阻尼塊體DM可具有低於投影系統之重量及複雜度的重量及複雜度，所以可在實際實施中容易地達成該行為。在實際實施中，頻率FDM 可(例如)為大約1500Hz之量值。阻尼塊體DM可藉此表現為高達15kHz之剛體。歸因於此向下傾斜行為，轉移函數將達成在此實例中於1500Hz與15000Hz之間的頻率範圍內之低值，藉此可能地使主動阻尼系統之迴路轉移函數能夠下降至低於單位增益，其有利於主動阻尼系統之穩定操作，同時在更低頻率範圍下達成主動阻尼系統之回饋迴路的高迴路增益。
換言之，投影系統或其一部分之高頻率共振現象可自主動系統去耦，主動阻尼系統因其由阻尼塊體DM負載而保持穩定。
阻尼塊體可經由包含(例如)彈簧(諸如，經阻尼彈簧)之彈性連接件而連接至投影系統PS。藉此，可在自FDM 時起之頻率範圍內提供投影系統之部分之振動及共振的有效去耦。藉由設計彈性連接件之低於主動阻尼系統之頻寬的滾落頻率(roll-off frequency)(亦即，如下頻率：在該頻率以上，自投影系統PS至阻尼塊體DM之振動轉移降低)，亦即，換言之，藉由提供主動系統之超過圖4中之頻率FDM 的頻寬，可在該頻帶中利用大體上無共振行為以促進主動阻尼系統之穩定操作。
阻尼塊體可連接至投影系統之任何相關部分，在透射投影系統之實際實施中，阻尼塊體可連接至透鏡座架(亦即，用於其複數個透鏡元件之座架)。在反射投影系統之情況下，阻尼塊體可連接(例如)至固持鏡面中之一或多者的框架。藉此，可有效地阻尼投影系統及其組成部分，因為連接阻尼塊體(且因此在中間連接主動阻尼系統)至透鏡座架或框架將影響投影系統之複數個組成部分(例如，透鏡元件、鏡面，等等)，因為此等組成元件又均連接至透鏡座架或參考框架。
可在投影系統之質量的0.001倍與0.1倍之間(更特別地在投影系統之質量的0.001倍與0.01倍之間)選擇阻尼塊體之質量，藉此可在主動阻尼系統之所要頻寬內的頻率範圍內提供圖4中之頻率FDM ，藉此有利於主動阻尼系統之穩定封閉迴路操作。
圖5中描繪一替代實施例，其中再次展示由度量衡框架MF所固持之投影系統PS。類似於圖3之阻尼塊體及阻尼器來提供阻尼塊體DM及阻尼器DMP。又，提供可類似於如參看圖3所描述之實施例的感測器SENS。又，可提供類似於或相同於參看圖3所描述之實施例中之致動器的致動器。然而，代替在反作用本體(諸如，基底框架BF)與阻尼塊體之間連接致動器ACT，在阻尼塊體DM與反作用塊體RFM之間連接致動器ACT。反作用塊體RFM可經由經阻尼彈簧而連接至阻尼塊體DM。在彈簧之共振頻率以上，當致動致動器ACT時，反作用塊體RFM將為大體上靜止的。因此，圖5實施例中可省略對將致動器ACT連接至靜止部分(諸如，基底框架BF)之需要，藉此可能地在主動阻尼系統之設計中提供額外自由度，因為可藉此省略靜止反作用本體之接近度。
儘管在上文中已參考微影裝置之投影系統來描述本發明，但本發明可應用於任何投影系統或甚至更通常地應用於待由主動阻尼系統機械地阻尼之任何結構。因此，本發明以及此文獻中所描述之實施例可經提供作為包含投影系統及主動阻尼系統之微影裝置、作為包含投影系統及主動系統之投影組件，且作為結構與用以阻尼結構之主動阻尼系統的組合。
儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更通用之術語"基板"或"目標部分"同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。在壓印微影術中，圖案化元件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化元件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化元件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5nm至20nm之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語"透鏡"在情境允許時可指代各種類型之光學組件之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的為，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
ACT．．．致動器
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
BF．．．基底框架
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
DM．．．阻尼塊體
DMP．．．阻尼器
FDM ．．．頻率
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統
IN．．．積光器
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化元件
MF．．．度量衡框架
MT．．．光罩支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位元件
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位元件
RBM．．．低頻率區域
RES．．．共振頻率範圍
RFM．．．反作用塊體
SENS．．．感測器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
X．．．方向
Y．．．方向
圖1描繪可併入本發明之一實施例的微影裝置；
圖2描繪如參看圖1所描述之微影裝置之投影系統之轉移函數的頻率曲線；
圖3描繪根據本發明之一實施例之投影系統及主動阻尼系統的高度示意性視圖；
圖4描繪如由根據圖3之主動阻尼系統所觀測的如參看圖1所描述之微影裝置之投影系統之轉移函數的頻率曲線；且
圖5描繪根據本發明中之另一實施例的投影系統及主動阻尼系統。
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統
IN．．．積光器
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化元件
MT．．．光罩支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位元件
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位元件
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
X．．．方向

Claims (24)

  1. 一種微影裝置，其包含：一照明系統，該照明系統經組態以調節一輻射光束；一支撐件，該支撐件經組態以支撐一圖案化元件，該圖案化元件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，該基板台經建構以固持一基板；一投影系統，該投影系統經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；及一主動阻尼系統，該主動阻尼系統經組態以阻尼該投影系統之至少一部分的一振動，該主動阻尼系統包含：一感測器，該感測器經組態以根據一連接至該投影系統之阻尼塊體(damping mass)之一經量測位置量而提供一信號；及一致動器，該致動器連接至該阻尼塊體且經組態以經由該阻尼塊體而將一力施加於該投影系統上作為對該感測器所提供之該信號之回應。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該阻尼塊體經由一彈性連接件(resilient connection)而連接至該投影系統。
  3. 如請求項2之微影裝置，其中該彈性連接件包含一彈簧。
  4. 如請求項2之微影裝置，其中該彈性連接件具有一低於該主動阻尼系統之一頻寬之滾落頻率(roll-off frequency)。
  5. 如請求項1之微影裝置，其中該阻尼塊體連接至該投影系統之一透鏡座架或透鏡凸緣。
  6. 如請求項1之微影裝置，其中該阻尼塊體之一質量在該投影系統之一質量的0.001倍與0.1倍之間。
  7. 如請求項6之微影裝置，其中該質量在該投影系統之該質量的0.001倍與0.01倍之間。
  8. 如請求項3之微影裝置，其中該彈簧係一經阻尼彈簧。
  9. 一種投影組件，其包含：一投影系統，該投影系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板之一目標部分上；一主動阻尼系統，該主動阻尼系統經組態以阻尼該投影系統之至少一部分的一振動，該主動阻尼系統包含：一感測器，該感測器經組態以根據一連接至該投影系統之阻尼塊體之一經量測位置量而提供一信號；及一致動器，該致動器連接至該阻尼塊體且經組態以經由該阻尼塊體而將一力施加於該投影系統上作為對該感測器所提供之該信號之回應。
  10. 如請求項9之投影組件，其中該阻尼塊體經由一彈性連接件而連接至該投影系統。
  11. 如請求項10之投影組件，其中該彈性連接件包含一彈簧。
  12. 如請求項11之投影組件，其中該彈性連接件具有一低於該主動阻尼系統之一頻寬之滾落頻率。
  13. 如請求項9之投影組件，其中該阻尼塊體連接至該投影 系統之一透鏡座架或透鏡凸緣。
  14. 如請求項9之投影組件，其中該阻尼塊體之一質量在該投影系統之一質量的0.001倍與0.1倍之間。
  15. 如請求項14之投影組件，其中該質量在該投影系統之該質量的0.001倍與0.01倍之間。
  16. 如請求項11之微影裝置，其中該彈簧係一經阻尼彈簧。
  17. 一種微影裝置，其結合一結構與一用以阻尼該結構之至少一部分之一振動之主動阻尼系統，其中該主動阻尼系統包含一組合，該組合具有一感測器，其經組態以根據一連接至該結構之阻尼塊體之一經量測位置量而提供一信號；及一致動器，該致動器連接至該阻尼塊體且經組態以經由該阻尼塊體而將一力施加於該結構上作為對該量測器所提供之該信號之回應。
  18. 如請求項17之微影裝置，其中該阻尼塊體經由一彈性連接件而連接至該結構。
  19. 如請求項18之微影裝置，其中該彈性連接件包含一彈簧。
  20. 如請求項18之微影裝置，其中該彈性連接件具有一低於該主動阻尼系統之一頻寬之滾落頻率。
  21. 如請求項17之微影裝置，其中該阻尼塊體之一質量在該結構之一質量的0.001倍與0.1倍之間。
  22. 如請求項21之微影裝置，其中該質量在該結構之該質量的0.001倍與0.01倍之間。
  23. 如請求項19之微影裝置，其中該彈簧係一經阻尼彈簧。
  24. 一種阻尼一微影裝置之一投影系統之運動的方法，該裝置包括一連接至該投影系統之主動阻尼系統，該方法包含：量測一連接至該投影系統之至少一部分的阻尼塊體之一位置量；及操作該主動阻尼系統之一致動器以根據該經量測位置量而經由該微影裝置之該阻尼塊體將一力施加於該投影系統上，其中該致動器連接至該阻尼塊體。
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