JP4881215B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4881215B2 JP4881215B2 JP2007121335A JP2007121335A JP4881215B2 JP 4881215 B2 JP4881215 B2 JP 4881215B2 JP 2007121335 A JP2007121335 A JP 2007121335A JP 2007121335 A JP2007121335 A JP 2007121335A JP 4881215 B2 JP4881215 B2 JP 4881215B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frame
- sensor
- projection system
- mount
- lithographic apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 71
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 43
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 29
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
Claims (13)
- 放射ビームにパターンを付けるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン付きビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
前記サポートと前記基板テーブルと前記投影システムとを支持するように構成されたフレームであって、前記フレームの動きを検出する第1のセンサを含むフレームと、
前記フレーム上の前記投影システムを支持するように構成されたマウントであって、前記投影システムに加えられた力を検出するように構成された第2のセンサと、前記投影システムに力を加えるように構成された圧電アクチュエータとを含むマウントと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記サポートおよび/または前記基板テーブルの位置が、前記第2のセンサで検出された力に基づいて制御され、前記制御は、前記第1のセンサで検出された前記フレームの動きに応じて前記投影システムの動きが前記圧電アクチュエータによって制御されることを含む、リソグラフィ装置。 - 前記第2のセンサは、6方向に加えられる力を検出する圧電センサを含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記マウントは複数の第2のセンサを含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- サポートを用いて放射ビームにパターン付けするように構成されたパターニングデバイスを保持する工程と、
基板テーブルを用いて基板を保持する工程と、
投影システムを用いて前記基板のターゲット部分にパターン付き放射ビームを投影する工程と、
フレームの動きを検出する第1のセンサを含む前記フレームを用いて前記サポートと前記基板テーブルと前記投影システムとを支持する工程と、
前記投影システムに加えられた力を検出するための第2のセンサと、前記投影システムに力を加えるように構成された圧電アクチュエータとを含むマウントを用いて、前記フレーム上の前記投影システムを支持する工程と、
前記第1のセンサで検出された前記フレームの動きに応じて前記投影システムの動きを前記圧電アクチュエータによって制御し、前記第2のセンサで検出された力に基づいて前記サポートおよび/または前記基板テーブルの位置を制御する工程と、
を備えるデバイス製造方法。 - パターン付きビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
前記投影システムを保持するように構成されたフレームであって、前記フレームの動きを検出する第1のセンサを含むフレームと、
前記フレーム上の前記投影システムを支持するように構成された第1のマウントであって、前記投影システムに加えられた力を検出するように構成された第2のセンサと、前記投影システムに力を加えるように構成された圧電アクチュエータとを含む第1のマウントと、
前記フレームを支持し、前記フレームの振動を最小限に抑えるように構成された第2のマウントと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記フレームの振動は、前記第2のセンサで検出された力に基づいて前記第2のマウントを制御することによって最小限に抑えられ、前記制御は、前記第1のセンサで検出された前記フレームの動きに応じて前記投影システムの動きが前記圧電アクチュエータによって制御されることを含む、リソグラフィ装置。 - 複数の第2のマウントをさらに備えるリソグラフィ装置であって、各第2のマウントは、前記フレームを支持し、かつ前記フレームの振動を最小限に抑えるように構成されており、前記フレームの振動は、前記第2のセンサで検出された力に基づいて各第2のマウントを制御することによって最小限に抑えられる、請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第2のマウントはエアマウントである、請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- 投影システムを用いて前記基板のターゲット部分にパターン付き放射ビームを投影する工程と、
フレームの動きを検出する第1のセンサを含む前記フレームを用いて前記投影システムを保持する工程と、
前記投影システムに加えられた力を検出するための第2のセンサと、前記投影システムに力を加えるように構成された圧電アクチュエータとを含む第1のマウントを用いて、前記フレーム上の前記投影システムを支持する工程と、
第2のマウントを用いて、前記フレームを支持し、かつ前記フレームの振動を最小限に抑える工程と、
前記第1のセンサで検出された前記フレームの動きに応じて前記投影システムの動きを前記圧電アクチュエータによって制御し、前記第2のセンサで検出された力に基づいて前記フレームの振動を最小限に抑えるように前記第2のマウントを制御する工程と、
を備えるデバイス製造方法。 - 前記第2のセンサは、圧電センサである、請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第2のセンサは、前記圧電アクチュエータと直列に配置される、請求項1又は5に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第2のセンサは速度センサを含み、前記圧電アクチュエータは前記速度センサで測定された速度に基づいて制御される、請求項1又は5に記載のリソグラフィ装置。
- 前記速度センサは、ジオホンである、請求項11に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第2のセンサは加速度センサを含み、前記圧電アクチュエータは、前記加速度センサで測定された加速度に基づいて制御される、請求項1又は5に記載のリソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/430,181 US7936443B2 (en) | 2006-05-09 | 2006-05-09 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US11/430,181 | 2006-05-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007318118A JP2007318118A (ja) | 2007-12-06 |
JP4881215B2 true JP4881215B2 (ja) | 2012-02-22 |
Family
ID=38684786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007121335A Expired - Fee Related JP4881215B2 (ja) | 2006-05-09 | 2007-05-02 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7936443B2 (ja) |
JP (1) | JP4881215B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7936443B2 (en) * | 2006-05-09 | 2011-05-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8908144B2 (en) * | 2006-09-27 | 2014-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102009024870A1 (de) * | 2008-06-10 | 2009-12-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Einrichtung mit einstellbarer Kraftwirkung auf ein optisches Modul |
JP5381452B2 (ja) * | 2009-07-23 | 2014-01-08 | 船井電機株式会社 | スタンド |
NL2005701A (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-23 | Asml Netherlands Bv | Active mount, lithographic apparatus comprising such active mount and method for tuning such active mount. |
CN104749904B (zh) * | 2013-12-31 | 2017-08-25 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 物镜支撑装置及光刻机 |
JP6633986B2 (ja) * | 2016-07-20 | 2020-01-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
US10955761B2 (en) | 2017-02-02 | 2021-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
JP6856758B2 (ja) * | 2017-02-10 | 2021-04-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
DE102018210996A1 (de) * | 2018-07-04 | 2020-01-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abstützung einer optischen einheit |
DE102020201724A1 (de) | 2020-02-12 | 2021-08-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches system und lithographieanlage |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4383757A (en) * | 1979-04-02 | 1983-05-17 | Optimetrix Corporation | Optical focusing system |
NL9100215A (nl) | 1991-02-07 | 1992-09-01 | Asm Lithography Bv | Inrichting voor het repeterend afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
JP3506158B2 (ja) | 1995-04-14 | 2004-03-15 | 株式会社ニコン | 露光装置及び走査型露光装置、並びに走査露光方法 |
EP1341044A3 (en) | 1995-05-30 | 2003-10-29 | ASML Netherlands B.V. | Positioning device with a reference frame for a measuring system |
WO1997033205A1 (en) | 1996-03-06 | 1997-09-12 | Philips Electronics N.V. | Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system |
JPH10112433A (ja) * | 1996-10-04 | 1998-04-28 | Nikon Corp | 除振装置及び露光装置 |
JP3826481B2 (ja) * | 1997-03-17 | 2006-09-27 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び制御ユニット |
AU1051999A (en) * | 1997-11-12 | 1999-05-31 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
AU1172699A (en) * | 1997-11-18 | 1999-06-07 | Nikon Corporation | Vibration eliminator, aligner and projection exposure method |
US6020964A (en) | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
TW367407B (en) | 1997-12-22 | 1999-08-21 | Asml Netherlands Bv | Interferometer system with two wavelengths, and lithographic apparatus provided with such a system |
JP4194160B2 (ja) * | 1998-02-19 | 2008-12-10 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置 |
JPH11294520A (ja) | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Canon Inc | 除振装置、これを用いた露光装置およびデバイス製造方法、ならびに除振方法 |
JP2000136844A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-05-16 | Canon Inc | 変位発生形アクチュエータ能動振動絶縁装置 |
US6727981B2 (en) | 1999-07-19 | 2004-04-27 | Nikon Corporation | Illuminating optical apparatus and making method thereof, exposure apparatus and making method thereof, and device manufacturing method |
JP2001102286A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2001148341A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Nikon Corp | 露光装置 |
US6590639B1 (en) * | 2000-09-15 | 2003-07-08 | Nikon Corporation | Active vibration isolation system having pressure control |
US20020080339A1 (en) * | 2000-12-25 | 2002-06-27 | Nikon Corporation | Stage apparatus, vibration control method and exposure apparatus |
US6791664B2 (en) * | 2001-01-19 | 2004-09-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufacturing thereby |
US6538720B2 (en) * | 2001-02-28 | 2003-03-25 | Silicon Valley Group, Inc. | Lithographic tool with dual isolation system and method for configuring the same |
US7095482B2 (en) * | 2001-03-27 | 2006-08-22 | Nikon Corporation | Multiple system vibration isolator |
JP2002305140A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Nikon Corp | 露光装置及び基板処理システム |
US6912041B2 (en) * | 2001-06-29 | 2005-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
DE10134387A1 (de) | 2001-07-14 | 2003-01-23 | Zeiss Carl | Optisches System mit mehreren optischen Elementen |
EP1321822A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-06-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1345082A1 (en) | 2002-03-15 | 2003-09-17 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI284785B (en) * | 2002-04-24 | 2007-08-01 | Nikon Corp | Exposure system and device manufacturing method |
EP1380899B1 (en) | 2002-07-11 | 2014-09-03 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR100552638B1 (ko) | 2002-07-11 | 2006-02-20 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 |
NL1022886C2 (nl) * | 2003-03-10 | 2004-09-14 | Fei Co | Deeltjes optische inrichting voor het bestralen van een object. |
JP2004343075A (ja) | 2003-04-14 | 2004-12-02 | Asml Netherlands Bv | 投影システム及びその使用方法 |
JP2005079373A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
EP1513017A1 (en) | 2003-09-04 | 2005-03-09 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1513018A1 (en) | 2003-09-04 | 2005-03-09 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6977713B2 (en) | 2003-12-08 | 2005-12-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7265813B2 (en) | 2004-12-28 | 2007-09-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7433050B2 (en) | 2005-10-05 | 2008-10-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
JP5109661B2 (ja) | 2005-10-05 | 2012-12-26 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
US7936443B2 (en) * | 2006-05-09 | 2011-05-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8908144B2 (en) | 2006-09-27 | 2014-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2006
- 2006-05-09 US US11/430,181 patent/US7936443B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-05-02 JP JP2007121335A patent/JP4881215B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-21 US US13/052,190 patent/US20110171759A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7936443B2 (en) | 2011-05-03 |
JP2007318118A (ja) | 2007-12-06 |
US20110171759A1 (en) | 2011-07-14 |
US20070263189A1 (en) | 2007-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4881215B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
KR100907515B1 (ko) | 메트롤로지 툴, 리소그래피 장치 및 메트롤로지 툴을포함한 시스템, 및 기판의 파라미터를 결정하는 방법 | |
JP5009991B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
JP4638454B2 (ja) | リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置のコンポーネントを制御する方法 | |
JP4621647B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
KR101428619B1 (ko) | 리소그래피 장치, 투영 조립체 및 능동 감쇠 | |
JP5162417B2 (ja) | リソグラフィ装置およびその振動制御方法 | |
TWI649637B (zh) | 微影裝置、微影投影裝置及器件製造方法 | |
JP4824054B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP6741739B2 (ja) | 粒子ビーム装置 | |
JP5417443B2 (ja) | 投影システム、リソグラフィ装置、放射ビームをターゲット上に投影する方法およびデバイス製造方法 | |
JP2005109441A (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
NL1035995A1 (nl) | Lithographic apparatus, stage apparatus and device manufacturing method. | |
JP5422633B2 (ja) | コントローラ、リソグラフィ装置、オブジェクト位置の制御方法及びデバイス製造方法 | |
JP4797089B2 (ja) | メトロロジーフレーム用のフィードフォワード圧力パルス補償を有するリソグラフィ装置 | |
JP5600138B2 (ja) | 位置決めデバイス、位置決め方法及びデバイス製造方法 | |
JP4838834B2 (ja) | サーボ制御システム、リソグラフィ装置および制御方法 | |
JP6209234B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP5196669B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
JP2019502153A (ja) | アクティブベースフレームサポートを有するリソグラフィ装置 | |
KR101138901B1 (ko) | 위치설정 시스템, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JP6697563B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100520 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100526 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100810 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100813 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110125 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110412 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110415 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110719 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111102 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4881215 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |