TWI474090B - 液晶顯示器設備及其製造方法 - Google Patents

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Kum Mi Oh
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Description

液晶顯示器設備及其製造方法
本發明係關於一種液晶顯示器(LCD)設備,特別地,係關於一種帶有用於感測用戶觸摸之一感測電極的液晶顯示器設備。
歸因其優越特性,比如低驅動電壓、低功率消耗以及可便攜性,液晶顯示器(LCD)設備係廣泛應用於各種不同領域,例如,筆記型電腦、監視器、宇宙飛船以及飛機。一液晶顯示器設備係包含一下基板、一上基板、以及設置於上、下基板之間之一液晶層。依照是否提供有電場,控制液晶層之配向,而控制液晶顯示器設備之透光率,由此顯示影像於液晶顯示器設備上。
典型地,一鼠標或者鍵盤係用作液晶顯示器設備的輸入設備。然而,當液晶顯示器設備應用於導航、移動終端、以及電器時,進來,觸摸屏已經取代鼠標或者鍵盤成為新的輸入設備,其中,觸摸屏能夠使用戶用手指或者筆直接輸入信息。
以下,將對具有一觸摸屏之習知技術液晶顯示器設備詳細描述如下。「第1圖」係為示意了習知技術液晶顯示器設備的橫截面視圖。
如「第1圖」所示,習知技術液晶顯示器設備包含一液晶面板10以及一觸摸屏20。液晶面板10係顯示影像。這裡,液晶面板10包含一下基板12、一上基板14,以及形成於上、下基板12和14之間的一液晶層16。觸摸屏20形成於液晶面板10的一上表面,並且觸摸屏20係提供用於感測用戶的觸摸。觸摸屏20包含一觸摸基板22、形成於觸摸基板22下表面上的一第一感測電極24,以及形成於觸摸基板22上表面上的一第二感測電極26。
第一感測電極24係沿著水平方向設置於觸摸基板22之下表面上;而第二感測電極26沿垂直方向設置於觸摸基板22上表面上的。如此,如果用戶觸摸一預定部,在所觸摸部,第一和第二電極24和26之間的電容會發生變化。
然而,因為習知技術液晶顯示器設備係形成有額外形成於液晶面板10上表面上之觸摸屏20,因此,由於觸摸屏20導致整體厚度會增加,製造製程會複雜化,並且會增加製造成本。
因此,本發明旨在一種液晶顯示器設備及其製造方法,藉以在很大程度上避免由於習知技術的限制和缺點而產生的一個或者多個問題。
本發明的目的在於提供一種液晶顯示器設備,其中用於感測用戶觸摸的感測電極被提供於液晶面板內部。如此,不再需要液晶面板之上表面上的一附加觸摸屏,由此減小了整體厚度,簡化了製造製程,並降低了製造成本。
本發明的附加特徵和優點部份地將會在描述中進行闡述,部份地可以從描述中了然,或者可以通過實施本發明而獲悉。本發明的目的和其他優點可憑藉在作成的說明書中具體指明的結構、和本文中的申請專利範圍以及附圖實現和獲得。
為了取得這些和其他優點、並根據本發明的目的,正如本發明中實施並概括描述的,一種液晶顯示器LCD係設備包含有:包含一主動區和一虛擬區的一基板;相互交叉佈置於基板上以在主動區中限定出複數個畫素區的閘線和資料線;佈置於複述個畫素區的每一個中的一畫素電極;在主動區中圖案化以限定出共用電極圖案部份的一共用電極,各個共用電極圖案部份和畫素電極的每個形成一電場;佈置於共用電極上並與共用電極電連接以感測用戶觸摸的一第一感測線;以及,至少一個佈置在與共用電極圖案部分的其中一個相鄰的虛擬區中的一虛擬電極。
依照本發明之另一方面,本發明之實施例提供了一種製造液晶顯示器設備的方法,係包含有:在一基板上順序沉積一電極層、一感測線層以及一光阻層,基板包含一主動區和一虛擬區;用通過一半色調掩膜的光照射光阻層;透過顯影受照射的光阻層形成一第一光阻圖案;使用光阻圖案作為掩膜蝕刻感測線層和電極層,以在具有共用電極圖案部份的主動區中形成共用電極圖案,以及在與共用電極圖案部份其中一個相鄰的虛擬區中形成至少一個虛擬電極;部份去除第一光阻圖案以形成一第二光阻圖案;使用第二光阻圖案作為掩膜蝕刻感測線層,以形成至少具有一第一感測線的一感測線圖案;以及,去除第二光阻圖案。
可以理解之前的概括描述以及下面的詳細描述都係為示例性和解釋性的,並且,它們被提供為用於對本發明的請求保護範圍進行進一步的解釋說明。
下面將詳細參考本發明的較佳實施方式,附圖中顯示之示例作出說明。可能的情況下,同樣的參考數字在所有附圖中用於參考同樣或者相似的部件。在下面,將參考附圖描述根據本發明的液晶顯示器設備。
「第2A圖」係為顯示依照本發明實施例之液晶顯示器設備之下基板之平面視圖;「第2B圖」係為「第2A圖」沿A-A線的橫截面視圖,而「第2C圖」係為「第2B圖」圖沿B-B線的橫截面視圖。如「第2A圖」所示,本發明實施例之液晶顯示器設備包含有有:一基板100、一閘線210、一資料線230、一共用電極300、一感測線400,以及一畫素電極500。基板100可由玻璃或者透明塑料形成。閘線210係沿水平方向形成於基板100上,而資料線230係沿垂直方向形成於基板100上。複數個畫素區係由相互交叉的閘線210和資料線230限定。複數個畫素區形成所在之區域係為影像顯示於其上之主動區,而主動區四周外圍係為在其中不顯示影像的虛擬區。這樣,基板100包含主動區,以及位於主動區週邊之虛擬區。閘線210提供為直線狀,而資料線230形成為彎曲狀但不限於此形狀。例如,閘線230可以提供為直線狀。
儘管此圖中未示出,但一薄膜電晶體係形成為用於每個畫素區之開關設備。薄膜電晶體包含有:一閘電極、一半導體層、以及源/汲電極。薄膜電晶體可形成於其中閘電極位於半導體層之下的底閘結構中,或者薄膜電晶體可形成於其中閘電極位於半導體層之上之頂閘結構中。
共用電極300和畫素電極500一同形成電場以驅動液晶。另外,共用電極300起到用於感測用戶觸摸的感測電極的作用。為了使用共用電極300作為感測電極,複數個共用電極在主動區中提供為具有預定的圖案。複數個共用電極300的每一個可形成為其尺寸大小對應與一個或者多個畫素區。例如,如「第2A圖」中顯示的,每個共用電極300可形成為其尺寸大小對應於3個畫素區。
感測線400與複數個共用電極300彼此電連接。即,單獨形成的複數個共用電極300與感測線400連接,並且一感測電路元件與感測線400的一端連接,借此感測用戶的觸摸。感測線400平行於資料線230佈置,同時也平行於閘線210,借此感測在X-軸與Y-軸座標系中的受觸摸部份。
感測線400起到減少共用電極300電阻並防止錯向發生的作用,這將在下面進行描述。
典型地,共用電極300由透明導電材料(比如氧化銦錫(ITO))形成。透明導電材料有具有電阻大的缺點。在這個方面,由具有良好導電性之金屬材料形成的感測線400與共用電極300連接,這樣,減小了共用電極300的電阻。
如「第2A圖」所示,如果資料線230形成為曲狀,則在資料線230的彎曲部會發生漏光,因此導致錯位。所以,與閘線210平行佈置的感測線400形成於發生錯位的部份,因而防止了錯位。上述感測線400防止了錯位的發生。然而,由感測線400引起的開口率降低,應該防止這種情形。所以,平行於資料線230佈置的感測線400優選地要與資料線230重疊。如果需要,可以另外提供與資料線210重疊的感測線400以在防止透射率降低的同時減小共用電極300的電阻。畫素電極500形成於畫素區的每個中。特別地,畫素電極500的形狀可對應於畫素區的形狀。正如下面要參考「第5A圖」進行描述的,在畫素電極500中可提供至少一開口以實現一邊緣場開關模式液晶顯示器設備。
下面將參考橫截面視圖「第2B圖」和「第2C圖」詳細描述依照本發明實施例之液晶顯示器設備。
如「第2B圖」所示,一閘絕緣層220係形成於基板100之上;資料線230圖案化於閘絕緣層220之上,並且一鈍化層240係形成於資料線230之上。共用電極300圖案化於鈍化層240之上,並且感測線400圖案化於共用電極300之上。一絕緣中間層450成形於感測線400之上,並且畫素電極500圖案化於絕緣中間層450之上。
如「第2C圖」所示,閘線210圖案化於基板100之上,並且閘絕緣層220和鈍化層240順序形成於閘線210之上。共用電極300圖案化於鈍化層240之上,並且感測線400圖案化於共用電極300之上。絕緣中間層450形成於感測線400之上,並且畫素電極500圖案化於絕緣中間層450之上。
「第2B圖」與「第2C圖」顯示的橫截面示例了底閘結構的薄膜電晶體。如果形成頂閘結構之薄膜電晶體,可以在閘線210之下附加地形成一絕緣層,以將半導體層和閘線210彼此絕緣開。
當製造液晶顯示器設備下基板時,共用電極300以及感測線400可用各自的掩膜分別圖案化,或者可以使用一半色調掩膜透過一掩膜製程同時製造。為了降低製造成本以及實現簡化之製造製程,可使用半色調掩膜。
在此,下面將參考附圖,描述製造液晶顯示器設備的下基板方法,其中,共用電極300和感測線400係使用半色調掩膜的掩膜製程圖案化。「第3A圖」到「第3H圖」係為示例了製造依照「第2A圖」到「第2C圖」實施例之液晶顯示器設備下基板的方法橫截面視圖。
首先,如「第3A圖」所示,閘絕緣層220、資料線230以及鈍化層240順序形成於基板100之上。儘管「第3A圖」中未顯示出,但是,閘線210在形成閘絕緣層220之前就成形於基板100之上。如「第3B圖」所示,一電極層300a、一感測線層400a、以及一光阻層600a順序形成於鈍化層240之上。
如「第3C圖」所示,透過使用半色調掩膜700利用光照射光阻層600a。半色調掩膜700包含:一光不通過其傳輸的非透射區710,光通過其部份傳輸的半透射區720,以及光完全通過其傳輸的透射區730a和730b。
如「第3D圖」所示,光阻圖案600透過顯影受光照射的光阻層600a而得以形成。透過顯影光阻層600a,對應於半色調掩膜700之非透射區710的光阻層保持原狀,對應於半色調掩膜700半透射區720的光阻層被部份去除,而對應於半色調掩膜700透射區730a和730b的光阻層被完全去除。
如「第3E圖」所示,電極層300a和感測線層400a在在光阻圖案600被使用為掩膜的條件下經受蝕刻。此處,共用電極300透過蝕刻電極層300a而被圖案化。
如「第3F圖」所示,光阻圖案經過灰化,這樣,減小了光阻圖案600的寬度和高度。
如「第3G圖」所示,在經灰化的光阻圖案600被使用為掩膜的條件下,感測線層400a附加地經受蝕刻,並且之後去除了光阻圖案600。
在這個時候,透過附加地對感測線層400a進行蝕刻,感測線層400得以圖案化。
如「第3H圖」所示,絕緣中間層450形成於感測線400之上,並且畫素電極500形成於絕緣中間層450之上。
透過使用半色調掩膜,由使用掩膜的製程對共用電極300和感測線400同時圖案化,由此簡化了製造流程並削減了製造成本。
然而,當使用上述半色調掩膜實施曝光製程時,歸因於特定區域中的過曝光,可能難以獲得期望的光阻圖案。這樣,特定區域的共用電極300可能圖案化為非期望的形狀,這將在下面進行詳細說明。
「第4A圖」到「第4C圖」係為示例了由於使用半色調掩膜的曝光製程中發生的過曝光而以非期望形狀圖案化的共用電極的橫截面視圖,「第4A圖」到「第4C圖」對應於上面的「第3C圖」到「第3E圖」。這樣,全部附圖中使用相同的參考數字引用相同的或者相似的部件。
如「第4A圖」所示,透過使用半色調掩膜700並利用光照射對光阻層600a。半色調掩膜700包含:光不通過其傳輸的非透射區710,光部份通過其傳輸的半透射區720,以及光完全通過其傳輸的透射區730a和730b。
透射區730a與730b包含第一透射區730a與第二透射區730b。第一透射區730a對應於主動區,而第二透射區730b對應於虛擬區。在透射區730a與730b中,光阻層、電極層300a以及感測線層400a被完全去除。結果,第一透射區730a對應於主動區內共用電極300圖案之間的區域,而第二透射區730b對應於共用電極300被完全去除的虛擬區。所以,第一透射區730a的寬度非常窄,而第二透射區730b的寬度非常寬。
歸因於第二透射區730b的大寬度,對於曝光製程在與第二透射區730b接觸的半透射區720中可能會發生過曝。由光繞射而出現過曝光。
假設過曝發生在半透射區720中,如「第4B圖」所示,當透過顯影製程圖案化光阻層時,對應於過曝光的半透射區720的光阻層被部份(點線標記的區域)去除。
因此,位於與虛擬區接觸的最外層區域中的光阻圖案600的寬度(W2)小於其它光阻圖案600的寬度(W1)。如果電極層300a以及感測線層400a係在使用以上形狀光阻圖案600用作掩膜的條件下經受蝕刻,如「第4C圖」所示,則位於與虛擬區接觸的最外層區域中的共用電極300的寬度(W2)小於其它共用電極300的寬度(W1)。結果,位於與虛擬區接觸的最外層區域中的共用電極300的圖案被部份損失,這將會導致其中液晶的不平衡驅動。
為了克服以上涉及與虛擬區接觸的最外層區域的共用電極300的圖案部份損失的問題,下面將會描述依照本發明另一實施例之液晶顯示器設備的下基板。
「第5A圖」係為示例了依照本發明另一實施例之液晶顯示器設備的下基板的平面視圖,「第5B圖」圖係為「第5A圖」沿A-A線的橫截面視圖,而「第5C圖」係為「第5A圖」沿B-B線的橫截面視圖。除了在虛擬區中附加形成一虛擬電極之外,依照「第5A圖」至「第5C圖」之實施例之下基板基本上與依照「第2A圖」至「第2A圖」之實施例之下基板相同。因此,在全部附圖中相同的參考數字用於參考相同或者相似的部件,並且略去對相同部件的詳細說明。
如「第5A圖」所示,根據另一實施例之液晶顯示器設備包含有:一基板100、一閘線210、一資料線230、一共用電極300、一虛擬電極350、一感測線400,以及一畫素電極500。透過相互交叉的閘線210和資料線230限定出複數個畫素區。在閘線210和資料線230的交叉部份,形成了作為開關設備的一薄膜電晶體,其中,薄膜電晶體可形成於底閘結構或者頂閘結構中。共用電極300圖案化為對應於一個或者多個畫素區大小的尺寸。同時,各個共用電極300按固定間隔提供。虛擬電極350係形成於對應於主動區外圍的虛擬區中。特別地,虛擬電極350與主動區的最外層的共用電極300相鄰,這樣,虛擬電極350防止最外層區域中共用電極300的圖案被部份損失。透過一半色調掩膜,虛擬電極350係同時形成有共用電極300,以防止位於最外層區域之共用電極300之圖案出現部分損失。這樣,虛擬電極350可提供在與共用電極300相同的層,並可由與共用電極300相同的材料形成。然而,虛擬電極350并不執行共用電極300的功能,即驅動液晶,也不執行一感測電極的功能。
虛擬電極350可形成於虛擬區,在虛擬區中,半色調掩膜中的透射區之寬度由虛擬電極350和最外層區域的共用電極300之間的間隔縮減。這樣,對於曝光製程而與透射區接觸的半傳輸區中不會發生過曝光,這樣,防止了最外層共用電極300的圖案被部份損失。參考製造液晶顯示器設備下基板的流程將會對此容易理解。
虛擬電極350和最外層區域的共用電極300之間的間隔(L1)被確定在某個範圍之內,以防止最外層區域的共用電極300的圖案被部份損失。優選地,虛擬電極350和最外層區域的共用電極300之間的間隔(L1)與共用電極300圖案之間的間隔(L2)相同。
同時,虛擬電極350的形狀與共用電極300的形狀相同係為沒有必要的。然而,虛擬電極350的側350a(側350a與共用電極300相鄰)可提供為與共用電極300的側平行。例如,當虛擬電極350提供於最外層區域中共用電極300的左側時,與共用電極300相鄰的右側350a在與共用電極300平行的同時係為彎曲的。然而,不與共用電極300相鄰的左側350b可成形為各種不同形狀,比如,不為曲狀而為直線)。例如,可以在四個虛擬區的至少一個中提供虛擬電極350。四個虛擬區,相對於主動區,為:左虛擬區、右虛擬區、上虛擬區和下虛擬區。在附圖中,虛擬電極350提供於左虛擬區和上虛擬區中,但不限於此。
為了複數個共用電極300彼此電連接,感測線400形成於共用電極300上。同時,感測線400形成於虛擬電極350與共用電極300之上。感測線400可分別平行於資料線230佈置,同時也平行於閘線210佈置,以借此感測在X-軸於Y-軸座標系中的受觸摸部份。
平行於閘線210佈置的感測線400可形成於發生錯位的區域,並且與資料線230平行佈置的感測線400可與資料線230重疊。
畫素電極500成形於主動區的每個畫素中。在虛擬區中不成形畫素電極500,這樣,在虛擬電極350與畫素電極500之間,液晶不受驅動。畫素電極500形成為對應於畫素區的形狀。可以在畫素電極500中提供至少一個開口510。如果畫素電極500其中包含開口510,畫素電極500和共用電極300之間的開口510之上會形成一邊緣場。因此,液晶受邊緣場驅動,借此實現邊緣場開關模式液晶顯示器設備。
本文在下面將會參考「第5B圖」到「第5C圖」之橫截面視圖對「第5A圖」的液晶顯示器設備作更多描述。
如「第5B圖」所示,一閘絕緣層220係形成於基板100之上,資料線230圖案化於閘絕緣層220之上,並且一鈍化層240形成於資料線230之上。共用電極300和虛擬電極350圖案化於鈍化層240之上。共用電極300形成於主動區,而虛擬電極350形成於虛擬區。感測電極400圖案化於共用電極300之上;一絕緣中間層450形成於感測電極400之上;並且畫素電極500形成於絕緣中間層450之上。因為畫素電極500只成形於主動區,畫素電極500並不在虛擬電極350之上形成,但是會在虛擬電極300之上形成。
如「第5C圖」所示,閘線210圖案化於基板100之上,並且閘絕緣層220和鈍化層240順序成形於閘線210之上。共用電極300和虛擬電極350形成於鈍化層240之上,並且感測線400圖案化於共用電極300之上。絕緣中間層450形成於感測線400之上,並且畫素電極500圖案化於絕緣中間層450之上。
如「第5B圖」和「第5C圖」所示的橫截面示例了底閘結構的薄膜電晶體。如果將薄膜電晶體形成為頂閘結構,可以在閘線210之下附加地形成一絕緣層以將半導體層和閘線210彼此絕緣開。
本文在下面將參考附圖描述製造根據「第5A圖」至「第5C圖」的液晶顯示器設備下基板的方法。「第6A圖」至「第6H圖」係為示例了製造液晶顯示器設備的下基板方法的橫截面視圖,「第6A圖」至「第6H圖」對應於「第5A圖」沿A-A線的橫截面。
首先,如「第6A圖」所示,閘絕緣層220、資料線230,以及鈍化層240順序成形於基板100之上。儘管「第6A圖」未示出,但是閘線210在形成閘絕緣層220之前就形成於基板100之上。如「第6B圖」所示,一電極層300a,一感測線層400a,以及一光阻層600a順序形成於鈍化層240之上。
如「第6C圖」所示,使用半色調掩膜700並利用光照射光阻層600a。半色調掩膜700包含有:光通過其不傳輸的非透射區710,光通過其部份傳輸的半透射區720,以及光通過其完全傳輸的透射區730a、730b和730c。此處,透射區730a、730b和730c包含:對應於主動區的第一透射區730a,對應於主動區和虛擬區之間介面的第二透射區730b,以及對應於虛擬區的第三透射區730c。第二透射區730b的寬度與第一透射區730a的寬度相同。由於第二透射區730b的寬度並不大,所以在待述的曝光製程中與第二透射區730b接觸的半透射區720中不會發生過曝光。這樣,可以防止最外層共用電極的圖案損失。
可以將第三透射區730c成形為具有相對大的寬度。即,儘管歸因於第三透射區730c的大寬度,在隨後的曝光製程中與第三透射區730c接觸的半透射區720中將會發生過曝光,但是,與第三透射區730c接觸的半透射區720最終會對應於虛擬區。這樣,虛擬電極部份的圖案損失與液晶驅動不相關。
如「第6D圖」所示,透過顯影受光照射的光阻層600a形成一光阻圖案600。透過顯影受光照射的光阻層600a,保留了對應於半色調掩膜700非透射區710的光阻層,部份去除了對應於半色調掩膜700半透射區720的光阻層,而完全去除了對應於半色調掩膜700透射區730a、730b和730c的光阻層。因為對於上面的製程,在與第二透射區730b接觸的半透射區720中不發生過曝光,因而透過顯影製程,主動區的光阻圖案600形成為期望的形狀。
如「第6E圖」所示,電極層300a和感測線層400a在光阻圖案600被使用為掩膜的條件下經受蝕刻。此處,共用電極300在主動區中圖案化,並且憑藉蝕刻電極層300a,虛擬電極350在虛擬區中得以圖案化。此處,主動區的光阻層600成形為期望的形狀,這樣,憑藉蝕刻製程,共用電極300形成為期望的圖案。
如「第6F圖」所示,光阻圖案600經過灰化以致減小了光阻圖案600的寬度和高度。
如「第6G圖」所示,在受灰化的光阻圖案600被使用為掩膜的條件下感測線層400a附加地經受蝕刻,並且之後光阻圖案600被去除。此處,憑藉附加地蝕刻感測線層400a,感測線400得以在共用電極300之上圖案化。
儘管在此處未示出,感測線400可以在虛擬電極350之上圖案化(見「第5A圖」)。
如「第6H圖」所示,絕緣中間層450形成於感測線400之上,而畫素電極500成形於絕緣中間層450之上。
對於依照本發明實施例之液晶顯示器設備的以上描述,已經說明了下基板。「第7圖」顯示了本發明之一已完成之液晶顯示器設備。在已完成之液晶顯示器設備中,下基板100與上基板800接合,並且其間具有液晶層900。上基板800可包含:一避光層810,比如黑矩陣層,以防止除了畫素區以外其它區域之漏光;紅(R)、綠(G)和藍(B)彩色濾光層820分別形成於每個避光層之間;以及形成於彩色濾光層之上的一塗覆層。
以上描述示例了依照本發明實施例之液晶顯示器設備的下基板的製造製程。本發明的液晶顯示器設備可以經過下述手段而製造:憑藉以上製程形成下基板;憑藉順序形成避光層、彩色濾光層和塗覆層而形成上基板;以及在下基板和上基板之間形成液晶層。形成下基板和上基板之間之液晶層的製程可以透過已為本領域技術人員普遍熟知的液晶注射方法或者液晶分佈方法而執行。
對應地,共用電極用於形成驅動液晶的電場,並且也用作感測用戶觸摸的感測電極。與習知技術不同,根據本發明的液晶顯示器設備不需要液晶面板上附加觸摸屏,這樣,LCD厚度較薄并簡化了製造流程、削減了製造成本。
同時,虛擬電極附加地形成於與主動區外圍對應的虛擬區,這樣,能夠在憑藉使用半色調掩膜對共用電極和感測線圖案化時,防止主動區中最外層共用電極圖案的損失。
顯然,對於本領域技術人員來說,可以不背離本發明精神和保護範圍而對本發明作出各種修改和變化。因此,只要不超出附帶的申請專利範圍以及其等價範圍,對本發明的修改和變化都涵蓋於本發明。
10...液晶平板
12...下基板
14...上基板
16...液晶層
20...觸摸屏
22...觸摸基板
24...第一感測電極
26...第二感測電極
100...基板
210...閘線
220...閘絕緣層
230...資料線
240...鈍化層
300...共用電極
350...虛擬電極
350a...虛擬電極之側
350b...虛擬電極之側
300a...電極層
400...感測線
400a...感測線層
450...絕緣中間層
500...畫素電極
510...開口
600...光阻圖案
600a...光阻層
700...半色調掩膜
710‧‧‧非透射區
720‧‧‧半透射區
730a‧‧‧第一透射區
730b‧‧‧第二透射區
730c‧‧‧第三透射區
800‧‧‧上基板
810‧‧‧避光層
820‧‧‧彩色濾光層
900‧‧‧液晶層
第1圖係為顯示了習知技術液晶顯示器設備的橫截面視圖;
第2A圖係為顯示了依照本發明實施例的液晶顯示器設備的下基板的平面視圖;第2B圖係為第2A圖沿A-A線的橫截面視圖,而第2C圖係為第2A圖沿B-B線的橫截面視圖;
第3A圖-第3H圖係為顯示了製造依照第2A圖-第2C圖之實施例之液晶顯示器設備的下基板的方法的橫截面視圖;
第4A圖-第4C圖係為顯示了憑藉使用半色調掩膜的曝光流程中發生的過曝而以非期望形狀圖案化的共用電極的橫截面視圖;
第5A圖係為顯示了依照本發明另一實施例之液晶顯示器設備之下基板的平面視圖,第5B圖係為第5A圖沿A-A線的橫截面視圖,而第5C圖係為第5A圖沿B-B線的橫截面視圖;
第6A圖-第6H圖係為顯示了製造第5A圖-第5C圖的液晶顯示器設備的下基板的方法的橫截面視圖;以及
第7圖係顯示了本發明的液晶顯示器設備。
100...基板
220...閘絕緣層
230...資料線
240...鈍化層
300...共用電極
400...感測線
450...鈍化層
500...畫素電極

Claims (16)

  1. 一種液晶顯示器設備,係包含有:一基板,係包含一主動區和一虛擬區;相互交叉佈置於該基板上之閘線和資料線,以在主動區中限定出複數個畫素區;一畫素電極,係佈置於該複數個畫素區的每個中;一共用電極,係在主動區中圖案化以限定出共用電極圖案部份,各個共用電極圖案部份和每個畫素電極形成一電場;一第一感測線,係佈置於該共用電極上並與共用電極電連接以感測用戶觸摸;以及至少一個虛擬電極,係佈置於與共用電極圖案部份其中一個相鄰的該虛擬區中,其中該共用電極圖案部份的每個具有一彎曲狀,以及該第一感測線係佈置於該共用電極圖案部份的彎曲部份以防止錯位。
  2. 如請求項第1項所述之液晶顯示器設備,其中,該虛擬電極和該共用電極由相同材料形成。
  3. 如請求項第1項所述之液晶顯示器設備,其中,該虛擬電極和該共用電極形成於同一層中。
  4. 如請求項第1項所述之液晶顯示器設備,其中,該虛擬電極和該共用電極圖案部份中一相鄰的共用電極圖案部份之間沿第 一方向上的距離基本上與相鄰的共用電極圖案部份之間沿該第一方向上的距離相等。
  5. 如請求項第1項所述之液晶顯示器設備,其中,一邊緣場效應係使用。
  6. 如請求項第1項所述之液晶顯示器設備,其中,朝向該共用電極圖案部份中該相鄰的共用電極圖案部份的該虛擬電極的一側係平行於該相鄰的共用電極圖案部份之一近端側。
  7. 如請求項第6項所述之液晶顯示器設備,其中,離開該共用電極圖案部份中該相鄰的共用電極圖案部份的該虛擬電極的一側的形狀係不同於朝向該共用電極圖案部份中該相鄰的共用電極圖案部份的該虛擬電極的一側之形狀。
  8. 如請求項第6項所述之液晶顯示器設備,其中,該第一感測線還佈置於該虛擬電極之上。
  9. 如請求項第1項所述之液晶顯示器設備,還包含佈置於該資料線之上並與該第一感測線交叉的一第二感測線,該第一感測線和該第二感測線係用於感測一觸摸位置。
  10. 一種製造液晶顯示器設備之方法,係包含有:在一基板上順序沉積一電極層、一感測線層以及一光阻層,該基板包含一主動區和一虛擬區;用通過一半色調掩膜的光照射該光阻層;透過顯影該受照射的光阻層形成一第一光阻圖案; 使用該光阻圖案作為掩膜蝕刻該感測線層和該電極層以在具有共用電極圖案部份的該主動區中形成一共用電極圖案並在與該共用電極圖案部份其中一個相鄰的該虛擬區中形成至少一個虛擬電極;部份地去除該第一光阻圖案以形成一第二光阻圖案;使用該第二光阻圖案作為掩膜蝕刻該感測線層,以形成具有至少一條第一感測線的一感測線圖案;以及去除該第二光阻圖案,其中該共用電極圖案部份的每個具有一彎曲狀,以及該第一感測線係佈置於該共用電極圖案部份的該彎曲部份以防止錯位。
  11. 如請求項第10項所述之製造液晶顯示器設備之方法,其中,該半色調掩膜包含:光不通過其傳輸的一非透射區,光部份通過其傳輸的一半透射區,以及光完全通過其傳輸的一透射區,其中,該透射區係包含對應於該主動區的一第一透射區以及與該主動區和該虛擬區之間的介面對應的一第二透射區,以及其中,該第一透射區的寬度係基本上與該第二透射區的寬度相同。
  12. 如請求項第10項所述之製造液晶顯示器設備之方法,其中,該虛擬電極和該共用電極圖案部份中該相鄰的共用電極圖案 部份之間沿一第一方向上的距離係基本上與相鄰的共用電極圖案部份之間沿該第一方向上的距離相等。
  13. 如請求項第10項所述之製造液晶顯示器設備之方法,其中,朝向該共用電極圖案部份中該相鄰的共用電極圖案部份的該虛擬電極的一側係平行於該共用電極圖案部份中該相鄰的共用電極圖案部份的一近端側。
  14. 如請求項第13項所述之製造液晶顯示器設備之方法,其中,離開該共用電極圖案部份中該相鄰的共用電極圖案部份的該虛擬電極的一側的形狀係不同於朝向該共用電極圖案部份中該相鄰的共用電極圖案部份的該虛擬電極的側之形狀。
  15. 如請求項第13項所述之製造液晶顯示器設備之方法,其中,該第一感測線還佈置於該虛擬電極之上。
  16. 如請求項第10項所述之製造液晶顯示器設備之方法,還包含形成相互交叉佈置於該基板之上以在該主動區中限定出複數個畫素區的閘線和資料線,以及其中,該感測線圖案還包含佈置於該資料線之上並與該第一感測線交叉的一第二感測線,該第一感測線和該第二感測線係用於感測觸摸位置。
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