TWI472752B - The layered layer of polarizing plate and the laminated system of polarizing plate - Google Patents

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Tomokazu Yura
Takuya Nakazono
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Description

偏光板之積層方法及偏光板之積層系統 發明領域
本發明係有關於一種液晶顯示裝置之製造方法及液晶顯示裝置之製造裝置,更詳而言之,係有關於一種貼附液晶胞元與光學膜以製造液晶顯示裝置之液晶顯示裝置之製造方法及液晶顯示裝置之製造裝置。
發明背景
液晶顯示裝置係於液晶顯示面板(液晶顯示單元)者,該液晶顯示面板係在液晶層挾持於一對玻璃基板而構成之液晶胞元之表裏兩面,貼附偏光板(偏光構件)而構成。以往,於液晶胞元貼附偏光板之方法已知的是如下述專利文獻1~專利文獻3所述,將液晶胞元與偏光板送入一對貼附輥子之間,將偏光板貼附於液晶胞元之方法。
然而,如上所述,於液晶胞元之兩面貼合偏光板且構成液晶顯示面板後,會實施檢查貼合狀態有無不良、或檢查有無因塵埃等附著造成之缺點的檢查步驟(面板檢查步驟)。該檢查係例如將光照射於液晶顯示面板之表面時之反射光、或由液晶顯示面板之裏面照射光時之透過光,利用CCD相機等拍攝成為影像資料,藉由進行影像解析等而實施。
專利文獻
專利文獻1:日本特開2005-37416號公報
專利文獻2:日本特開2005-37418號公報
專利文獻3:日本特開2006-39238號公報
然而,藉由習知之貼附步驟製作之液晶顯示面板在實施上述面板檢查步驟時,會因為某些原因而液晶之配向狀態發生變化,由於該影響會對反射光或透過光造成不良影響,而不管如上述之不良或缺點實際上並不存在,都會導致判定為不良或缺點等會導致所謂之誤檢測之情況,無法正確地進行面板檢查步驟。
特別是如專利文獻1或專利文獻2,在將偏光板連續且自動貼附於液晶胞元以高速製造液晶顯示面板時,此種問題會更明顯存在。當在面板檢查步驟發生誤檢測時,必須進行液晶顯示面板之再檢查或重製處理(剝離偏光板後,貼附其他偏光板之處理),成為產率比降低或生產性降低之要因。
本發明人係如後所述,發現了若加長偏光板貼附步驟與面板檢查步驟之間隔(間距),可解決前述之誤檢測之問題,但所需時間長時間化,並且如專利文獻1之偏光板自動貼附方式中,有損於該高速連續製造性。
又,本發明人係如後所述,也發現藉減弱使用於偏光板之貼附之貼附輥子之加壓力,可解決上述之誤檢測之問題,但是會產生因為減弱貼附輥子之加壓力而氣泡混入液 晶胞元與偏光板之間之其他問題。
本發明係有鑒於上述問題點而作成者,其目的在於提供一種液晶顯示裝置之製造方法、及液晶顯示裝置之製造裝置,其係在將偏光板貼附於液晶胞元之表裏兩面而製作液晶顯示面板後,進行該液晶顯示面板之光學檢查之情況時,抑制偏光板在貼附時之液晶之配向狀態的變化,不會有因為液晶之配向狀態的變化造成不良影響,可實施後段之檢查步驟,藉此不會招致面板檢查中之誤檢測,可縮短所需時間。
本發明人在致力研究時,判斷檢查時液晶之配向狀態不均一之原因是偏光板之貼附步驟(積層步驟)中之液晶胞元的帶電。又,進一步研究時,發現可藉由令偏光板對基板之貼合順序為某種特定之順序,可抑制液晶胞元之帶電,因此即使縮短積層步驟與檢查步驟之時間間隔(間距),也不會有因為液晶之配向狀態之變化所造成之不良影響,可實施後段之檢查步驟,結果是不會招致面板檢查之誤檢測,可縮短所需時間,以至完成本發明。
即,本發明係一種液晶顯示裝置之製造方法,包含有:積層步驟,係於第一基板與第二基板之間具有液晶層之液晶胞元的表裏兩面,積層相同或不同構成之偏光板,作成液晶顯示面板者;及檢查步驟,係以光學方式檢查前述液晶顯示面板者,且前述液晶顯示裝置之製造方法的特徵在於:前述積層步驟具有下述步驟:第一偏光板貼附步驟, 係將第一偏光板貼附於相較於前述第二基板帶電後難以電位衰減之前述第一基板者;及第二偏光板貼附步驟,係在該第一偏光板貼附步驟後,將第二偏光板貼附於相較於前述第一基板帶電後容易電位衰減之前述第二基板者。
本發明較佳的是,在前述液晶顯示裝置之製造方法中,前述第一偏光板貼附步驟係:供給以預定間隔切斷之複數第一偏光板呈可剝離之狀態沿著長向連續形成於第一帶狀載體膜上之第一帶狀體,並且使用刀刃將第一帶狀載體膜折返後由該第一帶狀載體膜依序剝離第一偏光板,將業經剝離之第一偏光板貼附到依序供給之液晶胞元之第一基板的步驟;或者是供給比液晶胞元還長之長狀第一偏光板呈可剝離之狀態形成於第一帶狀載體膜上之第一帶狀體,並且使用刀刃將第一帶狀載體膜折返後由該第一帶狀載體膜部分地剝離長狀第一偏光板,將業經剝離之長狀第一偏光板之部份貼附到依序供給之液晶胞元之第一基板,然後將已被貼附之長狀第一偏光板之部分以對應於液晶胞元之長度予以切斷的步驟,前述第二偏光板貼附步驟係:供給以預定間隔切斷之複數第二偏光板呈可剝離之狀態沿著長向連續形成於第二帶狀載體膜上之第二帶狀體,並且使用刀刃將第二帶狀載體膜折返後由該第二帶狀載體膜依序剝離第二偏光板,將業經剝離之第二偏光板貼附到依序供給之貼附有第一偏光板之液晶胞元之第二基板的步驟;或者是:供給比液晶胞元還長之長狀第二偏光板呈可剝離之狀態形成於第二帶狀載體膜上之第二帶狀體,並且使用 刀刃將第二帶狀載體膜折返後由該第二帶狀載體膜部分地剝離長狀第二偏光板,將業經剝離之長狀第二偏光板之部份貼附到依序供給之貼附有第一偏光板之液晶胞元之第二基板,然後將已被貼附之長狀第二偏光板之部分以對應於液晶胞元之長度予以切斷的步驟,前述檢查步驟係在該第二偏光板貼附步驟後,以光學方式依序檢查搬送來之液晶顯示面板之步驟。
又,本發明較佳的是,在前述液晶顯示裝置之製造方法中,前述第一偏光板貼附步驟係藉由使前述第一偏光板與前述液晶胞元為至少該等之一部分互相重疊之狀態,而挾持於由第一偏光板側加壓之第一加壓構件與由液晶胞元側加壓之第二加壓構件之間,且使第一偏光板及液晶胞元對第一加壓構件及第二加壓構件相對移動而進行者。
又,本發明較佳的是,在前述液晶顯示裝置之製造方法中,前述第二偏光板貼附步驟係藉由使貼附有前述第一偏光板之液晶胞元與前述第二偏光板為至少該等之一部分互相重疊之狀態,而挾持於由第二偏光板側加壓之第三加壓構件與由貼附於液晶胞元之第一偏光板側加壓之第四加壓構件之間,且使積層有第一偏光板之液晶胞元與第二偏光板對第三加壓構件及第四加壓構件相對移動而進行者。
又,本發明較佳的是,在液晶顯示裝置之製造方法中,前述第一基板具有:電路部,係包含複數之閘極配線、及與該複數閘極配線隔著絕緣膜直交設置之複數源極配線者;複數之開關元件,係設置於前述複數之閘極配線與前 述複數之源極配線之交點者;及複數之像素電極,係連接於該複數之開關元件者,前述第二基板具有與該複數之像素電極對向而設之共通電極,並且前述液晶層係藉在像素電極與共通電極之間,朝與第一基板及第二基板之基板面大略垂直之方向施加電場以驅動者。
又,本發明較佳的是,在液晶顯示裝置之製造方法,其中前述第一基板不具有導電性構件(較佳的是,表面電阻值在1.0×1012 Ω/□以下之導電性構件),且前述第二基板具有藉朝與該基板面大略平行之方向施加電場以驅動液晶層之像素電極及共通電極。
又,本發明較佳的是,在液晶顯示裝置之製造方法,其中前述第一偏光板具有表面電阻值為1.0×1012 Ω/□以下之導電層。
又,本發明係提供一種液晶顯示裝置之製造裝置,包含有:積層機構,係用以於第一基板與第二基板之間具有液晶層之液晶胞元的表裏兩面,積層相同或不同構成之偏光板,作成液晶顯示面板者;及檢查機構,係以光學方式檢查前述液晶顯示面板者,且液晶顯示裝置之製造裝置的特徵在於:前述積層機構具有下述機構:第一偏光板貼附機構,係將第一偏光板貼附於相較於前述第二基板帶電後難以電位衰減之前述第一基板者;及第二偏光板貼附機構,係配置於該第一偏光板貼附機構之後段,用以將第二偏光板貼附於相較於前述第一基板帶電後電位容易衰減之前述第二基板者。
又,本發明較佳的是,在前述液晶顯示裝置之製造裝置中,前述第一偏光板貼附機構係具有下述者:刀刃,係由帶狀體將第一帶狀載體膜折返後由該第一帶狀載體膜依序剝離第一偏光板,且前述帶狀體係以預定間隔切斷之複數第一偏光板呈可剝離之狀態沿著長向連續形成於第一帶狀載體膜上者;及貼附機構,係將業經剝離之第一偏光板貼附到依序供給之液晶胞元之第一基板者;或者是具有下述者:刀刃,係由第一帶狀體將第一帶狀載體膜折返後,由該第一帶狀載體膜部分地剝離長狀第一偏光板,且前述第一帶狀體係比液晶胞元還長之長狀第一偏光板呈可剝離之狀態形成於第一帶狀載體膜上者;貼附機構,係將業經剝離之長狀第一偏光板之部份貼附到依序供給之液晶胞元之第一基板者;及切斷機構,係將長狀第一偏光板之部分以對應於液晶胞元之長度予以切斷者,前述第二偏光板貼附機構係具有:刀刃,係由帶狀體將第二帶狀載體膜折返後由該第二帶狀載體膜依序剝離第二偏光板,且前述帶狀體係以預定間隔切斷之複數第二偏光板呈可剝離之狀態沿著長向連續形成於第二帶狀載體膜上者;及貼附機構,係將業經剝離之第二偏光板貼附到依序供給之貼附有第一偏光板之液晶胞元之第二基板者;或者是具有:刀刃,係由第二帶狀體將第二帶狀載體膜折返後,由該第二帶狀載體膜部分地剝離第二偏光板,且前述第二帶狀體係比液晶胞元還長之長狀第二偏光板呈可剝離之狀態形成於第二帶狀載體膜上者;貼附機構,係將業經剝離之長狀第二偏光板 之部份貼附到依序供給之貼附有第一偏光板之液晶胞元之第二基板者;及切斷機構,係將長狀第二偏光板之部分以對應於液晶胞元之長度予以切斷者,前述檢查機構係在該第二偏光板貼附機構之後段,以光學方式依序檢查搬送來之液晶顯示面板之機構。
又,本發明較佳的是,在前述液晶顯示裝置之製造裝置中,前述第一偏光板貼附機構具有使前述第一偏光板與前述液晶胞元為至少該等之一部分互相重疊之狀態而挾持之第一偏光板側之第一加壓構件與液晶胞元側之第二加壓構件,且構成為使第一偏光板及液晶胞元對第一加壓構件及第二加壓構件相對移動以將第一偏光板貼附於第一基板。
又,本發明較佳的是,在前述液晶顯示裝置之製造裝置中,前述第二偏光板貼附機構係具有:使貼附有前述第一偏光板之液晶胞元與前述第二偏光板為至少該等之一部分互相重疊之狀態而挾持之第二偏光板側之第三加壓構件與貼附於液晶胞元之第一偏光板側之第四加壓構件,且構成為使積層有第一偏光板之液晶胞元及第二偏光板對第三加壓構件及第四加壓構件相對移動藉以將第二偏光板貼附於第二基板。
根據本發明之液晶顯示裝置之製造方法及製造裝置,在將偏光板貼附於液晶胞元之表裏兩面以製作液晶顯示面板時,由於抑制偏光板之貼附步驟(積層步驟)中之液晶胞元 之帶電,因此即使縮短積層步驟與檢查步驟之間的時間間隔(間距),也不會有液晶胞元之帶電造成之不良影響,可實施後段之檢查步驟,結果是不會招致在面板檢查步驟中之誤檢測,可大幅縮短製造液晶顯示裝置時之所需時間。特別是,將偏光板連續地自動貼附到液晶胞元之方式中,對於保持該液晶顯示面板之高速連續製造性可發揮顯著優異之效果。
圖式簡單說明
第1圖係實施形態1所製造之液晶顯示面板之截面模式圖。
第2圖係顯示實施形態1之液晶顯示裝置之製造方法之實施形態的流程圖。
第3圖係顯示實施形態1之液晶顯示裝置之製造裝置的概略構成圖。
第4圖係放大顯示前述第3圖中第一偏光板原板準備步驟S1與第二切斷步驟S5之概略構成圖。
第5圖係放大顯示前述第3圖中第二偏光板原板準備步驟S4與第二切斷步驟S5之概略構成圖。
第6圖係放大顯示前述第3圖中之檢查步驟S7。
第7圖係顯示由第一偏光板原板準備步驟S1到第一偏光板貼附步驟S3a之間之具有第一偏光板之膜之構成的截面模式圖。
第8圖係顯示由第二偏光板原板準備步驟S4到第二偏光板貼附步驟S3b之間之具有第一偏光板之膜之構成的截 面模式圖。
第9圖係實施形態2所製造之液晶顯示面板之截面模式圖。
第10圖係顯示測定CF基板及TFT基板之帶電容易性之結果之圖表。
較佳實施例之詳細說明
以下,參照附圖並說明本發明之實施形態。
(實施型態1)
第1圖係在實施型態1以高速連續製造之液晶顯示面板Y之截面模式圖。如第1圖所示,本實施型態中之液晶顯示面板Y包含:構成為以一對基板41、42挾持位於中央之液晶層43的液晶胞元4;積層於該液晶胞元4之第一基板42側之第一偏光板10;及積層於該液晶胞元4之第二基板42側之第二偏光板20。本實施型態中之液晶胞元4係垂直配向型(Vertical Alignment,以下稱為「VA方式」)。
液晶胞元4之背面側、即-配置於背光側之基板41(以下,也稱為背面側基板)係於玻璃或塑膠等透明基板411上設有:具有複數閘極配線、及隔著該複數閘極配線與絕緣膜直交設置之複數源極配線之線路部;設置於前述複數閘極配線與前述複數源極配線之交點且作為複數開關元件之薄膜電晶體(TFT)412;設置於該開關元件(薄膜電晶體)上之層間絕緣膜413;設置於該層間絕緣膜413上,並隔著形成於該層間絕緣膜413之連接孔而與各個前述複數之開關元 件412連接之複數透明電極(像素電極)414;及設置於該透明電極(像素電極)414上之配向膜415。
薄膜電晶體412具有:閘極電極;隔著閘極絕緣膜而與閘極電極相對向之半導體層;及個別連接到半導體層之源極電極及汲極電極。閘極配線連接至閘極電極,源極配線連接至源極電極,像素電極414連接至汲極電極。
閘極配線及閘極電極與源極配線、源極電極、以及汲極電極係使用濺鍍法等將鈦、鉻、鋁、鉬等金屬膜、該等之合金膜、或該等之積層膜成膜後,以使用光蝕法等進行圖案成形之方法等形成。
半導體層係以使用電漿CVD(Chemical Vapor Deposition;化學氣相成長)法等將非晶矽、多晶矽等的半導體材料進行成膜,並以光蝕法等進行圖案成形之方法等形成。
像素電極414係以濺鍍法等將氧化銦(ITO)、氧化鉛銦、氧化錫、氧化鉛等的透明導電材料進行成膜後,再以使用光蝕法等進行圖案成形之方法等形成。
配向膜415係以塗布聚醯亞胺進行成膜,並施行研磨處理之方法等形成。
另一方面,實施型態1之配置於液晶胞元4之影像顯示面側之基板42(以下,也稱為顯示面側基板)係於玻璃或塑膠等之透明基板421上具有:濾色器422;設至於該濾色器422上之保護膜層(未圖示);設置於該保護膜層上且與複數之像素電極414對向設置之透明電極(共通電極)424;及設置於該 透明電極(共通電極)424上之配向膜425。
前述濾色器422宜使用具有用以遮蔽著色圖案之間隙之光的黑色矩陣膜(black matrix)、及對應於各像素之紅、綠、藍之著色層而構成者。
前述黑色矩陣膜一般係由金屬鉻構成,膜厚為100~150nm。
又,前述著色層係使用以染料或顏料將樹脂材料著色者,膜厚一般為1~3μm。該著色層之像素圖案配列採用三角配列、馬賽克配列、或條紋配列等。
又,前述保護膜層係由丙烯酸樹脂或環氧樹脂構成,膜厚通常為0.5~2μm。
前述濾色器422之製造方法並無特別限定,可採用習知公知之各種方法所製造之濾色器。該濾色器之製造方法可舉例如染色法、顏料分散法、印刷法及電鍍法等。
共通電極424係使用濺鍍法將氧化銦(ITO)、氧化鉛銦、氧化錫、氧化鉛等透明導電材料進行成膜後,使用光蝕法等進行圖案成形之方法等形成。
構成液晶胞元4之液晶層43係由例如具有負介電率各向異性(△ε<0)之向列型液晶分子431構成。該液晶層43在背面側基板41之像素電極414與顯示面側基板42之共通電極424之間,朝與基板面大略垂直之方向施加電壓以驅動。即,該電壓小於閾值電壓時,如第1圖所示,液晶分子之長軸係與基板面大略垂直配向,來自背面側之入射直線偏光在通過液晶層43時不受到雙折射效果,因此,不會通 過顯示面側之第二偏光板20之第二偏光子21。相對於此,當該電壓在閾值電壓以上時,液晶分子431之長軸因應於電壓之大小而僅以預定之角度對基板面傾斜,因此來自背面側之入射直線偏光在通過液晶層43時會受到雙折射效果而變化成橢圓偏光,一部份之光會通過顯示面側之第二偏光板20之第二偏光子21。
實施型態1之液晶胞元4中,起因於成為如上述之基板構成,背面側基板41成為容易帶電之基板,也就是成為在帶電後難以電位衰減之基板。因此,採用如實施型態1之VA方式之液晶胞元時,本發明中,該背面側基板41成為應先貼附於偏光板之第一基板,另一方面,顯示面側基板42成為第二基板。
本發明之液晶胞元4的形式並無特別限定,除了上述之VA方式之外,與該VA方式同樣地,背面側基板具有像素電極,顯示面側基板具有共通電極,並且在像素電極與共通電極之間,在與基板面大略垂直之方向施加電場,藉此驅動液晶層之TV(Twisted Nematic)方式、STN方式(Super-teisted Nematic)方式、OCB(Optically Compensated Birefringence)方式中也顯示出同樣的傾向,因此,與上述VA方式同樣,背面側基板成為第一基板,顯示面側基板為第二基板。
前述第一偏光板10至少具有第一偏光子11,本實施型態中,具有:積層於第一偏光子11之內外兩面之第一內側保護膜13及第一外側保護膜14、積層於該第一內側保護膜 13之內側之第一導電層12、將該第一偏光板10貼附於液晶胞元4之第一基板41之第一黏著層15、隔著第一弱黏著層16而積層於前述第一外側保護膜14之第一表面保護膜17。
第一偏光子11可使用習知之公知者,例如,宜使用吸附配向有碘錯合物或二色性染料之聚乙烯醇膜。
第一內側保護膜13及第一外側保護膜14並無特別限定,例如宜使用由三醋酸纖維素樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、環状聚烯烴樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂等構成之膜。
前述第一導電層12宜為表面電阻值為1.0×1012 Ω/□以下5者,以1.0×1011 Ω/□以下者為較佳。藉由設置如此構成之第一導電層,可更有效地防止積層步驟中之液晶顯示面板之帶電,並具有使液晶分子431之配向狀態更難以有大變化之效果。
又,表面電阻值之測定方法係如下述實施例所示。
該第一導電層12之材質並非特別限定者,可採用以氧化銦為主成份,並添加有氧化錫之ITO(Indium Tin Oxide)等之金屬氧化物、或聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩、聚對苯乙烯等的導電性聚合物,或者該導電性聚合物中添加有鹵素或鹵化物者,或者離子性界面活性劑。
又,該第一導電層12之成膜方法沒有特別限定,例如就金屬氧化物而言,可適合採用濺鍍法、真空蒸鍍法、離子電鍍法、電漿CVD法等氣相堆積法,就導電聚合物而言,可採用桿塗布、刀片塗布、旋轉塗布、反向塗布、模塗布、或者噴塗法等習知公知之塗覆法。
又,第一導電層12之膜厚宜為100~300nm。
另一方面,第二偏光板20係至少具有第二偏光子者,本實施形態中,係具有:積層於第二偏光子21之內外兩面之第二內側保護膜23及第二外側保護膜24、用以將該第二偏光板20貼附於液晶胞元4之第二基板42之第二黏著層25、及隔著第二弱黏著層26積層於前述第二外側保護膜24之第二表面保護膜27。
該第二偏光板20亦可不具有導電層,但由更確實地抑制液晶胞元4之帶電的觀點來看,宜具有導電層(第二導電層)。導電層之構成可採用與前述第一導電層同樣的構成。
第2圖係顯示本發明之液晶顯示裝置之製造方法之一實施形態之流程圖。如第2圖所示,本實施形態之液晶顯示裝置之製造方法具有下述步驟:第一偏光板原板準備步驟S1,係準備於長狀第一偏光板上積層長狀第一離模膜(第一帶狀載體膜)而成之第一偏光板原板並將之捲出;第一切斷步驟S2,係不切斷該第一離模膜而以預定間隔切斷該長狀第一偏光板;第一偏光板貼附步驟S3a,將剝離該第一離模膜並切斷之該第一偏光板依序貼附到液晶胞元;第二偏光板原板準備步驟S4,係準備將長狀之第二離模膜(第二帶狀載體膜)積層於長狀第二偏光板,然後捲出第二偏光板原板;第二切斷步驟S5,係不切斷該第二離模膜而以預定間隔切斷該長狀第二偏光板;第二偏光板貼附步驟S3b,將剝離該第二離模膜並切斷之該第二偏光板依序貼附到貼附有第一偏光板之液晶胞元(液晶胞元積層體);及檢察步驟S7, 係以光學方式依序檢查由該等步驟製作出之液晶顯示面板。也就是說,積層步驟S3具有第一偏光板貼附步驟S3b與第二偏光板貼附步驟S3b。
另一方面,第3圖~第6圖係說明第2圖所示之本實施形態之液晶顯示裝置之製造方法之製造裝置的概略構成圖。 以下,參照該第3圖~第6圖並就本實施形態之液晶顯示裝置之製造方法及製造裝置作具體說明。
如第3圖所示,本實施形態之液晶顯示裝置之製造裝置係具有下列機構:第一偏光板原板準備機構(第一偏光板原板準備步驟S1),係用以捲出於長狀第一偏光板上積層長狀第一離模膜51(第一帶狀載體膜)而成之第一偏光板原板61者;第一切斷機構(第一切斷步驟S2),係不切斷該第一離模膜51而以預定間隔切斷該長狀第一偏光板者;第一偏光板貼附機構(第一偏光板貼附步驟S3a),係用以將剝離該第一離模膜51並切斷之該第一偏光板依序貼附到液晶胞元4者;旋繞機構(未圖示),係用以使貼附有第一偏光板之液晶胞元4朝水平方向旋繞90°者;第二偏光板原板準備機構(第二偏光板原板準備步驟S4),係用以準備長狀之第二離模膜52(第二帶狀載體膜)積層於長狀第二偏光板而構成之第二偏光板原板62並將之捲出者;第二切斷機構(第二切斷步驟S5),係不切斷該第二離模膜62而以預定間隔切斷該長狀第二偏光板者;第二偏光板貼附機構(第二偏光板貼附步驟S3b),係用以將剝離該第二離模膜並切斷之該第二偏光板依序貼附到貼附有第一偏光板之液晶胞元(液晶胞元積層 體)者;及檢查機構(檢查步驟S7),係以光學方式依序檢查由該等步驟製作出之液晶顯示面板Y。也就是說,本實施形態中,積層機構係具有第一偏光板貼附機構與第二偏光板貼附機構者。
具體說明個步驟及各機構,首先,第一偏光板原板準備機構(第一偏光板原板準備S1)係如第4圖所示,構成為將積層有長狀第一偏光板10(第4圖中下面側)與長狀第一離模膜51(第4圖中上面側)而構成之第一偏光板原板61準備為捲繞成捲狀,並且依序捲出。
其次,第一切斷機構(第一切斷步驟S2)係如第4圖所示,構成為準備切斷機構130,並使用該切斷機構130將該長狀第一偏光板10以預定間隔切斷,成為片葉體。但,關於該第一離模膜51係不切斷(所謂的半切),將第一偏光板10切斷成為片葉體後,藉由長狀第一離模膜51連接,作為可以輥子搬送之第一帶狀體(以預定間隔切斷之複數第一偏光板成可剝離之狀態連續成形於第一帶狀載體膜之第一帶狀體)。再者,切斷之間隔係因為於作為貼合之對象之液晶胞元(第一基板41)的尺寸。
接著,第一偏光板貼附機構(第一偏光板貼附步驟S3a)係如第4圖所示,具有對向設置之第一加壓構件與第二加壓構件,且,將前述第一偏光板10與另外準備(供給)之液晶胞元4同時送入該等加壓構件之間,依序貼附(自動貼附)於該液晶晶包4之表面而作成液晶胞元積層體。在此,本實施型態中之第一加壓構件係在第4途中朝上方被賦與勢能而按 壓第一偏光板10之貼附輥子150a,第二加壓構件係與液晶胞元4之下面抵接而與前述第一加壓構件(貼附輥子150a)挾持前述第一偏光板10及液晶胞元4並且將兩者往下游側搬送之支持輥子150b。又,該第一偏光板貼附機構(第一偏光板貼附步驟S3a)係具有刀刃140,並且前述第一離模膜51在該貼附輥子150a及支持輥子150b之前使用該刀刃140由第一偏光板10剝離,經由藉此露出之第一黏著層15而實施第一偏光板10往液晶胞元4之貼附。
又,在該第一偏光板貼附步驟S3a貼附該第一偏光板10的是帶電後難以電位衰減之背面側基板(第一基板)41。
另一方面,第二偏光板原板準備機構(第二偏光板原板準備步驟S4)係如第5圖所示,構成為將長狀第二偏光板20(第5途中上面側)與長狀第二離模膜52(第5圖中下側)積層而成之第二偏光板原板62準備為已捲繞成捲狀之狀態,並依序捲出。
其次,第二切斷機構(第二切斷步驟S5)係如第5圖所示,構成為具有切斷機構230,並且使用該切斷機構230以預定間隔切斷該長狀第二偏光板20,作成片葉體。但是,就該第二離模膜52係作成不切斷(所謂的半切),將第二偏光板20切斷而成為片葉體後,也藉由長狀第二離模膜52連接,作成可以輥子搬送之第二帶狀體(以預定間隔切斷之複數第二偏光板成可剝離之狀態連續成形於第二帶狀載體膜之第二帶狀體)。再者,切斷之間隔係因為於作為貼合之對象之液晶胞元(第二基板42)的尺寸。
接著,第二偏光板貼附機構(第二偏光板貼附步驟S3b)係如第5圖所示,具有對向設置之第三加壓構件與第四加壓構件,且,將前述第二偏光板20與經由前述第一偏光板貼附步驟S3a製作而出之液晶胞元積層體X同時送入該等加壓構件之間,將第二偏光板20依序貼附(自動貼附)於液晶胞元積層體X之表面而作成液晶顯示面板Y。在此,本實施型態中之第三加壓構件係在第5圖中朝下方被賦與勢能而按壓第二偏光板20之貼附輥子250a,第四加壓構件係與液晶胞元積層體X之下面抵接而與前述第三加壓構件(貼附輥子250a)挾持前述第二偏光板10及液晶胞元積層體X並且將兩者往下游側搬送之支持輥子250b。又,該第二偏光板貼附機構(第二偏光板貼附步驟S3b)係具有刀刃240,並且前述第二離模膜52在該貼附輥子250a及支持輥子250b之前使用該刀刃240由第二偏光板20剝離,藉此經由藉此露出之第二黏著層25而實施第二偏光板20往液晶胞元積層體X之貼附。又,該第二偏光板貼附步驟S3b中貼附第二偏光板20的是帶電後容易電位衰減之顯示面側基板(第二基板)42。
檢查機構(檢查機構S7)係如第6圖所示,係用以依序檢查(自動檢查)搬送到第二偏光板貼附機構之後段(第二偏光板貼附步驟S3b之後)之液晶顯示面板Y,具體而言,係構成為光由光源310垂直照射到液晶顯示面板Y之下面,藉由CCD相機330拍攝該透過光,取得影像資料,並將取得之影像資料進行影像解析處理,判別缺點之有無,然後進行良品或不良品之判定。
該檢查機構為了縮短所需時間,配置於第二偏光板貼附機構之後,即,檢查步驟S7係與貼附步驟S3b之間隔比較短來實施。具體而言,液晶顯示面板Y配置成經過第二偏光板貼附步驟S3b後,宜在1分鐘內實施檢查,以40秒以內為佳,以20秒內為較佳,尤以10秒內為最佳。
第7圖係由前述第一偏光板原板準備步驟S1到第一偏光板貼附步驟S3b之間之具有第一偏光板原板準備步驟S4到第二偏光板貼附步驟S3b之間之具有第一偏光板之膜之構成的截面模式圖。
如第7圖所示,第一偏光板原板準備步驟S1中,成為積層有長狀第一偏光板10與長狀第一離模膜51之第一偏光板原板61。
第一切斷步驟S2中,藉由切斷機構130以預定間隔於該第一偏光板10形成切痕,但前述第一離模膜成為不切斷且保持長狀(製作第一帶狀體)。
接著,第一偏光板貼附步驟S3a中,前述第一離模膜51由第一偏光板10剝離,只有第一偏光板10隔著第一黏著層15而依序積層於液晶胞元4之第一基板41,連續製造液晶胞元積層體X。
另一方面,如第8圖所示,第二偏光板原板準備步驟S4中,成為長狀第二偏光板20與長狀第二離模膜52積層而成之第二偏光板原板62。
進而,在第二切斷步驟S5中,藉由切斷機構230以預定間隔於該第二偏光板20形成切痕,但前述第二離模膜52成 為不切斷且保持長狀(製作第二帶狀體)。
接著,第二偏光板貼附步驟S3b中,前述第二離模膜52由第二偏光板20剝離,只有第二偏光板20隔著第二黏著層25而依序積層於液晶胞元4之第二基板42,連續製造液晶顯示面板Y。
根據本實施形態之液晶顯示裝置之製造裝置及製造方法,藉由上述之步驟,即-於帶電後難以電位衰減之第一基板(背面側基板)貼附具有導電層之第一偏光板,接著,於帶電後容易電位衰減之第二基板(顯示面側基板)貼附第二偏光板,藉此,會抑制液晶胞元之帶電,即使在貼附步驟(積層步驟)之後實施前述光學檢查步驟,也不會受到液晶胞元之帶電造成之壞影響,而可實施檢查,因此,不會有誤檢測,可縮短所需時間。其結果是可高速地連續製造VA方式之液晶顯示面板,可大幅提高生產效率。
液晶胞元之帶電被抑制的理由並不確定,但推測本實施形態之VA方式之液晶胞元中,背側面基板(第一基板)係構成在閘極配線等之電路部與像素電極之間具有開關元件(薄膜電晶體),藉此,暫時帶電時,難以電位衰減,藉由與支持輥子之摩擦而液晶胞元帶電時,其帶電之狀態會持續。
具體而言,帶電時因為靜電誘導而貯存於基板表面之電荷會接著往像素電極或電路部移動,並且兩者都成為貯存有電荷之狀態,但是在之後的放電中,雖然電荷快速地自電路部通過,然而像素電極在非驅動狀態時會被開關元件(薄膜電晶體)與電路部電性切斷,因此電荷會往電路部側 流動,而容易成為貯存之狀態,藉由此種要因,認為前述實施形態中之背面側基板在帶電後變得難以電位衰減。
根據本實施形態之裝置及方法,推測相較於顯示面側基板(第二基板),先於背面側基板(第一基板)貼附偏光板,藉此可阻止此種構成之第一基板與貼附輥子之間的摩擦,抑制液晶胞元之帶電。
又,本實施形態中,在不顯然損及發明效果之範圍內,當然可適當採用習知公知之技術事項。
例如,本實施形態中,係就第一導電層設置於第一黏著層與第一內側保護膜之間的情況作說明,但本發明中,關於形成第一導電層之位置沒有特別限定,可設置在第一偏光板之任意位置,即-由第一表面保護膜到第一黏著層之任意位置。
又,第一偏光板或第二偏光板除了具有上述之層以外,亦可適當具有具有其他光學機能或物理機能等之任意層,例如,亮度提高層、相位差層、防止反射層等。
進而,前述實施形態中,係藉由使用長狀第一離模膜及長狀第二離模膜且在切斷步驟採用半切,作為片葉體之偏光板藉該離模膜連接之狀態,並在該切斷步驟後,也在貼附之前作為長狀體而可以輥子搬送,但本發明並不受限於此種態樣。
例如,亦可為供給比液晶胞元還長之長狀偏光板呈可剝離之狀態形成於帶狀載體膜上之帶狀體,並且使用刀刃將帶狀載體膜折返後由該帶狀載體膜部分地剝離長狀偏光 板,將經剝離之長狀偏光板之部份貼附到依序供給之液晶胞元之基板,然後將已貼附有長狀偏光板之部分以對應於液晶胞元之長度予以切斷。此種自動貼附方法沒有特別限定,可採用如日本專利公開公報特開200537418號公報所揭示之方式等。該自動貼附方式中,亦可在製作液晶顯示面板之步驟(積層步驟)後(積層機構之後),設置該亦晶顯示面板之檢查步驟(檢查機構)時,藉由適用本發明之技術思想,有效地發揮不會招致面板檢查之誤檢測而可縮短所需時間之本發明之作用效果,保證液晶顯示面板之高速連續製造性。
又,上述實施形態中,加壓構件係採用貼附輥子及支持輥子,本發明並不限定於此,亦可採用例如具有彈性之板狀體等作為加壓構件。
進而,在前述實施形態之製造方法中,已說明使用VA方式之液晶胞元作為偏光板之貼附對象之液晶胞元的情況,但如上所述,本發明並不限定於此種實施形態,亦可適用其他方式之液晶胞元。
以下,具體說明液晶胞元係使用面內開關(IPS;In-PlaneSwitching)方式之液晶胞元之本發明之實施形態2。
(實施形態2)
第9圖係實施形態2使用高速連續製造之IPS方式之液晶胞元之液晶顯示面板之截面模式圖。第9圖中,與第1圖相同之構件附有相同標號,也省略說明。
如第9圖所示,實施形態2所使用之IPS方式之液晶胞元4’與其他液晶胞元同樣係構成為在一對基板41’、42’之間挾持液晶層43’。而且,該等一對基板中,位於液晶胞元4’之顯示面側之顯示面側基板42’不具有如像素電極或共通電極之導電性構件,另一方面,位於液晶胞元4’之背面側之背面側基板41’係具有用以驅動液晶層43’之像素電極及共通電極之構成,且藉在像素電極與共通電極之間,即-與該基板面大略平行之方向施加電場,驅動液晶層43’。
具體而言,背面側基板41’係於玻璃或塑膠等之透明基板411上具有:電路部,係包含複數之閘極配線與複數之共通電極配線、及與該複數閘極配線及複數共通電極配線隔著絕緣膜直交設置之複數源極配線者;作為複數開關元件之薄膜電晶體(TFT)412,係設置於前述複數之閘極配線與前述複數之源極配線之交點者;保護膜413,係設置於該複數之開關元件(薄膜電晶體)412者;複數之透明電極(像素電極),係設置於該保護膜413,並且經由形成為貫通該保護膜之通孔而連接於前述複數之各個開關元件412者;複數共通電極416,係設置於該保護膜413,並且經由形成為貫通閘極絕緣膜及保護膜之通孔而連接於複數之各個共通電極配線者;以及配向膜415,係設置於複數透明電極(像素電極)414及複數共通電極416上者。
薄膜電晶體412具有:閘極電極;隔著閘極絕緣膜而與閘極電極相對向之半導體層;個別連接於半導體層之源極電極及汲極電極。
另一方面,顯示面側基板42’在玻璃或塑膠等之透明基板421上具有:濾色器422;設置於該濾色器422上之保護膜層(未圖示);及設置於該表塗覆層上之配向膜425。
構成液晶胞元4’之液晶層43’一般係由具有正介電率各向異性(△ε>0)之向列型液晶分子431’所構成。該液晶層43’係藉在背面側基板41’內之像素電極414與共通電極416之間,在與基板面大略平行之方向上施加電場以驅動。即,若該電壓小於閾值電壓,由於液晶分子431’之長軸與基板面平行且與第一篇光板10之第一偏光子11之吸收軸平行或直交,因此自背光側之入射直線偏光在通過液晶層43’時不受到雙折射效果。相對於此,當該電壓在閾值電壓以上時,除了基板面附近之外之大部份的液晶分子431’之長軸會因應於電壓之大小而以預定之角度在與基板面平行之面內方向上旋轉(對第一偏光板10之第一偏光子11之吸收軸傾斜),因此入射直線偏光收到雙折射效果,變化成橢圓偏光。其結果是,因應於液晶分子之旋轉腳之一定量的光會通過第一偏光板10之偏光子11。
如此,在採用IPS方式之液晶胞元之實施型態2中,係構成為顯示面側42’與前述背面側基板41’比較,由於不具有如像素電極或共通電極之導電性構件,因此難以發生帶電後之電位衰減。因此,本實施型態2中,該顯示面側基板42’成為應先貼附偏光板之第一基板,另一方面,裏面側基板41’成為第二基板。
其結果是,該實施型態2之液晶顯示裝置之製造方法及 製造裝置係顯示面側基板為第一基板,顯示面側之偏光板為第一偏光板,背面側基板為第二基板,背面側之偏光板為第二偏光板,但是其他構成則與前述實施型態1之製造方法及製造裝置相同,因此省略說明。
根據本實施形態2之液晶顯示裝置之製造方法,藉由上述之步驟,即-令顯示面側基板42’為第一基板,並於該第一基板貼第一偏光板,接著,令背面側基板41’為第二基板,並於該第二基板第二偏光板,藉此,會抑制液晶胞元4’之帶電,因此,即使在貼附步驟之後實施前述液晶顯示面板之光學檢查步驟,也不會受到液晶胞元之帶電造成之壞影響,而可實施檢查,其結果是不會有誤檢測,可縮短所需時間。因此可高速地連續製造IPS方式之液晶顯示面板,可大幅提高生產效率。
抑制液晶胞元之帶電的理由並不確定,但是推測使用IPS方式之液晶胞元之本實施型態2中,顯示面側基板不具有如像素電極或共通電極之導電性構件,因此暫時帶電時難以電位衰減,當因與貼附輥子之摩擦而液晶胞元帶電時,可持續該帶電之狀態。
再者,IPS方式中,除了檢查步驟之誤檢測之外,開關元件(薄膜電晶體)之靜電破壞也會成為問題。IPO方式之液晶胞元中之開關元件之破壞機構被認為在貯存於顯示面側基板(第一基板)之電荷朝背面側基板(第二基板)放電時,過大電流會流過開關元件,藉此破壞該開關元件。根據本實施型態之裝置及方法,推測此種開關元件之靜電破壞也會 被抑制。
再者,本發明中,在不阻害本發明之作用效果之範圍內,可於各步驟之間(例如積層機構(積層步驟))與檢查機構(檢查步驟)之間適當地存在其他機構(步驟)。
實施例
其次,舉出實施例更詳細說明本發明,但本發明不受限於此。
(液晶胞元基板之帶電容易性之測定)
針對構成VA方式之液晶胞元之CF基板(具有濾色器之基板)與TFT基板(具有薄膜電晶體之基板)測定帶電之容易性。具體而言,將基板之兩端載置且固定於PTFE(聚四氟乙烯)製之支持台後,使用布擦拭PTFE製之圓盤與SUS304製之圓盤重疊之圓盤(厚度0.8mm、ψ 250mm之)SUS304置之圓盤側數次後使之帶電,使該SUS304製之圓盤附著於固定之基板上,然後,使基板分開。接著,在進行該一連串之操作之間,使用帶電量測定器(SMC製、IZH10)由基板之貼附面之裏側測定基板之帶電量。結果顯示於下述第1表及第10圖。
如第1表及第10圖所示,可知TFT基板係在使PTFE製之圓盤分開後,會短暫成為帶電之狀態。相對於此,可知CF 基板在使PTFE製之圓盤分開後回到初期狀態。也就是說,此次試驗所使用之VA方式之液晶胞元中,可知TFT基板容易帶電,即-相當於帶電後難以帶電衰減之第一基板、CF基板難以帶電,即-相當於帶電後容易電位衰減之第二基板。以下,本實施例及比較例中,以TFT基板為第一基板,以CF基板為第二基板進行試驗。
<實施例1>
使用前述第一實施型態記載之裝置,實施由長邊側對矩形之液晶胞元貼附第一偏光板之第一偏光板貼附步驟(S3a)後,使該液晶胞元朝水平方向旋轉(旋回)90度,進行調準(對位)後,接著實施由短邊側對液晶胞元貼附第二偏光板之第二偏光板貼附步驟(S3b),連續製造2000片之液晶顯示面板。各偏光板之貼附速度及液晶胞元之搬送速度為200mm/s。又,使用之材料及機器之規格係如下述。
再者,偏光板原板之一部份所含之導電層之表面電阻值之測定係依據JIS K 6911 5.13項來進行。具體而言,將偏光板切取成150mm×150mm之大小作為試驗片,使用三菱化學公司製之高電阻/低功率計UP(商品名稱)(型號:MCP-HT450)及探針(型號:MCP-SWB01)測定該試驗片之表面電阻值。
又,貼附速度作為偏光板及液晶胞元通過下述貼附輥子與支持輥子之間之速度的測定值。即,偏光板之貼附速度與液晶胞元之搬送速度相同。
(使用材料及使用機器)
‧液晶胞元:垂直配向型(畫面尺寸32英吋)。
‧第一偏光板原板及第二偏光板原板:日東電工公司製造,商品名「VEG1724DU-AC」(含有導電層:表面電阻值1.0×1011 Ω/□、膜厚150μm)
‧貼附輥子(貼附側):加貴輥子製作所公司製造,型號「LM4070E」,導電性晶矽製,硬度70°,表面電阻值1.0×106 Ω/□、輥子徑100mm
‧支持輥子(支持側):加貴輥子製作所公司製造,型號「黑EC-N970」,導電性氨基甲酸乙酯製造,硬度70°,表面電阻值1.0×108 Ω/□、輥子徑200mm
<實施例2~4>
偏光板之貼附速度及液晶胞元之搬送速度分別為150mm/s、100mm/s、50mm/s,除此之外,其他與實施例1相同,製作2000片之液晶顯示面板。
<比較例1>
貼附順序與實施例1相反,即-實施第二偏光板貼附步驟(S3b)後,實施第一偏光板貼附步驟(S3a),除此之外其他皆與實施例1相同,製作2000片之液晶顯示面板。
<比較例2~4>
偏光板之貼附速度及液晶胞元之搬送速度分別為150mm/s、100mm/s、50mm/s,除此之外,其他與實施例1相同,製作2000片之液晶顯示面板。
<比較例5>
根據液晶胞元基板之帶電量之測定結果(第1表、第10 圖),令第二偏光板貼附步驟(S3b)、與第一偏光板貼附步驟(S3a)之間的時間間隔(間距)為600秒,除此之外,其他與比較例1同樣製作2000片液晶顯示面板。
(帶電量之測定)
實施例及比較例中,在各個貼附步驟之後設置帶電量測定器(公司製造,型號SK-200),測定貼附後之帶電量,就2000片之液晶顯示面板算出平均值。結果顯示於下述表3。
(檢查步驟之評價)
又,就實施例及比較例所製作之液晶顯示面板,藉由配置於後段之貼附步驟之下游側之光學檢查裝置,實施檢查步驟。該檢查步驟中,由液晶顯示面板之下面側照射光,並且藉由配置於上面側之CCD相機,檢測本來應該隔絕之光的透過狀態,根據該檢測結果進行影像解析處理。
以下,將上述實施例及比較例中之各貼附步驟、檢查步驟、即該步驟間所需要之所需時間顯示於下述第2表。
上述檢查步驟中,認為液晶分子之配向不均為原因之誤檢測即使發生一片時,顯示為×,將該誤檢測一片也沒發生之情況為○,結果如下述第3表所示。
由第3表所示之結果認為,對帶電後容易電位衰減之CF基板(第二基板)先實施貼附步驟S3b之比較例1~4中,在檢測步驟中發生了誤檢測,但對帶電後難易電位衰減之TFT 基板(第一基板)先實施貼附步驟S3a之實施例1~4中,在檢查步驟中未發生誤檢測。
又,比較例5中,即使係對帶電後容易電位衰減之CF基板(第二基板)先實施貼附步驟S3b之情況,亦可藉由600秒之時間間隔而實施檢查步驟,加以確認防止誤檢測,但此時,實施例1~4與比較例1~4相比較,成為所需時間極長者,生產效率大幅下降。
(比較例6~10)
其次,在前段及後段之貼附步驟中,藉由使貼附輥子(偏光板側)與支持輥子(基板側)之間的間隙(空隙)變化,可使基板與支持輥子之接觸面積產生變化,進行與實施例1及比較例1相同之視線。試驗條件及試驗結果如下述表4所述。
由第4表所示之結果,即使是對帶電後容易電位衰減之CF基板(第二基板)先實施貼附步驟S3b時,亦可藉縮小基板與輥子之間的接觸面積,抑制液晶胞元之帶電(比較例9、 10),而此種情況時,判定基板與輥子之接觸壓降低而氣泡已進入之狀態。又,相反的,藉放大基板與輥子之接觸面積,提高基板與輥子之接觸壓,抑制氣泡之進入時(比較例1、6~8),判定為液晶胞元容易帶電,在檢查步驟已產生誤檢測。
相對於此,實施例1中,判斷藉放大基板與輥子之接觸面積,提高基板與輥子之接觸壓,而抑制氣泡之進入,並且同時抑制液晶胞元之帶電,可防止在檢查步驟之誤檢測。
1‧‧‧液晶顯示裝置之製造方法
4,4’‧‧‧液晶胞元
10‧‧‧第一偏光板
11‧‧‧第一偏光子
12‧‧‧導電層
13‧‧‧第一內側保護膜
14‧‧‧第一外側保護膜
15‧‧‧第一黏著層
16‧‧‧第一弱黏著層
17‧‧‧第一表面保護膜
20‧‧‧第二偏光板
21‧‧‧第二偏光子
23‧‧‧第二內側保護膜
24‧‧‧第二外側保護膜
25‧‧‧第二黏著層
26‧‧‧第二弱黏著層
27‧‧‧第二表面保護膜
41,41’‧‧‧背面側基板
42,42’‧‧‧顯示面側基板
43,43’‧‧‧液晶層
51‧‧‧第一離模膜
52‧‧‧第二離模膜
61‧‧‧第一偏光板原板
62‧‧‧第二偏光板原板
130‧‧‧切斷機構
140‧‧‧刀刃
150a‧‧‧貼附輥子
150b‧‧‧支持輥子
230‧‧‧切斷機構附步驟
240‧‧‧刀刃
250a‧‧‧貼附輥子
250b‧‧‧支持輥子
310‧‧‧光源
330‧‧‧CCD相機
411,421‧‧‧玻璃基板
412‧‧‧TFT
413‧‧‧層間絕緣膜
414,424‧‧‧透明電極(像素電極)
415,425‧‧‧配向膜
416‧‧‧共通電極
422‧‧‧濾色器
431,431’‧‧‧液晶分子
S1‧‧‧第一偏光板原板準備步驟
S2‧‧‧第一切斷步驟
S3‧‧‧積層步驟
S3a‧‧‧第一偏光板貼步驟
S3b‧‧‧第二偏光板貼附步驟
S4‧‧‧第二偏光板原板準備
S5‧‧‧第二切斷步驟
S7‧‧‧檢查步驟
X‧‧‧液晶胞元積層體
Y‧‧‧液晶顯示面板
第1圖係實施形態1所製造之液晶顯示面板之截面模式圖。
第2圖係顯示實施形態1之液晶顯示裝置之製造方法之實施形態的流程圖。
第3圖係顯示實施形態1之液晶顯示裝置之製造裝置的概略構成圖。
第4圖係放大顯示前述第3圖中第一偏光板原板準備步驟S1與第二切斷步驟S5之概略構成圖。
第5圖係放大顯示前述第3圖中第二偏光板原板準備步驟S4與第二切斷步驟S5之概略構成圖。
第6圖係放大顯示前述第3圖中之檢查步驟S7。
第7圖係顯示由第一偏光板原板準備步驟S1到第一偏光板貼附步驟S3a之間之具有第一偏光板之膜之構成的截面模式圖。
第8圖係顯示由第二偏光板原板準備步驟S4到第二偏光板貼附步驟S3b之間之具有第一偏光板之膜之構成的截面模式圖。
第9圖係實施形態2所製造之液晶顯示面板之截面模式圖。
第10圖係顯示測定CF基板及TFT基板之帶電容易性之結果之圖表。
4‧‧‧液晶胞元
41‧‧‧第一基板
42‧‧‧第二基板
51‧‧‧第一離模膜
52‧‧‧第二離模膜
61‧‧‧第一偏光板原板
62‧‧‧第二偏光板原板
130‧‧‧切斷機構
140‧‧‧刀刃
150a‧‧‧貼附輥子
150b‧‧‧支持輥子
230‧‧‧切斷機構附步驟
240‧‧‧刀刃
250a‧‧‧貼附輥子
250b‧‧‧支持輥子
310‧‧‧光源
330‧‧‧CCD相機
S1‧‧‧第一偏光板原板準備步驟
S2‧‧‧第一切斷步驟
S3‧‧‧積層步驟
S3a‧‧‧第一偏光板貼步驟
S3b‧‧‧第二偏光板貼附步驟
S4‧‧‧第二偏光板原板準備
S5‧‧‧第二切斷步驟
S7‧‧‧檢查步驟
X‧‧‧液晶胞元積層體
Y‧‧‧液晶顯示面板

Claims (14)

  1. 一種偏光板之積層方法,係於第一基板與第二基板之間具備液晶層之液晶胞元之表內兩面,積層相同或不同構成之偏光板,作為液晶顯示面板者,其中前述液晶胞元係前述第一基板比前述第二基板在帶電後難以電位衰減之構成,又,前述偏光板之積層方法包含:第一偏光板貼附步驟,係將捲繞成捲軸狀且於長狀之第一偏光板積層長狀之第一離模膜而成之第一偏光板原板由捲軸拉出,並且不切斷前述長狀之第一離模膜而以預定間隔切斷前述長狀之第一偏光板,依序形成第一切斷偏光板,並將依序形成之該第一切斷偏光板之各個重疊於依序供給之液晶胞元之前述第一基板上,使重疊之該第一切斷偏光板與液晶胞元挾持於第一加壓構件與第二加壓構件之間,且通過該第一加壓構件與第二加壓構件之間,藉此將前述第一切斷偏光板依序貼附於液晶胞元;及第二偏光板貼附步驟,係在該第一偏光板貼附步驟之後,將捲繞成捲軸狀且於長狀之第二偏光板積層長狀之第二離模膜而成之第二偏光板原板由捲軸拉出,並且不切斷前述長狀之第二離模膜而以預定間隔切斷前述長狀之第二偏光板,依序形成第二切斷偏光板,並將依序形成之該第二切斷偏光板之 各個重疊於貼附有前述第一切斷偏光板之前述液晶胞元之前述第二基板上,使重疊之前述第二切斷偏光板與液晶胞元挾持於第三加壓構件與第四加壓構件之間,且通過該第三加壓構件與第四加壓構件之間,藉此將前述第二切斷偏光板依序貼附於液晶胞元。
  2. 如申請專利範圍第1項之偏光板之積層方法,其中前述第一偏光板貼附步驟係將前述離模膜折疊,且從該離模膜依序剝離前述第一切斷偏光板,並將前述第一切斷偏光板依序貼附於依序供給之前述液晶胞元之前述第一基板的步驟,前述第二偏光板貼附步驟係將前述離模膜折疊,且從該離模膜依序剝離前述第二切斷偏光板,並將前述第二切斷偏光板依序貼附於依序供給之貼附有前述第一切斷偏光板之前述液晶胞元之前述第二基板的步驟。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之偏光板之積層方法,其中前述第一偏光板貼附步驟係隔著由前述離模膜剝離前述第一切斷偏光板而露出之前述第一切斷偏光板之第一黏著層,將前述第一切斷偏光板依序貼附於前述液晶胞元之前述第一基板的步驟,前述第二偏光板貼附步驟係隔著由前述離模膜剝離前述第二切斷偏光板而露出之前述第二切斷偏光板之第二黏著層,將前述第二切斷偏光板依序貼附於貼附有前述第一切斷偏光板之前述液晶胞元之前述第二基 板的步驟。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之偏光板之積層方法,其中前述第一切斷偏光板具有導電層。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之偏光板之積層方法,其中前述第二切斷偏光板具有導電層。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之偏光板之積層方法,其中前述導電層之表面電阻值為1.0×1012 Ω/□以下。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之偏光板之積層方法,其中前述開關元件為薄膜電晶體。
  8. 一種偏光板之積層系統,係於第一基板是比第二基板在帶電後難以電位衰減的構成之前述第一基板與前述第二基板之間具備液晶層之液晶胞元之表內兩面,積層相同或不同構成之偏光板,作為液晶顯示面板者,又,前述偏光板之積層系統包含:第一偏光板貼附裝置,係將捲繞成捲軸狀且於長狀之第一偏光板積層長狀之第一離模膜而成之第一偏光板原板由捲軸拉出,並且不切斷前述長狀之第一離模膜而以預定間隔切斷前述長狀之第一偏光板,依序形成第一切斷偏光板,並將依序形成之該第一切斷偏光板之各個重疊於依序供給之液晶胞元之前述第一基板上,使重疊之該第一切斷偏光板與液晶胞元挾持於第一加壓構件與第二加壓構件之間,且通過該第一加壓構件與第二加壓構件之間,藉此將前述第一切斷偏光板依序貼附於液晶胞元; 及第二偏光板貼附裝置,係配置於該第一偏光板貼附裝置之後段,將捲繞成捲軸狀且於長狀之第二偏光板積層長狀之第二離模膜而成之第二偏光板原板由捲軸拉出,並且不切斷前述長狀之第二離模膜而以預定間隔切斷前述長狀之第二偏光板,依序形成第二切斷偏光板,並將依序形成之該第二切斷偏光板之各個重疊於貼附有前述第一切斷偏光板之前述液晶胞元之前述第二基板上,使重疊之該第二切斷偏光板與液晶胞元挾持於第三加壓構件與第四加壓構件之間,且通過該第三加壓構件與第四加壓構件之間,藉此將前述第二切斷偏光板依序貼附於液晶胞元。
  9. 如申請專利範圍第8項之偏光板之積層系統,其中前述第一偏光板貼附裝置係構成為,將前述離模膜折疊且從該離模膜依序剝離前述第一切斷偏光板,並將前述第一切斷偏光板依序貼附於依序供給之前述液晶胞元之前述第一基板,前述第二偏光板貼附裝置係構成為,將前述離模膜折疊,且從該離模膜依序剝離前述第二切斷偏光板,並將前述第二切斷偏光板依序貼附於依序供給之貼附有前述第一切斷偏光板之前述液晶胞元之前述第二基板。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之偏光板之積層系統,其中前述第一偏光板貼附裝置係構成為,隔著由前述離模膜 剝離前述第一切斷偏光板而露出之前述第一切斷偏光板之第一黏著層,將前述第一切斷偏光板依序貼附於前述液晶胞元之前述第一基板,前述第二偏光板貼附裝置係構成為,隔著由前述離模膜剝離前述第二切斷偏光板而露出之前述第二切斷偏光板之第二黏著層,將前述第二切斷偏光板依序貼附於貼附有前述第一切斷偏光板之前述液晶胞元之前述第二基板。
  11. 如申請專利範圍第8或9項之偏光板之積層系統,其中前述第一切斷偏光板具有導電層。
  12. 如申請專利範圍第8或9項之偏光板之積層系統,其中前述第二切斷偏光板具有導電層。
  13. 如申請專利範圍第8或9項之偏光板之積層系統,其中前述導電層之表面電阻值為1.0×1012 Ω/□以下。
  14. 如申請專利範圍第8或9項之偏光板之積層系統,其中前述開關元件為薄膜電晶體。
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