TWI467604B - Electronic parts and manufacturing methods thereof - Google Patents
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Description
本發明係關於一種電子零件及其製造方法,尤其是關於一種內設線圈之電子零件及其製造方法。
習知電子零件,例如已知有專利文獻1記載之開磁路型積層線圈零件。圖8係專利文獻1記載之開磁路型積層線圈零件500的截面構造圖。
開磁路型積層線圈零件500,如圖8所示,具備積層體502及線圈L。積層體502係藉由積層複數個磁性體層而構成。線圈L為螺旋狀,係藉由連接複數個線圈導體506而構成。再者,開磁路型積層線圈零件500進一步具備非磁性體層504。非磁性體層504係以橫越線圈L之方式設於積層體502。
上述開磁路型積層線圈零件500中,在複數個線圈導體506周圍旋轉之磁通Φ
500通過非磁性體層504。其結果,可抑制在積層體502內磁通過度集中而產生磁氣飽和。其結果,開磁路型積層線圈零件500具有優異之直流重疊特性。
然而,開磁路型積層線圈零件500中,除了在複數個線圈導體506周圍旋轉之磁通Φ
500之外,亦存在有在各線圈導體506周圍旋轉之磁通Φ
502。此種磁通Φ
502亦成為在開磁路型積層線圈零件500產生磁氣飽和之原因。
專利文獻1:日本特開2005-259774號公報
因此,本發明之目的在於提供一種可抑制在各線圈導體周圍旋轉之磁通導致之磁氣飽和之產生之電子零件及其製造方法。
本發明一形態之電子零件之製造方法,其具有:形成積層體之步驟,該積層體內設有從積層方向俯視時複數個線圈導體在彼此重疊之狀態下連接構成之螺旋狀線圈,且係連續積層複數個第1單位層構成,該第1單位層係由具有第1之Ni含有率之第1絕緣體層,設於該第1絕緣體層上之該線圈導體,及具有高於該第1之Ni含有率之第2之Ni含有率、設於該第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分之第2絕緣體層構成;以及將該積層體燒成之步驟。
本發明一形態之電子零件,具備複數個單位層,該單位層係由一片片狀之第1絕緣體層、設於該第1絕緣體層上之線圈導體、及設於該第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分之第2絕緣體層構成,其特徵在於:藉由連續積層該複數個單位層以連接複數個該線圈導體構成螺旋狀線圈;在由該第1絕緣體層之該線圈導體從積層方向之兩側挾持之第1部分之Ni含有率低於在該第1絕緣體層之該第1部分以外之第2部分之Ni含有率;在該第2部分之Ni含有率低於在該第2絕緣體層之Ni含有率。
根據本發明,可抑制在各線圈導體周圍旋轉之磁通導致之磁氣飽和之產生。
以下,說明本發明實施形態之電子零件及其製造方法。
(電子零件之構成)
以下,參照圖式說明本發明一實施形態之電子零件。圖1係實施形態之電子零件10a~10d的立體圖。圖2係一實施形態之電子零件10a之積層體12a的分解立體圖。圖3係圖1之A-A線之電子零件10a的截面構造圖。圖2所示之積層體12a顯示燒成前之狀態。另一方面,圖3所示之電子零件10a顯示燒成後之狀態。以下,將電子零件10a之積層方向定義為z軸方向,將沿著電子零件10a之長邊之方向定義為x軸方向,將沿著電子零件10a之短邊之方向定義為y軸方向。x軸、y軸、z軸彼此正交。
電子零件10a,如圖1所示,具備積層體12a及外部電極14a,14b。積層體12a為長方體狀,內設有線圈L。外部電極14a,14b分別電氣連接於線圈L,設於彼此對向之積層體12a之側面。本實施形態中,外部電極14a,14b係設成覆蓋位於x軸方向兩端之二個側面。
積層體12a,如圖2所示,係由絕緣體層15a~15e,16a~16g,19a~19g、線圈導體18a~18g及導通孔導體b1~b6構成。絕緣體層15a~15e分別為長方形,係由Ni-Cu-Zn系肥粒鐵構成之一片片狀之磁性體層。絕緣體層15a~15c係以此順序積層於較設有線圈導體18a~18g之區域更偏z軸方向之正方向側,構成外層。又,絕緣體層15d,15e係以此順序積層於較設有線圈導體18a~18g之區域更偏z軸方向之負方向側,構成外層。
絕緣體層19a~19g,如圖2所示為長方形,為具有第1之Ni之絕緣體層。本實施形態中,絕緣體層19a~19g,係由不含Ni之Cu-Zn系肥粒鐵構成之非磁性體層。然而,絕緣體層19a~19g在燒成前雖為非磁性體層,但在燒成後部分成為磁性體層。此點將於後述。
線圈導體18a~18g,如圖2所示,係由Ag所構成之導電性材料構成,具有3/4匝數之長度,與導通孔導體b1~b6一起構成線圈L。線圈導體18a~18g係分別設於絕緣體層19a~19g上。又,線圈導體18a之一端,在絕緣體層19a上係引出至x軸方向之負方向側之邊,構成引出導體。線圈導體18a之一端係連接於圖1之外部電極14a。線圈導體18g之一端,在絕緣體層19g上係引出至x軸方向之正方向側之邊,構成引出導體。線圈導體18g之一端係連接於圖1之外部電極14b。又,線圈導體18a~18g,從z軸方向俯視時,彼此重疊形成一個長方形之環。
導通孔導體b1~b6,如圖2所示,在z軸方向貫通絕緣體層19a~19f,連接在z軸方向相鄰之線圈導體18a~18g。具體而言,導通孔導體b1連接線圈導體18a之另一端與線圈導體18b之一端。導通孔導體b2連接線圈導體18b之另一端與線圈導體18c之一端。導通孔導體b3連接線圈導體18c之另一端與線圈導體18d之一端。導通孔導體b4連接線圈導體18d之另一端與線圈導體18e之一端。導通孔導體b5連接線圈導體18e之另一端與線圈導體18f之一端。導通孔導體b6連接線圈導體18f之另一端與線圈導體18g之另一端(又,如上述線圈導體18g之一端為引出導體)。以上述方式,線圈導體18a~18g及導通孔導體b1~b6構成具有在z軸方向延伸之線圈軸之螺旋狀線圈L。
絕緣體層16a~16g,如圖2所示,係分別設於絕緣體層19a~19g上線圈導體18a~18g以外之部分。因此,絕緣體層19a~19g之主面被絕緣體層16a~16g及線圈導體18a~18g覆蓋。再者,絕緣體層16a~16g及線圈導體18a~18g之主面分別構成一個平面,成為面高相同。又,絕緣體層16a~16g係具有高於第1之Ni含有率之第2之Ni含有率之絕緣體層。亦即,本實施形態中,絕緣體層16a~16g係由Ni-Cu-Zn系肥粒鐵構成之磁性體層。
此處,絕緣體層19a~19g之厚度薄於絕緣體層16a~16g之厚度。具體而言,絕緣體層19a~19g之厚度為5μm以上15μm以下,相對於此,絕緣體層16a~16g之厚度為25μm。
以上述方式構成之絕緣體層16a~16g,19a~19g及線圈導體18a~18g分別構成單位層17a~17g。此外,單位層17a~17g係以此順序連續積層於絕緣體層15a~15c與絕緣體層15d,15e之間。藉此,構成積層體12a。
將上述積層體12a燒成,形成外部電極14a,14b,則電子零件10a具有圖3所示之截面構造。具體而言,在積層體12a之燒成時,絕緣體層19a~19g之一部分中之Ni含有率高於第1之Ni含有率。亦即,絕緣體層19a~19g之一部分從非磁性體層變化成磁性體層。
更詳細而言,如圖3所示,電子零件10a中,絕緣體層19a~19g包含第1部分20a~20f及第2部分22a~22g。第1部分20a~20f係在絕緣體層19a~19f由線圈導體18a~18g從z軸方向之兩側挾持之部分。具體而言,第1部分20a係在絕緣體層19a由線圈導體18a與線圈導體18b挾持之部分。第1部分20b係在絕緣體層19b由線圈導體18b與線圈導體18c挾持之部分。第1部分20c係在絕緣體層19c由線圈導體18c與線圈導體18d挾持之部分。第1部分20d係在絕緣體層19d由線圈導體18d與線圈導體18e挾持之部分。第1部分20e係在絕緣體層19e由線圈導體18e與線圈導體18f挾持之部分。第1部分20f係在絕緣體層19f由線圈導體18f與線圈導體18g挾持之部分。又,第2部分22a~22g係在絕緣體層19a~19f上第1部分20a~20f以外之部分。然而,在絕緣體層19g不存在第1部分20g,僅存在第2部分22g。其原因在於,絕緣體層19g較位於z軸方向之最負方向側之線圈導體18g更位於z軸方向之負方向側。
在第1部分20a~20f之Ni含有率低於在第2部分22a~22g之Ni含有率。本實施形態中,在第1部分20a~20f不含Ni。因此,第1部分20a~20f係非磁性體層。另一方面,在第2部分22a~22g含有Ni。因此,第2部分22a~22g係磁性體層。又,在第2部分22a~22g之Ni含有率低於在絕緣體層16a~16g之Ni含有率。
(電子零件之製造方法)
以下,參照圖式說明電子零件10a的製造方法。又,以下說明同時作成複數個電子零件10a時之電子零件10a的製造方法。
首先,準備應成為圖2之絕緣體層19a~19g的陶瓷坯片。具體而言,將以既定比例稱量後的氧化鐵(Fe2
O3
)、氧化鋅(ZnO)、及氧化銅(CuO)等各材料作為原材料投入球磨機,進行濕式調合。將得到的混合物乾燥後粉碎,將得到的粉末在800℃下預燒1小時。將得到的預燒粉末用球磨機進行濕式粉碎後,乾燥後粉碎,得到肥粒鐵陶瓷粉末。
對該肥粒鐵陶瓷粉末添加結合劑(乙酸乙烯酯、水溶性丙烯酸等)、可塑劑、濕潤劑、分散劑,用球磨機進行混合,之後藉由減壓進行脫泡。將得到的陶瓷漿料使用刮刀法在載體片上形成為片材狀,並使其乾燥,製作出應成為絕緣體層19a~19g的陶瓷坯片。
接著,準備應成為圖2之絕緣體層15a~15e的陶瓷坯片。具體而言,將以既定比例稱量後的氧化鐵(Fe2
O3
)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎳(NiO)及氧化銅(CuO)等各材料作為原材料投入球磨機,進行濕式調合。將得到的混合物乾燥後粉碎,將得到的粉末在800℃下預燒1小時。將得到的預燒粉末用球磨機進行濕式粉碎後,乾燥後粉碎,得到肥粒鐵陶瓷粉末。
對該肥粒鐵陶瓷粉末添加結合劑(乙酸乙烯酯、水溶性丙烯酸等)、可塑劑、濕潤劑、分散劑,用球磨機進行混合,之後藉由減壓進行脫泡。將得到的陶瓷漿料使用刮刀法在載體片上形成為片材狀,並使其乾燥,製作出應成為絕緣體層15a~15e的陶瓷坯片。
接著,準備應成為圖2之絕緣體層16a~16g的陶瓷層的陶瓷漿料。具體而言,將以既定比例稱量後的氧化鐵(Fe2
O3
)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎳(NiO)及氧化銅(CuO)等各材料作為原材料投入球磨機,進行濕式調合。將得到的混合物乾燥後粉碎,將得到的粉末在800℃下預燒1小時。將得到的預燒粉末用球磨機進行濕式粉碎後,乾燥後粉碎,得到肥粒鐵陶瓷粉末。
對該肥粒鐵陶瓷粉末添加結合劑(乙酸乙烯酯、水溶性丙烯酸等)、可塑劑、濕潤劑、分散劑,用球磨機進行混合,之後藉由減壓進行脫泡,得到應成為絕緣體層16a~16g的陶瓷層的陶瓷漿料。
接著,如圖2所示,在應成為絕緣體層19a~19f的陶瓷坯片分別形成導通孔導體b1~b6。具體而言,對應成為絕緣體層19a~19f的陶瓷坯片照射雷射光束形成導通孔。接下來,使用印刷塗布等方法在該導通孔填充Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等的導電性糊。
接著,如圖2所示,在應成為絕緣體層19a~19g的陶瓷坯片上形成線圈導體18a~18g。具體而言,在應成為絕緣體層19a~19g的陶瓷坯片上用網版印刷法或光微影法等方法塗布將Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等作為主要成分的導電性糊,以形成線圈導體18a~18g。此外,形成線圈導體18a~18g之步驟與對導通孔填充導電性糊之步驟,在相同步驟進行亦可。
接著,如圖2所示,在應成為絕緣體層19a~19g的陶瓷坯片上之線圈導體18a~18g以外之部分形成應成為絕緣體層16a~16g的陶瓷坯片層。具體而言,用網版印刷法或光微影法等方法塗布陶瓷糊,形成應成為絕緣體層16a~16g的陶瓷坯片層。藉由以上步驟,形成應成為圖2所示之單位層17a~17g的陶瓷坯片層。
接著,如圖2所示,依照應成為絕緣體層15a~15c的陶瓷坯片、應成為單位層17a~17g的陶瓷坯片層及應成為絕緣體層15d,15e的陶瓷坯片之順序並排積層、壓接,以獲得未燒成之母積層體。應成為絕緣體層15a~15c的陶瓷坯片、應成為單位層17a~17g的陶瓷坯片層及應成為絕緣體層15d,15e的陶瓷坯片之積層、壓接,在逐一積層進行預壓接後,藉由靜水壓加壓對未燒成之母積層體進行加壓以進行正式壓接。
此外,在積層時,在z軸方向連續積層應成為單位層17a~17g的陶瓷坯片層,藉此形成線圈L。藉此,如圖2所示,在未燒成之母積層體,線圈導體18a~18g與絕緣體層19a~19g在z軸方向交互排列。
接著,藉由切刀將母積層體切割成既定尺寸(2.5mm×2.0mm×1.0mm)之積層體12a。藉此獲得未燒成之積層體12a。對該未燒成之積層體12a進行脫結合劑處理及燒成。脫結合劑處理,例如在低氧環境氣氛中以500℃ 2小時之條件進行。燒成,例如以870℃~900℃ 2.5小時之條件進行。
在燒成時,產生Ni從絕緣體層15c,16a~16g,15d至絕緣體層19a~19g之擴散。更詳細而言,如圖3所示,絕緣體層19a~19g之第2部分22a~22g與含有Ni之絕緣體層15c,16a~16g,15d接觸,因此在第2部分22a~22g,Ni從絕緣體層15c,16a~16g,15d擴散而來。因此,第2部分22a~22g成為磁性體層。然而,在第2部分22a~22g之Ni含有率低於在絕緣體層15c,16a~16g,15d之第2之Ni含有率。
另一方面,絕緣體層19a~19f之第1部分20a~20f與絕緣體層15c,16a~16g,15d不接觸,因此在第1部分20a~20f,Ni不會從絕緣體層15c,16a~16g,15d擴散而來。因此,第1部分20a~20f仍為非磁性體層。此外,第1部分20a~20f原則上不含Ni,但有可能含有透過第2部分22a~22g擴散而來之Ni。因此,第1部分20a~20f含有不帶磁性程度之稀少量之Ni亦可。
藉由以上步驟,獲得燒成後之積層體12a。對積層體12a施加筒式加工,進行去角。之後,在積層體12a的表面上,例如使用浸漬法等方法塗布及燒接主要成分為銀的電極糊,形成應成為外部電極14a,14b之銀電極。銀電極之燒接在800℃下進行60分鐘。
最後,在銀電極的表面實施鍍鎳(Ni)/鍍錫(Sn),形成外部電極14a,14b。經過以上的步驟,完成圖1所示的電子零件10a。
(效果)
電子零件10a及其製造方法中,如以下說明,可抑制在各線圈導體18a~18f周圍旋轉之磁通導致之磁氣飽和之產生。更詳細而言,電流流過電子零件10a之線圈L後,產生圖3所示之在線圈導體18a~18f整體周圍旋轉之具有相對較長磁路之磁通Φ
1,且產生在各線圈導體18a~18f周圍旋轉之具有相對較短磁路之磁通Φ
2(圖3中,僅記載在線圈導體18d周圍產生之磁通Φ
2)。此外,磁通Φ
2與磁通Φ
1相同地,成為在電子零件10a產生磁氣飽和之原因。
因此,以上述製造方法製作之電子零件10a中,在絕緣體層19a~19f,由線圈導體18a~18g從z軸方向之兩側挾持之第1部分20a~20f成為非磁性體層。因此,在各線圈導體18a~18f周圍旋轉之磁通Φ
2,通過非磁性體層之第1部分20a~20f。因此,可抑制磁通Φ
2之磁通密度過高在電子零件10a產生磁氣飽和。其結果,可提升電子零件10a之直流重疊特性。
本申請發明人為了使電子零件10a及其製造方法所達成之效果更明確,進行以下說明之電腦模擬。具體而言,製作與電子零件10a相當之第1模型,且製作以電子零件10a之絕緣體層19a~19g為磁性體層之第2模型。模擬條件如下。
線圈L之匝數:8.5匝數
電子零件之尺寸:2.5mm×2.0mm×1.0mm
絕緣體層19a~19g之厚度:10μm
圖4係顯示模擬結果的圖表。縱軸表示電感值,橫軸表示電流值。根據圖4,即使第1模型之電流值大於第2模型,電感值之減少亦緩慢。亦即,可知第1模型具有優於第2模型之直流重疊特性。此意味著第2模型較第1模型易於產生在各線圈電極旋轉之磁通導致之磁氣飽和。根據上述,可知電子零件10a及其製造方法可抑制在各線圈導體18a~18f周圍旋轉之磁通Φ
2導致之磁氣飽和之產生。
又,電子零件10a及其製造方法中,非磁性體層僅為由線圈電極18a~18f挾持之第1部分20a~20f。因此,在線圈電極18a~18f旋轉之磁通Φ
1不會通過非磁性體層。因此,電子零件10a中,可獲得大的電感值。
再者,電子零件10a及其製造方法中,可高精度形成非磁性體層之第1部分20a~20f。更詳細而言,在一般電子零件中,作為在由線圈導體挾持之部分形成非磁性體層之方法,例如可考慮在由線圈導體挾持之部分印刷非磁性體之糊。
然而,印刷非磁性體之糊之方法之情形,由於印刷偏移或積層偏移,會有非磁性體層從由線圈導體挾持之部分露出之虞。如上述,若非磁性體層從由線圈導體挾持之部分露出,則會有妨礙在線圈導體整體旋轉之具有較長磁路之磁通之虞。亦即,所欲磁通以外之磁通亦通過非磁性體層。
另一方面,上述電子零件10a及其製造方法中,製作積層體12a後,在燒成時形成非磁性體層之第1部分20a~20f。因此,不會因印刷偏移或積層偏移,第1部分20a~20f從由線圈導體18a~18f挾持之部分露出。其結果,電子零件10a及其製造方法中,可高精度形成非磁性體層之第1部分20a~20f。其結果,可抑制所欲磁通Φ
2以外之磁通Φ
1通過非磁性體層。
又,電子零件10a中,單位層17a~17g以此順序連續積層於絕緣體層15a~15c與絕緣體層15d,15e之間。藉此,非磁性體層僅設於由線圈導體18a~18g挾持之第1部分20a~20f。此外,不存在橫越線圈L之非磁性體層。
又,電子零件10a及其製造方法中,較佳為絕緣體層19a~19g之厚度為5μm以上15μm以下。絕緣體層19a~19g之厚度小於5μm時,不易製作應成為絕緣體層19a~19g之陶瓷坯片。另一方面,絕緣體層19a~19g之厚度大於15μm時,Ni不會充分擴散,不易使第2部分22a~22g成為磁性體層。
此外,電子零件10a中,不存在橫越線圈L之非磁性體層。然而,電子零件10a中,在第1部分20a~20f以外之部分存在非磁性體層亦可。藉此,可調整電子零件之直流重疊特性,或調整電感值。以下,針對在第1部分20a~20f以外之部分設置非磁性體層之變形例之電子零件進行說明。
(第1變形例)
以下,參照圖式說明第1變形例之電子零件10b及其製造方法。圖5係第1變形例之電子零件10b的截面構造圖。圖5中,為了避免圖式複雜,省略一部分與圖3相同構成之參照符號。
電子零件10a與電子零件10b之不同點在於,電子零件10b中使用非磁性體層之絕緣體層24d替代磁性體層之絕緣體層16d。藉此,非磁性體層之絕緣體層24d橫越線圈L。其結果,電子零件10b中,可抑制磁通Φ
1導致之磁氣飽和之產生。
此外,作為電子零件10b之製造方法,在應成為絕緣體層19d之陶瓷坯片形成導通孔導體b4。導通孔導體b4之形成方法已進行說明,因此省略。
接著,在應成為絕緣體層19d之陶瓷坯片上形成線圈導體18d。線圈導體18d之形成方法已進行說明,因此省略。
接著,在應成為絕緣體層19d的陶瓷坯片上之線圈導體18d以外之部分形成應成為絕緣體層24d的陶瓷坯片層。具體而言,用網版印刷法或光微影法等方法塗布非磁性之陶瓷糊,形成應成為絕緣體層24d的陶瓷坯片層。藉由以上步驟,形成應成為單位層26d的陶瓷坯片層。
接著,依照應成為絕緣體層15a~15c的陶瓷坯片、應成為單位層17a~17c,26d,17e~17g的陶瓷坯片層及應成為絕緣體層15d,15e的陶瓷坯片之順序並排積層、壓接,以獲得未燒成之母積層體。電子零件10b之製造方法中其他步驟與電子零件10a之製造方法中其他步驟相同,因此省略說明。
(第2變形例)
以下,參照圖式說明第2變形例之電子零件10c及其製造方法。圖6係第2變形例之電子零件10c的截面構造圖。圖6中,為了避免圖式複雜,省略一部分與圖3相同構成之參照符號。
電子零件10a與電子零件10c之不同點在於,電子零件10c中使用非磁性體層之絕緣體層28b,28f及磁性體層之絕緣體層30b,30f替代磁性體層之絕緣體層16b,16f。亦即,電子零件10c中,在線圈L之外側設置非磁性體層之絕緣體層28b,28f。藉此,磁通Φ
1通過非磁性體層之絕緣體層30b,30f,電子零件10c中,可抑制磁通Φ
1導致之磁氣飽和之產生。
此外,作為電子零件10c之製造方法,在應成為絕緣體層19b,19f之陶瓷坯片形成導通孔導體b2,b6。導通孔導體b2,b6之形成方法已進行說明,因此省略。
接著,在應成為絕緣體層19b,19f之陶瓷坯片上形成線圈導體18b,18f。線圈導體18b,18f之形成方法已進行說明,因此省略。
接著,在應成為絕緣體層19b的陶瓷坯片上之線圈導體18b以外之部分形成應成為絕緣體層28b,30b的陶瓷坯片層。又,在應成為絕緣體層19f的陶瓷坯片上之線圈導體18f以外之部分形成應成為絕緣體層28f,30f的陶瓷坯片層。具體而言,在較應成為絕緣體層19b,19f之陶瓷坯片上之線圈導體18b,18f外側之部分形成絕緣體層28b,28f,在較應成為絕緣體層19b,19f之陶瓷坯片上之線圈導體18b,18f內側之部分形成絕緣體層30b,30f。應成為絕緣體層28b,28f之陶瓷坯片層係由非磁性之陶瓷糊(亦即,不含Ni之陶瓷糊)構成,應成為絕緣體層30b,30f之陶瓷坯片層係由磁性之陶瓷糊(亦即,含有Ni之陶瓷糊)構成。接著,用網版印刷法或光微影法等方法塗布磁性及非磁性之陶瓷糊,形成應成為絕緣體層28b,28f,30b,30f的陶瓷坯片層。藉由以上步驟,形成應成為單位層32b,32f的陶瓷坯片層。
接著,依照應成為絕緣體層15a~15c的陶瓷坯片、應成為單位層17a,32b,17c~17e,32f,17g的陶瓷坯片層及應成為絕緣體層15d,15e的陶瓷坯片之順序並排積層、壓接,以獲得未燒成之母積層體。電子零件10c之製造方法中其他步驟與電子零件10a之製造方法中其他步驟相同,因此省略說明。
(第3變形例)
以下,參照圖式說明第3變形例之電子零件10d及其製造方法。圖7係第3變形例之電子零件10d的截面構造圖。圖7中,為了避免圖式複雜,省略一部分與圖3相同構成之參照符號。
電子零件10a與電子零件10d之第1不同點在於,電子零件10d中使用磁性體層之絕緣體層34b及非磁性體層之絕緣體層36b替代磁性體層之絕緣體層16b。又,電子零件10a與電子零件10d之第2不同點在於,電子零件10d中使用非磁性體層之絕緣體層28f及磁性體層之絕緣體層30f替代磁性體層之絕緣體層16f。
電子零件10d中,在線圈L之內側設置非磁性體層之絕緣體層36b,在線圈L之外側設置非磁性體層之絕緣體層28f。藉此,磁通Φ
1通過非磁性體層之絕緣體層36b,28f,電子零件10d中,可抑制磁通Φ
1導致之磁氣飽和之產生。
此外,作為電子零件10d之製造方法,在應成為絕緣體層19b,19f之陶瓷坯片形成導通孔導體b2,b6。導通孔導體b2,b6之形成方法已進行說明,因此省略。
接著,在應成為絕緣體層19b,19f之陶瓷坯片上形成線圈導體18b,18f。線圈導體18b,18f之形成方法已進行說明,因此省略。
接著,在應成為絕緣體層19b的陶瓷坯片上之線圈導體18b以外之部分形成應成為絕緣體層34b,36b的陶瓷坯片層。又,在應成為絕緣體層19f的陶瓷坯片上之線圈導體18f以外之部分形成應成為絕緣體層28f,30f的陶瓷坯片層。具體而言,在較應成為絕緣體層19b之陶瓷坯片上之線圈導體18b外側之部分形成絕緣體層34b,在較應成為絕緣體層19b之陶瓷坯片上之線圈導體18b內側之部分形成絕緣體層36b。又,在較應成為絕緣體層19f之陶瓷坯片上之線圈導體18f外側之部分形成絕緣體層28f,在較應成為絕緣體層19f之陶瓷坯片上之線圈導體18f內側之部分形成絕緣體層30f。應成為絕緣體層28f,36b之陶瓷坯片層係由非磁性之陶瓷糊(亦即,不含Ni之陶瓷糊)構成,應成為絕緣體層30f,34b之陶瓷坯片層係由磁性之陶瓷糊(亦即,含有Ni之陶瓷糊)構成。接著,用網版印刷法或光微影法等方法塗布磁性及非磁性之陶瓷糊,形成應成為絕緣體層28f,30f,34b,36b的陶瓷坯片層。藉由以上步驟,形成應成為單位層38b,32f的陶瓷坯片層。
接著,依照應成為絕緣體層15a~15c的陶瓷坯片、應成為單位層17a,38b,17c~17e,32f,17g的陶瓷坯片層及應成為絕緣體層15d,15e的陶瓷坯片之順序並排積層、壓接,以獲得未燒成之母積層體。電子零件10d之製造方法中其他步驟與電子零件10a之製造方法中其他步驟相同,因此省略說明。
此外,電子零件10a~10d雖藉由逐次壓接工法製作,但例如藉由印刷工法製作亦可。
本發明有用於電子零件及其製造方法,尤其是在可抑制在各線圈導體周圍旋轉之磁通導致之磁氣飽和之產生之點優異。
L‧‧‧線圈
b1~b6‧‧‧導通孔導體
10a~10d‧‧‧電子零件
12a~12d‧‧‧積層體
14a,14b‧‧‧外部電極
15a~15e,16a~16g,19a~19g,24d,28b,28f,30b,30f,34b,36b‧‧‧絕緣體層
17a~17g,26d,32b,32f,38b‧‧‧單位層
18a~18g‧‧‧線圈導體
20a~20f‧‧‧第1部分
22a~22g‧‧‧第2部分
圖1係實施形態之電子零件的立體圖。
圖2係一實施形態之電子零件之積層體的分解立體圖。
圖3係圖1之A-A線之電子零件的截面構造圖。
圖4係顯示模擬結果的圖表。
圖5係第1變形例之電子零件的截面構造圖。
圖6係第2變形例之電子零件的截面構造圖。
圖7係第3變形例之電子零件的截面構造圖。
圖8係專利文獻1記載之開磁路型積層線圈零件的截面構造圖。
L...線圈
b1~b6...導通孔導體
12a...積層體
15a~15e,16a~16g,19a~19g...絕緣體層
17a~17g...單位層
18a~18g...線圈導體
Claims (9)
- 一種電子零件之製造方法,其具有:形成積層體之步驟,該積層體內設有從積層方向俯視時複數個線圈導體在彼此重疊之狀態下連接構成之螺旋狀線圈,且係連續積層複數個第1單位層構成,該第1單位層係由具有第1之Ni含有率之第1絕緣體層,設於該第1絕緣體層上之該線圈導體,及具有高於該第1之Ni含有率之第2之Ni含有率、設於該第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分之第2絕緣體層構成;以及將該積層體燒成之步驟;在將該積層體燒成之步驟之後,在由該第1絕緣體層之該線圈導體從積層方向之兩側挾持之第1部分之Ni含有率低於在該第1絕緣體層之該第1部分以外之第2部分之Ni含有率。
- 如申請專利範圍第1項之電子零件之製造方法,其中,該形成積層體之步驟,作為形成該第1單位層之步驟,包含:準備片狀之該第1絕緣體層之步驟;在該第1絕緣體層上形成該線圈導體之步驟;以及在該第1絕緣體層上形成該第2絕緣體層之步驟。
- 如申請專利範圍第2項之電子零件之製造方法,其中,該形成積層體之步驟進一步包含藉由在積層方向連續積層該第1單位層以形成該線圈之步驟。
- 如申請專利範圍第2項之電子零件之製造方法,其 中,該形成積層體之步驟,作為形成第2單位層之步驟,進一步包含:準備片狀之該第1絕緣體層之步驟;在該第1絕緣體層上形成該線圈導體之步驟;以及在該第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分形成具有該第1之Ni含有率之第3絕緣體層之步驟;該形成積層體之步驟進一步包含積層該第1單位層及該第2單位層之步驟。
- 如申請專利範圍第2項之電子零件之製造方法,其中,該形成積層體之步驟,作為形成第3單位層之步驟,進一步包含:準備片狀之該第1絕緣體層之步驟;在該第1絕緣體層上形成該線圈導體之步驟;以及在相同之該第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分形成具有該第1之Ni含有率之第4絕緣體層及具有該第2之Ni含有率之第5絕緣體層之步驟;該形成積層體之步驟進一步包含積層該第1單位層及該第3單位層之步驟。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項之電子零件之製造方法,其中,該第1絕緣體層之厚度薄於該第2絕緣體層之厚度。
- 如申請專利範圍第6項之電子零件之製造方法,其中,該第1絕緣體層之厚度為5μm以上15μm以下。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項之電子零件之製 造方法,其中,該第1絕緣體層為不含有Ni之非磁性體層。
- 一種電子零件,具備複數個單位層,該單位層係由一片片狀之第1絕緣體層、設於該第1絕緣體層上之線圈導體、及設於該第1絕緣體層上之該線圈導體以外之部分之第2絕緣體層構成,其特徵在於:藉由連續積層該複數個單位層以連接複數個該線圈導體構成螺旋狀線圈;在由該第1絕緣體層之該線圈導體從積層方向之兩側挾持之第1部分之Ni含有率低於在該第1絕緣體層之該第1部分以外之第2部分之Ni含有率;在該第2部分之Ni含有率低於在該第2絕緣體層之Ni含有率。
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