TWI467350B - 量測產品之位置的方法、對準系統、光微影裝置、產品及器件製造 - Google Patents

量測產品之位置的方法、對準系統、光微影裝置、產品及器件製造 Download PDF

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Description

量測產品之位置的方法、對準系統、光微影裝置、產品及器件製造方法
本發明係關於一種上面具有對準標記之產品及一種對準產品之方法。一實施例係關於一種用於製造器件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向("掃描"方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
基板及圖案化器件需要在曝光期間經極精確地對準。已知的係為此目的而在基板及/或圖案化器件上提供光學對準標記。一已知對準標記具有依據位置而週期性地變化之反射性質，使得標記可用作光學光柵。當使用具有約0.6 微米之波長之光來量測位置時，該光柵之週期可為(例如)十六微米。光學系統藉由自此光柵使用選定繞射級而形成繞射光之影像來量測基板及/或圖案化器件之位置。在簡單對準標記中，藉由一個高反射區域(例如，金屬)及一個低反射區域(例如，氧化物)(例如，在每一週期中之一個八微米寬之金屬區域及一個八微米寬之氧化物區域)來實現週期性變化之每一週期。
可使用兩個該等對準標記，在一對準標記中，週期性區域沿著晶圓之表面在第一方向(X軸)上重複，且在一對準標記中，週期性區域沿著晶圓之表面在第二方向(Y軸)上重複。此外，通常以兩個波長之光來執行對準量測。
然而，具有由兩個均質區域組成之週期的對準標記趨向於利用比現代積體電路中之軌道之尺寸大得多的尺寸之均質區域。作為回應，有可能自更精細線路在對準標記之每一週期中建構不同區域。自Henry Megens等人之Metrology,Inspection and Process Control for Microlithography XXI(Chas N.Archie editor)Proc SPIE Vol 6518中的名為"Advances in Process overlay-Alignment Solutions for Future Technology Nodes"的文章，已知一種對準標記，其中週期性結構交替地包含具有沿著第一方向引導之精細導電軌道的第一區域及具有沿著垂直於第一方向之第二方向引導之精細導電軌道的第二區域。使此等導電軌道之間的距離小於用以量測對準標記之位置之光的波長。
該等線路圖案導致有線柵格偏振效應，藉以分別主要地反射及透射具有平行於及垂直於軌道之電場分量之光的偏振分量。因為軌道之方向在對準標記中交替，所以該對準標記針對各別偏振分量而提供週期性變化之反射性質之間的偏移。因為方向之變化圖案引起繞射，所以方向圖案擔當在不同角度下產生不同繞射級之繞射光柵。來自此等繞射級之光用以量測對準標記之位置。
不幸地，此類型之對準標記與使用成對繞射級之繞射成像技術的使用不相容。該成像技術之實例為偶極照明方法。在偶極照明方法中，光在相對於照明系統之光軸之斜入射角下落於光罩上。具有斜入射角之光將產生具有大繞射角之透射繞射級。投影系統可經組態以僅捕捉零及第一透射繞射級，且將其投影於建構光柵之影像的抗蝕劑層上。若光柵線路垂直於含有光軸及入射光束之波向量之入射平面，則光柵之清晰影像將形成於抗蝕劑層上。但若光柵線路平行於此入射平面，則光柵之不良解析影像將形成於抗蝕劑層上。不良影像導致具有不同參數之光柵或根本無光柵。若對準標記週期由在方向上垂直之次波長線路組成，則在一方向上之線路將經良好地解析且在垂直方向上之線路將不在偶極或偏振照明下經解析。當使用在X及Y方向上之對準標記(其除了旋轉超過九十度以外為相同的)時，相同偏振分量不能用以量測X及Y標記兩者之位置。
需要提供一種具有對準標記之產品，對準標記針對可選 擇繞射級之輻射之不同偏振分量而允許自精細線路圖案的空間變化之反射性質。
根據本發明之一態樣，提供一種量測產品之位置的方法，方法包含：- 發射電磁輻射朝向產品之表面處的對準標記；- 收集由對準標記所繞射之輻射；- 自繞射輻射之相位關係判定位置資訊，其中對準標記包含在順次軌道之間具有間距之相互平行導體軌道集合，自其收集繞射輻射，集合中之軌道之間距依據沿著產品之表面之位置而變化，發生該輻射之經收集繞射所沿著之角度視集合中之軌道之間距依據位置的變化圖案而定。
根據本發明之一態樣，提供一種對準系統，對準系統包含：- 電磁輻射源，電磁輻射源經組態以發射電磁輻射；- 待對準產品，產品包含用於接收輻射之對準標記，對準標記包含在順次軌道之間具有間距之相互平行導體軌道集合，集合中之軌道之間距依據沿著產品之表面之位置而變化，發生輻射之經收集繞射所沿著之角度視集合中之軌道之間距依據位置的變化圖案而定；- 偵測器，偵測器經組態以自對準標記所繞射之電磁輻射成像來自選定繞射級之光。
根據本發明之一態樣，提供一種包含該對準系統之光微影裝置，其中產品為半導體晶圓。
根據本發明之一態樣，提供一種包含對準標記之產品，對準標記包含在順次軌道之間具有間距之相互平行導體軌道集合，集合中之軌道之間距依據沿著產品之表面之位置而變化，發生繞射所沿著之角度視間距依據位置的變化圖案而定。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包含：- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節電磁輻射光束B(例如，在可見、UV或EUV波長範圍內)；- 支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件之第一***PM；- 基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位基板之第二***PW；及- 投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。支撐結構以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用均與更通用之術語"圖案化器件"同義。
本文所使用之術語"圖案化器件"應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語"投影系統"應被廣泛地解釋為涵蓋任 何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語"投影透鏡"之任何使用均與更通用之術語"投影系統"同義。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。或者，裝置可為透射類型(例如，使用透射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在該等"多平台"機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語"浸沒"不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射器時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束借助於包含(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明 器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且由圖案化器件圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二***PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一***PM及另一位置感測器IF1可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位光罩MA。一般而言，可借助於形成第一***PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二***PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定 的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移 動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
第一***PM及/或另一位置感測器IF1利用微影裝置中之光學量測系統及基板W及/或圖案化器件M上之對準標記。圖2展示包含光源20及相位相干偵測器22之光學量測系統。在操作中，光源20將光(或更通常為電磁輻射)供應至產品26(基板W或圖案化器件M)上之對準標記24。對準標記24之鏡面反射效率依據對準標記24之表面上之位置而變化。結果，光自對準標記24繞射。繞射光由相位相干偵測器22收集。相位相干偵測器22選擇來自兩個各別繞射級之光，且使用選定反射級來形成對準標記之影像。因此，影像之強度變化視來自選定繞射級之光之間的相位關係而定。舉例而言，自Ramon Navarro、Stefan Keij、Arne den Boef、Sicco Schets、Frank van Bilsen、Geert Simons、Ron Schuurhuis、Jaap Burghoom之在Proceedings of SPIE Vol.4344(2001)中所發表的名為"Extended ATHENATM alignment performance and application for the 100nm technology node"的文章，本身已知用於該等相位相干位置判定之技術。因為可在無該等技術之詳細認識的情況下理解本發明，所以此處將不對其進行詳細地解釋。
圖3展示對準標記之一實施例之一部分的俯視圖。此部分包含導電軌道30(藉由實例，僅標記少許)，其均定向於相同方向上。圖3a展示替代對準標記之一部分。軌道30之間距(亦即，順次軌道之開始之間的距離(軌道密度之倒數、每單位距離之軌道數目))依據位置而變化。可分別以第一間距值P1及第二間距值P2來辨別交替第一區域32及第二區域34。間距值之變化圖案(在此等圖之情況下為區域32、34之交替)導致用於量測之繞射。因此，代替軌道30之方向變化圖案，使用間距變化圖案來產生用於量測位置之可選擇繞射級。繞射角視此間距變化圖案之間距而定(亦即，區域充當光柵之個別條狀物)。個別軌道30之間距下伏於此圖案，且必要地小於區域32、34之圖案之間距。個別軌道有效地不用作繞射光柵之個別條狀物，以產生用於量測位置之可選擇繞射級。其效應因而較小，因為軌道之間距通常比輻射之波長小得多，且因為在相同間距下個別軌道之重複週期性不在較大區域內延伸。
選擇區域32、34中之軌道30之間距，以提供最多反射偏振分量，其分別在第一區域32及第二區域34中係不同的。通常，區域32、34之間的順次邊界之間的距離(亦即，區域之寬度)比用於位置量測之光的波長大得多(例如，為波長之至少十倍)。在波長為約0.5微米之實例中，可(例如)使用8微米之寬度，此導致16微米之週期性。順次軌道30之間的間距通常小於波長。
圖4以橫截面展示圖3之對準標記的側視圖。軌道30包含 嵌入於非導電材料層40中之導電材料。層40提供於基板42上，其可為具有或無部分經製造之電路結構之半導體晶圓。在一實施例中，軌道可包含諸如銅之金屬，且層40可由氧化矽或碳化矽製成。
圖5展示理論反射效率為一波長(紅光-633nm)及兩個不同偏振分量之光之間距的函數，其中光之電場分別平行於及垂直於軌道30。如可見，在小間距下，反射效率對於第一偏振分量係高，且對於第二分量係低。此對應於線柵格偏振效應。此外，可見，針對第一分量之反射效率，隨著增加之間距而下降至零或接近零，直到達到在最小值50下之間距值為止，在最小值50以上，效率上升至漸近值。相反地，針對第二分量之反射效率隨著增加之間距而增加，此達到在約於最小值50下之間距值下的峰值，其中針對第一分量之反射效率為零，此後，其下降至漸近值。針對第一分量及第二分量之反射效率在交叉間距值52下彼此交叉。
在一實施例中，對準標記之第一區域32中的間距具有對應於間距值之第一值，其中針對第一分量之反射效率在圖5中為零。在第二區域34中，間距具有良好地低於第一值之第二值。結果，實現對準標記，其中反射效率依據針對兩個偏振分量之位置而週期性地變化，但具有依據兩個偏振分量之間的位置的一半週期之相位偏移。
應注意，當間距不精確地等於第一值時(其中針對第一分量之反射效率為零)，亦可達到類似效應。第一區域32 及第二區域34中之間距之間的任何差均導致依據針對兩個偏振分量之位置的某反射效率變化。在一實施例中，第一區域32及第二區域34中之間距值在交叉間距值52之相互相反側上。因此，不同偏振分量將分別在第一區域32及第二區域34中具有最高反射效率。
圖5a展示針對兩個不同波長之光(紅光及綠光)的依據間距之理論反射效率。除了圖5中針對紅光所示之曲線以外，展示針對另一波長(綠光-533nm)之額外曲線(以正方形標記)。如可見，針對兩個波長之效應類似(除了最小值針對不同波長在不同間距值下發生以外)。在一實施例中，藉由將複數個波長用於自相同對準標記量測反射性質來執行位置量測。在此實施例中，可選擇不同區域及波長中之間距值，使得第一區域32及第二區域34中之間距值針對波長中之每一者在交叉間距值52之相互相反側上。如自圖5a可見，此對於具有在紅及綠範圍內之波長的光為可能的。然而，作為替代例或此外，可選擇其他波長。
儘管已展示所有導電軌道30之最長軸平行於第一區域32與第二區域34之間的邊界之實施例，但應瞭解，或者，長軸可垂直於該邊界(在九十度之角度下)(如圖3a所示)或在任何其他角度下橫向於邊界。角度及偶極方向(經由不同繞射級之方向向量的平面)可彼此對應地被選擇，使得偶極方向與長軸對準。平行於第一區域32與第二區域34之間的邊界所引導之導電軌道30之使用通常導致選擇使用任意長度之導電軌道30，此與順次區域邊界之間的距離無關。
在一實施例中，使用在相互不同方向上具有週期性之至少兩個對準標記，以沿著基板W之表面執行在X及Y方向上之量測。又，可使用棋盤型對準標記，其中區域圖案在相對於彼此之角度下(例如，在九十度角度下)於兩個方向上為週期性的。儘管已展示使用第一區域32及第二區域34之週期性配置的實施例(其使有可能使用簡單級選擇系統)，但應瞭解，或者，可使用在不同區域中之導體軌道之間具有不同間距距離之導體軌道之區域的非週期性配置。可(例如)使用全息相關技術而自該等對準標記量測位置。在另一實施例中，可使用可變間距，其依據在最小值50下之間距值與低於交叉間距值52之間距值之間的位置而變化。
儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更通用之術語"基板"或"目標部分"同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。在壓印微影術中，圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5nm至20nm之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語"透鏡"在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的為，可在不脫離以下所闡明 之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
20‧‧‧光源
22‧‧‧相位相干偵測器
24‧‧‧對準標記
26‧‧‧產品
30‧‧‧導電軌道
32‧‧‧第一區域
34‧‧‧第二區域
40‧‧‧非導電材料層
42‧‧‧基板
50‧‧‧最小值
52‧‧‧交叉間距值
B‧‧‧電磁輻射光束
C‧‧‧目標部分
IF1‧‧‧位置感測器
IF2‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一***
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二***
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2展示光學量測系統；圖3展示對準標記之一部分的俯視圖；圖3a展示替代對準標記之一部分的俯視圖；圖4展示對準標記之一部分的側視圖；圖5展示針對一個波長的依據間距之反射率的曲線；圖5a展示針對兩個波長的依據間距之反射率的曲線。
B‧‧‧電磁輻射光束
C‧‧‧目標部分
IF1‧‧‧位置感測器
IF2‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一***
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二***
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台

Claims (15)

  1. 一種量測一產品之一位置的方法，該方法包含：發射電磁輻射朝向該產品之一表面處之一對準(alignment)標記；收集由該對準標記所繞射之輻射；及自該繞射輻射之相位關係判定位置資訊，其中該對準標記包含在連續軌道之間有一間距之一相互平行導體軌道集合，自該等軌道收集該繞射輻射，該集合中之該等軌道之該間距隨該產品之該表面之位置而變化，所收集的該輻射之繞射所發生之角度視該集合中之該等軌道之該間距的變化之圖案位置而定，其中該相互平行導體軌道集合包含一第一組平行導體軌道及一第二組平行導體軌道，該第一組平行導體軌道在連續軌道之間具有一第一間距，及該第二組平行導體軌道在連續軌道間具有一第二間距，該第一間距不同於該第二間距，及其中所收集的該輻射之繞射所發生之角度視該第一間距及該第二間距之間的變化而定。
  2. 如請求項1之方法，其中經發射的該電磁輻射包含具有相互正交的第一及第二的偏振分量及一波長之輻射，在該波長下，該第一偏振分量於具有該第一間距值及該第二間距值之間距下，該對準標記自導體軌道之反射效率分別比對於該第二偏振分量高及低，及 其中在該波長下，針對該第一偏振分量出自該第一組平行導體軌道的反射效率高於針對該第二偏振分量出自該第一組平行導體軌道的反射效率，且在該波長下，針對該第一偏振分量出自該第二組平行導體軌道的反射效率低於針對該第二偏振分量出自該第二組平行導體軌道的反射效率。
  3. 如請求項1之方法，其中發射電磁輻射包含發射具有一交叉間距值的一波長之電磁輻射，在該交叉間距值下，針對該第一及該第二偏振分量之反射效率相等，及其中該第一間距小於該交叉間距值，及該第二間距大於該交叉間距值。
  4. 如請求項3之方法，其中發射電磁輻射包含發射該波長之輻射，該波長之電磁輻射進一步具有針對該第一偏振分量之最小反射效率的一間距值，及其中，該第二間距值係大約相等於針對該第一偏振分量之最小反射效率的該間距值。
  5. 如請求項4之方法，其中發射電磁輻射進一步包含發射具有一第三及第四相互正交的偏振分量之電磁輻射，其具有與該第一及第二分量之該波長有一距離之一更遠波長(further wavelength)，在該更遠波長下，對於該第三偏振分量於具有該第一及第二間距之間距下，該對準標記自導體軌道之反射效率分別比對於該第四偏振分量高及低，及 其中該更遠波長係不同於該第一及第二正交的偏振分量的該波長之一第二波長，在該第二波長下，針對該第三偏振分量出自該第一組平行導體軌道的反射效率高於針對該第四偏振分量出自該第一組平行導體軌道的反射效率，且針對該第三偏振分量出自該第二組平行導體軌道的反射效率低於針對該第四偏振分量出自第二組平行導體軌道的反射效率。
  6. 如請求項2之方法，其中該對準標記進一步包含一週期性配置，其中該第一及第二區域依位置而交替，該等連續導體軌道分別在該第一及第二區域中具有該第一值間距及該第二值間距，其中該週期性配置係在連續軌道之間具有該第一間距的一第三組平行導體軌道，及在連續軌道間具有該第二間距的一第四組平行導體軌道，該第三及第四組平行導體軌道係與該第一及第二組平行導體軌道呈一週期性配置。
  7. 如請求項1之方法，其中該等導體軌道之一最長軸係平行於該第一及第二區域之間的一邊界，且該第一及第二組平行導體軌道平行於該第一及第二組平行導體軌道之間的該邊界。
  8. 一種對準系統，其包含：一電磁輻射源，該電磁輻射源經組態以發射電磁輻射；一待對準產品，該產品包含用於接收該輻射之一對準標記，該對準標記包含在連續軌道之間有一間距的一相 互平行導體軌道集合，該集合中之該等軌道之該間距隨該待對準產品之表面之位置而變化，所收集的該輻射之繞射所發生之角度視該集合中之該等軌道之該間距的變化之圖案位置而定，其中該相互平行導體軌道集合包含一第一組平行導體軌道及一第二組平行導體軌道，該第一組平行導體軌道在連續軌道之間具有一第一間距，及該第二組平行導體軌道在連續軌道之間具有一第二間距，該第一間距不同於該第二間距，輻射的繞射角度視該第一間距及該第二間距間的變化而定；及一偵測器，該偵測器經組態以自該對準標記所繞射之電磁輻射偵測來自選定繞射級(order)之光。
  9. 如請求項8之對準系統，其中經發射的該電磁輻射包含具有相互正交的第一及第二偏振分量及一波長之輻射，在該波長下，該第一偏振分量於具有該第一間距值及該第二間距值之間距下，該對準標記自導體軌道之反射效率分別比對於該第二偏振分量高及低，及其中，在該波長下，針對該第一偏振分量出自該第一組平行導體軌道的反射效率高於針對該第二偏振分量出自該第一組平行導體軌道的反射效率，且在該波長下，針對該第一偏振分量出自該第二組平行導體軌道的反射效率低於針對該第二偏振分量出自該第二組平行導體軌道的反射效率。
  10. 一種光微影裝置，其包含一對準系統，該對準系統包 含：一電磁輻射源，該電磁輻射源經組態以發射電磁輻射；一待對準的半導體晶圓，該晶圓具有一對準標記，該對準標記包含在連續軌道之間有一間距的一相互平行導體軌道集合，該集合中之該等軌道之該間距隨該半導體晶圓之表面之位置而變化，所收集的該輻射之繞射所發生之角度視該集合中之該等軌道之該間距的變化之圖案位置而定，其中該相互平行導體軌道集合包含一第一組平行導體軌道及一第二組平行導體軌道，該第一組平行導體軌道在連續軌道之間具有一第一間距，及該第二組平行導體軌道在連續軌道之間具有一第二間距，該第一間距不同於該第二間距，發生在該對準標記上的輻射的繞射角度視該第一間距及該第二間距之間的變化而定；及一偵測器，該偵測器經組態以自該對準標記所繞射之電磁輻射偵測來自選定繞射級之光。
  11. 如請求項10之光微影裝置，其中經發射的該電磁輻射包含具有相互正交的第一及第二偏振分量及一波長之輻射，在該波長下，該第一偏振分量於具有該第一間距值及該第二間距值之間距下，該對準標記自導體軌道之反射效率分別比對於該第二偏振分量高及低，及其中，在該波長下，針對該第一偏振分量出自該第一組平行導體軌道的反射效率高於針對該第二偏振分量出 自該第一組平行導體軌道的反射效率，且在該波長下，針對該第一偏振分量出自該第二組平行導體軌道的反射低於針對該第二偏振分量出自該第二組平行導體軌道的反射效率。
  12. 一種包含一對準標記之產品，其中該對準標記包含在連續軌道之間有一間距的一相互平行導體軌道集合，該集合中之該等軌道之該間距隨該產品之表面之位置而變化，所收集的該輻射之繞射所發生之角度視該集合中之該等軌道之該間距的變化之圖案位置而定，其中該相互平行導體軌道集合包含一第一組平行導體軌道及一第二組平行導體軌道，該第一組平行導體軌道在連續軌道之間具有一第一間距；及該第二組平行導體軌道在連續軌道之間具有一第二間距，其中該第一間距不同於該第二間距，及其中繞射發生的角度與該第一間距及該第二間距之間的變化而定。
  13. 如請求項12之產品，其中經發射的該電磁輻射包含具有相互正交的第一及第二偏振分量及一波長之輻射，在該波長下，該第一偏振分量於具有該第一間距值及該第二間距值之間距下，該對準標記自導體軌道之反射效率分別比對於該第二偏振分量高及低，及其中該第一間距具有一值，使得針對經繞射的輻射之 一第一偏振分量出自該第一組平行導體軌道的反射效率高於針對經繞射的輻射之一第二偏振分量出自該第一組平行導體軌道的反射效率，該第二偏振分量正交於該第一偏振分量，並使得針對該第一偏振分量出自該第二組平行導體軌道的反射效率低於針對該第二偏振分量出自該第二組平行導體軌道的反射效率。
  14. 一種器件製造方法，其包含：在製造期間，將一圖案自一圖案化器件轉印至一包含該器件之產品上，其中該轉印包含根據一方法來對準基板，該方法包含：使電磁輻射發射朝向該產品之一表面處之一對準標記；收集由該對準標記所繞射之輻射；及自該繞射輻射之相位關係判定位置資訊，其中該對準標記包含在連續軌道之間有一間距的一相互平行導體軌道集合，該集合中之該等軌道之該間距隨該產品之表面之位置而變化，所收集的該輻射之繞射所發生之角度視該集合中之該等軌道之該間距的變化之圖案位置而定，及其中該相互平行導體軌道集合包含一第一組平行導體軌道及一第二組平行導體軌道，該第一組平行導體軌道在連續軌道之間具有一第一間距，及該第二組平行導體軌道在連續軌道之間具有一第二間距，經繞射的輻射係自該等連續軌道收集，該第一間距不同於該第二間距， 所收集的該輻射之繞射所發生之角度視該第一間距及該第二間之間的變化而定。
  15. 如請求項14之方法，其中使電磁輻射發射朝向該產品之該表面處之該對準標記包含發射具有相互正交的第一及第二偏振分量及一波長之電磁輻射，在該波長下，該第一偏振分量於具有該第一間距值及該第二間距值之間距下，該對準標記自導體軌道之反射效率分別比對於該第二偏振分量高及低，俾使該電磁輻射，在該波長下，針對該第一偏振分量出自該第一組平行導體軌道的反射效率高於針對該第二偏振分量出自該第一組平行導體軌道的反射效率，且在該波長下，針對該第一偏振分量出自該第二組平行導體軌道的反射效率低於針對該第二偏振分量出自該第二組平行導體軌道的反射效率。
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