TWI466337B - 側光式發光二極體的製作方法 - Google Patents
側光式發光二極體的製作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI466337B TWI466337B TW101129292A TW101129292A TWI466337B TW I466337 B TWI466337 B TW I466337B TW 101129292 A TW101129292 A TW 101129292A TW 101129292 A TW101129292 A TW 101129292A TW I466337 B TWI466337 B TW I466337B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- mold
- layer
- emitting diode
- refractive
- light
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 11
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 210000004508 polar body Anatomy 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
本發明涉及一種半導體結構，尤其涉及一種具有折射層的側光式發光二極體的形成方法。
相比於傳統的發光源，發光二極體（Light Emitting Diode，LED）具有重量輕、體積小、污染低、壽命長等優點，其作為一種新型的發光源，已經被越來越多地應用到各領域當中，如路燈、交通燈、信號燈、射燈及裝飾燈等。
先前的側光式發光二極體的製作方法，一般地，在發光二極體晶片的出光面設置有反射層，以將發光二極體晶片發出的光反射至側邊出射。然而，發光二極體晶片發出的光線經過反射層時，部分光線容易穿過反射層，而無法被反射至側邊出射，從而降低了發光效率。
有鑒於此，有必要提供一種發光效率高的側光式發光二極體的形成方法。
一種側光式發光二極體的製作方法，其包括：
提供一個模具，該模具包括一凸出部，該凸出部內形成一個收容空間，該凸出部上開設有將收容空間與外部連通的一個開口；
在該模具的內表面上形成一反射層；
提供一個板狀的折射膠帶，該折射膠帶的端部延伸至位於該模具的凸出部的邊緣；
通過該凸出部的開口抽真空以吸取該折射膠帶，直至該折射膠帶吸附於該反射層上，以形成一折射層；
提供一個基板，該基板上設置有至少兩個發光二極體晶片，將形成有折射層的該模具設置在該基板上，該至少兩個發光二極體晶片收容於該收容空間內；
向該收容空間內注入封裝膠，且固化該封裝膠，以形成封裝層；
去除該模具；
切割該基板、封裝層、折射層以及反射層，以形成至少兩個側光式發光二極體。
該側光式發光二極體的製造方法，通過抽真空吸取形成有折射層。該發光二極體晶片發出的光部分被折射層直接折射至側邊出射，部分透過該折射層的光線再經過該反射層反射，然後再通過折射層折射至側邊出射，從而可提高該側光發光二極體的出光效率。並且，該折射層通過真過抽真空吸取的方式形成，其可形成薄且均勻的折射層。
圖1至圖10示出本發明一實施方式提供的一種側光式發光二極體的製作方法，其包括如下步驟：
步驟一：請參見圖1，提供一個模具10，該模具10包括一個呈環狀的平板部11以及與該平板部11相連接且位於該平板部11中的凸出部12，該平板部11與該凸出部12配合形成一個收容空間13，該凸出部12上具有一個開口121。在本實施例中，該平板部11為圓環狀，該凸出部12呈近似的半球狀，該開口121位於該凸出部12的正中心。該平板部11及凸出部12的形狀可依所需發光二極體的外形而設。該模具10具有一個內表面110。可以理解的是，該模具10也可以僅具有凸出部12，而不包括平板部11。
步驟二：請參見圖2，形成一保護層20於該模具10的內表面110上。在本實施例中，該保護層20為一個塑膠層，其用於後續容易去除該模具10。
步驟三：請參見圖3，在該保護層20上形成一反射層30。在本實施例中，該反射層30可以為金屬層，其通過濺鍍形成在該保護層20上。當然，該反射層30也可以為金屬複合物層或塑膠層等。該反射層30的厚度為0.1到0.3納米。
步驟四：請參見圖4，提供一個板狀的折射膠帶40，該折射膠帶40的端部41延伸至位於該模具10的平板部11的反射層30上。在本實施例中，該折射膠帶40的厚度為50到100納米。該折射膠帶40中包括有二氧化鈦顆粒、氧化鋅顆粒、或者二氧化矽顆粒等高折射粒子，因此，該折射膠帶40具有較好的折射率。可以理解的是，當該模具10僅包括凸出部12，該折射膠帶40的端部41延伸至位於該模具10的凸出部12的邊緣。
步驟五：請參見圖5，通過該凸出部12的開口121抽真空以吸取該折射膠帶40，直至該折射膠帶40吸附於該反射層30上，以形成一折射層42。
步驟六：請參見圖6，提供一個基板50，該基板50上設置有兩個發光二極體晶片60，將形成有折射層42的該模具10設置在該基板50上，該兩個發光二極體晶片60收容於該收容空間13內，且位於該模具10的平板部11上的折射層42與該基板50之間具有一間隙70。在本實施例中，該基板50具有一個上表面51。該基板50包括一個位於該上表面51上的凸台52，該兩個發光二極體晶片60設置在該凸台52的相對兩端，即該兩個發光二極體晶片60位於該模具10的開口121的相對兩側。可以理解的是，設置在該基板50上的發光二極體晶片60也可以為多個，例如，當發光二極體晶片60為四個時，可以將該四個發光二極體晶片60分別設置在該凸台52的四個端部。
步驟七：請參見圖7，通過該間隙70注入封裝膠，且固化該封裝膠，以形成封裝層80。在本實施例中，該封裝膠填充整個收容空間13，且該封裝膠內分佈有螢光粉（圖未示）。
步驟八：請參見圖8，去除該模具10與該保護層20。由於設置有保護層20，因此，可防止在去除模具10的過程中該模具10粘住該反射層30，從而有效地保護該反射層30。
步驟九：請參見圖9與圖10，切割該基板50、封裝層80、折射層42以及反射層30，以形成兩個側光式發光二極體90。當然，當設置在該基板50上的發光二極體晶片60為多個時，則需根據發光二極體晶片60的設置位置進行切割。
該發光二極體90發出的光部分被折射層42直接折射至側邊出射，部分透過該折射層42的光線再經過該反射層30反射，然後再通過折射層42折射至側邊出射，從而可提高該側光發光二極體90的出光效率。並且，該折射層42通過真過抽真空吸取的方式形成，其可形成薄且均勻的折射層42。
綜上所述，本發明符合發明專利要件，爰依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，舉凡熟悉本案技藝之人士，在爰依本發明精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下之申請專利範圍內。
90．．．發光二極體
10．．．模具
11．．．平板部
12．．．凸出部
121．．．開口
13．．．收容空間
20．．．保護層
30．．．反射層
40．．．折射膠帶
41．．．端部
42．．．折射層
50．．．基板
51．．．上表面
52．．．凸台
60．．．發光二極體晶片
70．．．間隙
80．．．封裝層
圖1到圖10為本發明實施方式提供的側光式發光二極體的製作方法的剖面流程圖。
90．．．發光二極體
30．．．反射層
42．．．折射層
50．．．基板
60．．．發光二極體晶片
80．．．封裝層
Claims (10)
- 一種側光式發光二極體的製作方法，包括：
提供一個模具，該模具包括一凸出部，該凸出部內形成一個收容空間，該凸出部上開設有將收容空間與外部連通的一個開口；
在該模具的內表面上形成一反射層；
提供一個板狀的折射膠帶，該折射膠帶的端部延伸至位於該模具的凸出部的邊緣；
通過該凸出部的開口抽真空以吸取該折射膠帶，直至該折射膠帶吸附於該反射層上，以形成一折射層；
提供一個基板，該基板上設置有至少兩個發光二極體晶片，將形成有折射層的該模具設置在該基板上，該至少兩個發光二極體晶片收容於該收容空間內；
向該收容空間內注入封裝膠，且固化該封裝膠，以形成封裝層；
去除該模具；
切割該基板、封裝層、折射層以及反射層，以形成至少兩個側光式發光二極體。 - 如申請專利範圍第1項所述的側光式發光二極體的製作方法，其中，該凸出部呈半球狀。
- 如申請專利範圍第1項所述的側光式發光二極體的製作方法，其中，該凸出部的開口位於該凸出部的正中心。
- 如申請專利範圍第1項所述的側光式發光二極體的製作方法，其中，該折射膠帶的厚度為50到100納米。
- 如申請專利範圍第1項所述的側光式發光二極體的製作方法，其中，該折射膠帶中包括有二氧化鈦顆粒、氧化鋅顆粒、或者二氧化矽顆粒。
- 如申請專利範圍第1項所述的側光式發光二極體的製作方法，其中，該反射層通過濺鍍形成在該模具的內表面上。
- 如申請專利範圍第1項所述的側光式發光二極體的製作方法，其中，該反射層的厚度為0.1到0.3納米。
- 如申請專利範圍第1項所述的側光式發光二極體的製作方法，其中，該模具還包括一個環狀的平板部，該凸出部與該平板部相連接且位於該平板部中，向該收容空間內注入封裝膠前，該位於模具的平板部上的折射層與該基板之間形成一間隙，通過該間隙向該收容空間內注入封裝膠。
- 如申請專利範圍第1項至第8項任意一項所述的側光式發光二極體的製作方法，其中，步驟“在該模具的內表面上形成一反射層”之前進一步包括步驟：形成一保護層於該模具的內表面上，該反射層形成在該保護層上，去除該模具的同時，去除該保護層。
- 如申請專利範圍第9項所述的側光式發光二極體的製作方法，其中，該保護層為一塑膠層。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210233404.6A CN103531698B (zh) | 2012-07-06 | 侧光式发光二极管的制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201403876A TW201403876A (zh) | 2014-01-16 |
| TWI466337B true TWI466337B (zh) | 2014-12-21 |
Family
ID=49933539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101129292A TWI466337B (zh) | 2012-07-06 | 2012-08-14 | 側光式發光二極體的製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI466337B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200836381A (en) * | 2007-02-27 | 2008-09-01 | Towa Corp | Method of compression-molding light emitting elements |
| TW201032351A (en) * | 2009-02-24 | 2010-09-01 | Advanced Optoelectronic Tech | Side-emitting type semiconductor light emitting device package and manufacturing process thereof |
| TW201218453A (en) * | 2010-10-18 | 2012-05-01 | Advanced Optoelectronic Tech | LED package structure and the method of manufacturing the same |
-
2012
- 2012-08-14 TW TW101129292A patent/TWI466337B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200836381A (en) * | 2007-02-27 | 2008-09-01 | Towa Corp | Method of compression-molding light emitting elements |
| TW201032351A (en) * | 2009-02-24 | 2010-09-01 | Advanced Optoelectronic Tech | Side-emitting type semiconductor light emitting device package and manufacturing process thereof |
| TW201218453A (en) * | 2010-10-18 | 2012-05-01 | Advanced Optoelectronic Tech | LED package structure and the method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201403876A (zh) | 2014-01-16 |
| CN103531698A (zh) | 2014-01-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11894497B2 (en) | Light emitting device, method of manufacturing covering member, and method of manufacturing light emitting device | |
| US10522728B2 (en) | Beveled chip reflector for chip-scale packaging light-emitting device and manufacturing method of the same | |
| US10050181B2 (en) | Light emitting diode and fabrication method thereof | |
| TWI641161B (zh) | 在基板內具有散射特徵之發光二極體 | |
| KR101908449B1 (ko) | 비대칭 방사 패턴을 가진 발광 디바이스 및 제조 방법 | |
| JP2012507846A5 (zh) | ||
| TW202025508A (zh) | 發光裝置及其製造方法 | |
| US20070241355A1 (en) | System and method for enhancing light emissions from light packages by adjusting the index of refraction at the surface of the encapsulation material | |
| JP2012069577A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| US20110002127A1 (en) | Optical element and manufacturing method therefor | |
| JP2016535937A5 (zh) | ||
| TW201327939A (zh) | 發光二極體光源及其封裝方法 | |
| TW201318219A (zh) | Led封裝結構的製作方法 | |
| TW201501368A (zh) | 發光二極體元件的製造方法 | |
| KR102045794B1 (ko) | 칩-스케일 패키징 발광 소자를 위한 베벨형 칩 리플렉터 및 그 제조 방법 | |
| TWI466337B (zh) | 側光式發光二極體的製作方法 | |
| TWI513048B (zh) | 發光二極體發光裝置 | |
| KR20180034929A (ko) | 광학 렌즈, 광원 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛 | |
| US20120138981A1 (en) | Light-Emitting Diode Apparatus and Method for Making the Same | |
| JP6045779B2 (ja) | 波長変換構造及びその製造方法並びに該波長変換構造を含む発光装置 | |
| TWI412163B (zh) | 發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
| CN203250781U (zh) | 一种led封装结构 | |
| CN104319318A (zh) | 一种具有低折射率材料的led图形化衬底的制备方法 | |
| KR20180101288A (ko) | 컨벡스 칩 스케일 패키지 및 그의 제조 방법 | |
| TWM449358U (zh) | 發光二極體封裝結構 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |