TWI466132B - Corrosion inhibitor injection method - Google Patents

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Kazuo Murakami
Seiji Yamamoto
Hiroyuki Arai
Hidehiro Urata
Hajime Hirasawa
Osamu Shibasaki
Koji Negishi
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Description

腐蝕抑制劑注入方法
本發明係有關一種抑制連接於高溫水之金屬材料的腐蝕之腐蝕抑制劑注入方法。
沸騰水型原子力發電工廠等之放射線場所，已知連接於原子爐構造材料之高溫水會因放射線分解而生成氧、過氧化氫等，該氧、過氧化氫等於原子爐構造材料中引起應力腐蝕***的情形。
為對應於該對策時，開發自給水系注入氫，以減低原子爐水中之氧或過氧化氫之氫注入技術。
例如，如下述專利文獻1中記載，藉由使Pt或Rh等之貴金屬附著於原子爐構造材料表面後，進行氫注入，使貴金屬與氫之反應加速，增加陽極電流以降低腐蝕電位之貴金屬注入技術。
近年來，降低腐蝕電位之方法，係著重於使用光觸媒作為防腐蝕劑，利用光觸媒反應。該方法係在金屬構件表面上配置光觸媒，然後照射具有接近紫外線波長的光，藉由光激勵反應予以活性化的電子之作用，降低腐蝕電位。
該反應係藉由在光觸媒附近具有貴金屬，有效地進行。因此，例如於專利文獻2及專利文獻3中記載，預先在構造構件表面上附著附著有光觸媒或貴金屬之高機能光觸媒，利用在爐心中產生的契倫可夫(Cherenkov)光產 生該反應，以降低運轉中之腐蝕電位。
此外，於專利文獻4及專利文獻5中，提案將藥劑注入原子爐之施工方法，於停止時或運轉中將藥劑注入原子爐，潛入原子爐構造構材料表面，使藥劑附著於原子爐構造構材料表面上的方法。
上述專利文獻4及5中記載的方法，係將溶液或分散粒子等注入原子爐系統內的技術，在高溫水中、特別是原子爐內之高溫水中僅注入藥液。
〔習知技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕專利第2624906號說明書
〔專利文獻2〕專利第4094275號說明書
〔專利文獻3〕專利第4043647號說明書
〔專利文獻4〕日本特開2005-003565號公報
〔專利文獻5〕日本特開2006-153607號公報
如上述各專利文獻中記載的目前防腐蝕劑之注入施工方法，會有於施工時耗時且須進行定期檢查之長期間化的課題。因此，該防腐蝕劑於注入施工極為耗時時，會有降低發電運作率的課題。
本發明係為解決上述課題者，以提供一種藉由增加對原子爐構造構材料表面之附著速度，在短時間內進行防腐蝕劑之注入施工的腐蝕抑制劑注入方法為目的。
本發明發現在照射放射線或紫外線下，於接液於金屬構造材料表面上之高溫水中，注入由防腐蝕劑與吸附於該防腐蝕劑表面之pH值調整劑所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物、及視其所需加入氧化物或還原物時，可使防腐蝕劑加速附著於金屬構造材料表面上。
換言之，本發明之腐蝕抑制劑注入方法，係為解決上述課題者，其係於接液於金屬構造材料表面上之高溫水中，注入由防腐蝕劑與吸附於該防腐蝕劑表面之pH值調整劑所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物、氧化物，且照射放射線或紫外線之腐蝕抑制劑注入方法，其特徵為前述防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑，係具有在表面上使前述pH值調整劑與前述氧化物反應的活性點，且藉由前述照射放射線或紫外線，使存在於前述防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑表面及前述高溫水中之至少一方的pH值調整劑以前述氧化物氧化，來變化前述pH值調整劑之pH值調整力，將前述高溫水之pH值移至中性側，使前述防腐蝕劑加速附著於前述金屬構造材料上。
另外，本發明之腐蝕抑制劑注入方法，係為解決上述課題者，其係在接液於金屬構造材料表面上之高溫水中，注入由防腐蝕劑與吸附於該防腐蝕劑表面之pH值調整劑所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物，且照射放射線或紫外線之腐蝕抑制劑注入方法，其特徵為藉由前述照射放射線或紫外線，前述防腐蝕劑自前述高溫水生成氧化物，且藉由使存在於前述防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐 蝕劑表面及前述高溫水中之至少一方的pH值調整劑以前述氧化物氧化，來變化前述pH值調整劑之pH值調整力，將前述高溫水之pH值移至中性側，使前述防腐蝕劑加速附著於前述金屬構造材料上。
此外，本發明之腐蝕抑制劑注入方法，係為解決上述課題者，其係在接液於金屬構造材料表面上之高溫水中，注入由防腐蝕劑與吸附於該防腐蝕劑表面之pH值調整劑所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物、及還原物，且照射放射線或紫外線之腐蝕抑制劑注入方法，其特徵為前述防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑，係具有在表面上使前述pH值調整劑與前述還原物反應的活性點，且藉由前述照射放射線或紫外線，使存在於前述防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑表面及前述高溫水中之至少一方的pH值調整劑以前述還原物還原，來變化前述pH值調整劑之pH值調整力，將前述高溫水之pH值移至中性側，使前述防腐蝕劑加速附著於前述金屬構造材料上。
另外，本發明之腐蝕抑制劑注入方法，係為解決上述課題者，其係於接液於金屬構造材料之表面的高溫水中，注入由防腐蝕劑與附著於該防腐蝕劑表面之pH值調整劑所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物，且照射放射線或紫外線之腐蝕抑制劑注入方法，其特徵為藉由前述照射放射線或紫外線，前述防腐蝕劑自前述高溫水生成還原物，且藉由使存在於前述防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑表面及前述高溫水中之至少一方的pH值調整劑以前 述還原物還原，來變化前述pH值調整劑之pH值調整力，將前述高溫水之pH值移至中性側，使前述防腐蝕劑加速附著於前述金屬構造材料上。
藉由本發明之腐蝕抑制劑注入方法，可增加防腐蝕劑對金屬構造材料之附著速度。
〔為實施發明之形態〕
參照附加圖面說明本發明之腐蝕抑制劑注入方法的實施形態。
〔第1實施形態〕
本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1實施形態，在接液於金屬構造材料表面之高溫水中，注入由防腐蝕劑與吸附於該防腐蝕劑表面之pH值調整劑所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物、與氧化物，且照射放射線或紫外線之腐蝕抑制劑注入方法。
金屬構造材料例如使用不銹鋼(SUS)、Ni基合金、或碳鋼。SUS、Ni基合金、或碳鋼被使用作為沸騰水型原子力發電工廠等之原子力發電工廠的原子爐構造材料。可抑制該SUS、Ni基合金、或碳鋼之腐蝕時，原子力發電工廠之安全性變高。
高溫水例如使用純水或於該純水中含有雜質離子等之 水溶液。高溫水之溫度通常為100~350℃，較佳者為120~180℃。高溫水之溫度為100~350℃時，於防腐蝕劑-pH值調整劑複合物中附著於防腐蝕劑表面之pH值調整劑自防腐蝕劑表面脫離，變化防腐蝕劑之表面能量，使防腐蝕劑變得容易附著於金屬構造材料上。而且，高溫水之溫度為100~350℃時，由於在防腐蝕劑-pH值調整劑複合物中附著於防腐蝕劑表面上，且存在於高溫水中之pH值調整劑變得容易被氧化物氧化，故為企求。
(防腐蝕劑-pH值調整劑複合物)
本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1實施形態，係於高溫水中注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物。防腐蝕劑-pH值調整劑複合物係由防腐蝕劑與吸附於該防腐蝕劑表面之pH值調整劑所形成。
<防腐蝕劑>
防腐蝕劑係附著於金屬構造材料上，賦予金屬構造材料具有防腐蝕效果之固體物質。防腐蝕劑係使用對金屬構造材料而言具有充分的防腐蝕劑效果，同時藉由照射放射線或紫外線產生光觸媒反應的光觸媒。另外，光觸媒例如使用半導體。
於半導體中，由於n型半導體藉由照射放射線或紫外線產生光觸媒反應，藉由在n型半導體表面及該表面附近之高溫水中，自高溫水生成氧化物且增加氧化物量，增加 防腐蝕劑對金屬構造材料之附著速度，故較佳。
此外，n型半導體使用金屬構造材料作為原子爐構造材料時，容易抑制原子爐構造材料之腐蝕情形。換言之，在原子爐構造材料之表面上形成腐蝕氧化皮膜時，該腐蝕氧化皮膜形成p型半導體。因此，p型半導體之腐蝕氧化皮膜，在壓力容器內照射契倫可夫光時，恐會有腐蝕電位上昇，且原子爐構造材料進行腐蝕的情形。對此而言，為附著原子爐構造材料表面之防腐蝕劑產生光觸媒反應的n型半導體時，n型半導體可降低p型半導體之腐蝕氧化皮膜的腐蝕電位，抑制原子爐構造材料之腐蝕情形。
n型半導體例如使用氧化鈦TiO2 。於n型半導體中，由於氧化鈦之光觸媒性能高且安定，故較佳。
防腐蝕劑之形態，沒有特別的限制，通常為粉末狀。防腐蝕劑為粉末狀時，防腐蝕劑之平均粒徑通常為1μm以下，較佳者為0.02μm~1μm，更佳者為0.02μm~0.3μm。
防腐蝕劑之平均粒徑為1μm以下時，藉由防腐蝕劑容易附著於金屬構造材料表面上，同時使防腐蝕劑之表面積變大，可使金屬構造材料之腐蝕電位降低的效果變大。
防腐蝕劑具有在其表面上使吸附防腐蝕劑之pH值調整劑、與氧化物進行反應的活性點。此處，活性點係指露出有防腐蝕劑之表面，且使pH調整劑與氧化物產生反應的部位。因此，即使露出有防腐蝕劑之表面，惟沒有使pH調整劑與氧化物產生反應的部位，不為活性點。防腐蝕劑表面之活性點，係藉由防腐蝕劑表面之化學研磨或物 理研磨等予以形成。
<pH值調整劑>
pH值調整劑係調整高溫水之pH值者。本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1實施形態，係使用藉由添加於高溫水中，以提高高溫水之pH值的鹼性型pH值調整劑作為pH值調整劑。
鹼性型pH調整劑，例如使用含有選自氮、硫及碳中之1種以上的元素之無機化合物或有機化合物。無機化合物例如碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化鈣、或此等之鹽。有機化合物例如檸檬酸三鈉、乙醇胺、三乙醇胺、肼或此等之鹽。
而且，pH值調整劑為液體時，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物係採用在防腐蝕劑表面上使pH值調整劑濕潤的形態，注入高溫水中時，pH值調整劑變得容易自防腐蝕劑表面脫離。本發明中即使將防腐蝕劑-pH值調整劑複合物注入高溫水中，以直至被氧化物氧化為止，使防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之pH調整劑繼續吸附於防腐蝕劑表面上為宜。因此，吸附於防腐蝕劑表面之pH調整劑，以容易吸附於如微粉末等之防腐蝕劑表面的固體狀、或漿料狀較佳。
pH值調整劑為鹼性型pH值調整劑之防腐蝕劑-pH值調整劑複合物，被注入高溫水中時，添加防腐蝕劑-pH值調整劑複合物後之高溫水於照射放射線或紫外線前的液性 變為鹼性。
pH值調整劑為鹼性型pH值調整劑時，注入有防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之高溫水的pH值例如為超過9之值。
防腐蝕劑-pH值調整劑複合物，於pH值調整劑為固體或漿料狀時，例如藉由混合防腐蝕劑與pH值調整劑，在防腐蝕劑表面上吸附pH值調整劑而製得。此處，pH值調整劑為漿料狀時，係指包含pH值調整劑本身為漿料狀的形態，與pH值調整劑本身以固體混合於漿料中的形態等兩種。
而且，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物於pH值調整劑為液體時，例如藉由在pH值調整劑中投入防腐蝕劑，在防腐蝕劑表面上吸附pH值調整劑而製得。
(氧化物)
氧化物係使pH值調整劑氧化的氧化劑。氧化物係使用選自過氧化氫、氧、臭氧、超氧化物自由基(‧O2- )、及羥基自由基(‧OH)之1種以上。
於此等之氧化物中，超氧化物自由基‧O2- 及羥基自由基‧OH，通常藉由對高溫水等之水照射放射線或紫外線，自高溫水等之水生成，在短時間內消滅。
因此，於本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1實施形態中，在高溫水中注入氧化物時必須存在時，以選自過氧化氫、氧、及臭氧之1種以上較佳。
惟放射線場所或紫外線照射環境、即形成於高溫水中照射放射線的環境或照射紫外線的環境時，在高溫水中照射放射線或紫外線時，自高溫水等之水生成氧化物。而且，在如氧化物之水溶液等之氧化物含有水的形態下注入高溫水中時，在放射線場所或紫外線照射環境中所注入的水，於照射放射線或紫外線時自所注入的水生成氧化物。
因此，在放射線場所或紫外線照射環境之高溫水中照射放射線或紫外線時，實質上於高溫水中注入氧化物時，可指亦被注入的自高溫水所生成的超氧化物自由基‧O2- 及羥基自由基‧OH。
本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1實施形態，係在接液於金屬構造材料表面之高溫水中，注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物、與氧化物。將防腐蝕劑-pH值調整劑複合物及氧化物注入高溫水的順序，沒有特別的限制。例如防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與氧化物可同時被注入高溫水中，亦可於注入任一個後，再注入另一個。
(放射線或紫外線)
於本發明之第1實施形態中，放射線或紫外線係可促進存在於防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑表面及高溫水中至少一方的pH值調整劑以氧化物氧化進行反應，同時可自高溫水生成新的氧化物。
此處，存在於高溫水中之pH值調整劑，係指自防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑表面脫離，存在於高 溫水中之pH值調整劑。
此外，使pH值調整劑氧化的氧化物，係指含有防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與注入高溫水中之氧化物、及自高溫水生成新的氧化物。
此處，自高溫水生成的新的氧化物，係存在於防腐蝕劑-pH值調整劑複合物中之防腐蝕劑或附著於金屬構造材料之防腐蝕劑，藉由照射放射線或紫外線產生光觸媒反應而生成的超氧化物自由基‧O2- 及羥基自由基‧OH等之氧化物。
而且，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物及注入於高溫水之氧化物，如上所述係指選自過氧化氫、氧、臭氧、超氧化物自由基(‧O2- )、及羥基自由基(‧OH)之1種以上。
放射線係使用α線、γ線、或中性子線。α線、γ線、或中性子線，由於藉由氧化物充分地促進pH值調整劑之氧化反應，同時自高溫水生成新的氧化物之生成效率高，故較佳。
紫外線例如使用波長200~380nm之近紫外線、波長10~200nm之遠紫外線等。近紫外線係波峰波長通常為200~300nm、較佳者為230~270nm之範圍內。
本發明之第1實施形態，如上所述係指藉由照射放射線或紫外線，使存在於防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑表面及高溫水中至少一方的pH值調整劑以氧化物氧化，使pH值調整劑予以化學變化，變化pH值調整劑 之pH值調整力。此處，變化pH值調整力係指包含失去pH值調整能力，及使pH值調整能力變弱等兩者。
本發明之第1實施形態，係使用藉由添加於高溫水中提高高溫水之pH值之鹼性型pH值調整劑作為pH值調整劑。因此，添加防腐蝕劑-pH值調整劑複合物後之高溫水，藉由於防腐蝕劑-pH值調整劑複合物中附著於防腐蝕劑表面上、或自防腐蝕劑表面脫離而存在於高溫水中之鹼性型pH值調整劑調整pH值，使放射線或紫外線照射前之液性變為鹼性。
該鹼性型pH值調整劑，由於被氧化物氧化以變化pH值調整力，使高溫水之pH值維持鹼性變得困難，故高溫水之pH值自鹼性移至中性側。
高溫水之pH值自鹼性移至中性側時，由於防腐蝕劑之表面電位降低，防腐蝕劑之防腐蝕效果變高。而且，高溫水之pH值自鹼性移至中性側時，高溫水60之液性與鹼性相比時，由於防腐蝕劑之凝聚速度增加，防腐蝕劑對金屬構造材料之附著速度及防腐蝕劑彼此間之附著速度增加。
因此，藉由本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1實施形態，與習知的腐蝕抑制劑注入方法相比時，防腐蝕劑對金屬構造材料之附著速度被加速。
移至中性側後之高溫水的液性，為中性、弱酸性或弱鹼性時，由於防腐蝕劑對金屬構造材料之附著速度被加速，故較佳。具體而言，移至中性側後之高溫水，通常為 pH值4~10，較佳者pH值5~9，更佳者pH值6~8之範圍內。
(作用)
有關本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1實施形態的作用，參照圖面進行說明。
本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1實施形態，有照射放射線的方法、與照射紫外線的方法。首先，說明有關照射放射線的方法之作用。
<於第1實施形態中照射放射線的方法之作用>
第1圖係說明本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1及下述之第2實施形態中照射放射線時，防腐蝕劑之附著過程的簡略圖。
具體而言，第1(1A)圖係表示於放射線場所中，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物被氧化物氧化前之情形的典型簡略圖。此外，第1(1B)圖係表示於放射線場中，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物被氧化物氧化後之情形的典型簡略圖。
第2圖係說明本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1及下述之第2實施形態中照射放射線時，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物產生變化的簡略圖。
具體而言，第2(2A)圖係表示於照射放射線前，在鹼性高溫水中存在防腐蝕劑-pH值調整劑複合物的情形之 典型簡略圖。此外，第2(2B)圖係表示於照射放射線後，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之pH值調整劑被氧化，生成pH值調整劑之氧化生成物，且高溫水移至中性側的情形之典型簡略圖。另外，第2(2C)圖係表示於照射放射線後，在中性、弱酸性或弱鹼性高溫水中，pH值調整劑之氧化生成物自防腐蝕劑脫離的情形之典型簡略圖。
而且，本第1實施形態中照射放射線的方法，係有於注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與氧化物後，照射放射線的方法，及在照射放射線的狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與氧化物的方法。首先，說明有關注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與氧化物後，照射放射線的方法之作用。
〔注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與氧化物後，照射放射線的方法之作用〕
第1實施形態係構成防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10之pH值調整劑12為鹼性型pH值調整劑12A，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10係由防腐蝕劑11與鹼性型pH值調整劑12A所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A而形成。
首先，如第1(1A)圖及第2(2A)圖所示，在放射線場所70之高溫水60中，注入防腐蝕劑11與鹼性型pH值調整劑12A所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物 10A、及氧化物25；且照射如第1(1A)圖所示之放射線75前的狀態，高溫水60係藉由鹼性型pH值調整劑12A調整pH值而變成鹼性。
而且，第1(1A)圖係表示全部的鹼性型pH值調整劑12A吸附於防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A之防腐蝕劑11的狀態，惟本發明中亦有部分防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A之鹼性型pH值調整劑12A，自防腐蝕劑11脫離而存在於高溫水60中。
其次，在放射線場所70之高溫水60中照射放射線75時，如第1(1A)圖所示，高溫水60中之氧化物25係接近於防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A，使防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A之鹼性型pH值調整劑12A氧化。
另外，藉由照射放射線75，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A之防腐蝕劑11產生光觸媒反應。藉由該光觸媒反應，在防腐蝕劑11之表面或附近，自高溫水60生成超氧化物自由基‧O2- 及羥基自由基‧OH等之氧化物25。因此，在高溫水60中之氧化物25中，除注入於高溫水60中之氧化物25外，亦包含藉由光觸媒反應在高溫水60中所生成的超氧化物自由基‧O2- 等之氧化物25。
防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A之鹼性型pH值調整劑12A，被氧化物25氧化時，如第2(2B)圖所示，變化成pH值調整劑之氧化生成物42。pH值調整劑之氧化生成物42，與氧化前之鹼性型pH值調整劑12A相比時，由於使高溫水60變成鹼性之pH值調整力變小，高溫水 60之液性自鹼性移至中性側。
藉由氧化物25充分地進行鹼性型pH值調整劑12A之氧化，且變化鹼性型pH值調整劑12A之pH值調整力，高溫水60之液性大為移至中性側時，自鹼性型pH值調整劑12A所生成的pH值調整劑之氧化生成物42，如第1(1B)圖及第2(2C)圖所示，自防腐蝕劑11脫離。pH值調整劑之氧化生成物42脫離而露出的防腐蝕劑11，如第1(1B)圖所示，附著於金屬構造材料65之表面上。
而且，高溫水60之液性大為移至中性側，變成中性、弱酸性或弱鹼性時，高溫水60之液性與鹼性時相比，由於防腐蝕劑11之凝聚速度增加，本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1實施形態與習知方法相比，防腐蝕劑11對金屬構造材料65之附著速度及防腐蝕劑11彼此間之附著速度增加。
此處，中性、弱酸性或弱鹼性，具體而言係指高溫水60之液性通常為pH值4~10，較佳者pH值5~9，更佳者pH值6~8之範圍內。
此外，高溫水60之液性大為移至中性側，變成中性、弱酸性或弱鹼性時，由於防腐蝕劑11之表面電位降低，本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1實施形態與習知方法相比時，對金屬構造材料65而言防腐蝕劑11之防腐蝕效果變高。
氧化物25係於使防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A之鹼性型pH值調整劑12A氧化時，本身被還原，如第1 (1B)圖所示，形成氧化物之還原生成物45。
〔在照射放射線的狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與氧化物的方法之作用〕
其次，說明有關在照射放射線的狀態下，注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與氧化物之方法的作用。
本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1實施形態中照射放射線的方法中，在照射放射線的狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與氧化物的方法之作用，與本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1實施形態中照射放射線方法中注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與氧化物後照射放射線的方法之作用相比時，除具有高溫水中之氧化物快速地使防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之鹼性型pH值調整劑氧化之不同點外，其他的作用皆相同。因此，有關作用重複的部分，省略或簡略其說明。
參照第1圖及第2圖，說明作用。
首先，於放射線場所70之高溫水60中注入由防腐蝕劑11與鹼性型pH值調整劑12A所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A、及氧化物25時，如第1(1A)圖及第2(2A)圖所示，於高溫水60中存在有防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A與氧化物25。因此，於高溫水60中注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A與氧化物25後，直接在鹼性型pH值調整劑12A沒有被氧化物25充分地氧化的狀態下，使高溫水60藉由鹼性型pH值調整劑12A 調整pH值而變成鹼性。
然而，由於對放射線場所70之高溫水60照射放射線75，如第1(1A)圖所示，高溫水60中之氧化物25快速地接近於防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A，使防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A之鹼性型pH值調整劑12A氧化。
另外，由於對放射線場所70之高溫水60照射放射線75，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A之防腐蝕劑11快速地產生光觸媒反應。藉由該光觸媒反應，亦自高溫水60生成超氧化物自由基‧O2- 及羥基自由基‧OH等之氧化物25。
因此，高溫水60中之氧化物25中，除注入於高溫水60之氧化物25外，亦包含藉由光觸媒反應，自高溫水60中所生成的超氧化物自由基‧O2- 等之氧化物25。
繼後之作用，由於與上述第1實施形態中照射放射線的方法中，注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與氧化物後照射放射線之方法的作用相同，故省略說明。
<於第1實施形態中照射紫外線的方法之作用>
說明有關照射紫外線之方法的作用。
第3圖係說明本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1及下述之第2實施形態中照射紫外線時，防腐蝕劑之附著過程的簡略圖。
具體而言，第3(3A)圖係表示於照射紫外線環境中，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物被氧化物氧化前之情形 的典型簡略圖。而且，第3(3B)圖係表示於照射紫外線環境中，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物被氧化物氧化後之情形的典型簡略圖。
而且，第3圖與第1圖相比時，由於除放射線場所70為照射紫外線環境80、及放射線75為紫外線85以外，皆相同，相同的構成以相同的符號表示，省略構成之說明。
第4圖係說明本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1及下述之第2實施形態中照射紫外線時，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物產生變化的簡略圖。
具體而言，第4(4A)圖係表示於照射紫外線前，於鹼性高溫水中存在防腐蝕劑-pH值調整劑複合物的情形之典型簡略圖。而且，第4(4B)圖係表示於照射紫外線後，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之pH值調整劑被氧化，生成pH值調整劑之氧化生成物，且高溫水移至中性側的情形之典型簡略圖。此外，第4(4C)圖係表示於照射紫外線後，在中性、弱酸性或弱鹼性高溫水中，pH值調整劑之氧化生成物自防腐蝕劑脫離的情形之典型簡略圖。
而且，第4圖與第2圖相比時，由於除放射線75為紫外線85以外，皆相同，相同的構成以相同的符號表示，省略構成之說明。
於本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1實施形態中照射紫外線的方法，係有於注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與氧化物後照射紫外線的方法，及在照射紫外線的狀態 下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與氧化物的方法。
於本發明之第1實施形態中照射紫外線的方法之作用，與在本發明之第1實施形態中照射放射線的方法之作用相比時，除放射線場所70為照射紫外線環境80、及放射線75為紫外線85以外，皆相同。
換言之，於本發明之第1實施形態中照射紫外線之方法的作用，藉由於本發明之第1實施形態中照射放射線之方法的作用之說明部分中，以第3圖取代第1圖，以第4圖取代第2圖，以紫外線照射環境80取代放射線場所70，且以紫外線85取代放射線75，進行說明。
具體而言，藉由此等之取代，於本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1實施形態中照射紫外線的方法中，可說明有關於注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與氧化物後照射紫外線的方法、及在照射紫外線的狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與氧化物的方法等兩者之作用。
因此，省略說明本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1實施形態中照射紫外線之方法的作用。
(第1實施形態之效果)
藉由本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1實施形態與習知之腐蝕抑制劑注入方法相比，防腐蝕劑11對金屬構造材料65之附著速度被加速。
〔第2實施形態〕
本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第2實施形態，係在接液於金屬構造材料表面上的高溫水中，注入由防腐蝕劑與附著於該防腐蝕劑表面之pH值調整劑所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物，且照射放射線或紫外線之腐蝕抑制劑注入方法，藉由照射放射線或紫外線，防腐蝕劑自高溫水生成氧化物之腐蝕抑制劑注入方法。
本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第2實施形態與本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1實施形態相比時，除不需在高溫水中注入氧化物，及藉由照射放射線或紫外線，防腐蝕劑自高溫水生成氧化物以外，其他皆相同。因此，於該第2實施形態之構成及作用說明中，省略或簡略有關與本發明之第1實施形態相同的構成及作用之說明。
於本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第2實施形態中，不需在高溫水中注入氧化物的理由，係藉由照射放射線或紫外線，防腐蝕劑自高溫水生成氧化物之故。
因此，藉由該第2實施形態，由於不需在高溫水中注入氧化物，不僅具有經濟效益，同時可抑制在高溫水中殘留來自所注入的氧化物之雜質而降低高溫水之純度。
於該第2實施形態中，藉由照射放射線或紫外線，防腐蝕劑在高溫水中生成的氧化物，通常為超氧化物自由基‧O2- 及羥基自由基‧OH中之至少一種。超氧化物自由基‧O2- 及羥基自由基‧OH，藉由照射放射線或紫外線，使防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑產生光觸媒反應，自高溫水之水予以生成。
(作用)
參照第1圖~第4圖說明有關本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第2實施形態之作用。
本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第2實施形態，係照射放射線之方法與照射紫外線之方法。於該第2實施形態中，參照第1圖及第2圖說明有關照射放射線之方法的作用，且參照第3圖及第4圖說明有關照射紫外線之方法的作用。首先，說明有關照射放射線之方法的作用。
<照射放射線之方法的作用>
在本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第2實施形態中照射放射線之方法，係有注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物後照射放射線的方法，及在照射放射線之狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之方法。首先，說明有關注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物後，照射放射線之方法的作用。
〔注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物後照射放射線的方法之作用〕
第2實施形態係構成防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10之pH值調整劑12為鹼性型pH值調整劑12A，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10係由防腐蝕劑11與鹼性型pH值調整劑12A所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A而形 成。
首先，如第1(1A)圖及第2(2A)圖所示，在放射線場所70之高溫水60中，注入防腐蝕劑11與鹼性型pH值調整劑12A所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A，且照射如第1(1A)圖所示之放射線75前的狀態，高溫水60藉由鹼性型pH值調整劑12A調整pH值而變成鹼性。
而且，第1(1A)圖係表示全部的鹼性型pH值調整劑12A吸附於防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A之防腐蝕劑11的狀態，惟本發明中亦有部分防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A之鹼性型pH值調整劑12A，自防腐蝕劑11脫離而存在於高溫水60中。
其次，在放射線場所70之高溫水60中照射放射線75時，如第1(1A)圖所示，高溫水60中之防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A之防腐蝕劑11產生光觸媒反應，藉由該光觸媒反應，在防腐蝕劑11之表面或附近，自高溫水60生成超氧化物自由基‧O2- 及羥基自由基‧OH等之氧化物25。
在高溫水60中所生成的氧化物25，如第1(1A)圖所示，使防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A之鹼性型pH值調整劑12A氧化。
防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A之鹼性型pH值調整劑12A，被氧化物25氧化時，如第2(2B)圖所示，變化成pH值調整劑之氧化生成物42。pH值調整劑之氧化 生成物42與氧化前之鹼性型pH值調整劑12A相比時，由於使高溫水60變成鹼性之pH值調整力變小，高溫水60之液性自鹼性移至中性側。
繼後之作用，由於與本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1實施形態中照射放射線的方法中，注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與氧化物後照射放射線之方法的作用相同，故省略說明。
〔在照射放射線的狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物的方法之作用〕
其次，說明有關在該第2實施形態中照射放射線的狀態下，注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之方法的作用。
在該第2實施形態中照射放射線的方法中，在照射放射線的狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物的方法之作用，與本發明之第2實施形態中照射放射線方法中注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物後照射放射線的方法之作用相比時，除高溫水中之氧化物使防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之鹼性型pH值調整劑快速地氧化之不同點外，其他的作用皆相同。因此，有關作用重複的部分，省略或簡略其說明。
參照第1圖及第2圖，說明作用。
首先，於放射線場所70之高溫水60中注入由防腐蝕劑11與鹼性型pH值調整劑12A所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A時，如第1(1A)圖及第2(2A)圖所 示，於高溫水60中存在防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A。因此，於高溫水60中注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A後，直接使高溫水60藉由鹼性型pH值調整劑12A調整pH值而變成鹼性。
然而，由於對放射線場所70之高溫水60照射放射線75，高溫水60中之防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A之防腐蝕劑11快速地產生光觸媒反應。藉由該光觸媒反應，在防腐蝕劑11之表面或附近，自高溫水60生成超氧化物自由基‧O2- 及羥基自由基‧OH等之氧化物25。
在高溫水60中所生成的氧化物25，如第1(1A)圖所示，使防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A之鹼性型pH值調整劑12A氧化。
防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A之鹼性型pH值調整劑12A，被氧化物25氧化時，如第2(2B)圖所示，變化成pH值調整劑之氧化生成物42。pH值調整劑之氧化生成物42與氧化前之鹼性型pH值調整劑12A相比時，由於使高溫水60變成鹼性之pH值調整力變小，高溫水60之液性自鹼性移至中性側。
繼後之作用，由於與上述第1實施形態中照射放射線的方法中，注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與氧化物後照射放射線之方法的作用相同，故省略其說明。
<於第2實施形態中照射紫外線的方法之作用>
說明有關照射紫外線之方法的作用。
本發明之第2實施形態中照射紫外線的方法，係有於注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物後照射紫外線的方法，及在照射紫外線的狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之方法。
於本發明之第2實施形態中照射紫外線的方法之作用，與在本發明之第2實施形態中照射放射線的方法之作用相比時，除放射線場所70為照射紫外線環境80、及放射線75為紫外線85以外，皆相同。
換言之，本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第2實施形態中照射紫外線之方法的作用，可藉由於相同的第2實施形態中照射放射線之方法的作用之說明部分中，以第3圖取代第1圖，以第4圖取代第2圖，以紫外線照射環境80取代放射線場所70，且以紫外線85取代放射線75，進行說明。
具體而言，藉由此等之取代，於本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第2實施形態中照射紫外線的方法中，可說明有關於注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物後照射紫外線的方法、及在照射紫外線的狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物的方法等兩者之作用。
於下述中，省略說明本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第2實施形態中照射紫外線之方法的作用。
(第2實施形態之效果)
本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第2實施形態與習知 之腐蝕抑制劑注入方法相比時，防腐蝕劑11對金屬構造材料65之附著速度被加速。
此外，該第2實施形態與本發明之第1實施形態相比時，由於不需在高溫水中注入氧化物，除具有經濟效益外，同時可抑制在高溫水中殘留來自所注入的氧化物之雜質而降低高溫水之純度。
〔第3實施形態〕
本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3實施形態，係在接液於金屬構造材料表面上之高溫水中注入由防腐蝕劑與附著於該防腐蝕劑表面上之pH值調整劑所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物、及還原物，且照射放射線或紫外線之腐蝕抑制劑注入方法。
本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3實施形態與本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1實施形態相比時，除在高溫水中注入還原物取代在高溫水中注入氧化物而言、防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑具有使表面上之pH值調整劑與還原物產生反應的活性點而言、作為構成防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑以p型半導體較佳而言、作為構成防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之pH值調整劑以酸性型pH值調整劑較佳而言、以及藉由照射放射線或紫外線以使存在於防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑表面及高溫水中之至少一方的pH值調整劑被還原物還原而變化pH值調整劑之pH值調整力而言等不同外， 其他皆相同。
因此，於本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3實施形態之構成及作用說明中，省略或簡略說明有關與第1實施形態相同的構成及作用。
該第3實施形態中所使用的金屬構造材料及高溫水，係使用與本發明第1實施形態中所使用的金屬構造材料及高溫水相同者。
高溫水之溫度，通常為100~350℃，較佳者為120~180℃。高溫水之溫度為100~350℃時，於防腐蝕劑-pH值調整劑複合物中附著於防腐蝕劑表面之pH值調整劑自防腐蝕劑表面脫離，變化防腐蝕劑之表面能量，使防腐蝕劑變得容易附著於金屬構造材料上，故較佳。而且，高溫水之溫度為100~350℃時，於防腐蝕劑-pH值調整劑複合物中附著於防腐蝕劑表面或存在於高溫水中之pH值調整劑變得容易被還原物還原，故較佳。
(防腐蝕劑-pH值調整劑複合物)
於本發明之腐蝕抑制劑注入方法之第3實施形態中，在高溫水中注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物。防腐蝕劑-pH值調整劑複合物係由防腐蝕劑與吸附於該防腐蝕劑表面之pH值調整劑所形成。
<防腐蝕劑>
防腐蝕劑係附著於金屬構造材料上，賦予金屬構造材 料具有防腐蝕效果之固體物質。防腐蝕劑對金屬構造材料而言具有充分的防腐蝕效果，同時使用藉由照射放射線或紫外線產生光觸媒反應之光觸媒。此外，光觸媒例如使用半導體。
於半導體中，p型半導體係藉由照射放射線或紫外線產生光觸媒反應，在p型半導體表面及該表面附近之高溫水中，自高溫水生成還原物且藉由增加還原物量，增加防腐蝕劑對金屬構造材料之附著速度。
p型半導體例如使用選自氧化鐵Fe3 O4 、氧化鉻Cr2 O3 、及氧化鎳NiO之1種以上的氧化物。氧化鐵Fe3 O4 、氧化鉻Cr2 O3 、及氧化鎳NiO，由於光觸媒性能高且安定，故較佳。
防腐蝕劑之形態，沒有特別的限制，通常為粉末狀。防腐蝕劑為粉末狀時，防腐蝕劑之平均粒徑通常為1μm以下、較佳者為0.02μm~1μm、更佳者為0.02μm~0.3μm。
防腐蝕劑之平均粒徑為1μm以下時，由於防腐蝕劑容易附著於金屬構造材料表面上，同時可藉由使防腐蝕劑之表面積變大而使降低金屬構造材料之腐蝕電位的效果變大，故較佳。
防腐蝕劑具有在其表面上使吸附於防腐蝕劑之pH值調整劑與還原物產生反應的活性點。此處，活性點係指露出有防腐蝕劑的表面，且pH值調整劑與還原物產生反應的部位。因此，露出有防腐蝕劑的表面、及pH調整劑與還原物沒有產生反應的部位，不具活性點。防腐蝕劑表面 之活性點，係藉由防腐蝕劑表面之化學研磨或物理研磨等所形成。
<pH值調整劑>
pH值調整劑係調整高溫水之pH值者。本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3實施形態中，pH值調整劑係使用藉由添加於高溫水中以降低高溫水之pH值的酸性型pH值調整劑。
酸性型pH值調整劑，例如含有選自氮、硫及碳中之1種以上的元素之無機化合物或有機化合物。無機化合物例如甲酸、乙酸、碳酸、硫酸、鹽酸或此等之鹽。有機化合物例如檸檬酸、葡糖酸、蘋果酸或此等之鹽。
而且，pH值調整劑為液體時，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物係採用在防腐蝕劑表面上濕潤pH值調整劑的形態，注入於高溫水中時，pH值調整劑變得容易自防腐蝕劑表面脫離。本發明之實施例，以即使將防腐蝕劑-pH值調整劑複合物注入於高溫水中，直至被還原物還原為止，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之pH值調整劑仍繼續吸附於防腐蝕劑表面上為宜。因此，吸附於防腐蝕劑表面之pH值調整劑，以如微粉末等容易吸附於防腐蝕劑表面之固體狀、或漿料狀較佳。
pH值調整劑為酸性型pH值調整劑的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物，注入於高溫水中時，添加防腐蝕劑-pH值調整劑複合物後之高溫水，在照射放射線或紫外線前之液 性為酸性。
pH值調整劑為酸性型pH值調整劑時，注入有防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之高溫水的pH值，例如未達5。
防腐蝕劑-pH值調整劑複合物，於pH值調整劑為固體或漿料狀時，例如藉由混合防腐蝕劑與pH值調整劑，使pH值調整劑吸附於防腐蝕劑表面而製得。此處，pH值調整劑為漿料狀時，係指包含pH值調整劑本身為漿料狀的形態，與pH值調整劑本身為固體且將該pH值調整劑混合於漿料中之形態等兩種。
另外，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物，於pH值調整劑為液體時，例如藉由將防腐蝕劑投入pH值調整劑中，使pH值調整劑吸附於防腐蝕劑表面上而製得。
(還原物)
還原物係使pH值調整劑還原的還原劑。還原物係使用選自氫化鋁鋰、氫化硼鈉、氫化二異丁基鋁、草酸、甲酸、鐵(II)離子、錫(II)離子、及亞硫酸鹽中之1種以上。
本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3實施形態，係在接液於金屬構造材料表面之高溫水中注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物、與還原物。將防腐蝕劑-pH值調整劑複合物及還原物注入於高溫水之順序，沒有特別的限制。例如可將防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與還原物同時注入高溫水中，亦可將任一種注入後，再注入另一種。
(放射線或紫外線)
於該第3實施形態中，放射線或紫外線係促進存在於防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑表面及高溫水中任一方的pH值調整劑以還原物還原之反應，同時自高溫水生成新的還原物。
此處，存在於高溫水中之pH值調整劑係指自防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑表面脫離，存在於高溫水中之pH值調整劑。
而且，使pH值調整劑還原的還原物，係指包含防腐蝕劑-pH值調整劑複合物且注入於高溫水中之還原物，及自高溫水生成的新還原物。
此外，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與注入於高溫水之還原物，如上所述係指選自氫化鋁鋰、氫化硼鈉、氫化二異丁基鋁、草酸、甲酸、鐵(II)離子、錫(II)離子、及亞硫酸鹽中之1種以上。
放射線例如使用α線、γ線、或中性子線。α線、γ線、或中性子線，由於藉由還原物充分地促進pH值調整劑之還原反應，同時自高溫水生成新的還原物之效率高，故較佳。
紫外線例如使用波長200~380nm之近紫外線、波長10~200nm之遠紫外線等。近紫外線以波峰波長通常為200~300nm、較佳者230~270nm之範圍內較佳。
本發明之第3實施形態，如上所述藉由照射放射線或 紫外線，使存在於防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑表面及高溫水中之至少一方的pH值調整劑被還原物還原，使pH值調整劑產生化學變化，以變化pH值調整劑之pH值調整力。此處，變化pH值調整力係指包含失去pH值調整力、及使pH值調整力變弱等兩種。
本發明之第3實施形態，係使用藉由添加於高溫水中以降低高溫水之pH值的酸性型pH值調整劑作為pH調整劑。因此，添加有防腐蝕劑-pH值調整劑複合物後之高溫水，藉由於防腐蝕劑-pH值調整劑複合物中附著於防腐蝕劑表面上，或自防腐蝕劑表面脫離而存在於高溫水中之酸性型pH值調整劑調整pH值，於照射放射線或紫外線前之液性為酸性。
該酸性型pH值調整劑，由於被還原物還原而變化pH值調整力時，高溫水之pH值不易維持於酸性，故高溫水之pH值自酸性移至中性側。
高溫水之pH值自酸性移至中性側時，與高溫水60之液性為酸性時相比，由於防腐蝕劑之凝聚速度增加，故防腐蝕劑對金屬構造材料之附著速度及防腐蝕劑彼此間之附著速度增加。
因此，本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3實施形態與習知的腐蝕抑制劑注入方法相比時，防腐蝕劑對金屬構造材料之附著速度加快。
移至中性側後之高溫水的液性為中性、弱酸性或弱鹼性時，由於防腐蝕劑對金屬構造材料之附著速度加快，故 較佳。具體而言，移至中性側後之高溫水，通常pH值為4~10、較佳者pH值為5~9、更佳者pH值為6~8之範圍內為宜。
(作用)
參照圖面說明有關本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3實施形態之作用。
該第3實施形態，係有照射放射線之方法、照射紫外線之方法。首先，說明有關照射放射線之方法的作用。
<照射放射線之方法的作用>
第5圖係說明本發明第3及下述之第4實施形態中照射放射線時防腐蝕劑之附著過程的簡略圖。
具體而言，第5(5A)圖係表示於放射線場所中防腐蝕劑-pH值調整劑複合物被還原物還原前之情形的典型簡略圖。另外，第5(5B)圖係表示於放射線場所中防腐蝕劑-pH值調整劑複合物被還原物還原後之情形的典型簡略圖。
第6圖係說明本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3及下述之第4實施形態中照射放射線時，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物變化的簡略圖。
具體而言，第6(6A)圖係表示於照射放射線前，在酸性高溫水中存在防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之情形的典型簡略圖。而且，第6(6B)圖係表示於照射放射線 後，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之pH值調整劑被還原，生成pH值調整劑之還原生成物，且高溫水移至中性側之情形的典型簡略圖。此外，第6(6C)圖係表示於照射放射線後，在中性、弱酸性或弱鹼性之高溫水中，pH值調整劑之還原生成物自防腐蝕劑脫離之情形的典型簡略圖。
而且，於上述第3實施形態中照射放射線的方法，係有注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與還原物後照射放射線的方法，及在照射放射線的狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與還原物的方法。首先，說明有關於注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與還原物後，照射放射線的方法之作用。
〔注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與還原物後，照射放射線之方法的作用〕
第3實施形態係構成防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10之pH值調整劑12為酸性型pH值調整劑12B，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10為由防腐蝕劑11與酸性型pH值調整劑12B所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B。
首先，如第5(5A)圖及第6(6A)圖所示，在放射線場所70之高溫水60中注入由防腐蝕劑11與酸性型pH值調整劑12B所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B、與還原物35，且如第5(5A)圖所示照射放射線75前之狀態，高溫水60藉由酸性型pH值調整劑12B調整 pH值而變成酸性。
而且，第5(5A)圖係表示全部的酸性型pH值調整劑12B吸附於防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B之防腐蝕劑11的狀態，惟於本發明中部分的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B之酸性型pH值調整劑12B亦可自防腐蝕劑11脫離，存在於高溫水60中。
其次，在放射線場所70之高溫水60中照射放射線75時，如第5(5A)圖所示，高溫水60中之還原物35接近於防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B，使防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B之酸性型pH值調整劑12B還原。
另外，藉由照射放射線75，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B之防腐蝕劑11產生光觸媒反應。藉由該光觸媒反應，在防腐蝕劑11表面或附近，自高溫水60生成還原物35。因此，高溫水60中之還原物35係除注入於高溫水60之還原物35外，亦包含藉由光觸媒反應，自高溫水60中所生成的還原物35。
防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B之酸性型pH值調整劑12B，被還原物35還原時，如第6(6B)圖所示，變化成pH值調整劑之還原生成物52。pH值調整劑之還原生成物52與還原前之酸性型pH值調整劑12B相比時，由於使高溫水60變成酸性之pH值調整力變小，故高溫水60之液性自酸性移至中性側。
藉由還原物35充分地進行酸性型pH值調整劑12B之還原，且變化酸性型pH值調整劑12B之pH值調整力， 高溫水60之液性大為移至中性側時，自酸性型pH值調整劑12B所生成的pH值調整劑之還原生成物52，如第5(5B)圖及第6(6C)圖所示，自防腐蝕劑11脫離。pH值調整劑之還原生成物52脫離而露出的防腐蝕劑11，如第5(5B)圖所示，附著於金屬構造材料65之表面上。
而且，高溫水60之液性移至中性側，變成中性、弱酸性或弱鹼性時，與高溫水60之液性為酸性時相比，由於防腐蝕劑11之凝聚速度增加，本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3實施形態與習知的方法相比時，防腐蝕劑11對金屬構造材料65之附著速度及防腐蝕劑11彼此間之附著速度增加。
此處，中性、弱酸性或弱鹼性，具體而言高溫水60之液性係指通常pH值為4~10、較佳者pH值為5~9、更佳者pH值為6~8之範圍內。
此外，高溫水60之液性大為移至中性側，變成中性、弱酸性或弱鹼性時，由於防腐蝕劑11之表面電位降低，與本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3實施形態與習知的方法相比時，對金屬構造材料65而言防腐蝕劑11之防腐蝕效果變高。
還原物35係使防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B之酸性型pH值調整劑12B還原時，本身被氧化，如第5(5B)圖所示，形成還原物之氧化生成物55。
〔在照射放射線之狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合 物與還原物之方法的作用〕
其次，說明有關在照射放射線的狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與還原物之方法的作用。
本發明之第3實施形態中照射放射線的方法中，在照射放射線的狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與還原物的方法之作用，與該第3實施形態中照射放射線方法中注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與還原物後照射放射線的方法之作用相比時，除高溫水中之還原物快速地使防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之酸性型pH值調整劑還原之不同點外，其他的作用皆相同。因此，有關作用重複的部分，省略或簡略其說明。
參照第5圖及第6圖，說明作用。
首先，於放射線場所70之高溫水60中注入由防腐蝕劑11與酸性型pH值調整劑12B所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B、及還原物35時，如第5(5A)圖及第6(6A)圖所示，於高溫水60中存在防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B與還原物35。因此，於高溫水60中注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B與還原物35後，直接在酸性型pH值調整劑12B沒有充分地被還原物35氧化的狀態下，高溫水60藉由酸性型pH值調整劑12B予以調整pH值變成酸性。
然而，由於對放射線場所70之高溫水60照射放射線75，如第5(5A)圖所示，高溫水60中之還原物35快速地接近於防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B，且使防腐蝕 劑-pH值調整劑複合物10B之酸性型pH值調整劑12B還原。
另外，由於對放射線場所70之高溫水60照射放射線75，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B之防腐蝕劑11快速產生光觸媒反應。藉由該光觸媒反應，亦自高溫水60生成還原物35。
因此，於高溫水60中之還原物35中，除注入於高溫水60之還原物35外，亦包含藉由光觸媒反應，自高溫水60中所生成的還原物35。
繼後之作用，由於與本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3實施形態中照射放射線的方法中，於注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與還原物後照射放射線之方法的作用相同，故省略其說明。
<照射紫外線的方法之作用>
說明有關照射紫外線之方法的作用。
第7圖係說明本發明之第3及下述之第4實施形態中照射紫外線時，防腐蝕劑之附著過程的簡略圖。
具體而言，第7(7A)圖係表示於照射紫外線環境中，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物被還原物還原前之情形的典型簡略圖。而且，第7(7B)圖係表示於照射紫外線環境中，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物被還原物還原後之情形的典型簡略圖。
而且，第7圖與第5圖相比時，由於除放射線場所70 為照射紫外線環境80、及放射線75為紫外線85以外，皆相同，相同的構成以相同的符號表示，簡略構成之說明。
第8圖係說明本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3及下述之第4實施形態中照射紫外線時，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物變化的簡略圖。
具體而言，第8(8A)圖係表示於照射紫外線前，於酸性型高溫水中存在防腐蝕劑-pH值調整劑複合物的情形之典型簡略圖。而且，第8(8B)圖係表示於照射紫外線後，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之pH值調整劑被還原，生成pH值調整劑之還原生成物，且高溫水移至中性側的情形之典型簡略圖。此外，第8(8C)圖係表示於照射紫外線後，於中性、弱酸性或弱鹼性高溫水中，pH值調整劑之還原生成物自防腐蝕劑脫離的情形之典型簡略圖。
而且，第8圖與第6圖相比時，由於除放射線75為紫外線85以外皆相同，相同的構成以相同的符號表示，省略構成之說明。
於本發明之第3實施形態中照射紫外線的方法，係有於注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與還原物後，照射紫外線的方法，及在照射紫外線的狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與還原物的方法。
其中，照射紫外線的方法之作用，與第3實施形態中照射放射線的方法之作用相比時，除放射線場所70為照射紫外線環境80、及放射線75為紫外線85以外，皆相 同。
換言之，本發明之第3實施形態中照射紫外線之方法的作用，可藉由於本發明之第3實施形態中照射放射線之方法的作用之說明部分中，以第7圖取代第5圖，以第8圖取代第6圖，且以紫外線照射環境80取代放射線場所70，且以紫外線85取代放射線75進行說明。
具體而言，藉由此等之取代，於本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3實施形態中照射紫外線的方法中，可說明有關於注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與還原物後照射紫外線的方法、及在照射紫外線的狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與還原物的方法等兩者之作用。
因此，省略說明本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3實施形態中照射紫外線之方法的作用。
(第3實施形態之效果)
本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3實施形態與習知之腐蝕抑制劑注入方法相比，防腐蝕劑11對金屬構造材料65之附著速度被加速。
〔第4實施形態〕
本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第4實施形態，係在接液於金屬構造材料表面上的高溫水中，注入由防腐蝕劑與附著於該防腐蝕劑表面之pH值調整劑所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物，且照射放射線或紫外線之腐蝕抑 制劑注入方法，藉由照射放射線或紫外線，防腐蝕劑自高溫水生成還原物之腐蝕抑制劑注入方法。
本發明之第4實施形態與本發明之第3實施形態相比時，除不需在高溫水中注入還原物，及藉由照射放射線或紫外線，防腐蝕劑自高溫水生成還原物等不同點以外，其他皆相同。因此，於本發明第4實施形態之構成及作用說明中，省略或簡略說明有關與第3實施形態相同的構成及作用。
於本發明之第4實施形態中，不需在高溫水中注入還原物的理由，係藉由照射放射線或紫外線，防腐蝕劑自高溫水生成還原物之故。
因此，藉由該第4實施形態，由於不需在高溫水中注入還原物，具有經濟效益，同時可抑制在高溫水中殘留來自注入的還原物之雜質而降低高溫水之純度。
(作用)
參照第5圖~第8圖說明有關本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第4實施形態之作用。
於本發明之第4實施形態中，係有照射放射線之方法與照射紫外線之方法。其中，參照第5圖及第6圖說明有關照射放射線之方法的作用，且參照第7圖及第8圖說明有關照射紫外線之方法的作用。首先，說明有關照射放射線之方法的作用。
<照射放射線之方法的作用>
在本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第4實施形態中照射放射線之方法，係有注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物後照射放射線的方法，及在照射放射線之狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之方法。首先，說明有關注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物後，照射放射線之方法的作用。
〔注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物後照射放射線的方法之作用〕
第4實施形態係構成防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10之pH值調整劑12為酸性型pH值調整劑12B，防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10係由防腐蝕劑11與酸性型pH值調整劑12B所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B而形成。
首先，如第5(5A)圖及第6(6A)圖所示，在放射線場所70之高溫水60中，注入防腐蝕劑11與酸性型pH調整劑12B所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B，且照射如第5(5A)圖所示之放射線75前的狀態，高溫水60藉由酸性型pH值調整劑12B調整pH值變成酸性。
而且，第5(5A)圖係表示全部的酸性型pH值調整劑12B吸附於防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B之防腐蝕劑11的狀態，惟本發明中亦有部分防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B之酸性型調整劑12B，自防腐蝕劑11脫離而 存在於高溫水60中。
其次，在放射線場所70之高溫水60中照射放射線75時，如第5(5A)圖所示，高溫水60中之防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B之防腐蝕劑11產生光觸媒反應，藉由該光觸媒反應，在防腐蝕劑11之表面或附近，自高溫水60生成還原物35。
在高溫水60中所生成的還原物35，如第5(5A)圖所示，使防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B之酸性型pH值調整劑12B還原。
防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B之酸性型pH值調整劑12B，被還原物35還原時，如第6(6B)圖所示，變化成pH值調整劑之還原生成物52。pH值調整劑之還原生成物52與還原前之酸性型pH值調整劑12B相比時，由於使高溫水60變成酸性之pH值調整力變小，高溫水60之液性自酸性移至中性側。
繼後之作用，由於與本發明之第3實施形態中照射放射線的方法中，注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與還原物後照射放射線之方法的作用相同，故省略其說明。
〔在照射放射線的狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物的方法之作用〕
其次，說明有關在照射放射線的狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之方法的作用。
在該第4實施形態中照射放射線的方法中，照射放射 線的狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物的方法之作用，與本發明之第4實施形態中照射放射線方法中注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物後照射放射線的方法之作用相比時，除具有高溫水中之氧化物使防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之酸性型pH值調整劑快速地還原之不同點外，其他的作用皆相同。因此，有關作用重複的部分，省略或簡略其說明。
參照第5圖及第6圖，說明作用。
首先，於放射線場所70之高溫水60中注入由防腐蝕劑11與酸性型pH值調整劑12B所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B時，如第5(5A)圖及第6(6A)圖所示，於高溫水60中存在有防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B。因此，於高溫水60中注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B後，直接使高溫水60藉由酸性型pH值調整劑12B調整pH值變成酸性。
然而，由於對放射線場所70之高溫水60照射放射線75，高溫水60中之防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B之防腐蝕劑11快速地產生光觸媒反應。藉由該光觸媒反應，在防腐蝕劑11之表面或附近，自高溫水60生成還原物35。
在高溫水60中所生成的還原物35，如第5(5A)圖所示，使防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B之酸性型pH值調整劑12B還原。
防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B之酸性型pH值調 整劑12B，被還原物35還元時，如第6(6B)圖所示，變化成pH值調整劑之還原生成物52。pH值調整劑之還原生成物52與還原前之酸性型pH值調整劑12B相比時，由於使高溫水60變成酸性之pH值調整力變小，高溫水60之液性自酸性移至中性側。
繼後之作用，由於與本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3實施形態中照射放射線的方法中，注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物與還原物後照射放射線之方法的作用相同，故省略其說明。
<照射紫外線的方法之作用>
說明有關照射紫外線之方法的作用。
本發明之第4實施形態中照射紫外線的方法，係有注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物後照射紫外線的方法，及在照射紫外線的狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之方法。
本發明之第4實施形態中照射紫外線的方法之作用，與同第4實施形態中照射放射線的方法之作用相比時，除以紫外線照射環境80取代放射線場所70，且以紫外線85取代放射線75外，其餘皆相同。
換言之，第4實施形態中照射紫外線的方法之作用，於同第4實施形態中照射放射線的方法之作用的說明部分中，可藉由以第7圖取代第5圖，以第8圖取代第6圖，以紫外線照射環境80取代放射線場所70，且以紫外線85 取代放射線75進行說明。
具體而言，可藉由此等之取代，說明有關於本發明之第4實施形態中照射紫外線的方法中注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物後照射紫外線的方法，及在照射紫外線的狀態下注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物的方法等兩者之作用。
因此，省略說明本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第4實施形態中照射紫外線之方法的作用。
(第4實施形態之效果)
藉由本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第4實施形態，與習知之腐蝕抑制劑注入方法相比時，防腐蝕劑11對金屬構造材料65之附著速度被加速。
此外，本發明之第4實施形態與本發明之第3實施形態相比時，由於不需在高溫水中注入還原物，具有經濟效益，同時可抑制在高溫水中殘留來自注入的還原物之雜質而降低高溫水之純度。
而且，上述第1~第4實施形態，係說明有關分別照射放射線與紫外線之例，惟於第1~第4實施形態中亦可併用照射放射線與照射紫外線。併用照射放射線與照射紫外線的方法，例如同時照射放射線與紫外線的方法、於照射放射線後照射紫外線的方法、於照射紫外線後照射放射線的方法等。
於下述中以實施例為例示，惟本發明不受此等解釋者所限制。
〔實施例〕 〔實施例1〕 (藉由放射線照射使防腐蝕劑附著於金屬構造材料之試驗)
如第1(1A)圖所示，在接液於作為金屬構造材料之SUS65表面的150℃之高溫水60中，注入由作為防腐蝕劑之二氧化鈦TiO2 粒子11與吸附於該二氧化鈦粒子11表面之鹼性型pH值調整劑12A所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A、及作為氧化物之氧25。注入後，高溫水60之液性為鹼性。而且，高溫水60中之防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A，如第2(2A)圖所示，大多數保持鹼性型pH值調整劑12A吸附於二氧化鈦粒子11表面上的狀態。
該狀態係於高溫水60中照射作為放射線之γ線75時，於放射線場所70中使防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A之鹼性型pH值調整劑12A、與氧25進行反應。
防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A之鹼性型pH值調整劑12A，被氧25氧化，如第2(2B)圖所示，變化成pH值調整劑之氧化生成物42。pH值調整劑之氧化生成物42，使高溫水60之pH值調成鹼性的pH值調整力與鹼性 型pH值調整劑12A相比時較弱，高溫水60之液性自鹼性移至中性側，變成弱鹼性至弱酸性。另外，氧25被還原而變化成超氧化物自由基‧O2- 。
吸附於二氧化鈦粒子11表面上之pH值調整劑的氧化生成物42，如第1(1B)圖及第2(2C)圖所示，自二氧化鈦粒子11之表面脫離。
脫離pH值調整劑之氧化生成物42之二氧化鈦粒子11，表面能量產生變化。而且，由於高溫水60之液性自鹼性移至中性側，變成弱鹼性至弱酸性，故二氧化鈦粒子11之凝聚速度增加，對其他物質之附著速度亦增加。因此，二氧化鈦粒子11如第1(1B)圖所示，快速地附著於SUS65表面上。
另外，二氧化鈦粒子11附著於SUS65表面後之高溫水60中，存在有pH值調整劑之氧化生成物42及超氧化物自由基‧O2- 。
〔實施例2、比較例1〕 (照射放射線是否有無影響)
除使用過氧化氫取代氧作為氧化物外，與實施例1相同地，使二氧化鈦粒子11附著於SUS65表面上(實施例2)。實施例2係於注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A與過氧化氫後，高溫水60之液性為鹼性，惟照射γ線75後之高溫水60的pH值為7。
此外，除比較例中沒有照射γ線外，與實施例2相同 地，使二氧化鈦粒子11附著於SUS65之表面上(比較例1)。比較例1係於注入防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10A與過氧化氫後，高溫水60之液性仍為鹼性，沒有產生變化。
另外，有關實施例2及比較例1，測定二氧化鈦粒子11附著於SUS65表面之附著量。
第9圖係表示是否有無藉由照射放射線之防腐蝕劑的附著量變化之特性圖。於第9圖中，實施例2及比較例1之高溫水的pH值、及二氧化鈦粒子附著於SUS表面之附著量。
由第9圖可知，照射放射線(γ線)時，高溫水之pH值移至中性側，且二氧化鈦粒子對SUS表面而言之附著量亦增加。
〔實施例3及4、比較例2及3〕 (是否有無照射紫外線之影響)
除使用SUS試驗片65取代SUS65，使用波峰波長254nm、0.2mW/cm2 之紫外線取代放射線(γ線)，且使高溫水之溫度為160℃外，與實施例2相同地，使二氧化鈦粒子11附著於SUS試驗片65表面上(實施例3)。
而且，除高溫水之溫度為100℃外，與實施例3相同地，使二氧化鈦粒子11附著於SUS試驗片65表面上(實施例4)。
此外，除沒有照射紫外線外，與實施例3相同地，使 二氧化鈦粒子11附著於SUS試驗片65表面上(比較例2)。
另外，除沒有照射紫外線外，與實施例4相同地，使二氧化鈦粒子11附著於SUS試驗片65表面上(比較例3)。
於實施例3及4中，n型半導體之二氧化鈦粒子11藉由照射紫外線，在高溫水中生成氧化物，且該氧化物使鹼性型pH值調整劑12A氧化。然後，藉由鹼性型pH值調整劑12A被氧化，使高溫水之pH值自鹼性移至中性側，且使二氧化鈦粒子11對SUS試驗片65表面的附著速度增加。
有關實施例3及4、以及比較例2及3，測定二氧化鈦粒子11於SUS試驗片65表面之附著量。
第10圖係表示是否有藉由照射紫外線時，防腐蝕劑之附著量的變化特性圖。第10圖中係表示實施例3及4、與比較例2及3中二氧化鈦粒子於SUS試驗片表面之附著量。
由第10圖可知，照射紫外線時與沒有照射紫外線時相比，二氧化鈦粒子之附著量增加。而且，由第10圖可知，高溫水之溫度愈高時，二氧化鈦粒子之附著量愈為增加。
〔實施例5〕 (高溫水之pH值的影響)
如第5(5A)圖所示，在接液於作為金屬構造材料之SUS試驗片65表面的180℃之高溫水60中，注入由防腐蝕劑11與吸附於該防腐蝕劑11表面之酸性型pH值調整劑12B所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B、及還原物35。注入後，高溫水60之液性為酸性，pH值為4。而且，高溫水60中之防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B，如第6(6A)圖所示，大多數使酸性型pH值調整劑12B吸附於防腐蝕劑11表面的狀態。
該狀態係於高溫水60中照射作為放射線之γ線75時，於放射線場所70中使防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B之酸性型pH值調整劑12B與還原物35進行反應。
防腐蝕劑-pH值調整劑複合物10B之酸性型pH值調整劑12B，被還原物35還原，如第6(6B)圖所示，變化成pH值調整劑之還原生成物52。pH值調整劑之還原生成物52，使高溫水60之pH值變成酸性之pH值調整力，與酸性型pH值調整劑12B相比時較弱，高溫水60之液性自pH4移至中性側，最後變成pH值7。另外，還原物35被氧化變成氧化物55。
吸附於防腐蝕劑11表面之pH值調整劑的還原生成物52，如第5(5B)圖及第5(5C)圖所示，自防腐蝕劑11表面脫離。
脫離pH值調整劑之還原生成物52之防腐蝕劑11，表面能量產生變化。而且，由於高溫水60之液性自pH值4之酸性移至中性側，且pH值變為7，故防腐蝕劑11之 凝聚速度增加，且對其他物質之附著速度亦增加。因此，防腐蝕劑11如第5(5B)圖所示，可快速地附著於SUS試驗片65表面上。
而且，於防腐蝕劑11附著於SUS試驗片65表面後之高溫水60中，存在有pH值調整劑之還原生成物52及還原物之氧化生成物55。
有關實施例5，測定防腐蝕劑11對SUS試驗片65之附著量。
第11圖係表示水之pH值與防腐蝕劑之附著量的關係特性圖。第11圖係表示實施例5中防腐蝕劑對SUS試驗片表面之附著量。
〔比較例4〕 (高溫水之pH值的影響)
除沒有照射γ線外，與實施例5相同地，使防腐蝕劑11附著於SUS試驗片65表面上。
有關比較例4，測定防腐蝕劑11對SUS試驗片65表面之附著量。
第11圖係表示比較例4中防腐蝕劑對SUS試驗片表面之附著量。
由第11圖可知，高溫水之液性為中性時，防腐蝕劑之附著量較酸性時更多。
雖說明本發明之幾種實施形態，惟此等之實施形態僅為例示，發明之範圍不受此等所限制。此等新穎的實施形 態，可以各種形態予以實施，在不脫離本發明要旨之範圍內，可進行各種的省略、取代、變更。此等實施形態或其變形，皆包含於本發明之範圍或要旨內，包含於申請專利範圍所記載的發明與其均等的範圍。
〔產業上之利用價值〕
藉由本發明之各實施例的腐蝕抑制劑注入方法，由於可增加防腐蝕劑對金屬構造材料之附著速度，故不受限於上述之技術領域，可適用於很多的技術領域中，產業上之利用價值高。
10,10A,10B‧‧‧防腐蝕劑-pH值調整劑複合物
11‧‧‧防腐蝕劑(二氧化鈦粒子)
12‧‧‧pH值調整劑
12A‧‧‧鹼性型pH值調整劑
12B‧‧‧酸性型pH值調整劑
25‧‧‧氧化物
35‧‧‧還原物
42‧‧‧pH值調整劑之氧化生成物
45‧‧‧氧化物之還原生成物
52‧‧‧pH值調整劑之還原生成物
55‧‧‧還原物之氧化生成物
60‧‧‧高溫水
65‧‧‧金屬構造材料
70‧‧‧放射線場所
75‧‧‧放射線
80‧‧‧紫外線照射環境
85‧‧‧紫外線
〔第1圖〕第(1A)及(1B)圖係各說明本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1及第2實施形態中照射放射線時之防腐蝕劑的附著過程簡略圖。
〔第2圖〕第(2A)至(2C)圖係各說明本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1及第2實施形態中照射放射線時之防腐蝕劑-pH值調整劑複合物的變化之簡略圖。
〔第3圖〕第(3A)及(3B)圖係各說明本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1及第2實施形態中照射紫外線時之防腐蝕劑的附著過程簡略圖。
〔第4圖〕第(4A)至(4C)圖係各說明本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第1及第2實施形態中照射紫外線時之防腐蝕劑-pH值調整劑複合物的變化之簡略圖。
〔第5圖〕第(5A)及(5B)圖係各說明本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3及第4實施形態中照射放射線時之防腐蝕劑的附著過程簡略圖。
〔第6圖〕第(6A)至(6C)圖係各說明本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3及第4實施形態中照射放射線時之防腐蝕劑-pH值調整劑複合物的變化之簡略圖。
〔第7圖〕第(7A)及(7B)圖係各說明本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3及第4實施形態中照射紫外線時之防腐蝕劑的附著過程簡略圖。
〔第8圖〕第(8A)至(8C)圖係各說明本發明之腐蝕抑制劑注入方法的第3及第4實施形態中照射紫外線時之防腐蝕劑-pH值調整劑複合物的變化之簡略圖。
〔第9圖〕係表示是否有藉由放射線照射之防腐蝕劑的附著量之變化特性圖。
〔第10圖〕係表示是否有藉由紫外線照射之防腐蝕劑的附著量之變化特性圖。
〔第11圖〕係表示水之pH值與防腐蝕劑之附著量的關係特性圖。
10,10A‧‧‧防腐蝕劑-pH值調整劑複合物
11‧‧‧防腐蝕劑(二氧化鈦粒子)
12‧‧‧pH值調整劑
12A‧‧‧鹼性型pH值調整劑
25‧‧‧氧化物
42‧‧‧pH值調整劑之氧化生成物
45‧‧‧氧化物之還原生成物
60‧‧‧高溫水
65‧‧‧金屬構造材料
70‧‧‧放射線場所
75‧‧‧放射線

Claims (24)

  1. 一種腐蝕抑制劑注入方法，其係在接液於金屬構造材料之表面上之高溫水中，注入由防腐蝕劑與吸附於該防腐蝕劑表面之pH值調整劑所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物、及氧化物，且照射放射線或紫外線之腐蝕抑制劑注入方法，其特徵為前述防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑，係具有在表面上使前述pH值調整劑與前述氧化物反應的活性點，且藉由前述照射放射線或紫外線，使存在於前述防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑表面及前述高溫水中之至少一方的pH值調整劑以前述氧化物氧化，來變化前述pH值調整劑之pH值調整力，將前述高溫水之pH值移至中性側，使前述防腐蝕劑加速附著於前述金屬構造材料上。
  2. 一種腐蝕抑制劑注入方法，其係在接液於金屬構造材料表面上之高溫水中，注入由防腐蝕劑與吸附於該防腐蝕劑表面之pH值調整劑所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物，且照射放射線或紫外線之腐蝕抑制劑注入方法，其特徵為藉由前述照射放射線或紫外線，前述防腐蝕劑自前述高溫水生成氧化物，且藉由使存在於前述防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑表面及前述高溫水中之至少一方的pH值調整劑以 前述氧化物氧化，來變化前述pH值調整劑之pH值調整力，將前述高溫水之pH值移至中性側，使前述防腐蝕劑加速附著於前述金屬構造材料上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之腐蝕抑制劑注入方法，其中前述pH值調整劑係藉由添加於前述高溫水中，以提高前述高溫水之pH值的鹼性型pH值調整劑，於添加前述防腐蝕劑-pH值調整劑複合物後之高溫水，前述照射放射線或紫外線前之液性為鹼性，藉由前述照射放射線或紫外線，使前述pH值調整劑以前述氧化物氧化，將前述高溫水之液性移至中性側。
  4. 一種腐蝕抑制劑注入方法，其係在接液於金屬構造材料表面上之高溫水中，注入由防腐蝕劑與吸附於該防腐蝕劑表面之pH值調整劑所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物、及還原物，且照射放射線或紫外線之腐蝕抑制劑注入方法，其特徵為前述防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑，係具有在表面上使前述pH值調整劑與前述還原物反應的活性點，且藉由前述照射放射線或紫外線，使存在於前述防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑表面及前述高溫水中之至少一方的pH值調整劑以前述還原物還原，來變化前述pH值調整劑之pH值調整力，將前述高溫水之pH值移至中性側，使前述防腐蝕劑加速附著於前述金屬構造材料上。
  5. 一種腐蝕抑制劑注入方法，其係在接液於金屬構造材料表面上之高溫水中，注入由防腐蝕劑與吸附於該防腐蝕劑表面之pH值調整劑所形成的防腐蝕劑-pH值調整劑複合物，且照射放射線或紫外線之腐蝕抑制劑注入方法，其特徵為藉由前述照射放射線或紫外線，前述防腐蝕劑自前述高溫水生成還原物，且藉由使存在於前述防腐蝕劑-pH值調整劑複合物之防腐蝕劑表面及前述高溫水中之至少一方的pH值調整劑以前述還原物還原，來變化前述pH值調整劑之pH值調整力，將前述高溫水之pH值移至中性側，使前述防腐蝕劑加速附著於前述金屬構造材料上。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之腐蝕抑制劑注入方法，其中前述pH值調整劑係藉由添加於前述高溫水中，以降低前述高溫水之pH值的酸性型pH值調整劑，於添加前述防腐蝕劑-pH值調整劑複合物後之高溫水，於前述照射放射線或紫外線前之液性為酸性，藉由前述照射放射線或紫外線，使前述pH值調整劑以前述還原物還原，將前述高溫水之液性移至中性側。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之腐蝕抑制劑注入方法，其中移至中性側後之前述高溫水的pH值在4~10之範圍內。
  8. 如申請專利範圍第4或5項之腐蝕抑制劑注入方法，其中移至中性側後之前述高溫水的pH值在4~10之 範圍內。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之腐蝕抑制劑注入方法，其中前述放射線為α線、γ線或中性子線。
  10. 如申請專利範圍第4或5項之腐蝕抑制劑注入方法，其中前述放射線為α線、γ線或中性子線。
  11. 如申請專利範圍第1或2項之腐蝕抑制劑注入方法，其中前述pH值調整劑係含有選自氮、硫及碳中之1種以上的元素之無機化合物或有機化合物。
  12. 如申請專利範圍第4或5項之腐蝕抑制劑注入方法，其中前述pH值調整劑係含有選自氮、硫及碳中之1種以上的元素之無機化合物或有機化合物。
  13. 如申請專利範圍第1或2項之腐蝕抑制劑注入方法，其中前述防腐蝕劑為半導體。
  14. 如申請專利範圍第4或5項之腐蝕抑制劑注入方法，其中前述防腐蝕劑為半導體。
  15. 如申請專利範圍第1或2項之腐蝕抑制劑注入方法，其中前述防腐蝕劑為氧化鈦TiO2 。
  16. 如申請專利範圍第4或5項之腐蝕抑制劑注入方法，其中前述防腐蝕劑為氧化鈦TiO2 。
  17. 如申請專利範圍第1或2項之腐蝕抑制劑注入方法，其中前述防腐蝕劑為選自氧化鐵Fe3 O4 、氧化鉻Cr2 O3 、及氧化鎳NiO中之1種以上的氧化物。
  18. 如申請專利範圍第4或5項之腐蝕抑制劑注入方法，其中前述防腐蝕劑為選自氧化鐵Fe3 O4 、氧化鉻 Cr2 O3 、及氧化鎳NiO中之1種以上的氧化物。
  19. 如申請專利範圍第1或2項之腐蝕抑制劑注入方法，其中前述氧化物為選自過氧化氫、氧、臭氧、超氧化物自由基、及羥基自由基中之1種以上。
  20. 如申請專利範圍第4或5項之腐蝕抑制劑注入方法，其中前述氧化物為選自過氧化氫、氧、臭氧、超氧化物自由基、及羥基自由基中之1種以上。
  21. 如申請專利範圍第1或2項之腐蝕抑制劑注入方法，其中前述高溫水為100~350℃。
  22. 如申請專利範圍第4或5項之腐蝕抑制劑注入方法，其中前述高溫水為100~350℃。
  23. 如申請專利範圍第1或2項之腐蝕抑制劑注入方法，其中前述金屬構造材料為不銹鋼、Ni基合金、或碳鋼。
  24. 如申請專利範圍第4或5項之腐蝕抑制劑注入方法，其中前述金屬構造材料為不銹鋼、Ni基合金、或碳鋼。
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