TWI462987B - Insulating tape for semiconductor wafer surface protection - Google Patents

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Furukawa Electric Co Ltd
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Description

半導體晶圓表面保護用黏著帶
本發明係關於一種半導體晶圓表面保護用黏著帶。更詳細而言，係關於一種將半導體晶圓研削成薄膜時所使用之表面保護用黏著帶。
半導體組件係於將高純度矽單晶等切片而製成半導體晶圓後藉由離子注入、蝕刻等於該晶圓表面形成積體電路而製造。藉由對形成有積體電路之半導體晶圓之背面進行研削、研磨等，而使半導體晶圓成為所需厚度。此時，為了保護形成於半導體晶圓表面之積體電路，使用半導體晶圓表面保護用黏著帶。經背面研削之半導體晶圓於背面研削結束後收納於半導體晶圓匣盒中，搬運至切割步驟，加工成半導體晶片。
先前，藉由背面研削而使半導體晶圓之厚度變薄至200~400μm左右。尤其是儲存系裝置持續發展薄膜化且大口徑化，並大多將12英吋之半導體晶圓研削至100μm以下或50μm以下。因此，為了實現大口徑之薄膜化晶圓之搬送，亦不斷推進各種裝置之開發，且大量導入有稱為在線系統(in-line system)之薄膜研削專用機或專用之製造方法(參照專利文獻1)。
另一方面，分離系晶圓或功率系晶圓幾乎不會如儲存系裝置般積層，故而與儲存系晶圓相比不太發展薄膜化。然而，近年來雲端計算 或電力之統一管理等要求不斷增加，為了控制大容量之電流，功率裝置或分離裝置之薄膜化不斷加速。分離系裝置形成為使電流自表面電極向背面電極流動之構造，半導體晶圓之厚度越薄電阻越低，故而形成高性能之裝置。隨著要求性能之提高，研削至100μm以下之必要性不斷增加，對分離系晶圓進行薄膜研削之要求不斷增加。
分離系裝置之晶片尺寸較小，故而並未發展大口徑化，5英吋~6英吋之半導體晶圓為主流。上述之在線裝置為對應於8英吋以上之專用機，故而分離系晶圓大多利用舊型裝置進行研削，又，因為將對研削後之背面進行蝕刻之步驟設為必需步驟，故而於進行研削後並不直接貼於切晶帶或切晶-黏晶帶，因此於實質上並未使用在線裝置，而與儲存系裝置相比對翹曲之要求變高。
針對該等問題，作為薄膜研削用表面保護帶存在各種開發品，大量揭示有使用剛性基材即聚對酞酸乙二酯(PET)系基材之開發品等(參照專利文獻2、3)，但若實施至蝕刻步驟則基材會溶解或變色等，無法直接使用。又，儲存系晶圓中階差小之半導體晶圓多，但分離系晶圓階差較大，或因晶片尺寸小故而階差之數量極多，因此產生會讓蝕刻液滲入而破壞裝置之問題。
進而，作為上述薄膜研削用表面保護帶之改良，正嘗試藉由增加黏著劑厚度而抵擋蝕刻液之滲入等，但黏著劑部分與酸接觸之機會增多而產生黏著劑成分溶出至酸中等問題。因此，對分離系晶圓進行薄膜研削並不容易。又，由於增加黏著層之厚度而導致凝聚破壞之風險上升，故而糊劑殘餘之風險亦上升，而有可能亦產生發生糊劑殘餘問題此不良情 況，尚未達成令人滿意之解決對策。又，揭示有製造方法之改善(參照專利文獻4)等，但若於蝕刻前進行紫外線照射則黏著力降低，根據半導體晶圓之種類不同而產生帶剝離等問題，未達成令人滿意之解決對策。進而，亦揭示有利用蝕刻方法之改善(參照專利文獻5)，但於使用單層聚對酞酸乙二酯(PET)基材膜之方法中，對於含硫酸之蝕刻液的耐酸性弱而基材膜發生腐蝕等，另一方面，於使用單層聚丙烯(PP)基材膜之方法中，亦有發生由經薄膜化之半導體晶圓的研削性惡化所致之半導體晶圓破裂及邊緣碎裂而亦產生剝離不良或糊劑殘餘的情形，任一者均未達成令人滿意之解決對策。
[專利文獻1]日本特開2006-351790號公報
[專利文獻2]日本特開2011-151355號公報
[專利文獻3]日本特開2003-261842號公報
[專利文獻4]日本特開平5-195255號公報
[專利文獻5]日本特開平4-251931號公報
本發明之課題在於提供一種半導體晶圓表面保護用黏著帶，其係於分離系晶圓或功率裝置系晶圓等以蝕刻步驟為必需步驟之半導體製造步驟中使用者，於貼合有該表面保護帶之狀態下對該半導體晶圓背面進行研削，不會滲入灰塵或水而可製成100μm以下之薄膜晶圓，進而於貼合有表面保護帶之狀態下亦可使用於蝕刻步驟。
本發明人等為解決上述問題而進行潛心研究，結果發現，將 黏著劑層之厚度設為特定厚度，而於半導體晶圓表面保護用黏著帶對SUS280研磨面之黏著力關係中，於50℃加熱剝離時之黏著力或500mJ之紫外線照射後之黏著力中的任一者為1.0N/25mm以下，且為未加熱時或未照射紫外線時之黏著力的50%以下，而且藉由基材膜使用特定之複合基材膜(基材膜之一部分為聚丙烯或直鏈狀聚乙烯)可解決上述課題。本發明係基於該見解而完成者。
即，本發明之課題係藉由以下方法而解決。
(1)一種半導體晶圓表面保護用黏著帶，於基材膜上具有黏著劑層，其特徵在於：上述基材膜之總厚度為50μm~200μm，為由高彈性模數層與低彈性模數層構成之複合基材膜，該高彈性模數層與該低彈性模數層之厚度的比例(高彈性模數層厚度：低彈性模數層厚度)為1：9~5：5之範圍，上述高彈性模數層配置於上述黏著劑層背面(基材膜塗佈黏著劑層的面相反之面)，且為由聚丙烯或直鏈狀聚乙烯構成之厚度10μm以上的層，上述低彈性模數層由乙酸乙烯酯含有率為5~20質量%、且MFR為0.8~10g/10min之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物構成，上述半導體晶圓表面保護用黏著帶之上述黏著劑層厚度為10μm~50μm，對SUS280研磨面於50℃加熱剝離時之黏著力或500mJ之紫外線照射後之黏著力中的任一者為1.0N/25mm以下，且為未加熱時或未照射紫外線時之黏著力的50%以下。
(2)如(1)之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，上述高彈性模數層之樹脂係密度為0.910~0.970g/cm3 、且MFR為10g/10min以下之直 鏈狀聚乙烯。
(3)如(1)或(2)之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其係不使用接著劑以外之其他材料來使上述基材膜之上述高彈性模數層與上述低彈性模數層積層而成。
(4)如(1)至(3)中之任一項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，上述黏著劑層為感壓型黏著劑，於包含蝕刻步驟之半導體加工製程中使用。
(5)如(1)至(4)中之任一項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，上述基材膜之聚丙烯或直鏈狀聚乙烯為經雙軸延伸處理而成。
(6)如(1)至(5)中之任一項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其黏著力為60~200kPa。
(7)如(1)至(6)中之任一項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，上述黏著劑層為乳液系黏著劑。
(8)如(7)之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，上述乳液系黏著劑層中不含水分散性異氰酸酯交聯劑。
於本發明中，上述「黏著力」係指將2kg之橡膠輥來回3次施加於被黏著體而進行壓接，放置1小時後，使用符合JIS B 7721之拉伸試驗機，利用180度剝離法以速度300mm/min進行測定時的黏著力。又，「未加熱時」、「未照射紫外線時」、「紫外線照射後」之測定條件係均為以24℃、相對濕度50%獲得之值。再者，SUS研磨面係指利用JIS R 6253中規定之280號耐水研磨紙精加工之JIS G 4305中規定之厚度1.5mm~2.0mm之SUS鋼板的面。
即便於將本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶貼合於半導體晶圓(例如分離晶圓)表面之狀態下對該半導體晶圓背面進行研削而製成100μm以下之薄膜晶圓的情形時，亦不滲入灰塵，進而於貼合有半導體晶圓表面保護用黏著帶之狀態下即便於蝕刻步驟中亦可毫無問題地對半導體晶圓進行處理。即，即便於浸漬方式之蝕刻步驟中，亦可不讓酸滲入而進行晶圓背面之拋光，進而於將該半導體晶圓表面保護用黏著帶剝離之情形時，可無糊劑殘餘而容易地剝離。
本發明之上述及其他特徵及優點係適當參照隨附之圖式，根據下述之記載而更加明確。
1‧‧‧黏著帶試驗片
2‧‧‧SUS鋼板
3‧‧‧拉伸試驗機
20‧‧‧基材膜
21‧‧‧背面
22‧‧‧前面
23‧‧‧黏著劑層
圖1係將本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶一實施形態放大顯示的剖面圖。
圖2係本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶之黏著力測定方法的說明圖。
參照圖式對本發明較佳之半導體晶圓表面保護用黏著帶進行說明。
以下，詳細地說明本發明之實施形態。
本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶係於基材膜20之至少單面塗佈至少1種黏著劑23而形成有黏著劑層。圖1中顯示半導體晶圓表面保護用黏著帶之剖面由基材膜20與黏著劑層23構成之例，該基材膜20由背面21 與前面22之複數層構成。
(黏著劑層)
本發明之黏著劑層23可由1種黏著劑層構成，亦可積層有不同之2種以上的複層黏著劑層，黏著劑層之厚度為10μm~50μm。若未達10μm，則無法與半導體晶圓表面之劃線等階差對應，故而產生灰塵滲入或蝕刻液滲入而無法充分保護表面。另一方面，若超過50μm，則黏著劑層之剖面面積變大，而產生黏著劑向蝕刻液之溶出或凝聚力不足所致之糊劑殘餘等問題。又，黏著劑層之黏著劑可為感壓型或紫外線硬化型中之任一者，但較佳為感壓型黏著劑。於感壓型黏著劑之情形時，於剝離時進行加熱而剝離，故而於50℃加熱剝離時對SUS280研磨面之黏著力與通常剝離時之黏著力相比為50%以下，且為1.0N/25mm以下。另一方面，於使用紫外線硬化型黏著劑之情形時，500mJ之紫外線硬化後對SUS280研磨面之黏著力相對於紫外線硬化前之黏著力，同樣地為50%以下，且為1.0N/25mm以下。再者，紫外線硬化型黏著劑方面進而較佳為10%以下。
於黏著劑為紫外線硬化型之情形時，使用於分子鏈中具有雙鍵之寡聚物，若分子量小則凝聚力低，故而易於溶出至蝕刻溶液中，而導致蝕刻液之污染。藉由調整寡聚物與聚合物之比例可抑制向蝕刻溶液之溶出，更佳為以聚合物中具有雙鍵之聚合物為主成分且不含寡聚物之黏著劑。若使黏著劑之主成分中不含寡聚物，則黏著劑中之低分子量成分減少，藉此可使耐酸性優異，極力減少向蝕刻液之溶出。
黏著劑為感壓型之表面保護帶於剝離時，通常施加50℃左右之熱。經加熱時使黏著力降低，藉此可容易地剝離。因此，若50℃加熱 剝離時對SUS280研磨面之黏著力與通常剝離時(利用一般方法(24℃)之剝離)之黏著力相比成為50%以下，則可容易地剝離。
黏著劑層之厚度進而較佳為20μm~40μm。
藉由設為該範圍，可進一步與半導體晶圓之階差相吻合，而不發生灰塵滲入，亦不產生邊緣***，亦避免蝕刻液之滲入。又，避免厚度過厚所致之高成本化，亦無凝聚破壞所致之糊劑殘餘。
於本發明中，黏著劑層23之主成分較佳為(甲基)丙烯酸系聚合物之共聚物，藉由使用(甲基)丙烯酸系聚合物而容易控制黏著力，可控制凝膠分率等，故而可減少糊劑殘餘或有機物所致之污染。作為(甲基)丙烯酸系聚合物之共聚物，亦可以例如日本特開2003-82307號公報中所記載之以(甲基)丙烯酸烷基酯為主成分之單體混合物、含有自由基聚合性官能基且乙烯或環氧丙烷平均加成莫耳數為15以下之非離子陰離子系反應性乳化劑、及藉由利用氧化還原系聚合起始劑之乳液聚合(乳化聚合)而獲得之丙烯酸乳液系聚合物(亦包含乳膠)為主成分。
黏著劑組成物為以丙烯酸乳液系聚合物為主成分者，可使用使作為主單體之(甲基)丙烯酸烷基酯與視需要可與該等主單體共聚合之其他單體進行乳液聚合而獲得之聚合物。
此處，所謂主成分，係指於黏著劑之聚合物總質量中超過50質量%者，較佳為60~100質量%，更佳為80~100質量%。又，所謂主單體，係指構成聚合物之各單體中組入質量最多之單體。
作為用作進行聚合反應之主單體之(甲基)丙烯酸之烷基酯系單體的具體例，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲 基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸異癸酯等。該等可單獨使用，亦可將2種以上混合使用。較佳為將2種以上混合使用，藉由將2種以上混合而可發揮作為各種黏著劑之功能。進而較佳為將3種以上混合，尤佳為至少使(甲基)丙烯酸甲酯(丙烯酸甲酯)、(甲基)丙烯酸丁酯(丙烯酸丁酯)及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯(丙烯酸2-乙基己酯)之3種進行共聚合。尤其是藉由使3種單體共聚合而更容易進行與階差之吻合性及包含糊劑殘餘之非污染性之兼具。
進而，除上述主單體以外，可視需要為了穩定乳液粒子、提高黏著劑層對基材之密合性、及提高對被黏著體之初期接著性等，而併用各種共聚合性單體。
作為上述共聚合性單體，可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、順丁烯二酸、丁烯酸、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸2-羥基乙酯、丙烯酸2-羥基丙酯、N,N-二乙基丙烯醯胺、N-異丙基丙烯醯胺、丙烯醯啉等。該等可單獨使用，亦可將2種以上混合使用。
又，為調整黏著劑層23之凝膠分率，可於使丙烯酸乳液系共聚物聚合時使多官能單體成分共聚合。作為其他方法，藉由摻混水分散***聯劑亦可調整凝膠分率。作為水分散***聯劑，主要使用環氧系交聯劑。較佳為不使用水分散***聯劑而使丙烯酸乳液系共聚物聚合，藉此，可消除殘留之交聯劑所致之污染。
於本發明使用之黏著劑層中，黏著劑中之凝膠分率並無特別限制，較佳為80~99%，更佳為90~99%。
此情形時之凝膠分率係以如下方式求出。
將樣品切割成100mm×125mm之大小，製成試驗片。將該試驗片於23℃、65%RH環境下放置2小時，測定質量。其次，於甲苯中浸漬24小時之後，取出凝膠，使其完全乾燥並測定質量。根據乾燥後凝膠之質量與浸漬甲苯前之黏著劑之質量算出凝膠分率。
作為上述多官能單體，例如可列舉：二乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二甲基丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇三甲基丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯、二新戊四醇六甲基丙烯酸酯、二乙烯苯等。
於上述單體混合物中添加聚合起始劑及界面活性劑(乳化劑)等，使用通常之乳液聚合方法合成丙烯酸乳液系聚合物。乳液聚合可使用通常之批次聚合、連續滴加聚合、分批滴加聚合等任意方法，其方法並無特別限定。
作為界面活性劑，可併用月桂基硫酸鈉、月桂基硫酸銨、十二烷基苯磺酸鈉、聚氧乙烯烷基醚硫酸鈉、聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸鈉等陰離子系界面活性劑，聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚等非離子系界面活性劑等。自該等界面活性劑中使用1種或2種以上，較佳為併用2 種以上界面活性劑。尤佳為併用聚丙二醇系化合物及聚環氧乙烷烷基苯基醚，藉此可減少對半導體晶圓之有機物污染。
界面活性劑之摻合量相對於總單體混合物100質量份為0.5~10質量份，較佳為1~7質量份左右。藉由將界面活性劑之摻合量設為該範圍，而不降低黏著劑之凝聚力，藉此亦使對被黏著體之污染量較少，又，亦無因界面活性劑滲出至黏著劑層之表面而導致之污染，可維持穩定之乳化。
作為聚合起始劑，可列舉：2,2'-偶氮雙異丁腈、2,2'-偶氮雙(2-脒基丙烷)二鹽酸鹽、2,2'-偶氮雙(N,N'-二亞甲基異丁基脒)等偶氮系化合物，或除此以外之過硫酸鉀、過硫酸銨等過硫酸鹽，過氧化苯甲醯、氫過氧化第三丁基等過氧化物系化合物，過氧化氫水與抗壞血酸、過氧化氫水與氯化亞鐵、過硫酸鹽與亞硫酸氫鈉等氧化還原系聚合起始劑等。
較理想為，聚合起始劑係相對於總單體混合物100質量份以0.01~1.0質量份之範圍使用。
又，作為(甲基)丙烯酸系聚合物之(甲基)丙烯酸系共聚物之製造方法之一，有使丙烯酸烷基酯等單體(1)、與下述之具有可與硬化劑反應之官能基之單體(2)於有機溶劑中共聚合之方法。
作為單體(1)，可列舉：丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯等。該等可單獨使用，亦可將2種以上混合使用。
作為單體(2)，可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、伊康酸、中 康酸、檸康酸、反丁烯二酸等、順丁烯二酸、丙烯酸-2-羥基乙酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯、丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺等。該等可單獨使用，亦可將2種以上混合使用。
(甲基)丙烯酸系共聚物可藉由利用常法藉由溶液聚合法使上述單體(1)與(2)共聚合而獲得。
於丙烯酸乳液系聚合物之情形時，即便無交聯劑亦可使用，於溶劑中聚合之(甲基)丙烯酸系共聚物藉由進而摻合硬化劑而控制黏著力。可藉由調整硬化劑之摻合量而獲得特定之黏著力。
硬化劑係用以使其與(甲基)丙烯酸系共聚物所具有之官能基反應而調整黏著力及凝聚力者。例如可列舉：1,3-雙(N,N-二縮水甘油胺甲基)環己烷、1,3-雙(N,N-二縮水甘油胺甲基)甲苯、1,3-雙(N,N-二縮水甘油胺甲基)苯、N,N,N',N'-四縮水甘油基間苯二甲胺等於分子中具有2個以上環氧基之環氧系化合物，2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二亞甲基二異氰酸酯、1,4-苯二亞甲基二異氰酸酯、二苯甲烷-4,4'-二異氰酸酯等於分子中具有2個以上異氰酸酯基之異氰酸酯系化合物，四羥甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-(2-甲基氮丙啶)丙酸酯等於分子中具有2個以上氮丙啶基之氮丙啶系化合物等。
(基材膜)
本發明中使用之基材膜20為高彈性模數層與低彈性模數層之2層構成的複合基材膜。高彈性模數層配置於塗佈黏著劑層之面相反的面(背面)。 複合基材膜之厚度為50μm~200μm，更佳為80μm~150μm。
再者，通常於儲存系裝置之情形時，於表面保護帶之剝離前進行切晶帶之貼合或切晶-黏晶膜(DDF)之貼合。另一方面，於將蝕刻步驟設為必需步驟之裝置之情形時，必需於研削後進行蝕刻處理，故而無法使用在線裝置，又，存在厚度相對較厚、或使用支持板進行蝕刻或背墊金屬處理之情形，故而於表面保護帶剝離後安裝於切晶帶。於黏附DDF時，通常施加80℃左右之熱，故而於表面保護帶之背面側必需具有耐熱性之基材膜。於利用表面保護帶保護電路面之狀態下進行蝕刻之情形時，與酸之接觸面積屬基材膜背面最廣，故而於表面保護帶背面側具有耐蝕刻性之基材膜必需為某種程度之厚度。又，此時為了控制蝕刻速率，亦有對蝕刻液進行加熱之情形，故而進而需要耐熱性之情形亦不少。
由於必需具備以上性能，故而作為高彈性模數層之材質，本發明中將聚丙烯(PP)或直鏈狀聚乙烯(PE)作為必需材料。聚丙烯或直鏈狀之聚乙烯就其分子結構而言，極性小故而耐水性高，又推測比較能耐受具有極性之酸。因此，於蝕刻時即便硫酸等強酸之比例增加亦可防止酸對半導體晶圓之滲透。尤其於硫酸之比例較多時，該效果表現顯著。相對於此，極性較高之PET膜等會讓酸滲入。
再者，於將如PP或直鏈狀PE之高彈性模數層用於基材膜背面之情形時，研削後之翹曲性能惡化。高彈性模數層之構成比例越大翹曲越大，故而為了兼具薄膜研削後之翹曲與耐熱性、耐蝕刻性，高彈性模數層與低彈性模數層之厚度之比(高彈性模數層之厚度：低彈性模數層之厚度)於本發明中為1：9~5：5。若高彈性模數層之比超過5，則翹曲變大而產生搬送 錯誤等。又，相反地若未達1，則耐熱性及耐蝕刻性不足。
又，高彈性模數層之厚度為10μm以上，更佳為10μm~50μm。
進而，使用之聚丙烯較佳為經延伸處理者。其原因在於，藉由經延伸而強度增加。延伸較佳為雙軸延伸，藉由向兩方向延伸而可緩和製膜時之殘留應力，故而可減少半導體晶圓背面研削後之翹曲量，於薄膜研削後之搬送步驟中亦可不產生錯誤地搬送。該延伸處理聚丙烯可藉由退火等而製造，作為市售品，亦可獲得Allfine(商品名，王子特殊製紙股份有限公司製造)、OP-U1(商品名，Mitsui Chemicals Tohcello股份有限公司製造)、PYLEN(註冊商標，東洋紡織股份有限公司)膜等。
所謂直鏈狀聚乙烯，係指使乙烯直鏈狀地聚合而成者，主要存在高密度聚乙烯(HDPE)及直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)2種。直鏈狀之聚乙烯藉由中壓法或低壓法而製造，低壓法例如可列舉齊格勒法。於齊格勒法中，將作為齊格勒-納塔觸媒之三乙基鋁-四氯化鈦固體複合物作為觸媒，將石蠟或環烷或低級脂肪族烴等作為溶劑，將乙烯一面施加常壓或數個大氣壓左右之壓力一面吹入溶劑中，於60~100℃左右之溶液溫度下進行聚合。所獲得之漿料狀聚合物係於此後利用水進行清洗分離回收溶劑並進行乾燥而獲得。中壓法有菲利普法與標準法，於菲利普法中，將矽鋁/六價鉻作為觸媒，將石蠟或環烷或己烷等作為溶劑，使乙烯於30~40氣壓、100~175℃之環境下聚合。於標準法中，將γ-氧化鋁/氧化鉬作為觸媒，於15~150氣壓、150~250℃之環境下聚合。其後，分離殘留單體，於冷卻後過濾回收溶劑而獲得。
該等直鏈狀聚乙烯之密度(g/cm3 )較佳為0.910~0.970， 更佳為0.945~0.969。藉由將密度設為該範圍，不會變脆，因此，可避免製造性及膜物性之惡化。又，亦可維持耐酸性。此種聚乙烯例如可藉由將旭化成Engineering公司、Nippon Polyethylene公司、Tosoh公司、Nippon Unicar公司、PrimePolymer公司製造之直鏈狀地聚合而成之聚乙烯樹脂利用T字模擠出成形而製造。又，亦可利用退火處理對成形之膜進行雙軸延伸處理。本發明中使用之直鏈狀聚乙烯較佳為經雙軸延伸處理而成者。
直鏈狀聚乙烯之熔體質量流率(MFR)較佳為10g/10min以下。藉由使MFR為10g/10min以下，進行交聯之高分子量成分增加，或分子量分佈較窄且低分子量成分亦較少，故而藉此蝕刻時受酸侵害之可能性變低。又，製膜時之厚度精度亦增高。
於本發明之低彈性模數層中，使用乙酸乙烯酯含有率為5~20質量%、且MFR為1~10g/10min之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。再者，若於低彈性模數層中使用日本特開2004-186429號公報中所記載者，則導致翹曲之惡化或研削後之厚度精度之惡化，最差之情形時發生半導體晶圓破裂。
藉由使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物而可實現研削後亦良好之半導體晶圓之厚度精度，又亦抑制翹曲，故而作為薄膜研削用材料最佳。
乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之乙酸乙烯酯含有率如上所述為5~20質量%，若該含有率減少，則接近於通常之聚乙烯，故而翹曲惡化，相反地，若超過20質量%，則熔點過低，故而於基材膜之製膜時發生結塊或厚度精度惡化。
乙烯-乙酸乙烯酯共聚物之MFR為0.8~10g/10min，若 MFR未達0.8g/10min，則不易擠出成形而使厚度精度惡化，相反地，若超過10g/10min，則於擠出中樹脂易於滯留於螺桿內而產生樹脂燒痕或魚眼。
複層基材膜之由直鏈狀聚乙烯或乙烯-乙酸乙烯酯共聚物構成之高彈性模數層較理想為不使用接著劑等其他材料等而進行膜化。較佳為，可藉由與低彈性模數層同時擠出而抑制接著劑成分向蝕刻液之溶出或貼合之應力所致之翹曲之影響。作為不使用接著劑而成形之方法，可列舉使用螺桿同時擠出、藉由利用冷卻輥一次性冷卻而積層等方法。
為了於本發明之基材膜上形成上述黏著劑層，於基材膜之至少單面以任意方法塗佈至少1種黏著劑即可。黏著劑層之厚度如上所述較佳為10~50μm。又，亦可於基材膜與黏著劑層之間視需要設置底塗層等中間層。
又，視需要亦可於供給實用前之期間將為了保護黏著劑層而通常被用作間隔件之合成樹脂膜黏附於黏著劑層側。
本發明之半導體晶圓表面保護用黏著帶之黏著力較佳為60~450kPa，更佳為60~200kPa。
藉由將黏著力調整為上述範圍，較佳為調整為60~200kPa，而防止產生晶圓邊緣部之***，使灰塵或蝕刻液不易滲入。再者，若使黏著力過大，則於與貼合機之輥接觸時不易剝離，故而多次產生貼合錯誤，導致作業性之惡化。
此處，黏著力係可利用Rhesca公司製造之探針型黏性試驗機，以30mm/min之速度壓入3mm圓柱探針，以靜止荷重100g保持1秒鐘後，以600mm/min之速度提拉，測定此時之荷重。
[實施例]
以下，基於實施例進一步詳細地說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例。
<實施例1>
將密度為0.910g/cm3 之聚丙烯(PP)之厚度設為10μm，將使乙酸乙烯酯含有率(VA含量)為10質量%、MFR為9g/10min之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)之厚度設為90μm，藉由共擠出加工進行膜化，製成總厚100μm之由2層構成之複層基材膜(1)。又，於製膜時對EVA面側進行電暈處理，提高與黏著劑之密合性。
於經脫離子之純水中添加加成有烯丙基之聚氧乙烯烷基苯基醚化合物及聚丙二醇化合物作為界面活性劑，添加過硫酸銨作為聚合起始劑，一面加熱一面攪拌。其次，於攪拌溶液中滴加甲基丙烯酸甲酯17質量份、丙烯酸丁酯40質量份、丙烯酸2-乙基己酯41質量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯2質量份，進而持續攪拌進行聚合，獲得丙烯酸系乳液黏著劑組成物A。
於25μm之脫模劑塗佈完畢之PET間隔件上以乾燥後之厚度成為30μm之方式塗佈黏著劑組成物A，於120℃之乾燥爐中使之乾燥，將其貼合於複層基材膜(1)之EVA側並藉由層壓而積層，製作總厚155μm之附有間隔件之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<實施例2>
將經雙軸延伸之密度0.910g/cm3 之40μm厚之聚丙烯膜(PP)即Torayfan(註冊商標)2578(商品名，Toray股份有限公司製造)、與將乙酸乙烯酯含量為20質量%、MFR為0.8g/10min之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物 (EVA)擠出加工成40μm厚並於兩面進行電暈處理而獲得的基材膜利用接著劑進行乾式層壓，獲得總厚80μm之複層基材膜(2)。
與實施例1同樣地，以乾燥後之厚度成為50μm之方式將黏著劑組成物A塗佈於25μm厚之脫模劑塗佈完畢之PET間隔件，將其貼合於複層基材膜(2)之EVA側，製作總厚155μm之附有間隔件之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<實施例3>
將密度為0.964g/cm3 、MFR為15g/10min之高密度聚乙烯(HDPE)藉由擠出加工而進行膜化成20μm厚，其後進行退火處理。對乙酸乙烯酯含量為6質量%、MFR為2.5g/10min之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)進行擠出加工而獲得厚度80μm之EVA膜。將HDPE膜與EVA膜使用接著劑進行乾式層壓，而獲得總厚100μm之複層基材膜(3)。其後，為了提高與黏著劑之密合性而對EVA面進行電暈處理。
相對於作為丙烯酸系聚合物之ATR-340(Saiden Chemical公司製造)100質量份，摻合加成物系異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE公司製造)0.8質量份，利用乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物B。
於25μm之PET間隔件上以乾燥後之厚度成為20μm之方式塗佈黏著劑組成物B，於120℃之乾燥爐中使之乾燥，將其貼合於複層基材膜(3)並藉由層壓而積層，製作總厚155μm之附有間隔件之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<實施例4>
將密度為0.910g/cm3 之聚丙烯(PP)以33μm厚、將乙酸乙烯酯含量為5質量%、MFR為2.8g/10min之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)以77μm厚藉由共擠出加工進行製膜，製成總厚110μm之由2層構成之複層基材膜(4)。其後，藉由對EVA面進行電暈處理而提高與黏著劑之密合性。
作為能量線硬化型共聚物，使由丙烯酸丁酯65質量份、丙烯酸2-羥基乙酯30質量份、甲基丙烯酸甲酯5質量份構成之質量平均分子量700,000之丙烯酸系共聚物之25%乙酸乙酯溶液100質量份、與異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯8質量份(相對於丙烯酸系共聚物之官能基100當量為80當量)反應，而獲得該能量線硬化型丙烯酸共聚物。相對於該丙烯酸共聚物100質量份，摻合異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE公司製造)2質量份、光聚合起始劑Irgacure 184(商品名，Ciba Japan公司製造)5質量份，利用乙酸乙酯調整濃度而獲得紫外線硬化型之黏著劑組成物C。
於25μm之PET間隔件上以乾燥後之厚度成為20μm之方式塗佈黏著劑組成物C，於120℃之乾燥爐中使之乾燥，將其貼合於複層基材膜(4)並藉由層壓而積層，製作總厚155μm之附有間隔件之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<實施例5>
將密度為0.923g/cm3 、MFR為8g/10min之直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)GA701(住友化學公司製造之Sumikathene-L)以15μm厚、將乙酸乙烯酯含量為10質量%、MFR為10g/10min之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)以135μm厚藉由共擠出加工進行製膜，製作總厚150μm之由 2層構成之複層基材膜(5)。其後，藉由對EVA面進行電暈處理而提高與黏著劑之密合性。
相對於作為丙烯酸系聚合物之Polythick 410-SA(三洋化成公司製造)100質量份，摻合加成物系異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE公司製造)6.5質量份，利用乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物D。
於25μm之PET間隔件上以乾燥後之厚度成為30μm之方式塗佈黏著劑組成物D，於120℃之乾燥爐中使之乾燥，將其貼合於複層基材膜(5)並藉由層壓而積層，製作總厚205μm之附有間隔件之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<實施例6>
將密度為0.965g/cm3 、MFR為5g/10min之高密度聚乙烯(HDPE)以20μm厚、將乙酸乙烯酯含量為19質量%、MFR為2.5g/10min之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)以180μm厚藉由共擠出加工進行製膜，製成總厚200μm之由2層構成之複層基材膜(6)。其後，藉由對EVA面進行電暈處理而提高與黏著劑之密合性。
相對於作為丙烯酸系聚合物之S-1605(商品名，東亞合成公司製造)100質量份，摻合加成物系異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE公司製造)2.2質量份，利用乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物E。
於25μm之PET間隔件上以乾燥後之厚度成為10μm之方式塗佈黏著劑組成物E，於120℃之乾燥爐中使之乾燥，將其貼合於複層基材膜(6) 並藉由層壓而積層，製作總厚235μm之附有間隔件之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<實施例7>
將密度為0.952g/cm3 、MFR為21g/10min之高密度聚乙烯(HDPE)以20μm厚、將乙酸乙烯酯含量為14質量%、MFR為1.3g/10min之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)以30μm厚藉由共擠出加工進行製膜，製成總厚50μm之由2層構成之複層基材膜(7)。其後，藉由對EVA面進行電暈處理而提高與黏著劑之密合性。
相對於丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羥基乙酯之共聚物即質量平均分子量70萬之丙烯酸系基底樹脂100質量份，摻合異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE公司製造)4質量份、作為寡聚物之具有光聚合性碳-碳雙鍵之四羥甲基甲烷四丙烯酸酯150份、光聚合起始劑Irgacure 184(商品名，Ciba Japan公司製造)5質量份，利用乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物F。
於25μm之PET間隔件上以乾燥後之厚度成為30μm之方式塗佈黏著劑組成物F，於120℃之乾燥爐中使之乾燥，將其貼合於複層基材膜(7)並藉由層壓而積層，製作總厚105μm之附有間隔件之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<比較例1>
相對於作為丙烯酸系聚合物之ACRYSET ASTR-228SN(日本觸媒公司製造)100質量份，摻合異氰酸酯系交聯劑D-90(商品名，綜研化學公司製造)1.5質量份，利用乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物G。
於25μm之PET間隔件上以乾燥後之厚度成為40μm之方式塗佈黏著劑組成物G，於120℃之乾燥爐中使之乾燥，將其貼合於厚度50μm之聚對酞酸乙二酯(PET)膜並藉由層壓而積層，製作總厚115μm之附有間隔件之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<比較例2>
將乙酸乙烯酯含量為5質量%之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)膜藉由擠出加工製成厚度50μm之單層基材膜(8)，對塗佈黏著劑之面進行電暈處理。
相對於作為丙烯酸系聚合物之商品名GS TAC P-1000(三洋化成公司製造)100質量份，摻合加成物系異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE公司製造)1質量份，並摻合環氧系硬化劑TETRAD-X(三菱瓦斯化學公司製造)0.1質量份，利用乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物H。
於25μm之PET間隔件上以乾燥後之厚度成為10μm之方式塗佈黏著劑組成物H，於120℃之乾燥爐中使之乾燥，將其貼合於單層基材膜(8)並藉由層壓而積層，製作總厚85μm之附有間隔件之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<比較例3>
將密度為0.910g/cm3 之聚丙烯(PP)以5μm厚、將乙酸乙烯酯含量為19質量%、MFR為2.5g/10min之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)以75μm厚藉由共擠出加工進行製膜，製成總厚80μm之由2層構成之複層基材膜(9)。其後，藉由對EVA面進行電暈處理而提高與黏著劑之密合性。
相對於丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸2-羥基乙酯之共聚物即分子量30萬之丙烯酸系基底樹脂100質量份，摻合異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE公司製造)2質量份、作為寡聚物之具有光聚合性碳-碳雙鍵之四羥甲基甲烷四丙烯酸酯150質量份、光聚合起始劑Irgacure 184(商品名，Ciba Japan公司製造)5質量份，利用乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物I。
於25μm之PET間隔件上以乾燥後之厚度成為55μm之方式塗佈黏著劑組成物I，於120℃之乾燥爐中使之乾燥，將其貼合於複層基材膜(9)並藉由層壓而積層，製作總厚160μm之附有間隔件之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<比較例4>
將聚丙烯(PP)藉由擠出加工而獲得厚度110μm之單層基材膜(10)。其後，藉由對貼合黏著劑之面進行電暈處理而提高與黏著劑之密合性。
相對於作為丙烯酸系聚合物之S-1605(商品名，東亞合成公司製造)100質量份，摻合加成物系異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE公司製造)2.2質量份，利用乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物E。
於25μm之PET間隔件上以乾燥後之厚度成為5μm之方式塗佈黏著劑組成物E，於120℃之乾燥爐中使之乾燥，將其貼合於單層基材膜(10)並藉由層壓而積層，製作總厚140μm之附有間隔件之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<比較例5>
將密度為0.952g/cm3 、MFR為21g/10min之高密度聚乙烯(HDPE)以198μm厚、將乙酸乙烯酯含量為6質量%、MFR為2.5g/10min之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)以22μm厚藉由共擠出加工進行製膜，製成總厚220μm之由2層構成之複層基材膜(11)。其後，藉由對EVA面進行電暈處理而提高與黏著劑之密合性。
相對於作為丙烯酸系聚合物之S-1605(東亞合成公司製造)100質量份，摻合加成物系異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE公司製造)0.5質量份，利用乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物J。
於50μm之PET間隔件上以乾燥後之厚度成為90μm之方式塗佈黏著劑組成物J，於120℃之乾燥爐中使之乾燥，將其貼合於複層基材膜(11)之EVA側並藉由層壓而積層，製作總厚335μm之附有間隔件之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<比較例6>
相對於作為丙烯酸系聚合物之商品名GS TAC P-1000(三洋化成公司製造)100質量份，摻合加成物系異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE公司製造)0.5質量份，並摻合環氧系硬化劑TETRAD-X(三菱瓦斯化學公司製造)3.0質量份，利用乙酸乙酯調整濃度而獲得黏著劑組成物K。
於25μm之PET間隔件上以乾燥後之厚度成為15μm之方式塗佈黏著劑組成物K，於120℃之乾燥爐中使之乾燥，將其貼合於厚度50μm之聚對酞酸乙二酯(PET)之單層基材膜(12)並藉由層壓而積層，製作總厚90μm 之附有間隔件之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
<比較例7>
欲將密度為0.965g/cm3 、MFR為5g/10min之高密度聚乙烯(HDPE)以20μm厚、將乙酸乙烯酯含量為30質量%、MFR為32g/10min之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)以80μm厚藉由共擠出加工進行製膜，製成總厚200μm之由2層構成之複層基材膜(12)，但EVA層之黏性較強，接著於輥等而無法膜化。
<比較例8>
將密度為0.965g/cm3 、MFR為5g/10min之高密度聚乙烯(HDPE)以108μm厚、將乙酸乙烯酯含量為6質量%、MFR為2.5g/10min之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)以72μm厚藉由共擠出加工進行製膜，製成總厚180μm之由2層構成之複層基材膜(13)。其後，藉由對EVA面進行電暈處理而提高與黏著劑之密合性。
作為能量線硬化型共聚物，使由丙烯酸丁酯65質量份、丙烯酸2-羥基乙酯30質量份、甲基丙烯酸甲酯5質量份構成之質量平均分子量700,000之丙烯酸系共聚物之25%乙酸乙酯溶液100質量份、與異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯8質量份(相對於丙烯酸系共聚物之官能基100當量為80當量)反應，獲得該能量線硬化型丙烯酸共聚物。相對於該丙烯酸共聚物100質量份，摻合異氰酸酯系交聯劑Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE公司製造)2質量份、光聚合起始劑Irgacure 184(商品名，Ciba Japan公司製造)5質量份，利用乙酸乙酯調整濃度而獲得紫外線硬化型之黏著劑組成物C。
於25μm之PET間隔件上以乾燥後之厚度成為20μm之方式塗佈黏著劑組成物C，於120℃之乾燥爐中使之乾燥，將其貼合於複層基材膜(13)並藉由層壓而積層，製作總厚225μm之附有間隔件之半導體晶圓表面保護用黏著帶。
對上述實施例及比較例中製作之半導體晶圓表面保護用黏著帶進行以下試驗，並評價其性能。將評價結果記載於下述表1及表2中。
1.研削性試驗
作為貼附機，使用日東精機股份有限公司製造之DR8500II(商品名)，於厚度為725μm之8英吋半導體晶圓上形成約10μm厚之聚醯亞胺膜，進而對以約1mm之間隔呈格子狀地形成有寬度200μm、深度5μm左右之劃線之半導體晶圓進而進行電漿蝕刻處理，於表面經改質之半導體晶圓貼合實施例及比較例中製作之半導體晶圓表面保護用黏著帶。其後，使用具有在線機構之研磨機(Disco股份有限公司製造之DFG8760(商品名))分別進行25片半導體晶圓之研磨直至厚度為100μm，按照以下基準進行評價。
(薄膜研削性評價基準)
幾乎無邊緣裂紋，全部25片半導體晶圓均可研削者：A
可見若干邊緣裂紋但晶圓並未破裂而可研削者，或25片半導體晶圓中有1片~2片破裂者：B
半導體晶圓破裂3片以上者：C
(灰塵滲入評價基準)
劃線中並未滲入灰塵或研削水者：A
劃線中滲入有灰塵或研削水者：C
(翹曲評價基準)
完全未發生搬送錯誤、翹曲量未達15mm者：A
搬送錯誤完全未發生或未達10%、翹曲量為15mm以上者：B
發生10%以上搬送錯誤者：C
2.剝離性評價
利用具有在線機構之Mounter RAD2700對在研削實驗中研削至100μm厚之半導體晶圓進行剝離實驗。於剝離時，對應用感壓型黏著劑之表面保護用黏著帶進行50℃下之加熱剝離，對應用紫外線硬化型黏著劑之表面保護用黏著帶進行照射量：500mJ之紫外線照射後，紫外線硬化型黏著劑進行24℃下之加熱剝離，感壓型黏著劑進行50℃下之加熱剝離，按照以下基準進行評價。
可直接全部剝離者：A
剝離錯誤或無法剝離者：C
3.糊劑殘餘評價
對剝離實驗中經剝離之半導體晶圓表面進行觀察，按照以下基準評價有無糊劑殘餘。
無糊劑殘餘：A
有糊劑殘餘：C
4. SUS # 280之黏著力
自實施例及比較例之半導體晶圓表面保護用黏著帶提取3片寬度25mm×長度300mm之試驗片，針對該試驗片1，利用圖2所示之方法，將2kg之橡膠輥來回3次施加於經JIS R 6253中規定之280號耐水研磨紙精加工之JIS G 4305中規定之厚度1.5mm~2.0mm之SUS鋼板2上進行壓接，放置1小時之後，使用測定值處於其容量之15~85%之範圍的符合JIS B 7721之拉伸試驗機3測定黏著力。圖中，箭頭表示拉伸方向。測定係以180度剝離法進行，此時之拉伸速度為300mm/min。
5.加熱剝離之SUS # 280之黏著力
以與上述方法相同之程序測定一面加熱至50℃一面進行剝離時之黏著力。再者，對紫外線硬化型黏著劑進行照射量：500mJ之紫外線照射後，紫外線硬化型黏著劑進行24℃下之加熱剝離，感壓型黏著劑進行50℃下之加熱剝離。
6.蝕刻評價
按照體積比例將硫酸：硝酸：氫氟酸以85：13：2之比例加以混合，製備蝕刻溶液。
(蝕刻液滲入實驗)
於與研削實驗中使用者相同之表面形狀之形成有劃線的鏡面晶圓上，使用日東精機股份有限公司製造之DR8500II(商品名)進行實施例及比較例中製作之表面保護用黏著帶之貼合。於經摻合之30℃之蝕刻液中浸漬附有表面保護之晶圓，進行15分鐘晶圓之背面蝕刻，按照以下基準進行評價。
蝕刻液未滲入者：A
蝕刻液自劃線或基材面滲入者：C
7.基材膜耐酸性實驗
於6英吋之鏡面晶圓上載置pH值試驗紙，使用日東精機股份有限公司製造之DR8500II(商品名)進行實施例及比較例中製作之表面保護用黏著 帶之貼合。於pH值試驗紙上滴加經摻合之蝕刻液，於室溫下放置30分鐘，按照以下基準進行評價。
pH值試驗紙之顏色未變化者：A
pH值試驗紙之顏色發生變化者：C
8.黏性試驗
使用黏性試驗機(商品名：TACII，Rhesca製造)，將3mm φ圓柱狀探針以30mm/min之速度壓入試驗片之基材膜背面側(與黏著劑塗佈面相反側)，以靜止荷重100g保持1秒鐘後，以600mm/min之速度提拉，測定此時之荷重，求出黏著力。
再者，下述表1、2中之「層比例(高彈性層：低彈性層)」為高彈性模數層與低彈性模數層之厚度之比。
如表1及表2所示，實施例1~7中，研削成薄膜之聚醯亞胺膜改質晶圓中全部可剝離，未見糊劑殘餘，亦未見蝕刻液之滲入等。另一方面，比較例1~8中，薄膜研削時發生破裂產生、糊劑殘餘、剝離不良、灰塵滲入、蝕刻液滲入或蝕刻液通過基材膜對半導體晶圓面之滲透中之任一者。具體而言，比較例1、2、3中基材膜之耐酸性較差，蝕刻液滲入，未作為基材膜發揮作用。又，由於黏著劑層之厚度較厚，故而比較例3、5中亦產生黏著劑向蝕刻液之溶出，故而半導體晶圓之表面端部可見蝕刻液所產生之污染。進而，比較例3及5中，由於經蝕刻劑侵害，故而於邊緣部產生糊劑殘餘。又，由於經蝕刻液污染之部分之光反應起始劑分解，故而比較例3中紫外線硬化型黏著劑於端部之剝離較為嚴重，結果亦產生剝離不良。比較例4中，由於黏著劑之厚度非常薄，為5μm，故而產生灰塵滲入及蝕刻液之滲入。比較例5中，由於黏著劑層之厚度非常厚，為90μm，故而於剝離時產生凝聚力不足所致之糊劑殘餘，即便進而進行加熱剝離亦為高黏著，故而產生帶剝離不良。比較例6中，基材膜對蝕刻液之耐酸性較差，半導體晶圓之保持力、研削性完全不良，失去黏著帶之功能。比較例7中無法進行基材膜之製膜。比較例8中，由於翹曲量較大，故而頻繁發生搬送錯誤，亦產生半導體晶圓落下而破裂之不良情況。
雖說明本發明與其實施態樣，但只要本發明沒有特別指定，則即使在說明本發明之任一細部中，皆非用以限定本發明，且只要在不違反本案申請專利範圍所示之發明精神與範圍下，應作最大範圍的解釋。
本案主張基於2012年3月19日於日本提出申請之特願2012-062725及2012年12月20日於日本提出申請之特願2012-278733之優先 權，本發明係參照此申請案並將其內容加入作為本說明書記載之一部份。
20‧‧‧基材膜
21‧‧‧背面
22‧‧‧前面
23‧‧‧黏著劑層

Claims (21)

  1. 一種半導體晶圓表面保護用黏著帶，於基材膜上具有黏著劑層，其特徵在於：該基材膜之總厚度為50μm~200μm，為由高彈性模數層與低彈性模數層構成之複合基材膜，該高彈性模數層與該低彈性模數層之厚度的比例(高彈性模數層厚度：低彈性模數層厚度)為1：9~5：5之範圍，該高彈性模數層配置於該黏著劑層背面(基材膜塗佈黏著劑層的面相反之面)，且為由聚丙烯或直鏈狀聚乙烯構成之厚度10μm以上的層，該低彈性模數層由乙酸乙烯酯含有率為5~20質量%、且熔體質量流率MFR為0.8~10g/10min之乙烯-乙酸乙烯酯共聚物構成，該半導體晶圓表面保護用黏著帶之該黏著劑層厚度為10μm~50μm，對SUS280研磨面於50℃加熱剝離時之黏著力或500mJ之紫外線照射後之黏著力中的任一者為1.0N/25mm以下，且為未加熱時或未照射紫外線時之黏著力的50%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該高彈性模數層之樹脂係密度為0.910~0.970g/cm3 、且MFR為10g/10min以下之直鏈狀聚乙烯。
  3. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其係不使用接著劑以外之其他材料來使該基材膜之該高彈性模數層與該低彈性模數層積層而成。
  4. 如申請專利範圍第2項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其係不使用接著劑以外之其他材料來使該基材膜之該高彈性模數層與該低彈性模數層積層而成。
  5. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該黏著 劑層為感壓型黏著劑，於包含蝕刻步驟之半導體加工製程中使用。
  6. 如申請專利範圍第2項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該黏著劑層為感壓型黏著劑，於包含蝕刻步驟之半導體加工製程中使用。
  7. 如申請專利範圍第3項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該黏著劑層為感壓型黏著劑，於包含蝕刻步驟之半導體加工製程中使用。
  8. 如申請專利範圍第4項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該黏著劑層為感壓型黏著劑，於包含蝕刻步驟之半導體加工製程中使用。
  9. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該基材膜之聚丙烯或直鏈狀聚乙烯為經雙軸延伸處理而成。
  10. 如申請專利範圍第2項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該基材膜之聚丙烯或直鏈狀聚乙烯為經雙軸延伸處理而成。
  11. 如申請專利範圍第3項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該基材膜之聚丙烯或直鏈狀聚乙烯為經雙軸延伸處理而成。
  12. 如申請專利範圍第4項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該基材膜之聚丙烯或直鏈狀聚乙烯為經雙軸延伸處理而成。
  13. 如申請專利範圍第5項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該基材膜之聚丙烯或直鏈狀聚乙烯為經雙軸延伸處理而成。
  14. 如申請專利範圍第6項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該基材膜之聚丙烯或直鏈狀聚乙烯為經雙軸延伸處理而成。
  15. 如申請專利範圍第7項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該基材膜之聚丙烯或直鏈狀聚乙烯為經雙軸延伸處理而成。
  16. 如申請專利範圍第8項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該基材膜之聚丙烯或直鏈狀聚乙烯為經雙軸延伸處理而成。
  17. 如申請專利範圍第1至16項中任一項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其黏著力為60~200kPa。
  18. 如申請專利範圍第1至16項中任一項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該黏著劑層為乳液系黏著劑。
  19. 如申請專利範圍第17項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該黏著劑層為乳液系黏著劑。
  20. 如申請專利範圍第18項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該乳液系黏著劑層中不含水分散性異氰酸酯交聯劑。
  21. 如申請專利範圍第19項之半導體晶圓表面保護用黏著帶，其中，該乳液系黏著劑層中不含水分散性異氰酸酯交聯劑。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016160276A (ja) * 2015-02-26 2016-09-05 積水化学工業株式会社 粘着テープ
JP5855299B1 (ja) * 2015-03-02 2016-02-09 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウェハの加工方法
WO2017072901A1 (ja) * 2015-10-29 2017-05-04 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法
PT3376528T (pt) 2015-11-09 2022-09-29 Furukawa Electric Co Ltd Fita de proteção de superfície de máscara integrada
EP3376527A4 (en) * 2015-11-09 2019-05-08 Furukawa Electric Co., Ltd. INTEGRATED MASK SURFACE PROTECTION FILM
JP6611252B2 (ja) * 2016-03-28 2019-11-27 リンテック株式会社 半導体加工用シート
JP6851689B2 (ja) * 2016-05-18 2021-03-31 日東電工株式会社 バックグラインドテープ
KR101676025B1 (ko) * 2016-06-30 2016-11-15 (주) 화인테크놀리지 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트
CN106398579B (zh) * 2016-11-09 2022-06-10 宁波启合新材料科技有限公司 一种制程保护用胶带
JP7252945B2 (ja) * 2018-04-24 2023-04-05 三井化学東セロ株式会社 粘着性フィルムおよび電子装置の製造方法
JPWO2020137980A1 (ja) * 2018-12-25 2021-11-18 積水化学工業株式会社 粘着テープ
KR102099071B1 (ko) * 2019-05-09 2020-05-18 길화소재 주식회사 반도체 웨이퍼 보호용 점착 필름 및 이의 제조방법
CN113583582A (zh) * 2020-04-30 2021-11-02 华为技术有限公司 保护膜、保护膜组件、显示屏组件及终端
CN113136148B (zh) * 2021-03-06 2022-11-01 通瓦化学(上海)有限公司 一种晶圆研磨胶带基材及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200301929A (en) * 2002-01-11 2003-07-16 Mitsui Chemicals Inc Semiconductor wafer surface protective adhesive tape and backside process method of semiconductor wafer using the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4666565B2 (ja) * 2003-10-06 2011-04-06 日東電工株式会社 半導体ウエハ加工用保護シート及び半導体ウエハの裏面研削方法
JP4452127B2 (ja) * 2004-06-01 2010-04-21 三井化学株式会社 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハ保護方法
CN100575438C (zh) * 2004-11-12 2009-12-30 三井化学株式会社 薄膜状粘结剂以及使用该粘结剂的半导体封装体
JP5328193B2 (ja) * 2008-03-25 2013-10-30 グンゼ株式会社 多層バックグラインド用基体フィルム、バックグラインドフィルム、及びその製造方法
JP5315750B2 (ja) * 2008-03-31 2013-10-16 大日本印刷株式会社 粘着フィルム
JP4851613B2 (ja) * 2009-12-22 2012-01-11 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200301929A (en) * 2002-01-11 2003-07-16 Mitsui Chemicals Inc Semiconductor wafer surface protective adhesive tape and backside process method of semiconductor wafer using the same

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Publication number Publication date
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