TWI461998B - 電容感測裝置與控制方法 - Google Patents
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Description
本發明係相關於觸控面板的控制方法與相關裝置,尤指對於觸控面板上之電極的充放電控制方法與相關裝置。
隨著科技不斷的創新,觸控面板已經廣泛地應用於各式各樣的電子裝置,譬如智慧型手機(smart phones)、數位相機(digital cameras)、平板電腦(tablet PCs)等。觸控面板不僅可以省去按鍵的設置,也可以加大電子裝置的顯示畫面。
第1圖為一顯示器30的透視圖(perspective view),其具有一透明觸控面板22置於一顯示面板20上方。當觸控面板22偵測到其表面24有物體碰觸或是接近的事件發生時,觸控面板22可以送出相對應的訊號,給一處理器(未顯示),以進行相對應的反應。譬如說,如同第1圖所示,手指壓按顯示器30產生了兩個接觸點T1
、T2
,顯示器30便產生了相對應的追蹤訊號(tracking signal)S1
、S2
,其可以帶有對應接觸點的座標位置(coordinates)與壓按力道(pressure)等資訊。
一種採用投射式電容接觸(Projected Capacitive Touch,PCT)技術(technology)的觸控面板,其上具有許多電容感測點(capacitance sensing nodes)。每個電容感測點,至少有一個電極。其感測的方法,舉例來說,可能是基於感測互電容(mutual capacitance)或是自電容(self capacitance)電容值之變化量,一般稱為互容式觸控感測技術及自容式觸控感測技術。對於互電容而言,量測的是兩個電極(electrode)之間因接觸而產生的電容值差異量。對於自電容而言,量測的是一電極對地因接觸而產生的電容值差異量。而每個電容感測點的量測操作基本上是獨立於其他電容感測點的量測操作。如此,電容值與座標值的關係,便可以大致反映出觸控面板表面上接觸點的數量、中心位置、面積大小等訊息。
本發明實施例揭露一種控制方法,適用於一觸控面板,具有複數感應串列。一第一電壓訊號被輸出至一第一感應串列。該第一感應串列的至少一電容量(capacitance intensity)被偵測,以產生一第一電容值結果,用以觸控偵測。一第二電壓訊號被輸出至一第二感應串列。該第二感應串列係相鄰於該第一感應串列。該第一電壓訊號與該第二電壓訊號於分別輸出至該第一感應串列及該第二感應串列時具有一第一電壓差,於該第一感應串列之該電容量被偵測時具有一第二電壓差。該第一電壓差與該第二電壓差大致相同。
本發明實施例揭露一種電容感測裝置,具有複數感應串列,包括一第一感應串列以及一第二感應串列。該電容感測裝置具有複數電容感測器,耦接至對應的該複數感應串列,包括一第一電容感測器以及一第二電容感測器。當該第一電容感測器被致動時,該第一電容感測器輸出一第一電壓訊號至該第一感應串列,並偵測該第一感應串列的至少一電容量,以產生一第一電容值結果,用以觸控偵測。當該第一電容感測器輸出該第一電壓訊號至該第一感應串列時,該第二電容感測器輸出一第二電壓訊號至該第二感應串列。該第二感應串列係相鄰於該第一感應串列。該第一電壓訊號與該第二電壓訊號於分別輸出至該第一感應串列及該第二感應串列時具有一第一電壓差,於該第一感應串列之電容量被偵測時具有一第二電壓差,該第一電壓差與該第二電壓差係實質相同。
當觸碰發生在一觸控面板上,互電容與自電容往往是一起伴隨出現。在感測過程中,如果可以降低彼此的影響,將可以增加接觸點辨識與定位的準確性。
以下本發明的實施例,將以自容式觸控感測技術為例,介紹如何降低或是消滅互電容對於量測自電容之影響。
第2圖顯示一適用本發明一實施例之觸控面板31。在感測區37中設有電極(electrode)44與46。本實施例中,透過一條導線(conductive trace),同一列的電極46被短路在一起,並組成一感應串列(sensor channel)36,其連接到感測裝置40。類似地,透過一條導線,將同一行的電極44被短路在一起,並組成一感應串列38,其連接到感測裝置42。感測裝置40可以感測每一條感應串列36上的自電容;而感測裝置42可以感測每一條感應串列38上的自電容。舉例來說,當一手指接觸觸控面板31,而產生一觸碰區域48時,感測裝置40與42便可能產生一y軸自電容量訊號50與一x軸自電容量訊號52。當一處理器接收到該y軸自電容量訊號50與該x軸自電容量訊號52後,透過適當之運算,便可得知該觸碰區域48的位置。
第3圖與第4圖分別顯示在手指沒有以及有碰觸一觸控面板時,該觸控面板上所可能形成的電容,用以說明各電容值因碰觸而產生之變化。在第3圖中,導體54、55與56可以是透明的電極,以銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)構成,分別連接到三條感應串列。導體53可以是一接地的庇護層(shielding layer)。互電容ML、MR、GL、GR、GC分別顯示兩兩導體之間的寄生電容,其電容值分別以CML
、CMR
、CGL
、CGR
、CGC
表示。此時導體54感測到的自電容值C54B
,也就是導體54到接地線之間的電容,將可以用以下公式(1)推導而出。
C54B
=CGC
+[(CML
*CGL
)/(CML
+CGL
)]+[(CMR
*CGR
)/(CMR
+CGR
)]......(1)
在本說明書中,CXX
表示XX的自電容值。在第4圖中,因為手指碰觸了一觸控面板的表面59,所以在手指與導體54之間形成了自電容F,同時也因為電場分布的改變,互電容ML、MR將會變成些許不一樣的互電容ML’與MR’。同理,此時導體54的自電容值C54A
將可以用以下公式(2)推導而出。
C54A
=CGC
+[(CML’
*CGL
)/(CML’
+CGL
)]+[(CMR’
*CGR
)/(CMR’
+CGR
)]+CF
......(2)
因此,從公式(1)與(2)都可以發現,依照以上的量測方法,所量測到的”自電容值”,不單單只是自電容F與GC之電容值而已,還會量測到互電容ML與MR電容值的變化。而這樣的影響,會造成量測到的導體54之自電容值,沒有線性地隨著自電容F電容值之變化而改變。
當一感測裝置去感測一感應串列上的自電容時,感測裝置會送一電壓訊號E(active)至被致動的感應串列,等同送到相對應被感測的電極,來量測相對應充放電的電荷量變化,用以觸控偵測。在本發明的一實施例中,除了被感測的感應串列,對於與其相鄰的感應串列,該感測裝置也會送跟E(active)相同或大致上相同的電壓訊號E(neighboring),但是不用以觸控偵測。如此,因為相鄰感應串列與被感測的感應串列,其電壓差大約一直維持在0,所以存在於被感測的感應串列上之電極及其相對應之相鄰感應串列上之相鄰電極間的互電容間電荷不會流動,其互電容值就不會被量測到。如此,所量測到的自電容值,就會隨著外界物體,像是手指,所產生的自電容,而產生線性或近似變化。
所謂相鄰感應串列,意味著其與被感測之感應串列之間,至少有一部分不具有其他固定在定電壓的導體,或是意味著其與被感測之感應串列之間,存在有希望不被感測到的互電容。
第5圖為依據本發明實施例之一電路示意圖,第6圖顯示第5圖中的相關訊號可能的波形。一感測裝置60具有複數個電容感測器62(0)~62(N)。舉例來說,感測裝置60可以是第2圖的感測裝置40或是感測裝置42。以下將以62(n)表示第n個電容感測器,Channel(n)表示電容感測器62(n)所對應的感應串列,電容感測器62(n)透過感應串列Channel(n)輸出以電壓表示的電壓訊號E(n),A(n)表示電容感測器62(n)所接收的致動訊號,S(n)為電容感測器62(n)所感測到的自電容量訊號。CS(n)表示連接到感應串列Channel(n)之電極的自電容,CM(n,n+1)表示感應串列(n)與感應串列(n+1)間之互電容。除了觸控面板最邊界處兩側的感應串列(例如:Channel(0)),感應串列Channel(n)至少有兩個相鄰感應串列Channel(n+1)與Channel(n-1)。
請參閱第6圖,其中顯示電容感測器62(n)~62(n+s)被致動以偵測感應串列Channel(n)~Channel(n+s)之自電容,用以觸控偵測的過程。致動訊號A(n)~A(n+s)在時間點tACT
時被致能,使得電壓訊號E(n)~E(n+s)於經過一段延遲時間後,大約同時拉高了電壓差ΔV,成為步階訊號(step signal)。如第6圖所示,此時不用於觸控偵測的相鄰感應串列Channel(n-1)、Channel(n+s+1)所對應的電壓訊號E(n-1)、E(n+s+1),也是步階訊號,也大約在同時一起被拉高電壓差ΔV。據此,從時間點tACT
到偵測時間點tSEN
,每一感應串列Channel(n)~Channel(n+s)的充放電電量,將會跟互電容CM(n-1,n)~CM(n+s,n+s+1)無關,只跟自電容CS(n)~CS(n+s)有關。也就是說,系統讀取的自電容量訊號S(n)~S(n+s)可以線性地與自電容CS(n)~CS(n+s)的變化大約一致。
觸控偵測之一實施例之詳述如下。自電容量訊號S(n)可以視為自電容CS(n)的電容值之感測結果。當電容量訊號S(n)顯示相對應的自電容CS(n)的電容量超過一第一預設值時,就可以判斷感應串列Channel(n)上發生了觸控事件;相反的,當電容量訊號S(n)顯示相對應的自電容CS(n)的電容量低於一第二預設值(可能跟第一預設值一樣或是不一樣)時,就可以判斷感應串列Channel(n)上沒有發生觸控事件。如果全部的電容量訊號S(0)~S(N)都低於第二預設值,可以認定觸控面板上完全沒有觸控事件發生。如果有連續M+1個感應串列Channel(n)~Channel(n+M)都被認定有發生了觸控事件,一種實施例中,可以判定出一接觸中心點大約是位於感應串列Channel(n+M/2)上。當然,在其他實施例裡,接觸中心點判定也可以用其他種方式來求出,而不限於以上的例子。舉例來說,也可以採用類似質心(center of mass)的推導方式,把被認定有發生觸控事件的連續M+1個感應串列Channel(n)~Channel(n+M),依據其電容量訊號S(n)~S(n+M)當作比重(weighting),來求出一接觸中心點。
在一實施例中電壓差ΔV是正值,在另一實施例中電壓差是負值。
在一實施例中,於感測感應串列Channel(n)~Channel(n+s)時,一面板上所有的感應串列Channel(1)~Channel(N)所對應的電壓訊號E(1)~E(N),全部都是步階信號,全部大約在同時一起被拉高電壓差ΔV。
如同先前所述,用以觸控偵測的觸控偵測自電容量訊號S(n)~S(n+s)並不會受到互電容CM(n-1,n)~CM(n+s,n+s+1)因觸控產生之變化的影響,可以大約忠實的反映是否有觸控事件的發生。至於其他感應串列,也就是除了被感測之感應串列Channel(n)~Channel(n+s)之外的相鄰感應串列,其收受電壓訊號的目的為消除被感測之感應串列上之互電容影響,自不用於觸控偵測。一實施例中,可以選擇不要偵測相鄰感應串列的自電容,也就是根本不產生自電容偵測值,在另一實施例中,相鄰感應串列之自電容所產生的自電容值信號會被偵測但不用以判斷是否有觸控事件的發生。當然,在不同的時間點,先前的被感測之感應串列可以變成相鄰感應串列,先前的相鄰感應串列可能變成被感測之感應串列,端視那些感應串列當下被掃描讀取到要做為觸控偵測。
被感測感應串列對被感測電極所送出的電壓訊號,不一定要跟被送到相鄰感應串列之電壓訊號一模一樣。第7圖顯示另一實施例中,對被感測感應串列所送出的電壓訊號E(active)以及被送到相鄰感應串列之電壓訊號E(neighboring)的訊號波形。雖然電壓訊號E(active)與E(neighboring)都具有步階電壓高度ΔV,但是電壓訊號E(neighboring)相對於電壓訊號E(active),有一偏移(offset)電壓量VOFFSET
。在一實施例中,電壓訊號E(neighboring)與電壓訊號E(active)都是週期性訊號,譬如是時脈方波、正弦波,都具有一樣的頻率與電壓震幅,而且兩者的相位也大約相同。在另一個實施例中,電壓訊號E(neighboring)與E(active)為非週期性訊號。
需特別注意的是,要消除或是降低互電容對自電容感測上的影響,主要條件如下:電壓訊號E(active)與電壓訊號E(neighboring)的電壓差dV,在充放電前,與充放電後偵測時,需要大致維持相同,至於充放電過程中則可不必相同。這意味著在一被感測的感應串列與一相鄰感應串列之間寄生之互電容的跨壓,在充放電之前與之後,並沒有改變。所以,存放互電容中的電荷量也沒有改變。如此,電壓訊號E(active)只有對自電容充放電,所以相對應感測到的充放電電荷,將可以線性地反應自電容之電容值變化。
以第6圖為例,時間點tACT
可以視為充放電前,偵測時間點tSEN
可以視為充放電後。因為電壓訊號E(n-1)~E(n+s+1)大致上都一直維持了大約相同的電壓準位,所以被感測的感應串列與相鄰感應串列間之電壓差,不論是充放電前與充放電後,都是0。以第7圖為例,電壓訊號E(active)與電壓訊號E(neighboring)的電壓差,在充放電前大約是偏移電壓量VOFFSET
,在充放電後還是偏移電壓量VOFFSET
,沒有改變。需特別注意的是,電壓訊號E(neighboring)並不僅限於送至被感測之感應串列之左右各相鄰一感應串列。本發明之精神在於:將充放電前後大致維持相同電壓差dV之電壓訊號E(active)與電壓訊號E(neighboring)分別送至被感測之感應串列以及被感測之感應串列左右各至少一相鄰感應串列,以消除被感測的感應串列及其相鄰感應串列間寄生之互電容對被感測感應串列自電容之電容值之影響。在實際應用上,系統亦可同時將電壓訊號E(neighboring)送至複數條相鄰感應串列或整個觸控面板。
需要感測任何數目的感應串列之自電容時,就可以適用本發明。因此,本發明並不限於應用於第2圖之觸控面板。第8圖,舉例來說,顯示一觸控面板80,其可適用本發明之技術。觸控面板80上形成有交錯的類三角形或梯形之電極82,每一個可以視為一感應串列,連接到上面或是下面的感測裝置84。此類採用非矩形電極(感應串列)之觸控面板係利用手指觸碰單一電極各部位產生之自電容大小不同之特性,而可僅僅利用單層感應陣列即經運算得出該手指觸碰之位置。於本發明一實施例中,當感測裝置84要感測電極82b與82c的自電容時,感測裝置84以第7圖之電壓訊號E(active)對三角形電極82b與82c充放電,然後讀取所需要的電荷量,並輸出相對應的自電容量訊號,用以觸控偵測。在充放電三角形電極82b與82c的同時,感測裝置84也以第7圖之電壓訊號E(neighboring)對相鄰電極82a與82d進行充放電,但是不用於觸控偵測。換言之,不偵測產生電壓訊號E(neighboring)所相對需要的電荷,不產生相對應自電容量訊號,或是所產生的相對應自電容量訊號不用以判斷是否有觸控事件的發生。
在本發明的實施例中,因為被感測的感應串列與其相鄰感應串列之間的互電容,並不會影響到自電容的感測結果,所以自電容的感測結果可以跟自電容的變化,呈現非常線性的關係。這可以增加接觸點辨識與接觸中心點定位的準確性。
以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。
本案圖式中所包含之各元件列示如下:
20...顯示面板
22、31、80...觸控面板
24、59...表面
30...顯示器
36、38...感應串列
37...感測區
40、42、60、84...感測裝置
44、46...電極
48...觸碰區域
50...y軸自電容量訊號
52...x軸自電容量訊號
53、54、55、56...導體
62(0)~62(N)...電容感測器
82、82a、82b、82c、82d...三角形電極
A(n)...致動訊號
Channel(n)...感應串列
E(n)、E(active)、E(neighboring)...電壓訊號
F...自電容
GC、GL、GR、ML、MR、ML’、MR’...互電容
S1
、S2
...追蹤訊號
S(n)...自電容量訊號
tACT
、tSEN
...時間點
T1
、T2
...接觸點
VOFFSET
...偏移電壓量
ΔV...電壓差
本案得藉由下列圖式及說明,俾得一更深入之了解:
第1圖為一顯示器的透視圖。
第2圖顯示一適用本發明之觸控面板。
第3圖與第4圖分別顯示在手指沒有以及有碰觸一觸控面板時,所可能形成的電容。
第5圖為依據本發明所實施的一電路示意圖。
第6圖顯示第5圖中的相關訊號可能的波形。
第7圖顯示電壓訊號E(active)與電壓訊號E(neighboring)的一種可能波形。
第8圖顯示另一適用本發明之觸控面板。
A(n)...致動訊號
E(n)...電壓訊號
Claims (16)
- 一種電容感測之控制方法,適用於一觸控面板,具有複數感應串列,包含有:輸出一第一電壓訊號至一第一感應串列,並偵測該第一感應串列的至少一電容量(capacitance intensity),以產生一第一電容值結果,用以觸控偵測(touch sensing);以及輸出一第二電壓訊號至一第二感應串列,該第二感應串列係相鄰於該第一感應串列,該第二電壓訊號的輸出產生一第二電容值結果,但該第二電容值結果不用於觸控偵測,或者該第二電壓訊號的輸出不產生任何對應到該第二感應串列的電容量之電容值結果;其中,該第一電壓訊號與該第二電壓訊號於分別輸出至該第一感應串列及該第二感應串列時具有一第一電壓差,於該第一感應串列之該電容量被偵測時具有一第二電壓差,該第一電壓差與該第二電壓差係實質相同。
- 如申請專利範圍第1項所述之控制方法,其中偵測該第一感應串列的該至少一電容量,以產生該第一電容值結果,用以觸控偵測之步驟,係於該第一電容值結果顯示該至少一電容量中之一第一電容量大於一預設值時,判斷一觸控事件發生於該第一感應串列上。
- 如申請專利範圍第1項所述之控制方法,其中輸出該第一電壓訊號至該第一感應串列之步驟,係於該第一電容值結果顯示該至少一電容量皆小於一預設值時,判斷一觸控事件未發生。
- 如申請專利範圍第1項所述之控制方法,其中,該第一電壓訊號與第二電壓訊號都為步階訊號(step signals),具有大約相同之步階電壓高度(voltage step height)。
- 如申請專利範圍第1項所述之控制方法,其中,該第一電壓訊號與第二電壓訊號為週期性訊號,且該第一電壓訊號與第二電壓訊號大約為同相。
- 如申請專利範圍第1項所述之控制方法,其中,該第一電壓訊號與第二電壓訊號實質相同。
- 如申請專利範圍第1項所述之控制方法,其中,該觸控面板具有複數非矩形電極,且一觸碰發生於每一非矩形電極之不同部位所產生之自電容值大小不同。
- 一種電容感測裝置,適用於一觸控面板,具有複數感應串列,包括一第一感應串列以及一第二感應串列,包含有:複數電容感測器,耦接至對應的該複數感應串列,包括一第一電容感測器以及一第二電容感測器,其中:當該第一電容感測器被致動時,該第一電容感測器輸出一第一電壓訊號至該第一感應串列,並偵測該第一感應串列的一電容量,以產生一第一電容值結果,用以觸控偵測;當該第一電容感測器輸出該第一電壓訊號至該第一感應串列時,該第二電容感測器輸出一第二電壓訊號至該第二感應串列,其中,該第二感應串列係相鄰於該第一感應串列,且該第二電容感測器產生一第二電容值結果,但該第二電容值結果不用於觸控偵測,或者該第二電容感測器不產生電容值結果;以及 該第一電壓訊號與該第二電壓訊號於分別輸出至該第一感應串列及該第二感應串列時具有一第一電壓差,於該第一感應串列之電容量被偵測時具有一第二電壓差,該第一電壓差與該第二電壓差係實質相同。
- 申請專利範圍第8項之電容感測裝置,其中該第一電容感測器於該第一電容值結果顯示該至少一電容量中之一第一電容量大於一預設值時,判斷一觸控事件發生於該第一感應串列上。
- 申請專利範圍第8項之電容感測裝置,其中該第一電容感測器於該第一電容值結果顯示該至少一電容量小於一預設值時,判斷一觸控事件未發生。
- 如申請專利範圍第8項之電容感測裝置,其中,該第一電壓訊號與該第二電壓訊號為步階訊號,具有大約相同之步階電壓高度。
- 如申請專利範圍第8項之電容感測裝置,其中,該第一電壓訊號與第二電壓訊號都為週期性訊號,且該第一電壓訊號與第二電壓訊號大約為同相。
- 如申請專利範圍第8項之電容感測裝置,其中,該第一電壓訊號與第二電壓訊號實質相同。
- 如申請專利範圍第8項之電容感測裝置,其中,該觸控面板具有複數非矩形電極,且一觸碰發生於每一非矩形電極之不同部位所產生之自電容值大小不同。
- 一種電容感測之控制方法,適用於一觸控面板,具有複數感應串列,包含有: 輸出一第一電壓訊號至一第一感應串列,並偵測該第一感應串列的至少一自電容量(self-capacitance),以產生一第一電容值結果,用以觸控偵測(touch sensing);以及輸出一第二電壓訊號至一第二感應串列,該第二感應串列係相鄰於該第一感應串列;其中,該第一電壓訊號與該第二電壓訊號於分別輸出至該第一感應串列及該第二感應串列時具有一第一電壓差,於該第一感應串列之該自電容量被偵測時具有一第二電壓差,該第一電壓差與該第二電壓差係實質相同。
- 一種電容感測裝置,適用於一觸控面板,具有複數感應串列,包括一第一感應串列以及一第二感應串列,包含有:複數電容感測器,耦接至對應的該複數感應串列,包括一第一電容感測器以及一第二電容感測器,其中:當該第一電容感測器被致動時,該第一電容感測器輸出一第一電壓訊號至該第一感應串列,並偵測該第一感應串列的一自電容量(self-capacitance),以產生一第一電容值結果,用以觸控偵測;當該第一電容感測器輸出該第一電壓訊號至該第一感應串列時,該第二電容感測器輸出一第二電壓訊號至該第二感應串列,其中,該第二感應串列係相鄰於該第一感應串列;以及該第一電壓訊號與該第二電壓訊號於分別輸出至該第一感應串列及該第二感應串列時具有一第一電壓差,於該第一感應串列之自電容量被偵測時具有一第二電壓差,該第一電壓差與該第二電壓差係實質相同。
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