TWI458686B - 銀奈米線的生產方法 - Google Patents

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Description

銀奈米線的生產方法
下文揭露內容係關於一種生產銀奈米線的方法，更特定言之，關於一種使用液體化學程序，在短時間大量生產銀奈米線的方法；一種大量生產具有10微米或更長長度且尺寸一致之高品質銀奈米線的方法；以及一種高效率生產銀奈米線的方法，包含由引入之實質上所有銀前驅物形成銀奈米線。
貴重金屬單晶奈米線具有高化學穩定性、導熱性以及導電性，因此展現在電、磁及/或光學設備與感應器各方面的高實用性。
特別是，在所有金屬中，銀「Ag」具有最高的導電性及導熱性，且在可見光區展現最高表面增強拉曼(Raman)效率，因而展現優越的光學特性。
在銀形成奈米線的情況下，可預期其在各種應用的高度發展，包括微型電子設備及/或透明電極等。此外，也可預期其在光學、化學及/或生物感測器的使用。
然而，為了在各應用中使用銀奈米線，提供一種在特定條件下可以大量生產具有一致厚度、乾淨表面、高長寬比、定義明確之尺寸、小尺寸偏差等的奈米線之技術是非常重要的。
如上所述，雖然銀奈米線已在電、磁及/或光學設備與感應器方面高度使用，例如，美國專利早期公開第2007-0034052號揭露一種廣泛使用於相關領域之使用液體化學程序合成銀奈米線的方法，有例如難以控制尺寸及/或奈米線形態、所製造奈米線有顯著尺寸偏差、延長的反應時間、大量生產極為困難等問題。
本發明係關於提供一種使用液體化學程序於大氣壓力及低溫下，於極短時間內以特高效率生產銀奈米線的方法。本發明另一目的在於提供一種生產銀奈米線的方法，所生產的銀奈米線具有一致直徑、小直徑偏差、5微米或更長之長度、以及高長寬比。本發明另一目的在於提供一種生產銀奈米線的方法，其中包括有效減少丟棄之未反應銀前驅物的量，以高效率生產銀奈米線，且透過一個簡單的規模放大進行此銀奈米線大量生產。本發明之再一目的在於提供一種生產銀奈米線的方法，其中包括在以高效率生產銀奈米線的同時，防止形成不欲形狀之銀產物，例如銀奈米粒子、銀奈米板及/或銀奈米棒，且實現大量生產此銀奈米線。
下文將參見隨附圖式詳細描述本發明之生產方法。該等圖式係用以充分傳達本發明精神至相關領域之技藝人士。於此，除文中另有明確定義外，於本說明書中使用之科學用語及/或技術用語之意義皆為本發明所屬領域具有通常知識者所理解者。此外，於下文敘述及/或隨附圖式中，對於可能不欲地模糊本發明主旨、且已為本領域所熟知之功能及/或技術配置的敘述將被省略。
一種根據本發明生產銀奈米線的方法可包含加熱一前驅物溶液以生產銀奈米線，其中該前驅物溶液含有一銀鹽；一水溶性聚合物；一界面活性劑、或一包含金屬離子之鹵化物的金屬催化劑，該金屬離子具有-0.1至-0.9伏特之標準還原電位；以及一還原溶劑。
關於本發明之生產方法(下文將稱作「本發明方法」)藉由加熱該含有銀鹽、水溶性聚合物、金屬催化劑以及還原溶劑之前驅物溶液，以生產銀奈米線，其中該還原溶劑可為一含有至少一氧原子的極性溶劑。
更特別是，該還原溶劑可選自以下群組：乙二醇、二乙二醇、1,2-丙二醇，1,3-丙二醇、甘油以及葡萄糖。此目的是為了藉由控制還原電位以調控每條奈米線的直徑與長度、及反應速率等。
本發明方法可使用界面活性劑以在非常短時間內，甚至在規模放大時，大量生產銀奈米線，且具優勢在於在所引入的銀鹽中至少90莫耳%的銀係轉化成銀奈米線，且使用高濃度銀前驅物溶液，可生產具有一致尺寸的銀奈米線。
本發明方法也具有以下特徵：在使用上述金屬催化劑所合成之銀產物的總重量中，銀奈米線的含量是95重量%或更高，更尤其是99重量%或更高。
在此使用的界面活性劑可為選自一陰離子界面活性劑、一陽離子界面活性劑及一兩性界面活性劑之至少一者。
更特定言之，該陰離子界面活性劑可為一羧酸鹽、一硫酸鹽、一磺酸鈉鹽或其混合物，較佳地，可為以下式1、2、或3中任一者所示者：
[式1]
R1 -COONa
[式2]
[式3]
R2 -SO3 Na
其中，R1 係各自獨立為具有10至20個碳原子的烷基、或具有10至20個碳原子的烯基；n為1至5的整數；R2 為具有12至20個碳原子的烷基、具有12至20個碳原子的烯基、或具有12至20個碳原子的烷基芳基。
陽離子界面活性劑可為一胺鹽，且在其親水部分中含有一級至三級胺、含有一季銨鹽、一鎓化合物、或其混合物，其中該季銨鹽包含在環狀氮化合物中一含氮雜環化合物、以及一種鍵結至烷基鏈的含氮化合物。鎓化合物可包括四級鏻鹽、鋶鹽、或其混合物，且含氮雜環化合物可包括吡啶鎓鹽，喹啉鎓，咪唑鎓，或其混合物。
較佳地，陽離子界面活性劑可選自以下群組之至少一者：含酯季銨鹽(ester-containing quaternary ammonium salts，EQ)；具醯胺基與酯基之季銨鹽、吡啶鎓衍生物(pyridinium derivatives)、甜菜鹼衍生物、咪唑鎓(imidazolium)衍生物、喹啉鎓(quinolinium)衍生物、哌嗪鎓(piperazinium)衍生物、以及嗎啉鎓(motpholinium)衍生物。
界面活性劑可為市場上可商購取得的任一種，例如可購得之AK Chemtech公司產品：LDBAC()、IMG()、EQ()、EAQ()、CTAC()、24-3/28()、1416()、BT()或ZW()。
更特定言之，陰離子界面活性劑可選自十二烷基醚硫酸鈉(sodium laureth sulfate)、(C14-C16)烯烴磺酸鈉、以及十二烷基苯磺酸鈉之至少一者。
陽離子界面活性劑可為選自以下式4、5、6、7、8、9及10所示之化合物中的至少一者。
[式4]
[式5]
[式6]
[式7]
[式8]
[式9]
[式10]
其中，R3 、R4 、R6 及R10 係各自獨立為具有1至5個碳原子的烷基；R5 、R7 、R8 、R9 及R13 係各自獨立為具有10至20個碳原子的烷基、或具有10至20個碳原子的烯基；R11 為具有12至20個碳原子的烷基、或具有12至20個碳原子的烯基；R12 為具有1至3個碳原子的烷基；p及q係各自獨立為1至4的整數；W1 、W2 、W3 及W4 係各自獨立為O、S或NH；X1 - 、X2 - 、X3 - 、X4 - 、X5 - 及X6 - 係各自獨立為Cl- 或CH3 OSO3 - 。
兩性界面活性劑可為選自以下式11及12所示之化合物之至少一者。
[式11]
[式12]
其中，R14 與R17 係各自獨立為具有12至20個碳原子的烷基、或具有12至20個碳原子的烯基；R15 為COO- 、PO3 H- 或SO3 - ；R16 為氫、具有1至10個碳原子的烷基、或具有1至10個碳原子的烯基；R18 為OCOO- 、OPO3 H- 、OSO3 - 或SO3 - ；r、s與t係各自獨立為1至5的整數；X7 - 與X8 - 係各自獨立為Cl- 或CH3 OSO3 - ；Y1 + 與Y2 + 係各自獨立為Na+ 、K+ 或Li+ 。
根據本發明方法，界面活性劑在銀奈米線合成期間對反應速率的影響最大，此外，可能影響反應所獲得之銀產物的形狀、銀奈米線的尺寸偏差(直徑、長度)、透過規模放大大量生產的可能性、奈米線合成期間的反應效率等。
更特定言之，即使在大規模生產的情況下，採用本發明所述的界面活性劑可在非常短的時間內(30分鐘內)生產奈米線形狀的銀，增加銀奈米線之合成產量，且在藉由單一合成而形成的同時一致地控制複數銀奈米線的尺寸。
此外，根據本發明方法合成銀奈米線時，可藉由簡單規模放大顯著提高銀奈米線的生產力而無重大的技術改變。此外，由所引入反應中的銀鹽至銀奈米線的反應效率(即轉換效率)可顯著提高。
更特定言之，採用本發明所述之界面活性劑可達明顯的高轉換率，其中以銀鹽形式引入之銀的90莫耳%或更高係轉換為銀奈米線。再者，採用本發明方法所述之界面活性劑可大幅降低生產銀奈米線的合成時間以及，甚至在藉由規模放大的大規模生產情況下，在非常短的時間內，也就是在30分鐘內，大量生產銀奈米線。
銀鹽與界面活性劑(銀鹽：界面活性劑)之重量比可為100：0.01至15，且更佳為100：1至15。以100重量份之該銀鹽計，若該界面活性劑的含量係少於0.01重量份，該所添加的界面活性劑難以達到效果。另一方面，當該添加量超過15重量份時，將有銀奈米線合成失敗的風險、以及可能遭遇不利影響，例如污染。
根據本發明方法，因為前驅物溶液含有一具有-0.1至-0.9伏特之標準還原電位之金屬離子的鹵化物，可防止合成出非奈米線的銀產物，同時可製造出具有100或更高之長寬比的銀奈米線。
若在金屬催化劑(即該金屬鹵化物)中金屬離子的標準還原電位超過-0.1伏特或少於-0.9伏特，則銀奈米線的合成速率可能會大幅降低。
特定言之，上述金屬離子可選自以下群組之至少一者：Ni2+ (標準還原電位：-0.25伏特)、Co2+ (標準還原電位：-0.29伏特)、Cr3+ (標準還原電位：-0.408伏特)以及Zn2+ (標準還原電位：-0.763伏特)，以及金屬催化劑可為選自以下群組之至少一種離子之鹵化物：Ni2+ 、Co2+ 、Cr3+ 以及Zn2+ ，且這樣的鹵化物可能包括氯化物、溴化物、氟化物、碘化物或其混合物。於這方面，為了在短時間內增進銀奈米線的合成速率，該鹵化物較佳為氯化物。
根據本發明方法，銀鹽：金屬催化劑之重量比為100：0.01至1，且較佳銀鹽：金屬催化劑之重量比為100：0.01至0.2。
銀鹽：金屬催化劑之重量比是指反應所產生的銀產物中，當選擇性製備銀奈米線時，無論在合成銀奈米線時的反應規模，銀奈米顆粒、銀奈米板及銀奈米棒的形成可被抑制的比率。
根據本發明，除了上述界面活性劑或金屬催化劑外，藉由控制水溶性聚合物的分子量，可增加銀奈米線的長度。
更特定言之，該水溶性聚合物係連接至銀奈米線的一側，且在生產銀奈米線的期間用以使線成長，且藉由增加水溶性聚合物的分子量(Mw)以及本發明的金屬催化劑，可在生產具有增長長度的銀奈米線之同時，防止奈米線的直徑增加。更特定言之，藉由控制該水溶性聚合物的分子量(Mw)為50,000至1,500,000，可生產具有30微米至70微米平均長度的銀奈米線。
水溶性聚合物可選自以下群組之至少一者：聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚丙烯醯胺、聚丙烯酸、及其共聚物，且更佳為聚乙烯吡咯烷酮。
為了生產具有10微米或更長長度及非常高長寬比之銀奈米線，在最初的反應時，應控制過量的銀核成核，且所形成的銀核應與溶解的銀離子結合，從而迅速地朝一預定的方向成長。
本發明生產方法的特點在於控制攪拌條件以及前驅物溶液的黏度，同時加熱該前驅物溶液及上述界面活性劑或金屬催化劑，可調控所生產銀奈米線的長度及長寬比。
更特定言之，本發明方法進一步之特點在於控制攪拌條件，同時加熱該前驅物溶液及上述界面活性劑或金屬催化劑，可增加銀奈米線之一長軸方向(下文稱「長度」)。
此外，控制前驅物溶液的黏度可降低銀奈米線之一短軸方向(下文稱「直徑」)。
關於本發明方法，在藉由加熱該前驅物溶液生產該銀奈米線時，該前驅物溶液可於非攪拌的狀態下或滿足以下關係式1：
關係式1
0<V≦50公分/秒
V為該前驅物溶液的平均流速。
該非攪拌狀態是指無人工攪拌的條件，特別是一種條件，其中既沒有展現由於外部裝置引起的流動速率變化，也沒有發生紊流，取而代之的為包括在溶液中的自然對流。
本發明之生產方法，在非攪拌的狀態下或藉由控制該前驅物溶液的攪拌狀態以滿足關係式1時，可調控所生產銀奈米線的(長軸)長度。較佳地，生產該銀奈米線具有長度為10微米或更長，更佳為20微米或更長的一致尺寸。
根據本發明方法，該前驅物溶液可進一步含有一增黏劑，且使用該增黏劑可生產直徑受控制的銀奈米線。
具體言之，該增黏劑於該前驅物溶液中的含量可為使該增黏劑與一還原溶劑的混合物相較於該還原溶劑的黏度，具有1.1至10倍之黏度的量。由於在該增黏劑中產生非常小的銀核，同時其橫向生長(朝垂直於長度方向之方向的生長)被抑制，因而可生產具有短軸長度(即直徑)為50奈米或更短，且實質上為20至50奈米的銀奈米線。
為了在控制銀核橫向生長的同時抑制其成核，該增黏劑較佳為聚乙二醇，且該聚乙二醇具有200至20,000之分子量。
如上所述，根據本發明方法，藉由使用上述界面活性劑，可在短時間內以高轉換率生產具有一致尺寸的銀奈米線。在此，銀奈米線的長度可藉由攪拌前述前驅物溶液來控制，同時該銀奈米線的直徑可使用前述增黏劑來控制。
如上所述，根據本發明方法，使用該界面活性劑可在短時間內以高轉換率生產具有一致尺寸的銀奈米線。另一方面，使用該金屬催化劑可生產具有長寬比為100或更高的銀奈米線，同時防止形成銀奈米線以外的不欲產物，例如銀奈米棒、銀奈米粒子及銀奈米板。依據該前驅物溶液的攪拌狀態，可調控銀奈米線的長度，同時該增黏劑可調控銀奈米線的直徑。
例如，使用該界面活性劑可生產具有平均直徑為60至90奈米與平均長度為5至9微米的銀奈米線。此外，控制該前驅物溶液的攪拌狀態並使用該界面活性劑，可生產具有平均直徑為40至70奈米與平均長度為10微米或更長，更特定言之，20至100微米的銀奈米線。此外，控制前驅物溶液的攪拌狀態及使用該界面活性劑及該增黏劑，可生產具有平均直徑為20至50奈米與平均長度為10微米或更長，更具體言之，20至50微米的銀奈米線。
例如，使用該金屬催化劑可生產具有平均直徑為60至80奈米與平均長度為5微米或更長，更特定言之，8至20微米的銀奈米線。此外，控制該前驅物溶液的攪拌狀態及使用該金屬催化劑可生產具有平均長度為20微米或更長，更特定言之，20至50微米，以及平均直徑為70至100奈米的銀奈米線。根據前驅物溶液的攪拌狀態以及使用該金屬催化劑及該增黏劑，可生產具有平均直徑為60奈米或更短，更特定言之，20至50奈米，以及平均長度為20微米或更長，更特定言之，20至60微米的銀奈米線。控制前驅物溶液的攪拌狀態以及該水溶性聚合物的分子量，且使用金屬催化劑，可生產具有平均長度為30微米或更長，更特定言之，30至70微米，以及平均直徑為80至110奈米的銀奈米線。
更特定言之，根據本發明生產銀奈米線的方法可包含：(a)準備一第一溶液，該第一溶液含有一銀鹽及一第一還原溶劑，及一第二溶液，該第二溶液含有一界面活性劑或一金屬催化劑、一水溶性聚合物、一增黏劑以及一第二還原溶劑；(b)加熱該第二溶液；以及(c)將該第一溶液引入至該第二溶液中，以生產銀奈米線。在此，於操作(c)後，上述方法可進一步包含(d)透過固-液分離回收所生產之銀奈米線的另一操作步驟。
也就是說，本發明方法採用界面活性劑或金屬催化劑，且同時，使用銀鹽作為銀前驅物以生產銀奈米線。在這方面，本發明方法的特點在於：該銀前驅物以及該界面活性劑，或者，該銀前驅物及該金屬催化劑係分離的且經溶解以形成一溶液；選擇性加熱該含有該界面活性劑或金屬催化劑溶解於其中的溶液；且上述含有該界面活性劑或金屬催化劑溶於其中的溶液係經混合且與銀前驅物溶液反應，從而生產銀奈米線。
更特定言之，於操作(b)中，該第二溶液的加熱溫度可滿足以下關係式2。
關係式2
0.6Tb <Th <0.9Tb
其中，Th 為該第二溶液的加熱溫度(℃)；Tb 為一低級醇(lower alcohol)(該第二溶液的一低級醇)在大氣壓力下的沸點(℃)。
關係式2中的加熱溫度可控制銀成核及生長的驅動力。藉由控制該第二溶液的溫度滿足關係式2，且使用本發明的界面活性劑，即使在透過規模放大的大量生產，可在短的反應時間內，即在30分鐘內(在混合該第一與第二溶液後，完成反應所需的時間)，大量且高效率生產具有一致尺寸的銀奈米線。
在此，該增黏劑可包含在該第二溶液內，且該增黏劑於該第二溶液中的含量可為使該第二溶液相較於該第二溶液中之該第二還原溶劑的黏度，具有1.1至10倍之黏度的量。
選擇性加熱該含有該界面活性劑及該增黏劑的第二溶液的技術配置，以及在混合該第二溶液與該第一溶液時，該第二溶液的溫度變化，可能影響所生產銀奈米線的品質與形態。
根據本發明方法，在操作(c)中，保留操作(b)中藉由加熱而設定該第二溶液的溫度。也就是說，可在維持該第二溶液於加熱的條件下，藉由將該第一溶液引入至該第二溶液中，以生產銀奈米線。
較佳地，當該第一溶液於操作(c)中被引入時，該第二溶液的溫度變化可滿足以下關係式3，且更佳為關係式3-1。
關係式3
0ΔT2 0.1T2
其中，T2 為該第二溶液藉由於操作(b)中加熱的溫度；ΔT2 為當引入該第一溶液至該第二溶液中時，該第二溶液的溫度變化。
關係式3-1
0ΔT2 0.05T2
其中，T2 為該第二溶液藉由於操作(b)中加熱的溫度；ΔT2 為當引入該第一溶液至該第二溶液中時，該第二溶液的溫度變化。
具體言之，ΔT2 為將該第一溶液引入期間之特定時間的溫度(T1 )減去於操作(b)加熱的溫度(T2 )的結果之絕對值。
根據本發明的一特點，該反應係於將該第一溶液完全引入後的30分鐘內終止。此外，在引入該第一溶液後，在反應期間維持藉由操作(b)中加熱之溫度，從而滿足關係式2。
為此，為了在操作(c)加入含有銀前驅物的第一溶液至該加熱的第二溶液中，該第一溶液係較佳以間斷式引入至該第二溶液中。具體言之，在操作(c)中，參照該第一溶液的體積(V1)，該第一溶液可以0.01至5體積%/秒的量逐滴引入至該第二溶液中。
如上所述，根據本發明方法，因為於操作(c)中的攪拌狀態影響該所生產奈米線的形態，因此可於不受攪拌狀態影響下滿足關係式3，更佳為關係式3-1。
根據本發明，在操作(c)中，該第二溶液可在一非攪拌狀態下或在該第二溶液引入時或在反應期間滿足關係式1-1。
關係式1-1
0<V2 ≦50公分/秒
其中，V2 為該第二溶液的平均流速。
具體言之，根據本發明，在該第一溶液引入的同時及在引入後的反應期間，可藉由調控該第二溶液的攪拌狀態，調控所生產之銀奈米線的長軸長度(即長度)，且生產具有一致尺寸的奈米線。
由於操作(c)係於該第二溶液非攪拌的狀態下進行，或於滿足關係式1-1的情況下進行，在操作(c)中可生產具有平均直徑為40至70奈米，以及平均長度為10微米或更長，更特定言之，20至100微米的銀奈米線。
在關係式1-1中，流速是指流體(即，於操作(c)中的該第二溶液)的平均流動速率。非攪拌狀態是指一種無人工攪拌的狀態，特別是在一種狀態，其既不展現流速的變化，也不發生紊流，取而代之的為包括在溶液中的自然對流。
較佳地，關於本發明生產方法，其中包含加熱一前驅物溶液以生產銀奈米線，其中該前驅物溶液含有一銀鹽、一水溶性聚合物、一界面活性劑、一增黏劑以及一還原溶劑，該還原溶劑係一含有至少一氧原子的極性溶劑。
具體言之，該還原溶劑可為選自以下群組之至少一者：乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、二乙二醇(DEG)(2-羥基乙基醚)、甘油、以及葡萄糖。此是為了調控奈米線的直徑及/或長度或藉由控制還原力以控制反應速率之目的。
更特定言之，用於溶解銀鹽的該第一還原溶劑係選自以下群組之至少一者：乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、二乙二醇(DEG)(2-羥基乙基醚)、甘油、以及葡萄糖。另一方面，該用於溶解該界面活性劑及該水溶性聚合物的第二還原溶劑，及較佳地，用於溶解該界面活性劑、該水溶性聚合物以及該增黏劑的第二還原溶劑，可獨立於該第一還原溶劑，且為選自以下群組之至少一者：乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、二乙二醇(DEG)(2-羥基乙基醚)、甘油、以及葡萄糖。
於相溶性方面，該第一還原溶劑可與該第二還原溶劑為相同的物質。例如，該第一與第二還原溶劑可為乙二醇。該銀鹽可為任何溶於還原溶劑的銀鹽，且例如為選自硝酸銀、醋酸銀、過氯酸銀以及氯化銀之至少一者。
在銀奈米線的生產中，該水溶性聚合物係用於連接至銀奈米線的一側，且具有使線成長的功能，且如上所述，其可為選自以下群組之至少一者：聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚丙烯醯胺、聚丙烯酸、及其共聚物。該水溶性聚合物的分子量(Mw)可為50,000至1,500,000。
根據本發明的生產方法，若包含該界面活性劑，含有銀前驅物溶於其中的該第一溶液可包含15至40重量%的銀鹽。根據本發明，使用高前驅物(銀前驅物)含量之該第一溶液，可在非常短的時間內以高效率生產銀奈米線。在這種情況下，該第二溶液可包含1至15重量%的該水溶性聚合物，且進一步包含0.005至1重量%的該界面活性劑。
如上所述，該第一與第二溶液可混合以滿足銀鹽：界面活性劑之重量比為100：0.01至15。以該溶劑混合物的黏度計(在25℃下)，該增黏劑於第二溶液中的含量可為使該溶劑混合物具有1.1至10倍之黏度(在25℃下)的量，其中該溶劑混合物包含該第一還原溶劑與該第二還原溶劑，其中該第一與第二還原溶劑分別在該第一與第二溶液中具有一預定的體積。
根據本發明方法，若包含該金屬催化劑，則銀鹽於含有銀前驅物溶於其中的該第一溶液中之含量可為1至12重量%，同時該水溶性聚合物於該第二溶液中的含量可為0.5至12重量%，且該金屬催化劑的含量可為0.0001至0.02重量%。
如上所述，該第一溶液與該第二溶液可混合以滿足銀鹽：金屬催化劑之重量比為100：0.01至1。以該溶劑混合物的黏度計(在25℃下)，該增黏劑於該第二溶液中的含量可為使該溶劑混合物具有1.1至10倍之黏度(在25℃下)的量，其中該溶劑混合物包含該第一還原溶劑與該第二還原溶劑，其中該第一與第二還原溶劑分別在該第一與第二溶液中各自具有一預定的體積。
除了上述表面活性劑、增黏劑及攪拌條件之外，銀鹽於該第一溶液中的含量、水溶性聚合物於該第二溶液中的含量、界面活性劑的含量、以及金屬催化劑的含量可透過簡單的規模放大而穩定地大量生產銀奈米線。
本發明提供一種透明電極，包含前述生產方法所生產的銀奈米線。
該透明電極可包含一個太陽能電池的正面電極(front electrode)。由於根據本發明生產的銀奈米線具有高長寬比、經控制的厚度及一致尺寸，故藉由混合銀奈米線以及施用該混合物至該電極，本發明之透明電極可展現優越且均勻之導電性。此外，即使在含有少量的銀奈米線時，該透明電極可保有優越導電性同時具有優越的光穿透性。
其他特徵及方面將由以下詳細敘述、圖式以及申請專利範圍而更加清楚。
下文將詳述本發明之較佳實施態樣。
實施例1
[使用陽離子界面活性劑合成銀奈米線]
第一溶液係藉由以下方式製備：溶解0.375公克之硝酸銀(Kojima公司，99.9%)於1毫升之乙二醇(EG，於25℃之黏度=16.1厘泊(cp))中於室溫下歷時15分鐘。第二溶液則藉由以下方式製備：溶解0.375公克之聚乙烯吡咯烷酮(PVP，分子量為55,000)與0.023公克之甜菜鹼(烷基醯胺甜菜鹼(cocoamidopropyl bentaine)，AK Chemtech公司，CAS登記第61789-40-0/83138-08-3號)於4毫升之乙二醇(EG)中於75℃下歷時10分鐘。之後，將該第二溶液引入一個50毫升圓底燒瓶中，且使用油浴加熱至160℃。然後，該第一溶液係透過一微量滴液管以0.02毫升/秒的速率滴加引入至該加熱的第二溶液中，同時以250轉/分鐘攪拌該第二溶液。於此，在滴入該第一溶液的同時，確認該第二溶液的溫度變化保持在±3℃的範圍內。
在添加完畢該第一溶液的5分鐘後，可觀察到該混合溶液的顏色轉為乳白色，接著將該混合溶液冷卻至室溫以終止反應。
然後，在完成該反應後，添加過量的丙酮(40毫升)至所獲得的溶液中以進行沉澱，隨後離心以沉澱得到銀奈米線。在移除溶劑層後，再次添加丙酮至殘餘沉澱物中以重新分散銀奈米線，且重複二次離心與溶劑移除的步驟，以回收所生產之銀奈米線。
實施例2
[使用陽離子界面活性劑透過規模放大大量生產]
第一溶液係藉由以下方式製備：溶解56.25公克之硝酸銀(Kojima公司，99.9%)於150毫升之乙二醇(EG)中於室溫下歷時20分鐘。第二溶液則係藉由以下方式製備：溶解56.25公克之聚乙烯吡咯烷酮(PVP，分子量為55,000)與3.45公克之甜菜鹼(烷基醯胺甜菜鹼，AK Chemtech公司，CAS登記第61789-40-0/83138-08-3號)於600毫升之乙二醇(EG)中於75℃歷時30分鐘。
之後，將該第二溶液引入一個具有20公分直徑之2公升反應器中，使用油浴加熱至160℃。然後，該第一溶液係透過一微量滴液管以0.08毫升/秒的速率滴加引入至該加熱的第二溶液中，同時以250轉/分鐘攪拌該第二溶液。於此，在滴入該第一溶液的同時，確認該第二溶液的溫度變化保持在±5℃的範圍內。
在添加完畢該第一溶液的10分鐘後，可觀察到該混合溶液的顏色轉為乳白色，接著將該混合溶液冷卻至室溫以終止反應。
之後，以與實施例1中敘述相同之程序進行銀奈米線的回收步驟。
實施例3
[使用陰離子界面活性劑合成銀奈米線]
第一溶液係藉由以下方式製備：溶解0.375公克之硝酸銀(Kojima公司，99.9%)於1毫升之乙二醇(EG)中於室溫下歷時15分鐘。第二溶液則係藉由以下方式製備：溶解0.375公克之聚乙烯吡咯烷酮(PVP，分子量為55,000)與0.023公克之十二烷基醚硫酸鈉(sodium laureth sulfate，SLES，AK Chemtech公司，24-3/28，68585-34-2)於4毫升之乙二醇(EG)中於75℃歷時10分鐘。
之後，將該第二溶液引入一個50毫升圓底燒瓶中，且使用油浴加熱至160℃。然後，該第一溶液係透過一微量滴液管以0.02毫升/秒的速率滴加引入至該加熱的第二溶液中，同時以250轉/分鐘攪拌該第二溶液。於此，在滴入該第一溶液的同時，確認該第二溶液的溫度變化保持在±3℃的範圍內。
在添加完畢該第一溶液的5分鐘後，可觀察到該混合溶液的顏色轉為乳白色，接著將該混合溶液冷卻至室溫以終止反應。
之後，以與實施例1中敘述相同之程序接著進行銀奈米線的回收步驟。
實施例4
[使用陰離子界面活性劑透過規模放大大量生產]
第一溶液係藉由以下方式製備：溶解56.25公克之硝酸銀(Kojima公司，99.9%)於150毫升之乙二醇(EG)中於室溫下歷時20分鐘。第二溶液則係藉由以下方式製備：溶解56.25公克之聚乙烯吡咯烷酮(PVP，分子量為55,000)與3.45公克之十二烷基醚硫酸鈉(sodium laureth sulfate，SLES，AK Chemtech公司，24-3/28，68585-34-2)於600毫升之乙二醇(EG)中於75℃歷時30分鐘。
之後，將該第二溶液引入一個具有20公分直徑之2公升反應器中，且使用油浴加熱至150℃。然後，該第一溶液係透過一微量滴液管以0.08毫升/秒的速率滴加引入至該加熱的第二溶液中，同時以250轉/分鐘攪拌該第二溶液。於此，在滴入該第一溶液的同時，確認該第二溶液的溫度變化保持在±5℃的範圍內。
在添加完畢該第一溶液的10分鐘後，可觀察到該混合溶液的顏色轉為乳白色，接著將該混合溶液冷卻至室溫以終止反應。
之後，以與實施例1敘述相同之程序接著進行銀奈米線的回收步驟。
實施例5
[使用界面活性劑於無攪拌下合成銀奈米線]
以與實施例1敘述相同的步驟生產銀奈米線，惟在實施例1中之該第二溶液係加熱至160℃，且該第一溶液透過一微量滴液管以0.02毫升/秒的速率滴加引入至該加熱的第二溶液中時，不攪拌該第二溶液。
實施例6
[使用界面活性劑與增黏劑合成銀奈米線]
以與實施例1敘述相同的步驟生產銀奈米線，惟實施例1中之該第二溶液係以以下方式製備：使用3.5毫升之乙二醇與0.5毫升之聚乙二醇(PEG，分子量55,000)取代4毫升之乙二醇；該製得之第二溶液係加熱至160℃；且該第一溶液係透過一微量滴液管以0.02毫升/秒的速率滴加引入至該加熱的溶液中時，不攪拌該第二溶液。於此，一包含4.5毫升之乙二醇與0.5毫升之聚乙二醇的溶劑混合物於25℃下展現20厘泊(cp)的黏度。
實施例7
[使用界面活性劑於低速攪拌下合成銀奈米線]
以與實施例2描述相同的步驟生產銀奈米線，惟實施例2中之該第二溶液係以以下方式製備：使用525毫升之乙二醇與75毫升之聚乙二醇(PEG，分子量55,000)取代600毫升之乙二醇；該製得之第二溶液係加熱至160℃；且該第一溶液係透過一微量滴液管以0.08毫升/秒的速率滴加引入至該加熱的溶液中時，以30轉/分鐘攪拌該第二溶液。於此，一包含675毫升之乙二醇與75毫升之聚乙二醇的溶劑混合物於25℃下展現20厘泊的黏度。
實施例8
[使用金屬催化劑合成銀奈米線]
第一溶液係藉由以下方式製備：溶解0.17公克之硝酸銀(Kojima公司，99.9%)於10毫升之乙二醇(EG，於25℃之黏度=16.1厘泊)中於室溫下歷時15分鐘。第二溶液則藉由以下方式製備：在室溫下溶解0.17公克之聚乙烯吡咯烷酮(PVP，分子量為55,000)與0.2毫克之NiCl2 ‧6H2 O於10毫升之乙二醇(EG)中。
之後，將該第二溶液引入一個具有0.5公分直徑之50毫升圓底燒瓶中，且使用油浴加熱至160℃。然後，該第一溶液係透過一微量滴液管以0.05毫升/秒的速率滴加引入至該加熱的第二溶液中，同時以800轉/分鐘攪拌該第二溶液。於此，在滴入該第一溶液的同時，確認該第二溶液的溫度變化保持在±3℃的範圍內。
在維持攪拌下於添加完畢該第一溶液的15分鐘後，可觀察到該混合溶液的顏色轉為乳白色，接著將該混合溶液冷卻至室溫以終止反應。
之後，在完成該反應後，加入過量的丙酮(40毫升)至所獲得的溶液中以進行沉澱，隨後離心以沉澱得到銀奈米線。在移除溶劑層後，再次添加丙酮至殘餘沉澱物中以重新分散銀奈米線，且重複二次離心與溶劑移除的步驟，以回收所生產之銀奈米線。
在這種情況下，經證實99%或更高的藉由離心回收之該產物為銀奈米線產物。
實施例9
[使用金屬催化劑於無攪拌下合成銀奈米線]
以與實施例8敘述相同的步驟生產銀奈米線，惟在不攪拌該第二溶液下添加該第一溶液，且不攪拌該添加之第一溶液下完成該反應。
實施例10
[使用金屬催化劑與水溶性聚合物於無攪拌下合成銀奈米線]
以與實施例9敘述相同的步驟生產銀奈米線，惟以PVP(分子量1,000,000)取代PVP(分子量55,000)。
實施例11
[使用金屬催化劑與增黏劑於低速攪拌下合成銀奈米線]
以與實施例9敘述相同的步驟生產銀奈米線，惟第一溶液係藉由以下方式製備：溶解0.17公克之硝酸銀(Kojima公司，99.9%)於10毫升之乙二醇(EG)中於室溫下歷時15分鐘；該第二溶液之製備係藉由在室溫下溶解0.17公克之聚乙烯吡咯烷酮(PVP，分子量360,000)、0.1毫克之氯化鋅(ZnCl2 )、以及5毫升之聚乙二醇(PEG，分子量400)於10毫升之乙二醇(EG)中；且該第一溶液添加至該第二溶液中時，以30轉/分鐘攪拌該第二溶液，且在30轉/分鐘下維持該反應。
於此，含有10毫升之乙二醇與5毫升之聚乙二醇的該溶劑，於25℃下具有40厘泊的黏度，同時含有20毫升之乙二醇與5毫升之聚乙二醇的該溶劑，於25℃下具有30壓泊的黏度。
比較例
[使用金屬催化劑於0.769伏特之標準還原電位下合成銀奈米線]
第一溶液係藉由以下方式製備：溶解0.17公克之硝酸銀(Kojima公司，99.9%)於10毫升之乙二醇(EG)中於室溫下歷時15分鐘。第二溶液之製備則係藉由於室溫下溶解0.17公克之聚乙烯吡 咯烷酮(PVP，分子量為55,000)與0.1毫克之氯化鐵(FeCl3 )於10毫升之乙二醇(EG)中。
之後，使用油浴將該第二溶液加熱至160℃。然後，該第一溶液係透過一微量滴液管以0.05毫升/秒的速率滴加引入至該加熱的第二溶液中，同時以800轉/分鐘攪拌該第二溶液。於此，在滴入該第一溶液的同時，確認該第二溶液的溫度變化保持在±3℃的範圍內。
於維持攪拌下，在添加完畢該第一溶液的15分鐘後，可觀察到該混合溶液的顏色轉為乳白色，接著將該混合溶液冷卻至室溫以終止反應。
之後，在完成該反應後，加入過量的丙酮(40毫升)至所獲得的溶液中以進行沉澱，隨後進行離心。重複二次此程序，以回收所生產之銀奈米線。
第1圖為觀察實施例1所生產之銀奈米線的掃描式電子顯微鏡(SEM)圖，如第1圖所示，可看到大量生產出具有非常一致之尺寸的銀奈米線。經SEM觀察結果證實銀奈米線具有70奈米之平均直徑、7微米之平均長度以及不超過平均長度70.76%的偏差，因此展現尺寸一致之銀奈米線。此外，經鑑定94%之所引入反應中的銀鹽係轉換成銀奈米線。
第2圖為實施例2所生產之銀奈米線的SEM圖。從此圖可看出即使在規模放大後仍生產出類似實施例1之具有一致尺寸的銀奈米線。此外，還可看出銀奈米線係於短時間內，即30分鐘內，大量生產，在此實施例的情況下，在很短的時間內，即10分鐘內，提供大量具有數微米長度的銀奈米線。
第3(a)圖為實施例1所生產之銀奈米線的SEM圖，以及第3(b)圖顯示於第3(a)區域1至4所測量之EDS(能量色散光譜)結果。在所有生產之銀奈米線的所有區域均獲得類似的結果。此外，除用於分析所額外添加之成分(銅)外(例如塗覆材料)，僅偵測到銀。
第4圖為觀察實施例3所生產之銀奈米線的SEM圖，而第5圖為觀察實施例4所生產之銀奈米線的SEM圖。與使用陽離子界面活性劑的情況相比，即使使用陰離子界面活性劑，也獲得相似的結果。此外，也可看到透過簡單的規模放大可在短時間內以高效率生產銀奈米線。
第6圖為觀察實施例5所生產之銀奈米線的SEM圖。從此圖可證實在非攪拌下生產出銀奈米線，且所製得之銀奈米線具有平均直徑為50奈米及平均長度為80微米。
第7圖及第8圖為觀察實施例6所生產之銀奈米線的SEM圖。如第7圖所示，可看出生產出大量具有非常一致之尺寸的銀奈米線。透過SEM觀察之結果顯示生產出具有平均直徑為40奈米與平均長度為30微米、以及一致尺寸的銀奈米線。
第9圖為觀察實施例7所生產之銀奈米線的SEM圖。如第9圖所示，證實在低速度攪拌下生產之奈米線具有平均直徑為40奈米以及平均長度為20微米。
第10圖為實施例8所生產之銀奈米線的SEM圖。由此圖可證實所生產之銀奈米線具有70奈米之平均短軸直徑與10微米之平均長度的一致尺寸。
第11圖為實施例9所生產之銀奈米線的SEM圖。由此圖證實所生產之銀奈米線具有90奈米之平均短軸直徑與35微米之平均長度的一致尺寸。
第12圖為實施例10所生產之銀奈米線的SEM圖。由此圖證實所生產之銀奈米線具有100奈米之平均短軸直徑與50微米之平均長度的一致尺寸。
第13圖與第14圖為實施例11所生產之銀奈米線的SEM圖。由該些圖證實所生產之銀奈米線具有50奈米之平均短軸直徑與30微米之平均長度的一致尺寸。
第15圖為比較例所生產之銀奈米線的SEM圖。由圖可看出所生產之銀奈米線具有150奈米之平均直徑、8微米之平均長度以及53之長寬比值。此外，還證實透過離心回收的產物中，銀奈米線之重量百分比為50重量%或更低。
如上所述，本發明的生產方法透過簡單的規模放大毋需大的技術改變即可顯著增加銀奈米線的量。此外，藉由令人驚訝地縮短合成時間，即使是透過規模放大大量生產，在非常短的時間內(30分鐘內)可生產大量銀奈米線。本發明方法另一特點在於可生產具有標準差在平均長度30%內之一致長度的奈米線；銀奈米線之長度與直徑可獨立調控；90莫耳%或更高之在反應中所引入之銀鹽可形成銀奈米線；可防止產生除了銀奈米線外之不欲產物，包含銀奈米棒、銀奈米粒子及/或銀奈米板；以及可生產具有一致尺寸及平均長寬比為100或更高之銀奈米線。
如上所述，本發明已藉由詳細描述、例示性實施態樣及所附圖式而解釋，然而，這些係提供用以使本發明易於了解，且本發明不侷限於此。可對上述內容進行各種修改及/或變化對於熟於此項技藝之人士係顯而易見的。
因此，本發明之範圍非限於上述實施例，且在不違背本發明由後所附申請專利範圍所界定之精神及範圍及其均等範圍的情況下可進行修改及變化。
第1圖為實施例1所生產之銀奈米線的掃描式電子顯微鏡(SEM)圖；
第2圖為實施例2所生產之銀奈米線的SEM圖；
第3圖為實施例1所生產之銀奈米線的SEM圖及EDS結果；
第4圖為實施例3所生產之銀奈米線的SEM圖；
第5圖為實施例4所生產之銀奈米線的SEM圖；
第6圖為實施例5所生產之銀奈米線的SEM圖；
第7圖為實施例6所生產之銀奈米線的SEM圖；
第8圖為實施例6所生產之銀奈米線的高倍率SEM圖；
第9圖為實施例7所生產之銀奈米線的SEM圖；
第10圖為實施例8所生產之銀奈米線的SEM圖；
第11圖為實施例9所生產之銀奈米線的SEM圖；
第12圖為實施例10所生產之銀奈米線的SEM圖；
第13圖為實施例11所生產之銀奈米線的SEM圖；
第14圖為實施例11所生產之銀奈米線的高倍率SEM圖；以及
第15圖為比較例所生產之銀奈米線的SEM圖。

Claims (18)

  1. 一種生產銀(Ag)奈米線的方法，包含：(a)準備一第一溶液，該第一溶液含有一銀鹽及一第一還原溶劑；及一第二溶液，該第二溶液含有一水溶性聚合物、一界面活性劑、以及一第二還原溶劑；(b)加熱該第二溶液；以及(c)將該第一溶液引入至該第二溶液中，以生產銀奈米線，其中於操作(c)中，該第一與第二溶液係經混合以滿足該第一溶液中的銀鹽：該第二溶液中的界面活性劑之重量比為100：0.01至15。
  2. 如請求項1的方法，其中該操作(c)係於非攪拌或滿足以下關係式1下進行：(關係式1)0公分/秒<V≦50公分/秒其中，V為該第二溶液的平均流速。
  3. 如請求項1的方法，其中該第二溶液進一步含有一增黏劑。
  4. 如請求項3的方法，其中以溶劑混合物的黏度計，該第二溶液中該增黏劑的含量為使該溶劑混合物具有1.1至10倍之黏度的量，且其中該溶劑混合物係包含該第一還原溶劑與該第二還原溶劑，其中該第一與第二還原溶劑分別在該第一與第二溶液中各自具有一預定的體積。
  5. 如請求項3的方法，其中該增黏劑係聚乙二醇。
  6. 如請求項1的方法，其中該界面活性劑係選自一陰離子界面活性劑、一陽離子界面活性劑及一兩性界面活性劑之至少一者。
  7. 如請求項6的方法，其中該陰離子界面活性劑係選自十二烷基醚硫酸鈉(sodium laureth sulfate)、(C14-C16)烯烴磺酸鈉、以及十二烷基苯磺酸鈉之至少一者。
  8. 如請求項6的方法，其中該陽離子界面活性劑係選自以下群組之至少一者：含酯季銨鹽(ester-containing quaternary ammonium salt，EQ)、具醯胺基與酯基之季銨鹽、吡啶鎓衍生物(pyridinium derivatives)、甜菜鹼衍生物、咪唑鎓(imidazolium)衍生物、喹啉鎓(quinolinium)衍生物、哌嗪鎓(piperazinium)衍生物、以及嗎啉鎓(morpholinium)衍生物。
  9. 如請求項1的方法，其中該水溶性聚合物係選自以下群組之至少一者：聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚丙烯醯胺、聚丙烯酸、及其共聚物。
  10. 如請求項9的方法，其中該水溶性聚合物的分子量(Mw)為50,000至1,500,000。
  11. 如請求項1的方法，其中於操作(b)與(c)中，該第二溶液的溫度滿足以下關係式2：(關係式2) 0.6Tb <Th <0.9Tb 其中，Th 為該第二溶液的加熱溫度(℃)，且Tb 為該第二還原溶劑在大氣壓力下的沸點(℃)。
  12. 如請求項11的方法，其中，當該第一溶液於操作(c)中被引入時，該第二溶液的溫度變化係滿足以下關係式3：(關係式3) 其中，T2 為該第二溶液藉由於操作(b)中加熱的溫度(℃)，且△T2 為當引入該第一溶液至該第二溶液中時，該第二溶液的溫度變化。
  13. 如請求項1的方法，其中於操作(a)中該第一溶液中之該銀鹽的含量為15至40重量%。
  14. 如請求項13的方法，其中，在操作(a)之該第二溶液中，該水溶性聚合物的含量為1至15重量%，且該界面活性劑的含量為0.005至1重量%。
  15. 如請求項1的方法，其中該銀鹽係選自硝酸銀、醋酸銀、過氯酸銀、以及氯化銀之至少一者。
  16. 如請求項1的方法，其中該還原溶劑係一含有至少一氧原子的極性溶劑。
  17. 如請求項1的方法，其中該第一還原溶劑與該第二還原溶劑係各自獨立為選自以下群組之至少一者：乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、二乙二醇(DEG)(2-羥基乙基醚)、甘油、 以及葡萄糖。
  18. 一種透明電極，包含如請求項1至10中任一項之方法所生產的銀奈米線。
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