TWI457455B - 支承板的製造方法、支承板、濺鍍陰極、濺鍍裝置及支承板的洗淨方法 - Google Patents

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Description

支承板的製造方法、支承板、濺鍍陰極、濺鍍裝置及支承板的洗淨方法
本發明係關於一種用以保持濺鍍靶的支承板的製造方法、支承板、包含該支承板之濺鍍陰極、包含該濺鍍陰極的濺鍍裝置及支持板的洗淨方法。
以往，係採用濺鍍法作為用以將薄膜形成在基板上的成膜技術。在該濺鍍法中，將導入於真空槽內的氬(Ar)等惰性氣體離子化，該經離子化之氬會撞擊濺鍍靶，藉此從濺鍍靶撞擊出濺鍍粒子，而在基板上形成薄膜。
此外，在屬於濺鍍法之一種之利用磁場的磁控管濺鍍法中，利用施加在濺鍍表面之磁場，從濺鍍靶表面被撞擊出之二次電子會進行螺旋運動。進行該螺旋運動之二次電子會與氬碰撞，使得用以造成氬之離子化的碰撞頻率增加，故成膜速度會高速化。
在利用上述濺鍍法進行之成膜中，會因為從濺鍍靶被撞擊出之濺鍍粒子，而在濺鍍靶之濺鍍效率低的部分(非侵蝕區域)、保持濺鍍靶之支承板或真空槽內之各部形成有堆積膜，該堆積膜會有對基板上之薄膜的成膜造成不良影響之情形。例如，堆積膜之一部分剝離而在真空槽內產生微粒子(不必要之粒子)，由於該微粒子作為異物混入於基板上之薄膜，因而會有薄膜之品質降低的情形。
就上述問題相關之技術而言，在例如專利文獻1中揭示有一種藉由噴砂處理將濺鍍靶之表面或支承板之表面予 以粗面化的技術。且記載有：經施以該噴砂處理之部分會捕捉住粗大粒子(濺鍍粒子)，以防止粗大粒子飛散於基板上。
此外，在專利文獻2中，記載有一種表面被局部地進行噴砂處理之支承板。藉由該噴砂處理，附著在支承板之膜的密接性會提升，以防止微粒子(不必要之粒子)混入屏蔽部與濺鍍靶之間，因此可使濺鍍之放電狀態穩定。
專利文獻1：日本特開平4-301074號公報(段落[0009])
專利文獻2：日本特開平10-30174號公報(段落[0020]、[0023]，第3圖)
然而，利用專利文獻1或專利文獻2記載之方法，對支承板之表面進行噴砂處理時，會從支承板產生原因不明之突發性的微粒子。亦即，為了減少微粒子而對支承板進行噴砂處理，卻反而會有原因不明的多數微粒子從支承板上產生之問題發生。
當如上述產生突發性微粒子時，由於該微粒子會作為異物混入基板上的薄膜，因此良率會顯著地降低，而對生產造成妨礙。特別是，隨著基板上之薄膜的配線圖案的細微化，即便是少量之微粒子混入於薄膜，也會造成重大之問題。
本發明人等係為了查明從支承板產生之突發性的微粒子之原因，而對支承板表面之凹凸(比表面積)與表面狀態 等進行了觀察。結果，發明人等係發現殘留於經噴砂處理過的噴砂處理部的殘留噴砂材除了有附著/固著在噴砂處理部之噴砂材之外，還存在有刺入噴砂處理部之噴砂材。該刺入噴砂處理部之噴砂材係無法以單純之洗淨來從噴砂處理部去除。堆積在刺入噴砂處理部之噴砂材上的膜係容易剝離，此為造成突發性之微粒子的原因。
鑑於上述情事，本發明之目的係提供一種減低微粒子之產生以實現形成在基板上之薄膜之品質及製造效率之提升的支承板之製造方法、由該製造方法所製造之支承板、及其相關之技術。
為了達成上述目的，本發明之支承板的製造方法係用以保持濺鍍靶之支承板的製造方法，該方法係具有下述步驟：準備支承板本體；對前述支承板本體之屬於形成前述濺鍍靶之區域的形成區域以外之至少一部分進行噴砂處理而形成噴砂處理部；對前述噴砂處理部進行超音波洗淨；對經前述超音波洗淨之前述噴砂處理部進行蝕刻或以洗淨液進行噴射洗淨；再次對前述噴砂處理部進行超音波洗淨。
如此，本發明係藉由分為3階段對噴砂處理部進行洗淨，以製造支承板。藉由3階段之洗淨，可適當地去除刺入噴砂處理部之噴砂材，因而可減少突發性之微粒子的產生。藉此，可實現形成於基板上之薄膜的品質及製造效率的提升。
在上述支承板之製造方法中，形成前述噴砂處理部的 步驟，亦可使前述噴砂處理部粗面化成表面粗糙度(Ra)1μm以上4μm以下。
藉此，由於可使堆積在噴砂處理部之膜的密接性提升，因此可更進一步減少突發性之微粒子的產生。
在前述支承板之製造方法中，前述超音波洗淨之步驟，亦能以施加有18kHz以上19kHz以下之超音波的洗淨液的噴流來對前述噴砂處理部進行超音波洗淨。
藉此，可適當地去除刺入噴砂處理部之噴砂材。
在前述支承板之製造方法中，亦可將前述噴流之壓力設定為200kPa以上300kPa以下。
藉此，可更加適當地去除刺入噴砂處理部之噴砂材。
本發明之支承板係用以保持濺鍍靶之支承板，該支承板係具備：支承板本體；以及噴砂處理部，係藉由對前述支承板本體之屬於形成前述濺鍍靶之區域的形成區域以外之至少一部分進行噴砂處理而形成，表面粗糙度(Ra)在1μm以上4μm以下，且每1cm2有4個以下之等面積圓直徑10μm以上之前述噴砂材。
本發明之支承板，藉由將支承板之表面粗糙度設為1μm以上4μm以下，而可使堆積在噴砂處理部之膜的密接性提升。再者，由於在殘留於噴砂處理部之噴砂材中，等面積圓直徑10μm以上之噴砂材設為每1cm2有4個以下，因此可減少突發性之微粒子的產生。藉此，可實現形成於基板上之薄膜的品質及製造效率的提升。
在前述支承板中，前述支承板本體亦可由鋁、銅、鈦、 不鏽鋼或以該等材料之任一者為主成分的合金所構成。
本發明之濺鍍陰極係具備：濺鍍靶；支承板本體，用以保持前述濺鍍靶；以及噴砂處理部，係對前述支承板本體之屬於形成前述濺鍍靶之區域的形成區域以外之至少一部分進行噴砂處理而形成，表面粗糙度(Ra)在1μm以上4μm以下，且每1cm2有4個以下之等面積圓直徑10μm以上之前述噴砂材。
本發明之濺鍍裝置係具備：真空槽；及濺鍍陰極，係被施加電壓而使濺鍍粒子飛散在前述真空槽內，且具有：濺鍍靶；支承板本體，用以保持前述濺鍍靶；以及噴砂處理部，係對前述支承板本體之屬於形成前述濺鍍靶之區域的形成區域以外之至少一部分進行噴砂處理而形成，表面粗糙度(Ra)在1μm以上4μm以下，且每1cm2有4個以下之等面積圓直徑10μm以上之前述噴砂材。
在本說明書中，「濺鍍陰極」係涵蓋：接合濺鍍靶及支承板而形成之接合體與將濺鍍板及支承板一體形成之一體成形體。
本發明之支承板的洗淨方法係具有下述步驟：對將支承板予以噴砂處理而形成之噴砂處理部進行超音波洗淨；對經前述超音波洗淨之前述噴砂處理部進行蝕刻或以洗淨液進行噴射洗淨；再次對前述噴砂處理部進行超音波洗淨。
在前述支承板之洗淨方法中，前述超音波洗淨之步驟，係能以施加有18kHz以上19kHz以下之超音波的洗淨液的噴流來對前述噴砂處理部進行超音波洗淨。
在前述支承板之洗淨方法中，亦可將前述噴流之壓力設定為200kPa以上300kPa以下。
如上所述，依據本發明，可提供一種減低微粒子之產生以實現形成在基板上之薄膜之品質及製造效率之提升的支承板之製造方法、由該製造方法所製造之支承板、及其相關之技術。
以下，依據圖式說明本發明之實施形態。
第1圖係本發明一實施形態之濺鍍裝置的示意圖。第2圖係該濺鍍裝置所具有之濺鍍陰極及屏蔽部附近的放大圖。在本實施形態中，例舉磁控管方式之濺鍍裝置來說明濺鍍裝置之一例。
如第1圖所示，濺鍍裝置100係具備：經接地之真空槽20；配置在該真空槽20內部之濺鍍陰極10；及用以在該濺鍍陰極10附近形成磁場分佈的磁場形成部30。
在真空槽20連結有：連結於真空泵28的真空排氣管23；及用以將例如氬等氣體導入真空槽20內部的氣體導入管24。在真空槽20內部，配置有用以支持被處理基板27且作為陽極發揮功能的台座22。再者，在真空槽20，隔介絕緣材25，以與台座22相對向之方式設置有濺鍍陰極10。
濺鍍陰極10係由濺鍍靶2、及用以保持該濺鍍靶2之支承板1所構成。該支承板1係施加負的高電壓。在濺鍍陰極10之周圍設置有用以防止濺鍍鈀以外之零件被濺擊 的屏蔽部26。該屏蔽部26亦可接地。濺鍍陰極10係在與屏蔽部26之間具有些許之間隙8(參照第2圖)。
在支承板1之設有濺鍍靶2的面(表面)之相反方向的面(背面)之方向，配置有磁場形成部30。該磁場形成部30係由環狀之第1磁鐵32a、位於該第1磁鐵32a之中央且形成圓柱狀的第2磁鐵32b、及用以支持該等磁鐵32a、32b的磁鐵支持部31所構成。第1磁鐵32a及第2磁鐵32b可為永久磁鐵，亦可為電磁鐵。第1及第2磁鐵32a、32b之支承板側的磁極係分別設為不同。藉此，在第1磁鐵與第2磁鐵之間形成磁力線，在濺鍍靶2之表面附近形成有第1圖所示之磁場分佈。
第3圖係濺鍍陰極10之分解透視圖。如第3圖所示，支承板1為圓板狀，且具備具有屬於形成有濺鍍靶2之區域之形成區域3的表面1a、側周面1b及背面1c。濺鍍靶2亦同樣為圓板狀，且具有由例如氬濺擊之表面2a、側周面2b及接合於支承板1之背面2c。支承板1之形成區域3、與濺鍍靶2之背面2c係利用例如適當之銲料進行銲接而接合。濺鍍靶2及支承板1之形狀並不限定於圓板狀，亦可為表面為矩形之平板形狀，亦可為其他形狀。
在第3圖中，雖然是接合支承板1及濺鍍靶2而形成濺鍍陰極10，但濺鍍陰極10亦可藉由同一材料一體地形成支承板1及濺鍍靶2。此時，亦在支承板1之表面1a的形成區域3上形成濺鍍靶2。在本說明書中，係涵蓋接合支承板1及濺鍍靶2而形成之接合體、及一體形成支承板 1及濺鍍靶2而成之一體成形體的情形進行說明。
支承板1係由例如鋁、銅、鈦、不鏽鋼或以該等材料之任一者為主成分的合金所構成。濺鍍靶2係由例如Ti、Al、Cu、Ni、Co、Ta、Au、Ag、Cr、Nb、Pt、Mo、W所形成。
支承板(支承板本體)1之表面1a之形成區域3以外的區域4及側周面1b係藉由噴砂材進行噴砂處理，而形成噴砂處理部5。本實施形態係如上所述，濺鍍陰極10係在與屏蔽部26之間，具有些許之間隙8(參照第2圖)。在進行濺鍍時，從濺鍍靶2被撞擊出之濺鍍粒子會侵入該間隙8，而形成堆積膜。因此，典型而言為屬於支承板1接觸間隙8之部分，即表面1a之形成區域3以外之區域4及側周面1b之全部為噴砂處理部5。然而，當例如支承板1之背面1c接觸於間隙8時等可能在支承板之背面1c形成有堆積膜之情形時，亦可對背面1c進行噴砂處理。
噴砂處理部5係可藉由對支承板之表面1a的區域4之一部分進行噴砂處理而形成，亦可藉由對側周面1b之一部分進行噴砂處理而形成。或者，亦可藉由不對側周面1b進行噴砂處理而對區域4之全部或一部分進行噴砂處理而形成，亦可藉由不對區域4進行噴砂處理而對側周面1b之全部或一部分進行噴砂處理部而形成。亦即，只要是支承板1之表面1a、側周面1b及背面1c中之形成區域3以外的部分，則任何部分皆可進行噴砂處理。當然，濺鍍靶2之非侵蝕區域亦可同樣地進行噴砂處理。
該噴砂處理部5之表面粗糙度(Ra)係設為1μm以上4μm以下，且每1cm2有4個以下之等面積圓直徑10μm以上之噴砂材。該表面粗糙度(Ra)之範圍、及等面積圓直徑10μm以上之噴砂材的個數係藉由製作採用各種值之樣本，實際進行濺鍍而導出之值(參照後述之表1)。
如此，藉由將支承板1之噴砂處理部5的表面粗糙度(Ra)設為1μm以上4μm以下，可提升因從濺鍍靶2被撞擊出之濺鍍粒子堆積於噴砂處理部5而形成之膜的密接性，因而可減少微粒子之產生。再者，殘留在支承板1之噴砂處理部5的噴砂材中，由於每1cm2有4個以下之等面積圓直徑10μm以上之噴砂材，因此可減少因堆積於刺入噴砂處理部5之殘留噴砂材上的膜容易剝離而產生之微粒子(突發性微粒子)。藉此，可實現形成在被處理基板27上之薄膜之品質及製造效率之提升。
接著，說明支承板1之製造方法之一實施形態。第4圖係表示本實施形態之支承板之製造方法的流程圖。
首先，準備圓板狀之支承板1(支承板本體)(步驟1)。該支承板1之形狀係如上所述並未限定於圓板狀，表面1a可為矩形之平板形狀，亦可為其他形狀。支承板1係由例如鋁、銅、鈦、不鏽鋼或以該等材料之任一者為主成分的合金所構成。支承板1之表面1a之屬於形成(接合)有濺鍍靶2之區域的形成區域3及背面1c係作為保護區域而施加遮罩。當支承板1與濺鍍靶2為一體地形成時，則對支承板1之背面1c、及濺鍍靶2之表面2a及側周面2b施加遮 罩。
在對支承板1施以遮罩後，利用噴砂處理裝置對表面1a之區域4及側周面1b進行噴砂處理，而形成噴砂處理部5(步驟2)。進行噴砂處理之區域係可考量支承板之各面1a、1b、1c中接觸於間隙8之區域等而進行適當變更(參照第2圖)。
噴砂材係考量支承板1之材質而採用SiC、Al2O3、玻璃珠等。該噴砂材之粒徑係將等面積圓直徑之平均設定為100μm至500μm。噴砂處理裝置之噴嘴與噴砂處理部5之距離係設為例如150mm，噴砂處理裝置之氣體壓力係設為4.0Kg/cm2至4.7Kg/cm2。如此，藉由適當地設定噴砂材之粒徑、與噴嘴之距離、氣體壓力，而可形成表面粗糙度(Ra)1μm至4μm之噴砂處理部5。藉此，可提升因濺鍍粒子堆積於噴砂處理部5而形成之膜的密接性，因而可減少微粒子之產生。
接著，為了去除殘留於噴砂處理部5之殘留噴砂材，因此對支承板1以施加有超音波之洗淨液的噴流進行超音波洗淨(步驟3)。
第5圖係顯示洗淨裝置之一例的示意圖。洗淨裝置50係具備洗淨槽52、用以在洗淨槽52內使洗淨液55之噴流產生的泵53、及用以施加超音波在洗淨液55之噴流的超音波發射機51。洗淨槽52係泵53係藉由配管54而連結。雖列舉第5圖所示之構成作為洗淨裝置50之一例，但並非限定於此，亦可使用類似構成之洗淨裝置50。
支承板1係保持在洗淨槽52內，並藉由施加有超音波之洗淨液55之噴流而洗淨。此時，噴流之壓力係設定為200kPa以上300kPa以下。超音波之頻率係設定為18kHz以上19kHz以下。再者，洗淨時間係設定為例如5分鐘。藉由該洗淨，可從噴砂處理部5去除殘留於噴砂處理部5之殘留噴砂材中、附著或固著於噴砂處理部5之噴砂材，並且可對刺入噴砂處理部5之噴砂材施以衝擊。
接著，對支承板1之噴砂處理部5進行蝕刻處理(步驟4)。此時，例如藉由將支承板1浸漬於氟硝酸，而對噴砂處理部5進行蝕刻處理。蝕刻時間係設定為例如3分鐘。氟硝酸之濃度與蝕刻時間係依支承板及噴砂材之材質而適當設定。藉由該蝕刻處理，可使噴砂處理部5與刺入噴砂處理部5之噴砂材之邊界面極少量地溶解，而可減小噴砂材之刺入程度。在蝕刻後對支承板1進行水洗，將氟硝酸沖洗掉。然後，去除遮罩。
接著，利用第5圖之洗淨裝置50再次對支承板1之噴砂處理部5進行超音波洗淨(步驟5)。此時亦與上述步驟3同樣地，噴流之壓力係設定為200kPa以上300kPa以下，超音波之頻率係設定為18kHz以上19kHz以下。再者，洗淨時間係設定為例如5分鐘。當濺鍍陰極10為支承板1與濺鍍靶2之接合體時，接著將支承板1之形成區域3、與濺鍍靶之背面2c予以接合，而製造濺鍍陰極10。
如此，在本實施形態中，分為3階段來洗淨噴砂處理部5(步驟3至步驟5)。藉由該3階段之洗淨，可適當地去 除刺入噴砂處理部5之噴砂材。藉此，減少從支承板1產生的突發性之微粒子。因此，在利用該支承板1來在被處理基板27上形成薄膜時，可實現該薄膜之品質及製造效率之提升。
此外，在步驟3及步驟5中之超音波洗淨中，超音波之頻率係設為18kHz以上19kHz以上，噴流之壓力係設為200kPa以上300kPa以下。亦即，在超音波洗淨中，並非藉由一般所使用之頻率帶30kHz至50kHz，而是藉由一般不使用之低頻率帶18kHz至19kHz之超音波及噴流對噴砂處理部5進行洗淨。藉此，可將殘留於噴砂處理部5之等面積圓直徑10μm以上之噴砂材形成為每1cm2有4個以下。因而，可減少從支承板1產生的突發性之微粒子。此外，在頻率30kHz至50kHz之超音波洗淨中，係難以將殘留於噴砂處理部5之等面積圓直徑10μm以上之噴砂材形成為每1cm2有4個以下(參照後述之第6及第7比較例)。
在步驟4中，亦可以洗淨液對噴砂處理部5進行噴射洗淨(高壓水洗淨)，來取代蝕刻處理。此時，洗淨液之送出壓力為200kgf/cm2以上300kgf/cm2以下，水量為201/min以上301/min以下。藉由該噴射洗淨，亦可與上述蝕刻處理同樣地，減小刺入噴砂處理部5之噴砂材的刺入程度。
(第1實施形態)
接著，說明支承板1之製造方法的一實施形態，以下之說明中，具有與上述實施形態相同之構成及功能之部分 係標註相同之元件符號，並將說明省略或簡略化。
表1係第1實施形態至第8實施形態、及第1比較例至第7比較例之支承板的材質及表面粗糙度等的比較表。
在本實施形態中，首先，準備由銅所構成之支承板1(支承板本體)(步驟1)。支承板1之表面1a之屬於形成(接合)有濺鍍靶2之區域的形成區域3及背面1c係施加遮罩。
接著，利用噴砂處理裝置對表面1a之區域4及側周面1b進行噴砂處理，而形成噴砂處理部5(步驟2)。噴砂材係採用直徑100μm至300μm之SiC。噴砂處理裝置之噴嘴與噴砂處理部5之距離係設為例如150mm，噴砂處理裝置之氣體壓力係設為4.3Kg/cm2。
形成噴砂處理部5後，支承板1係以施加有超音波之洗淨液的噴流進行超音波洗淨(步驟3)。噴流之壓力係設定為200kPa以上300kPa以下。超音波之頻率係設定為19kHz。此外，洗淨時間係設定為例如5分鐘。
接著，支承板1係浸漬於氟硝酸(氟化氫3%，硝酸10%)3分鐘，而對噴砂處理部5進行蝕刻處理(步驟4)。在蝕刻後對支承板1進行水洗或熱水洗，然後，去除遮罩。
支承板1係以施加有超音波之洗淨液的噴流再次進行超音波洗淨(步驟5)。與上述步驟3同樣地，噴流之壓力係設定為200kPa以上300kPa以下，超音波之頻率係設定為19kHz。此外，洗淨時間係設定為例如5分鐘。然後，對支承板1進行乾燥處理。
評估以上述方式製造之支承板1之噴砂處理部5的表 面粗糙度及殘留噴砂材的個數。以粗糙度測定器測定表面粗糙度(Ra)之結果，表面粗糙度(Ra)為2.2μm。又，以金屬顯微鏡測量殘留於噴砂處理部5之等面積圓直徑10μm以上之噴砂材的結果，殘留噴砂材係每1cm2平均有2個。
將該支承板1之形成區域3、與濺鍍靶2之背面2c予以接合，而製造濺鍍陰極10。濺鍍靶係採用由純度5N之鈦所構成之直徑250mm厚度6mm之鈦濺鍍靶。將該濺鍍陰極10安裝在濺鍍裝置100，觀察微粒子之產生狀況等。
濺鍍氣體係採用氬，氣體壓力係設為0.5Pa。此外，濺鍍電力係設為7kw。被處理基板27係採用直徑5英吋(inch)(125mm)之矽晶圓27，而在該矽晶圓27上形成膜厚50nm之薄膜。
計數混入於該矽晶圓27上之薄膜的微粒子之個數，對本實施形態之支承板1進行評估。計數之微粒子的直徑係設為0.2μm以上，微粒子係以10、20、30、40、50、60、70、80、90、100之批量進行計數。結果，混入於矽晶圓27上之薄膜的微粒子個數之平均為1個。
再者，發現混入有該微粒子之平均數(本實施形態為1個)之2倍以上之微粒子的矽晶圓27時，推測為從支承板1產生突發性之微粒子，評估支承板1之性能。在本實施形態中，並未發現混入有微粒子之平均數之2倍以上之微粒子的矽晶圓27，為0個。亦即，在採用本實施形態之支承板1之薄膜的成膜中，並未產生突發性之微粒子(0次)。
(第2實施形態)
接著，說明支承板1之製造方法的其他實施形態。在之後的說明中，係以與前述第1實施形態之不同點為中心進行說明。針對後述之第3實施形態至第7比較例，亦同樣地以與第1實施形態之不同點為中心進行說明。
在本實施形態中，支承板1之材質係設為不鏽鋼。此外，噴砂處理之噴砂材的粒徑之等面積圓直徑的平均係設為200μm至400μm，噴砂處理裝置之氣體壓力係設為4.6kg/cm2。
以此條件製造之支承板1的噴砂處理部5之表面粗糙度(Ra)為3.2μm，殘留於噴砂處理部5之等面積圓直徑10μm以上之噴砂材，係每1cm2平均有1個。
藉由具有該支承板1之濺鍍裝置100，將薄膜成膜在矽晶圓27，而測定混入該薄膜之微粒子的結果，微粒子數的平均為3個。此外，並未發現混入有微粒子之平均數之2倍以上之微粒子的矽晶圓27，並未產生突發性之微粒子(0次)。
(第3實施形態)
接著，說明支承板1之製造方法的其他實施形態。
在本實施形態中，支承板1之材質係設為鈦。噴砂處理之噴砂材的粒徑之等面積圓直徑的平均係設為300μm至500μm，噴砂處理裝置之氣體壓力係設為4.7kg/cm2。噴砂處理部5之蝕刻處理的蝕刻時間係設為2分鐘。
以此條件製造之支承板1的噴砂處理部5之表面粗糙度(Ra)為3.8μm，殘留於噴砂處理部5之等面積圓直徑10 μm以上之噴砂材，係每1cm2平均有4個。
藉由濺鍍裝置100，將薄膜予以成膜，而測定混入薄膜之微粒子的結果，微粒子數的平均為3個。此外，突發性之微粒子的產生次數為1次。
(第4實施形態)
接著，說明支承板1之製造方法的其他實施形態。
在本實施形態中，支承板1之材質係設為鋁，噴砂處理裝置之氣體壓力係設為4.0kg/cm2。
以此條件製造之支承板1的噴砂處理部5之表面粗糙度(Ra)為1.2μm，殘留於噴砂處理部5之等面積圓直徑10μm以上之噴砂材，係每1cm2平均有2個。
藉由濺鍍裝置100，將薄膜予以成膜，而測定混入薄膜之微粒子的結果，微粒子數的平均為2個。此外，突發性之微粒子的產生次數為0次。
(第5實施形態)
接著，說明支承板1之製造方法的其他實施形態。
在本實施形態中，噴砂處理之噴砂材的粒徑之等面積圓直徑的平均係設為200μm至400μm。
以此條件製造之支承板1的噴砂處理部5之表面粗糙度(Ra)為2.6μm，殘留於噴砂處理部5之等面積圓直徑10μm以上之噴砂材，係每1cm2平均有2個。
藉由濺鍍裝置100，將薄膜予以成膜，而測定混入薄膜之微粒子的結果，微粒子數的平均為4個。此外，突發性之微粒子的產生次數為0次。
(第6實施形態)
接著，說明支承板1之製造方法的其他實施形態。
在本實施形態中，噴砂處理之噴砂材的粒徑之等面積圓直徑的平均係設為200μm至400μm，噴砂處理裝置之氣體壓力係設為4.4kg/cm2。
再者，在本實施形態中，以洗淨液對噴砂處理部5進行噴射洗淨(高壓水洗淨)，來取代蝕刻處理(步驟4)。此時，洗淨液之送出壓力係設為200kgf/cm2，水量係設為20l/min。
以此條件製造之支承板1的噴砂處理部5之表面粗糙度(Ra)為2.9μm，殘留於噴砂處理部5之等面積圓直徑10μm以上之噴砂材，係每1cm2平均有3個。
藉由濺鍍裝置100，將薄膜予以成膜，而測定混入薄膜之微粒子的結果，微粒子數的平均為4個。此外，突發性之微粒子的產生次數為0次。
(第7實施形態)
接著，說明支承板1之製造方法的其他實施形態。
在本實施形態中，噴砂處理之噴砂材的粒徑之等面積圓直徑的平均係設為300μm至500μm，噴砂處理裝置之氣體壓力係設為4.5kg/cm2。
在本實施形態中，採用噴射洗淨，來取代蝕刻處理(步驟4)，洗淨液之送出壓力係設為250kgf/cm2，水量係設為20l/min。
以此條件製造之支承板1的噴砂處理部5之表面粗糙 度(Ra)為3.5μm，殘留於噴砂處理部5之等面積圓直徑10μm以上之噴砂材，係每1cm2平均有2個。
藉由濺鍍裝置100，將薄膜予以成膜，而測定混入薄膜之微粒子的結果，微粒子數的平均為3個。此外，突發性之微粒子的產生次數為0次。
(第8實施形態)
接著，說明支承板1之製造方法的其他實施形態。
在本實施形態中，支承板1之材質係設為鋁合金。再者，噴砂處理之噴砂材的粒徑之等面積圓直徑的平均係設為200μm至400μm，噴砂處理裝置之氣體壓力係設為4.4kg/cm2。
以此條件製造之支承板1的噴砂處理部5之表面粗糙度(Ra)為3.0μm，殘留於噴砂處理部5之等面積圓直徑10μm以上之噴砂材，係每1cm2平均有2個。
藉由濺鍍裝置100，將薄膜予以成膜，而測定混入薄膜之微粒子的結果，微粒子數的平均為5個。此外，突發性之微粒子的產生次數為0次。
(第1比較例)
接著，說明支承板1之製造方法的第1比較例。
在第1比較例中，噴砂處理之噴砂材的粒徑之等面積圓直徑的平均係設為300μm至500μm，噴砂處理裝置之氣體壓力係設為5.3kg/cm2。
以此條件製造之支承板1的噴砂處理部5之表面粗糙度(Ra)為4.3μm，殘留於噴砂處理部5之等面積圓直徑10 μm以上之噴砂材，係每1cm2平均有3個。
藉由濺鍍裝置100，將薄膜予以成膜，而測定混入薄膜之微粒子的結果，微粒子數的平均為8個。此外，突發性之微粒子的產生次數為3次。
依據第1比較例得知，當噴砂處理部5之表面粗糙度(Ra)超過4.0時，減少微粒子及突發性之微粒子之產生的效果會變低。
如此，表面粗糙度大於4.0時，微粒子減少效果會變低之理由為，當表面粗糙度變大時，噴砂處理部5之溝會變深，堆積於該噴砂處理部5之膜的密接性會產生變異之故。
(第2比較例)
接著，說明支承板1之製造方法的第2比較例。
在第2比較例中，噴砂處理裝置之氣體壓力係設為4.6kg/cm2。再者，噴砂處理部5之蝕刻處理的蝕刻時間係設為1分鐘。
以此條件製造之支承板1的噴砂處理部5之表面粗糙度(Ra)為2.5μm，殘留於噴砂處理部5之等面積圓直徑10μm以上之噴砂材，係每1cm2平均有9個。
藉由濺鍍裝置100，將薄膜予以成膜，而測定混入薄膜之微粒子的結果，微粒子數的平均為8個。此外，突發性之微粒子的產生次數為3次。
(第3比較例)
接著，說明支承板1之製造方法的第3比較例。
在第3比較例中，噴砂處理裝置之氣體壓力係設為3.8kg/cm2。
以此條件製造之支承板1的噴砂處理部5之表面粗糙度(Ra)為0.8μm，殘留於噴砂處理部5之等面積圓直徑10μm以上之噴砂材，係每1cm2平均有5個。
藉由濺鍍裝置100，將薄膜予以成膜，而測定混入薄膜之微粒子的結果，微粒子數的平均為9個。此外，突發性之微粒子的產生次數為4次。
(第4比較例)
接著，說明支承板1之製造方法的第4比較例。
在第4比較例中，噴砂處理之噴砂材的粒徑之等面積圓直徑的平均係設為200μm至400μm，噴砂處理裝置之氣體壓力係設為4.5kg/cm2。
再者，在第4比較例中，並未進行超音波洗淨後之蝕刻處理(步驟4)、及該蝕刻處理後之超音波洗淨之處理(步驟5)。
以此條件製造之支承板1的噴砂處理部5之表面粗糙度(Ra)為2.8μm，殘留於噴砂處理部5之等面積圓直徑10μm以上之噴砂材，係每1cm2平均有15個。
藉由濺鍍裝置100，將薄膜予以成膜，而測定混入薄膜之微粒子的結果，微粒子數的平均為12個。此外，突發性之微粒子的產生次數為4次。
(第5比較例)
接著，說明支承板1之製造方法的第5比較例。
在第5比較例中，並未進行噴砂處理(步驟2)、蝕刻處理(步驟4)、及該蝕刻處理後之超音波洗淨(步驟5)。亦即，支承板1係僅進行超音波洗淨(步驟3)。
以此條件製造之支承板1的噴砂處理部5之表面粗糙度(Ra)為0.5μm，殘留於噴砂處理部5之等面積圓直徑10μm以上之噴砂材，係每1cm2平均為0個。
藉由濺鍍裝置100，將薄膜予以成膜，而測定混入薄膜之微粒子的結果，微粒子數的平均為8個。此外，突發性之微粒子的產生次數為3次。
(第6比較例)
接著，說明支承板1之製造方法的第6比較例。
在第6比較例中，噴砂處理之噴砂材的粒徑之等面積圓直徑的平均係設為200μm至400μm，噴砂處理裝置之氣體壓力係設為4.4kg/cm2。
再者，在第6比較例中，在噴砂處理後之超音波洗淨(步驟3)、及蝕刻處理後之超音波洗淨(步驟5)中，超音波之頻率係設為30kHz。
以此條件製造之支承板1的噴砂處理部5之表面粗糙度(Ra)為2.8μm，殘留於噴砂處理部5之等面積圓直徑10μm以上之噴砂材，係每1cm2平均有10個。
藉由濺鍍裝置100，將薄膜予以成膜，而測定混入薄膜之微粒子的結果，微粒子數的平均為7個。此外，突發性之微粒子的產生次數為3次。
(第7比較例)
接著，說明支承板1之製造方法的第7比較例。
在第7比較例中，噴砂處理之噴砂材的粒徑之等面積圓直徑的平均係設為200μm至400μm，在噴砂處理後之超音波洗淨(步驟3)、及蝕刻處理後之超音波洗淨(步驟5)中，超音波之頻率係設為30kHz。此外，以洗淨液對噴砂處理部5進行噴射洗淨，來取代蝕刻處理(步驟4)。此時，洗淨液之送出壓力係設為250kgf/cm2，水量為20l/min。
以此條件製造之支承板1的噴砂處理部5之表面粗糙度(Ra)為2.7μm，殘留於噴砂處理部5之等面積圓直徑10μm以上之噴砂材，係每1cm2平均有12個。
藉由濺鍍裝置100，將薄膜予以成膜，而測定混入薄膜之微粒子的結果，微粒子數的平均為7個。此外，突發性之微粒子的產生次數為3次。
1‧‧‧支承板
1a‧‧‧支承板之表面
1b‧‧‧支承板之側周面
1c‧‧‧支承板之背面
2‧‧‧濺鍍靶
2a‧‧‧濺鍍靶之表面
2b‧‧‧濺鍍靶之側周面
2c‧‧‧濺鍍靶之背面
3‧‧‧形成區域
4‧‧‧形成區域以外之區域
5‧‧‧噴砂處理部
8‧‧‧間隙
10‧‧‧濺鍍陰極
20‧‧‧真空槽
22‧‧‧台座
23‧‧‧真空排氣管
24‧‧‧氣體導入管
25‧‧‧絕緣材
26‧‧‧屏蔽部
27‧‧‧矽晶圓(被處理基板)
28‧‧‧真空泵
30‧‧‧磁場形成部
31‧‧‧磁鐵支持部
32a‧‧‧第1磁鐵
32b‧‧‧第2磁鐵
50‧‧‧洗淨裝置
52‧‧‧洗淨槽
53‧‧‧泵
54‧‧‧配管
55‧‧‧洗淨液
100‧‧‧濺鍍裝置
第1圖係本發明一實施形態之濺鍍裝置的示意圖。
第2圖係濺鍍裝置所具有之濺鍍陰極及屏蔽部附近的放大圖。
第3圖係濺鍍陰極之分解透視圖。
第4圖係本發明一實施形態之支承板之製造方法的流程圖。
第5圖係顯示洗淨裝置之一例的示意圖。

Claims (11)

  1. 一種支承板的製造方法，係用以保持濺鍍靶之支承板的製造方法，該方法係具有下述步驟：準備支承板本體；對前述支承板本體之屬於形成前述濺鍍靶之區域的形成區域以外之至少一部分進行噴砂處理而形成噴砂處理部；對前述噴砂處理部進行超音波洗淨；對經前述超音波洗淨之前述噴砂處理部進行蝕刻或以洗淨液進行噴射洗淨；再次對前述噴砂處理部進行超音波洗淨。
  2. 如申請專利範圍第1項之支承板的製造方法，其中，形成前述噴砂處理部的步驟係使前述噴砂處理部粗面化成表面粗糙度(Ra)1μm以上4μm以下。
  3. 如申請專利範圍第2項之支承板的製造方法，其中，前述超音波洗淨之步驟係以施加有18kHz以上19kHz以下之超音波的洗淨液的噴流來對前述噴砂處理部進行超音波洗淨。
  4. 如申請專利範圍第3項之支承板的製造方法，其中，將前述噴流之壓力設定為200kPa以上300kPa以下。
  5. 一種支承板，係用以保持濺鍍靶之支承板，該支承板係具備：支承板本體；以及噴砂處理部，係藉由對前述支承板本體之屬於形成 前述濺鍍靶之區域的形成區域以外之至少一部分進行噴砂處理而形成，表面粗糙度(Ra)在1μm以上4μm以下，且每1cm2有4個以下之等面積圓直徑10μm以上之前述噴砂材；於前述噴砂處理中所使用的該噴砂材之粒徑的等面積圓直徑之平均為100μm至500μm。
  6. 如申請專利範圍第5項之支承板，其中，前述支承板本體係由鋁、銅、鈦、不鏽鋼或以該等材料之任一者為主成分的合金所構成。
  7. 一種濺鍍陰極，係具備：濺鍍靶；支承板本體，用以保持前述濺鍍靶；以及噴砂處理部，係對前述支承板本體之屬於形成前述濺鍍靶之區域的形成區域以外之至少一部分進行噴砂處理而形成，表面粗糙度(Ra)在1μm以上4μm以下，且每1cm2有4個以下之等面積圓直徑10μm以上之前述噴砂材；於前述噴砂處理中所使用的該噴砂材之粒徑的等面積圓直徑之平均為100μm至500μm。
  8. 一種濺鍍裝置，係具備：真空槽；及濺鍍陰極，係被施加電壓而使濺鍍粒子飛散在前述真空槽內，且具有：濺鍍靶；支承板本體，用以保持前述濺鍍靶；以及噴砂處理部，係對前述支承板本體之屬 於形成前述濺鍍靶之區域的形成區域以外之至少一部分進行噴砂處理而形成，表面粗糙度(Ra)在1μm以上4μm以下，且每1cm2有4個以下之等面積圓直徑10μm以上之前述噴砂材；於前述噴砂處理中所使用的該噴砂材之粒徑的等面積圓直徑之平均為100μm至500μm。
  9. 一種支承板的洗淨方法，係具有下述步驟：對將支承板予以噴砂處理而形成之噴砂處理部進行超音波洗淨；對經前述超音波洗淨之前述噴砂處理部進行蝕刻或以洗淨液進行噴射洗淨；再次對前述噴砂處理部進行超音波洗淨。
  10. 如申請專利範圍第9項之支承板的洗淨方法，其中，前述超音波洗淨之步驟係以施加有18kHz以上19kHz以下之超音波的洗淨液的噴流來對前述噴砂處理部進行超音波洗淨。
  11. 如申請專利範圍第9項之支承板的洗淨方法，其中，將前述噴流之壓力設定為200kPa以上300kPa以下。
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