TWI455376B - 電熱分離式發光二極體支架結構製成方法 - Google Patents

Description

電熱分離式發光二極體支架結構製成方法

一種發光二極體支架結構製成方法，尤其係指一種由散熱板與支架板耦合形成至少二散熱基座以及至少二組導電支架，或是由厚薄板形成至少二散熱基座以及至少二組導電支架，使散熱基座上可分別配置不同型式的發光二極體晶片之電熱分離式發光二極體支架結構製成方法。

近年來，由於發光二極體(Light Emitting Diode，LED)具有耗電量低、元件壽命長、無須暖燈時間及反應速度快等優點，加上其體積小、耐震動、適合量產，因此發光二極體已普遍使用於資訊、通訊及消費性電子產品的指示燈與顯示裝置上，如行動電話及個人數位助理(Personal Digital Assistant，PDA)螢幕背光源、各種戶外顯示器、交通號誌燈及車燈等。

通常發光二極體晶片係透過表面黏貼技術(Surface Mount Device，SMD)或是覆晶接合技術(flip chip bonding)固接於具有凹陷部之膠座內的支架上，請參考「第1圖」所示，「第1圖」繪示為第一種習知的發光二極體支架結構的發光二極體晶片配置側視剖面示意圖。

在具有凹陷部82的膠座81中，埋入有至少二支架83，各支架83部分是分別暴露在膠座81的凹陷部82內，並且各個支架83部分分別延伸出膠座81的兩側，即可形成電性連接部84，藉由電性連接部84以便於與其他電子裝置(圖式中未繪示)電性連接。

接著，再透過表面黏貼技術將發光二極體晶片85固接於暴露在膠座81的凹陷部82內支架83其中之一，以及透過打線接合技術或是覆晶接合技術使發光二極體晶片85可以透過電性導線86與另一支架83形成電性連接，最後，再於膠座81的凹陷部82上形成封裝膠體87，封裝膠體87即可以覆蓋於凹陷部82內的發光二極體晶片85及支架83。

然而，上述的發光二極體支架結構對於發光二極體晶片85的散熱，則是透過固接發光二極體晶片85的支架83對發光二極體晶片85提供散熱，並且支架83又提供發光二極體晶片85的電性連接的多重功能，這會導致支架83對發光二極體晶片85的散熱效率不足，因此，這種方式無法適用於高功率的發光二極體晶片85。

因此，則提出一種電熱分離式發光二極體支架結構，並請參考「第2圖」所示，「第2圖」繪示為第二種習知的發光二極體支架結構的發光二極體晶片配置俯視示意圖。

在具有凹陷部82的膠座81中，埋入有散熱基座88以及至少二支架83，散熱基座88以及各支架83部分是分別暴露在膠座81的凹陷部82內，並且各個支架83部分分別延伸出膠座81的兩側，即可形成電性連接部84，藉由電性連接部84以便於與其他電子裝置(圖式中未繪示)電性連接。

接著，再透過表面黏貼技術將發光二極體晶片85固接於暴露在膠座81的凹陷部82內散熱基座88，以及透過打線接合技術或是覆晶接合技術使發光二極體晶片85可以透過電性導線86分別與支架83形成電性連接，最後，再於膠座81的凹陷部82上形成封裝膠體87，封裝膠體87即可以覆蓋於凹陷部82內的發光二極體晶片85、散熱基座88及支架83。

透過上述的發光二極體支架結構在膠座81中分別埋入散熱基座88以及支架83，即可以有效的對發光二極體晶片85的散熱以及電性連接分離設計，即膠座81中所埋入的散熱基座88是用以提供發光二極體晶片85的散熱，而膠座81中所埋入的支架83是用以提供發光二極體晶片85的電性連接，即可提高發光二極體晶片85的散熱效率，以解決第一種習知的發光二極體支架結構所產生的問題。

但是，由於現有第二種習知的發光二極體支架結構在膠座81中僅埋入一個散熱基座88，當在散熱基座88上設置複數發光二極體晶片85時，需要使用同樣型式(PNP type或是NPN type)的發光二極體晶片85，即需要使用正負型式即相同的發光二極體晶片85，這樣子才能將多個發光二極體晶片85設置於散熱基座88上，對於發光二極體晶片85的使用以及電性連接都會被受到限制。

綜上所述，可知先前技術中長期以來一直存在散熱基座上設置複數發光二極體晶片時，必須使用相同型式的發光二極體晶片，使發光二極體晶片的使用受限制的問題，因此有必要提出改進的技術手段，來解決此一問題。

有鑒於先前技術存在散熱基座上設置複數發光二極體晶片時，必須使用相同型式的發光二極體晶片，使發光二極體晶片的使用受限制的問題，本發明遂揭露一種電熱分離式發光二極體支架結構製成方法，其中：

本發明所揭露之電熱分離式發光二極體支架結構製成方法，在第一實施態樣中包含下列步驟：

首先，於散熱板上形成至少二散熱基座；接著，於支架板上形成至少二組導電支架；接著，散熱板與支架板相互耦合，以使至少二散熱基座設置於至少二組導電支架間，且至少二散熱基座與至少二組導電支架不相連；最後，至少二散熱基座以及至少二組導電支架部分被埋入於膠座內，且至少二散熱基座以及至少二組導電支架部分暴露於膠座的凹陷部，及至少二組導電支架部分延伸於膠座外。

如上所述之電熱分離式發光二極體支架結構製成方法，其中於散熱板上形成至少二散熱基座的步驟是藉由沖壓製程以形成至少二散熱基座，並且於支架板上形成至少二組導電支架的步驟是藉由沖壓製程以形成至少二組導電支架。

如上所述之電熱分離式發光二極體支架結構製成方法，其中至少二散熱基座以及至少二組導電支架部分被埋入於膠座內，且至少二散熱基座以及至少二組導電支架部分暴露於膠座的凹陷部，及至少二組導電支架部分延伸於膠座外的步驟中，至少二散熱基座部分暴露於凹陷部是用以分別固定發光二極體晶片，並且發光二極體晶片分別與部分暴露於凹陷部的任一組導電支架形成電性連接，在膠座的凹陷部更覆蓋有封裝膠體，用以包覆發光二極體晶片，藉以形成SMD發光二極體。

本發明所揭露之電熱分離式發光二極體支架結構製成方法，其包含下列步驟：

首先，製成具有二種厚度差異的厚薄板；接著，於厚薄板厚度較大處形成至少二散熱基座；接著，於厚薄板厚度較小處形成至少二組導電支架，且至少二組導電支架與至少二散熱基座不相連；最後，至少二散熱基座以及至少二組導電支架部分被埋入於膠座內，且至少二散熱基座以及至少二組導電支架部分暴露於膠座的凹陷部，及至少二組導電支架部分延伸於膠座外。

如上所述之電熱分離式發光二極體支架結構製成方法，其中於厚薄板厚度較大處形成至少二散熱基座的步驟是藉由沖壓製程以形成至少二散熱基座，並且於厚薄板厚度較小處形成至少二組導電支架，且至少二組導電支架與至少二散熱基座不相連的步驟是藉由沖壓製程以形成至少二組導電支架。

如上所述之電熱分離式發光二極體支架結構製成方法，其中至少二散熱基座以及至少二組導電支架部分被埋入於膠座內，且至少二散熱基座以及至少二組導電支架部分暴露於膠座的凹陷部，及至少二組導電支架部分延伸於膠座外的步驟中，至少二散熱基座部分暴露於凹陷部是用以分別固定發光二極體晶片，並且發光二極體晶片分別與部分暴露於凹陷部的任一組導電支架形成電性連接，在膠座的凹陷部更覆蓋有封裝膠體，用以包覆發光二極體晶片，藉以形成SMD發光二極體。

本發明所揭露之製成方法如上，與先前技術之間的差異在於本發明具體實施態樣之一是由散熱板與支架板耦合形成至少二散熱基座以及至少二組導電支架來維持電熱分離的設計；另外一種具體實施態樣則是由厚薄板形成至少二散熱基座以及至少二組導電支架來維持電熱分離的設計，並且可以同時使用不同型式的發光二極體晶片，即可以將不同型式的發光二極體晶片分別配置於散熱基座上，並分別與不同的導電支架組形成電性連接，即可以自由選用不同型式的發光二極體晶片，藉以避免發光二極體晶片使用上的限制。

透過上述的技術手段，本發明可以達成同時使用不同型式發光二極體晶片的技術功效。

以下將配合圖式及實施例來詳細說明本發明之實施方式，藉此對本發明如何應用技術手段來解決技術問題並達成技術功效的實現過程能充分理解並據以實施。

以下將說明本發明所揭露之電熱分離式發光二極體支架結構製成方法的第一實施態樣，並請同時參考「第3圖」以及「第4圖」所示；「第3圖」繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構的第一實施態樣製成方法流程圖；「第4圖」繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構的散熱板與支架板耦合製成立體示意圖。

首先，以沖壓(stamping)方式製成具有至少二散熱基座11的散熱板10，即於散熱板10上形成至少二散熱基座11(步驟110)，並以沖壓方式製成具有至少二組導電支架21的支架板20，即於支架板20上形成至少二組導電支架21(步驟120)。

支架板20上所形成導電支架21組數會依據散熱板10所形成散熱基座11的數量來決定，即導電支架21組數會與散熱板10所形成散熱基座11的數量相同，並且每一組導電支架21是分別具有正極導電支架22以及負極導電支架23。

而在「第4圖」中於散熱板10上形成三個散熱基座11，因此，於支架板20上會形成三組導電支架21，圖式中繪示的散熱基座11以及導電支架21的數量僅為舉例說明之，在此不以圖式的繪示內容侷限本發明的應用範疇。

再將散熱板10以及支架板20分別透過設置於散熱板10以及支架板20上的定位部(12，24)相互定位結合，即散熱板10以及支架板20相互耦合，以使至少二散熱基座11設置於至少二組導電支架21間(步驟130)，值得注意的是至少二散熱基座11與至少二組導電支架21彼此之間不相連，藉此可以將散熱以及電性連接分離，以形成電熱分離的形式。

此時的散熱板10以及支架板20會形成一體成型，上述說明以及圖式僅為示意說明散熱板10以及支架板20製程方式，並不以此說明以及圖式侷限本發明的應用範疇。

在以沖壓方式分別製成具有至少二散熱基座11散熱板10以及具有至少二組導電支架21支架板20可以由導電性以及導熱性佳的金屬板或合金板所製成，例如：散熱板10以及支架板20可以為銅、鐵、鋁合金或其他導電性以及導熱性佳的材質所製成，即散熱基座11以及導電支架21會具有良好的導電性以及導熱性，在此僅為舉例說明散熱板10以及支架板20的材質，並不以此侷限本發明的應用範疇。

接著，請同時參考「第3圖」以及「第5圖」所示，「第5圖」繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構的俯視示意圖；在透過上述製程方式分別製造出相互分離的具有至少二散熱基座11的散熱板10以及具有至少二組導電支架21的支架板20，並將散熱板10以及支架板20相互耦合之後，以埋入射出(insert molding)的方式形成膠座30，以使每一個散熱基座11以及每一組導電支架21部分埋入於膠座30內(步驟140)，在實際製造過程中，僅需要透過上模具(圖中未繪示)以及下模具(圖中未繪示)將每一個散熱基座11以及每一組導電支架21嵌入於其中，在進行射出成型膠座30，即可以同時的將每一個散熱基座11以及每一組導電支架21部分埋入於膠座30內，而上模具以及下模具即可以一次性的脫模，完成埋入射出膠座30的製程，而膠座30的材質則可以是聚鄰苯二甲醯胺(polyphthalamide，PPA)或其他常用來作為發光二極體結構之膠座30的熱塑性樹脂，在此僅為舉例說明膠座30的材質，並不以此侷限本發明的應用範疇。

在射出成型膠座30時，同時會在膠座30中形成凹陷部31，並且每一個散熱基座11以及每一組導電支架21部分會暴露於膠座30的凹陷部31(步驟140)，以及每一組導電支架21部分會分別延伸出膠座30(步驟140)。

每一組導電支架21暴露於膠座30的凹陷部31的部分，以及每一組導電支架21延伸出膠座30的部分係用以提供電性連接之用，即每一組導電支架21暴露於膠座30的凹陷部31的部分是用以在膠座30的凹陷部31內與後續配置於每一個散熱基座11上的發光二極體晶片(圖中未繪示)形成電性連接，而每一組導電支架21延伸出膠座30的部分是用以在膠座30的外部形成電性連接，以便於與其他電子裝置(圖式中未繪示)電性連接，例如：主機板、電路板…等，在此僅為舉例說明之，並不以此侷限本發明的應用範疇。

換言之，後續分別配置於膠座30之凹陷部31內每一個散熱基座11上的發光二極體晶片(圖式中未繪示)即是透過每一個散熱基座11提供發光二極體晶片的散熱之用，並且透過每一組導電支架21暴露於膠座30的凹陷部31的部分，提供發光二極體晶片的電性連接，而透過每一組導電支架21延伸出膠座30的部分，提供發光二極體晶片與其他電子裝置電性連接。

透過上述過程所製成的電熱分離式發光二極體支架結構即可參考「第5圖」所示。

接著，以下將說明本發明所揭露之電熱分離式發光二極體支架結構製成方法的第二實施態樣，並請同時參考「第6圖」以及「第7A圖」所示；「第6圖」繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構的第二實施態樣製成方法流程圖；「第7A圖」繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構的厚薄板立體示意圖；首先，以擠壓(extrusion)方式製成具有二種厚度差異的厚薄板40(步驟210)，上述方式僅為舉例說明之，並不以此侷限本發明的應用範疇。

接著，請同時參考「第6圖」以及「第7B圖」所示，「第7B圖」繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構的厚薄板的散熱基座與導電支架製成立體示意圖；以沖壓(stamping)方式於厚薄板40厚度較大處形成至少二散熱基座41(步驟220)，並以沖壓方式於厚薄板40厚度較小處形成至少二組導電支架42(步驟230)

厚薄板40上所形成的導電支架42組數會依據厚薄板40上所形成的散熱基座41數量來決定，即導電支架42組數會與厚薄板40所形成散熱基座41的數量相同，並且每一組導電支架42是分別具有正極導電支架43以及負極導電支架44。

而在「第7A圖」以及「第7B圖」中於厚薄板40上形成三個散熱基座41，因此，於厚薄板40上會形成三組導電支架42，圖式中繪示的散熱基座41以及導電支架42的數量僅為舉例說明之，在此不以圖式的繪示內容侷限本發明的應用範疇。

值得注意的是，厚薄板40上所形成的至少二散熱基座41與至少二組導電支架42彼此之間不相連，藉此可以將散熱以及電性連接分離，以形成電熱分離的形式。

厚薄板40可以由導電性以及導熱性佳的金屬板或合金板所製成，例如：厚薄板40可以為銅、鐵、鋁合金或其他導電性以及導熱性佳的材質所製成，即散熱基座41以及導電支架42會具有良好的導電性以及導熱性，在此僅為舉例說明厚薄板40的材質，並不以此侷限本發明的應用範疇。

接著，請同時參考「第6圖」以及「第8圖」所示，「第8圖」繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構的俯視示意圖；在透過上述製程方式分別製造出相互分離的至少二散熱基座41以及至少二組導電支架42的厚薄板40之後，以埋入射出(insert molding)的方式形成膠座50，以使每一個散熱基座41以及每一組導電支架42部分埋入於膠座50內(步驟240)，在實際製造過程中，僅需要透過上模具(圖中未繪示)以及下模具(圖中未繪示)將每一個散熱基座41以及每一組導電支架42嵌入於其中，在進行射出成型膠座50，即可以同時的將每一個散熱基座41以及每一組導電支架42部分埋入於膠座50內，而上模具以及下模具即可以一次性的脫模，完成埋入射出膠座50的製程，而膠座50的材質則可以是聚鄰苯二甲醯胺(polyphthalamide，PPA)或其他常用來作為發光二極體結構之膠座50的熱塑性樹脂，在此僅為舉例說明膠座50的材質，並不以此侷限本發明的應用範疇。

在射出成型膠座50時，同時會在膠座50中形成凹陷部51，並且每一個散熱基座41以及每一組導電支架42部分會暴露於膠座50的凹陷部51(步驟240)，以及每一組導電支架42部分會分別延伸出膠座50(步驟240)。

每一組導電支架42暴露於膠座50的凹陷部51的部分，以及每一組導電支架42延伸出膠座50的部分係用以提供電性連接之用，即每一組導電支架42暴露於膠座50的凹陷部51的部分是用以在膠座50的凹陷部51內與後續配置於每一個散熱基座41上的發光二極體晶片(圖中未繪示)形成電性連接，而每一組導電支架42延伸出膠座50的部分是用以在膠座50的外部形成電性連接，以便於與其他電子裝置(圖式中未繪示)電性連接，例如：主機板、電路板…等，在此僅為舉例說明之，並不以此侷限本發明的應用範疇。

換言之，後續分別配置於膠座50之凹陷部51內每一個散熱基座41上的發光二極體晶片(圖式中未繪示)即是透過每一個散熱基座41提供發光二極體晶片的散熱之用，並且透過每一組導電支架42暴露於膠座50的凹陷部51的部分，提供發光二極體晶片的電性連接，而透過每一組導電支架42延伸出膠座50的部分，提供發光二極體晶片與其他電子裝置電性連接。

透過上述過程所製成的電熱分離式發光二極體支架結構即可參考「第8圖」所示。

接著，請參考「第9A圖」所示，「第9A圖」繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構配置發光二極體晶片的第一配置態樣俯視示意圖。

在此僅以本發明的第一實施態樣作為發光二極體晶片配置的說明，本發明的第二實施態樣配置發光二極體晶片亦如第一實施態樣的配置發光二極體晶片說明，在此僅為舉例說明之，並不以此侷限本發明的應用範疇。

藉由表面黏貼技術(Surface Mount Device，SMD)將第一發光二極體晶片61的負極固接於暴露在膠座30的凹陷部31的第一散熱基座111上，將第二發光二極體晶片62的負極固接於暴露在膠座30的凹陷部31的第二散熱基座112上，以及將第三發光二極體晶片63的負極固接於暴露在膠座30的凹陷部31的第三散熱基座113上。

接著，再透過打線接合技術(wire bonding)將第一發光二極體晶片61的正極與暴露於膠座30的凹陷部31的第一組導電支架211的正極導電支架221形成電性連接，以及將第一散熱基座111(即第一發光二極體晶片61的負極)與暴露於膠座30的凹陷部31的第一組導電支架211的負極導電支架231形成電性連接。

再將第二發光二極體晶片62的正極與暴露於膠座30的凹陷部31的第二組導電支架212的正極導電支架222形成電性連接，以及將第二散熱基座112(即第二發光二極體晶片62的負極)與暴露於膠座30的凹陷部31的第二組導電支架212的負極導電支架232形成電性連接。

最後，將第三發光二極體晶片63的正極與暴露於膠座30的凹陷部31的第三組導電支架213的正極導電支架223形成電性連接，以及將第三散熱基座113(即第三發光二極體晶片63的負極)與暴露於膠座30的凹陷部31的第三組導電支架213的負極導電支架233形成電性連接。

第一組導電支架211可以分別提供第一發光二極體晶片61不同的電性極性，第二組導電支架212可以分別提供第二發光二極體晶片62不同的電性極性，以及第三組導電支架213可以分別提供第三發光二極體晶片33不同的電性極性。

除了以打線接合技術將第一發光二極體晶片61、第二發光二極體晶片62以及第三發光二極體晶片63分別與第一組導電支架211、第二組導電支架212以及第三組導電支架213形成電性連接之外，更可以採用覆晶接合技術(flip chip bonding)將上述發光二極體晶片分別與每一組導電支架形成電性連接，至於打線接合技術以及覆晶接合技術電性連接方式可以參考現有技術，在此不再進行贅述，並且僅為舉例說明之，並部以上述方式侷限本發明的應用範疇。

接著，請參考「第9B圖」所示，「第9B圖」繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構配置發光二極體晶片的第二配置態樣俯視示意圖。

第二配置態樣是將第一發光二極體晶片61的正極固接於暴露在膠座30的凹陷部31的第一散熱基座111上，將第二發光二極體晶片62的正極固接於暴露在膠座30的凹陷部31的第二散熱基座112上，以及將第三發光二極體晶片63的負極固接於暴露在膠座30的凹陷部31的第三散熱基座113上。

接著，再透過打線接合技術(wire bonding)將第一發光二極體晶片61的負極與暴露於膠座30的凹陷部31的第一組導電支架211的負極導電支架231形成電性連接，以及將第一散熱基座111(即第一發光二極體晶片61的正極)與暴露於膠座30的凹陷部31的第一組導電支架211的正極導電支架221形成電性連接。

再將第二發光二極體晶片62的負極與暴露於膠座30的凹陷部31的第二組導電支架212的負極導電支架232形成電性連接，以及將第二散熱基座112(即第二發光二極體晶片62的正極)與暴露於膠座30的凹陷部31的第二組導電支架212的正極導電支架222形成電性連接。

最後，將第三發光二極體晶片63的正極與暴露於膠座30的凹陷部31的第三組導電支架213的正極導電支架223形成電性連接，以及將第三散熱基座113(即第三發光二極體晶片63的負極)與暴露於膠座30的凹陷部31的第三組導電支架213的負極導電支架233形成電性連接。

第一組導電支架211可以分別提供第一發光二極體晶片61不同的電性極性，第二組導電支架212可以分別提供第二發光二極體晶片62不同的電性極性，以及第三組導電支架213可以分別提供第三發光二極體晶片33不同的電性極性。

接著，請同時「第9A圖」以及「第9B圖」所示，透過第一組導電支架211、第二組導電支架212以及第三組導電支架213，即可以分別的對第一發光二極體晶片61、第二發光二極體晶片62以及第三發光二極體晶片63進行控制，並且可以分別採用不同型式(PNP type或是NPN type)的發光二極體晶片，藉此更可以提高使用發光二極體晶片的使用效能。

並且，在「第9A圖」以及「第9B圖」僅提供二種發光二極體的配置以及電性連接的方式，在此僅為舉例說明之，並不以此侷限本發明的應用範疇。

接著，請參考「第10圖」所示，「第10圖」繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構封裝發光二極體晶片的俯視示意圖。

在此僅以本發明的第一實施態樣作為發光二極體晶片配置的說明，本發明的第二實施態樣配置發光二極體晶片亦如第一實施態樣的配置發光二極體晶片說明，在此僅為舉例說明之，並不以此侷限本發明的應用範疇。

再於膠座30的凹陷部31上形成封裝膠體70，封裝膠體70即可以覆蓋於凹陷部31內的發光二極體晶片60，封裝膠體70可以透過點膠(dispensing)的方式形成，在此僅為舉例說明，並不以此侷限本發明的應用範疇，且封裝膠體70中可摻有螢光粉，因此當發光二極體晶片60所發出的光線照射到螢光粉而使其激發出另一種顏色的可見光時，發光二極體晶片60所發出的光線即可與螢光粉所激發出來的光線混合而產生混光效果。

綜上所述，可知本發明與先前技術之間的差異在於本發明具體實施態樣之一是由散熱板與支架板耦合形成至少二散熱基座以及至少二組導電支架來維持電熱分離的設計；另外一種具體實施態樣則是由厚薄板形成至少二散熱基座以及至少二組導電支架來維持電熱分離的設計，並且可以同時使用不同型式的發光二極體晶片，即可以將不同型式的發光二極體晶片分別配置於散熱基座上，並分別與不同的導電支架組形成電性連接，即可以自由選用不同型式的發光二極體晶片，藉以避免發光二極體晶片使用上的限制。

藉由此一技術手段可以來解決先前技術所存在散熱基座上設置複數發光二極體晶片時，必須使用相同型式的發光二極體晶片，使發光二極體晶片的使用受限制的問題，進而達成同時使用不同型式發光二極體晶片的技術功效。

雖然本發明所揭露之實施方式如上，惟所述之內容並非用以直接限定本發明之專利保護範圍。任何本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明所揭露之精神和範圍的前提下，可以在實施的形式上及細節上作些許之更動。本發明之專利保護範圍，仍須以所附之申請專利範圍所界定者為準。

10．．．散熱板

11．．．散熱基座

111．．．第一散熱基座

112．．．第二散熱基座

113．．．第三散熱基座

12．．．定位部

20．．．支架板

21．．．導電支架

211．．．第一組導電支架

212．．．第二組導電支架

213．．．第三組導電支架

22．．．正極導電支架

221．．．正極導電支架

222．．．正極導電支架

223．．．正極導電支架

23．．．負極導電支架

231．．．負極導電支架

232．．．負極導電支架

233．．．負極導電支架

24．．．定位部

30．．．膠座

31．．．凹陷部

40．．．厚薄板

41．．．散熱基座

42．．．導電支架

43．．．正極導電支架

44．．．負極導電支架

50．．．膠座

51．．．凹陷部

60．．．發光二極體晶片

61．．．第一發光二極體晶片

62．．．第二發光二極體晶片

63．．．第三發光二極體晶片

70．．．封裝膠體

81．．．膠座

82．．．凹陷部

83．．．支架

84．．．電性連接部

85．．．發光二極體晶片

86．．．電性導線

87．．．封裝膠體

88．．．散熱基座

步驟110於散熱板上形成至少二散熱基座

步驟120於支架板上形成至少二組導電支架

步驟130散熱板與支架板相互耦合，以使至少二散熱基座設置於至少二組導電支架間，且至少二散熱基座與至少二組導電支架不相連

步驟140至少二散熱基座以及至少二組導電支架部分被埋入於膠座內，且至少二散熱基座以及至少二組導電支架部分暴露於膠座的凹陷部，及至少二組導電支架部分延伸於膠座外

步驟210製成具有二種厚度差異的厚薄板

步驟220於厚薄板厚度較大處形成至少二散熱基座

步驟230於厚薄板厚度較小處形成至少二組導電支架，且至少二組導電支架與至少二散熱基座不相連

步驟240至少二散熱基座以及至少二組導電支架部分被埋入於膠座內，且至少二散熱基座以及至少二組導電支架部分暴露於膠座的凹陷部，及至少二組導電支架部分延伸於膠座外

第1圖繪示為第一種習知的發光二極體支架結構的發光二極體晶片配置側視剖面示意圖。

第2圖繪示為第二種習知的發光二極體支架結構的發光二極體晶片配置俯視示意圖。

第3圖繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構的第一實施態樣製成方法流程圖。

第4圖繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構的散熱板與支架板耦合製成立體示意圖。

第5圖繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構的俯視示意圖。

第6圖繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構的第二實施態樣製成方法流程圖。

第7A圖繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構的厚薄板立體示意圖。

第7B圖繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構的厚薄板的散熱基座與導電支架製成立體示意圖。

第8圖繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構的俯視示意圖。

第9A圖繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構配置發光二極體晶片的第一配置態樣俯視示意圖。

第9B圖繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構配置發光二極體晶片的第二配置態樣俯視示意圖。

第10圖繪示為本發明電熱分離式發光二極體支架結構封裝發光二極體晶片的俯視示意圖。

11．．．散熱基座

21．．．導電支架

22．．．正極導電支架

23．．．負極導電支架

30．．．膠座

31．．．凹陷部

Claims (10)

1. 一種電熱分離式發光二極體支架結構製成方法，其包含下列步驟：於一散熱板上形成至少二散熱基座；於一支架板上形成至少二組導電支架；該散熱板與該支架板相互耦合，以使該至少二散熱基座設置於該至少二組導電支架間，且該至少二散熱基座與該至少二組導電支架不相連；及該至少二散熱基座以及該至少二組導電支架部分被埋入於一膠座內，且該至少二散熱基座以及該至少二組導電支架部分暴露於該膠座的凹陷部，及該至少二組導電支架部分延伸於該膠座外。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電熱分離式發光二極體支架結構製成方法，其中於該散熱板上形成該至少二散熱基座的步驟是藉由沖壓製程以形成該至少二散熱基座。
3. 如申請專利範圍第1項所述之電熱分離式發光二極體支架結構製成方法，其中於該支架板上形成該至少二組導電支架的步驟是藉由沖壓製程以形成該至少二組導電支架。
4. 如申請專利範圍第1項所述之電熱分離式發光二極體支架結構製成方法，其中該至少二散熱基座以及該至少二組導電支架部分被埋入於該膠座內，且該至少二散熱基座以及該至少二組導電支架部分暴露於該膠座的凹陷部，及該至少二組導電支架部分延伸於該膠座外的步驟中，該至少二散熱基座部分暴露於該凹陷部是用以分別固定發光二極體晶片，並且發光二極體晶片分別與部分暴露於該凹陷部的任一組導電支架形成電性連接。
5. 如申請專利範圍第4項所述之電熱分離式發光二極體支架結構製成方法，其中該至少二散熱基座以及該至少二組導電支架部分被埋入於該膠座內，且該至少二散熱基座以及該至少二組導電支架部分暴露於該膠座的凹陷部，及該至少二組導電支架部分延伸於該膠座外的步驟中，更包含於該凹陷部覆蓋有一封裝膠體的步驟。
6. 一種電熱分離式發光二極體支架結構製成方法，其包含下列步驟：製成具有二種厚度差異的一厚薄板；於該厚薄板厚度較大處形成至少二散熱基座；於該厚薄板厚度較小處形成至少二組導電支架，且該至少二組導電支架與該至少二散熱基座不相連；及該至少二散熱基座以及該至少二組導電支架部分被埋入於一膠座內，且該至少二散熱基座以及該至少二組導電支架部分暴露於該膠座的凹陷部，及該至少二組導電支架部分延伸於該膠座外。
7. 如申請專利範圍第6項所述之電熱分離式發光二極體支架結構製成方法，其中於該厚薄板厚度較大處形成該至少二散熱基座的步驟是藉由沖壓製程以形成該至少二散熱基座。
8. 如申請專利範圍第6項所述之電熱分離式發光二極體支架結構製成方法，其中於該厚薄板厚度較小處形成該至少二組導電支架，且該至少二組導電支架與該至少二散熱基座不相連的步驟是藉由沖壓製程以形成該至少二組導電支架。
9. 如申請專利範圍第6項所述之電熱分離式發光二極體支架結構製成方法，其中該至少二散熱基座以及該至少二組導電支架部分被埋入於該膠座內，且該至少二散熱基座以及該至少二組導電支架部分暴露於該膠座的凹陷部，及該至少二組導電支架部分延伸於該膠座外的步驟中，該至少二散熱基座部分暴露於該凹陷部是用以分別固定發光二極體晶片，並且發光二極體晶片分別與部分暴露於該凹陷部的任一組導電支架形成電性連接。
10. 如申請專利範圍第9項所述之電熱分離式發光二極體支架結構製成方法，其中該至少二散熱基座以及該至少二組導電支架部分被埋入於該膠座內，且該至少二散熱基座以及該至少二組導電支架部分暴露於該膠座的凹陷部，及該至少二組導電支架部分延伸於該膠座外的步驟中，更包含於該凹陷部覆蓋有一封裝膠體的步驟。