TWI453948B - The structure of the press - fit type flip - chip light emitting element and its making method - Google Patents
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Description
本發明係有關一種壓合式覆晶發光元件結構及其製作方法，特別是指一種發光二極體利用壓合金屬層與基板壓合成型，能有效擴大接觸面積，進而增加散熱面積之壓合式覆晶發光元件結構。
按，發光二極體(Light Emitting Diode；LED)是近年來被認為最有潛力的產業之一，主要原因是發光二極體體積小效率高反應時間快產品壽命較其他光源長以及不含對環境有害的汞等優點，因此適用於高功率照明上。
惟，發光二極體的最大缺點是散熱問題，詳言之，當發光二極體之光取出效率不佳時，無法穿出發光元件(發光二極體及其封裝體)之光線會轉換為熱能。若無法有效地將此熱能導出發光元件，發光二極體在操作時溫度會上昇，因而造成元件可靠性問題。
為此，已有針對發光元件的散熱問題提出許多解決的方法，如第1圖所示，為先前技術之覆晶發光元件結構之示意圖。首先，於一藍寶石基板10上成長氮化鎵系列之一發光二極體12，利用二次轉移方式以雷射光照射或以化學蝕刻方式移除導熱性較差之藍寶石基板10之後，再結合一導熱性較佳之矽基板14，以改善發光二極體之散熱效果。其中，可利用覆晶接合(flip－chip bonding)方式取代傳統之導線接合(wire bonding)。發光二極體12包含一第一電極122、一第二電極124、以及分別形成於第一電極122及第二電極124之上之第一焊接層126及第二焊接層128，於接合製程中，係將第一焊接層126及第二焊接層128對應地接合於矽基板14上之第一接合墊142及第二接合墊144上。
其中，一般焊接層及接合墊之材質係為錫球，因此，可藉由錫球將發光二極體12及矽基板14進行熔融接合。然而，於接合、壓合過程中，容易造成熔融之錫膏擠出，甚至錫膏溢流至發光二極體12的側壁，因此，使得發光二極體12中的p-n半導體層短路，進而使發光元件失效。再者，使用錫球式覆晶製程，使得發光二極體晶片與基板的接觸面積相當小，無法有效的散熱，且此結構亦無法縮小負電極面積，讓發光面積受到了侷限，進而影響發光效率。因此，如何提高散熱及發光效率是亟待解決的問題。
有鑑於此，本發明遂針對上述先前技術之缺失，提出一種壓合式覆晶發光元件結構及其製作方法，以有效克服上述之該等問題。
惟，發光二極體的最大缺點是散熱問題，詳言之，當發光二極體之光取出效率不佳時，無法穿出發光元件(發光二極體及其封裝體)之光線會轉換為熱能。若無法有效地將此熱能導出發光元件，發光二極體在操作時溫度會上昇，因而造成元件可靠性問題。
為此，已有針對發光元件的散熱問題提出許多解決的方法，如第1圖所示，為先前技術之覆晶發光元件結構之示意圖。首先，於一藍寶石基板10上成長氮化鎵系列之一發光二極體12，利用二次轉移方式以雷射光照射或以化學蝕刻方式移除導熱性較差之藍寶石基板10之後，再結合一導熱性較佳之矽基板14，以改善發光二極體之散熱效果。其中，可利用覆晶接合(flip－chip bonding)方式取代傳統之導線接合(wire bonding)。發光二極體12包含一第一電極122、一第二電極124、以及分別形成於第一電極122及第二電極124之上之第一焊接層126及第二焊接層128，於接合製程中，係將第一焊接層126及第二焊接層128對應地接合於矽基板14上之第一接合墊142及第二接合墊144上。
其中，一般焊接層及接合墊之材質係為錫球，因此，可藉由錫球將發光二極體12及矽基板14進行熔融接合。然而，於接合、壓合過程中，容易造成熔融之錫膏擠出，甚至錫膏溢流至發光二極體12的側壁，因此，使得發光二極體12中的p-n半導體層短路，進而使發光元件失效。再者，使用錫球式覆晶製程，使得發光二極體晶片與基板的接觸面積相當小，無法有效的散熱，且此結構亦無法縮小負電極面積，讓發光面積受到了侷限，進而影響發光效率。因此，如何提高散熱及發光效率是亟待解決的問題。
有鑑於此，本發明遂針對上述先前技術之缺失，提出一種壓合式覆晶發光元件結構及其製作方法，以有效克服上述之該等問題。
本發明之主要目的在提供一種壓合式覆晶發光元件結構及其製作方法，其利用壓合金屬層取代習知打錫球製程，可有效降低製作成本，同時能增加熱散面積，進而提高發光效率。
本發明之另一目的在提供一種壓合式覆晶發光元件結構及其製作方法，其可進行共晶封裝製程，能有效降低製作成本。
為達上述之目的，本發明提供一種壓合式覆晶發光元件結構之製作方法，包括下列步驟：於一載板上，依序製作一n型半導體層、一多量子井發光層及一p型半導體層以形成一磊晶層。形成一正電極於p型半導體層上，形成一負電極於n型半導體層上，且位於多量子井發光層之側壁。沈積一絕緣層於部分正電極及負電極上，並分別裸露出一正電極通孔及一負電極通孔，此時，正電極通孔及負電極通孔係位於絕緣層的相對側。形成一壓合金屬層於絕緣層及正電極通孔、負電極通孔上。移除部分壓合金屬層，以裸露出部分絕緣層，使壓合金屬層分為相互絕緣之一第一壓合金屬單元及一第二子壓合金屬單元，且分別連接於正電極及負電極，使正電極及負電極實質上係位於同一平面。提供一基板，將基板上之一第一金屬層及一第二金屬層分別對應第一子壓合金屬層及該第二子壓合金屬層進行壓合成型；最後再移除載板，即製作完成壓合式覆晶發光元件結構。
此外，本發明提供另一種壓合式覆晶發光元件結構，包括一發光二極體及一基板。發光二極體包含一磊晶層、一正電極、一負電極、一絕緣層及一壓合金屬層。其中，磊晶層依序具有一n型半導體層、一多量子井發光層及一p型半導體層，正電極設於p型半導體層上，負電極設於n型半導體層上，且位於多量子井發光層之側壁。絕緣層設於部分正電極及負電極上，使其分別裸露出一正電極通孔及一負電極通孔，再將壓合金屬層設於絕緣層及部分正電極及負電極上，其中壓合金屬層具有相互絕緣之一第一子壓合金屬單元及一第二壓合金屬單元，係分別連接於正電極及負電極。基板具有電極圖案之一第一金屬層及一第二金屬層，分別相對應連接於第一壓合金屬單元及第二壓合金屬單元上之電極圖案，使發光二極體與基板相連接。底下藉由具體實施例詳加說明，當更容易瞭解本發明之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。
本發明之另一目的在提供一種壓合式覆晶發光元件結構及其製作方法，其可進行共晶封裝製程，能有效降低製作成本。
為達上述之目的，本發明提供一種壓合式覆晶發光元件結構之製作方法，包括下列步驟：於一載板上，依序製作一n型半導體層、一多量子井發光層及一p型半導體層以形成一磊晶層。形成一正電極於p型半導體層上，形成一負電極於n型半導體層上，且位於多量子井發光層之側壁。沈積一絕緣層於部分正電極及負電極上，並分別裸露出一正電極通孔及一負電極通孔，此時，正電極通孔及負電極通孔係位於絕緣層的相對側。形成一壓合金屬層於絕緣層及正電極通孔、負電極通孔上。移除部分壓合金屬層，以裸露出部分絕緣層，使壓合金屬層分為相互絕緣之一第一壓合金屬單元及一第二子壓合金屬單元，且分別連接於正電極及負電極，使正電極及負電極實質上係位於同一平面。提供一基板，將基板上之一第一金屬層及一第二金屬層分別對應第一子壓合金屬層及該第二子壓合金屬層進行壓合成型；最後再移除載板，即製作完成壓合式覆晶發光元件結構。
此外，本發明提供另一種壓合式覆晶發光元件結構，包括一發光二極體及一基板。發光二極體包含一磊晶層、一正電極、一負電極、一絕緣層及一壓合金屬層。其中，磊晶層依序具有一n型半導體層、一多量子井發光層及一p型半導體層，正電極設於p型半導體層上，負電極設於n型半導體層上，且位於多量子井發光層之側壁。絕緣層設於部分正電極及負電極上，使其分別裸露出一正電極通孔及一負電極通孔，再將壓合金屬層設於絕緣層及部分正電極及負電極上，其中壓合金屬層具有相互絕緣之一第一子壓合金屬單元及一第二壓合金屬單元，係分別連接於正電極及負電極。基板具有電極圖案之一第一金屬層及一第二金屬層，分別相對應連接於第一壓合金屬單元及第二壓合金屬單元上之電極圖案，使發光二極體與基板相連接。底下藉由具體實施例詳加說明，當更容易瞭解本發明之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。
由於習知覆晶發光元件係利用數顆錫球來連接發光二極體與基板，有散熱效率差及負電極面積過大問題，以及製程複雜、需大型機台製作、封裝成本過高等缺點。為此，本發明研發出一種新穎的壓合式覆晶發光元件結構及其製作方法，來徹底解決上述之缺失。
首先，先說明本發明的主要組成結構，如第2圖所示，壓合式覆晶發光元件結構包括一發光二極體16及一基板18。發光二極體16包含一磊晶層20、一正電極22、一負電極24、一絕緣層26及一壓合金屬層28。其中，磊晶層20依序具有一n型半導體層202、一多量子井發光層204及一p型半導體層206，磊晶層20受電壓驅動時會發光。正電極22設於p型半導體層206上；負電極24設於n型半導體層202上，且位於多量子井發光層204之側壁。絕緣層26設於部分正電極22及負電極24上，使其分別裸露出一正電極通孔222及一負電極通孔242。壓合金屬層28具有相互絕緣之一第一壓合金屬單元282及一第二壓合金屬單元284，係分別連接於正電極22及負電極24。基板18具有電極圖案之一第一金屬層182及一第二金屬層184，分別相對應連接於第一壓合金屬單元282及第二壓合金屬單元284上之電極圖案，使發光二極體16與基板18相連接。
為進一步瞭解本發明如何簡化製程來製作出高散熱功效及高發光效率之方法，請一併參閱第2圖、第3圖及第4圖，第3圖為本發明之步驟流程圖；第4A-4H圖為本發明製作壓合式覆晶發光元件結構之製作流程示意圖。
首先，如步驟S10，先製作一發光二極體16結構，於一載板30，如藍寶石基板上，依序製作一n型半導體層202、一多量子井發光層204及一p型半導體層206以形成一磊晶層20，如第4A所示。如步驟S12，形成一正電極22於p型半導體層206上，正電極22之材質係包含鉬/銀/金、鈦/鋁/鈦/金、鉑/銀/金、鉻/鉑/金或鎳/鋁/鈦/金，如第4B圖所示。再如步驟S14，形成一負電極24於n型半導體層202上，且位於多量子井發光層204之側壁，其中，負電極24之材質係包含鉬/銀/金、鈦/鋁/鈦/金、鉑/銀/金、鉻/鉑/金或鎳/鋁/鈦/金；此時，正電極22與負電極24並非位於同一平面上，且負電極24與多量子井發光層204之間形成有一距離，如第4C圖所示。
如步驟S16，沈積一絕緣層26於部分正電極22及負電極24上，使未沈積覆蓋區域分別裸露出一正電極通孔222及一負電極通孔242，其中，負電極通孔242即為負電極24與多量子井發光層204之間的距離區域；此時，正電極通孔222及負電極通孔242係位於絕緣層26的相對側，絕緣層26之材質係為二氧化矽、矽氮化物、氧化鋁或氮化鋁，當然，絕緣層26之材質更可為氧化鋅，係以低溫400度以下濺射氧化鋅於部分正電極22及負電極24上，使絕緣層26能作為防靜電之作用，如第4D圖所示。其中，絕緣層26係根據正電極22及負電極24之形成位置相應沈積於上，據以形成一梯形狀絕緣層；舉例來說，絕緣層26以平面沈積覆蓋於正電極22上，隨著正電極22與p型半導體層206、多量子井發光層204間的高度差，以及負電極24與p型半導體層206、多量子井發光層204間的高度差、相隔距離，據以形成一梯狀的高低落差；因此，絕緣層26的沈積圖形就形成了梯形狀絕緣層。
接續，如步驟S18，形成一壓合金屬層28完全覆蓋於絕緣層26及正電極通孔222、負電極通孔242上，其中，壓合金屬層28之材質係包含鈦/金、錫/金、銅/錫、鈦/銅/錫或鈦/金/錫，如第4E圖所示。
再如步驟S20，移除部分壓合金屬層28，形成一絕緣開口286，以裸露出部分絕緣層26，在此，絕緣開口286的大小可視製程所需而調整。如此一來，壓合金屬層28即可分為相互絕緣之一第一壓合金屬單元282及一第二壓合金屬單元284，且分別連接於正電極22及負電極24，使正電極22及負電極24實質上係位於同一平面。
舉例來說，由於正電極通孔222與絕緣層26形成一高度落差，因此第一壓合金屬單元282之沈積圖形即根據絕緣層26及正電極通孔222的形成位置相應沈積於上，據以形成梯狀的第一壓合金屬單元282，此時，第一壓合金屬單元282與正電極22會形成電性連接。同理，負電極通孔242與絕緣層26形成一高度落差，且於步驟S16中可得知，絕緣層26之沈積圖形為梯形狀；因此，沈積於絕緣層26上的第二壓合金屬單元284，亦即根據絕緣層26及負電極通孔242的形成位置相應沈積於上，據以形成梯狀的第二壓合金屬單元284，此時，第二壓合金屬單元284與負電極24會形成電性連接，如第4F圖所示。
值得注意的是，藉由壓合金屬層28之製作方式，可使正電極22及負電極24位於同一平面。由步驟S10～S20之製作流程，即可製作完成發光二極體16結構。
接續，如步驟S22，提供一基板18，基板18上製作具有電極圖案的一第一金屬層182及一第二金屬層184，如梳指狀電極圖案或叉狀電極圖案。壓合金屬層28之第一壓合金屬層282及第二壓合金屬層284上製作對應第一金屬層182及一第二金屬層184之電極圖案；並利用共晶粘結方式將第一金屬層182及第二金屬184分別對應第一壓合金屬單元282及第二壓合金屬單元284進行壓合成型，如第4G圖所示。值得注意的是，利用發光二極體16之特殊製作方式，使發光二極體16幾乎全部面積可與基板18相接觸，能有效的增加散熱的面積，進而能提高發光元件的性能及使用壽命。
最後，如步驟S24，於發光二極體16與基板18壓合成型之後，移除載板30，即製作完成壓合式覆晶發光元件結構，如第4H圖所示。
綜上所述，本發明利用壓合金屬層取代習知打錫球製程，可有效降低製作成本，同時能增加熱散面積；再者可任意設計電極圖案，來減小負電極面積，相對地就能提高發光面積及改善電流均勻度，如此確實能有效提高整體的發光效率。
更進一步而言，本發明不僅可省略製作ITO及打錫球的製程，據以簡化製程步驟，又可進行共晶封裝製程，來達到降低製作成本之目的。對於發光元件隨著高功率照明產品之日益需求及低價格的趨勢下，本發明確實為產業帶來無限商機及願景，極具市場競爭優勢。
唯以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍。故即凡依本發明申請範圍所述之特徵及精神所為之均等變化或修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍內。
首先，先說明本發明的主要組成結構，如第2圖所示，壓合式覆晶發光元件結構包括一發光二極體16及一基板18。發光二極體16包含一磊晶層20、一正電極22、一負電極24、一絕緣層26及一壓合金屬層28。其中，磊晶層20依序具有一n型半導體層202、一多量子井發光層204及一p型半導體層206，磊晶層20受電壓驅動時會發光。正電極22設於p型半導體層206上；負電極24設於n型半導體層202上，且位於多量子井發光層204之側壁。絕緣層26設於部分正電極22及負電極24上，使其分別裸露出一正電極通孔222及一負電極通孔242。壓合金屬層28具有相互絕緣之一第一壓合金屬單元282及一第二壓合金屬單元284，係分別連接於正電極22及負電極24。基板18具有電極圖案之一第一金屬層182及一第二金屬層184，分別相對應連接於第一壓合金屬單元282及第二壓合金屬單元284上之電極圖案，使發光二極體16與基板18相連接。
為進一步瞭解本發明如何簡化製程來製作出高散熱功效及高發光效率之方法，請一併參閱第2圖、第3圖及第4圖，第3圖為本發明之步驟流程圖；第4A-4H圖為本發明製作壓合式覆晶發光元件結構之製作流程示意圖。
首先，如步驟S10，先製作一發光二極體16結構，於一載板30，如藍寶石基板上，依序製作一n型半導體層202、一多量子井發光層204及一p型半導體層206以形成一磊晶層20，如第4A所示。如步驟S12，形成一正電極22於p型半導體層206上，正電極22之材質係包含鉬/銀/金、鈦/鋁/鈦/金、鉑/銀/金、鉻/鉑/金或鎳/鋁/鈦/金，如第4B圖所示。再如步驟S14，形成一負電極24於n型半導體層202上，且位於多量子井發光層204之側壁，其中，負電極24之材質係包含鉬/銀/金、鈦/鋁/鈦/金、鉑/銀/金、鉻/鉑/金或鎳/鋁/鈦/金；此時，正電極22與負電極24並非位於同一平面上，且負電極24與多量子井發光層204之間形成有一距離，如第4C圖所示。
如步驟S16，沈積一絕緣層26於部分正電極22及負電極24上，使未沈積覆蓋區域分別裸露出一正電極通孔222及一負電極通孔242，其中，負電極通孔242即為負電極24與多量子井發光層204之間的距離區域；此時，正電極通孔222及負電極通孔242係位於絕緣層26的相對側，絕緣層26之材質係為二氧化矽、矽氮化物、氧化鋁或氮化鋁，當然，絕緣層26之材質更可為氧化鋅，係以低溫400度以下濺射氧化鋅於部分正電極22及負電極24上，使絕緣層26能作為防靜電之作用，如第4D圖所示。其中，絕緣層26係根據正電極22及負電極24之形成位置相應沈積於上，據以形成一梯形狀絕緣層；舉例來說，絕緣層26以平面沈積覆蓋於正電極22上，隨著正電極22與p型半導體層206、多量子井發光層204間的高度差，以及負電極24與p型半導體層206、多量子井發光層204間的高度差、相隔距離，據以形成一梯狀的高低落差；因此，絕緣層26的沈積圖形就形成了梯形狀絕緣層。
接續，如步驟S18，形成一壓合金屬層28完全覆蓋於絕緣層26及正電極通孔222、負電極通孔242上，其中，壓合金屬層28之材質係包含鈦/金、錫/金、銅/錫、鈦/銅/錫或鈦/金/錫，如第4E圖所示。
再如步驟S20，移除部分壓合金屬層28，形成一絕緣開口286，以裸露出部分絕緣層26，在此，絕緣開口286的大小可視製程所需而調整。如此一來，壓合金屬層28即可分為相互絕緣之一第一壓合金屬單元282及一第二壓合金屬單元284，且分別連接於正電極22及負電極24，使正電極22及負電極24實質上係位於同一平面。
舉例來說，由於正電極通孔222與絕緣層26形成一高度落差，因此第一壓合金屬單元282之沈積圖形即根據絕緣層26及正電極通孔222的形成位置相應沈積於上，據以形成梯狀的第一壓合金屬單元282，此時，第一壓合金屬單元282與正電極22會形成電性連接。同理，負電極通孔242與絕緣層26形成一高度落差，且於步驟S16中可得知，絕緣層26之沈積圖形為梯形狀；因此，沈積於絕緣層26上的第二壓合金屬單元284，亦即根據絕緣層26及負電極通孔242的形成位置相應沈積於上，據以形成梯狀的第二壓合金屬單元284，此時，第二壓合金屬單元284與負電極24會形成電性連接，如第4F圖所示。
值得注意的是，藉由壓合金屬層28之製作方式，可使正電極22及負電極24位於同一平面。由步驟S10～S20之製作流程，即可製作完成發光二極體16結構。
接續，如步驟S22，提供一基板18，基板18上製作具有電極圖案的一第一金屬層182及一第二金屬層184，如梳指狀電極圖案或叉狀電極圖案。壓合金屬層28之第一壓合金屬層282及第二壓合金屬層284上製作對應第一金屬層182及一第二金屬層184之電極圖案；並利用共晶粘結方式將第一金屬層182及第二金屬184分別對應第一壓合金屬單元282及第二壓合金屬單元284進行壓合成型，如第4G圖所示。值得注意的是，利用發光二極體16之特殊製作方式，使發光二極體16幾乎全部面積可與基板18相接觸，能有效的增加散熱的面積，進而能提高發光元件的性能及使用壽命。
最後，如步驟S24，於發光二極體16與基板18壓合成型之後，移除載板30，即製作完成壓合式覆晶發光元件結構，如第4H圖所示。
綜上所述，本發明利用壓合金屬層取代習知打錫球製程，可有效降低製作成本，同時能增加熱散面積；再者可任意設計電極圖案，來減小負電極面積，相對地就能提高發光面積及改善電流均勻度，如此確實能有效提高整體的發光效率。
更進一步而言，本發明不僅可省略製作ITO及打錫球的製程，據以簡化製程步驟，又可進行共晶封裝製程，來達到降低製作成本之目的。對於發光元件隨著高功率照明產品之日益需求及低價格的趨勢下，本發明確實為產業帶來無限商機及願景，極具市場競爭優勢。
唯以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍。故即凡依本發明申請範圍所述之特徵及精神所為之均等變化或修飾，均應包括於本發明之申請專利範圍內。
10．．．藍寶石基板
12．．．發光二極體
122．．．第一電極
124．．．第二電極
126．．．第一焊接層
128．．．第二焊接層
14．．．矽基板
142．．．第一接合墊
144．．．第二接合墊
16．．．發光二極體
18．．．基板
182．．．第一金屬層
184．．．第二金屬層
20．．．磊晶層
202．．．n型半導體層
204．．．多量子井發光層
206．．．p型半導體層
22．．．正電極
222．．．正電極通孔
24．．．負電極
242．．．負電極通孔
26．．．絕緣層
28．．．壓合金屬層
282．．．第一壓合金屬單元
284．．．第二壓合金屬單元
286．．．絕緣開口
30．．．載板
第1圖為先前技術之覆晶發光元件結構之示意圖。
第2圖為本發明之結構示意圖。
第3圖為本發明之步驟流程圖。
第4A-4H圖為本發明製作壓合式覆晶發光元件結構之製作流程示意圖。
第2圖為本發明之結構示意圖。
第3圖為本發明之步驟流程圖。
第4A-4H圖為本發明製作壓合式覆晶發光元件結構之製作流程示意圖。
16．．．發光二極體
18．．．基板
182．．．第一金屬層
184．．．第二金屬層
20．．．磊晶層
202．．．n型半導體層
204．．．多量子井發光層
206．．．p型半導體層
22．．．正電極
222．．．正電極通孔
24．．．負電極
242．．．負電極通孔
26．．．絕緣層
28．．．壓合金屬層
282．．．第一壓合金屬單元
284．．．第二壓合金屬單元
Claims (19)
- 一種壓合式覆晶發光元件結構之製作方法，包括：
於一載板上，依序製作一n型半導體層、一多量子井發光層及一p型半導體層以形成一磊晶層；
形成一正電極於該p型半導體層上；
形成一負電極於該n型半導體層上，且位於該多量子井發光層之側壁；
沈積一絕緣層於部分該正電極及該負電極上，並分別裸露出一正電極通孔及一負電極通孔；
形成一壓合金屬層於該絕緣層及該正電極通孔、該負電極通孔上；
移除部分該壓合金屬層，以裸露出部分該絕緣層，使該壓合金屬層分為相互絕緣之一第一壓合金屬單元及一第二壓合金屬單元，且分別連接於該正電極及該負電極，使該正電極及該負電極位於同一平面；及
提供一基板，將該基板上之一第一金屬層及一第二金屬層分別對應該第一壓合金屬單元及該第二壓合金屬單元進行壓合成型。 - 如請求項1所述之壓合式覆晶發光元件結構之製作方法，其中於該第一金屬層及該第二金屬層上製作一電極圖案，且分別相對應於該第一壓合金屬單元及該第二壓合金屬單元上之電極圖案。
- 如請求項2所述之壓合式覆晶發光元件結構之製作方法，其中該電極圖案係為梳指狀電極圖案或叉狀電極圖案。
- 如請求項1所述之壓合式覆晶發光元件結構之製作方法，其中於該壓合成型之步驟中，係利用共晶粘結方式將該第一金屬層及該第二金屬分別對應該第一壓合金屬單元及該第二壓合金屬單元進行壓合成型。
- 如請求項1所述之壓合式覆晶發光元件結構之製作方法，其中於該壓合成型後，移除該載板。
- 如請求項1所述之壓合式覆晶發光元件結構之製作方法，其中該絕緣層係根據該正電極及該負電極之形成位置相應沈積於上，據以形成一梯形狀絕緣層。
- 如請求項1所述之壓合式覆晶發光元件結構之製作方法，其中於移除部分該壓合金屬層之步驟中，該第一壓合金屬單元係以梯狀形成於部分該絕緣層及該正電極通孔上，該第二壓合金屬單元係以梯狀形成於部分該絕緣層及該負電極通孔上。
- 如請求項1所述之壓合式覆晶發光元件結構之製作方法，其中該正電極及該負電極之材質係包含鉬/銀/金、鈦/鋁/鈦/金或鉑/銀/金。
- 如請求項1所述之壓合式覆晶發光元件結構之製作方法，其中該絕緣層之材質係為二氧化矽、矽氮化物或氮化鋁。
- 如請求項1所述之壓合式覆晶發光元件結構之製作方法，其中該壓合金屬層之材質係包含鈦/金或錫/金。
- 一種壓合式覆晶發光元件結構，包括：
一發光二極體，包含：
一磊晶層，其依序具有一n型半導體層、一多量子井發光層及一p型半導體層；
一正電極，設於該p型半導體層上；
一負電極，設於該n型半導體層上，且位於該多量子井發光層之側壁；
一絕緣層，設於部分該正電極及該負電極上，使其分別裸露出一正電極通孔及一負電極通孔；及
一壓合金屬層，具有相互絕緣之一第一壓合金屬單元及一第二壓合金屬單元，且分別連接於該正電極及該負電極；及
一基板，具有電極圖案之一第一金屬層及一第二金屬層，分別相對應連接於該第一壓合金屬單元及該第二壓合金屬單元上之電極圖案，使該發光二極體與該基板相連接。 - 如請求項11所述之壓合式覆晶發光元件結構，其中該電極圖案係為梳指狀電極圖案或叉狀電極圖案。
- 如請求項11所述之壓合式覆晶發光元件結構，其中該第一金屬層及該第二金屬層係利用共晶粘結方式分別對應連接該第一壓合金屬單元及該第二壓合金屬單元。
- 如請求項11所述之壓合式覆晶發光元件結構，其中該絕緣層係根據該正電極及該負電極之位置相應沈積於上，據以形成一梯形狀絕緣層。
- 如請求項11所述之壓合式覆晶發光元件結構，其中該第一壓合金屬單元係以梯狀設於部分該絕緣層及該正電極通孔上，該第二壓合金屬單元係以梯狀設於部分該絕緣層及該負電極通孔上。
- 如請求項11所述之壓合式覆晶發光元件結構，其中該正電極及該負電極之材質係包含鉬/銀/金、鈦/鋁/鈦/金、鉑/銀/金、鉻/鉑/金或鎳/鋁/鈦/金。
- 如請求項11所述之壓合式覆晶發光元件結構，其中該絕緣層之材質係為二氧化矽、矽氮化物、氧化鋁或氮化鋁。
- 如請求項11所述之壓合式覆晶發光元件結構，其中該絕緣層係為氧化鋅，係以低溫400度以下濺射該氧化鋅於部分該正電極及該負電極上，作為防靜電絕緣層。
- 如請求項11所述之壓合式覆晶發光元件結構，其中該壓合金屬層之材質係包含鈦/金、錫/金、銅/錫、鈦/銅/錫或鈦/金/錫。
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